TWI307408B - - Google Patents

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!3〇7408 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在半導體電路元件及液晶顯示元件之製 过中對基板進仃檢查之基板檢查系統，特別是關於適合於 微影製程後之檢查的基板檢查系統、基板檢查方 檢查裝置。 " 【先前技術】 直以來，在半導體電路元件及液晶顯示元件之製造 中，為了監視製造之時間變動、檢測出製造中產生之可再 良品、以及除去不可再生的不良品，會對基板。c 用曰曰a或是液晶製造用玻璃基板等）實施各種檢查。 製造中之各種檢查，可以大分為巨觀檢查與微觀檢查 所明的巨觀檢查與微觀檢查，對基板中實際實施檢查之 區域面積比率（檢查面積率）有报大的不同，此外，檢查對 象物之尺寸與所要求之檢查精度亦大不相同。 巨觀檢查，其檢查面積率為4%〜1〇0%，檢查對象物之 尺寸為數1GG川m就是說，係對大區域進行肉眼可 見之缺陷(例如異物或是光阻圖案之傷痕等)的檢查。相對 於此，微觀檢查之檢查面積率為10—8%左右，檢查精度為 _nm〜1Gnm α下。也就是說，對極小區域進行肉眼無法 銳察到之微細缺陷（例如光阻圖案之線寬異常等）的檢查 因此，為了活用巨觀檢查與微觀檢查之個別優點，係 在欲對基板之大區域進行檢查時進行巨觀檢查，而欲對基 1307408 板進行微細檢查時則進行微觀檢查。專利文獻1中，分別 揭示有進行巨觀檢查與微觀檢查之裝置。 [專利文獻1 ] 曰本特開2002 — 76077號公報 【發明内容】 上述先前技術中，由於以被檢查基板之大區域為對象 之檢查、以及以小區域為對象之檢查係分別實施，因此若 考慮將兩個檢查組合成一個基板檢查系統時，此基板檢查 系統中’並無法有效運用該兩個檢查。 本發明之目的，在提供一種可有效運用以被檢查基板 之,區域為對象之檢查、與小區域為對象之檢查的基板檢 查系統及基板檢查方法。 請求項1之基板檢查系統，其特徵在於，具備：第i 檢查裝i ’係對複數個被檢查基板分別冑施巨觀檢查，並 輸^各邊被檢查基板有無缺陷之資訊：記憶裝χ，係儲存 該第1檢查裝置所輸出之每—個該被檢查基板之該有無缺 陷資=1及帛2檢查裝置’係對該被檢查基板之既既定 部分實施檢查m檢查裝置’係參照該記憶裝置中儲 存之遠有無缺陷之f訊，對該複數個被檢查基板中，對沒 有該缺陷之被檢查基板實施該檢查。 請求項2之基板檢查系統，係請求項】之基板檢查系 、中。亥第2榀查裝置’係藉由測定形成於該被檢查基板 表面之光阻圖案與底層圖案之相對偏牙多，來實施該檢查。 1307408 凊求項3之基板檢查系統，其特徵在於，具備：第j 檢查裝置，係分別對複數個被檢查基板實施巨觀檢查，並 輪出各該被檢查基板之缺陷分佈資訊；記憶裝置，係儲存 第1 h查裝置所輸出之每一個該被檢查基板之該缺陷分 布資。fl，以及第2檢查裝置，係對該被檢查基板之既定部 刀貫施檢查；該第2檢查裝置，係參照該記憶裝置中儲存 之缺1¾分佈資訊，對該複數個被檢查基板中，於該既定部 刀沒有該缺陷分佈之被檢查基板實施該檢查。 請求項4之基板檢查系統，係請求項3之基板檢查系 統中，該第2檢查裝置，係藉由測定形成於該被檢查基板 表面之光阻圖案與底層圖案之相對偏移，來實施該檢查。 凊求項5之基板檢查系統，其特徵在於，具備：第1 檢查裝置’係分別對複數個被檢查基板實施巨觀檢查，並 輸出各該被檢查基板之缺陷分佈資訊及分類資訊；記憶裝 置’係儲存該第1檢查裝置所輸出之每一個被檢查基板之 缺陷分佈資訊及分類資訊；以及第2檢查裝置，係對該被 檢查基板之既定部分實施檢查；該第2檢查裝置，係參照 该記憶裝置中儲存之缺陷分佈資訊及分類資訊，來決定該 複數個被檢查基板中，應實施該檢查之被檢查基板。 請求項6之基板檢查系統’係請求項5之基板檢查系 統中’該第2檢查裝置，係根據該分類資訊中所包含之該 缺陷種類與該第2檢查裝置可檢測出之缺陷種類的關聯度 ’/夬疋應貫施該檢查之被檢查基板。 請求項7之基板檢查系統’係請求項5之基板檢查系 1307408 、’先中°亥弟2檢查裝置，係根據測量該被檢查基板表面形 成之光阻圖案之線寬，來實施該檢查。 請求項8之基板檢查方法，其特徵在於，包含：第i 檢查製程，係分別對複數個被檢查基板實施巨觀檢查，並 輸出各該被檢查基板有無缺陷之資訊；儲存製程，係儲存 將該第1檢查製程所輸出之該每一個被檢查基板之有無缺 陷貧訊；以及第2檢查製程，係對該被檢查基板之既定部 刀貫轭核查，S亥第2檢查製程，係根據該儲存製程中儲存 之有無缺陷之資訊，對該複數個被檢查基板中，沒有該缺 陷之被檢查基板實施該檢查。 '月求項9之基板檢查方法，係請求項8之基板檢查方 法中，该第2檢查製程，係藉由測定形成於該被檢查基板 表面之光阻圖案與底層圖案之相對偏移，來實施該檢查。 "月求項10之基板檢查方法，其特徵在於，具備：第工 檢查製程，係分別對複數個被檢查基板實施巨觀檢查，並 輸出各該被檢查基板之缺陷分佈資訊；儲存製程，係儲存 邊第1檢查製程所輸出之每一個該被檢查基板之該缺陷分 佈資A，以及第2檢查製程，係對該被檢查基板之既定部 分貫施檢查；該第2檢查製程，係參照於該儲存製程中儲 存之缺陷分佈資訊，對該複數個被檢查基板中，於該既定 部分沒有該缺陷分佈之被檢查基板實施該檢查。 請求項11之基板檢查方法，係請求項丨〇之基板檢查 方法中，该第2檢查製程，係藉由測定形成於該被檢查基 板表面之光阻圖案與底層圖案之相對偏移，來實施該檢查 I3〇74〇8 3月求項12之基板檢查方法’其特徵在於，具備：第1 檢查製程’係分別對複數個被檢查基板實施巨觀檢查，並 料出各該被檢查基板之缺陷分佈資訊及分類資訊；儲存製 程，係儲存該第1檢查製程所輸出之每一個被檢查基板之 缺/刀佈資訊及分類資訊；以及第2檢查製程，係對該被 才双查基板之既定部分實施檢查；該第2檢查製程，係參照 於該儲存製程中儲存之缺陷分佈資訊及分類資訊，來決定 该複數個被檢查基板中，應實施該檢查之被檢查基板。 請求項13之基板檢查方法，係請求項12之基板檢查 方法中’ s亥第2檢查製程’係根據該分類資訊中所包含之 。亥缺種類與該第2檢查製程可檢測出之缺陷種類的關聯 度’决疋應實施該檢查之被檢查基板。 請求項14之基板檢查方法，係請求項12之基板檢查 方法中，该第2檢查製程，係根據測量形成於該被檢查基 板表面之光阻圖案之線寬，來實施該檢查。 請求項15之基板檢查裝置，其特徵在於，具備：記憶 裝置，係分別儲存對複數個被檢查基板分別實施巨觀檢查 之,’’σ果所彳于之該被檢查基板有無缺陷的資訊；以及檢查部 ’係對該被檢查基板之既定部分實施檢查；該檢查部，係 根據該記憶裝置中所儲存之該有無缺陷之資訊，對該複數 個被檢查基板中，沒有該缺陷之被檢查基板，實施該檢查 〇 請求項1 6之基板檢查裝置，其特徵在於，具備：記憶 1307408 裝置，係分別儲存對複數個被檢查基板分別實施巨觀檢查 - 之結果所得之該被檢查基板之缺陷分佈資訊；以及檢查部 ，係對該被檢查基板之既定部分實施檢查；該檢查部，係 根據該記憶裝置中所儲存之該缺陷分佈資訊，對該複數個 被檢查基板中，於該既定部分無該缺陷分佈之被檢查基板 ，實施該檢查。 請求項17之基板檢查裝置’其特徵在於，具備：記憶 裝置’係分別儲存對複數個被檢查基板分別實施巨觀檢查 之結杲所得之該被檢查基板之缺陷分佈資訊及分類資訊； _ 以及檢查部’係對該被檢查基板之既定部分實施檢查；該 檢查部’係根據該記憶裝置中所儲存之該缺陷分佈資訊及 分類資讯，來決定該複數個被檢查基板中，應實施檢查之 被檢查基板。 【實施方式】 以下，使用圖式詳細說明本發明之實施形態。 [第1實施形態] 籲 第1實施形態之基板檢查系統10，如圖1所示，係由 自動巨觀檢查裝置11、檢查資料記憶裝置12肖重疊測定 裝置13所構成’自動巨觀檢查裝置11與檢查資料記憶裝 置12係透過未圖示之通訊機構相連接’同樣地，檢查資料 »己It裝置12與;t $測定裝置i 3亦透過未圖示之通訊機構 相連接’整體形成為—網路。 此基板k查系統！ 〇，係為了在半導體電路元件之製造

II 1307408 製私中，監測製造之時間變動、檢測出製造中所產生之可 - 再生的不良品、以及除去不可再生的不良品，而對IC製造 用晶圓14(1)〜I4(n)進行巨觀檢查與重疊檢查者（詳情後 敘）。 檢查對向之晶圓14(1)〜i4(n)(被檢查基板），係以水 平狀態收納在一個卡匣16内，排列於垂直方向。此處，對 收納之晶圓依序由上賦予“ 14(1)”〜“14(n)”之符號。 η為2以上之整數（例如25)。又，晶圓14(1)〜14(n) 係經過微影製程後之狀態。 籲 亦即，微影製程，係在晶圓14(1) 〜14(n)之表面塗佈 光阻膜，將光罩（標線片）之電路圖案曝光於此光阻膜，接 著，將光阻膜之曝光部分或是未曝光部分予以顯影。因此 ，微影製程後之晶圓14(1)〜I4(n)，其表面為形成有光阻 圖案之狀態。 藉由k景> 製程在表面形成光阻圖案之晶圓i4(i)〜 14 (η),於基板檢查系統1 〇中，係在收納於卡匣16内之狀 態下，以未圖示之搬送機構先送至自動巨觀檢查裝置· 第1檢查裝置），之後再被送到重疊測定裝置13(第2檢查 裝置）。 自動巨觀檢查裝置11分別對晶圓14(1)〜ΐ4(η)進行 巨觀檢查（詳情後敘）。此外，重疊測定裝置13對晶圓 14(1)〜Ι4(η)之取樣區域實施重疊檢查。亦即，基板檢查 系統10之檢查，係以“大區域為對象之檢查（巨觀檢查），， "“小區域為對象之檢查（重疊檢查），，之順序實施。 12 1307408 又，自動巨觀檢查裝置u與重 匿16被搬送來時，即從該卡£ 16内二置13在卡 14(j)實施既定之檢查(j= 片的取出晶圓 Η⑴再收納到卡E16内。 後，將結束檢查之晶圓 自動巨觀檢查裝置1卜係照明晶圓14⑴〜ur ::日曰圓U⑴之大區域，並根據產生自晶圓“⑴之辑射 先/'反射光等來拍攝晶w 14⑴之影 二 72443號公報接著，對 特開干11 .^ ^ Β π 于到之日日圓影像進行影像處理 ^工日日圓影像之光量，來自動地檢測出 率為4%〜1 〇〇%。 以自動巨觀檢查裝置n檢測出之巨觀缺陷14a⑴， 係附著於晶圓U⑴表面之異物、光阻圖案之傷痕、光阻 膜之塗佈不勾、或曝光時對之散焦所產生之厚膜不均與截 :形狀之異常等。也就是說，巨觀缺&⑷。)係肉眼可見 程度之巨觀缺陷（大小為數！ 〇〇 0 m以上）。 進一步的，自動檢查裝置u將從晶圓14⑴檢測出之 · 巨觀缺陷Ua(j)之分佈資訊予以自動電子資訊化，而製成 巨觀缺陷圖15(j)，並自動輸出此巨觀缺陷圖15(j)。巨觀 缺陷圖15(j)中包含關於所檢測出之巨觀缺陷Ua(j)在晶 圓14( j)上之秦摞及面積等資訊。 又’巨觀缺陷14a(j)之檢測及巨觀缺陷圖之製 成’係就搬送至自動巨觀檢查裝置丨〗之卡匣I 6内所有晶 圓〗4(1)〜】4(h)依序進行（全數檢查）。然後，所得之巨觀 13 1307408 缺陷圖15(1)〜15(n)’即與晶圓14(1)〜14(n)被收納之卡 S 16说碼及卡E 16内之層號一起輸出。此等資訊係輸出 至檢查資料記憶裝置12。 接著，說明檢查資料記憶裝置1 2。檢查資料記憶裝置 12為一資料伺服器，其透過未圖示之通訊機構讀取由自動 巨觀檢查裝置11輸出之巨觀缺陷圖15(1)〜I5(n)、卡g 16號碼及卡S 16内層號碼’然後對巨觀缺陷圖15 (1)〜 15(n)分別賦予適當的ID號碼加以儲存。id號碼，係在從 卡匣16號碼與卡匣16内層號碼來特定出巨觀缺陷圖 15 (1)〜15 ( η )時參照之用。 以此方式，將每一個晶圓14(1)〜Ι4(η)之巨觀缺陷圖 15(1)〜15(η)儲存至記憶資料裝置12，另一方面，結束以 自動巨觀檢查裝置11進行巨觀檢查之晶圓14(1)〜14(η) ’即在收納於卡匣16之狀態，被送到重疊測定裝置1 3。 接著’以重疊測定裝置13對晶圓14(1)〜Ι4(η)進行重疊 檢查。 重疊測定裝置13，以後述方法從收納於卡匣16之晶 圓14(1)〜14(η)中選出適於重疊檢查之晶圓i4(：j)後，對 該晶圓14( j)之極小區域進行照明，並根據產生自晶圓 14(j)的反射光等拍攝晶圓i4(j)之像。接著，對所得之晶 圓影像進行影像處理’來自動測定形成於晶圓14 (j )表面 之光阻圖案與底層圖案之相對偏移（重疊偏移）。 重疊測疋裝置13之檢查精度為1 〇〇nm〜1 Onm以下。此 外’重疊測定裝置13之檢查面積率為10_ 8%左右，根據此 14 1307408 晶圓缺陷圖之ID號碼，特定出對應晶圓14(1)之巨觀缺陷 圖1 5 (1 )’透過未圖示之通訊機構加以讀取。 步驟S12中，參照所讀取巨觀缺陷圖15(1)，判斷晶 圓14(1)中是否有巨觀缺陷（參照圖2之14a(j))。若無巨 觀缺陷時（S12為否），即進入步驟S13，將對應巨觀缺陷圖 15(1)之晶圓14(1)從卡匣16内之第1層取出，以預先準 備之取樣區域13a(參照圖3(a))進行重疊檢查。 又，若有巨觀缺陷時（s 12為是），即進入步驟s丨4，判 斷巨觀缺陷之分佈區域是否與取樣區域13a重疊。若巨觀 鲁 缺陷之分佈區域與取樣區域13a完全沒有重疊時（su為否 )，則進入步驟S13，與上述同樣的，以晶圓14(1)之取樣 區域13a(參照圖3(c))進行重疊檢查。 另一方面，如圖3(b)所示，若巨觀缺陷（參照Ua(j)) 之分佈區域與取樣區域只要有一部份重疊時（si4為是）， 即使對saffl 14(1)之取樣區域13a進行重疊檢查亦無法獲 得正確之結果。因此，不實施重疊檢查，而進入下一步驟 S15。 _ 步驟S15，係判斷已實施重疊檢查之晶圓（亦即經過步 驟S13處理之晶圓)之總數是否達到既定片數m(m<n)。收 納在卡匣16内之晶圓數為n ’其中，應該進行重疊檢查之 張數m係預先設定為小於全數n。亦即，—般來說，重疊 檢查僅針對卡匣1 6内之部份晶圓實施（抽樣檢查）。又，實 把重且;^查之晶圓’係取樣區域13a巾沒有巨觀缺陷分佈 之晶圓。 16 1307408 步驟SI 5之判斷結果，當檢查完成之晶圓總數少於既 疋片數m時（S15為否），重疊檢查裝置a即經步驟gig， 回到步驟si 1。接著，此次係將卡匣丨6由上數來第2層所 收納之晶圓14(2)指定為第2次的處理對象，進行與上述 相同之處理（步驟S11〜S15)。 步驟S11〜S15之處理，會根據步驟S15之判斷結果， 重複變更檢查對象晶圓檢查直到檢查完成之晶圓總數達到 既定片數m(Sl 5為是）。當檢查完成晶圓之總數達到既定片 數m時，即結束對該卡匣16之重疊檢查。 以此方式結束重疊測定製程後，接著，根據上述巨觀 檢查及重疊檢查之結果，以卡匣16為單位判斷良劣。然後 ，例如被判斷為正常之卡匣16，即被送到下一製程（加工 製私），被判斷為不良之卡匣丨6則被送到再生製程，而無 法再生之卡匣1 6則予以廢棄。 如則所述，第1實施形態之基板檢查系統丨〇，對自動 巨觀檢查裝置11所檢測出之巨觀缺m 14a⑴之分佈區域 ，不進行重疊測^裝置13之檢查。亦即，可避開巨觀缺陷 14a〇)之分佈區域，實施重疊測定裝置13之檢查。 因此，此不叉晶圓14(j)表面所附著之異物或是光阻 圖案之傷痕等（巨觀缺陷14a(j))影響，隨時正確的測定光 阻®案之重疊偏移。因此’可以正確地檢測出光阻圖案重 疊偏移之異常’提昇可靠性。 再者，由於係以晶圓為單位選擇適合卡匣〗6之重疊檢 查之檢查區域（取樣區域13a),而能確實節省在巨觀缺陷 17 1307408 14a(j)之分佈區域實施重疊檢查的無謂動作， 因此可有效 的以重疊裝置13進行正確之檢查。 此外，在以重疊測定裝置13之檢杳 —邗為監控製程時間 變動之製程監控器時，即使發生與重疊測 忒置1 3所監控 之裝程殳動（重疊偏移之變動）沒有直接因果關係之不良产 形，亦能不受其影響（已避開製程變動之特異幻而正石= 有效率地監控製程。

此外’上述第i實施形態，雖係說明自動巨觀檢查裝 置11輸出關於巨觀缺陷14a⑴之分佈資訊的巨觀缺陷圖 15⑴，重豐測定裝置13在實施重疊檢查前參照巨觀缺陷 圖（j)之例，但本發明並不限於此。 例如‘，亦可以是，自動巨觀檢查裝置u輸出巨觀缺陷 mj)之“有無資訊，，，將此“有無資訊，，儲存至檢查資料 έ己憶裝置1 2 ’重辱ίθϊΙ ^ ^ 1 〇 “ t ”更且測疋裝置13在實施重疊檢查前參照此 有無貝βΤΙ等之構成。此種重疊測定裝S 1 3，係省略圖 4中之步驟U來進行動作。因此’卡® 16内之晶圓14(1)

〜14(η)中，僅有無Ε觀缺陷14(j)之晶圓14(j)被實施重 此外，上述第 ！ 盘a , & 乐1貫轭形態，雖係說明使用重疊測定|

置口1 3 =基二祆查系統1 Ο之例，但本發明並不限於此構W

'、要疋此杈'則出由自動巨觀檢查裝4 11所檢測出與巨I

缺陷14 a之種類金^ M 、…、關知之缺陷的檢測裝置，皆可以 疊測定裝置13。此日* ^ t 此化’亦與上述有相同之效果。 [第2貫施形態] 18 1307408 1 2實鈿形態之基板檢查系統30，如圖5所示，係取 述自動巨觀檢查裝置u而設置自動巨觀檢查裝置川 檢查裝置），並取代上述重疊測定裝置13而設置線寬 1疋裝置33(第2檢查裝置），對卡匿16内之晶^ u⑴〜 4(η)依序進行巨觀檢查與線寬檢查。線寬檢查係以小區域 ::象之檢查。自動巨觀檢查裝置31之基本構成，與上述 自動巨觀檢查裝置U相同。

a i g㈣㈣裝置31 ’在自動檢測出與上述自動巨觀 檢查！置U相同之晶圓14(j)(圖6)之巨觀缺陷丨化⑴〜 4d( j)打，會根據顯現在晶圓影像上之圖案特徵及光量， 亦自動一併進行巨觀缺陷14b(j)〜Ud(j)之分類。 例如，附著在晶圓14(j)表面之異物（巨觀缺陷 14b( j)) ’在日日日圓影像中為小光點。光阻膜之塗佈不均（巨 觀缺陷14c。)）’在晶圓影像中則呈現由中心朝向外側之 具有尾巴的ft星狀。因曝光時之散焦所形成之厚膜不均及

截面形狀之異常(巨觀缺陷14d(j))，則係以曝光照射為單 位或明或暗。 如此，由於晶圓14(j)之巨觀缺陷14b(j)〜14d(j)i 各種類在晶圓影像中顯現之圖案特徵與光量不同，因此s 預先將此等特徵儲存在自動巨觀檢查裝置3]内，藉由在玉 觀缺陷14b(j·)〜14d(j)之檢測時進行參照，來進行自動海 陷分類。 然後，自動巨觀檢查裝置31自動地將從晶圓H(j)檢 測出之巨觀缺陷14b(j)〜14d(j)之分佈資訊與分類資訊加 19 1307408 以電子資訊化，以製成巨觀缺陷圖35(j)，並自動輸出此 _ 巨觀缺陷圖35(j)。在巨觀缺陷圖35(].)中，包含有關於所 檢測出之巨觀缺陷14b(j)〜I4d(j)在晶圓14(j)上之座標 及面積等訊息。 又，巨観缺陷14b(j)〜I4d(j)之檢測、分類及巨觀缺 陷圖35( j)之製成，係對送到自動巨觀檢查裝置31之卡匣 16内所有晶圓14(1)〜14(n)依序進行（全數檢查）。 然後，所得之巨觀缺陷圖35(1)〜35(n)，與收納晶圓 14(1)〜1400之卡匣16號碼及卡g 16内層之號碼一起輸 · 出，透過未圖示之通訊機構儲存至檢查資料記憶裝置^ 2。 在貝料δ己憶裝置12中，巨觀缺陷圖被分別 適當地賦予ID號碼。 另一方面，結束自動巨觀檢查裝置31所進行之巨觀檢 查的晶圓14(1)〜14(n)，在被收納於卡匣16之狀熊，送 到線寬測定裝置33。接著，以線寬測定褒置33詞；晶= 14(1)〜14(n)進行線寬檢查。 線寬測定裝置33，以後述方法從收納在卡匡丨6之晶 隹 圓14(1)〜14(n)中選出適於線寬檢查之晶圓14(j)後，對 此晶圓14(j)之極小區域進行照明，並根據產生自晶圓 14(j)之反射光等拍攝晶圓14(j)之影。接著’藉由對所得 之晶圓影像進行影像處理，以自動測定形成於晶圓 表面之光阻圖案之線寬。線寬測定裝置33之檢查精度為 lOOrm〜l〇nm以下。又，線寬測定裝置33之檢查面積^為 10—8%左右。 ” 20 1307408 以線見測定裝置33檢測出之缺陷種類（光阻圖案之線 寬異常），係肉眼無法看到的微細物。此外，此缺陷之種 類（光阻圖案之線寬異常）與上述自動巨觀檢查裝置31所檢 測出之巨觀缺陷14b(j)〜14d(j)之種類有關聯，特別是與 曝光時因散焦引起之膜厚不均及截面形狀異常（巨觀缺陷 14d(]))有报深之關聯。亦即，因散焦引起之巨觀缺陷 14d( j)與光阻圖案線寬之異常有直接之因果關係。 因此，線寬測定裝置33依序實施圖7之處理（步驟 S30〜S36)，從收納在卡g 16之晶圓14(1)〜i4(n)中選出 φ 適合線寬檢查之晶圓14⑴後，對晶圓14⑴進行線寬檢查 。圖7中之步驟S30〜S32，咖，挪，與上述圖*之步驟 S10 S12，S15，S16相同，因此省略詳細說明。 線寬測定裝f 33,從檢查資料記憶裝置12取得巨觀 缺陷圖35(i)(S31)，判斷有無巨觀缺陷⑽⑴〜 14d⑴（S32)’若「有」時⑽為是）即進入步驟如，判 斷該等之種類是否為曝光時散焦所引起之巨觀缺陷⑷⑴ 當此判斷結果包含有因散焦引起之巨觀缺陷⑷⑴時 (S33為是）’即進入步驟咖，從卡£ 16取出對應晶圓缺 陷圖35⑴之晶圓14⑴，對散焦造成之巨觀缺陷⑷⑴ 之分佈區域（參照目6)實施線寬檢查。g 2實施形態中， 巨觀缺陷14d⑴之分佈區域，係對應請求項中的「既定部 分j。 另一方面，若晶圓14⑴中沒有巨觀缺陷〜⑽ 21 1307408 夺 為否），或沒有因為散焦造成之巨觀缺陷14d( i)時 (S33為否），線寬測定裝置33不進行步驟S34之處理（亦 即不實施對晶圓14⑴之線寬檢查），而進入步驟S35。 步驟S35中，係判斷已實施線寬檢查之晶圓（亦即經過 步驟S34處理之晶圓）之總數是否達到既定片數k(k<n)。 I納在卡E 16内之晶圓數為n，其中，應實施重疊檢查之 片數k夕於全數n(抽樣檢查）。此外，應實施線寬檢查之 晶圓，係參照巨觀缺陷圖35(i)來決定。

步驟S31〜S36之處理，係根據步驟咖之判斷結果， 重：變更檢查對象晶圓檢查直到檢查完成之晶圓總數達到 疋片數k(S35為疋）。當檢查完成晶圓之總數達到既定片 數k時’即結束對該卡匣16之線寬檢查。 以上述方式結束線寬測定製程後，接著，根據上述巨 觀檢查及線寬檢查之結果’以卡匿16為單位判斷良劣。然 後，，例如被判斷為正常之卡E 16，即被送到下一製程（加

工製程）’被判斷為不良之卡匿16被送到再生製程，無法 再生之卡匣16則予以廢棄。 月)所述帛2實施形態之基板檢查系統30，係參照 ;動巨觀檢查裝置31所檢測出之巨觀缺陷種類，來決定應 貫施線寬檢查之晶圓。具體來說，當晶圓上存在與能使用 線寬測定裝置33檢測出之缺陷種類（光阻圖案之線寬異常） 關聯度深的缺陷（例如w失日奚# n 士 a “ J如因為曝先牯之散焦所造成之巨觀缺 陷14d)時’即認定其為需實施線寬檢查之晶圓。 因此’可在檢測出因為散焦造成之巨觀缺陷14d之曝 22 1307408 光照射區域有效實施線寬檢查。χ，能對因散焦造成之巨 觀缺陷14d進行詳細之線寬測定，亦能定量地掌握光阻圖 案之線寬因散焦而從正常值產生了多少⑽的變化。再者， 亦可檢測出在預先準備之取樣區域内之線寬測定中所遺漏 之缺陷（線寬之異常）’可提昇可靠性。 又，除了在被檢測出因散焦造成之巨觀㈣14d的曝 光照射外，亦可以在縣準備好之複數個取樣區域i3a(圖 3(⑼中實施線寬檢查。不過，當在取樣區域…中存在與 線寬測定裝X 33能檢測出之缺陷（線寬異f )相目性低之巨 觀缺陷14b(異物）或巨觀缺陷Hc(光阻塗佈不均）時，則不 宜在該取樣區域13a實施線寬檢查。如此，即能有效率地 實施線寬檢查。 又，當將線寬測定裝置33之檢查作為製程監控器時， 即使發生與線寬測定裝置33所監控之製程變動（光阻圖案 線寬之變動）沒有直接因果關係之不良情形，亦能不受其 影響（已避開製程變動之特異點）而正確且有效率地監控製 程。 此外，上述第2實施形態中，雖係說明了使用線寬測 定裝置33之基板檢查系統3〇，但本發明並不限於此構成 。只要疋可檢測出能以自動巨觀檢查裝置31檢測出之巨觀 缺(14b〜14d)種類有關聯之缺陷的檢測裝置，皆可取代 線寬測定裝置33。此時’亦與上述有相同之效果。 例如’使用測定光阻圖案之截面形狀之截面形狀測定 裝置來取代上述線寬測定裝置3 3時，此截面形狀測定裝置 23 1307408 可檢測出之缺陷之種類(截面形狀之異常），因與曝光時散 焦造成之巨觀缺陷14d有很深之相關性，因此在此巨觀缺 陷14d之分佈部區域，實施截面形狀測定即可。如此，可 以測定散焦造成之巨觀缺陷14d的詳細截面，亦能掌握光 阻圖案之截面形狀因散焦而產生了何種變化。 此外，使用測定光阻膜厚之膜厚測定裝置來取代上述 線寬測定裝置33時’此膜厚測定裝置可檢測出之缺陷種類 (膜厚之異常），因為與光阻膜之塗佈不均(巨觀缺陷…) 以及因曝光時散焦造成之巨觀缺陷⑷有很深之相關性， 因此在此巨觀缺陷14c，14d之分佈部區域中，實施膜厚測 定即可。藉此，可詳細測定光阻膜之塗佈不均（巨觀缺陷 UO及因曝光時散焦造成之巨觀缺陷⑷的膜厚， 握該膜厚與較佳膜厚有多少⑽之變化。 另外，使用檢查基板表面異物之表面異物檢查裝置來 取代上述線寬測定裝置33時，此表面異物檢查裝置可檢測 出之缺陷種類（異物），由於與附著在日日』U表面之異物（ 巨觀缺陷14b)有很深之相關性，因此在此巨觀缺陷⑷之 ^佈部區域，實施異物檢查即可。藉此，可以特定出構成 該異物之物質，亦能掌握其大小為多少㈣。 此外’亦可將線寬測定裝置33、截面形狀測定裝置、 膜厚測定裝置、表面異物測定襄置等加以組合使用。此時 ::由對使用自動巨觀檢查裝置31所檢測出之巨觀缺陷進 :自動缺陷分類(異物，塗佈不均，散焦），即能以良好效 率貫施根據缺陷種類之線寬檢查、截面形狀檢查、膜厚檢 24 1307408 查以及異物檢查。 又’亦可將第1實施形態中說明之重疊測定裝置13、 第2貫施形態中說明之線寬測定裝置及截面形狀測定裝置 等加以組合使用。除此之外，亦可組合如顯微鏡裝置、檢 查圖案缺陷之圓案缺陷檢查裝置、或測定基板平面形狀之 平坦度測疋裝置。顯微鏡裝置，例如可以使用光學顯微鏡 ，電子顯微鏡，原子力顯微鏡，近場光學顯微鏡等。 上述組合複數個檢查裝置（13，33，·..）之基板檢查系 統，由於係將自動巨觀檢查裝置檢測出之巨觀缺陷之分佈 資訊與分類資訊（巨觀缺陷圖）儲存在檢查資料記憶裝置12 ，此巨觀缺陷圖為複數個檢查裝置（13，33,…）所共有， 因此可以有效率地實施各種檢查。 又，上述實施形態，雖係說明了在半導體電路元件之 製程中檢查Μ造用晶圓之例，但本發明亦同樣的能適用 於液晶顯示元件之製程中’檢查液晶製造用之玻璃基板。 上述實施形態中，檢查資料記憶裝置12雖係資料伺服 器，且設置在自動巨觀檢查裝置u、重疊測定裝置Μ、線 寬檢查裝置33之外部’但亦可使用配置在該等測定檢查裝 置之内部之記憶裝置。只要將資料儲存在至少一個之測定 檢查裝置内之記憶裝置’而能從其他測定檢查裝置次 料之構成即可。 ’貝 如以上之說明

延貫施形態，由於可有效驾 以被檢查基板之大區域為對象之檢查'及以小區域為參 之檢查’目此可以在抑制成本増加之同時，實施高可讀 25 13〇74〇8 之檢查。 【圖式簡單說明】 (—)圖式部分 第1圖，係顯示第1實施形態之基板檢查系統10之構 成的方塊圖。 第2圖，係用以說明晶圓14( j)中巨觀缺陷14a( j)的 圖。 第3圖，係用以說明預先準備之取樣區域13a的圖。 第4圖，係顯示重疊測定製程之具體例的流程圖。 第5圖，係顯示第2實施形態之基板檢查系統3 0之構 成的方塊圖。 第6圖，係用以說明晶圓14之巨觀缺陷之自動分類的 圖。 第7圖’係說明線寬測定製程之具體例的流程圖。 (二）元件代表符號 10，30 11，31 12 13 13a 14(1)〜14(n) 14a, 14b, 14c, 14d 基板檢查系統 自動巨觀檢查裝置 檢查資料記憶裝置 重疊測定裝置 取樣區域 晶圓 巨觀缺陷

26 1307408 15，35 33 晶圓缺陷圖 線寬測定裝置

27

Claims (1)

1307408 拾、申請專利範圍·· 1 ·—種基板檢查系統，其特徵在於，具備： 第1檢查裝置，係對複數個被檢查基板分別實施巨觀 檢查’並輸出各該被檢查基板;有無缺陷之資訊； 記憶裝置，係儲存該第丨檢查裝置所輸出之每一個該 - 被檢查基板之該有無缺陷資訊；以及 · 第2核查裝置，係對該被檢查基板之既定部分實施檢 查； 双 該第2檢查裝置，係參照該記憶裝置中儲存之該有無 _ 缺陷之資訊，在該複數個被檢查基板中，對沒有該缺陷之 被檢查基板實施該檢查。 2·如申請專利範圍第丨項之基板檢查系統，其中，該 第2檢查裝i，係藉由測定形成於該被檢查基板表面之光 阻圖案與底層圖案之相對偏移，來實施該檢查。 3 · —種基板檢查系統，其特徵在於，具備： 第1檢查裝置，係分別對複數個被檢查基板實施巨觀 檢查，並輸出各該被檢查基板之缺陷分佈資訊； 籲 β己隱雇置係儲存该弟1檢查裝置所輸出之每一個該 被檢查基板之该缺陷分佈資訊；以及 第2核查放置，係對該被檢查基板之既定部分實施檢 查； 該第2檢查裝置，係參照該記憶裝置中儲存之缺陷分 佈資訊，在該複數個被檢查基板中，對該既定部分沒有該 缺陷分佈之被檢查基板實施該檢查。 28 1307408 如申請專利範圍帛3項之基板檢查系統，其中，該 苐2檢查裝詈，在益 置係碚由測定形成於該被檢查基板表面之光 阻圖案與底, -曰圖案之相對偏移，來實施該檢查。 5 · 一種基板檢查系統，其特徵在於，具備： 第 檢查， 1檢查裝置’係分別對複數個被檢查基板實施巨觀 並輸出各該被檢查基板之缺陷分佈資訊及分類資訊 °己憶襄置’係儲存該第1檢查裝置所輸出之每一個被 檢查基板之缺陷分佈資訊及分類資訊；以及 第2檢查裝置，係對該被檢查基板之既定部分實施檢 查； §亥第2檢查裝置，係參照該記憶裝置中儲存之缺陷分 佈貧机及分類資訊’來決定該複數個被檢查基板中，應實 施該檢查之被檢查基板。 6 ·如申請專利範圍第5項之基板檢查系統，其中，該 第2檢查裝置’係根據該分類資訊中所包含之該缺陷種類 與該第2檢查裝置可檢測出之缺陷種類的關聯度，決定應 實施該檢查之被檢查基板。 7 ·如申請專利範圍第5項之基板檢查系統，其中，該 第2檢查裝置’係根據測量該被檢查基板表面形成之光阻 圖案之線寬，來實施該檢查。 8· —種基板檢查方法，其特徵在於，包含： 第1檢查製程，係分別對複數個被檢查基板實施巨觀 檢查’並輸出各該被檢查基板有無缺陷之資訊； 29 1307408 儲存製程’係儲存該第1檢查製程所輸出之該每一個-被檢查基板之有無缺陷資訊；以及 第2檢查製程，係對該被檢查基板之既定部分實施檢 查； 該第2檢查製程，係根據該儲存製程中儲存之有無缺 陷之資訊’對該複數個被檢查基板中，&有該缺陷之被檢 查基板實施該檢查。 9 ·如申請專利範圍第8項之基板檢查方法，其中，該 第2檢查製程，係藉由測定形成於該被檢查基板表面之光 鲁 阻圖案與底層圖案之相對偏移，來實施該檢查。 I 〇 . —種基板檢查方法，其特徵在於，具備： 第1檢查製程’係分別對複數個被檢查基板實施巨觀 檢查’並輸出各該被檢查基板之缺陷分佈資訊； 儲存製程，係儲存該第i檢查製程所輸出之每一個該 被檢查基板之該缺陷分佈資訊；以及 第2檢查製程’係對該被檢查基板之既定部分實施檢 查； · δ亥第2檢查製程’係參照於該儲存製程中健存之缺陷 分佈資訊’對該複數個被檢查基板中，於該既定部分沒有 該缺陷分佈之被檢查基板實施該檢查。 II ·如申請專利範圍第10項之基板檢查方法，其中， 該第2檢查製程，係藉由測定形成於該被檢查基板表面之 光阻圖案與底層圖案之相對偏移，來實施該檢查。 12 . —種基板檢查方法，其特徵在於，具備： 30 1307408 第1檢查製程，係分別對複數個被檢查基板實施巨觀 檢查’並輸出各該被檢查基板之缺陷分佈資訊及分類資訊 r 儲存製程，係儲存該第1檢查製程所輸出之每一個被 檢查基板之缺陷分佈貢訊及分類資訊；以及 第2檢查製程’係對該被檢查基板之既定部分實施檢 查； 該第2檢查製程，係參照於該儲存製程中儲存之缺陷 分佈資訊及分類資訊，來決定該複數個被檢查基板中，應 實施該檢查之被檢查基板。 13·如申請專利範圍第12項之基板檢查方法，其中， 該第2檢查製程，係根據該分類資訊中所包含之該缺陷種 類與該第2檢查製程可檢測出之缺陷種類的關聯度，決定 應實施該檢查之被檢查基板。 14 ·如申請專利範圍第12項之基板檢查方法，其中， 該第2檢查製程，係根據測量形成於該被檢查基板表面之 光阻圖案之線寬’來實施該檢查。 15· —種基板檢查裝置，其特徵在於，具備： 記憶裝置’係儲存對複數個被檢查基板分別實施巨觀 檢查之結果所得之各該被檢查基板有無缺陷的資訊；以及 檢查部’係對該被檢查基板之既定部分實施檢查； 該檢查部’係根據該記憶裝置中所儲存之該有無缺陷 之資訊’對該複數個被檢查基板中，沒有該缺陷之被檢查 基板，實施該檢查。 31 1307408 16 · —種基板檢查裝置’其特徵在於，具備： 記憶裝置’係儲存對複數個被檢查基板分別實施巨觀 檢查之結果所得之各該被檢查基板之缺陷分佈資訊；以及 檢查部’係對該被檢查基板之既定部分實施檢查； §亥檢查部’係根據該記憶裝置中所儲存之該缺陷分佈 資訊，對該複數個被檢查基板中，於該既定部分無該缺陷 分佈之被檢查基板，實施該檢查。 17 . —種基板檢查裝置，其特徵在於，具備： 記憶裝置’係儲存對複數個被檢查基板分別實施巨觀 檢查之結果所得之各該被檢查基板之缺陷分佈資訊及分類 資訊；以及 檢查部，係對該被檢查基板之既定部分實施檢查； 該檢查部，係根據該記憶裝置中所儲存之該缺陷分佈 資訊及分類資訊，來決定該複數個被檢查基板中，應實施 檢查之被檢查基板。

拾壹、圖式： 如次頁 32