1307727 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明爲一種使用氣溶膠以製造陶瓷或 膜之方法及該方所使用之粒子混合物，與使 之被膜與複合材料。 【先前技術】 近年來’於形成陶瓷等的被膜之新方法 公開之一種稱爲氣溶膠沉澱法（AD法）之 形成.被膜之方法。此方法，爲形成一種含有 料之微粒子之氣溶膠，使該氣溶膠向基材表 子混合物衝擊基材，基於此衝擊使原料粒子 於基材上形成被膜。依此方法，可於常溫下 陶瓷、或玻璃材料等基材表面上，形成1至 厚之緻密且高硬度之陶瓷厚膜。此厚膜，依 ，例如氣溶膠法、CVD法、PVD法等皆極不 已知例如使用一種將作爲氣溶膠之原料 脆性材料中施加有內部應力之粒子，使其於 進微粒子之變形或破壞，以而製得高密度之 法（例如WOO 1 /273 4 8號公報內容）。 又，已揭示一種若將作爲氣溶膠之原料 用具有平均粒徑爲0.5至5//m之粉碎用微 平均粒徑爲1 〇 η ηι至]# m之脆性材料微粒 低溫製得緻密之膜的方法（例如特開2 00 1 半導體等的被 用該方法所得 之一，例如已 使用氣溶膠以 陶瓷等脆性材 面噴射，使粒 粉碎或變形而 直接於金屬、 數百# m之膜 以往之製膜法 容易製得。 微粒子，使用 衝擊基材時促 緻密質之膜方 微粒子，於倂 粒子，與具有 子時，即可於 1 8 0號公報內 -5- (2) 1307727 容）。 又，已知使用作爲氣溶膠之原料微粒子之具 量組成爲更高Ο/Al比之平均粒徑爲0.1至5//m 粒子進行製膜時，可得到緻密且具有高硬度之膜 例如特開2002-206179號公報內容）。 【發明內容】 本發明者們，發現於使用具有體積基準下之 粒徑（D50)爲 0.010〜Ι.Ο/zm之原料微粒子， 體積基準下之50%平均粒徑（D50)爲3.0〜100 助粒子所得之粒子混合物所形成氣溶膠，使其衝 上而形成堆積結果，即可極高之製膜速度形成具 質之被膜。 基此’本發明爲提供一種可以極高之製膜速 有良好膜質之被膜的一種使用氣溶膠製造被膜之 的。 即，本發明之使用氣溶膠製造被膜之方法爲 含 於粒子混合物中混合載體氣體而形成氣溶膠 隨後，將此氣溶膠向基材表面噴射，使前j述 物衝擊前述基材，基於該衝擊使前述原料粒子粉 而於基材上形成被膜， 之使用氣溶膠製造被膜之方法，其中， 前述粒子混合物，爲含有以脆性材料作胃主 有較化學 之氧化鋁 的方法（ 5 0 %平均 及與具有 # m之輔 擊於基材 有良好膜 度形成具 方法爲目 ，一種包 粒子混合 碎或變形 成份，且 -6 - (3) (3)1307727 具有體積基準下之50%平均粒徑（D50)爲0·010〜1.0 # m之原料微粒子’及’與前述脆性材料爲相同種類或不 同種類之脆性材料爲主成份，且具有體積基準下之50%平 均粒徑（D50)爲3.0〜100//m之輔助粒子所得者。 又’本發明之粒子混合物，爲上述方法中作爲被膜原 料使用之粒子混合物，其爲含有， 以脆性材料作爲主成份，且具有體積基準下之5 0%平 均粒徑（D50)爲0.010〜l.〇#m之原料微粒子，及 與前述脆性材料爲相同種類或不同種類之脆性材料爲 主成份，且具有體積基準下之50%平均粒徑（D50)爲 3.0〜100# m之輔助粒子 所得者。 又，本發明之內容，爲提供一種依上述方法製得之被 膜。 又，本發明之內容，復提供一種含有基材，與形成於 該基材上之依上述方法所製得之被膜所得之複合材料。 定義 本發明中，「體積基準下之50%平均粒徑（D50)」 爲使用雷射繞射式粒度分布計所測得之粒度分布測定數據 中’由粒徑較小側開始到達微粒子累積體積爲5 0 %時粒子 之粒徑。 本發明中，「體積基準下之90%平均粒徑（D90)」 爲使用雷射繞射式粒度分布計所測得之粒度分布測定數據 (4) (4)1307727 中，由粒徑較小側開始到達微粒子累積體積爲90%時粒子 之粒徑。 本發明中，「個數基準下之10%平均粒徑（D10 )」 爲使用雷射繞射式粒度分布計所測得之粒度分布測定數據 中，由粒徑較小側開始到達微粒子累積體積爲5 0 %時粒子 之粒子數。 本發明中，「粒子」係指一次粒子之意，其係與一次 粒子自然凝集所得之粉體區別。 使用氣溶膠製造被膜之方法及粒子混合物 本發明之形成被膜之方法，例如使用氣溶膠沉澱法（ AD法）或稱爲超微粒子束堆積法（Ultra-Fine particles beam deposition method )之方法。因此，本發明之方法， 基本之原理爲與例如WO 0 1 /2 7348號公報所記載之方法爲 實質上相同者，該揭示之內容僅爲本發明所揭示內中之一 部份而已’該公報所揭示之內容與以下之內容若有相異之 情形時’皆以本發明之內容爲優先，且該與本發明相異之 揭示內容皆非屬本發明之內容》 本發明中之方法中’首先準備原料微粒子與含有輔助 粒子之粒子混合物。原料微粒子’爲使用脆性材料爲主成 份所得者，且具有〇_〇〗〇〜10# m之體積基準下之50%平 均粒徑（D50)的較小粒子，爲主要構成被膜之粒子。又 ’輔助粒子’胃與目LI述原料微粒子之主成份之脆性材料爲 相同種類或不同種類之脆性材料爲主成份，且具有3.〇〜 (5) (5)1307727 100#m之體積基準下之5〇%平均粒徑（〇50)的較大粒 子’主要爲促進被膜形成之粒子，並非構成被膜之主要成 份。本發明中’爲於此粒子混合物中混以載體氣體以形成 氣溶朦。隨後’將此氣溶膠向基材表面噴射，使粒子混合 物衝擊前述基材，基於該衝擊使原料粒子粉碎或變形而於 基材上形成被膜。本發明中，經使用具有特定粒徑組合所 得之粒子混合物形成被膜結果，可得到一得以極高製膜速 度製得於硬度與緻密性等部分皆具有良好膜質之被膜。特 別是’依本發明之方法時，因倂用原料微粒子與輔助粒子 ’故並非僅由原料微粒子單獨製膜，或即使有造成製膜速 度或膜質不佳之粒徑時，亦具有可大幅提昇製膜速度，及 提高膜之膜質’特別是提高硬度與緻密性之優點。 本發明之方法中’由粒子混合物向基材衝擊以形成被 膜之方法，例如具有以下理論說明。但，下述之說明僅爲 假設’該內容對於本發明並未有任何限定。首先，因陶瓷 爲幾乎不具有自由電子之共價鍵結或其強離子鍵結性之原 子鍵結狀態’故具有較高之硬度與衝擊性較弱之性質。 又’较或鍺等半導體亦爲不具有延展性之脆性材料。 因此’使用此脆性材料作爲主成份之原料微粒子於施加機 械性衝擊力結果，可延著結晶粒子間之界面等的壁面使結 晶格產生位移或變形，或粉碎。產生此現象時，將形成位 移面或斷裂面等新形成面。此新形成面原本爲存在於微粒 卞之內ρβ ’爲與其他原子鍵結之原子形成剝離狀態之面。 此新生成面之原子一層之部分，由原本之安定原子鍵結狀 -9- (6) (6)1307727 態，形成經由外力造成之不安定之表面狀態’使其呈現表 面能量極高之狀態。因此’此活性面’將移向相鄰接之脆 性材料表面或同爲鄰接之脆性材料之新生成面或與基板表 面結合而形成安定狀態。此時’於基材與相鄰接部份中， 除形成該再鍵結之微粒子之一部份嵌入基材表面所得之固 定部外，於該固定部之上方將會形成有多結晶脆性材料堆 積所得之被膜。由外部連續施加機械性衝擊力時，可重複 產生上述現象，隨著微粒子之變形、破碎等而重複進行連 接，進行製得促使所形成之結構物之緻密化。此時，本發 明中，輔助粒子因具有較大粒徑故具有較高運動能量，故 於增大上述機械性衝擊力而大幅提昇製膜速度的同時，也 可提高被膜之膜質，特別是可提高硬度與緻密性。 本發明之較佳實施態樣中，因上述所得之本發明之被 膜爲多結晶者，故形成被膜之結晶實質上並未具有結晶配 向性’結晶間之界面上實質上並未存在有玻璃質所形成之 粒界層’此外’因被膜之一部份嵌入基材表面而形成固定 部’故爲較佳。前述被膜’具有緻密且高硬度之陶瓷膜厚 ’且具有優良之耐磨耗性與基材密著性，故可形成較高之 絕緣破壞電壓。 本發明之原料微粒子與輔助粒子，皆由脆性材料作爲 主成份所得者。本發明中’原料微粒子與輔助粒子可使用 同種類之脆性材料作爲主成份所得者，或以不同種類之脆 性材料作爲主成份所得者皆可。本發明所使用之脆性材料 ’只要具有於原料微粒子氣溶膠衝擊基材表面之際，可粉 -10- (S： (7) 1307727 碎或變形以堆積於基材上形成被膜之性質的材料則未有特 別之限制，其可使用各種材料，又以非金屬無機材料爲佳 。其中，粉碎或變形係指於使用X射線繞射之Scherrer法 所測定與求得之結晶尺寸中，較原料微粒子之結晶尺寸具 有更小之被膜結晶尺寸之方式判斷而得。 本發明之較佳實施態樣，非金屬無機材料，以由無機 氧化物、無機碳化物、無機氮化物、無機硼化物、其多元 系固溶物、陶瓷、與半導體材料所成群中所選出之至少1 種爲佳。無機氧化物之例如，氧化鋁、氧化鈦、氧化鋅、 氧化錫、氧化鐵、氧化銷、氧化纟乙、氧化絡、氧化給、氧 化鈹、氧化鎂、氧化矽等。無機碳化物例如鑽石、碳化硼 、碳化矽'碳化鈦' 碳化銷、碳化鈀、碳化鈮、碳化鉻、 碳化鎢、碳化鉬、碳化鉬等。無機氮化物例如氮化硼、氮 化鈦、氮化鋁、氮化矽、氮化鈮、氮化钽等。無機硼化物 例如硼、硼化鋁、硼化矽、硼化鈦、硼化鈷、砸化釩 '硼 化鈮、硼化鉬、硼化鉻、硼化鉬 '硼化鎢等。陶瓷之例如 鈦酸鋇、鈦酸鉛、鈦酸鋰、碳酸緦、鈦酸鋁、PZT、PLZT 等壓電性至焦電性陶瓷；賽亞龍（Sia丨on )陶瓷、金屬（ c e r m e t )陶瓷等局朝性陶瓷；水銀隣灰石（.a p a t丨t e ).、隣 酸鈣等適合生物體之陶瓷等。半導體物質之例如矽、鍺或 再添加有磷等各種摻雜物質所得之半導體物質；砒霜鎵、 石比霜銦、硫化鎘等半導體化合物等。又，本發明之另—較 佳實施態樣’例如硬質氯化乙烯、聚碳酸酯、丙烯酸等具 有脆性之有機材料等皆可使周。 -11 - (1： (8) (8)1307727 本發明所使用之原料微粒子’爲具有體積基準下之50 %平均粒徑（D50)爲0.010〜之原料微粒子’較 佳爲 0.030 〜0.80//m，更佳爲 0.10 〜〇_50//m。 本發明所使用之輔助粒子’爲具有體積基準下之50% 平均粒徑（D50)爲3.0〜100/zm之原料微粒子，較佳爲 5.0〜50仁m，更佳爲7.0〜20// m。 本發明之較佳實施態樣中’粒子混合物之個數基準下 之1 0 %平均粒徑（D 1 0 )爲0.0 3〜0 _ 5 0 # m，又’粒子混 合物之體積基準下之90%平均粒徑（D90)以3_00〜25 // m爲佳。粒子混合物中更佳之個數基準下之I 〇%平均粒 徑（D10)爲 0.05 〜0_30//m，更佳爲 0.06 〜0.20/ζηι。粒 子混合物中更佳之體積基準下之90%平均粒徑（D90 )以 5.00〜25"111爲佳，更佳爲5〜18//111。 依本發明之較佳實施態樣，粒子混合物中，原料微粒 子之個數相對於輔助粒子個數之比，以l.OxlO2〜l.〇xl07 爲佳，以 l.OxlO4 〜l.OxlO7 爲更佳，以 l.OxlO4 〜l.〇xl〇6 爲最佳。 依本發明之較佳實施態樣，原料微粒子可使用2 _ & 上之脆性材料之微粒子的混合物。基於此方法，可容易g 得具有以往製造方法中極不容易製得之組成內容與結_ 2 被膜，而可實現以往所未能實現之新穎被膜與複合材料。 又，依本發明之較佳實施態樣，輔助粒子可使用2衡以上 之脆性材料之微粒子的混合物。 ⑧ -12- 1307727
基材 本發明之方法所使用之基材，只要其表面上具有可承 受經噴射氣溶膠，使粒子混合物經由衝擊基材而使微粒子 原料粉碎或變形之機械性衝擊力之硬度之材料皆可使用， 而爲有任何限制。較佳基材之例如玻璃、金屬、陶瓷、半 導體與有機化合物等，亦可使用其複合材料。 被膜之製造及其裝置 本發明之方法中，爲將上述粒子混合物混以載體氣體 而形成氣溶膠。本發明中之氣溶膠，爲於載體氣體中分散 有粒子混合物所得者，故一次粒子成分散狀態者爲佳，其 亦可含有由該一次粒子經凝聚所得之凝聚粒子。氣溶膠之 形成，可使用市售之氣溶膠產生器等，並依公知之方法進 行製作。此時本發明之粒子混合物，可預先塡充於氣溶膠 產生器內，或於氣溶膠產生器至噴嘴之導管途中混入載體 氣體中，或於載體氣體到達基材前於噴嘴與基材之間混入 載體氣體內亦可。載體氣體，酯樣對粒子混合物爲鈍性， 且不會對被膜之組成內容產生不良影響之載體氣體時，則 無特別限定。較佳之例示如氮氣、氦氣、氬氣'氧氣 '氫 氣、與乾燥空氣，或其混合氣體等。 本發明之較佳實施態樣中，控制載體氣體之種類及/ 或分壓時，可經由控制被膜中之組成內容’或原子配置位 置予以控制。經此處理，可重至被膜之電特性、機械性特 性、化學性特性、光學性特性與磁特性等。 -13- (? (10) (10)1307727 本發明之方法中，爲將此氣溶膠向基材表面噴射，使 粒子混合物衝擊基材，基於此衝擊使原料粒子粉碎或變形 而於基材上形成被膜。此時之溫度條件，可適當的作決定 ，一般以對陶瓷之燒結溫度爲更低之溫度，例如〇至1 00 t，典型者例如可於常溫下進行。 本發明之較佳實施態樣中，使用氣溶膠對基材之噴射 ，以經由噴嘴噴出氣溶膠之方式進行爲佳，於使噴嘴對基 材進行相對向移動，即使噴嘴於基材上以掃描方式進行氣 溶膠之噴射爲更佳。此時被膜之形成速度，以1.0# m-cm/ 分鐘以上爲佳，更佳爲1.2//m-cm /分鐘以上，最佳爲1.4 #m-cm /分鐘以上，特佳爲 1.6；tzm-cm /分鐘以上。又，本 發明之較佳實施態樣中，氣溶膠之噴射速度以50至 45〇m/s之範圍爲佳，以ISO至400m/s之範圍爲更佳。於 前述範圍內時’可容易使微粒子衝擊基材而形成新生成面 ’此外，其成膜性更佳，且被膜之形成速度也更快。 本發明之較佳實施態樣中，被膜之厚度以0,5 // m以 上爲佳’更佳爲1至500//m，最佳爲3至lOOyt/m。如此 ’本發明相較於使用p V D法、c V D法、溶膠凝膠法等其 他成膜方法時，可形成更厚之膜。 本發明之較佳實施態樣中，被膜以於減壓下形成爲佳 。經此方式，可使原料微粒子所形成之新生成面之活性得 以持續較長久之時間。 圖1爲實施本發明之方法所使用之被膜製造裝置之例 示。圖1所示之製造裝置10，爲具有將氮氣氣體容器]01 -14- (11) 1307727 經由氣體搬運管1 02，連接內置有氧化鋁微粒子之氣溶膠 產生器103’並介由氣溶膠運送管km與設置於形成室 105內之具有縱0.4mm、寬17mm開口之噴嘴106連接。 於噴嘴106前端配置有設有各種金屬基材108之XY台 107，形成室105連接有真空幫浦1〇9。 使用此製造裝置10之被膜的製造方法之一例示，例 如下所說明者。將氮氣氣體容器101開栓，使高醇度氮氣 氣體經由氣體搬運管102而導入氣溶膠產生器1〇3，使氧 化鋁微粒子與高純度氮氣氣體混合以生成氣溶膠。氣溶膠 經由氣溶膠搬運管104運送至噴嘴1〇6，隨後經由噴嘴 106之開口高速噴出。經由噴嘴1〇6噴射之氣溶膠於衝擊 金屬基材108，使該部位形成被膜。隨後啓動XY台1〇7 ，使金屬基材經由擺動而於特定區域中形成被膜。此被膜 可於室溫下形成。 【實施方式】 以下之實施例將對本發明做更詳細之說明’但本發明 並不受下述實施例所限制。 例1 :粒子混合物之製作 首先準備2種類作爲原料微粒子之市售氧化鋁微粒子 。此微粒子之體積基準下之50%平均粒徑爲依以下方法測 定。首先，少量採取氧化鋁微粒子後’將其至入試驗管內 ’並滴入數滴離子交換水3 m 1與0 _ 2 %六甲烷磷酸鈉水溶 -15-
(S (12) (12)1307727 液，進行充分之攪拌。其次，將此混合液注入雷射繞射/ 散射式粒徑分布測定裝置（LA- 920，堀場製作所公司製） 中之分散浴，使用置於裝置內之超音波（3 0W )照射5分 鐘，調整光軸後，進行測定。其結果，所測得之2種類原 料微粒子之體積基準下之5 0%平均粒徑，係如下所示。 原料微粒子1 : 〇. 1 7 y m 原料微粒子2: 0.60/zm 輔助粒子，爲準備市售之2種類之有化鋁微粒子。有 關前述粒子之體積基準下之50%平均粒徑則爲依上述方法 進行測定。其結果，所測得之2種類輔助粒子之體積基準 下之5 0%平均粒徑，係如下所示。 原料微粒子1 : 5.9 # m 原料微粒子2 : 1 1 · 0 # m 其次’將原料微粒子1與2’輔助粒子1與2依下述 個 數 比 進 行 混 合， 樣 品 1 • (輔助粒子 2 ) ：(原料微粒子 1 ) = 1 ： 1 06 樣 品 2 ： (輔助粒子 2 ) ：(原料微粒子 2 ) — 1 : 1 04 樣 品 3 (輔助粒子 1 ) :(原料微粒子 1 ) — 1 ： 1 04 樣 品 4 (輔助粒子 1 ) ：(原料微粒子 2) = 1 ： 1 04 樣 品 1 與 2，可使用 雷J 討繞射/散射式粒 徑分 布 測 定裝 置 ( LA-920， 堀場製作所 公 司製）依上述相 同之 方 法 ，進 行 體 積 基 準 之 粒度分布測 定 。樣品]之體積 基準 之 亚丄 权 度分 布 爲 記 載 如 圖 2所示，樣 品 2之體積基準之 粒度 分 布 爲記 載 如 圖 3 所 示 0 -16- (13) 1307727 又，樣品1至4，可使用雷射繞射/散射式粒徑分布測 定裝置（LA-920，堀場製作所公司製）依上述相同之方法 ’進行個數基準之10%平均粒徑（D10)，與體積基準之 9 0 %平均粒徑（D 9 0 )之測定。其結果係如下表1內容所 不 。 例2:使用氣溶膠製造被膜之方法 使用例1所得之氧化鋁微粒子之樣品〗至4 ,依以下 之方法製造被膜。即於圖1所示之製作裝置1 〇之氣溶膠 產生器1 03中，裝塡例1所得之樣品，再使用作爲載體氣 體之氣氣以7L /分鐘之流量流入裝置內，使其產生氣溶膠 ’而噴射於不钂鋼（S U S )基材上。經此處理而於基材上 形成面積10mmxl7mm之氧化銘被膜。 所製得之氧化鋁被膜之厚度’使用觸針式表面形狀測 定器（日本真空技術公司製，Dectak3030)進行測定，以 計算氧化銘被膜之形成速度（-cm/分鐘）。此製膜速 度（// m - c m /分鐘）係指1分鐘間’以掃描距離〗c m下所 形成被膜之厚度（# m )。又’所製得之氧化鋁被膜之維 克氏（Vickers)硬度爲使用戴那銘超微小硬度計（DUH-W20 1，島津製作所製）進行測定。前述測定結果係如表1 內容所示。 又’爲進行比較’原料微粒子則準備市售之氧化銘微 粒子作爲比較樣品]。此原料微粒子之體積基準下之5 〇 % 平均粒徑爲0.5 3 // m。此比較樣品]之體積基準之粒度分 -17 - (S) (14)1307727
布 ，個 數基準之10% 平均粒徑（D 10 )，與體積基準之 90 % 平均 粒徑（D 9 0 )則依例1相同 1方法進行 測 定。比較 樣 品 1之 體積基準下之 粒度分布則如 圖4所示 〇 隨後，使 用 此 比較 樣品1依上述 相同方法製作氧化鋁被 膜 並進行測 定 0 其結 果係如下表] 內容所述。 又 ，爲進行比較 ，輔助粒子則 準備例1 所 使用之輔 助 粒 子2 作爲比較樣品 2。此比較樣 品2之體 積 基準之粒 度 分 布， 個數基準之1 0 %平均粒徑 (D10)， 與 體積基準 下 之 9 0% 平均粒徑（D 9 0 )則依例1 相同方法 進 行測定》 比 較 樣品 2之體積基準 下之粒度分布 則如圖5 所 示。隨後 使 用此 比較樣品2依 上述相同方法製作氧化 鋁 被膜並進 行 測 定。 但，其結果如 下表1內容所述般，並 未 形成氧化 鋁 被 膜。 表1 個數基準下之 體積基準下之 製膜速度 維克氏度 10%平均粒徑 90%平均粒徑 (y m . cm/分） (HV) (Aim) (#m) 樣品1 0.07 7.07 3.1 799 樣品2 0.19 16.35 1.9 1387 樣品3 0.15 8.04 1.2 1430 樣品4 0.19 16.35 1.9 未能測定 比 i較樣品 1 0.21 0.88 0.2 1400 比較樣品 2 3.25 9.05 無法製膜 無法製膜 -18- (15) (15)1307727 如表I所示般，含有原料微粒子與輔助粒子之樣品1 至4時，可以高製膜速度製得高維克氏硬度之膜。又，僅 使用原料微粒子所得之比較樣品1中，將使得製膜速度大 幅降低。又，僅使用輔助粒子所得之比較樣品2，並未能 形成膜。 例3 :使用與原料微粒子不同材質之輔助粒子之例（！ ) 原料微粒子爲準備市售之氧化紀（Y 2 〇 3 )微粒子。此 原料微粒子之體積基準下之50%平均粒徑爲〇·47 // m。隨 後’將此原料微粒子與例1所使用之輔助粒子1，以（輔 助粒子1 ):(原料微粒子）=1 : 1 〇 〇之個數比混合，製 得粒子混合物。使用所得粒子混合物依例2相同方法製得 氧化紀被膜並進行測定。其結果得知可於基材上形成良好 之被膜。 又’爲進行比較，僅使用上述氧化釔微粒子，依上述 相同方法製作氧化釔。但並未能形成氧化釔被膜。 例4 :使用與原料微粒子不同材質之輔助粒子之例（2 ) 原料微粒子爲準備市售之鎂橄欖石（2Mg〇_Si〇2；)微 粒子。此原料微粒子之體積基準下之5 〇 %平均粒徑爲 〇 . 3 2 # m。輔助粒子爲使用體積基準下之5 〇 %平均粒徑爲 -19- (16) (16)1307727 3.2 // m之氧化鋁微粒子。隨後，將此原料微粒子與輔助粒 子，以（輔助粒子）：（原料微粒子）=1 : 3 000之個數 比混合，製得粒子混合物。使用所得粒子混合物依例2相 同方法製得鎂橄欖石被膜並進行測定。其結果得知可於 2.0至3.0 # m-cm/分鐘之高速製膜速度下，製造體積電阻 10]5 ( Ω-cm)之緻密材質之膜。 又，爲進行比較，僅使用上述鎂橄欖石微粒子，依上 述相同方法製作鎂橄欖石被膜。但其雖形成趨近於體積電 阻1〇1() ( Ω -cm)之壓粉體之被膜，但卻未能形成緻密之 材質。 例5 :使用與原料微粒子不同材質之輔助粒子之例（3 ) 原料微粒子爲準備市售之鈦酸鋇（BaTi03 )微粒子。 此原料微粒子之體積基準下之50%平均粒徑爲0.13// m。 輔助粒子爲使用體積基準下之50%平均粒徑爲55ym之 氧化鋁微粒子。隨後，將此原料微粒子與輔助粒子，以（ 輔助粒子）：（原料微粒子）=1 : 4 〇χ1〇6之個數比混合 ’製得粒子混合物。使用所得粒子混合物依例2相同方法 製得碳酸鋇被膜並進行測定。其結果得知其之製膜速度爲 ·〇 # m-cm/分鐘’且製得鈦酸鋇被膜之維克氏硬度爲幾 ¥與燒結體相等之HV52〇。 又’爲進行比較，僅使用上述鈦酸鋇微粒子，依上述 同方法製作钛酸鋇被膜。但所得之被膜之維克氏硬度爲 -20- (17)1307727 HV300 ， 維克氏硬 【圖式簡 圖1 圖。 圖2
圖3 布圖。 圖4 度分布圖 圖5 度分布圖 泪較於倂用輔助粒子（氧化鋁微粒子）之情形的 度HV 5 2 0爲更低。 單說明】 爲本發明之方法所使用之被膜形成裝置之一例示： 爲實施例1所得之樣品1之體積基準下之粒度分 爲實施例1所得之樣品2之體積基準下之粒度分 爲實施例2所得之比較樣品1之體積基準下之粒 〇 爲實施例2所得之比較樣品1之體積基準下之粒
【主要元 10 ： 101： 102 ： 103 ： 104: 105 ： 106 ： 1 07 ： 件之符號說明】 製作裝置 氣溶膠產生器 氣體運送管 氣溶膠產生器 氣溶膠運送管 形成室 噴嘴 XY台 -21 (S> (18)1307727 I 0 8 :金屬基材 1 〇 9 :真空幫浦