CN116819145B - 一种采用无导镀金法的探针制造方法 - Google Patents
一种采用无导镀金法的探针制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116819145B CN116819145B CN202311081899.XA CN202311081899A CN116819145B CN 116819145 B CN116819145 B CN 116819145B CN 202311081899 A CN202311081899 A CN 202311081899A CN 116819145 B CN116819145 B CN 116819145B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- probe
- conductive substrate
- cleaning
- photoresist
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 175
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 34
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 28
- 239000010931 gold Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 137
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 96
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 56
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 46
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- 238000005422 blasting Methods 0.000 claims description 16
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 16
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 10
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本发明提供一种采用无导镀金法的探针制造方法，涉及探针制造技术领域，包括：步骤S1，在导电基板上涂覆光刻胶；步骤S2，在光刻胶中形成探针结构的图案；步骤S3，对光刻胶中的探针结构的图案进行第一次电镀处理；步骤S4，将导电基板上的光刻胶去除，将探针结构与导电基板分离；步骤S5，对探针结构进行清洗，使用无导镀金法在探针结构表面进行第二次电镀处理；步骤S6，将进行第二次电镀处理后的探针结构组装到探头单元中；本发明用于解决现有的技术中缺少在探针的制作过程中进行镀金的方法，存在制作流程复杂且效率较低的问题。
Description
技术领域
本发明涉及探针制造技术领域，尤其涉及一种采用无导镀金法的探针制造方法。
背景技术
探针卡是电子测试系统和半导体晶圆之间的接口，通常，探针卡与探针机械对接并与测试仪电连接，其目的是在测试系统和晶圆上的电路之间提供一条电气路径，从而允许在晶圆级对电路进行测试和验证，通常是在它们被切割和封装之前，它通常由印刷电路板 (PCB) 和某种形式的接触元件组成，通常是金属的，但也可能由其他材料制成；作为在探针卡上形成探针的方法，可以采用电镀方法、直接使用金属探针的方法、使用焊料的方法、通过拉拔使接合线断裂的方法等；
现有的用于在探针制造方面的方法中，其制造过程不够精细，例如在申请公开号为CN101142487A的发明专利中，公开了探针卡及其制造方法，该方案是将含金属超精细微粒的液体材料通过精细喷墨方法喷射到衬底上并形成精细凸块，通过该方案形成的探针结构不够标准，容易产生凸起或凹陷，同时现有的方案通常是对已有的探针进行电镀以达到使探针的结构更加稳定的目的，例如在申请公开号为CN113109606A的发明专利中，公开了一种测试探针用补渡机，该方法主要用于解决测试探针在镀层加工的过程中，存在局部难以进行镀层的问题，这种方法相比于在探针的制造过程中进行镀金较为繁琐、流程复杂且效率较低，鉴于此，有必要对现有的探针制造方法进行改进。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明目的是提供一种采用无导镀金法的探针制造方法，用于解决现有的技术中缺少在探针的制作过程中进行镀金的方法，存在制作流程复杂且效率较低的问题。
为了实现上述目的，第一方面，本发明提供一种采用无导镀金法的探针制造方法，包括：
步骤S1，在导电基板上涂覆光刻胶；
步骤S2，在光刻胶中形成探针结构的图案；
步骤S3，对光刻胶中的探针结构的图案进行第一次电镀处理；
步骤S4，将导电基板上的光刻胶去除，将探针结构与导电基板分离；
步骤S5，对探针结构进行清洗，使用无导镀金法在探针结构表面进行第二次电镀处理；
步骤S6，将进行第二次电镀处理后的探针结构组装到探头单元中。
进一步地，所述步骤S1包括如下子步骤：
步骤S101，获取导电基板的长度数据以及宽度数据，所述导电基板的表面带有导电薄膜；
步骤S102，对导电基板的一侧进行打磨处理以及抛光处理，并将该侧记为抛光面；
步骤S103，基于导电基板的长度数据以及宽度数据使用第一容量算法计算需要的光刻胶的容量，所述第一容量算法包括：L1=α1×k1×k2，其中，L1为需要的光刻胶的容量，α1为第一系数，k1为导电基板的长度数据，k2为导电基板的宽度数据；
将光刻胶均匀涂抹在导电基板的表面；
步骤S104，对导电基板进行烘烤，所述烘烤的时间为第一烘烤时间，所述烘烤的温度为第一烘烤温度。
进一步地，所述步骤S102包括如下子步骤：
步骤S1021，当导电基板的表面粗糙度小于等于第一标准粗糙度且大于等于第二标准粗糙度时，将导电基板放置在抛丸机中，将导电基板上的毛刺进行抛丸清除，所述抛丸机中钢丸的直径小于第一标准直径且大于第二标准直径，将导电基板中放置在抛丸机中进行抛丸清除的一面记为打磨面；
步骤S1022，将导电基板放置在清洗机中进行清洗，清洗时间为第一清洗时间，在清洗过程中向清洗机中添加弱碱液；
步骤S1023，将导电基板放置在干燥箱中进行干燥，经过第一干燥时间后将导电基板取出。
进一步地，所述步骤S102还包括如下子步骤：
步骤S1024，将经过步骤S1021至步骤S1023的导电基板的打磨面放置在砂带打磨机上，所述砂带打磨机的转速小于等于第一标准转速且大于第二标准转速，砂带的目数为第一标准目数，砂带的宽度大于等于第一标准宽度；
步骤S1025，开启砂带打磨机，将导电基板的打磨面进行第一打磨时长的打磨处理，将经过打磨处理后的打磨面记为抛光面；
步骤S1026，导电基板的抛光面放置在热油中，使用热油固化导电基板的抛光面，所述固化的时间为第一固化时间，所述热油的温度小于等于第一热油温度且大于等于第二热油温度。
进一步地，所述步骤S2还包括如下子步骤：
步骤S201，获取探针结构的图案，基于探针结构的图案得到光掩模的图案数据，将光掩模安装在涂有光刻胶的导电基板的表面上；
步骤S202，对导电基板进行曝光处理，所述曝光处理的曝光剂量为第一标准剂量；
步骤S203，经过曝光处理后，将导电基板放置在显影液中对导电基板表面的光刻胶进行第一次溶解处理；
步骤S204，使用显影液沿导电基板的光掩模的边缘进行第二次溶解处理；
步骤S205，将进行第二次溶解处理后的导电基板进行后烘处理；
步骤S206，去除导电基板表面的光掩模，沿导电基板表面剩余的光刻胶对导电薄膜进行刻蚀处理，所述刻蚀处理用于清除导电基板表面除了光掩模覆盖区域之外的导电薄膜。
进一步地，所述步骤S206包括如下子步骤：
步骤S2061，使用介质刻蚀对导电基板的表面的导电薄膜进行第一次刻蚀处理；
步骤S2062，使用边缘刻蚀方法沿导电基板表面光刻胶进行第二次刻蚀处理，所述边缘刻蚀方法为对导电基板进行拍照处理，将获得的图像记为刻蚀图像，将刻蚀图像中光刻胶构成的图形记为探针图形，使用边缘跟踪算法勾勒探针图形形成的轮廓，记为探针轮廓；
使用介质刻蚀在导电基板上沿探针轮廓进行刻蚀，当对探针轮廓刻蚀一周后，停止刻蚀。
进一步地，所述步骤S3包括如下子步骤：
步骤S301，将导电基板放置在电镀池中，将导电材料放入电镀池中，所述导电材料为镍、锌或铬组成的高强度电镀材料；
步骤S302，当电镀厚度大于等于第一标准厚度时，停止电镀，将导电基板从电镀池拿出。
进一步地，所述步骤S4包括如下子步骤：
步骤S401，使用化学抛光工艺中专用的蚀刻溶液去除导电基板表面剩余的光刻胶；
步骤S402，使用刻蚀溶液将探针结构与导电基板分离，所述探针结构为导电基板表面的导电薄膜。
进一步地，所述步骤S5包括如下子步骤：
步骤S501，获取探针结构的图案，将探针结构的图案放置在平面直角坐标系中，记为探针图像；
步骤S502，获取等离子清洗的清洗区域，所述清洗区域为等离子体单次轰击可以覆盖的面积；
步骤S503，获取清洗区域的图案数据，将清洗区域的图案数据放置在平面直角坐标系中，记为清洗图像；
步骤S504，对清洗图像通过清洗矩形进行框选，清洗矩形为能够将清洗图像完全框选的最小矩形。
进一步地，所述步骤S5还包括如下子步骤：
步骤S505，获取清洗矩形的尺寸，将探针图像所在的平面直角坐标系通过清洗矩形的尺寸进行划分；
获取探针图像所占的所有的清洗矩形的数量，记为清洗次数；
将探针图像所占的清洗矩形记为清洗探针矩形，分别获取每个清洗探针矩形中探针图像的面积，标记为探针面积1至探针面积N，将探针面积从大到小进行数字标记，将数字标记的顺序记为清洗顺序；
步骤S506，基于清洗顺序以及探针结构的实际位置，使用等离子清洗设备对探针结构进行N次清洗。
进一步地，所述步骤S5还包括如下子步骤：
步骤S507，使用无导镀金法对探针结构的表面进行电镀；
步骤S508， 当镀层厚度为第二标准厚度时，停止电镀。
进一步地，所述步骤S6还包括如下子步骤：
步骤S601，获取探头单元中探针结构的数量；
步骤S602，当探头单元中探针结构的数量小于等于第一探针数量时，将探针结构组装到探头单元中。
第二方面，本发明提供一种电子设备，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如上任一项所述方法中的步骤；
第三方面，本发明提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，运行如上任一项所述方法中的步骤。
本发明的有益效果：本发明通过在导电基板上涂覆光刻胶，然后在光刻胶中形成探针结构的图案，对光刻胶中的探针结构的图案进行第一次电镀处理，这样的好处在于，通过光刻对导电基板进行处理，可以更加精准的得到探针结构，对初步得到的探针结构进行第一次电镀处理，可以有效提高探针结构与表面镀层的粘合性，提高整体电镀过程的稳定性；
本发明还通过将导电基板上的光刻胶去除，将探针结构与导电基板分离，对探针结构进行清洗，使用无导镀金法在探针结构表面进行第二次电镀处理，最后将进行第二次电镀处理后的探针结构组装到探头单元中，这样的好处在于，将探针结构与导电基板脱离并清洗后，使用无导镀金法对探针结构进行第二次电镀处理，可以有效避免化学溶液对电镀导线的损害，避免引线回蚀有凹坑的问题，使镀金后的探针结构表面更加平整。
本发明附加方面的优点将在下面的具体实施方式的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其他特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明的方法的步骤流程图；
图2为本发明的探针图像的划分示意图；
图3为本发明的光刻胶以及光掩模的位置示意图；
图4为本发明的电子设备的连接框图。
具体实施方式
应该指出，以下详细说明都是示例性的，旨在对本发明提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本发明的示例性实施方式。
在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
实施例一
请参阅图1所示，本发明提供一种采用无导镀金法的探针制造方法，包括：步骤S1，在导电基板上涂覆光刻胶；
步骤S1包括如下子步骤：
步骤S101，获取导电基板的长度数据以及宽度数据，导电基板的表面带有导电薄膜；
步骤S102，对导电基板的一侧进行打磨处理以及抛光处理，并将该侧记为抛光面；
步骤S102包括如下子步骤：
步骤S1021，当导电基板的表面粗糙度小于等于第一标准粗糙度且大于等于第二标准粗糙度时，将导电基板放置在抛丸机中，将导电基板上的毛刺进行抛丸清除，抛丸机中钢丸的直径小于第一标准直径且大于第二标准直径，将导电基板中放置在抛丸机中进行抛丸清除的一面记为打磨面；
在具体实施过程中，进行抛丸处理为了去除导电基板表面的毛刺，使后续的打磨过程中更加方便；
在具体实施过程中，第一标准粗糙度设置为0.4微米，第二标准粗糙度设置为0.2微米，第一标准直径设置为1.5mm，第二标准直径设置为1mm；
步骤S1022，将导电基板放置在清洗机中进行清洗，清洗时间为第一清洗时间，在清洗过程中向清洗机中添加弱碱液，第一清洗时间设置为10min；
在具体实施过程中，清洗机中的物质为酸性物质，添加弱碱液是为了中和清洗机中的酸，防止因酸度过高对导电基板造成损伤；
步骤S1023，将导电基板放置在干燥箱中进行干燥，经过第一干燥时间后将导电基板取出，第一干燥时间设置为15min；
步骤S102还包括如下子步骤：
步骤S1024，将经过步骤S1021至步骤S1023的导电基板的打磨面放置在砂带打磨机上，砂带打磨机的转速小于等于第一标准转速且大于第二标准转速，砂带的目数为第一标准目数，砂带的宽度大于等于第一标准宽度；
步骤S1025，开启砂带打磨机，将导电基板的打磨面进行第一打磨时长的打磨处理，将经过打磨处理后的打磨面记为抛光面，第一打磨时长优选设置为30min，具体也可以根据实际情况设定；
在具体实施过程中，经过打磨后的导电基板表面更为光滑整洁，有利于后续涂抹光刻胶以及进行电镀处理；
步骤S1026，导电基板的抛光面放置在热油中，使用热油固化导电基板的抛光面，固化的时间为第一固化时间，热油的温度小于等于第一热油温度且大于等于第二热油温度，第一固化时间设置为20min，具体也可以根据实际的固化速率进行调整；
在具体实施过程中，第一热油温度设置为110摄氏度，第二热油温度设置为100摄氏度，第一标准转速设置为1500r/min，第二标准转速设置为1200r/min，第一标准目数设置为120，第一标准宽度设置为50cm；
步骤S103，基于导电基板的长度数据以及宽度数据使用第一容量算法计算需要的光刻胶的容量，第一容量算法包括：L1=α1×k1×k2，其中，L1为需要的光刻胶的容量，α1为第一系数，α1为常数且大于零，α1具体设置为1.5，k1为导电基板的长度数据，k2为导电基板的宽度数据；
将光刻胶均匀涂抹在导电基板的表面；
步骤S104，对导电基板进行烘烤，烘烤的时间为第一烘烤时间，烘烤的温度为第一烘烤温度；第一烘烤时间设置为10min，第一烘烤温度设置为220℃；
步骤S2，在光刻胶中形成探针结构的图案；
步骤S2包括如下子步骤：
步骤S201，获取探针结构的图案，基于探针结构的图案得到光掩模的图案数据，将光掩模安装在涂有光刻胶的导电基板的表面上；
在具体实施过程中，基于探针结构的图案得到光掩模的图案数据，基于光掩模的图案数据可对光掩模进行裁剪，将裁剪后的光掩模覆盖在涂有光刻胶的导电基板上，可以让制作探针结构所在的区域避免被后续的过程影响；
步骤S202，对导电基板进行曝光处理，曝光处理的曝光剂量为第一标准剂量；
在具体实施过程中，第一标准剂量为100mJ/cm2；
步骤S203，经过曝光处理后，将导电基板放置在显影液中对导电基板表面的光刻胶进行第一次溶解处理；
步骤S204，使用显影液沿导电基板的光掩模的边缘进行第二次溶解处理；
在具体实施过程中，进行第二次溶解的目的是对光掩模边缘的光刻胶进行第二次清除，防止第一次溶解处理的过程中在光掩模的边缘有遗漏的光刻胶；
步骤S205，将进行第二次溶解处理后的导电基板进行后烘处理；
步骤S206，去除导电基板表面的光掩模，沿导电基板表面剩余的光刻胶对导电薄膜进行刻蚀处理，刻蚀处理用于清除导电基板表面除了光掩模覆盖区域之外的导电薄膜；请参阅图3所示，H1为导电基板，H2为导电薄膜，H3为光刻胶，H4为光掩模；
步骤S206包括如下子步骤：
步骤S2061，使用介质刻蚀对导电基板的表面的导电薄膜进行第一次刻蚀处理；
步骤S2062，使用边缘刻蚀方法沿导电基板表面光刻胶进行第二次刻蚀处理，边缘刻蚀方法为对导电基板进行拍照处理，将获得的图像记为刻蚀图像，将刻蚀图像中光刻胶构成的图形记为探针图形，使用边缘跟踪算法勾勒探针图形形成的轮廓，记为探针轮廓；
使用介质刻蚀在导电基板上沿探针轮廓进行刻蚀，当对探针轮廓刻蚀一周后，停止刻蚀；
在具体实施过程中，进行第二次刻蚀是为了将光刻胶周围的导电薄膜进行更深度的刻蚀，使得到的探针结构的尺寸更加精准；
步骤S3，对光刻胶中的探针结构的图案进行第一次电镀处理；
步骤S3包括如下子步骤：
步骤S301，将导电基板放置在电镀池中，将导电材料放入电镀池中，导电材料为镍、锌或铬组成的高强度电镀材料；
步骤S302，当电镀厚度大于等于第一标准厚度时，停止电镀，将导电基板从电镀池拿出；
在具体实施过程中，第一标准厚度设置为50微米；
步骤S4，将导电基板上的光刻胶去除，将探针结构与导电基板分离；
步骤S4包括如下子步骤：
步骤S401，使用化学抛光工艺中专用的蚀刻溶液去除导电基板表面剩余的光刻胶；
步骤S402，使用刻蚀溶液将探针结构与导电基板分离，探针结构为导电基板表面的导电薄膜；
步骤S5，对探针结构进行清洗，使用无导镀金法在探针结构表面进行第二次电镀处理；
步骤S5包括如下子步骤：
步骤S501，获取探针结构的图案，将探针结构的图案放置在平面直角坐标系中，记为探针图像；
步骤S502，获取等离子清洗的清洗区域，清洗区域为等离子体单次轰击可以覆盖的面积；
在具体实施过程中，使用等离子清洗可以对探针结构进行更加彻底的清洗，除此之外使用等离子清洗也可以防止传统水洗对探针结构的影响；
步骤S503，获取清洗区域的图案数据，将清洗区域的图案数据放置在平面直角坐标系中，记为清洗图像；
步骤S504，对清洗图像通过清洗矩形进行框选，清洗矩形为能够将清洗图像完全框选的最小矩形；例如，当清洗图像为圆形时，清洗矩形的四条边需要保持与清洗图像的轮廓相切，以使清洗矩形为能够将清洗图像完全框选的最小矩形。
步骤S5还包括如下子步骤：
步骤S505，请参阅图2所示，其中，P1为探针图像，P2为清洗矩形，获取清洗矩形的尺寸，将探针图像所在的平面直角坐标系通过清洗矩形的尺寸进行划分；
获取探针图像所占的所有的清洗矩形的数量，记为清洗次数；
将探针图像所占的清洗矩形记为清洗探针矩形，分别获取每个清洗探针矩形中探针图像的面积，标记为探针面积1至探针面积N，将探针面积从大到小进行数字标记，将数字标记的顺序记为清洗顺序；
步骤S506，基于清洗顺序以及探针结构的实际位置，使用等离子清洗设备对探针结构进行N次清洗；
步骤S5还包括如下子步骤：
步骤S507，使用无导镀金法对探针结构的表面进行电镀，无导镀金法中电镀的材料为Ni-W-B；
步骤S508， 当镀层厚度为第二标准厚度时，停止电镀；
在具体实施过程中，将第二标准厚度设置为20微米；
步骤S6，将进行第二次电镀处理后的探针结构组装到探头单元中；
步骤S6还包括如下子步骤：
步骤S601，获取探头单元中探针结构的数量；
步骤S602，当探头单元中探针结构的数量小于等于第一探针数量时，将探针结构组装到探头单元中；
在具体实施过程中，第一探针数量为10。
实施例二
请参阅图4所示，第二方面，本申请提供一种电子设备70，包括处理器701以及存储器702，存储器702存储有计算机可读取指令，当计算机可读取指令由处理器701执行时，运行如上任意一项方法中的步骤。通过上述技术方案，处理器701和存储器702通过通信总线和/或其他形式的连接机构（未标出）互连并相互通讯，存储器702存储有处理器可执行的计算机程序，当电子设备70运行时，处理器701执行该计算机程序，以执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法，以实现以下功能：通过在导电基板上涂覆光刻胶，然后在光刻胶中形成探针结构的图案，对光刻胶中的探针结构的图案进行第一次电镀处理，本发明还通过将导电基板上的光刻胶去除，将探针结构与导电基板分离，对探针结构进行清洗，使用无导镀金法在探针结构表面进行第二次电镀处理，最后将进行第二次电镀处理后的探针结构组装到探头单元中。
实施例三
第三方面，本申请提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时，运行如上任意一项方法中的步骤。通过上述技术方案，计算机程序被处理器执行时，执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法，以实现以下功能：通过在导电基板上涂覆光刻胶，然后在光刻胶中形成探针结构的图案，对光刻胶中的探针结构的图案进行第一次电镀处理，本发明还通过将导电基板上的光刻胶去除，将探针结构与导电基板分离，对探针结构进行清洗，使用无导镀金法在探针结构表面进行第二次电镀处理，最后将进行第二次电镀处理后的探针结构组装到探头单元中。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质上实施的计算机程序产品的形式。其中，存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器（Static RandomAccess Memory，简称SRAM），电可擦除可编程只读存储器（Electrically ErasableProgrammable Read-Only Memory，简称EEPROM），可擦除可编程只读存储器（ErasableProgrammable Read Only Memory，简称EPROM），可编程只读存储器（Programmable Red-Only Memory，简称PROM），只读存储器（Read-OnlyMemory，简称ROM），磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
以上所述实施例，仅为本发明的具体实施方式，用以说明本发明的技术方案，而非对其限制，本发明的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种采用无导镀金法的探针制造方法，其特征在于，包括：
步骤S1，在导电基板上涂覆光刻胶；
步骤S2，在光刻胶中形成探针结构的图案；
步骤S3，对光刻胶中的探针结构的图案进行第一次电镀处理；
步骤S4，将导电基板上的光刻胶去除，将探针结构与导电基板分离；
步骤S5，对探针结构进行清洗，使用无导镀金法在探针结构表面进行第二次电镀处理；
步骤S6，将进行第二次电镀处理后的探针结构组装到探头单元中；
所述步骤S3包括如下子步骤：
步骤S301，将导电基板放置在电镀池中，将导电材料放入电镀池中；
步骤S302，当电镀厚度大于等于第一标准厚度时，停止电镀，将导电基板从电镀池拿出；
所述步骤S5包括如下子步骤：
步骤S501，获取探针结构的图案，将探针结构的图案放置在平面直角坐标系中，记为探针图像；
步骤S502，获取等离子清洗的清洗区域，所述清洗区域为等离子体单次轰击可以覆盖的面积；
步骤S503，获取清洗区域的图案数据，将清洗区域的图案数据放置在平面直角坐标系中，记为清洗图像；
步骤S504，对清洗图像通过清洗矩形进行框选，清洗矩形为能够将清洗图像完全框选的最小矩形；
步骤S505，获取清洗矩形的尺寸，将探针图像所在的平面直角坐标系通过清洗矩形的尺寸进行划分；
获取探针图像所占的所有的清洗矩形的数量，记为清洗次数；
将探针图像所占的清洗矩形记为清洗探针矩形，分别获取每个清洗探针矩形中探针图像的面积，标记为探针面积1至探针面积N，将探针面积从大到小进行数字标记，将数字标记的顺序记为清洗顺序；
步骤S506，基于清洗顺序以及探针结构的实际位置，使用等离子清洗设备对探针结构进行N次清洗；
步骤S507，使用无导镀金法对探针结构的表面进行电镀；
步骤S508， 当镀层厚度为第二标准厚度时，停止电镀。
2.根据权利要求1所述的一种采用无导镀金法的探针制造方法，其特征在于，所述步骤S1包括如下子步骤：
步骤S101，获取导电基板的长度数据以及宽度数据，所述导电基板的表面带有导电薄膜；
步骤S102，对导电基板的一侧进行打磨处理以及抛光处理，并将该侧记为抛光面；
步骤S103，基于导电基板的长度数据以及宽度数据使用第一容量算法计算需要的光刻胶的容量，所述第一容量算法包括：L1=α1×k1×k2，其中，L1为需要的光刻胶的容量，α1为第一系数，k1为导电基板的长度数据，k2为导电基板的宽度数据；
将光刻胶均匀涂抹在导电基板的表面；
步骤S104，对导电基板进行烘烤，所述烘烤的时间为第一烘烤时间，所述烘烤的温度为第一烘烤温度。
3.根据权利要求2所述的一种采用无导镀金法的探针制造方法，其特征在于，所述步骤S102包括如下子步骤：
步骤S1021，当导电基板的表面粗糙度小于等于第一标准粗糙度且大于等于第二标准粗糙度时，将导电基板放置在抛丸机中，将导电基板上的毛刺进行抛丸清除，所述抛丸机中钢丸的直径小于第一标准直径且大于第二标准直径，将导电基板中放置在抛丸机中进行抛丸清除的一面记为打磨面；
步骤S1022，将导电基板放置在清洗机中进行清洗，清洗时间为第一清洗时间，在清洗过程中向清洗机中添加弱碱液；
步骤S1023，将导电基板放置在干燥箱中进行干燥，经过第一干燥时间后将导电基板取出。
4.根据权利要求3所述的一种采用无导镀金法的探针制造方法，其特征在于，所述步骤S102还包括如下子步骤：
步骤S1024，将经过步骤S1021至步骤S1023的导电基板的打磨面放置在砂带打磨机上，所述砂带打磨机的转速小于等于第一标准转速且大于第二标准转速，砂带的目数为第一标准目数，砂带的宽度大于等于第一标准宽度；
步骤S1025，开启砂带打磨机，将导电基板的打磨面进行第一打磨时长的打磨处理，将经过打磨处理后的打磨面记为抛光面；
步骤S1026，导电基板的抛光面放置在热油中，使用热油固化导电基板的抛光面，所述固化的时间为第一固化时间，所述热油的温度小于等于第一热油温度且大于等于第二热油温度。
5.根据权利要求4所述的一种采用无导镀金法的探针制造方法，其特征在于，所述步骤S2还包括如下子步骤：
步骤S201，获取探针结构的图案，基于探针结构的图案得到光掩模的图案数据，将光掩模安装在涂有光刻胶的导电基板的表面上；
步骤S202，对导电基板进行曝光处理，所述曝光处理的曝光剂量为第一标准剂量；
步骤S203，经过曝光处理后，将导电基板放置在显影液中对导电基板表面的光刻胶进行第一次溶解处理；
步骤S204，使用显影液沿导电基板的光掩模的边缘进行第二次溶解处理；
步骤S205，将进行第二次溶解处理后的导电基板进行后烘处理；
步骤S206，去除导电基板表面的光掩模，沿导电基板表面剩余的光刻胶对导电薄膜进行刻蚀处理，所述刻蚀处理用于清除导电基板表面除了光掩模覆盖区域之外的导电薄膜。
6.根据权利要求5所述的一种采用无导镀金法的探针制造方法，其特征在于，所述步骤S206包括如下子步骤：
步骤S2061，使用介质刻蚀对导电基板的表面的导电薄膜进行第一次刻蚀处理；
步骤S2062，使用边缘刻蚀方法沿导电基板表面光刻胶进行第二次刻蚀处理，所述边缘刻蚀方法为对导电基板进行拍照处理，将获得的图像记为刻蚀图像，将刻蚀图像中光刻胶构成的图形记为探针图形，使用边缘跟踪算法勾勒探针图形形成的轮廓，记为探针轮廓；
使用介质刻蚀在导电基板上沿探针轮廓进行刻蚀，当对探针轮廓刻蚀一周后，停止刻蚀。
7.根据权利要求6所述的一种采用无导镀金法的探针制造方法，其特征在于，所述步骤S4包括如下子步骤：
步骤S401，使用化学抛光工艺中专用的蚀刻溶液去除导电基板表面剩余的光刻胶；
步骤S402，使用刻蚀溶液将探针结构与导电基板分离，所述探针结构为导电基板表面的导电薄膜。
8.根据权利要求7所述的一种采用无导镀金法的探针制造方法，其特征在于，所述步骤S6还包括如下子步骤：
步骤S601，获取探头单元中探针结构的数量；
步骤S602，当探头单元中探针结构的数量小于等于第一探针数量时，将探针结构组装到探头单元中。
9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如权利要求1-8任一项所述方法中的步骤。
10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时，运行如权利要求1-8任一项所述方法中的步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311081899.XA CN116819145B (zh) | 2023-08-26 | 2023-08-26 | 一种采用无导镀金法的探针制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311081899.XA CN116819145B (zh) | 2023-08-26 | 2023-08-26 | 一种采用无导镀金法的探针制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116819145A CN116819145A (zh) | 2023-09-29 |
| CN116819145B true CN116819145B (zh) | 2023-11-03 |
Family
ID=88126009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311081899.XA Active CN116819145B (zh) | 2023-08-26 | 2023-08-26 | 一种采用无导镀金法的探针制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116819145B (zh) |
Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0107327A1 (en) * | 1982-09-17 | 1984-05-02 | Coordinate Probe Card Company Limited | Probe device for testing an integrated circuit and method of making same |
| KR20000026979A (ko) * | 1998-10-26 | 2000-05-15 | 이영희 | 프로브(Probe)카드(Card) |
| KR20060062903A (ko) * | 2004-12-06 | 2006-06-12 | 삼성전기주식회사 | 도금 인입선이 없는 인쇄회로기판의 제조 방법 |
| KR20070117974A (ko) * | 2006-06-10 | 2007-12-13 | 김상훈 | 마이크로 프로브 제조 |
| KR20080030204A (ko) * | 2006-09-29 | 2008-04-04 | 전자부품연구원 | 무전해도금법을 이용한 프로브카드용 탐침구조물 제조 방법 |
| CN101310375A (zh) * | 2005-10-28 | 2008-11-19 | 飞而康公司 | 探针板以及制造该探针板的方法 |
| JP2010054264A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Tokyo Electron Ltd | プローブの製造方法、プローブ、プローブカード及びプローブ装置 |
| KR20110062496A (ko) * | 2009-12-03 | 2011-06-10 | 주식회사 엔에스티 | 금속탐침 소자 제조 방법 및 그 금속탐침 소자를 포함한 전기신호 검사 장치 |
| CN102121944A (zh) * | 2010-01-08 | 2011-07-13 | 技鼎股份有限公司 | 一种微探针结构及其制造方法 |
| TW201211545A (en) * | 2010-09-10 | 2012-03-16 | Ccp Contact Probes Co Ltd | A manufacturing method for probe |
| CN111885844A (zh) * | 2020-08-20 | 2020-11-03 | 深圳市明正宏电子有限公司 | Pcb二次线路镀金工艺 |
| CN113597118A (zh) * | 2021-09-28 | 2021-11-02 | 深圳和美精艺半导体科技股份有限公司 | 一种无电镀导线镀金工艺方法 |
| CN115508594A (zh) * | 2022-09-30 | 2022-12-23 | 西安交通大学 | 一种晶圆级测试用mems探针制备方法 |
| TWI793956B (zh) * | 2022-01-05 | 2023-02-21 | 旭臻科技有限公司 | 微機電探針之製造方法 |
| CN116106591A (zh) * | 2023-01-10 | 2023-05-12 | 佛山市蓝箭电子股份有限公司 | 一种微波探针的制作方法及微波探针 |
| CN116430088A (zh) * | 2023-06-13 | 2023-07-14 | 南方科技大学 | 探针及其制备方法 |
| CN116546733A (zh) * | 2023-03-28 | 2023-08-04 | 天津普林电路股份有限公司 | 无导线pcb板镀金工艺 |
-
2023
- 2023-08-26 CN CN202311081899.XA patent/CN116819145B/zh active Active
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0107327A1 (en) * | 1982-09-17 | 1984-05-02 | Coordinate Probe Card Company Limited | Probe device for testing an integrated circuit and method of making same |
| KR20000026979A (ko) * | 1998-10-26 | 2000-05-15 | 이영희 | 프로브(Probe)카드(Card) |
| KR20060062903A (ko) * | 2004-12-06 | 2006-06-12 | 삼성전기주식회사 | 도금 인입선이 없는 인쇄회로기판의 제조 방법 |
| CN101310375A (zh) * | 2005-10-28 | 2008-11-19 | 飞而康公司 | 探针板以及制造该探针板的方法 |
| KR20070117974A (ko) * | 2006-06-10 | 2007-12-13 | 김상훈 | 마이크로 프로브 제조 |
| KR20080030204A (ko) * | 2006-09-29 | 2008-04-04 | 전자부품연구원 | 무전해도금법을 이용한 프로브카드용 탐침구조물 제조 방법 |
| JP2010054264A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Tokyo Electron Ltd | プローブの製造方法、プローブ、プローブカード及びプローブ装置 |
| KR20110062496A (ko) * | 2009-12-03 | 2011-06-10 | 주식회사 엔에스티 | 금속탐침 소자 제조 방법 및 그 금속탐침 소자를 포함한 전기신호 검사 장치 |
| CN102121944A (zh) * | 2010-01-08 | 2011-07-13 | 技鼎股份有限公司 | 一种微探针结构及其制造方法 |
| TW201211545A (en) * | 2010-09-10 | 2012-03-16 | Ccp Contact Probes Co Ltd | A manufacturing method for probe |
| CN111885844A (zh) * | 2020-08-20 | 2020-11-03 | 深圳市明正宏电子有限公司 | Pcb二次线路镀金工艺 |
| CN113597118A (zh) * | 2021-09-28 | 2021-11-02 | 深圳和美精艺半导体科技股份有限公司 | 一种无电镀导线镀金工艺方法 |
| TWI793956B (zh) * | 2022-01-05 | 2023-02-21 | 旭臻科技有限公司 | 微機電探針之製造方法 |
| CN115508594A (zh) * | 2022-09-30 | 2022-12-23 | 西安交通大学 | 一种晶圆级测试用mems探针制备方法 |
| CN116106591A (zh) * | 2023-01-10 | 2023-05-12 | 佛山市蓝箭电子股份有限公司 | 一种微波探针的制作方法及微波探针 |
| CN116546733A (zh) * | 2023-03-28 | 2023-08-04 | 天津普林电路股份有限公司 | 无导线pcb板镀金工艺 |
| CN116430088A (zh) * | 2023-06-13 | 2023-07-14 | 南方科技大学 | 探针及其制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| AZ4620紫外厚胶制备金属小零件工艺研究;王进;;科技创新与应用(第16期);全文 * |
| MEMS加工技术及其工艺设备;童志义;电子工业专用设备(第01期);全文 * |
| Si基Si_3N_4弹性膜独立多探针的制作;原作兰;刘淑杰;张元良;;微纳电子技术(第08期);全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116819145A (zh) | 2023-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6157968B2 (ja) | 配線回路基板およびその製造方法 | |
| US20070087457A1 (en) | Method for inspecting and mending defect of photo-resist and manufacturing process of printed circuit board | |
| TWI784738B (zh) | 半導體封裝件及半導體封裝件之製造方法 | |
| CN116819145B (zh) | 一种采用无导镀金法的探针制造方法 | |
| JP2005303214A (ja) | 半導体ウェーハの研削方法 | |
| JP2015088618A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2018166182A (ja) | 半導体装置用リードフレームとその製造方法 | |
| US7566647B2 (en) | Method of disposing and arranging dummy patterns | |
| CN112020229A (zh) | 电路板的制作方法 | |
| US20090155724A1 (en) | Method for fabricating probe needle tip of probe card | |
| KR101428086B1 (ko) | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 그리고 메모리 카드 제조방법 | |
| CN113543520B (zh) | 电路板去除金手指引线的电镀加工方法 | |
| TW466729B (en) | Plating method and device, and plating system | |
| JP2005285986A (ja) | 柱状金属体の形成方法及び柱状金属体 | |
| JP2009253118A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| KR100877076B1 (ko) | 유리잉크 코팅법을 이용한 프로브카드용 탐침의 절연방법 | |
| US20130199577A1 (en) | Flux Residue Cleaning System and Method | |
| CN116879598B (zh) | 一种用于连接探头卡和半导体检测装置的接口制造方法 | |
| JP2002260753A (ja) | バンプ付きシートの製造方法 | |
| JP2020013838A (ja) | 半導体素子搭載用基板の製造方法 | |
| JP3187630B2 (ja) | 電鋳法 | |
| CN113257681B (zh) | 引线框制造工艺 | |
| JP2015207678A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| US6511860B1 (en) | Method for manufacturing a thermopile on an electrically insulating substrate | |
| KR20190040159A (ko) | 충진부와 회로부가 일체로 된 극미세 회로기판 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |