TWI308471B - Copper foil and its manufacturing method - Google Patents

Description

1308471 九、發明說明： 【發明所屬技術領域】 本發明有關於銅镇及其製造方法。 【先前技術】 銅箔已廣泛使用於印刷電路板的形成从 Λ a W材料0印屈丨I费,々 板疋將鋼箔與膠片（prepreg)等其化材料黏人 ^ 箔與膠片等之間具有高黏著強度較佳。 而付所以銅

提高銅箔與膠片等之黏著強度的方 x ^ W如為，葬ώ A 未處理銅箔的粗糙表面及/或光澤面施 9 不且椅化表面處理 以形成粗糙化表面，上述粗糙化表面為 , ❿戍例如以觸斜式 粗鏠度計所量測的粗糙度Rz約為數微 (1 \ 上晶片 (cob) ’以從未處理銅箔製造表面處理 m 此万法係利用 r 往該粗糙化表面的板上晶片（⑶b)之膠片等的固以峨h0I 效果。該固定效果是由於膠片等的板上晶片的钱刻所產 2 -般而言，由於板上晶片的尺寸’銅箱粗糙化表面與 膝片等的黏著強度會隨著㈣粗缝化面的上述粗輪产R的 增^而增加。因此，習知評估㈣粗糖化表面與^等的 黏著強度的方法，可藉由觸針式粗链度計，並配合爪 TM650 Sect1Qn2· 2. 17A等方法測量粗糙度Rz等以評估粗链 化程度，並且藉由該粗糙《Rz等來評價㈣粗糖化表面與 膠片專的黏著強度。 但疋，在銅箔粗糙化表面上施以不同板上晶片處理的 形狀等，會冑使用上述觸針式粗糖度計所測定的粗链度Ri 的增加與上述銅箔粗糙化表面的黏著強度的增加不一致的

2213-6996-PF 5 1308471 $况。也就是說，即使表面處理銅箔利用觸針式粗度計測 疋銅箔粗糙化表面的粗糙度Rz大小相t，在板上晶片形狀 不同的情況下，會產生黏著強度不同，以及黏著強度偏差。

然而，最近的印刷電路板，特別是多層印刷電路板， 有薄形化的趨勢。因此，當作印刷電路板材料的銅猪，最 好除了表面處理銅羯本身的厚度變薄之外，還要再加上表 面處理銅^板上晶片的高度降低，亦即降低上述粗糖度 Rz。例如，由板上晶片處理而形成的表面處理銅箔的粗糙 化表面的粗糙度Rz值报高時，則由該銅绪形成的電路的電 I·生會變得較差，且形成細微電路的可能性降低。 . ^即使以上述觸針式粗糙度計所測定的粗糙度Rz ' J相田，由於鋼箔粗糙化表面黏著強度可能產生偏 差又為了確保既定的黏著強度，必需要提高設定的銅猪 ::化表面的粗糖度l的下限值。因此，會有不能使上述 、s泊粗糙化表面的粗糙度Rz太低的問題。 、十對這個問題，在日本特許出願（特開平1 0 — 號 公報）中揭露’在金屬板表面形成銅等鍍膜的材料中，利用 !子線3維粗糙度的解析震置，將由材料表面放大3_倍 付到的鍍材表面，算術平均粗糙度⑻為0.03〜。_ 5“，而 (由測定所知的試料的表面積"(測定範圍的長X寬） ::義的表面積替代值& 之樹脂附著性良好的 jL月的主要目的在於提供一種金屬材料，藉如設 疋算術平均粗链度以沒矣；^ , 表面替代值於適當的範圍，使其盘 樹脂附著性良好。 一

2213-6996-PF 1308471 疋特岸文獻1的方法，由段落號碼[0020 ]的表1 附丄’不會有隨著算術平均粗糙度Ra增加而使樹脂性 ，曰加的關係，因此只測定銅箔表面的算術平均粗糙 士又的話，沒有辦法精確推測出樹脂附著性的值。另外，在 ^表1 ^ ’也沒有隨著表面積代替值增加必然使樹脂附著 兮也：加的傾向，戶斤以只測定銅络表面的表面積代替值的 。’ ’又有辦法精確度高地推測出樹脂附著性的值。因此， =特許讀1所述的方法，由於只敎㈣表面算術粗趟 )以及表面積代替值而無法精確度高地推測出銅箱表 面的黏著強度’若考量到黏著強度的偏差，無法使銅箱粗 糙化表面的粗糖度降得很低。這樣的結果會有無法得到低 粗糙度且高黏著度的表面處理銅箔的問題。 因此’本發明的目的在於提供一種銅羯，其即使粗糙 化表面的粗糙度Rz低，但具有高黏著強度。 有鑑於此，本發明人精心研究的結果為，藉由雷射顯 微鏡以3維方式測定㈣試料s的粗輪化表面積所得的3 維表面積A(S)與該3維表面積A⑻的測定區域面積b⑻ 的比值A(S)/B(S)所定義的面積係數c(s)，以及觸針式粗 糙度計測量該銅羯試料S的粗糙化表面所得的粗糙产 Rz(s)’分別在特定的範圍内，並發現一種即使Rz低也具$ 高黏著強度的銅箔，以完成本發明。 換言之，在本發明中，藉由雷射顯微鏡以3維方式測 定銅箔試料s的粗糙化表面積所得的3維表面積A(s)與j 2213-6996-PF 7 1308471 3維表面積A(S)的測定F e u 定盖& 州疋&域面積B(S)的比值A(S)/B(S)所 疋義的面積係數C(s)，以月雜乂丄』 料ς Μ )以及觸針式粗糙度計測量該銅箔試

的粗樋化表面所得的粗把p P 的關係. 于日]祖糙度Rz(S)，具有下述關係式（1) °-5x Rz(S) + 〇.5^C(S) (1) (在該關係式中，Rz(S)的單位為㈣的數值。） 並且所使用㈣的上述⑽度L⑻為介於Up至3.0 # m之間。 再者’在發明之中’上述銅箔試料s的厚度小於 m 〇 接下來，在本發明之中，使用以觸針式粗糙度計測量 的粗糙表面的粗糙度為10“至5 0^的未處理銅羯， 利用第1 段粗糖化處理液在該未處理銅羯的粗糙面的表 面形成鋼微粒以進行粗糙化處理的第"皆段粗糙化處理， 該第1階段粗糙化處理液的Cu(II)離子濃度為5g/1至 2〇g/l、自由S042-離子濃度為30g/1至1〇〇g/1、9-苯基吖 啶（9-Phenyl Acridine)濃度為 1〇〇mg/1 至 2〇〇mg/i、氯離 子濃度為20mg/l至l〇〇mg/i，使該第丄階段粗糙化處理液 的溫度維持在2Gt i 40 t：，其中該第i階段㈣化處理 的第1階段前段粗糙化處理係以電流密度1 5A/dm2至Μ A/dm進行電解2秒至1 0秒，該第1階段粗糙化處理的第 1階段後段粗糙化處理係以電流密度3A/dm2至1 〇 A/dm2進 行電解2秒至1 〇秒。 發明的效果

2213-6996-PF 8 1308471 々。：發明的銅箔為粗糙度Rz低’但是黏著強度高的鋼 者本發明的銅f白製造方法為有效率的製造上述本 發明的銅箔。 【實施方式】 (本發明的銅箔） /發明用於銅試料s的銅箱為，施以未處理銅羯的 粗糙化表面以及/或去於氺，、典 一;光π表面進行粗糙化處理，而形成 了粗縫化表面的表面處理銅 卜 „ . 上迷表面處理銅f#於粗糙 化處理前之未處理銅箔中， 价 甲也可以是電解銅箔或者壓延銅 ’冶0 本發明的銅箱，厚度通常在以下’最好是介於 12"m至18//m之間。麵铰© ώ： 1 銅V自厚度在該範圍内，容易使印刷 電路板能夠薄形化，所以較佳。 本發明的銅箔，藉由啻Α 雷射，、肩微鏡以3維測定銅箔試料 S的粗縫化表面積所得的 Α ' 的3、准表面積A(S)與該3維表面積 A(S)的測定區域面籍 錢積⑻的比值A⑻糊所定義的面積 係數C(S)，以及觸針式趣 Λ十糙度计測1上述銅箔試料S的粗 關係式⑵的關係較佳，更佳是具有下列關 本發明使用的雷射gg傲& 射頜镟鏡，是能夠進行3D解析的雷射 顯被鏡，且能夠測量以

Rrtng』里以下的3維表面積A(S)以及測定區域 面積B(S)即可，沒有牿 雷射，如果五 寺別的限制。可用於該雷射顯微鏡的 雷射，如果為可貝弁的、、士 E人 波長；I於405nm至41 Onm的紫光雷

2213-6996-PF 1308471 射的二較容易精確度高地測定出面積係數c⑻。 在本發明中的3雜 在銅箔#料 、”面積A(s)，為使用雷射顯微鏡將 所得的=彳定區域的粗糖化面以3維方式測量 z軸的方向職具^而言’是利用將#射顯微鏡的鏡片在 粗糙化表㈣使得焦點移動，而得到包含試料5的 ^ A(S)# - 積。此外，在本發明中的3維表面 谓表不由銅箔 區域的形狀雖然沒有^ 的/維表面積A。上述測定 形、長方形等。 ㈣疋’但是例如可以為正方 在本發明中的測定區域 A⑻的測定區域面積⑻為上述3維表面積 所得到的測定區域面積:面積Β⑻表示銅糊S 本發明的銅箔，出Q & ± b(s)(a⑻/Β⑻）算出的面積伟面積A(S)除以f定區域面積 列關係式⑴的關伟，而且= 具有下 更佳…：：而具有下列關係式⑺的關係較佳， =另:二係式(3)的關w 虚銅唱1後者以上述關係式來表示區域(area) 因^以（P⑽存在的範圍容易-致所以較佳。此外， 7 =測定區域面積B⑻而得的3、㈣面積A⑻也 二::面積係數C⑻的數值大於〗。本發明中

⑻表示在銅落試料5得到的面積係數C。再者，在本 =月書中，以觸針式粗經度計測量的粗糙H ⑽㈣的鑽石球觸針的觸針式粗趟度計所測量的值I 且’在本發明中的粗糙度Rz⑻表示以觸針式㈣度計測量

2213-6996-PF 1308471 銅試料S的粗链度Rz。 此外，在發明中為了方便說明，將下列關係式（丨）的左 側（0. 5x Rz(S) + 0. 5)稱為粗糙度係數Di(s)、下列關係式（2) 的右側（0. 5x RZ(SH1. 〇)稱為粗糙度係數D2(s)以及下列關 係式（3)的右側（〇.5x Rz(S) + 0.7)稱為粗糙度係數D3(s)。 也就是說，本發明之銅箔的面積係數c(s)大於粗糙度係數 ms)，而大於粗糙度係數Di(s)並且小於粗糙度係數D2(s)

較佳，大於粗糙度係數Dl(S)且小於粗糙度係數D3(s)更佳。 〇. 5x Rz(S) + 0. C(S) (在關係式中，RZ(S)的單位為# m) 〇.5x Rz(S) + 0. C(S)^ 〇. 5x Rz(S) + l.〇 (在關係式中，RZ(S)的單位為# m 〇.5x Rz(S) + 〇. C(S)^ 〇. 5x Rz(S) + 〇.7 (3) (在關係式中，RZ(S)的單位為# m) 在此，說明上述關係式（1)至關係式（3)。首先，上述 關係式⑴以C⑻作為縱車由，而以Rz⑻作為橫軸來表示圖 形，使用以c⑻對Rz(s)的斜率為0.5而截距為〇 5的下 =關係式⑷表示作為下限的區域。而且，在下列關係式⑷ 線是以P圖中的符號c來表示。再者，將下列 糸式⑷作為下限的上述區域以帛1圖的符號D來表示。 °· 5x Rz(S) + 〇. 5= C(S) (4) (在關係式中，RZ(S)的單位為em) 『Γ地，上述關係式⑵是以上述關係、式⑷作為下 、、，且使用以C(SWf Rz(s)的斜率為05而截距為1〇

2213-6996-PF 11 !3〇8471 的下述關係式⑸表示作為上限的區域。而且，上 ⑶，是以上述關係式⑷作為下限，並且使用 心武 的斜率為0. 5而截距Λ ί) 7 ΛΑ τ丄 Kz(s) 而截距為0.7的下述關係式⑻表示作為 的領域。 v工限 (5) 〇. 5x RZ(S) + 1. 〇= C(S) m (6) (在關係式中，RZ(S)的單位為0 〇. 5x Rz(S) + 〇. 7= c(S) m (在關係式中，rz(s)的單位為私 本發明的銅羯，以觸針式粗經度計測量上述粗輪 面所得的粗糙度是介於1.—至3.0“之間， 1.以m至2.5#m之間較佳，更佳是介於2〇#m至 :間。該粗糙度在該範圍内的話，由於使得電路的電性變 得較差，因此有微細電路形成性不容易降低的優點。 本發明的銅箔，例如為由下列本發明銅箔的製造方 所製造的銅箔。 ' (本發明銅箔的製造方法） 本發明銅羯的製造方法，為使用未處理銅箱進行在該 未處理銅箔的粗糙面上形成銅微粒接著於特定的條件下進 订粗糙化處理的第1階段粗糙化處理。 在本發明中’用於粗糙化處理的銅箱，是以觸針式粗 糙度計測量粗糙面的粗糙度Rz通常介於10"m至5 0#m 之間’而最好介於2. 〇 # m至4· 0 μ m之間的未處理銅箔。 本發明’進行在上述未處理銅猪的粗糙面上形成銅微 粒接著進行粗糙處理的第1階段粗糙化處理，而該第1階

2213-6996-PF 12 1308471 m 段粗輪面處理係使用特定的第1階段粗糖化處理液來進 行。 能夠使用於本發明的第丨階段粗糙化處理液的Cu(n) 離子濃度通常介於5g/1至20g/1之間，最好介於6g/1至 12g/l之間。 能夠使用於本發明的第丨階段粗糙化處理液的自由 S042-離子濃度通常介於3〇g/1至1〇〇g/i之間，最好介於 40g/l至60g/l之間。而且，在本發明中，自由广離子 •濃度係由液中的S0,總離子濃度減掉液中與cu⑴)離子形 成CuSCh2-當量的so/-離子濃度所殘留的s〇42_離子。 本發明能夠使用的第1階段粗糙化處理液的9_苯基吖 啶離子濃度通常介於100mg/1至2〇〇mg/1之間，最好二於 120mg/l 至 I80mg/1 之間。 、 能夠使用於本發明的第丨階段粗糙化處理液的ci離子 濃度通常介於2〇mg/l至100mg/1之間，最好介於一" 至60mg/l之間。 籲本發明的第1階段粗糙化處理，是使用上述的第i階 段粗糙化處理液，使未處理銅箱的粗糙面當作陰極進行電 解，將第1階段粗糙化處理液中的Cu(丨丨）離子電析，以在 未處理銅箔的粗糙面的表面形成銅微粒，而進行未處理銅 箔的粗輪面的粗糖化處理。 本發明的第1階段粗糙化處理，是在上述的第丨階段 粗糙化處理液中，依序進行第1階段粗糙化處理中的第工 階段前段粗糙化處理以及第丨階段粗糙化處理中的第丨階

2213-6996-PF 13 1308471 糖化處理。在此’η階段前段粗輪化處理為於 段㈣化處理中—開始進行的第1階段粗輪化處 弟1階段後段粗糖化處理為於第"皆段粗糙化處理 中第1階段前段粗糙化處理之後 卢採。，… I设所進仃的苐"皆段粗糙化 处 1明中，第1階段前段粗趟化處理與第卫階ρ 後段粗糙化處理的共通點為， , ^ J的第1階段粗糙化處 理液中進行第1階段粗糙化處 電解條件。 而相異點為如下所述的 第1階段粗趟化處理的第1階段前段粗链化處理盘第 1㈣後段Μ化處理’例如’在第i階段祕化處理液 ’相對於未處理銅羯的粗糙面的陽極，使用兩種陽極來 區別，第1階段前段粗糙化處理使用的陽極(之後稱為第1 階段則段陽極）與第1階段後段«化處理使用的陽極（之 後稱為第U段後段陽極)。未處理銅箱最初使用第"皆段 :段陽極進行第1階段前段粗韃化處理，之後使用第"皆 段後段陽極進行第1階段後段粗糙化處理。 第1階段粗越化處理，電解時的第1階段粗趟化處理 液的溫度通常介於20。…rc之間，最好介於 °c之間。 第1階段前段粗糙化處理 30A/dm2之間，而介於j? 是介於 19 A/dm2 至 25 A/dm2 在第1階段粗糙化處理中， 的電流密度通常介於i 5A/dm2至 A/dm2至27 A/dm2之間較佳，更佳 之間。 通常介於2秒至 在第1階段前段粗糙化處理的時間

2213-6996-PF 14 1308471 1 〇秒之間’而介於3秒至7秒之間較佳，更佳是介於4秒 至5秒之間。 在第1階段粗糙化處理中，第丨階段後段粗糙化處理 的電流密度通常介於3A/dm2至1 〇A/dm2之間，最好介於 5A/dm2 至 7A/dm2 之間。 在第1階段後段粗糙化處理的時間，通常介於2秒至 1 〇秒之間’而介於3秒至7秒之間較佳，更佳是介於4秒 至5秒之間。

利用進行上述第1階段粗糙化處理能夠於未處理銅箱 的粗糙面上形成銅微粒，而粗糙化處理未處理銅箔的粗糙 面。此外，在進行上述第1階段粗糙化處理前，最好以稀 硫酸等適當地酸洗未處理銅箱，使在未處理銅羯的粗糙面 的表面的銅微粒能夠沒有不平坦而均勻地形成。 再者，在本發明中，上述第丨階段粗糙化處理之後， 為了使銅微粒更強力地結合於未處理銅羯的粗糙面的表面 上，最好同時成長若干銅微粒，此被稱為進行所謂的第2 階段粗糙化處理，其可防止在第丨階段粗糙化處理所形成 的銅微粒脫^。該帛2⑯匕段粗糖化處理，只要能夠防止銅 微粒脫落，並沒有特別地限定條件]旦是使用下列特定的 第2階段粗糙化處理液，並且在下列特定的電解條件下進 行的話，可以充分地防止由帛"皆段粗糙化處理所

鋼微粒脫落。而且，將帛i階段粗糙化處理後的鋼箱，在 第2 P皆段粗糙化處理前使用水等等清洗乾淨，能夠 1階段粗糙化處理液混入第2階段粗糙化處理液之虞。-2213-6996-PF 15 •1308471 能夠使用於本發明的第2階段粗糙化處理液的Cu(〗j ) 離子濃度通常介於50g/l至80g/l之間，最好介於6〇g/1 至7〇g/l之間。 能夠使用於本發明的第2階段粗糙化處理液的自由 S〇f離子濃度通常介於50g/1至i50g/i之間，最好介於 80g/l 至 l〇〇g/i 之間。 能夠使用於本發明的第2階段粗糙化處理液的π離子 濃度通常小於l〇mg/l，而小於5mg/1較佳，更佳為小於 1 mg/1 ° 在本發明中的第2階段粗糙化處理，是使用上述的第 2階段粗糙化處理液，利用將第丨階段粗糙化處理形成有 銅微粒的銅箔的粗糙面當作陰極後進行電解，將第2階段 粗糙化處理液中的Cu(II)離子電析後鍍在上述銅微粒表 面。

本發明的第2階段粗糙化處理，是於上述第2階段粗 糙化處理液中，依序進行第2階段粗糙化處理的第2階段 前段粗糙化處理以及第2階段粗糙化處理 粗糖化處理。在此，第2階段前段粗链化處理為 段粗輪化處理卜開始進行㈣2階段粗糙化處理，而第 2階段後段《化處理為，進行帛2階段㈣化處理中的 第2階段前段㈣化處理之後所進行㈣2階段粗糖化處 理。在本發明中’帛2階段前段粗糙化處理與第2階段後 段粗键化處理的共通點為’於同一的帛”皆段粗趟化處理 液中進行第2階段粗糙化處理。

2213-6996-PF 16 1308471 而且’第2段前段粗縫化處理與第2段後段粗糙化處 理的電解條件不需要不同，電解條件相同或不同皆可，此 和第1段粗糙化處理中的第丨段前段粗糙化處理與第丨段 後段粗糙化處理有差異。 第2階段粗链化處理的第2階段前段粗链化處理與第 2 P皆段後段《化處理，例如，在第2階段㈣化處理液 中，相對於未處理銅箱的粗糖面的陽極，使用兩種陽極來 區別，第2階段前段粗糙化處理使用的陽極（之後稱為第2 馨P身段前段陽極）與第2 P皆段後段粗链化處理使用的陽極（之 後稱為第2階段後段陽極）。經由第丨階段粗糙化處理形成 銅微粒的銅箔最初使用第2階段前段陽極進行第2階段前 段粗糙化處理，之後使用第2階段後段陽極進行第2階段 後段粗糙化處理。 第W皆段粗趟化處理，在電解時，第2階段粗链化處 理液的溫度通常介於40。〇至6(rc之間，最好介於45。〇至 50°C之間。

在第2階段粗糙化處理中的電流密度，通常介於1〇 A/dm2至30 A/dV之間，而介於12八/如2至託A/dm2較佳， 更佳為介於15 A/dm2至19A/dm2之間。 第2階段前段粗糙化處理的電解時間，通常介於2秒 至10秒之間，而介於3秒至7秒之間較佳，更佳為介於1 秒至5秒之間。

在第2阳匕段粗糙化處理中，第2階段後段粗錄化處理 的電流密度以及電解時間，#第2階段前段粗輪化處理相 2213-6996-PF 17 1308471 同。如果進行上述第2階段粗糙化處理的話，會在第丨階 段粗糙化處理所形成的銅微粒上鍍銅，而能夠容易防止銅 微細的脫落。 上述本發明的銅箔及其製造方法可使用於，例如在製 作印刷電路板等時，與膠片等的其他種類的材料黏著的表 面處理銅箔。 以下顯示實施例’然而本發明不限於此。 實施例1 _ (供表面處理原料的銅箔） 進行表面處理而形成粗糙化表面的上述原料的銅箔， 可使用電解銅箱的未處理銅箱（厚度為18#m)的捲狀物。 (用於表面處理的表面處理裝置） 表面處理裝置包含酸洗處理槽、帛"皆段粗糙化處理 槽、水洗槽、第2階段粗趟化處理槽、水洗槽以及孰風乾 燥機，其為可將上述未處理銅箱以一定的速度下進行表面 處理，而連續地製造出表面處理銅箔的裝置。 # &外’在該裝置的第1階段粗糖化處理槽中，在相對 於該銅羯粗糙化表面的位置，以相隔銅箱_定距離的方式 T置陽極。此處，在銅箱的流動方向上間隔地配置該2個 陽極’而且在該2個陽極之中，趑細& & * 々 w ®ι甲將銅伯的卷出側的陽極當 作第1階段前段粗糙化處理陽極 么^ r肘銅泊的卷取側的陽極 虽作苐1階段後段粗糙化處理陽極。 再者，在該裝置的第2階段粗輪化處理槽中，相同於 弟1階段粗糖化處理槽，在相對於該銅箱粗輪化表面的位

2213-6996-PF 18 1308471 置’以相隔銅箔一定距離的方式配置陽極。此處，在銅箔 的流動方向上間隔地配置該2個陽極，而且在該2個陽極 的内部’將銅 '泊的卷出側的陽極當作第2階段前段粗链化 處理陽極’將銅箔的卷取側的陽極當作第2階段後段粗糙 化處理陽極。 在上述表面處理裝置的酸洗處理槽、第1階段粗糙化 處理槽以及第2階段粗糙化處理槽中，分別地盛滿下列組 成的酸洗處理液、第1階段粗糙化處理液（第1階段粗糙化 φ 處理液化A)以及第2階段粗經化處理液（第2階段粗糙化 處理液A )，並且在2槽的水洗槽内均盛滿純水。 (酸洗處理液的調製） 在純水中加入硫酸’以調製成稀硫酸。 (第1階段粗糙化處理液的調製） 在純水中，添加並且溶解硫酸銅5水和物（CuS〇4 · 5H2〇)、濃硫酸、9-苯基吖啶以及鹽酸，調製成下列組成的 第1階段粗糙化處理液（第1階段粗縫化處理液A) # •銅（II)離子濃度：8g/l •自由S042 —離子濃度：50g/l • 9 —苯基吖啶離子濃度：150mg/l •氣離子濃度：50mg/l (第2階段粗糙化處理液的調製） 在純水中，添加並且溶解硫酸銅5水和物以及濃硫 酸’調製成下列組成的第2階段粗糙化處理液（第2階段粗 糙化處理液A)

2213-6996-PF 19 1308471 •銅（II)離子濃度：65g/l •自由S042-離子濃度：90g/l 使用上述表面處理裝置，將上述未處理銅箔以一定的 速度下連續地卷出’接著該未處理銅羯是以下列的條件進 行酸洗處理、第1階段粗糙化處理、水洗、第2階段粗糙 化處理、水洗以及乾燥化處理後以得到表面處理銅箔。 (酸洗處理） 將未處理銅箱浸泡於酸洗處理液中5秒。 φ (第1階段粗链化處理） 使用上述的第1階段粗糙化處理液A進行第〗階段粗 糙化處理。電解條件如表丨所示。此外，使用上述表面處 理裝置的第1階段前段粗糙化處理陽極進行第i階段前段 粗糙化處理後，再以第丨階段後段粗糙化處理陽極進行第 1階段後段粗越化處理。 (第1階段粗糙化處理後的水洗處理）

將第1階段粗糙化處理後的銅箔浸泡於純水中5秒 (第2階段粗链化處理） 使用上述的第2階段粗糙化處理液A進行第2階段粗 糙化處理。電解條件如纟2所示。此外，使用上述表面處 理裝置的第2 p*段前段粗糙化處理陽極進行第2階段前段 ㈣化處理後’再以第2階段後段粗糙化處理陽極進行第 2階段後段粗較化處理。 (第2階段粗糙化處理後的水洗處理） 將第2階段粗糙化處理後的銅箱浸泡於純水中5秒。

2213-6996-PF 20 1308471 (乾燥處理） 利用熱風乾燥機使 將第2階段粗糙化處理後的銅箔 其乾燥。 針對得到的表面處理銅箱，以下列的方法測量粗度 :、維表面積以及實測黏著強度。再者，由該3維的表面 二及該3維表面積測量時的測定區域計算出面積係數。 結果如表3及表4所示。 (粗度Rz的測量方法）

吏用〜端# m的鑽石球接觸式表面粗糙度計（小坂株 社製造、商品名稱魯_)，測量得到表面處理銅 =銅㈣料S)的㈣化表面的表面粗糖度I (I⑻）。 測量的長度為DUQ根據測量⑽瞻，具體來說， Rz表示十點平均值粗糙度。 (3維表面積的測量方法） 使用基恩斯（keyenee)株式會社製的超深度彩色3β形 狀測量顯㈣I㈣〇(使用雷射：可見光範圍波長4〇8μ 的糸光雷射）’於表面處理銅箔(銅箔樣本s)的粗糙化表面 的内部，靖，50㈣的正方形的測量區域(測量區域 面積B(S): 2500 # m2)上，測量包含至表面處理銅箔的粗糙 化表面的凹凸的表面積（3維的表面積A(s))。 (面積係數的計算方法） 將表面處理銅箱（銅簿試料s)的粗糙化表面的3維表 面積A(S)除以測量區域面積B(S)的值2500 #m2 (a(s)/b(s)) ’得到銅辖試料s的粗趟化表面的面積係數

2213-6996-PF 21 1308471 c(s)。 (實測黏著強度的測量方法） 百先，由表面處理銅^銅箱試# s)切出得到縱向 ΐ〇〇_χ橫向100随的正方形形狀的試料。 接下來’重璺5片的FR-4規格膠片（在玻璃絲網（gUss cross)基底中浸環氧樹脂，厚度q· i8_)，’然後將上述正 方形形狀試料的粗糙化表面黏接於上述膠片而重疊之後， 將上述在 30kg/cm2、18(!。/^丁 80 C下，進行60分鐘的加熱加壓成 形，然後製造出黏接正太拟业4 I丨“》 接止方形狀s式枓（銅箔試料S)的粗糙化 表面與膠片樹脂的單面銅積層板。 接著’在該單面銅積層板的銅笛側全面地貼上乾膜光 阻之後，在該單面銅積層板的乾膜光阻侧，設置具複數個 寬度O.Sinmx長度100_的細長矩形狹縫的罩幕層，利用 外光照射上述罩幕層’在被照射的乾臈光阻部分形成隱藏 的影像後，藉由喷冑_水溶液至該單面銅積層板^

像，使隱藏的影像硬化的同時，移除沒有被照射部 膜光阻。 I 接下來，利用喷霧氯化二銅至該單面銅積層板上 被移除乾膜光阻而露出的銅羯部分進行蝕刻後，利用氫& 化納（隨）水溶液喷霧至硬化的乾膜光阻部分以剝離^ 分，而在玻璃絲網（g丨ass cross)基材的環氧樹脂板上形1 有複數個寬0· 8mmx長1 00mm的長方形狀+路 再者’將該單面銅積層分別切成單—電路後，製作、— 數個寬度O.Smmx長度lOOmm的長方形電路的單—黏著p 2213-6996-PF 22 1308471 度測定用試料。 將上述黏著強度測定用試 内側邱八:長度方向一鈿的數_的 开刀折，‘，，只切斷基材部分，使其大約垂直於該長方 $制路的長度方向且使此部分變成長方形電路的内側，缺 該長方形狀電路連接的狀態且基材部分㈣斷狀態 的黏著強度測定用試料。

使長方形電路朝上而且將黏著強度測定用試料 置於剝離強度測定機上並固定之後，再將上述被切斷的基 材：分置於上述剝離強度測定機的夾具間。錢，將夹具 速往上拉’將長方形電路從該黏著強度測定用試料的 基材剝離以測定剝離強[此時的最大值為表面處理銅箱 (銅箔試料s)的粗糙化表面的實測黏著強度。 實施例2 牙、了表1和表2所示的第1階段粗糙化處理以及第$ 化處理的電解條件不同外，利用與實施例1同樣的 方式侍到表面處理銅箔。關於所得到的表面處理銅箔的粗 糖化表面，與實施例！—樣地方式測定粗糙度^、3維的 表面積和實測黏著強度，再計算出面積係數。結果如表3 以及表4所示。 實施例3 除了表1和表2所示的第1階段粗糙化處理以及第2 段粗糙化處理的電解條件不同外，利用與實施例丨同樣的 方式得到表面處理銅箔。關於所得到的表面處理銅箔的粗 糙化表面，與實施例i —樣地方式測定粗糙度Rz、3維的

2213-6996-PF 23 1308471 結果如表3 表面積和實咖著強度，再計算“積係數 以及表4所示。 實施例4 段粗二1Ϊ2所示的h階段粗輪化處理以及第2 方;!：處理的電解條件不同外，利用與實❹Μ同樣的 ::到表面處理銅猪。關於所得到的表面處理銅崎 ^化表面’與實施例i -樣地方式測定㈣度^3維的 表面積和實測黏著強度，再計算出面積係數。 以及表4所示。 衣d 實施例5 除了表1和表2所示的第！階段粗才造化處理以及第2 段粗糙化處理的電解條件不同外，利用與實施例】同樣的 方式得到表面處理銅羯。關於所得到的表面處理銅羯的粗 糖化表面，與實施例！ 一樣地方式測定粗糖度Li維的 表面積和實測黏著強度，再計算出面積係數。結果如表3 以及表4所示。 _ 實施例6 除了表1和表2所示的第i階段㈣化處理以及第2 段粗糙化處理的電解條件不同外，利用與實施例丨同樣的 方式得到表面處理銅箱。關於所得到的表面處理銅箔的粗 糙化表面，與實施例丨一樣地方式測定粗糙度Rz、3維的 表面積和實測黏㈣度，再計算出面積係數。結果如表3 以及表4所示。 比較例1 2213-6996-PF 24 1308471 調製下列組成的第1階段粗糙化處理液（第丨階段粗糙 化處理液B)作為第1段粗糖化處理液，並且以第1段粗轉 化處理液B代替第1段粗糙化處理液a ’再者，除了表^ 和表2所示的第丨階段粗糙化處理以及第2段粗糙化處理 的電解條件不同外，利用與實施例丨一樣的方式得到表面 處理銅箔。關於所得到的表面處理銅箔的粗糙化表面，利 用與實施例1 一樣的方式測定粗糙度Rz ' 3維的表面積和

實測黏著強度，接著計算出面積係數。結果如表3以及表 4所示。 (第1階段粗糙化處理液的調製） 在純水中添加並且溶解硫酸銅5水和物（CuS〇4. 及濃硫酸後，調製成下列組成的第"皆段粗糙化處理液(第 1階段粗糙化處理液B)。 •銅（II)離子濃度：l4g/1 •自由S〇42—離子濃度：95g/1 比較例2 使用上述第1階段粗糙化處理液B當作第}階段粗糖 :處理液，再者，除了们和表2所示的第i階段粗糙化 处理以及第2段粗糙化處理的電解條件不同外，利用與實 施例1 -樣的方式得到表面處理㈣。關於所得到的表: 處理銅羯的粗糙化表面’利用與實施们一樣的方式測定 粗糙度Rz、3維的表面積和實測黏著強度，再計算出面積 係數。結果如表3以及表4所示。 、

2213-6996-PF 25 1308471 比較例3 使用上述第1階段粗糙化處理液B當作第】階段粗棱 化處里液再者，除了表1和表2所示的第1階段粗糙化 處理以及帛2段粗糙化處理的電解條件不同外，利用與實 施例1 -樣的方式得到表面處理銅箱。關於所得到的表面 處理銅羯的粗糖化表面，利用與實施们一樣的方式測定 粗糙度Rz、3維的表面積和實測黏著強度，再計算出面積 係數。結果如表3以及表4所示。

比較例4 使用上述第1 P皆段粗糙化處理液B當作第】階段粗链 化處理液，再者’除了表1和表2所示的第1階段粗糙化 處理以及第2段粗棱化處理的電解條件不同外，利用與實 施例1 -樣的方式得到表面處理銅箱。關於所得到的表面 處理銅羯的粗糖化表面，利用與實施例i -樣的方式測定 粗糙度Rz、3 '維的表面積和實測黏著強度，再計算出面積 係數。結果如表3以及表4所示。 擊比較例5 使用上述第1階段粗糙化處理液β當作第1階段粗糙 化處理液’再者，除了表1和表2所示的第1階段粗糙化 <里以及帛2 &粗f造化處理的電解條件不同外’利用與實 J 1樣的方式得到表面處理鋼箔。關於所得到的表面 地里銅$的粗键化表面’利用與實施例1 一樣的方式測定 粗糙度Rz、3維的表面積和實測黏著強度，再計算出面積 係數。結果如表3以及表4所示。

2213-6996-PF 26 1308471 表1

27 1308471 實施例4 A 48 17 4 17 4 實施例5 A 48 15 5 15 5 實施例6 A 48 15 4 15 4 比較例1 A 48 21 5 21 5 比較例2 A 48 21 5 21 5 比較例3 A 48 14 5 14 5 比較例4 A 48 8 5 8 5 比較例5 A 48 5 5 5 5 表3

Rz (μιη) 面積係數 (C(S)) 實測黏著強度 (P(S))(kgf/cm) 實施例1 2.40 1.81 1.23 實施例2 2. 40 1.74 1.11 實施例3 2. 32 1.79 1.07 實施例4 2.15 1.70 1.05 實施例5 2.18 1.78 1.07 實施例6 2.05 1.53 1.06 比較例1 3.36 2.08 1. 14 比較例2 3.02 1.81 1.11 比較例3 2.22 1.54 0.95 比較例4 1.80 1.22 0.68 比較例5 1.59 1.14 0.45 2213-6996-PF 28 1308471 表4

*1粗糙度係數(D/S)):利用0.5x Rz(S)+0.5所得的值 *2粗縫度係數(D2(S)):利用〇· 5x Rz(S)+l. 〇所得的值。 *3粗糙度係數(D/S)):利用〇.5x Rz(S)+0.7所得的值。 *4〇：成立X :不成立 第1圖顯示實施例i至實施例6以及比較例i至比’ 例5中的面積係數與1的關係。第i圖係有關於的實施二

1至實施例6以及比較例1至比較例5的而扯〆A 1 j ΰ的面積係數與Rz關 係，以面積縱軸而以Rz(//ra)當作橫軸來表示的圖形。在第 1圖中，符號A有關於實施例1至實施例6的群集（下列也 稱為群集A)，其為利用直線近似而計算出的直線，該直線 使用下列關係式⑺表示。另外，在第j圖中，符號B有關 2213-6996-PF 29 1308471 於比較例1至比較例5的群集（下列也稱為群集t 利用直線近似而計算出的直線，該直線使 /、為 * _ $ . 「夕J關係式（8) 表不。再者，在第i圖中，符號C為以上列關 示的直線。 增表 〇.5475x Rz(S) + 0.4951 (在關係式中，c(s)表示銅羯試料s的 頁诉数，而RZ(S) 表不使用觸針式粗糙度計所測定的銅箔 π ύ的粗糙度 (β m)。）

C⑻=〇. 5114x RZ(S)+ 〇· 3314 ⑻ 在關係式中，c(s)表示銅箔試料s的面積係數，而Rz(s) 表示使用觸針式粗糙度計所測定的銅箔試料s的粗糙产 (# m)。） 此外，在第1圖中，由上述關係式（7)表示的直線A在 IMS)於1·〇至3.〇的範圍内，與直線〇相同或是比直線^ 的位置來得高，同時，群集A的各點也滿足上述關係式（丄） 的關係。另一方面，在第i圖中’由上述關係式（8)表示的 直線8在Rz(s)於1_〇至3.0的範圍内，比起直線c的位置 來得低，再者，群集B的各點也無法滿足上述關係式（1) 的關係。 第2圖顯示實施例1至實施例6以及比較例1至比較 例5中的實測黏著強度與面積係數的關係。第2圖係有關 於的實施例1至實施例6以及比較例1至比較例5的實測 黏著強度與面積係數的關係，以實測黏著強度（kgf /cm)當 作縱轴而以面積係數當作橫軸來表示圖形。 2213-6996-PF 30 Ϊ308471 ψ 第3圖顯示實施例1至實施例6以及比較例1至比較 例5中的實測黏著強度與Rz的關係。第3圖係有關於的實 施例1至實施例6以及比較例1至比較例5的實測黏著強 度與Rz的關係，以實測黏著強度（kgf/cm)當作縱軸而以 R z (// m)當作橫軸來表示圖形。 〈本發明銅箔的發明效果的確認〉 由表3以及表4 ’使用第1階段粗糙化處理液a進行 粗糖化處理的實施例1至實施例6的群集（群集A)可滿足 _ 粗度係數1Ms)sc(s)面積係數的關係，就算Rz介於2 〇5 # m至2. 40 # m這樣的低粗糙度，實測黏著強度p(s)也還 是十分地高，其介於至123kgf/cm之間。 相對於此，使用第1階段粗糙化處理液B進行粗韆化 處理的比較例1至比較例5的群集（群集B)無法滿足粗糙 度係數面積係數的關係，即使匕為3· 36以以比 較例1)或者3.02"m(比較例2)這樣的高粗糙度，而實測 黏著強度P(S)只有1. 14kgf/cm(比較例1)或 籲1.llkgf/cmC比較例2)左右，雖然Rz比群组a的以，但 疋實測黏著強度P(S)只與群組A的大小相當而已。 換言之，實測黏著強度P(s)大小相當的情況下，可以 判斷得知群組A之表面處理銅箔的Rz值比起群組b之表面 處理鋼箱的Rz值低。在實測黏著強度p(s)於大小相當的情 下’如第3圖更容易了解，群組A之表面處理銅箔的座 枯點群比起群組B之表面處理銅箱的座標點群，位移至低 粗^度方向。再者，根據第2圖，可以判斷實測黏著強度

2213-6996-PF 31 1308471 (kgf/cm)與面積係數間的相關關係。 產業上利用的可能性 本發明有關於銅箔及其製造方法，可適用於印刷電路 板的製造原料等的低粗糙度表面處理銅箔及其製造。 【圖式簡單說明】 第1圖為實施例1至實施例 夕 —”— 入〜丁人π i王比較例 、的面積係數與1的曲線圖，其以面積係數作為縱軸 以( # m)表示橫軸。

5的實施例1至實施例6以及比較例1至比較例 的實測黏者強度與面積係數的曲線圖 度一作為縱轴，而以面積係數表示橫轴黏者強 5的=二為實施例1至實施例6以及比較例1至比較例 5的實測黏者強度與Rz的 (kgf/cm)作兔讲缸 ^ 〃以實測黏著強度 作為縱軸，而以表示橫軸。 【主要元件符號說明】 無

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Claims (1)

1308471 镛 十、申請專利範圍： 1 · 一種銅箔’其特徵在於： 藉由雷射顯微鏡以3維方式測定銅箔試料s的粗糙化 表面積所得的3維表面積a(S)與該3維表面積A(s)的測定 區域面積B(S)的比值A(s)/B(s)所定義的面積係數c(s)， 以及觸針式粗糙度計測量該銅箔試料s的粗糙化表面所得 的粗糙度Rz(s)，具有下述關係式（1)的關係： 〇· 5x Rz(S) + 〇. CCS) d) φ 在該關係式中，MS)的單位為的數值。 2. 如申請專利範圍第丨項所述之銅箔，其中該銅箔試 料S的厚度小於1 8 μ m。 3. 種銅箔的製造方法，其特徵在於：使用以觸針式 粗糙度計測量的粗糙表面的粗糙度為1〇"m至5〇#m的 未處理銅箱；利用第1階段粗糙化處理液在該未處理銅箱 的粗縫面的表面形成銅微粒以進行粗糙化處理的第1階段 粗糙化處理，該第i階段粗糙化處理液的Cu(丨丨）離子濃度 • 為5g/1至2 0g/卜自由S042 —離子濃度為30g/i至100g/卜 9-苯基吖啶濃度為i〇〇mg/i至2〇〇mg/i、氣離子濃度為 2〇mg/l至i〇0mg/1 ;使該第丄階段粗糙化處理液的溫度維 持在2 0 C至4 0 C ;且該第1階段粗糙化處理的第1階段 前段粗糙化處理係以電流密度15A/dm2至30 A/dm2進行電 解2秒至1 〇秒’該第1階段粗縫化處理的第1階段後段粗 糙化處理係以電流密度3A/dm2至10 A/dm2進行電解2秒至 10秒。 2213-6996-PF 33