TWI309718B - Probe card and method of fabricating the same - Google Patents

Description

1309718 22320pif 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於探針卡以及製 置 中之探針卡的方法。 州於虿子兀件測試裝 【先前技術】 探針卡為各自包括基板以及配 置，用於微小電子元件（例如，髀亡板上之探針的裝 如在此項技術中所熟知的，半導體元件性。 上的用於與外部電子系統交換 /成於其表面 件以經由墊輸入之電信號來進行y、^pads)。半導體元 將操作結果傳輸至外部電子系 /、，且其後經由墊 導體元件與外部電子系統(例如，測：^之=十卡在半 徑，允許對半㈣元件進㈣職。°之間提供電路 同時’半導體7G件之整合密度越高 微小且其間_隔也減少。據此 2塾之尺寸越 k心針卡以與體元件之此高整合密度—致，但此 小型化要求使探針卡之製造過程變得更困難。尤且，用於 f菜針卡紐上轉魏置赠半導航狀墊接觸的探 針的祕過餘半導航件之整絲錢高時通常面臨多 種技術困難。 存在多種用於耦接過程之技術，諸如人工進行之焊 接使用覆μ黏晶機（f]ip_chip bonder)之技術，以及使 用雷射之技術。人工焊接花費很長的時間，且產品品質主 要視工人之技能而定。另外，根據半導體元件小型化之趨 1309718 2232〇pif 勢’焊接不足以完成其所要求之對準的準確度。 現今廣泛使用覆晶黏晶機之技術，但其不利於改良產 。口產里，因為其僅一探針不合格會導致總體缺陷。此外， 由於倒裝式焊接需要昂貴的設備，所以其製造產品之成本 上升。 使用雷射之耦接技術包括個別加熱以及黏合探針之步 ，’所以像焊接般地花費很長_間4,由於雷射叙接 技術伴有快速冷卻以及快速加熱探針，所以突然的溫度變 化將造成產品之損毁。 此外，雖然使用黏著劑來將探針固定於探針卡之基板 能但彼料術使得難以根據需要來精確地㈣黏 體T此控制黏著劑之圖案以及體積的困難可招 條針之南度的不均勻性且使探針卡之品質降級 之’根據探針卡之彼等技術方法，由於在探針卡之整個^ 【發明内容】 u 技術問題 提，具有高度均勻之探針的探針卡。 方法。、θ在提供以高度均勻之探針來製造探針卡之 度變造探针卡之方法，防止由溫 本發明製造探針卡之時間。 X月又進-步旨在提供製造探針卡之方法，其包括 1309718 22320pif 之 ::=及大小來製造用於將探針卡固定於基板上 技術解決方案 為了完成技術指導，本發明提供製造探針 ^^ring :案之基板上形成電接觸地連接至傳導圖案 ： ，’且焊接緩衝塊具#凹_以使 :做衝 凹陷部，探針由焊接緩衝塊物理性支撐 導圖=以及熔化焊接緩衝塊且將探傳 在本發明之實施例中， 疋至基板 在基板上形成包括開口之宰包含： 罩圖案，以形成:接缓衝塊；以及移除遮 形成於傳導圖案上方 案以及大小來 製程來形成焊接緩衝塊。使用遮單圖案作為模藉由電鑛 自叫叫 在本發明之另一4= 至少一種製成。 禪接緩衝塊之前，形^心^方法可進一步包含在形成 索的切緩衝槐。較佳=支撐探針且電連接至傳導圖 案來形成支撐緩衝塊。先微影製程以相同大小以及圖 禪包含：形成切緩絲=而言，形成讀緩衝塊之步 案的頂面;以及使用基板上之傳導圖 鮫衝塊遮罩圖案作為模藉由電鍍 1309718 22320pif 製程來形成電連接至傳導圖案的支樓緩衝塊。 根據本發明之實施例，探針包含導向支撐物 supporter)以及插塞中之至少一個，其中導向^。（guide 型以與支撐緩衝塊及/或焊接緩衝塊之圖案一^。工成 塞經成型以與支撐緩衝塊以及基板之圖案一致。2 形狀上對應於插塞之凹槽。凹槽之底部的水平=== 緩衝塊及/或焊接缓衝塊之底部的水平面。 -;芽 為了完成本發明之另-方向，本發明提供具有部分溶 傳。探針卡包含:其中形成有多個 圖案的基板；電連接至基板上之傳導圖案的以 及將探針固定至基板的溶融焊接綞衝 :導，突出自探針之側壁:且熔融焊 出的V向支撐物分成多個部分焊接緩衝塊。 ，融焊接緩衝塊由來自Sn_pb系、sn_Bi系、sn_Bi系. 勺人:·Ζη糸之材料中的至少i製成。探針卡可進-步 ^^連接至傳導圖案且安置於熔融焊接缓衝塊與傳導圖 之=的，實體地支撐探針的支撐緩衝塊。 之插步包含在形狀上對應於支推緩衝塊或基板 插塞。導向支撐物經成型以與支撐或烊接缓衝塊-致。 料申請專利範圍第13項之探針卡，其中基板包含在 支以J應，插塞之凹槽’其中凹槽之底部的水平面低於 心二，緩衝塊之底部的水平面。在此種情況下，凹槽 導圖案之中央之下’其中傳導圖案在中央處具有 喻路凹槽之空穴。 1309718 22320pif 有利效.果 衝玫根Ϊ本發明，使用預定遮罩圖案作為模來形成焊接緩 产敫乂由於遮罩醜可藉由光微影製程來製成，所以能夠 此正板上以所要圖案來均—地形成焊接緩衝塊。因 於躲連接探針之結構的焊接緩衝塊以相同的圖 =及體積形成於整個基板上。結果，探針可以均一的高 度來配置於整個基板上。

另外’根據本發明，使用能夠逐漸升高或降低溫度之 :兀件（heating device)來熔化焊接緩衝塊。因此，可 在^有出現由熱應力造成之損毀的情況下製造根據本發明 之採針卡。另外，加熱元件熔化或冷卻整個基板上之焊接 緩衝塊，麟與分縣探雌著至基_倾相比，有可 能顯著地脑卫作_。工作時狀此驗增大產品效 且節省製造探針卡產品的成本。 ，根據本發明，支撐緩衝塊及/或焊接緩衝塊是藉由平坦 化製程來形成。因此，甚至在不平坦之基板上，根據本發 明之探針亦以進階平坦度來形成。 【實施方式】 將參看附圖來在下文中更詳細地描述本發明之較佳實 施例。然而，本發明可以不同形式來體現，且不應被理解 為^於本文所述之實施例。相反，提供此等實施例使得此 揭路案為全面以及完整的，且將向熟習此項技術者充分傳 達本發明之範疇。 在圖式中，為說明之清楚起見，將層以及區域之尺寸 1309718 22320pif 放大。亦應理解，當層（或膜）被稱為“在，，另一層或基 板上％•’其可直接在另’層或基板上，或亦可存在插入層。 另外，應理解，當層被稱為在另一層之“下，，時，其可直 ，在下面，且亦可存在〆或多個插入層。另外，亦應理解， 田層被稱為在兩個層“之間”，其可為兩個層之間的唯一 層’或亦可存在—或多個插人層。在圖式中，相同的參考 數字始終指代相同的元素。 / 圖1、3、5、7、9以及11為說明按照根據本發明之第 一實施例之探針卡的製造方法的處理特徵的平面圖。圖 2、4、6、8、9、1〇以及為說明按照根據本發明之第一 實施例之探針卡的製造方法的處理特徵的截面並 沿著圖1至圖Π之虚線Ι-Γ的截面。 八 參看圖1以及2，首先，為製造本發明之探針卡準備 具有墊20之基板1〇。墊20安置於基板1〇之一側上電 連接至形成於基板10中之傳導圖案15。傳導圖案15連接 至諸如測試器之外部電子系統。墊2〇可位於對應於固定在 測試目標中之端子（例如，形成於半導體元件中之輸入/ 輸出墊）的佈置的位置處。根據本發明，可使用多層 (multi-level)印刷電路板作為基板1〇。 曰 墊20由選自鋼（Cu)、鎳（Ν〇、鎢（w)、金心 以及其複合物中之至少一種來製成。但，可形成包括其他 金屬材料以及其合金中之至少-種的根據本發明的塾加。 參看圖3以及4，在包括多個墊2〇之基板1〇上，配 置第-遮罩圖案30,其包括部分地曝露塾2〇之頂面的第 7!J0pif 一開口 35 H σ 35經由隨後之處理步驟來界 缓衝塊（圖5以及6 t展示的4〇)之圖案。即二 遮罩圖案30作為支撐緩衝塊之模。 w 遮罩圖案3G触崎墊2G、基板 =塊4G具編剛性之材㈣成。例如， ，製成二在此種情況下，形成第—遮罩圖 步驟·在女置墊20之基板上沈積光賴’且接郭由 (photomask)來曝露光阻膜以界定第—開口 ％ ^ 3阻=所曝露之光阻膜以完成用作第-遮罩圖案3〇 作第===;實:==膜之前， 上。力靜、σ $卓膜Tt/成於包括塾20之基板10 避罩膜，ΪΓΐ下’精由使用光阻圖案作為遮罩來圖案化 遮罩膜，產生第一遮罩圖案3〇。 根據本發明之實施例，形 2〇之頂面中央部分以及塾 ·3G以覆真墊 及4所示，可形成第一開口 35周以圍么基即，如圖3以 根據本發明之開口 35之_ =覆盍塾20之頂面邊緣。 組態來修改。 案不限於所說明的，而可以各種 40以斑二6 ’形成填充第—開σ %之支樓缓衝塊 在第1罩圖Γ30=緩衝塊40可包括以下步驟： 接钱刻以使切緩衝塊膜變平坦直至曝露第一遮 1309718 22320pif 罩圖案30之頂面為止。如此， 使用第-遮罩圖案4G作為其模來形^緩衝塊是藉由 板10上較佳設置為相同體其在整個基 允許在整娜板上_㈣絲本㈣之此特徵 支撐緩衝塊較佳由對墊2〇 i味 製成。例如，支撐緩衝塊可由選自、=二：材料

二：其合金中之至少一種形成。但，可形成U ===錢其合金中之至少—種的_本發明的支撑 另外’支撐緩衝塊40可藉由電鍍技術來形成。更詳細 而:，在基板10上形成與墊20接觸之晶種層（_咖) C未圖示）之後，進行使用晶種層作為電極之電 形成填充第-開口 35之支撐緩衝塊4〇。在此_，、藉由 沈積任一源極材料之濺鍍技術來產生晶種層。晶種芦^佳 形成為銅膜。 曰 餘刻支撐緩衝塊膜之步驟較佳使用對第—遮罩圖案 30之钱刻選擇性。根據本發明之實施例，可藉由使用化^ 機械研磨法（CMP)、機械研磨、濕式回蝕（wetetch_back) 以及乾式回蝕（dry etch-back)中之一個來執行姓刻支樓 緩衝塊膜之步驟。尤其’即使基板10之頂面為不平括的， 但經由藉由CMP來蝕刻支撐缓衝塊膜來使支撐緩衝塊4〇 之頂面變得平坦。結果，無論基板10之平坦度如何，藉由 隨後之處理步驟安置的探針彼此處於同一水平面上。 參看圖7以及8，在包括支撐緩衝塊40之所得結構上 12 1309718 2232〇pjf 形成第二遮罩圖案5〇。配置第二遮罩 支撐緩衝塊40之頂面的第二開口 55。第1 5〇以露 之處理步驟中界定焊接緩衝塊6〇 一幵口在隨後 5〇用作惶㈣㈣〈圖案。第二遮罩圖案 之圖二f 1模。因此，焊接緩衝塊6〇以相同 <圖案來形成於整個基板1〇上。 根據本發明’第二遮罩圖案50較佳由斜執 10、支撐緩衝塊40以及焊接緩衝塊6〇 、 土板 :她M。例如，第二遮罩圖案4。可== 成之光阻圖案來製成。在此種情^，ς = ^ 5。包括以下步驟:在安置切緩衝塊二: =先阻膜’且接著藉由光罩來曝露光阻膜以界定第二開 讲罢H顯騎曝露之光^成用作第二 遮罩圖案50之光阻圖案。 形成第二開口 55以部分曝露切緩衝塊仙之頂面。 發明之實施例’藉由多個彼此隔開之第二開口 55 ^ 、路支撐緩衝塊4〇。舉例而言，如所說明的，第二開口 =在第一開口 35之四個轉角處部分地曝露支撐緩衝塊 、、、《果，在塾2〇以及支撑緩衝塊4〇之上方，第二遮罩 圖案50以交又之形狀來形成。 同蛉，根據本發明之修改實施例，可配置第二遮罩圖 案50以與第二遮罩圖案3〇重疊。即，第二遮罩圖案5〇 形成於墊如之頂面中央以及墊20周圍之基板1〇上。換言 ^ ’形成第二開口 55以曝露支撐緩衝塊40之頂面。支撐 緩衝塊40之曝露頂面不由第二遮罩圖案50隔離。在此點 13

一根據本發明之前述實施例，由於第二開口 55曝露在第 、開口 55之四個轉角上的支撐緩衝塊4〇，所以藉由第二 遮罩圖案50之模形成的焊接緩衝塊6〇與第一開口 ％之四 ^固轉角接觸。焊接緩衝塊60可包含由第二遮罩圖案5〇分 割之部分焊接緩衝塊。另外，根據本發明之修改實施例， 由於第二遮罩圖案50配置於與第一遮罩圖案3〇重疊之位 置上’所以藉由第二遮罩圖案5〇之模形成的焊接緩衝塊 1309718 22320pif 4〇 ^ 衣 同之光罩來形成第—遮罩FI宏 4〇以及第二遮罩圖案5〇 风弟遮罩圖案 %偏離切緩衝塊4。之未’為了防止第二開口 度較佳小於第―開口 35之、。目第之寬 SL:將第，圖案5°加熱至=: 以各種位°如第—開口 35 —樣’可 施例。 圖案來修改第二開口 55，而不限於前述實 參看圖9以及1〇，形成填充第二開卩Μ 接 以=與支撐緩衝塊40接觸。形成焊接缓衝塊60可包括 ==第二遮罩圖案5〇上沈積焊接緩衝塊模以填充 圖奉^ ，且接著綱焊賴舰模^曝露第二遮罩 止。如此’由於焊麟賊6G是藉由使 10二、罩圖案5G作為其絲形成的，所以其在整個基板 乂佳設置為相同組態以及體積的。本發明之此特徵使 保針能夠在整個基板上以相同高度來固定。 14 1309718 22320pif 60可以與支撐緩衝塊40相同的圖案來形 *焊接緩衝塊膜較佳由具有對支標緩^ 者強度以及較低熔點的傳導材料製成。 之較咼黏 緩衝塊膜之賴設置料改變支# ^·，較佳將焊接 10以及傳導_ 15之物理特性_ „基板 (例如，130。。至230。。)。為此，焊‘緩徐::度範圍之内 8叫Sn-Bi系、Sn_Ag系以及屬於 順序分別為約183ΐ、141ΐ、223。〇以及彼等炫點按 的至少一種製成。 C)之材料中 悍接緩衝塊膜亦可由電鍍技術來 在形成與基板K)上之支撐緩衝塊40接:之 =使用晶種層作為電極之電鑛製程以形 y焊接缓衝塊6。。在此期間，藉由濺鑛技術來;:： 同時’根據本發明之另一實施例，佬用* =為晶種層來執行形成焊接緩衝塊6G之步驟^更二= ς之用=支撐^衝塊4G之晶種層用作用於產生焊接緩ς塊 層之=種情況下，由於不需要用於形成额外晶種 V驟’所以能夠簡化製造過程且降低製造成本。 蝕刻焊接緩衝塊膜之步驟較佳使用對第二遮罩 研根據本發明之實施例’可使用化學機械 ICMP)、機械研磨、濕式回蝕以及乾式回蝕中 固來執行蝕刻焊接緩衝塊膜之步驟。 參看圖11以及12，順序地移除第二以及第—遮罩圖 15 I3〇97^0pif 塊40上。 上，焊接緩衝塊60放置於支撐緩衝 墊以具有預定厚度之板的形狀來完成 塊40。μ曝路塾之中央的空穴形狀來完成支撐缓衝 地暖-捏JV在支撐緩衝塊4G之四個轉角上—個接一個 在緩衝塊6〇。結果，支撐缓衝塊40之頂面具有 外，ii之四個轉角中曝露的部分（見圖⑴。另 中之發明之經修改的前述實施例，焊接緩衝塊6〇 =可以與支撐緩衝塊40相同之形狀形成。 焊接x及第二圖案3g以及5g之步驟較佳使用對 ^衝塊60、支撐緩衝塊4〇、塾2〇以及基板 擇性的崎配方。如上所述，衫-以及第二遮罩圖ί3〇 ^ 5G由光阻圖案組成，則可藉由普通光阻⑽ (Phot⑽slststriping)技術來進行姓刻製程。 其後，參看圖13，將藉由額外製程製造之探針黏著於 包括焊接緩衝塊6G之基板1G上。探針包含解導體元件 之墊直接接觸的尖端（未圖示）以及與基板1〇上之塾 連接的連接器110。根據在㈣與半㈣元件之輪入

墊接觸時所施加於此之力的操作點來將探針通常 式以及懸臂式的。 I 垂直探針在力之工作點處於連接器11〇之2軸上的 況下工作，而懸臂探針在力之工作點處於連接器ιι〇之^ 軸外的情況下工作。下文將關於連接器11G之結構描述本 16 =月’但在探針中之每—個裝備有連接器11G之情況下不 及位置。因此’本發明可用於垂直探針 定雷本毛明了探針與基板10之間的強耦接以及穩 構^丨可贿針之連接11 11G更改或修改為各種結 2方=山如圖13所示，連接1111G包含朝正交於Z軸 突屮二的導向支撐物112 ’以及沿著連接器110之轴 間_入於焊接緩衝塊60之 安詈：ifΐ 之頂部接觸。即’導向支撐物H2 4()之開°口刀43:5^插塞114插入於支樓緩衝塊 佳經由:扣42來與塾2。直二Μ之中央。插基m較 狀著’將在其上安置探針之基板10載人逐漸升高或降 塊元件中。加熱元件運作以加熱焊接緩衝 ir去ϋ 將其冷卻。因此，連接器η。（亦即， 卜=)黏著至支撐緩衝塊40以及基板10。 減3 ’销加熱^冷卻可最小㈣本刺之探針卡 ϋ產因此有助於減少由使用雷射之製程導致的⑽ 二;由於加熱元件溶化二 黏著至探針卡所以與將每-探針個別地 作時間。工作時；之士給°術相比’有可能顯著縮短工 削減用於製==::製造探針卡產品之效率且 根據本發明，根據探針之連接器削的結構，支撑緩 17 71J20pif 衝塊40、焊接緩衝塊60、墊20以及基板i〇可為可變的。 圖14至16為說明根據本發明之其他實施例的探針卡之透 視圖。為了便於描述，將不再描述與下面内容重疊之前述 解釋。

參看圖14，插塞114穿透支撐緩衝塊4〇以及墊20， 與基板10直接接觸。插塞114之長度（L1)較佳大於或 等於支撐緩衝塊40與墊20之厚度的總和（L21+L22)。當 插塞長度L1大於厚度總和L21+L22時，插塞114可插入 於基板10中。關於插塞114之此插入，基板1〇包含以對 應於插塞長度L1與厚度總和L21+L22之間的差距之深度 L1-L21-L22來構造的凹槽2〇〇。插塞114進入基板1〇之凹 槽200中的此插人使插塞114在結構上更穩定軸定 板10。 參看圖15可^^供不具有支樓緩衝塊之探針卡。 在此種情況下，探針之連接器11G包含多個導向支撐物

U2。如®I 13以及Μ所示’每__導向支撐物插人於焊接 ，塊60之間’與塾2G接觸。根據此，在結構上探針 接緩衝塊60支撐。 在此實施例中，由於焊接緩衝塊6〇藉由第二遮罩 5〇之模形成’所以焊接缓衝塊60之圖案可藉由本發: ，術特徵來改變。即，根據本發明，焊接緩衝塊6 用於對準Γ及在結構上支樓探針之支撐緩衝塊Γ〇 '圖案來形成。焊接緩衝塊6〇由第二遮罩圖案5〇之 成的特徵可容許焊接_塊之此_。_此實施例^ 18

Opif 13097¾ 於可省略料切贿塊⑽之處 製程簡化而獲得降低生產成本之效應。有 雪、本發明之修改實施例’可形成絕緣（或介 蓋墊20周圍之基板10的頂面。絕緣膜12 學氣相沈積形成之氧化矽膜。根據本發明， 如上斤14接緩衝塊60 *來自Sn_pb系、sn_Bi系、s— ΐ 系之材料中的至少—種形成。在此種情況 7 ’在炼化步驟中，將焊接緩衝塊60限制於預定區域内(亦 即，在導向支撐物114之間的塾20之頂面上），不擴展出 3 此文限之安置有助於防止歸因於焊接緩衝塊 60之水牧展㈣起與探針的電短路，此是因為在溶化步 驟中用於焊接緩衝塊6〇之材料不形成於絕緣膜12上之材 料特性。 。參看圖16，如結合圖14在上文描述的，探針之連接 器no一可包含插入於基板10中之插塞ιΐ4。根據此實施 ’ =4之長度L3大於或等於墊2〇之厚度Μ。當插 大於塾2G之厚度L4時，插塞114可插 長产土u Π。為此，在基板1〇中提供具有對應於插塞 2Π(Γ /、轉度L4之間的差距的深度L3_L4的凹槽 ⑽之㈣細中，更穩 根據本發明之另—修改實施例，如圖Η所示， 將第塊4G之後，移除第—遮罩圖案30且接著 將弟-遮罩圖案5〇進—步配置於所得結構上。在此期間， 19 I3〇97y20pif 亦可經由與上述實施例相同之方式來形成第二遮罩圖案 50以及第二開口 55。 工業適應性 本發明適用於探針卡以及製造用於電子元件測試系統 之探針卡的方法。舉例而言’本發明可用來測試半導體元 件。 【圖式簡單說明】 圖1、3、5、7、9以及11為說明按照根據本發明之第 一實施例之探針卡的製造方法之處理特徵的平面圖。 圖2、4、6、8、9、10以及12為說明按照根據本發明 之第一實施例之探針卡的製造方法之處理特徵的截面圖。 圖13為說明根據本發明之第一實施例之探針卡的結 構的透視圖。 圖14至圖16為說明根據本發明之其他實施例之探針 卡的透視圖。 圖17為說明按照根據本發明之修改實施例之探針卡 的製造方法的特徵的截面圖。 【主要元件符號說明】 10 :基板 15 :傳導圖案 2〇 :塾 30 :第一遮罩圖案 35 :第一開口 40 :支撐緩衝塊 20 Ι3〇97^20ριί 42 :開口 50 :第二遮罩圖案 55 :第二開口 60 :焊接緩衝塊 110 :連接器 112 :導向支撐物 114 :插塞 200 :凹槽 L1 :插塞長度 L3 :插塞長度 L4 :墊厚度 L21 :厚度總和 L22 :墊厚度

Claims (1)

1. I3〇97y20pif 十、申請專利範圍： 1.一種製造探針卡之方法，其包含： 在包括多個料ϋ案之基板均成焊接_塊，所过 焊接緩衝塊電連接輯述傳導圖案，且所述焊接緩衝塊具 有凹陷部以使探針插入； 人至所述_部’所述探針由所述焊接缓衝 塊物理性支撐且連接至所述傳導圖案；以及 中。溶化所述焊接緩衝塊謂所述探針岐於所述基板 立^^料概圍第1顿述之製造騎卡之方法， 其中形成所述焊接緩衝塊包含： 在所述基板上形成具有開口之遮罩圖安· 導圖述遮罩圖案作為模來形^連接至所逑傳 導圖案之所述焊接緩衝塊；以及 埒 移除所述遮罩圖案以形成所述凹陷部， 其中所述開口形成於所述傳導圖案上方 並中2销叙^探針卡之方法， 述焊接】:38罩圖案作為所述模籍由電鍍製程來形成所 t如申請專利範圍第i項所述之 其中所述焊接緩衝塊由來自Sn_Pb彡H卡之方决， 以及Sn-Zn系之材料中的至少一種形成㈣糸、Sn-Bi系 立進專利範圍第1項所述之製造探針卡之方、去 ，、進步包含，在形成所述焊接緩衝塊之前： 去， 22 I3〇9?y20pif 形成實體支撐所述探針且電連接至所述傳導圖案的支 撐緩衝塊。 6二如申請專利範圍第5項所述之製造探針卡之方法， 其中經由光微影以及侧製程來—次形成所述支樓緩衝 塊。 7·如申請專利範圍第5項所述之製造探針卡之方法， 其中形成所述支撐緩衝塊包含： 形成支撐緩衝塊遮罩圖案以曝露在所述基板上之所述 傳導圖案之頂面；以及 /使用所述支撐緩衝塊遮罩圖案作為膜藉由電鍵製程來 形成電連接輯述料圖_所述支撐緩衝塊。 8·如”專_圍第5項所狀製造探針卡之方法， ,、中所述騎包含導向支擇物以及插塞中之至少一個， 接上Γΐ!向支撐物經成型以與所述支撐緩衝塊或焊 接緩衝塊之圖案一致，且 j 之圖=^述插i、HX與所述支撐缓衝塊或所述基板 9. 如申請專利範圍笫 J 一包含具有對應於戶===凹 或所低於所述支撐緩衝塊 10. —種探針卡，其包含： 在其上具有多個傳導圖案的基板； 23 I3〇971J20pif 導圖案；以Γ基板上之探針’所述探針電連接至所述傳 所述基板的炫融焊接緩衝塊， 側壁，、1;:==多個導向支撐物突出自所述探針之 物隔開之多個部;包含由突出的所述導向支撲

   tT.T' * Sn-Zn系的材料中之至少—種製成。m系以及 12.如巾μ專利範圍第1()項所述之探針卡，其進一步 僂導緩衝塊’其*置於所述溶融焊接緩衝塊與所述 案，。圖案m體支撐觸麟且f連接朗述傳導圖 13. 如申請專利範圍第I2項所述之探針卡，立中所述 十進—步包含具有對應於所述支撐緩衝塊或所述基板之 圖案的形狀的插塞， …其中所述導向支撐物具有對應於所述支撐緩衝塊或所 述焊接緩衝塊之圖案的形狀。 14. 如申請專利範圍第13項所述之探針卡，其中所述 基板包含具有對應於所述插塞之圖案的形狀的凹槽， 其中所述凹槽之底部之水平面低於所述支撐緩衝塊或 所述焊接緩衝塊之底部的水平面。 15. 如申請專利範圍第14項所述之探針卡，其中所述 凹槽形成於所述傳導圖案之中央之下， 24 I3〇97y20pif 其中所述傳導圖案在其所述中央處具有曝露所述凹槽 之空穴。

   25 1309718 22320pif 七、 指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：圖（13 ) (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 10 :基板 20 :墊 40 :支撐缓衝塊 42 :開口 60 :焊接緩衝塊 110 :連接器 112 :導向支撐物 114 :插塞 八、 本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵 的化學式： M.