TWI306471B - - Google Patents

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1306471 五、發明說明（1) ----- 發明所屬之技術領域 本發明係有關於對矽片或半導體裝置基板的表面 周部、或表面用氧化膜或氮化臈等覆膜後的表面或周 進行研磨加工的研磨劑組成物及該研磨劑組成物的調製方 法。還有關用該研磨劑組成物對作為被研磨物的矽 導體裝置基板的表面或外周部進行研磨的研磨方法。 先前技術 以前，多次提出將氧化矽或其水合物分散成膠體狀懸 濁液，即所謂含有膠體二氧化矽的组成物用作對矽半 導體裝置基板（以下簡記為片等）進行研磨加工的研磨劑組 成物的方案。 ' 例如，在美國專利31 70273號公報中，有將矽溶液及 ，化矽膠作為研磨劑的提案。另外，美國專利第49 1 ο 1 55 號公報揭不了使用煆制氧化矽的水溶性分散漿料作為半導 體基板絕緣層的研磨劑。特開平7_221〇59號公報記述了由 細長變形的球狀矽顆粒構成的膠體二氧化矽具有高的研磨 速度的發明。特開2〇〇1-π 433號公報記述了由球連成多珠 狀的形體的矽石顆粒構成的膠體二氧化矽具有高的矽研磨 速度的發明。 、 另一方面’關於液體的組成也提出了非常多的方案。 美國專利33281 4 1號公報揭示了通過使該懸濁液的pH在1〇 ^〜12. 5的_範圍内’能增大研磨速度。美國專利第41 6933 7 號公報揭示在研磨劑組成物中添加胺類的發明。特開平

1306471 五、發明說明（2) 2-1 58684號公報揭示了由水、膠體二氧化矽、分子量1〇 以上的水溶性高分子、水溶性鹽類構成的研磨劑組成物。 而且，特開平5_1 54760號公報揭示了使用以矽溶液或 石夕膠的矽為基準，含有10〜80重量％的呱嗪（水溶性胺的一 種）的研磨組成物進行研磨的方法。 * 以上這些揭示的方法是在驗性母液中分散有矽微顆粒 的泥毀和膠體二氧化矽中，通過添加各種各樣的添加劑， 提高研磨劑的:分散性、謀求穩定的加工能力、增加加工速 度的方法，但還不能滿足現在所要求的即高速且穩定的研 磨速度、加工後良好的清洗性、研磨面的平坦性等研磨性 能。 特開平1 1 -31 5273號公報、特開平11_3〇2635號公報、 特開平1 1 -302634號公報以及特開2 000_1 58329號公報揭示 了.使用酸電離常數的倒數的對數值為8〇〜12.〇的弱酸 及/或弱鹼，通過添加弱酸和強鹼、強酸和弱鹼或弱酸和 的任意一種組成物’將膠體二氧化矽用作具有Μ緩衝 2用的緩衝溶液。緩衝液的使用提供了具有因外界條件的 ，化，PH的變化減小，即使反復使用，pH的變化也小且穩 定：研磨劑組成物’但是還有望對僅pH降低使研磨速度降 低進行更進一步的改良。 2別是近年來’伴隨著電子電路的高集成化及基板自 、型化.，必須使矽片、半導體裝置基板表面高度平坦 "丨而且為了提高生產效率，希望得到加工速度高的研 磨劑組成物。 π

1306471 五'發明說明（3) 發明内容 本發明人等鑒於上述現有研磨劑 題，進行專心研究後發現··將含有特定有的問 的膠體，㈣體二氧化…性溶液疋石夕顆粒 穩定的高速力……成了冓:：；的；;=達 能，的變化小且研磨速度高，即使反復使用也 磨劑組小且穩定的研磨，改善了研磨後的清洗性的研 磨劑、.且成物及調製該研磨劑組成物的方法。 7且’還提供了 一種用該研磨劑組成物對作為被研 矽片 '半導體裝置基板的表面或外周部進行研磨的研 磨方法。 1述的目的是通過使用具有以下特徵的研磨劑組成物 木運到的。該研磨劑組成物的特徵是：由平均一次粒和為 3〇:2〇〇nm、實質上單分散的氧化矽顆粒形成濃度為ι£25 重量％的膠體溶液，上述膠體溶液的pH值調製為8. 7〜1〇5 之間’用作具有緩衝作用的緩衝溶液，且作為成分之一’， 含有敗離子或氟配位陰離子形式的氟1〜lOOmmol /Kg。 該研磨劑組成物，例如，每次使用1 5〜6 5重量％的高 漢度母液時，能用包括水、有機溶劑、鹽類的溶液或它們 的混合物進行稀釋調製，能在適當的濃度下，對矽片 '半 導體裝置基·板的表面或外周部進行研磨。

7082-5568*PF(Nl);Tcshiau.ptd 第8頁 五、發明說明（4) 實施方式 法氧化石夕兩種。就氣制法分為氣相法氧化石夕和液相 散於水性溶劑中形成聚料it而言，多將假制氧化石夕分 粒度分佈廣泛， ；半導體研磨，這種微顆粒的 分散系。液相法次顆粒，是典型的多 二氧化矽和由有 2將水玻璃作為原料的一般膠體 二氧化矽。用於太 σ #加水分解法得到的高純度膠體 的膠體二氧化矽和二純2:矽5顆粒的膠體溶液是-般 作為原料的一般# 0 Γ二—氧化矽。特別是將水玻璃 適合應用 膝體—乳切價格便宜、研磨速度也快， 發明的膠體溶液中含有的氧化石夕微顆粒是平均 選it ί η〜2〇〇nm、實質上單分散的氧化石夕顆粒，優 〜nm。此處所說的平均一次粒徑是將根據氮 吸附/T法測定的比表面積換算成球狀顆粒直徑。關於膠 體一氧化矽的BET法粒徑（比表面積）在the CHEMISTRY OF SIL ICA Solubility, Polymerization, Colloid And Sur- face Properties, And Bi〇chemistry(P344-354, RALPH K. ILER 著，A Wiley-Interscience Publication JOHN WILEY & SONS P)中有詳細記載。計算式是顆粒直 徑（nm) = 2720 /比表面積（m2/g)。 當使用平均一次粒徑小於3 Onm的顆粒時，如果緩衝液 成份的電解質濃度高時，膠體溶液容易凝聚，研磨劑組成 物的穩定性降低，而且，降低了研磨後的片表面附著的顆

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粒的可清洗性。另外，使用平均一次粒徑為200nm以上的 顆粒時，研磨片靠近配線，因此不選用。特別是，迴圈使 用多片進行研磨時’需要過濾除去研磨屑或填料，難於將 200nm以上的顆粒與屑分離。另外，即使在其他的用途 中，粗大顆粒沉降難以確保製品的歷時穩定性，且價格 貴。 K 五、發明說明（5)

在這樣的意義上，有必要使用不含有微細顆粒或粗大 顆粒的實質上，為單一粒度的單分散顆粒。本發明所說 質性單分散是用電子顯微鏡法、離心沉降法、鐳射散 等一般的夥體粒徑測定法測定的。定義為個數平均粒徑/ (Dn)和體積平均粒徑（Dv)或和重量平均粒徑（Dw)的比 (Dv /Ί)η)或（Dw /Dn)為^ 005〇的範圍。就單分散的艘 體二氧化矽來說，有日本化學工業（株）製的"矽溶膠"、多 摩化學工業（株）製的"TCS〇L7〇3"、扶桑化學工株 ••超高純度膠體二氧化石夕PL—7"等。將 不'β，）、弋 的分散系記作多分散。作為多分散的膠體二氧化疋:二政

DuPontAirProducts Nano Materials l L C 、土的 說有 "Syton" 、"Mazin" 、"Ascend1，等。 ...开， 氧化矽的濃度，在實際研磨加工

很重要的；在矽片或半導體裝置基 而 里/°疋 is 1¥1 * 0 , ^ 做的表面研磨時，f優 選的範圍為3〜15重量％ ;外周部研磨時 = 量％。研磨時的氧化矽的濃度 ' 〜2 5重 速产降低，.兀杳m 田 低於3重量％時，研磨加工 速度降低不貫用。如果研磨時氧化 工速度自身增大，超過約25 的辰度同研磨加 砰’片的污染程度增

1306471 五、發明說明（6) 大，可清洗性變差。 以下詳細說明本發明。 本發明中’研磨劑組成 内。更優選為pH在9.5〜10. 研磨速度明顯降低，在實用 時，片的污染程度增加，可 不易受到摩擦、熱量、與外 合等意料之外:的條件的變化 作研磨劑組成物溶液本身的 對於外界條件的變化小，即 作為形成本發明緩衝溶 舉出例如鹽酸、硝酸、氧酸 磷酸和水溶性的有機酸等弱 物。特別優選為碳酸根離子 子，既可以是納、鉀等驗金 兹離子’乙撐二胺' η瓜嗪等 鹼性的離子，也可以是它們 四甲銨離子或它們的混合物 由上述的離子組合形成的， 子電離與非電離狀態共存的 少量的酸或域，pH的變化也 作為成分之一必須含有 氟1〜lOOmmol /Kg。特別是 在pH比較低時進行研磨的情 物的pH必須在8· 6〜1〇_ 5範園 5範圍内。當pH在8. 6以下時， 範圍以外。而PH在10. 6以上 清洗性變差。而且，該應該 界氣體接觸或和其他的成分混 的影響’因此在本發明中，用 必要條件是，PH的變化幅度相 緩衝作用強的溶液。 液的離子，作為陰離子，可以 、硫酸等強酸或硼酸、碳酸、 酸，另外也可以是它們的混合 或碳酸氫根離子。作為陽離 屬離子，銨、膽鹼、四甲銨等 胺類離子等與氫氧根配對顯示 的混合物。特別優選鉀離子或 。本發明所述緩衝溶液是一種 =為酸、域、鹽添加的，且離 冷液，其特徵在於：即使混入 很小。

氟離子或氟配位陰離子形式的 使用本發明這樣的PH緩衝液， 况’有必要使用這種侵蝕作用

五、發明說明（7) 大的成份。氟離子既可以氟酸形式添加，也可以上述各域 的氟化物形式添加。優選使用四氟化硼酸根離子和六氟化 矽酸根離子作為氟配位陰離子。還可將上述物質添加到Η 〜65重量％的氧化矽高濃度母液中，每次使用該母液稀釋 調製時添加較好。氟離子或氟配位陰離子在提高對矽片和 半，體裝置基板的表面或外周部，或表面用氧化膜、氮化 ，等覆膜後的表面或外周部的研磨速度的同時，還具有提 尚研磨加工後.的可清洗性的作用。作為氟離子或氟配位陰 離子形式的氟在lmm〇l /Kg以下時，不能得到充分的研磨 速度。添加10〇mm〇l/Kg以上，侵蝕性過強，不能得到平 坦的鏡面，可清洗性變差。優選為3〜6〇mm〇i/Kg。 另外，一般地，預先調製氧化矽濃度為25〜65%的高 濃度組成物，再用水或水與有機溶劑的混合物稀釋較便 矛J也可以先不在兩濃度的組成物中添加除氧化矽以外的 上述必須的任何一種成份，而是在稀釋時添加。 •士 J 了 t良本發明研磨組成物的性質，可同時使用表面 =性劑、分散劑、崎防止劑等。作為表面活 d T以舉出水洛性有機物及無機層狀化合 =二另:卜，本發明的研磨組成物基本上是水溶液，但也 了以添加有機溶劑。 3發明的研磨方法中，適於使用：冑過在上下兩面 1、谢π路，將片等被加工物擠壓放置在具有貼附著由合 平誊:研癍體、合成革或無紡布等形成的研磨布的可旋轉 1裝置上，使上述平臺和被加工物兩方或者其中

1306471 五、發明說明（8) --------- 方旋轉，並使用上述研磨劑組成物，進行上述被加工物 的平面研磨的方法。並且在外周部的研磨+，還適於使 用，在表面貼有研磨布的筒狀研磨構件或具有呈圓弧狀的 操作面的研磨具的研磨裝置上’冑片等被加工物的外周部 分擠壓、，一面使研磨構件和/或上述被加工物旋轉，一面 使用上述研磨劑組成物，對上述被加工物的外周部分進行 研磨的方法。 在平面呷磨中，可提供單一旋轉方式、軌道式運動方 ^、線性運動方式等各種各樣的方案，使用其中任意一種

在外周部研磨中’適於使用記載於特開平 號么報、特開2000-317788號公報、特開2002-36079號公 報中的研磨裝置等。特別優選為最近提出的外周部的垂直 端面和傾斜面同時研磨的方法。而且優選為研磨到外周部 上下平面為止的方法。這並沒有限制，可以使用現在所用 的任意一種裝置。 實施例 下面，根據實施例及比較例來具體說明本發明的研磨 劑組成物及使用該研磨劑組成物的研磨加工方法。對 有特別的限制❶ ' 實施例中使用的單分散膠體二氧化矽，以平均粒徑 5nm的石夕溶膠3〇 、平均粒徑40nmn石夕溶膠〇 "、平约索 j80nm的”矽溶膠4〇G_8〇"、平均顆粒直徑12〇_"矽溶膠 0G-120"、其他平均粒徑的膠體二氧化矽的水玻璃為原

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五、發明說明（9) 料製作的。個數平均粒徑（Dn)和體積平均粒徑（Dv)是使用 曰機裝（株）制的微型卡車UPA測定的，確定其比值（Dn)/ (Dv)在1.00〜1.50的範圍内。多分散膠體二氧化矽由以下 方法製成。將平均粒徑1 5nm的"矽溶膠30"、平均粒徑40nm 的"矽溶膠30 G "、平均粒徑8〇ηπι的"矽溶膠40 G-80，1、平 均粒徑120nm的"矽溶膠4〇 G-120"，以任意比率混合，形 成平均粒徑為40nm、（Dn) / (Dv)為2. 0的產物。 另外，作·為氫氧化四甲銨（以下簡記為TMAH)使用市售 水溶液。並且’上述的TMAH水溶液與二氧化碳進行中和反 應製成碳酸氫四曱銨（以下簡記gTMAHC)。製作方法如 下：將20%TMAH水溶液放入500ml的氣體清洗瓶中，將呈微 細泡狀的二氧化碳氣吹入1 2小時，TMAH水溶液吸收二氧化 碳氣而得到TMAHC溶液。用稀鹽酸來進行中和滴定，根據 滴定的拐點來計算碳酸化的定量，中和度為9 7 %。 氟是使用試藥的氟酸.水溶液、硼氟化氫酸水溶液、矽 氣氫酸水溶液，同樣，使用試藥的氟化鈉、矽氟化鈉、氟 ，钾。碳酸鹽使用試藥的碳酸氫鈉、碳酸氫鉀。其他的氫 氧化鈉是將工業用的50%水溶液稀釋後使用。 表示實施例1〜5和比較例1〜3的矽片的表面研磨的實 把例°使用調製成如表1所示的組成的研磨組成物，在下 述研磨條件下進行鏡面研磨加工。 研磨裝置：Speedf am股份公司製的SH-24型單面加工 機

平臺轉數：70RPM

7082-5568-PF(Nl)；Tcshiau.ptd 第14頁 1306471 五、發明說明（ίο)

壓力板轉數：50RPM 研磨布：SUBA400(Rodel Nitta 公司製） 面壓力：200g /cm2 研磨組成物流量：80ml /分 研磨時間：2分鐘 工作物.4英寸、具有1200nm的氧化膜的石夕片 用p Η &十測疋研磨組成物的p Η值。並且，在聚光燈下.用 肉眼觀察霾和:凹陷的狀態來評價研磨面。並且，研磨速度 是根據研磨前後的矽片的重量差來換算成从m /分求得。 結果如表1所示。實施例1〜5與比較例1〜3相比研磨 速度大’表面狀知良好。 在實施例1〜5和比較例1〜3中的研磨組成物的調製方 法如下： 匕較例1〜2和貫施例！〜2 :向稀釋後的以…水溶液， 定量添加混合氟化氫酸水溶液，然後，添加碳酸氫鉀 使之溶解。在麟下，將這種添加劑溶液添 的，體二氧化石夕中’最後用純水稀釋得到表】的組成：， 上使Λ了二均粒徑15nm的膠體二氧化石夕，比較例2使 用了=上述方法製成的多分散膠體二氧化矽。 混合,ϊ Γ定量將後的TMAH水溶液和TMAHC水溶液定量 德，，化鈉和氟化鉀攪拌使之溶解。然 φ . ra.,+ „ 、種添加劑洛液添加到膠體二氧化矽 中，後用，·屯水稀釋得到表1的組成物。 實施例4 :將稀釋後的TMAH水溶液和觀c水溶液定量

1306471 五、發明說明（11) 混合，然後定量界 鉀攪拌使之冰to "'加混合氣化氫酸水溶液’再添加碳酸氫 加到膠體二it矽ί後，在攪拌下，將這種添加劑溶液添 物。 y宁’最後用純水稀釋得到表1的組成 比較例3 :降又$ t ^ Μλ样 '、小添加氟化氫酸水溶液以外，其他同實 施例4 一樣，得刭主 、…u貝 于主』表1的組成物。 實施例5 :蔣絲鹏μ 混合，然後^ θ將稀釋後的ΤΜΑΗ水溶液和TMAHC水溶液定量 脾二錄=4 ^:置添加混合硼氟化氫酸水溶液。在攪拌下， 將這種添加齋丨、、交、％ #彳HI iM μ 到膠體二氧化矽中，最後用純水稀 釋付到表1的組成物。 卜怖

7082-5568-PF(Nl);Tcshiau.ptd 第16頁 1306471 五、發明說明（12) 物性娜 獅口劑 膝賭 二氧化较 表面 硏磨速分J Ό m ? | ϋ離子農«(mmol/Kg以F計） 碳酸根離子總濃mrrrnol/Kg)⑵ TMA離子濃度(mmd/Kg) 鉀離子港度(mmol/Kg) 鈉離子摄度(mmol/Kgj 矽緻(SlS%) DvyVn I 平均一次粒搜(nm> Λ ΠΒ 表面有粒 子附著 1 °·12 1 Μ⑽| TI 丨贴1 G0 GO 18-5 i 00 GO o Ο 1.21 ③分散 ϋι 1比較例ι| 表面有粒 子时著 | 0.2B | 丨 1 m 1 10-5 1 00 CO 185 00 GO 〇 ο 2.04 〇 1比較例2| 良好 1 °·24 1 ί脱1 η 1贴1 CD CD 18-5 I GO CO 〇 ο 1.26 1單分散1 δ 珀 諸 mmJ 良好 1 °·27 1 丨 1 τι 1 10-5 I CD CO 185 | GO CD 〇 —1 ο 單分散 s 础 Wt 渣 ro 良好 | 0.28 I 1 ΤΙ | 10·5 1 CK M^3 1 On δ 1.34 1單分散1 Ο 1實施例3| 良好 ^ 0.11 ND τι ro Ck b o CJl ω cn 〇 ω CK 挪 ο 實施例4 良好 | 0.00 | Ό kD m 〇 b b ω •fcx 〇 ω 1.26 I單分散 丨比較例3| 良好 ! 0.20 I 1 iQ-i 1 1 BF4 1 ϋι ω 1以1 1 1 〇 〇 ο 1_2ό 丨單分敢I |赁施例5| 谢一 0. 磨研 的 4例較 比及 6例施 實 用使 圈迴示 表 行進液成 7082-5568-PF(Nl);Tcshiau.ptd 第17頁 1306471 五、發明說明（13) 片的表面研磨的實施例。使用調製成表2所示組成的研磨 組成物，研磨條件和實施例1相同，研磨組成液迴圈使用 1 0次’進行1 0片矽片的研磨實驗，測定每次研磨組成物的 ρΗ值和研磨速度。結果如表2所示》實施例6的pH和比較例 4相比’迴圈次數到第9次為止，變化小，研磨速度大。 在實施例6及比較例4中的研磨組成物的調製方法如 下。 實施例6 ;將稀釋的以…水溶液*TMAHC水溶液定量混 合，並定量添加混合氟化氫水溶液，在攪拌下，將這種添 溶Λ添加到膠體二氧化⑪中’最後用純水稀釋得到表 2的組成物。 T U 4 比較例4 :不添加ΤΜΑΗ水溶液和TMMC水 下，只將氟化納和氫氧化鈉添加到膠體：在= 用純水稀釋得到表2的組成物。 &化砂中，最後

7082-5568-PF(Nl);Tcshiau.ptd 第18頁 1306471 五、發明說明（14) 表2 項目 實施例ό 比_4 膠牌 二氣化较 平均一次細nm) 40 40 單分敢 單分敢 Dv/Dn 1.20 1.20 矽触(&S%) 10 10 劑 鈉離子農度(namol/Kg) 0 8.2 醜子濃度(mmol/Kg) 0 0 『ΜΑ酿子濃度(mmol/Kg) 28.7 0 陵酸根雖子總疾度(mmol/Kg)n) 12-4 0 氟雖子濃度(mmol/Kg以F計） 5.3 5.3 氟®子種類 F F 獅 ·' pH 硏磨酿 (“ m/分) pH 硏磨酿 Um/分) 迴圈次數 第〇次 10.1 0.2 10.1 0.10 第1次 10.1 0.19 9.9 0,15 第2次 10 0.2 9.8 0.15 第3次 10 0.1日 9.7 0.14 第4次 10 0.18 9.0 0.13 第5次 10 0.19 9.5 0J2 第ό次 10 0.18 9.4 0.1Ί 第7次 10 0.18 9.3 0.11 第8次 9.9 0.19 9.2 0.1 第9次 9.9 0.18 9.2 0.1 表示實施例7〜1 1及比較例5〜7的對矽片外周部研磨 的實施例。使用調製成表3所示組成的研磨組成物，用以 下的研磨條件方法實施鏡面研磨加工。 研磨速度：Speedfam股份公司製，EP-IV型端面加工 機 筒轉速 片轉速 片轉數^ 800RPM 70 秒 /REV 4次/片

7082-5568-PF(Nl);Tcshiau.ptd 第19頁 1306471 五、發明說明（15) 研磨布：DRP-II(Speedfam公司製） 負載：2.5Kg 研磨組成物流量：2 5 0 m 1 /分 工作物：8英寸、具有氧化膜800nm+聚矽酮膜2〇〇〇nm 的碎片 研磨組成物的pH值用pH計測定。另外，研磨面的評價 是在聚光燈下，用肉眼觀察霾及凹陷的狀態。並且，研磨 速度是根據研:磨前後的矽片的重量差來換算成mg /分求 得。 結果如表3所示。實施例7〜丨丨與比較例5〜7相比，研 磨速度大，表面狀態良好。 方法“列7〜11及比較例5〜7中，研磨組成物的調製 實施例7 :向稀釋後的ΤΜΑΗ水溶 氫酸水溶液，然後，# Λ & 疋1添加犯合氟化 溶解。然，，在Ϊ拌：加：酸：鉀及碳酸氫納’授拌使之 氧化矽中，最後用H 添加劑溶液添加到膠體二 G例8〜ί純水稀釋得到表3的組成物。 定量混合，然後定2 f後，水溶液和TMAHC水溶液 下，將這種添加劑冰混合领氣化氣酸水溶液。在攪拌 水稀釋得到表3的叙合成文物'加到膠體二氧化矽中，最後用純 實施例1 0 :向絲 氫酸水溶液.，然後 Y的TMAH水溶液定量添加混合氟化 後，在攪拌下，將# :加碳酸氯納’攪拌使之溶解。然 。添加劑溶液添加到膠體二氧化矽

7082-5568-PF(Nl);Tcshiau.ptd 第20頁 1306471 五、發明說明（16) 中，最後用純水稀釋得到表3的組成物。 量，：1二？稀釋後的麵水溶液和TMAHC水溶液定 =鈉添加混合氟化氫酸水溶液，然後，添加 夕氟化鈉並攪拌使之溶解。然後，在攪 $這種添加劑溶液添加到膠體二氧化矽中，最後用吨水稀 釋得到表3的組成物。 T戒後用純水稀 法製將單分散膠體二氧切代之以使用上述方 =的;除一卜，其他和實施例 在严拌下，腺二後添加碳酸氫鈉攪拌使之溶解。然後， 見，字這種添加劑溶液添加到膠體-氧化#巾，I 後用純水稀釋得刭矣q认，^、仏^ H 一軋化矽中，最 比亲 表3的組成物。该組成物的pH值為8. 2。 氣酸水Ϊ:.Λ稀釋，的誦水溶液定量添㈣ 混合氫氧化鈉1、ί二碳酸虱鈉攪拌使之溶解，再添加 液添加到膠體-2後，在攪拌下’將這種添加劑溶 由物1 f —軋化矽中，最後用純水稀釋得到表3的組 成物。該組成物的pH值為lh〇。 的組

1306471 7 11 /V 明說 明發五 a=10〜120is#ii>?3f*lly>taj; 物性評價 添加劑 tm 二氧化矽 表面狀態 研磨速度（μ M/分） 短離子種類 菊離子灌度(mmol/Kg以F計） 碳酸根雜子總濃度(mmol/b)(2] TMA離子谟度(mmol/Kg) 1甲離子演度[mmol/KgJ 訥離子浪度(mmol/KgJ ί夕濃度(重暈即 Dv/Dn m Pi 3f 平均一次顆粒彳至[n m) IID 翠 ίο 1 103 1 •η [52.6315791 1 8.0ό 1 599 1 to G0 丨里分散1 1 160 1 丨寅施例7 1 良好 1 224 1 __1^2_ -π |52.6315789| 14.78 80.8 〇 ο 泛 1里分散1 120 寅施例8 良好 ro CJ M〇.3 1 -π |31.5789471 1 13.44 1 1 57·2 1 〇 ο ω oo I里分散| 100 亩施例9 良好 Ki k> 1 10·4 1 *η |31.578947| 1 15.84 459 〇 15.8 G0 ω 簞分散 ο 寅施例10 良好 h〇 知 1 ]Q-2_ 1 SiF^ 1 |31.5789474| 26.21 432 〇 17.4 GO ω I E分散| g |宜施例Π | 表面有離 子附著 to bo Mcu 1 *η |31.57895] 1 15.84 1 1 45·9 〇 158 αο 2.04 d: ο 比較例5 o 'O GO ho -π 1 103 1 1 103 〇 k> ο 里分散 比較例0i 二 -π 131.578951 ro CO 1 316 1 〇 1 56.3 1 CJ I里分敢| 8 比較例7

7082-5568-F^(Nl);Tcshiau.ptd 第22頁 1306471____ 五、發明說明（18) 如上所述’本發明的研磨組成物是特徵為：由平均一 次粒徑為30〜20〇nm、實質上單分散的氧化矽顆粒形成濃 度為1〜25重量％的膠體溶液’所述膠體溶液的⑽值調製為 8. 7〜1 〇. 5之間’用作具有緩衝作用的緩衝溶液，且作為 成分之一，含有氟離子或氟配位陰離子形式的氟丨〜 1 gO^nmo 1 /Kg的研磨劑組成物，且已知該研磨劑組成物的 ^ 5化小么研磨速度快，可清洗性好。使用本發明研磨組 暂w不二：低矽片、半導體裝置基板的研磨表面的品 質’從而能夠穩定地高速研磨。

1306471 圊式簡單說明 7082-5568-PF(Nl);Tcshiau.ptd 第24頁

Claims (1)

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2 ·如申請專利範圍第 形成緩衝溶液的陽離子是 銨離子。 1項所述的研磨劑組成物，其中 却離子和/或鈉離子和/或四甲 1或2項所述的研磨劑組成物，其 是碳酸根離子及/或含有碳酸氫 3.如申請專利範圍第 中形成緩衝溶液的陰離子 根離子。 4.如申請專利範圍篦 鈉含量在2πππ〇1/ΚρΧ下項所述的研磨劑組成物，其中 5 · —種研磨劑組成物 利範圍第1、2、3或4項所、十I方 用於調製如申請專 —次粒徑30〜2 0 0nffl、盘^^研磨劑組成物，其係由平均 度為25〜65重量％的膠體^單分散的氧化石夕顆粒形成濃 有dH佶螻椒放田认〆 夜’所述膠體溶液是調製成具 :子t 的緩衝溶液，並為含有作為成分之-的氟 水、有機溶劑、鹽類的溶以5〜5°°_1/Kg，用包括 6. -種研磨方法，使用物稀釋液。、 所述的研磨劑組成物研磨作=㉟$1、2、3或4項 置基板的表面或外周部。4被研磨物的石夕片、半導體裝

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,種研磨方法，將被研磨物放置在展M ^ # 脂發泡體或絨面調和成皮革等形成的研磨… 面擠壓旋轉，—面供給*請專利範圍们H平^二 的研磨劑組成物’對被研磨物的平面進行研磨。或4貝斤述 8. —種研磨方法，使用具有表面貼有研磨布的研磨構 件的研磨裝置’使所述研磨構件與被研磨物外周部相接 觸’一面使研磨構件和/或被研磨物旋轉，一面將申請專 利範圍第1、2、3或4項所述的研磨劑組成物供給到外周邻 部分，對被研磨部的外周部進行研磨。 °

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