JP6078450B2 - 半導体製造装置用部材及びその製法 - Google Patents
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Description
本発明は、半導体製造装置用部材及びその製法に関する。
半導体製造装置において、ウエハーを処理する処理室内に設置され、高周波電力とガスを供給する部品がある（例えば特許文献１参照）。こうした部品は、高周波電力供給装置と呼ばれる。高周波電力供給装置は、Ａｌ材料からなる円盤状のガス分散板と、このガス分散板を支持するＡｌ製の筒状シャフトとを備えており、筒状シャフトの内部をガスが通る構造となっている。
従来の高周波電力供給装置については、Ａｌ製であったため、腐食性のプロセスガスを流すとＡｌが腐食し、その腐食物がウエハーに付着するという問題があった。この問題を解決するために、特許第４２８２２２１号公報を参考にして、ガス分散板及び筒状シャフトを共にセラミックスで作製した。しかし、その場合、高周波電力供給装置は、筒状シャフトの内部つまりガスが通過する貫通孔にアーキングが発生するという問題が生じた。こうしたアーキングを防ぐために、筒状シャフトの貫通孔の径を小さくした。このときの一例を図７に示す。
図７の高周波電力供給装置１００は、高周波電極が埋設されたセラミックス製のガス分散板１０２の片面に、径の小さな貫通孔１０６を有するセラミックス製の筒状シャフト１０４を固相接合したものである。なお、ガス分散板１０２には、貫通孔１０６を通過してきたガスを筒状シャフト１０４が接合された面とは反対側の面に供給するための複数の穴が設けられているが、それらの穴については図示を省略した。図７の高周波電力供給装置１００では、貫通孔１０６にアーキングが発生するのを防止することができたが、次の問題が生じた。すなわち、筒状シャフト１０４の貫通孔１０６の径が小さくなるのに伴い、筒状シャフト１０４の断面に占めるセラミックスが大きくなるため、筒状シャフト１０４にクラックが入るという問題が発生した。また、ガス分散板１０２から筒状シャフト１０４を通じての放熱が大きくなるために、ガス分散板１０２のうち筒状シャフト１０４との接合部分の近傍の表面温度が下がり、ガス分散板１０２の中心部に本来不要のデポ（デポジション）が発生した。
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、半導体製造装置用部材であって、ガス分散板やシャフトが腐食せず、クラックが発生しにくく、アーキングが発生しにくいものを提供することを目的とする。
本発明の半導体製造装置用部材は、
電極が埋設されたガス分散板の片面に、ガスが通過する貫通孔を有するシャフトが接合され、前記貫通孔を通過してきたガスが前記ガス分散板に設けられた複数の穴を通じて外部へ放出される半導体製造装置用部材であって、
前記ガス分散板及び前記シャフトは共にセラミックス製であり、
前記シャフトは内管と外管とを備えた二重管構造となっており、前記内管の内部空間が前記貫通孔になっている。
電極が埋設されたガス分散板の片面に、ガスが通過する貫通孔を有するシャフトが接合され、前記貫通孔を通過してきたガスが前記ガス分散板に設けられた複数の穴を通じて外部へ放出される半導体製造装置用部材であって、
前記ガス分散板及び前記シャフトは共にセラミックス製であり、
前記シャフトは内管と外管とを備えた二重管構造となっており、前記内管の内部空間が前記貫通孔になっている。
この半導体製造装置用部材では、セラミックス製であるため、貫通孔を通過するガスが腐食性ガスであったとしても、ガス分散板やシャフトが腐食することはない。また、シャフトは内管と外管とを備えた二重構造であり、内管と外管との間はセラミックスではなく空間になっているため、断面に占めるセラミックスの割合が少ない。このため、シャフトにクラックが発生しにくい。更に、内管の内径をアーキングが発生しないように小さく設計することができる。
こうした半導体製造装置用部材の製法は、前記ガス分散板の片面に前記内管及び前記外管を配置し、前記内管及び前記外管にそれぞれ重りを載せた状態で加熱することにより、前記内管及び前記外管を前記ガス分散板に固相接合する。
なお、ガス分散板に埋設される電極は、高周波電極（ＲＦ電極）であってもよいし、ヒーター電極であってもよいし、静電電極であってもよい。
［第１実施形態］
図１は、半導体製造装置用部材の１つである高周波電力供給装置１０の断面図である。なお、図中に寸法を示したが、これは一例であり、この寸法に限定されるものではない。
図１は、半導体製造装置用部材の１つである高周波電力供給装置１０の断面図である。なお、図中に寸法を示したが、これは一例であり、この寸法に限定されるものではない。
高周波電力供給装置１０は、高周波電極１４が埋設されたガス分散板であるプレート１２の片面に、ガスが通過する貫通孔２０を有するシャフト１６が接合されている。
プレート１２及びシャフト１６は、共にセラミックス製である。
シャフト１６は、内管１８と外管２２とを備えた二重管構造となっており、内管１８の内部空間が貫通孔２０になっている。
プレート１２と内管１８及び外管２２は、それぞれ気密を保つように固相接合されている。シャフト１６の接合位置はプレート１２の中央である。
内管１８は、プレート１２に接合される側の端部に外フランジ１８ａを有している。内管１８の内側に位置するプレート１２には図示しない複数の貫通穴が開いている。内管１８の内径は、図示しない半導体製造装置の容器内の圧力もしくは通過するガス流量によって適宜選択すればよいが、１０ｍｍ以下が好ましく、５ｍｍ以下が更に好ましい。内径が小さい方がアーキングしにくくなるので好ましい。
外管２２は、プレート１２に接合される側の端部にフランジを有さず、プレート１２に接合される側とは反対側の端部に内フランジ２２ａを有している。この内フランジ２２ａの内径は、内管１８の外径よりも大きい。つまり、内フランジ２２ａの内側には、内管１８が貫通する十分な開口部がある。外管２２のうち、プレート１２に接合される側の端部は、外管２２の円筒部（胴部）とほぼ同じ断面形状を有している。外管２２の円筒部の肉厚は、２ｍｍ以上７ｍｍ以下とするのが好ましく、３ｍｍ以上５ｍｍ以下とするのがより好ましい。
内管１８と外管２２との間の領域には、高周波電極１４に電力を供給する給電部材２６が通っている。給電部材２６は、プレート１２に埋設されている高周波電極１４と接続されている。内フランジ２２ａには、給電部材２６を挿通するための穴２４が開いている。
内管１８の側面及び外管２２の内フランジ２２ａは気密性を持って（たとえば図示しないＯリングなどを用いて）、図示しない半導体製造装置の容器に接続される。また、内管１８は、図示しないガス導入管に接続される。内管１８の外フランジ１８ａとは反対側の端は、外管２２より長いことが好ましい。内管１８とガス導入管との接続を容易に気密にすることができるからである。ガス導入管から内管１８の貫通孔２０に供給されたガスは、プレート１２に設けられた図示しない複数の穴を通じて外部（容器内）へ放出される。また、それらの穴を通じて、高周波電力供給装置１０の外部からガスを内管１８の貫通孔２０に引き入れることも可能である。
この高周波電力供給装置１０は、以下のようにして製造される。図２は、高周波電力供給装置１０の製造工程図である。ここでは、セラミックスとしてＡｌＮを用いる場合を例に挙げて説明する。但し、ＡｌＮ以外のセラミックスを用いることを排除するものではない。
まず、プレート１２の片面に内管１８及び外管２２を配置する。このとき、プレート１２と内管１８と外管２２とが同軸になるように配置する。
次に、内管１８の外フランジ１８ａ及び外管２２の内フランジ２２ａをそれぞれ押圧する。このとき、内管１８の外フランジ１８ａを押圧する治具は、加圧筒３０と重り３２からなり、外管２２の内フランジ２２ａを押圧する治具は、加圧筒３４と重り３６からなる。そして、加圧筒３４と重り３６が、加圧筒３０と重り３２を取り囲むようにして、シャフト１６の上方に熱容量が大きい治具が集まるようにしている。なぜなら、接合部分をなるべく早く昇温でき、且つ降温することが可能になるからである。
加圧筒３４は、外管２２の内フランジ２２ａと接触する面が内フランジ２２ａとほぼ同じ内径、外径となるように、テーパー状になっている。これにより、接触面の微妙な隙間が埋まり全圧力が内フランジ２２ａに均等に負荷されるので、片あたり等による外管２２の端部の異常変形がなく、且つ、均等な圧力が内フランジ２２ａを通して接合部に負荷され、均質な応力加重による均質な接合が可能となる。また、加圧筒３４の外周面がテーパー状になっており、接触面の寸法が内フランジ２２ａとほぼ同じであるので、繰り返し使用による治具自体の形状変化を抑制することができる。
セラミックスとしてＡｌＮを用いる場合には、加圧筒３０，３４はＢＮ製が好ましい。高融点であると同時にＡｌＮと高温で反応しないので、接合後に簡単に取り外せるからである。重り３２，３６は、密度の大きく、高融点であるタングステンが好ましい。高温でＢＮと反応しないので接合後に簡単に取り外せるからである。
加圧筒３４及び重り３６の合計重量は、接合面に５００〜７００ｇ／ｃｍ2の圧力が掛かるように設定するのが好ましい。５００ｇ／ｃｍ2以上で、十分気密な接合が得られるものの、７００ｇ／ｃｍ2を超える圧力では、外管２２自体が接合中に変形してしまい、必要な寸法精度が得られなくなるおそれが高くなるからである。
加圧筒３０及び重り３２の合計重量は、接合面に５００ｇ／ｃｍ2以上の圧力が掛かるように設定するのが好ましい。内管１８の外フランジ１８ａのみに圧力が掛かるので、変形が生じたとしても外フランジ１８ａの変形だけに抑制できるため、２〜３ｋｇ／ｃｍ2の圧力が掛かるようにするのがより好ましい。
プレート１２及びシャフト１６（内管１８及び外管２２）は固相接合で接合される。固相接合の詳細は、特許２７８３９８０号、特許４０７０７５２号、特許３３１６１６７号等に詳述されている。まず、シャフト１６の接合面とプレート１２の接合面を所定の粗さで平面とし、必要に応じて、接合面に助剤を塗布し、上記のようにプレート１２、シャフト１６、接合治具（加圧筒３０，３４及び重り３２，３６）を組み立てる。この組立体を上述特許にあるように雰囲気炉内に設置し、不活性ガス雰囲気とし、所定温度まで昇温して、所定温度で所定時間維持し、降温させる。加熱状態で、重り３２，３６によって接合面に押圧力が負荷され、ＡｌＮセラミックス同士が固相拡散接合する。押圧力に重り３２，３６を用いるため、雰囲気炉を用いることが可能であり、外部から油圧シリンダーで押圧力を付加する装置は不要である。その結果、非常に再現性が良く、バラツキの無い接合プロセスを提供できる。
以上詳述した高周波電力供給装置１０によれば、全体がセラミックス製であるため、貫通孔２０を通過するガスが腐食性ガスであったとしても、プレート１２やシャフト１６が腐食することはない。また、シャフト１６は内管１８と外管２２とを備えた二重構造であり、内管１８と外管２２との間はセラミックスではなく空間になっているため、断面に占めるセラミックスの割合が少ない。このため、シャフト１６にクラックが発生しにくい。更に、内管１８の内径をアーキングが発生しないように小さく設計することができる。
更にまた、内管１８と外管２２との間の領域は半導体製造装置の容器内の雰囲気（高周波電力供給装置１０の外側の雰囲気）と隔絶されるとともに、内管１８内の雰囲気とも隔絶されるため、容器内に導入される腐食性ガスから給電部材２６を隔離することができる。内管１８と外管２２の間の領域の雰囲気は大気であってもよいが、プレート１２が高温になる場合は、給電部材２６の酸化防止のため、窒素やアルゴンなどの不活性ガスの雰囲気にしてもよい。
そしてまた、内管１８はプレート１２と外フランジ１８ａで接合されているため、接合強度が高く、内管１８の曲げモーメントに対する耐力を増大し、内管１８が接合部分で外れるのを防ぐことができる。この外フランジ１８ａは接合するときに加重を負荷する部分として最適である。
そして更に、高周波電力供給装置１０では、外管２２のうちプレート１２との接合部の外径を小さくしつつも、外管２２と内管１８との間の領域を十分に大きくすることができる。外管２２のうちプレート１２との接合部の外径が小さいので、プレート近傍の熱容量を小さくすることができる。そのため、容器内の温度に追随しやすくなり、不要なデポがプレート１２に生じるのを防ぐことができる。また、外管２２の端部に内フランジ２２ａがあることで、構造体としての外管２２の強度が大きくなり、接合時の外管の変形を小さくすることができる。
［第２実施形態］
図３は、第２実施形態の高周波電力供給装置４０の断面図である。この高周波電力供給装置４０では、外管４２の形状が異なる以外は第１実施形態の高周波電力供給装置１０と同じであるため、同じ構成要素については同じ符号を付し、その説明を省略する。
図３は、第２実施形態の高周波電力供給装置４０の断面図である。この高周波電力供給装置４０では、外管４２の形状が異なる以外は第１実施形態の高周波電力供給装置１０と同じであるため、同じ構成要素については同じ符号を付し、その説明を省略する。
外管４２は、プレート１２に接合される側の端部に外フランジ４２ａを有し、プレート１２に接合される側とは反対側の端部に内フランジ４２ｂを有し、内フランジ４２ｂの内径は内管１８の外径よりも大きい。この外管４２の円筒部の肉厚は２ｍｍ以上７ｍｍ以下とするのが好ましく、３ｍｍ以上５ｍｍ以下とするのがより好ましい。
この高周波電力供給装置４０は、以下のようにして製造される。図４は、高周波電力供給装置４０の製造工程図である。ここでは、セラミックスとしてＡｌＮを用いる場合を例に挙げて説明する。但し、ＡｌＮ以外のセラミックスを用いることを排除するものではない。
まず、プレート１２の片面に内管１８及び外管４２を配置する。このとき、プレート１２と内管１８と外管４２とが同軸になるように配置する。
次に、内管１８の外フランジ１８ａ及び外管４２の外フランジ４２ａをそれぞれ押圧する。このとき、内管１８の外フランジ１８ａを押圧する治具は、第１実施形態と同様、加圧筒３０と重り３２とからなる。外管４２の外フランジ４２ａを押圧する治具は、リング状の加圧筒４４と重り４６とからなる。この場合、接合時に外管４２の円筒部に押圧力がかからないので、第１実施形態に比べて外管４２の肉厚を薄くすることができる。外管４２の肉厚が薄いことで、プレート１２からの熱の伝達量が小さくなるため、特にプレート１２が高温にさらされる場合には、プレート１２の温度分布が悪化するのを防止することができる。
加圧筒４４の押圧端面（外フランジ４２ａと接触する部分）の寸法は、外フランジ４２ａとほぼ同一であることが好ましい。加圧筒４４の内径は外管４２の円筒部の外径より若干大きく、クリアランスがある程度が好ましい。こうした加圧筒４４を利用するため、外フランジ４２ａに均等に押圧力が掛かり、外フランジ４２ａとプレート１２との接合面に均等に圧力が伝達され、均等に接合することができる。外フランジ４２ａが押圧されるだけなので、外管４２自体は押圧されず、外管４２の変形を完全に抑制することができる。
なお、接合プロセスについては、第１実施形態と同様のため、説明を省略する。
以上詳述した高周波電力供給装置４０によれば、第１実施形態と同様の効果が得られるほか、上述したように、外管４２の肉厚を薄くできるためプレート１２の温度分布が悪化するのを防止することができる。
［その他］
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
例えば、上述した第１実施形態では、外管２２のうちプレート１２に接合される側とは反対側の端部に内フランジ２２ａを設けたが、図５に示す高周波電力供給装置５０のように、内フランジ２２ａの代わりに外フランジ２２ｂを設けてもよい。この場合、外フランジ２２ｂには給電部材２６を貫通する穴を設ける必要はない。このようにしても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
上述した第２実施形態では、プレート１２に接合される側の端部に外フランジ４２ａ、プレート１２に接合される側とは反対側の端部に内フランジ４２ｂを有する外管４２を用いたが、図６に示す高周波電力供給装置６０のように外管６２を用いてもよい。外管６２は、プレート１２に近い側が大径、遠い側が小径の段差付きの管であり、プレート１２に接合される側の端部に第１の外フランジ６２ａ、プレート１２に接合される側とは反対側の端部に第２の外フランジ６２ｂを有している。第２の外フランジ６２ｂの内径（段差付き管の細い部分の内径）は、内管１８の外径よりも大きい。また、高周波電力供給装置６０を平面視したとき（図６の上方から高周波電力供給装置６０を見下ろしたとき）に第２の外フランジ６２ｂが第１の外フランジ６２ａと干渉しないように、つまり重ならないようになっている。このため、高周波電力供給装置６０を製造する際には、高周波電力供給装置４０を製造する際に用いた加圧筒４４と重り４６をそのまま利用することができる。加圧筒４４が第１の外フランジ６２ａを押圧するのを第２の外フランジ６２ｂが邪魔することがないからである。もちろん、加圧筒３０と重り３２も、内管１８の外フランジ１８ａを押圧するのに用いることができる。
上述した第２実施形態では、図４に示すように重り４６をリング状としたが、加圧筒３０の高さを図２のように低くし、加圧筒４４の高さを重り３２の高さよりも高くした場合には、重り４６を円柱状にしてもよい。
［実施例１］
第１実施形態の高周波電力供給装置１０を、図１に示した寸法で作製した。プレート１２やシャフト１６（内管１８及び外管２２）はＡｌＮで作製した。
第１実施形態の高周波電力供給装置１０を、図１に示した寸法で作製した。プレート１２やシャフト１６（内管１８及び外管２２）はＡｌＮで作製した。
［実施例２］
第２実施形態の高周波電力供給装置４０を、図３に示した寸法で作製した。プレート１２やシャフト１６（内管１８及び外管４２）はＡｌＮで作製した。
第２実施形態の高周波電力供給装置４０を、図３に示した寸法で作製した。プレート１２やシャフト１６（内管１８及び外管４２）はＡｌＮで作製した。
［実施例３］
図５に示した高周波電力供給装置５０を、図５に示した寸法で作製した。プレート１２やシャフト１６（内管１８及び外管２２）はＡｌＮで作製した。
図５に示した高周波電力供給装置５０を、図５に示した寸法で作製した。プレート１２やシャフト１６（内管１８及び外管２２）はＡｌＮで作製した。
［実施例４］
図６に示した高周波電力供給装置６０を、図６に示した寸法で作製した。プレート１２やシャフト１６（内管１８及び外管６２）はＡｌＮで作製した。
図６に示した高周波電力供給装置６０を、図６に示した寸法で作製した。プレート１２やシャフト１６（内管１８及び外管６２）はＡｌＮで作製した。
［比較例１］
図７に示した高周波電力供給装置１００を、図７に示した寸法で作製した。ガス分散板（プレート）１０２や筒状シャフト１０４はＡｌＮで作製した。
図７に示した高周波電力供給装置１００を、図７に示した寸法で作製した。ガス分散板（プレート）１０２や筒状シャフト１０４はＡｌＮで作製した。
［評価］
・クラックの有無
１９００℃にてシャフトとプレートとを接合する処理を実施した後、シャフトにクラックが発生したか否かを調べた。そうしたところ、実施例１〜４ではクラックは発生しなかったが、比較例１ではクラックが発生した（表１参照）。比較例１では、筒状シャフト１０４の貫通孔１０６の径が小さく、筒状シャフト１０４の断面に占めるセラミックスの割合が大きいため、筒状シャフト１０４にクラックが発生したと考えられる。これに対して、実施例１〜４では、シャフトは内管と外管とを備えた二重管構造となっており、内管と外管との間はセラミックスではなく空間になっているため、断面に占めるセラミックスの割合が小さい。そのため、クラックが発生しなかったと考えられる。
・クラックの有無
１９００℃にてシャフトとプレートとを接合する処理を実施した後、シャフトにクラックが発生したか否かを調べた。そうしたところ、実施例１〜４ではクラックは発生しなかったが、比較例１ではクラックが発生した（表１参照）。比較例１では、筒状シャフト１０４の貫通孔１０６の径が小さく、筒状シャフト１０４の断面に占めるセラミックスの割合が大きいため、筒状シャフト１０４にクラックが発生したと考えられる。これに対して、実施例１〜４では、シャフトは内管と外管とを備えた二重管構造となっており、内管と外管との間はセラミックスではなく空間になっているため、断面に占めるセラミックスの割合が小さい。そのため、クラックが発生しなかったと考えられる。
・デポ（堆積物）の有無
各高周波電力供給装置を２００℃に加熱した状態で使用し、プレートの中心にデポが発生するか否かを調べた。そうしたところ、実施例１〜４ではデポは発生しなかったが、比較例１ではデポが発生した（表１参照）。比較例１でデポが発生したのは、ガス分散板１０２から筒状シャフト１０４を通じての放熱が大きいため、ガス分散板１０２のうち筒状シャフト１０４との接合部分近傍の表面温度が下がったことによると考えられる。これに対して、実施例１〜４ではプレートからシャフト（外管及び内管）を通じての放熱が比較例１よりも小さいため、プレートの中心にデポが発生しなかったと考えられる。
各高周波電力供給装置を２００℃に加熱した状態で使用し、プレートの中心にデポが発生するか否かを調べた。そうしたところ、実施例１〜４ではデポは発生しなかったが、比較例１ではデポが発生した（表１参照）。比較例１でデポが発生したのは、ガス分散板１０２から筒状シャフト１０４を通じての放熱が大きいため、ガス分散板１０２のうち筒状シャフト１０４との接合部分近傍の表面温度が下がったことによると考えられる。これに対して、実施例１〜４ではプレートからシャフト（外管及び内管）を通じての放熱が比較例１よりも小さいため、プレートの中心にデポが発生しなかったと考えられる。
１０ 高周波電力供給装置、１２ プレート、１４ 高周波電極、１６ シャフト、１８ 内管、１８ａ 外フランジ、２０ 貫通孔、２２ 外管、２２ａ 内フランジ、２２ｂ 外フランジ、２４ 穴、２６ 給電部材、３０ 加圧筒、３２ 重り、３４ 加圧筒、３６ 重り、４０ 高周波電力供給装置、４２ 外管、４２ａ 外フランジ、４２ｂ 内フランジ、４４ 加圧筒、４６ 重り、５０ 高周波電力供給装置、６０ 高周波電力供給装置、６２ 外管、６２ａ 外フランジ、６２ｂ 外フランジ、１００ 高周波電力供給装置、１０２ ガス分散板、１０４ 筒状シャフト、１０６ 貫通孔。
Claims (10)
- 電極が埋設されたガス分散板の片面に、ガスが通過する貫通孔を有するシャフトが接合され、前記貫通孔を通過してきたガスが前記ガス分散板に設けられた複数の穴を通じて外部へ放出される半導体製造装置用部材であって、
前記ガス分散板及び前記シャフトは共にセラミックス製であり、
前記シャフトは内管と外管とを備えた二重管構造となっており、前記内管の内部空間が前記貫通孔になっており、前記電極に接続された給電部材が配置される前記内管と外管の間の雰囲気は前記半導体製造装置内の雰囲気と隔離されている、半導体製造装置用部材。 - 前記内管は、前記ガス分散板に接合される側の端部に外フランジを有し、
前記外管は、前記ガス分散板に接合される側の端部にフランジを有さず、前記ガス分散板に接合される側とは反対側の端部に内フランジを有し、該内フランジの内径は前記内管の外径よりも大きい、請求項１に記載の半導体製造装置用部材。 - 前記内管は、前記ガス分散板に接合される側の端部に外フランジを有し、
前記外管は、前記ガス分散板に接合される側の端部に外フランジを有し、前記ガス分散板に接合される側とは反対側の端部に内フランジを有し、該内フランジの内径は前記内管の外径よりも大きい、請求項１に記載の半導体製造装置用部材。 - 前記内管は、前記ガス分散板に接合される側の端部に外フランジを有し、
前記外管は、前記ガス分散板に接合される側の端部にフランジを有さず、前記ガス分散板に接合される側とは反対側の端部に外フランジを有し、該外フランジの内径は前記内管の外径よりも大きい、請求項１に記載の半導体製造装置用部材。 - 前記内管は、前記ガス分散板に接合される側の端部に外フランジを有し、
前記外管は、前記ガス分散板に接合される側が大径となっている段差付きの管であり、前記ガス分散板に接合される側の端部に第１の外フランジを有し、前記ガス分散板に接合される側とは反対側の端部に第２の外フランジを有し、該第２の外フランジの内径は前記内管の外径よりも大きく、前記半導体製造装置用部材を平面視したときに前記第２の外フランジが前記第１の外フランジと干渉しない、請求項１に記載の半導体製造装置用部材。 - 請求項１に記載の半導体製造装置用部材の製法であって、
前記ガス分散板の片面に前記内管及び前記外管を配置し、前記内管及び前記外管にそれぞれ重りを載せた状態で加熱することにより、前記内管及び前記外管を前記ガス分散板に固相接合する、半導体製造装置用部材の製法。 - 請求項２に記載の半導体製造装置用部材の製法であって、
前記ガス分散板の片面に前記内管及び前記外管を配置し、前記内管の外フランジ及び前記外管の内フランジにそれぞれ重りを載せた状態で加熱することにより、前記内管及び前記外管を前記ガス分散板に固相接合する、半導体製造装置用部材の製法。 - 請求項３に記載の半導体製造装置用部材の製法であって、
前記ガス分散板の片面に前記内管及び前記外管を配置し、前記内管の外フランジ及び前記外管の外フランジにそれぞれ重りを載せた状態で加熱することにより、前記内管及び前記外管を前記ガス分散板に固相接合する、半導体製造装置用部材の製法。 - 請求項４に記載の半導体製造装置用部材の製法であって、
前記ガス分散板の片面に前記内管及び前記外管を配置し、前記内管の外フランジ及び前記外管の外フランジにそれぞれ重りを載せた状態で加熱することにより、前記内管及び前記外管を前記ガス分散板に固相接合する、半導体製造装置用部材の製法。 - 請求項５に記載の半導体製造装置用部材の製法であって、
前記ガス分散板の片面に前記内管及び前記外管を配置し、前記内管の外フランジ及び前記外管の第１の外フランジにそれぞれ重りを載せた状態で加熱することにより、前記内管及び前記外管を前記ガス分散板に固相接合する、半導体製造装置用部材の製法。
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