TWI308676B

TWI308676B -

Info

Publication number: TWI308676B
Application number: TW091117478A
Authority: TW
Inventors: Kazumasa Wakiya; Shigeru Yokoi
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 2001-12-27
Filing date: 2002-08-02
Publication date: 2009-04-11
Also published as: US20060014110A1; US20070004933A1; DE10239768A1; US8697345B2; CN1224864C; US20030138737A1; US20050019688A1; CN1428659A; DE10239768B4; US20100190112A1

Description

1308676 A7 ___ B7 五、發明説明（彳）發明領域本發明係有關光阻用剝離液及採用此液之光阻剝離方法。更詳細而言，係有關I C或L S I等半導體元件或液晶嵌板元件之製造上較合適使用的光阻用剝離液及採用此液之光阻剝離方法。相關枝術領域之說明 I C或L S I等半導體元件或液晶嵌板元件，係於矽晶圓等的基板上藉由C V D蒸鍍等均勻的塗布光阻於所形成的導電性金屬膜或S i 0 2膜等的絕緣膜上，選擇性的曝光、顯影處理並形成光阻圖案，以此圖案爲光罩並選擇性的鈾刻上述經予C V D蒸鍍的導電性金屬膜或絕緣膜，形成微細電路後，以剝離液去除不必要的光阻層並予製造。隨著近年的積體電路之高密度化，較高密度之可微細鈾刻的乾蝕刻係成爲主流。又，在去除蝕刻後之不需要的光阻層之際，進行電漿灰化（ashing)藉由此等蝕刻、灰化、處理，於圖型之側部或底部等，變質膜殘存物以側牆於成爲立方狀殘留著，或源自其他成分之殘渣物附著並殘留著，又源自金屬膜之蝕刻的金屬澱積會發生。因此此等若未予完全去除時，則生成引起半導體裝置之良品率降低等的問題，此等灰化後的殘渣物之剝離亦成爲必要。尤其，近年，隨著半導體元件之高積體化及晶片尺度之縮小化，佈線電路之微細化及多層化進行中，在半導體元件所用的金屬膜之電阻（佈線電阻）與歸固於佈線容量本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) Α4規格< 公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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經濟部智慈財產局資工消費合作社印製 -4- 1308676 A7 _ B7

五、發明説明（P 之佈線延遲等亦被視作問題。因此亦較習用的被使用作佈線材料之鋁（A 1 )較少電阻的金屬，例如可予提出有採用銅（C u )等，在最近成爲採用A 1佈線（A 1 、A 1 合金等以A 1爲主成分之金屬佈線）者，及C u佈線（以 C u爲主成分之金屬佈線）者之二種類裝置。加上對此等二者之裝置的腐蝕防止，再對存在於裝置上的其他金屬亦加上有效的防止腐蝕之要求，於光阻層及灰化後殘渣物之剝離效果.，金屬佈線之腐蝕防止及被期待更提高。於C u金屬佈線之形成方面，由該耐蝕刻性等之點，係採用雙重金屬鑲嵌法，至於雙重金屬鑲嵌法雖有各種方法被提出著，惟若舉出其一例時，於基板上設置C u層後，多層層合低介電體膜（SOG膜等）、絕緣膜（SiN 膜、S i 0 2膜等）等的層間膜後，於最上層設置光阻層，其次選擇性曝光該光阻層並予顯影，形成光阻圖案。以此光阻圖案爲光罩，蝕刻低介電體膜、絕緣膜等後，藉由灰化處理後，剝離光阻圖案於基板上之C u層上形成貫穿孔。接著，於殘存的多層層合之最上層上新形成光阻層，將此選擇性的曝光、顯影並形成新的光阻圖案。以此光阻圖案爲光罩，僅以指定的層蝕刻低介電體膜、絕緣膜等後，藉由灰化處理剝離光阻圖案，形成於上述貫穿孔上連通的佈絲用之溝渠。於此等貫穿孔或佈線用溝渠內藉由電鍍等塡充C u，使多層C u佈線形成。於此種雙重金屬鑲嵌法，藉由上述貫穿孔形成之蝕刻、灰化處理，C u系殘渣物（c u澱積）會容易發生，又本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 r 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 -5- 1308676 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（3) 藉由佈線用溝渠形成之蝕刻、灰化處理會容易發生源自低介電體膜、絕緣膜之S i系殘渣物（S i澱積），此爲於溝渠之開口部外周上形成有作爲S i澱積物之殘渣物。因此，若此等經予完全去除時，則會生成引起半導體製造之良品率降低等的問題。且，源自低介電體膜絕緣膜之S i系殘渣物（S i澱積）的發生，並非受採用雙重金屬鑲嵌法之情形所限定者，若爲採用S i系層間膜之金屬佈線形成時，則並未予特別限定下可生成者係當然的。如此於目前的微影術，光阻剝離技術，係對應於圖案之微細化、基板之多層化的進行，基板表面上所形成的材質之變化，再者成爲以滿足較嚴苛的條件者被要求著。又作業環境上，當然被要求毒性、爆炸性等危險性較少的容易處理的光阻剝離液。於此種狀況，今日，至於可對應上述多種要求的光阻或灰化後的殘渣物之剝離液，可提出有：氫氧化第四級銨、水溶性胺等爲主成分之各種剝離液（日本特開平1 -502059號公報、特開平6-202345號公報、特開平7 — 2 8 2 5 4號公報、特開平7 - 2 1 9 2 4 1 號公報、特開平8 - 2 6 2 7 4 6號公報、特開平1 0 -28989 1號公報、特開平1 1 — 2 5 1 2 1 4號公幸g 、特開2 0 0 0 — 1 6 4 5 9 7號公報、及特開平 2001 — 22096號公報等）。然而，採用此等各公報所示的剝離液之情形，若提高 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .As衣.

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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉 -6- 1308676 A7 B7 五、發明説明（j 光阻膜及灰化後的殘渣物之剝離性（尤其s i系殘渣物之剝離性）至足夠的程度時，則對s i基板（尤其基板背面 )之防蝕性成爲不足，生成須作成某種程度犠牲對s i系殘渣物之剝離性等的問題。然而，於隨著現今的微細化多層化之半導體製造之微影術，作成犠牲對此種s i系殘渣物之剝離性且不可抑低，可解決S i系殘渣物之剝離及S i基板之腐蝕的兩者之剝離液乃被要求著。且含有羥基胺之系統的剝離液亦可予提出的，惟此等於原材料方面爆炸性等的危險性高，在精製剝離液之階段有毒性，或作爲危險物，其處理並不容易。發明之槪要本發明係有鑑於上述事情而完成者，於最近已微細化、多層化的半導體、液晶顯示元件之形成所用的微影術技術，以提供A 1或C u再者其他的金屬佈線之防蝕性，及光阻膜或灰化殘渣物、金屬澱積之剝離性優越的光阻剝離液爲目的。又再者，於對設有絕緣膜（S i 0 2膜等），於低介電體膜（S ◦ G膜等）等之S i系層間膜的基板上之金屬佈線的形成，提供此等源自於S i系層間膜的s i系殘渣物之剝離性及基板（尤指S i基板背面）之防蝕性均優越且可配衡達成的光阻用剝離液爲目的，又本發明係以提供採用上述光阻用剝離液之光阻剝離方法爲目的。爲解決上述課題，本發明係提供含有以（a )下述一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -1^^·. 訂經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製

J 308676五、發明説明（般式（I ) A7 B7 R2—N一闩4 I r3 OH' ⑴ 〔式內，R 基（惟R ^ 、R2、R3、R4各自獨立的表示烷基 r2、r3、r4之中之至少—種係表示經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製數3以上的烷基或羥烷基）〕表示的氫氧化第四級物，（b )水溶性胺’ （C )水，（d )防蝕刻， )水溶性有機溶劑，以（a )成分及（b )成分之例爲（a)成分：（b)成分=1 : 3〜1 : 10 比）之光阻用剝離液。又本發明係提供於基板上形成光阻圖案，以該案爲光罩並蝕刻基板後，採用上述光阻用剝離液並剝離光阻圖案之光阻的剝離方法。又，本發明係提供於基板上形成光阻圖案，以圖案爲光罩並蝕刻基板，其次電漿灰化光阻圖案後上述光阻用剝離液並由基板剝離電漿灰化後的殘渣阻剝離方法。發明之詳細說明以下詳述本發明。於本發明，（a )成分係以下述一般式（I ) 或羥烷碳原子銨化合及（e 配合比 (質量光阻圖由基板該光阻，採用物之光本紙張尺度相家標準（CNS ) A4規格（210X297^" (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-8 - 1308676 A7 B7 五、發明説明（^ R2—IJJ—R4 OH' (I) r3 〔式內，Ri、R2、R3、R4各自獨立的表示院基或經院基（惟，Rl、R2、R3、R4之中之至少一種係表示碳原子數3以上的烷基或烴烷基）〕表示的氫氧化第四級鏡化合物。至於上述一般式（I )表示的氫氧化第四級銨化合物，具體而言，宜爲氫氧化四丁基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化甲基三丁基銨、及氫氧化甲基三丙基銨之中選出的至少一種。採用向來即被常用作光阻用剝離液之氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化甲基三乙基銨或氫氧化二甲基銨等的情形，此等化合物雖對S i系殘渣物之去除性能具有較高的性能，惟其反面，對於A 1 、C u、S i等之攻擊較強，有所謂容易生成腐蝕或損傷等的問題。對此，本發明所用的（a )成分，S i系殘渣物之去除性能較高，加上對A 1 、C u、S i等的攻擊係較平穩。因此，藉由採用（a )成分，可各自配衡良好的達成S i系殘渣物之剝離，對S i基板之防蝕，及對A 1 、C u等金屬佈線之防蝕性，可使作爲光阻剝離液之完成度提高。（a )成分係可採用一種或二種以上。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 -9- 1308676 A7 B7 五、發明説明（) (a )成分之配合量，係於本發明剝離液中，宜爲1 〜20質量％，尤宜爲2〜10質量％。（a)成分之配 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 合量若過少時，全體的剝離能力容易成爲不足，另一方面，若過多時，則被發現有容易生成基板之腐鈾的傾向。至於（b )成分之水溶性胺，可舉出單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、2 -（ 2 -胺基乙氧基）乙醇、N，N 一二甲基乙醇胺、N，N —二乙基乙醇胺、N，N —二丁基乙醇胺、N -甲基乙醇胺、N -乙基乙醇胺、N -丁基乙醇胺、N -甲基二乙醇胺、單丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺等的醇胺類；二乙三胺、三乙四胺、丙二胺、N ，N —二乙基乙二胺、1 ，4 — 丁二胺、N —乙基一乙二胺、1 ，2 -丙二胺、1 ，3 -丙二胺、1 ，6 -己二胺經濟部智慧財產局員工消費合作社印製等聚伸烷多元胺類；2-乙基-己胺、二辛基胺、三丁基胺、三丙基胺、三烯丙基胺、庚胺、環己基胺等脂肪族胺 :苄胺、二苯基胺等芳香族胺類；六氫吡啶、N -甲基_ 六氫吡啶、甲基-六氫吡啶、羥基乙基六氫吡啶等環狀胺類等。其中由對金屬佈線之防蝕性之點較宜使用乙醇胺、 2 — (2 —胺基乙氧基）乙醇、N-甲基乙醇胺（b)成分係可使用一種或二種以上。 (b )成分之配合量係對（a )成分，以質量比計爲 3〜10倍量，宜爲4〜9倍量，（b)成分對（a)成分之配合量在未滿3倍量時整體的剝離能力不足，另一方面對基板之腐蝕防止成爲不足。且藉由對至於（b )成分之各化合物具有的A 1或本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- 1308676 A7 _B7__ 五、發明説明（g (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) C U等的金屬或S i等之攻擊的強度’各自調整最適配合量並予採用即可。例如於採用單乙醇胺作爲（b )成分時，由其攻擊力之強度對（a )成分以將最適配合量設成約 3〜6倍量程度爲宜，於採用2- (2 —胺基乙氧基）乙醇時，被指以設成（a )成分之約4〜8倍量程度爲宜° 又，再者，採用攻擊力較弱的N -甲基乙醇胺時被指此設成約5〜1 0倍量’尤宜爲5〜9倍量程度。至於（c )成分之水，雖然爲於本發明剝離液中的其他成分中必然包含者，然而再加入並調整其量。（c )成分配合量係於本發明剝離液中，宜爲1 〇〜5 0質量％ ’ 尤宜爲20〜45質量％，（c)成分之配合量若過小時，則被發現殘渣物之剝離性有降低的傾向，另一方面，若過多時則A 1或C u等各種金屬容易受腐蝕。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製且，（c)成分之配合量，因應裝置之形成製程以最適化即可。例如，現在於剝離處理，雖可採用浸漬法、噴佈法、槳葉法之任一種方法，惟在光阻用剝離液與基板之接觸時間採用較長的浸漬法或噴佈法之製程，以將配合量設成1 0〜3 0質量％爲宜。另一方面，在光阻用剝離液及基板之接觸時間採用較短的槳葉法之製程，以將配合量設成3 0〜5 0質量％程度爲宜。至於（d )成分之防蝕劑，宜爲由芳香族羥基化合物，苯并三唑系化合物，及會有锍基化合物之中選出的至少一種。至於上述芳香族羥基化合物，具體而言可舉出酚，甲本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 1308676 A7 __ B7 五、發明説明（g) 酚、二甲酚、焦兒荼酚（二1 ，2 -二羥基苯），第三丁基兒茶酚、間苯二酚、氫醌、焦掊酣、1 ，2，4 -苯三醇、水楊基醇、對一羥基苄基醇、鄰羥基苄基醇、對-羥基苯乙基醇、對胺基酚、間胺基酚、二胺基酚、胺基間苯二酚、對羥基苯甲酸、鄰羥基苯甲酸、2，4 一二羥基苯甲酸、2 ，5 —二羥基苯甲酸、3，4 一二羥基苯甲酸、 3 ’ 5 -二羥基苯甲酸、沒食子酸等。其中較合適採用焦兒茶酚焦掊酚、沒食子酸等。芳香族羥基化合物係可採用一種或二種以上。至於上述苯并三唑系化合物，可舉出以下述一般式（ Π ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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N (Π) _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製〔式內’ R5、r6係表示各自獨立的氫原子，取代或非取代的碳原子數1〜10之羥基、羥基、胺基、羥基、氰基 '甲醛基、磺醯烷基、或磺基；Q係表示氫原子、羥基、取代或非取代的碳原子數1〜1 〇之烴基（惟其構造中亦可含有醯胺鍵結，酯鍵結），芳香基或下式（皿） ,R8 'r9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇χ297公釐） (III) -12- 1308676 A7 _ B7 五、發明説明（1 (式（m)中，r7表示碳原子數1〜6之烷基；r8、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

Rg係表不各自獨立的氫原子、經基或碳原子數1〜6之經基或院氧基院基）表示的基〕表示的苯并三哩系化合物。於本發明’上述基Q、R5、R6之多定義中，至於烴基亦可爲芳香族烴基或脂肪族烴基之任一者，又含有飽和、不飽和鍵結，再者亦可爲直鏈、枝鏈之任一者。至於取代烴基’可例示出例如羥烷基、烷氧烷基等。又，純C u佈線經予形成的基板之情形，上述一般式 (Π)中’至於Q尤宜爲上述式（Π)表示的基者。其中式（m)中，至於r3、r9，宜由選擇多自獨立的碳原子數1〜6之羥烷基或烷氧烷基。又於上述一般式（Π )中，至於C e亦宜爲採用表示水溶性基者。具體而言以氫原子碳原子數1〜3之烷基（亦即甲基'乙基、丙基、異丙基）'碳原子數1〜3之羥烷基、羥基等，以其防蝕性之觀點在於基板上具無機材料層（例如聚矽膜，不定形矽膜等）之情形係較宜的。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製至於苯并三唑系化合物，具體而言例如可舉出：苯并三唑5 ’ 6 —二甲基苯并三唑、1_羥基苯并三唑、1 — 甲基苯並二π坐、1 一胺基苯并三π坐、1 一苯基苯并三D坐、 1 -羥基甲基苯并三唑、1 -苯并三唑竣酸甲酯、5 -苯并三唑羧酸、1 一甲氧基苯并三唑、1一（2 ，2 -二羥基乙基）苯并三唑、1 一（2，3 —二羥基丙基）苯幷三唑’或〔Irgamet〕系列正由 Ciba Speciality Chemicals 公司巾售的2 ’ 2 — { 〔（4 —甲基—1H —苯并三π坐― 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 1308676 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（A 1 一基）甲基〕亞胺基丨雙乙醇、2，2>— { 〔（5 - 甲基一 1 Η -苯并三唑一 1 一基）甲基〕亞胺基}雙乙醇、2，2 丨〔（4 一甲基-1Η —苯并三唑一 1-基 )甲基〕亞胺基丨雙丙烷、或2，2 — -丨〔（4 一甲基 —1Η-苯并三唑一1一基）甲基〕亞胺基}雙丙烷等。此等之中，宜爲採用1 一（2，3 —二羥基丙基）苯并三唑、2 ，2 —丨〔（4 一甲基—1Η —苯并三唑一 1—基 )甲基〕亞胺基丨雙乙醇、2，2>—{ 〔（5_甲基— 1Η —苯并三唑一 1 一基）甲基〕亞胺基丨雙乙醇等。苯并三唑系化合物可採用一種或二種以上。至於上述含有锍基化合物，係於鍵結至锍基之碳原子之α位，/3位之至少一者上宜爲具有羥基及/或羰基之構造的化合物。至於此種化合物，具體而言可舉出有1 -硫代丙三醇、3 — (2-胺基苯基硫代）一 2 -羥基丙基硫醇' 3 -（ 2 -羥基乙基硫代）—2 —羥基丙基硫醇、2 -锍基丙酸，及3 -毓基丙酸等爲較宜者。其中尤宜採用 1 -硫代丙三醇。含有锍基化合物可採用一種或二種以上〇此等（d )成分，藉由製程，較詳細而言因應裝置以適宜選擇使用即可。具體而言’雖然可被視作有例如： (1 )於具有A 1金屬層之基板上形成光阻圖案，以該圖案爲光罩，鈾刻基板後，藉由灰化處理等剝離光阻圖案並形成A 1金屬佈線時， (2 )於雙重金屬鑲嵌法，在已形成C u層之基板上 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) i 訂 r 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14- 1308676 A7 B7 五、發明説明（4 ，多層層合低介電體膜（SOG膜等，絕緣膜（s 1 n層，S i 0 2層等）等的S i系層間膜’以經予形成於其最上層之光阻圖案爲光罩，蝕刻低介電體膜，絕緣膜後，藉由灰化等光阻圖案予以剝離，於基板上的C u層上形成貫穿孔時’ (3 )於雙重金屬鑲嵌法已形成，上述貫穿孔後，以於殘存的多層層合之最上層新予形成的光阻圖案爲光罩，蝕刻低介電體膜，絕緣膜等至指定的層後，藉由灰化光阻圖案等予以剝離，形成連通至上述貫穿孔上的佈線用之溝渠時等，然而並非受此等例示時所限定者係理所當然的。又雙重金屬鑲嵌法有多種方法被提出著，並非受上述例子方法所限示者。上述（1 )之情形，成爲剝離對象之殘渣物主要爲 A 1系殘渣物，抑制腐蝕對象之金屬佈線係A 1 (含有 A 1系合金）佈線。此種情形，特別由A 1佈線防蝕性之點宜爲採用芳香族羥基化合物作爲（d )成分，上述（2 )之情形，至於殘渣物主要於貫穿孔底部發生C u系殘渣物，又至於抑制腐蝕之對象仍然以C u系金屬成爲主要對象。此種情形時，宜爲採用苯并三唑系化合物，含有巯基化合物， (3 )之情形，至於以殘渣物發生者之要爲S i系殘渣物，成爲抑制腐蝕之對象者主要爲C u系金屬。此種情形，宜爲採用苯并三唑系化合物，含有锍基之化合物。由 S i系殘渣物之剝離性之點，尤宜爲合倂使用苯并三唑系本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、51

經濟部智慧財產局i工消費合作社印製 -15- 1308676 A7 __B7_________ 五、發明説明（& 化合物及含有锍基化合物。且芳香族羥基化合物及水與胺之組合’由具有S i系殘渣物之剝離性提高的效果係爲人所知的利用此效果，芳香族羥基化合物亦較宜使用。 (d )成分之配合量，係合倂使用上述的芳香族羥基化合物’苯并三唑系化合物及含有酼基化合物之各群的化合物時’尤其以各配合1〜4質量％爲較宜。各化合物之配合量若較上述範圍過少時，則有容易生成A 1或C u之腐蝕的問題’另一方面若過多時，未發現有配合其配合量之效果的增大。且，（d )成分之綜合計配合量之上限宜爲1 5質量％程度。 (e )成分係水溶性有機溶劑，可採用向來即慣用者。至於此種水溶性有機溶劑，若爲與水或其他配合成分間有混合性的有機溶劑時即可，具體而言可舉出二甲基亞砸等，亞碩類；二甲基硕 '二乙基碾、雙（2 —羥基乙基）硕、四亞甲硕等硕類；N，N_二甲基甲醯胺、N —甲基甲醯胺、N，N —二甲基乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N — 乙基一 2 -吡咯烷酮、N -甲基一 2 —吡咯烷酮、N —羥甲基- 2 -吡咯烷酮、N -羥乙基一 2 -吡咯烷酮等內醯胺類；1 ，3_二甲基—2 —咪唑啉二酮、1 ，3 —二乙基_2 -咪哩啉—酮、1 ，3_二丙基一 2 -咪哩啉二酮等咪唑啉二酮類；乙二醇、乙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚 '乙二醇單丁醚、乙二醇單甲醚乙酯、乙二醇單乙醚乙酯、二乙二醇、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚 '丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公瘦） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 r 經漓部智楚財產局員工消費合作社印製 -16- A7 1308676 _B7_ 五、發明説明（& 、丙二醇單丁醚等多元醇類及其衍生物等。其中以二甲基亞硕、二甲基咪唑啉二酮、N -甲基一 2 -吡咯烷酮、及二乙二醇單丁醚之中選出的至少一種係較宜使用的，（e )成分係可使用一種或二種以上。 (e )成分之配合量，係本發明剝離液所含有的其他成分之合計配合量的殘量。於本發明剝離液由提高滲透性之點，對炔屬醇配合已加成環氧乙烷之炔屬醇環氧乙烷加成物作爲任意添加成分亦可。至於上述炔屬醇，較宜使用下述一般式（IV) ?11 R1〇—C 三 C—OH (IV) R12 (惟，Riq係表示氫原子或下述式（V) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製弓13 I -- -C—0H | (V) r14 表示的基；R i 1、R : 12、Rl3、Rl4表不各自獨立的氣原子，碳原子數 1〜6 之烷基）表示的化合物。此炔屬醇係例如以「Surfinol」、「Olfin」（以下任一者均爲Air Product and Chemicals Inc.製造）等的系列予以市售的較合適使用的，其他亦可使用「Olfin B」' 「〇lfir 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 1308676 A7 ___B7_ ___ 五、發明説明（4 p」、「Olfin Y」等。至於經予加成至上述炔屬醇之環氧乙烷，較宜使用環氧乙烷、環氧丙烷或其他混合物。在本發明至於炔屬醇、環氧乙烷加成物，較且使用以下述一般式（VI ) ^16 R15—C=c—c—〇-f€H2CH2〇)^—Η (VI) R17 (惟，R15係表示以氫原子或下述一般式（W) ?18 —C-〇-fCH2CH2〇)^-H (VII) 闩19 表示的基；R16、R17、Rl8、Rl9係表示各自獨立的氫原子、碳原子數1〜6之烷基）表示的化合物。在此（ n+m)係表示1〜30爲正的整數，由此環氧乙烷之加經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) r 成數對水之溶解性，表面張力等的特性係呈微妙的變化著〇炔屬醇環氧乙烷加成物，至於界面活劑其本身係公知的物質。此等係以「Surfinol」（Air Product and Chemicals

Inc.製造）之系列或「Acetylenol」（川硏 fine Chemical ( 股）製造）之系列等予以市售著，係較適使用著。其中若考慮由環氧乙烷之加成數對水之溶解性，表面張力等的特本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18- A7 1308676 B7____ 五、發明説明（‘ 性之變化等時，則以「Surfino1 440」（n + m = 3 · 5 ) 、「Surfinol 465」（n+m=l〇) 、「Surfinol 485」（ n + m = 3 0 ) 、「Autylenol EL」（n+m=4) 、「

Autylenol EH」（n + m= 1 0 )或此等的混合物係較合適使用著。以「Autylenol EL」及「Autylenol EH」之混合物尤宜使用。其中以2 : 8〜4 ·· 6 (質量比）之比率混合「Autylenol EL」及「Autylenol EH」者爲尤宜使用著。藉由配合此炔屬醇•環氧乙烷加成物’可使剝離液本身之滲透性提高，可使濕濡性提高。於本發明剝離液中配合炔屬醇·環氧乙烷加成物時，其配合量宜爲0 . 0 5〜5質量％程度，尤宜爲0 1〜 2質量％程度，若較上述配合量亦多時，則考慮氣泡之發生，使濕濡性之提高飽和，即使加至該値以上亦未能期待更加的效果之提高，另一方面，較上述範圍亦少時，欲得所求的濕濡性之足夠效果係較難的。本發明之光阻剝離液，係含有負片型或正片型光阻且可有利的使用於以鹼性水溶液可顯影的光阻。至於此種光阻可舉出（i )含有萘醌二疊氮化合物及酚醛樹脂之正片型光阻，（ϋ)含有由曝光發生酸之化合物，由酸分解對鹼水溶液之溶解性增大的化合物及鹼可溶性樹脂之正片型光阻，（ΐϋ)含有具由曝光發生酸之化合物，由酸分解對鹼水溶液之溶解性增大的基之鹼可溶性樹脂的正片型光阻，及（iv )含有由光發生酸之化合物、交聯劑及鹼可溶性樹脂之負片型光阻等，惟本發明並非受此等所限定等。本紙張尺度適财關家辟（CNS ) A4^ ( 21GX297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •1^^·. -¾ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -19- 1308676 Α7 Β7 五、發明説明（; 本發明之光阻用剝離液之使用態樣，係於導電性金屬膜或絕緣膜，再者低介電體膜經予形成的基板上藉由微影術法形成光阻圖案，以此爲光罩，選擇性的蝕刻導電性金屬膜或絕緣膜、低介電體膜等，形成微細電路後，大致分成①剝離光阻圖案之情形，②電漿灰化處理蝕刻步驟後之光阻圖案，剝離該電漿灰化後的變質膜（光阻殘渣）、金屬澱積等的情形。至於剝離前者之蝕刻步驟後的光阻膜之情形的例子，可舉出有包含： (I )於基板上設置光阻層之步驟， (π )選擇性的曝光該光阻層之步驟， (m )顯影出曝光後的光阻層並設置光阻圖案之步驟， (IV )以該光阻圖案爲光罩並蝕刻該基板之步驟，及 (V )採用上述本發明之光阻用剝離液由基板剝離蝕刻步驟後的光阻圖案之步驟的光阻剝離方法。又，至於剝離後者之電漿灰化處理後之變質膜、金屬澱積等的情形之例子，可舉出有包含： (I )於基板上設置光阻層之步驟， (π )選擇性的曝光該光阻層之步驟， (ΠΙ )顯影出曝光後的光阻層並設置光阻圖案之步驟 5 (IV )以該光阻圖案爲光罩並蝕刻該基板之步驟，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 麵訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- 1308676 A7 B7 五、發明説明（)8 (V)電漿灰化光阻圖案之步驟，及 (VI )採用上述本發明光阻用.剝離液由基板剝離電漿灰化後的殘渣物之步驟的光阻剝離方法。至於金屬佈線，可採用銘（A 1 )系佈線或銅（c u )系佈線等。且於本發明，C u佈線係可爲含有以C u爲主成分（例如含量9 0質量％以上程度）之含有a 1等的其他金屬之C u合金配線，又亦可爲純C u佈線。於上述後者之剝離方法，係電漿灰化後，於基板表面上附著以光阻殘渣（光阻改質膜）或金屬膜蝕刻時發生的金屬澱積等爲殘渣物並予殘存。使此等殘渣物接觸本發明剝離液，剝離去除基板上之殘渣物。電漿灰化雖係原本去除光阻圖案之方法，但由電漿灰化以光阻圖案殘存作部分變質膜係最常有的，此時之光阻圖案變質膜的完全去除，在本發明係尤其有效的。光阻層之形成、曝光、顯影及蝕刻處理，不論何者係慣用的手段，並未予特別限定。且，上述（m )之顯影步驟，（v )或（VI )之剝離步驟之後施以慣用上常被施行的純水或採用低級的淸洗處理及乾燥處理亦可。又，依光阻之種類不同，亦可進行化學增輻型光阻所通常被施行的後曝光烘烤之曝光後的加熱處理。又亦可進行已形成光阻圖案後的後烘烤。剝離處理係藉由浸漬法、淋浴法、槳式攪拌法予以施本紙張尺度適用中國國家標準（cns )M規格（2ΐ〇χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 -21 - 1308676 A7 B7 五、發明説明（; 行。剝離時間若爲經予剝離的足夠時間時即可，並非特予限定者。且’至於金屬佈線，尤其採用銅（c u )經予形成的基板時’至於本發明光阻剝離液之使用態樣，可舉出雙重金屬鑲嵌法係較合適的例子。此雙重金屬鑲嵌法具體而言雖可舉出上述「2 .關聯技術領域之說明」欄所述的方法爲合適例’但並非受此方法所限定者一事係無庸置疑的。實施例其次，舉出實施例再詳細說明本發明，惟本發明並非受此等例子任何限定者。且配合量未予特別說明時，係指質量％。實施例1〜1 2，比較例1〜1 4 以形成Si〇2層之矽晶圓爲基板（Si基板），於該基板上形成第1層之A 1 _S i — Cu層、第2層之 T i N膜，第3層之P — TEO S膜（採用正矽酸四乙基酯予以成膜的S i 0 2膜），於其上用旋塗器塗布正片型光阻之TDUR— P015 (東京應化工業（股）製造），在9 CTC施以9 0秒鐘預烘烤，形成膜厚0 . 7 m m之光阻層。採用FPA3000EX3 ( Canon (股）製造）介經光阻圖案使此光阻層曝光，其次在1 1 0 t進行9 0秒鐘之後曝光烘烤處理，在2 · 3 8質量％氫氧化四甲基銨（本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 -22 - 1308676 A7 B7 五、發明説明（土 T M A Η )水溶液並予顯影，形成穿孔直質3 5 0 n m之穿孔圖案。其次在1 1 0 °C進行9 0秒鐘之後烘烤，接著進行乾蝕刻處理，再者灰化處理。對已完畢上述處理的基板，藉由於表1〜2所示的光阻用剝離液內進行浸漬（7 0 °C，3 0分鐘）處理，或漿式攪拌（7 0 °C，2分鐘）處理之任一種方法進行剝離處理（處理條件如表3所記載）後，以純水進行淸洗處理。藉由以S E Μ (掃瞄型電子顯微鏡）觀察此時之於穿孔開口部之外周部形成的S i系殘渣物之剝離性’穿孔底部之 A 1佈線的腐蝕狀態予以評估。結果示於表3 ° 且，S i系殘渣物之剝離性，S i基板背面之腐鈾狀態，A 1佈線之腐蝕狀態係各以下述方式予以評估° 〔剝離性（S i系殘渣物）〕 A :未發現有殘渣物（剝離性優越） B :殘存有殘渣物（剝離性不良）〔腐蝕狀態（S i基板背面，A 1佈線）〕 a :未發現有殘渣物。 a > :僅有少許腐蝕發生。 b:發生腐蝕。本纸張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（2j〇X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 -23- 1308676 A7 B7 五、發明説明（4 表1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製光阻用剝離液（質量％ ) (a) 成分 (b) 成分 (c) 成分 (d) 成分 (e) 成分其他成分實施例1 TBAH (5) MEA (20) (20) dl+d2 (2+3) NMP (50) - 實施例2 TBAH (2.5) MEA (10) (20) dl+d4 (5+2) NMP (60.5) - 實施例3 TPAH (3) MEA (15) (15) dl+d3+d4 (.2+3+2) DMF (60) - 實施例4 MTPAH ⑸ MEA (25) (20) dl+d2+d4 (2+3+2) DMF (43) 實施例5 MTBAH (2.5) MMA (22.5) (15) d4+d5 (3+2) DMI (55) - 實施例6 TPAH (5) MMA (25) (20) d2+d4 (3+2) NMP (45) - 實施例7 TBAH ⑻ MMA (40) (20) dl+d3 (2+3) NMP (27) 實施例8 TPAH ⑸ MEA (20) (40) dl+d2+d4 (2+3+2) 1S1MP (28) - 實施例9 TBAH (5) MEA (20) (40) dl+d3+d4 (2+3+2) DMI (28) - 實施例1〇 TPAH (5) DGA (25) (38) dl+d3+d4 (2+3+2) NMP (25) - 實施例11 TPAH (5) DGA (30) (35) dl+d4 (1+1) NMP (28) - 實施例12 TPAH ⑸ DGA (40) (25) dl+d2+d4 (1+2+2) NMP (25) - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公釐） -24- 1308676 A7 B7 五、發明説明（4 表2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製光阻用剝離液（質量％ ) ⑻ 成分 (b) 成分 (c) 成分 ⑼ 成分 (e) 成分其他成分比較例1 TBAH ⑸ MEA (60) (20) dl+d2 (2+3) NMP (10) - 比較例2 TBAH (10 MEA (20) (20) dl+d2 (2+3) MMP (45) - 比較例3 - MEA (2〇) (20) dl+d2 (2+3) DMSO (50) TMAH (5) 比較例4 - MEA 06) (20) dl+d2+d4 (2+3+2) NMP (53) TEAH ⑷ 比較例5 - MEA (2〇) (20) dl+d2+d4 (2+3+2) NMP (48) CO (5) 比較例6 - DGA (25) (15) dl+d2+d4 (2+3+2) NMP (48) MTEAH (5) 比較例7 - MEA (10) (20) dl+d2 (2+5) DMI (60.5) DEDEAH (2.5) 比較例8 - MEA ⑼ (9.76) - DMI+DMSO (18+63) TMAH (0.24) 比較例9 - MEA 0〇) - d3 (3) MDF (87) 比較例10 - MEA (35) (32) - DEGE (20) TMAH(3) 、SRB(10) 比較例11 - - (8.〇) - DEGE (90) TMAH (2.0) 比較例12 - MEA (40) (28) - NMP (30) TMAH (2.0) 比較例13 - MDA 0〇) (69) GP (10) TMAH (1.0) 比較例14 - MEA (25) (10) - NMP (57) TMAH (5) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -25- 1308676 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（ 2*3 1 1 且表 1 2 所示的各成分係如下所述。後述旳表4 亦 1 1 可適用 o 1 1 T B A H 氣氧化四丁基胺 y-S 請 1 先 1 T P A H 氫氧化四丙基銨閲讀 1 背 1 Μ T P A Η 氫氧化甲基二丙基銨 & 之 1 ! Μ T B A Η 氣氧化甲基二丁基銨意事 1 項 I Τ M A H 氫氧化四甲基銨再填 1 τ E A H 氫氧化四乙基銨寫本頁 1 c 0 膽鹼 1 I Μ T E A Η Μ 氧化甲基二乙基銨 1 1 I D M D E A Η 氫氧化二甲基二乙基銨 1 1 Μ E A : 單乙醇胺訂 1 Μ M A N — 甲基乙醇胺 1 | Μ D A N — 甲基二乙醇胺 1 I D G A 二 2 — ( 2 — 胺基乙氧基 ) 乙醇 1 1 d 1 2 2 一 — { [ ( 4 — 甲基 -1 Η —苯并三唑 -1 - 基 ) 甲基 ] 西胺基 } 雙乙醇 ( 厂 IRGAMET 42」 ) 1 1 d 2 隹 > i NS 掊酣 1 I d 3 沒食子酸 1 I d 4 1 — 硫代丙二醇 1 1 d 5 隹 •MS'* 兒茶酚 1 1 S R B 山梨糖醇 1 1 N M P N — 甲基 — 2 — 吡咯烷酮 1 I D M F N Ν — 一甲基甲醯胺 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -26- 1308676 A7 B7 五、發明説明（4 DMI : 1 ，3-二甲基—2-咪唑啉二酮 DMSO:二甲基亞硕 DEGE :二乙二醇單乙醚 P G :丙二醇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -27 - 1308676 A7 B7 五、發明説明（4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製表3 Si系殘渣物之剝離性 Si基板背面之腐蝕狀態 A1佈線之腐蝕狀態剝離步,驟之處理條件實施例1 A a a 7〇°C-3〇min(浸漬法）實施例2 A a a 7〇t-3〇min(浸漬法）實施例3 A a a 7〇〇C-3〇min(浸漬法）實施例4 A a a 70t-3Omin(浸漬法）實施例5 A a a 70°C-30min(浸漬法）實施例6 A a a 70°C-30min(浸漬法）實施例7 A a a 70°C-30min(浸漬法）實施例8 A a a 70°C -2min(槳式攪拌法）實施例9 A a a 7(TC-2min(槳式攪拌法）實施例10 A a a 70°C-2min(槳式攪拌法）實施例11 A a a 70°C-2min(槳式攪拌法）實施例12 A a a 70〇C-30min(浸漬法）比較例1 A a a5 70〇C-30min(浸漬法）比較例2 A b a 70°C-30min(浸漬法）比較例3 A b b 70°C-30min(浸漬法）比較例4 A b b 70〇C-30min(浸漬法）比較例5 A b b 70t-3Omin(浸漬法）比較例ό A b b 70〇C-30min(浸漬法）比較例7 A b b 7〇Τ：-30ιηΐη(浸漬法）比較例8 B a b 70〇C-30min(浸漬法）比較例9 B a a 70°C-30min(浸漬法）比較例10 A b b 7(TC_30miii(浸漬法）比較例η B a b 7〇Τ>3〇ηώι(浸漬法）比較例12 A b b 70t-3Omin(浸漬法）比較例13 A b b 7〇°C-3〇min(浸漬法）比較例14 B a b 7〇t：-3〇min(浸漬法） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

衣- 訂

本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28- 1308676 A7 B7 五、發明説明（4 實施例1 3〜1 9 採用以與上述實施例1〜1 2同法製作的已處理完畢的基板。對該已處理完畢的基板，於（a )成分之氫氧四丙基銨（TPAH) 5質量％、（b)成分之單乙醇胺（ MEA)2◦質量％，（c)成分40質量％及（e)成分之N_甲基一 2 —吡咯烷酮（NMP) 3 0質量％內已配合下述表4所示的（d )成分5質量％之光阻用剝離液內，進行浸漬（7 0 °C，3 0分鐘）處理並進剝離處理後，以純水進行淸洗處理。藉由以S E Μ (掃瞄型電子顯微鏡）觀察此時之於穿孔側壁所形成的A 1系殘渣物之剝離性、穿孔開口部之外周部形成的S i系殘渣物之剝離性、穿孔底部之A 1佈線的腐蝕狀態，及矽晶圓背面之S i的腐鈾之狀態予以評估，結果示於表5。且表4中所示的 dl，d2，d4係各自與表1所用的縮寫同義。〔基板Π〕以已形成S i 0 2層之矽晶圓爲基板（S i基板）’採用於該基板上已形成膜厚〇 · 5//m之Cu層的S i基板 (基板Π )。對此基板Π，以與已採用上述基板I時同法進行剝離處理後，以純水進行淸洗處理。藉由觀察s E M (掃瞄型電子顯微鏡）評估此時之C u層的腐蝕狀態。結果示於表5。且，表5所示的剝離性（A 1系殘渣物，s 1系殘渣本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

經濟部智魅財產局員工消費合作社印製 -29- 1308676 A7 B7 五、發明説明（士物），腐蝕狀態（s i基板背面，A 1佈線，C U層）之評估結果係表示下述的意義。〔剝離性（A 1系殘渣物，S i系殘渣物）〕 ◎:完全剝離〇：雖然約略完全剝離，但有對裝置尙未引起故障程度之殘渣物，予以完全去除需要時間者。〔腐蝕狀態（s i基板背面，A 1佈線，C u層）〕 ◎:完全未被觀察出腐触〇：未被發現有對裝置引起故障程度之腐蝕 △:僅極少發生腐蝕且此等評估係與實施例1〜1 2進行的評估基準不同，相當於將於實施例1〜1 2之評估A (剝離性評估）， a (腐蝕狀態之評估）等級者予以再細分化者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1T

經濟部智慧財產笱S工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐〉 -30- 1308676 A7

7 B 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（4 表4 (d)成分苯并三唑系化芳香族羥基化含有锍基化合合物合物物實施例13 dl(2) d2(3) 實施例14 dl(2) d4(3) 實施例15 d2(3) d4(2) 實施例16 dl(2) d2(l) d4(2) 實施例1 7 dl(5) 實施例18 d2(5) _ 實施例19 _ d4(5) 表5 基板I 基板Π Α1系殘渣物 Si系殘渣物 A1佈線之腐 Si基板背面 Cu層之腐蝕之剝離性之剝離性蝕狀態之腐蝕狀態狀態實施例13 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例Μ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例15 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例16 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例π ◎ 〇 Δ ◎ ◎ 實施例18 ◎ ◎ ◎ ◎ 〇實施例19 ◎ 〇〇 ◎ ◎ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -31 - 1308676 A7 B7 五、發明説明（4 如上詳述般，若依本發明時，於最近的微細化、多層化的半導體，液晶顯示元件之形成所用的微影術技術，可得A 1或C u，再者其他金屬佈線之防蝕性，及光阻膜或灰化殘渣物之剝離性優越，同時再者於已設置絕緣膜（ Si〇2膜等）' 低介電體膜（SOG膜等）等之Si系層間膜的基板上形成金屬布線，源自於此等s i系層間膜之 S i澱積的剝離性及基板（尤指S i基板背面）之防蝕性均優越，可配衡良好的達成之光阻用剝離液。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（cns )M規格（2ΐ〇χ297公楚） -32 -

Claims

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N 式中六、申請專利範園第9 1 1 1 7478號專利申請案中文申請專利範圍修正本 97年10月9日修正 1 · 一種光阻用剝離液，係含有1〜2 0質量％的（a ) 至少1種選自氫氧化四丁基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化甲基三丁基銨及氫氧化甲基三丙基銨之第四級銨氫氧化物、（b)至少1種選自單乙醇胺、2-(2 -胺基乙氧基）乙醇及N-甲基乙醇胺的水溶性胺、1 0〜5 0質量％的（c )水、2 〜1 5質量％的（d )防鈾劑，及其他成分總計添加量的殘餘部分之（e )水溶性有機溶劑，以（a )成分及（b )成分之配合比例爲（a)成分：（b)成分=1: 3〜1: 1〇(質量比 )° 2 .如申請專利範圍第1項之光阻用剝離液，其中（d )成分係至少一種選自焦兒茶酌、焦掊及沒食子酸之芳香族羥基化合物，由以下述一般式（II) (II) 、Re係表示各自獨立的氫原子，非取代的碳原子數1〜10之羥基；Q係表示氫原子、羥基、或下—般式 (III) 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------AwIT (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 130.8676 戠 C8 D8 六、申請專利範圍 /R8 R7—(111) R9 (請先閲请背面之注意事項再填寫本頁) (式（III )中，R7表示碳原子數1〜6之烷基；R8、R9係表示各自獨立的氫原子、羥基或碳原子數1〜6之羥基或烷氧烷基）所示的基〕所示之苯并三唑系化合物及1 -硫代丙三醇之含有锍基化合物。 3 .如申請專利範圍第2項之光阻用剝離液，其中苯并三唑系化合物係由1- ( 2,3-二羥丙基）-苯并三唑、2,2'-{〔 (4-甲基-1H-苯并三唑-1-基）甲基〕亞胺基}雙乙醇、及2, 2'-{〔（5-甲基-1H-苯并三唑-1-基）甲基〕亞胺基}雙乙醇之中選出的至少一種。 4 · 一種光阻之剝離方法，其特徵爲基板上形成光阻圖案，以該光阻圖案爲光罩並蝕刻基板後，採用申請專利範圍第1項至第3項中任一項之光阻用剝離液，由基板剝離光阻圖案而成。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 . —種光阻之剝離方法，其特徵於基板上形成光阻圖案，以該光阻圖案爲光罩並蝕刻基板，其次使光阻圖案經電漿灰化後，採用申請專利範圍第1項至第3項中任一項之光阻用剝離液，由基板剝離電漿灰化後之殘渣物而成。 6 .如申請專利範圍第4項或第5項之光阻之剝離方法，其中於基板上至少具有AI佈線、Cu佈線之任一種金屬佈線。 7 .如申請專利範圍第4項或第5項之光阻之剝離方法本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210><297公嫠） -2- 130.8676 戠 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）六、申請專利範圍 -3-