TWI321127B - - Google Patents

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1321127 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種接合複數個之陷 徊之陶瓷構件之接合體及 其製造方法。 【先前技術】 向來’作為接合複數個之陶咨播丛0日 j免構件間之方法係提議固 相接合或液相接合等。例如提議扃翁 遴在氮化鋁構件之接合面來 塗敷硝㈣而I 18說進行固相接合之方法（例如參考專 利文獻υ。此外’也提議：在複數個之氮化㈣件群組之 間’介在混合It化銘粒子和溶融材技 邮何之接合劑，熔融該接合 劑’在接合部分，對於氮化鋁，來進杆五从 术進仃再結晶之液相接合（例 如參考專利文獻2)。 【專利文獻1】日本特開平8— 7328〇號公報 【專利文獻2】日本特開平1〇_ 27337〇號公報 【發明内容】 【發明所欲解決的課題】 但是，前述之習知之固相接合及液相接合係皆高溫成 為接合溫度150(TC以上，因此’在接合時，恐怕陶究構件 發生變形，或者是陶竟構件之表面發生變質。在發生這些 變形或變質之狀態下’必須在接合後，在接合體，施行機 械加工等。 因此，本發明之目的係提供一種防止由於接合所造成 7066-7531-pp；Ahddub 5 1321127 合體及其製 之陶瓷構件之變形或變質並且密合性良好之接 造方法。 【用以解決課題的手段】 為了達成前述之目的，因此，本發明之接合體係包括. 第1陶瓷構件、第2陶瓷構件、以及包括軟質么居 — 貝金屬而藉由 在該軟質金屬之未滿液相線之接合溫度來進行 1丁熟壓接而接 合第I陶瓷構件和第2陶瓷構件之接合層。 本發明之接合體之製造方法係藉由在第1陶曼構件和 第2陶瓷構件之間，介在包括軟質金屬之接合材，在該接 合材令之軟質金屬之未滿液相線之接合溫度，對於第1陶 瓷構件和第2陶瓷構件，來進行熱壓接，而透過接合層， 來接合第1陶瓷構件和第2陶瓷構件之方法。 L贫明效果】 如果藉由本發明之接合體及其製造方法的話，則設定 接合溫度在所謂軟質金屬之未滿液相線之低溫，因此叹可 以防止由於接合時之熱而在陶究構件來產生變形或變質。 【實施方式】 以下，就本發明之實施形態而進行說明。 正如圖1所示，接入辦 楚9 u 。體10係包括第1陶瓷構件11、 第2陶瓷構件12和接合 屬。接著，藉由在第 該接口層13係包括軟質金 是構件11和第2陶瓷構件12之 7〇66-7531-PF；Ahddvib c

K 間’插入接合材，在接合材 拉人、 τ之軟質金屬之未滿液相線之 接〇溫度，對於这此筐1 π贫 教没拉 第2喝：免才冓件Η、12,來進行 ”、、麼:接，而透過接合只n 陶咨 來接5第1陶瓷構件11和第2 陶瓷構件12。 第1陶瓷構件11和第2陶竞椹 文構件12係可以藉由相同 I间瓷而形成，也可以葬Α 也J以藉由不冋之陶瓷而形成。 第1陶瓷構件11和第2陶筚m Μ ^ a . ^ 间麦構件12之熱膨脹係數之 異係最好是lppm/K以下。如果兹 & & ^ 如果藉此的話，則可以更加地 抑制由於接合時之埶所造盍 夕燃, …所化成之弟1、第2陶瓷構件11、12 之變形。 例如作為第1陶瓷構件1 ^ 1第2陶瓷構件12係可以 ^匕括氧化鋁(Al2〇3)、氮化鋁(A1N)、碳化矽(SiC)、氮 氧氮耐熱陶細侧）等。第」陶㈣ 件Π、第2陶瓷構件12係最 取奸疋包括軋化鋁及/或氮化鋁。 接合層13、作為軟質金屬在县^ t 平人負隹屬係最好是包括鋁（Al)、鋁合 金4。接合層13係更 β 理w疋包括鋁合金。如果藉此的 話，則能夠更加地降低接人.、w At # * σ，孤度，能夠更加進一步地抑制 由於接合所造成之第1、第2陥雄 弟Ζ陶竞構件11、12之變形或變i 質Μ列如可以在接合片13~ 一 I 13包括銘合金之狀態下，設定其接 σ溫度成為600°C以下。 。、鋁合金係最好是包括鎂(Mg)〇.5〜5重量%。鎂係在5⑽ C以上’上升蒸氣壓。此外，鎂係具有強烈之還原力。因 此’可以藉由鋁合金包括既定量之鎂，而在對於第卜第2 陶究構件1卜12之間進行錢接時，㉟合金所包括之鎮破 7066-7531-PF/Ahddub 壞鋁合金之表面龛仆腊 一 氧化膜，增大鋁合金表面之活性。結果， 可以提高第1、第 是構件11、12間之密合性，能夠得 到更加良好之接合狀態。 此外，在使用氧化紹或氮化銘來作為第1陶£構件1i 和第2陶瓷構件12之壯能_ 之狀態下，接合層13係最好是包括鋁 合金如果藉由該組合的爷，目丨丨Α»·热坦_»姑

口9^品’則此夠提鬲第1陶瓷構件J J 或第2陶瓷構件12和接合芦h門 我 〇層i d間之親和性，可以得到高 密合性之良好之接合狀態。 接合層13之厚度係最好是〇 〇5〜〇 3mm。如果藉此的 話，則能夠適當地抑制由於第！、第2陶£構件u、12之 接合所造成之變形或變質。 此外第1、第2陶竞構件η、12之接合溫度係設定 在軟質金屬之未滿液相線。此外，最好是設定在由軟質金 屬之固相線來減算30°C之溫度（固相線一30°C )以上。 在此，在設定前述之接合溫度成為液相線以上時，成 為溶融軟質金屬而進行接合之液相接合。在該液相接合， 有以下之問題發生。（丨）在凝固時，發生拉引巢，因此，恐 怕會在第1、第2陶瓷構件丨丨、丨2和接合層丨3間之接合 部分，形成間隙，由該間隙來洩漏氣體。（2)不容易控制接 合層13之厚度。(3)例如在Al —Si — Mg合金成為軟質金屬 呀’在液相接合後，偏析合金成分之si，在使用於鹵素電 黎環境時，呈選擇性地腐蝕Si，因此，接合部分之壽命變 短於疋’則述之接合溫度係必須設定在未滿液相線。 另一方面，在設定接合溫度成為未滿由固相線減算30 8 7〇66^7531-PF;Ahddub 1321127 .°c之溫度時，硬化軟質金屬’在形成於第i、第2陶瓷構 件1卜12接合面之微細凹凸，並無充分地進入接合枋，因 •此’恐怕會在第卜第2陶究構件^12和接合層13間 之接合部分.，形成間隙，由該間隙來洩漏氣體。於是，接 合溫度係最好是設定在由固相線減算3〇t之溫度以上。 因此，可以藉由設定成為前述之接合溫度，而防止因 為在第卜第2陶聽件U、12之接合時之所造成之變形 或變質’並且，得到高密合性之良好之接合狀態。 此外’熱壓接之壓力係最好是設定在U〜19.8MPa。 即使是藉此，也可以防止因為第！、第2陶究構件m 之接合所造成之變形或變質，並且，得到高密合性之良好 之接合狀態。 在此種接合體1〇,例如有圖2所示之陶究加熱器2〇。 陶竞加熱器20係可以加熱半導體基板或液晶基板等之基 板。陶瓷加熱器20係包括基體2卜管狀構件22、接合層 φ 23和供電構件25。在該陶莞加熱器2。，以第土陶究構； 作為埋設電阻發熱體24之基體2卜以第2㈣構件 . 管狀構件22。 具體地說，在基體21之基板加熱面26之背面27,无 過接合層23而接合管狀構件22。在基體2卜埋設電阻香 熱體24。管狀構件22係透過接合層23而支持基體2卜由 外，在管狀構件22之内圍側，配置供電構件25。 在電阻發熱體24，連接供電構件…電阻發熱體^ 係透過供電構件25而接受供電，來進行發熱，上升基體 7066_7531-PF;Ahddub 1321127 21之基板加熱面26之溫度。電阻發熱體24係可以藉由鎢 (W)、鉬（Mo)、鎢碳化物（WC)等之高熔點材料而形成"。 即使是在陶究加熱器20，’基體21和管狀構件22係也 可以藉由相同種類之陶兗而形成，也可以藉由不同種類之 陶究而形成。此外’基體21和管狀構件22間之熱膨服係 數之差異係最好是lppm/K以下。例如基體Η或管狀構件 22係可以藉由氧化紹、氮化！g、碳化梦、氮化石夕、梦铭氧 氮耐熱陶竟等而形成。例如基體21或管狀構件22係最好 是藉由氧化鋁或氮化鋁而形成。如果藉此的話，則能夠提 供耐腐蝕性或耐熱性良好之陶瓷加熱器2〇。特別是在使用 氮化鋁之狀態下，也提高基板加熱面26之均熱性。 在接合層23，包括鋁、鋁合金等，來作為軟質金屬。 接合層23係最好是包括銘合銘合金係更加理想是包括 鎂（Mg)0.5〜5重量％。接合層23之厚度係最好是〇 〇5〜 0. 3mm 〇 設定陶兗加熱器20之基體21和管狀構件以間之接合 溫度在軟質金屬之未滿液相線。此外，接合溫度係最好是 由軟質金屬之固相線來減算3 〇 t之溫度（固相線—3 〇 t )以 上。此外，最好是設定基體21和管狀構件22間之熱壓接 之壓力，成為4.9〜19.8MPa。 在以下，就接合體和陶瓷加熱器之製造方法而進行說 明。 圖1所示之接合體1〇係藉由在第i陶瓷構件n和第 2陶㈣件12之間’介在包括軟質金屬之接合材，在該接 7066-753l-PP；Ahddub 10 1521121 α材中之軟質金屬之未滿液相線之接合溫度，對於第1陶 2構件11和第2陶瓷構件12，來進行熱壓接，而進行製 以。在製造後之接合體1〇，形成包括軟質金屬之接合層 13,透過該接合層13,來接合第丨陶瓷構件u和 瓷構件12。 接《材之形狀係並無限定，但是，例如可以使用軟質 金屬板或軟質金屬薄片等。接合溫度係設定在軟質金屬之 未滿液相線。此外，最好是由軟質金屬之固相線來減算^ C之溫度以上、也就是（固相線— 3〇°C)以上。此外，熱壓 接之壓力係最好是4. 9〜19. 8MPa。 圖2所示之陶竞加熱器2〇係也可以藉由在基體η和 管狀構件22之間，介在包括軟f金屬之接合材，在該接合 材中之軟質金屬之未滿液相線之接合溫度，對於基體 圈來進行熱壓接，而進行製造。接合材係例如 叮乂使用架圈形狀之軟質金屬板或軟f金屬薄片等。 造後之陶竟加熱器2。，也形成包括軟質金屬之接 广 透過該接合層23 ’來接合基體21和管狀構件22。 基體21係例如可以藉由以線圈狀或線狀之高炫 料之基體’作為電阻發熱體24，燒成埋設之陶究之成 而進行製作。此外，美俨？丨在 體’ U夕卜基體21係也可以藉由在 上，利用網版印刷等，來印刷包括高嫁點材料之 體 形成電阻發熱體24,在其上面，層積陶究之成形體，呈膏， 體地進行燒成而進行製作。 供電構件25係在接入甚ο彳 开长赉〇基體21和管狀構件22後，連接 11 7066-753l-PF；Ahddub 在電阻發熱冑24。例如可以在管狀構 入供電構件25，兹U之内圍侧，插 藉由銲錫接合等而接合 供電構件25。 電阻發熱體24和 如果藉由本實施形態之接合體】 及這坻接a俨㈣文加熱态20、以 接。體10和陶竞加熱器20之製造方太从 夠使得接合溫产， &方法的話，則能 U，成為所謂款質金 溫，因此，可以蕤山社人 两履相線之低 猎由接口而防止在陶究構 質。於是，在接人铭^ 知王雯形或變 等。 σ ，、不需要施行用以修正變形之加工 是在陶“熱器2°由於接合時之熱而發生變形 广員害基體21之基板加熱面26之均熱= 疋 本貫施形態之陶瓷加熱器20的話，則能夠 防止由於接合時之熱所造成之變形或變質，因此，也 =合=21和管狀構件22後，維持基板加熱面26之均 。亡藉此而得到所謂容易進行製造管理之效果。 像k樣陶竞加熱器2〇係可以維持高度之均孰性，因 此二以：用在半導體製造或液晶製造。例如陶竟 以在⑽等之製程，適當地加熱基板。 【實施例】 接著，藉由實施例卜2而更加詳細地說明本發明，但 是’本發明係完全並無限定在下列之實施例。 (實施例1) 在本實施例，製作圖1所示之接合體10。 首先，作為第1陶竟構件u、第2陶€構件12係準 7066-7531-PF;Ahddub 12 丄切127 •備直# 40mm、厚度20mm之圓板狀燒結體*在這次，作為 陶究燒結體係製作氮化鋁、碳化矽、氧化鋁和氮化梦。此 ' 外’作為用以形成接合層13之接合材係準備直徑4〇mm、 厚度0.1mm之鋁合金（jis BA4004)。 接著’在第1陶瓷構件11和第2陶瓷構件12之間， 插入前述之接合材。在該狀態下，在第丨陶瓷構件u和第 2陶£構件12 ’進行熱壓接。具體地說，使用熱沖壓裝置， 在真空度1Pa之真空中，在鋁合金之未滿液相線並且成為 由固相線來減算30°C之溫度（固相線一3〇。〇以上之55〇〇c 為止，升溫第1陶瓷構件U、第2陶瓷構件12和接合材， 在t)50°C，保持5小時。此外，使用之鋁合金之液相線係 591°C，固相線係559〇c。此外，由開始進行55(rc之保持 之時間點開始，在單軸方向（擠壓第i陶瓷構件丨〗和第2 陶瓷構件12之方向）’以9. 8MPa，開始進行加壓，在冷卻 至室溫為止之間，持續地進行加壓而進行接合。藉此而使 • 得接合材，成為接合層13，透過該接合層13而接合第工 陶莞構件11和第2陶究構件12。藉由以上之製程而製作 直仕4 0 nun、厚度大約4 0 ππη之接合體1 〇。 帛係、即使是藉由接合，也並無看到變形或變 質。此外，由接合體10來切出根據於Jls Ri6〇i之 40隨之灣曲試驗片，，在藉由登光探傷液來進行缺陷 檢查後’實施室溫之4點弯曲試驗。試驗片係準備1〇個而 求出4點彎曲強度之平均值。 將4點彎曲試驗之結果，顯示在表卜⑹」〜 7066-7531-PF;Ahddub 13 看到缺陷，破斷位置係 ,,Α. 何円可以實施健全之接入。 此外，預先僅製作母材之試w ^ 曲強度。n。」”之接…4 m比較4點彎 等於各個陶吝 ° 點彎曲強度之平均值係同 件π或第2陶曼構件12之=斷置係第1陶究構 12之任何一種之内部、也就 鋁燒結體之内部。接著 · 者在第1陶兗構件11和接合層13 間之接合面以及笫？ 、 陶瓷構件12和接合層13間之接合 面’並無發生剝離β此外，Nq 8係碳切而碳量呈不同之 2種類之基材之碳切A、碳切^熱膨脹係數分別成為 ·〇卿/K、3.0ppm/K並且熱膨脹係數之差異成為 但^ ’顯示良好之強度。另一方面，比較例1係第1陶究 構仵和帛2冑瓷構件之熱膨脹係數之差異變大成為 2、· 5ρριη/Κ，因此，在接合體，產生破裂，4點彎曲強度係 成為25GMPa ffij更加差於各種母材之強度。&外，比較例2 係接合材中之Mg量呈過度少，接合界面之活化力呈不足， 因此，成為低強度，相反地，比較例3係接合材中之Mg量 呈過度多，Mg本身之氧化膜變厚而成為低強度，比較例4 係接合材呈過度薄’並無應力緩衝效果而成為低強度，相 反地’比較例5係接合材呈過度厚，熱膨脹係數之差異之 影響變大而成為低強度。此外，比較例2〜5係並無發生破 裂，但是，在接合界面，殘留間隙。 7066-7531-PF;Ahddub 14 1321127 表1.接合體之4點彎曲強度 4點彎曲強度(MPa) No. 第1陶雙 第2陶究 接合材之組成 (wt%) 接合層之 厚度（ran) 接合體 母材 缺陷 破斷位置 1-1 览化铭 氮化鋁 Al-10Si-1.5Mg 0.12 320 350 無 母材内部 1 — 2 碳化矽 碳化矽 Al-10Si-1.5Mg 0.12 550 570 無 母材内部 1 — 3 氧化鋁 氧化鋁 Al-10Si-1.5Mg 0.12 340 380 無 母材内部 1-4 氮化矽 氮化矽 Al-10Si-1.5Mg 0.12 720 780 無 母材内部 1-5 氣化铭 氮化鋁 Al-10Si-l. 5Mg 0.05 300 350 無 母材内部 1-6 氮化鋁 氮化鋁 Al-10Si-1.5Mg 0.03 320 350 無 母材内部 1-7 氮化鋁 氮化鋁 Al-5Mg 0.1 300 350 無 母材内部 1 —8 碳化矽A 碳化矽B Al-10Si-1.5Mg 0.12 550 570 無 母材内部 比較例1 氮化鋁 氮化矽 Al-10Si-1.5Mg 0.12 250 — 在接合界面、 產生破裂 接合界面 比較例2 氣化IS 11化紹 99A1 0.1 150 350 在接合界面、 產生間隙 接合界面 比較例3 氮化銘 氮化鋁 Al-lOMg 0.1 120 350 在接合界面、 產生間隙 接合界面 比較例4 氮化鋁 氮化鋁 Al-10Si-1.5Mg 0. 02 80 350 在接合界面、 產生間隙 接合界面 比較例5 II化銘 氮化鋁 Al-10Si-1.5Mg 0.5 150 350 在接合界面、 產生間隙 接合界面

(實施例2) 製作圖2所示之陶瓷加熱器20。首先，製作基體21。 混合氮化鋁粉末9 5重量％和作為燒結助劑之三氧化二釔 (Y2〇3)粉末5重量％而調整原料粉末。使用原料粉末而製作 板狀之成形體。此時，在成形體，埋設線圈狀之鉬，來作 為電阻發熱體24，成為氮化鋁和電阻發熱體24之一體成 形體。藉由熱沖壓法而燒結成形體，製作埋設電阻發熱體 24之板狀之氮化鋁燒結體。在氮化鋁燒結體，施行用以插 入和外形加工、管狀構件22間之接合面之研磨加工、供電 構件25之打孔加工等，製作直徑30 0mm、厚度15mm之基 體21。接著，在電阻發熱體24，以銲錫接合2條之直徑 4mm、長度300πππ之錄（Ni)桿，來作為供電構件25。 另外製作管狀構件22。在相同於基體21之同樣之原 15 7066-7531-PF;Ahddub 1321127 料粉末，混合黏合劑而進行造粒，使用得到之造粒粉，藉 由 cip(cold Isostatic Pressing:冷等靜壓成形）法而 ^ 作管狀之成形體。在脫脂成形體後，藉由常壓燒結法而進 行燒成，製作管狀之氮化飽燒結體。在氮化銘燒結體，於 =外形加工、和基體21間之接合面之研磨加工等’製作: 輕75随、壁厚5mm '長度28〇mm之管狀構件22。 接著，準備接合材。該接合材係將厚度〇.12咖之幻 合金薄片UIS遞⑷沖壓加工成為環圈狀。也就是說 :2接人T1和管狀構件22間之接合部分之形狀係環 圈狀’接5材係沖麗加工成為對應於該接合部分之環圈狀。 在基體21和管狀構件22之間，插入M合金薄 作為接合材。在基體21和管狀構件22之时在接合材之 ^下’進行熱Μ接。具體地說，使用熱㈣裝置，在真 空度IPa之真空中，升溫至鋁 壯能^ ^ ^卫且成為由固相線（在本實施例之 狀一成為559。〇來減算3〇t之溫度（固相 之5抓為止，在550t，保持5小時。 C)= 55。。。之保持之時間點開始由開始如 罩 基體21和管狀構件22 之早軸方向，α而Pa，開始進行域，在冷卻至室 止之間，持續地進行加壓㈣行接合q得到之A 管狀構件22間之接合體，施行精 _ 器2〇。在該陶究加^ 2Q，㈣陶是加熱 展形成接合層23,透過該接合 層23而接合基體21和管狀構件22。 按。 陶究加熱器2〇係即使是藉由接合，也並無看到變形或 7066-7531-PF;Ahddub 16 變質。此外，為了評價接人 片 氣之泡漏試驗。1體 D。刀之亂⑧性’因此’進行氦 相反側之端部，透乂說，於管狀構件22接合面之 氣茂漏檢測器係罝“：二圏而連接氦氣攻漏檢測器。氦 '、/、有凸緣部，因此，透過 緣部嵌合在管狀構件22。接著，在*字凸 對於管狀構件22夕咖h 氣乳或漏檢測器而 構件22門之1 排氣成為真空後，在基體Η和管狀 構件22間之接合部分， s狀 侵入至管狀構件22内广…接者，由接合部分開始 、篇檢測器也 虱虱量，成為洩漏量，使用氦氣洩 漏核測1§，來進行測 ιη-8ρα 3/α1 了以確5忍氦氣之洩漏量係未滿ιχ 1场鐘，幾乎並無來自接合部分之茂漏。於是， 可以梅體2…狀構件22間之接合狀態係 好’能夠確保非常高之氣密性。 此外，評價陶究加熱器20之基板加熱面26之均熱性。 由供電構件25來流動電流至電阻發熱體24，使得電阻發 熱體24發熱’著’彳溫基體21之基板加熱面26而評價 基板加熱面26之均熱性。可以確認基板加熱面26之溫度 差係在平均溫度4°0°C，抑制在±irc之範圍内，也可以在 接合後，維持高度之均熱性。 此外’比較例6係在接合溫度更加高於液相線之溫度 595 C ’來進行接合’比較例7係在比起固相線還更加低 35C之溫纟524°C ’來進行接合，但是，兩者係也皆在接 合後’氣氣之茂漏量變大成為lxl〇—6Pa · ^/秒鐘以上而無 法使用。 此外’本發明係並無限定在前述之實施形態及實施例 7066-753l-PF;Ahddub 17 1321127 之記載，能夠進行各種之變更。 表2.陶瓷加熱器之軸接合部之洩漏試驗結果

No. 接合溫度（°C) 氦氣洩漏量 (Pa . m3/秒鐘） 2-1 550 2. 5x10-9 比較例6 595 >1χ10'6 比較例7 524 >lxl〇·6 【圖式簡單說明】 圖1係本發明之實施形態之接合體之剖面圖。 圖2係本發明之實施形態之陶瓷加熱器之剖面圖。 【主要元件符號說明】 10〜接合體； 11〜 第1陶瓷構件； 12〜第2陶瓷構件； 13、 2 3〜接合層； 20〜陶究加熱器； 21〜 基體（第1陶瓷構件）； 24〜電阻發熱體； 25〜 供電構件； 22〜管狀構件（第2陶瓷構件）。 7066-7531-PF;Ahddub 18

Claims (1)

1321127 第951(M341號中文申請專利範圍修正本 修正日期：：981111 十、申請專利範圍： 1_-種接合體’包括：第i陶竞構 以及接合前述之第1陶瓷槿陶瓷構件、 合層， 是構件和前述之第2陶究構件之接 其特徵在於： 前述接合層係包括軟質金屬，在該軟未 相線之接合溫度，來進行鼽懕垃 禾滿液 退仃熱壓接，而接合前述 構件和第2陶兗構件， 陶免 其中，前述接合層係包括鋁 鎂0.5〜5重量％， 。金’則述紹合金係包括 前述之第！陶竟構件和前述之第 係數之差異係lppm/K以下，以及 之熱膨脹 前述之接合體為陶竞加熱器，前 埋設電阻發熱體之基體，前 陶瓷構件為 體則返之第2陶瓷構件為管狀 2.如申請專利範圍第丨瑁裕、+、 巧$狀構件。 銘合金包括石夕。第1項所迷之接合體，其中，前述 3’如申印專利範圍第1或2項所述之接合體，其中 前述接合層之厚度係0.05ϋ。 其中， 4. 如申請專利範圍第1或2項所述之接合體 前述之第1陶f槿株知& # 其中’ 陶是構件和則边之第2陶£構 化鋁和氮化鋁之至少任何一種。 刀別包括氧 5. 一種接合體之製造方法，包括. 金二陶:::和:Γ_之…包括軟質 7066-7531-PF1 19 1321127 藉由在前述接合材中之軟質金屬之未滿液相線 ^度，對於前述之第1陶究構 σ 敎原拉^ 尤構件和第2陶€構件，來進行 熱壓接，而透過接合層，來接合 構件之製程所構成， 1陶是構件和第2陶竟 其中’前述接合層係包括鋁合金， 前述鋁合金係包括鎂0.5〜5重量％, 刖述之第1陶瓷構件和前述之第2陶 係數之差異係lppm/K以下， 之…、膨服 。前述之接合溫度係由前述之軟質金屬之固相 30 C之溫度以上、未滿液相線之溫度， ^ 前述熱壓接之壓力係4.9〜19鳥，以及 其中’前述之接合體係陶咨 構件係埋設電_體之=是：述之第1陶竟 狀構件。 ·、、、體之基體1述之第2陶竟構件係管 6.如申請專利範㈣5項所述之接合體之 ’ 其中前述鋁合金係包括矽。 k方法， 、· 7.如中請專利範圍第5或6項所述之接合體 法’其中，前述接合層之厚度係、G.G5〜G.3nm。"" 請專利範圍第5以項所述之接 法，其中，前述之第！陶㈣件和第2陶_件 化鋁和氮化鋁之至少任何一種。 ’、括虱 7066-7531-PF1 20