TWI306447B - Electroluminescent iridium compounds having red-orange or red emission and devices made with such compounds - Google Patents

Electroluminescent iridium compounds having red-orange or red emission and devices made with such compounds Download PDF

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TWI306447B
TWI306447B TW091132776A TW91132776A TWI306447B TW I306447 B TWI306447 B TW I306447B TW 091132776 A TW091132776 A TW 091132776A TW 91132776 A TW91132776 A TW 91132776A TW I306447 B TWI306447 B TW I306447B
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Description

1306447 ⑴ 玖、發明說明 (發明說明驗明：發砸屬之技域、先前撕、內容、黻方式及圖式簡單說明） 發明皆景 憂夏頷域 本發明係、關於銀_之電發光錯合物，其在可見光光譜 之紅 '橙色及紅色區域具有發射光譜。其亦關於其中活性層 包括電發光Ir(III)錯合物之電子裝置。 ^OL技藝說明 I射光之有機電子裝置’如組成顯示器之發光二極管， 存在於許多+同種類之電子設# β在所有之此種裝置，有 機活性層夾在兩個電接觸層之間。至少一個電接觸層為透 光使彳于光可通過電接觸層。在橫越電接觸層施加電力時， 有機活性層發射通過透光電接觸層之光。 、已知在發光二極管中使用有機電發光化合物作為活性成 分。已知如蒽、噻二唑衍生物、〗蓑草素之簡單有機分子 顯不電發光。#已使用半導體共車厄聚合物作為電發光成分 ’例如，如FHend等人之美國專利以^心㈣等人之 美國專利M08J09、與Nakan。等人之公告歐洲專利申請案 443 861所肩示。具有三價金屬離子（特別是紹）之㈣基灰 寧基已廣泛地作為電發光成分，例如，如㈣等人之美國 專利5,552,678所揭示。 ：: 具有摻雜銥有機金屬錯合物之聚合物之活性層之電發光 裝置已由B_ws與丁h〇mps〇n揭示於公告之pcT申請案购 (2) 1306447 發明說明續頁 00/70655與WO 01/41512。大邱々v +灿入仏曰士 八。卩伤34些錯合物具有尖蜂在綠 色或藍-綠色區域之發射·光譜。 對於發射可見光譜之紅色區域之光（心糊奈旬之有效 電發光化合物仍有持續之需求。 發明相 本發明係關於一種具有選自式丨與式π之式之金屬錯合物：
IrL3 (I)
IrL2Z (II) 二 其中： Z選自β-烯醇基、胺基羧酸基、亞胺基羧酸基、柳酸基、 超基奎寧基、與二芳基膦基烷氧化物；及 L選自圖1之式;[Π、式IV、式ν、式VI、與式νπ，及圖2 之式VIII、式IX與式X，其中： 在式III中： R至R6在各情形為相同或不同，而且R3至R6至少之一選 自 D ' F、CnF2n + 1、〇CnF2n + 1、與 〇cf2Y ;
Rl在各情形為相同或不同，而且選自D、CnH2n + 1、OR" 、SR11 ' N(R")2、F、Cn(H+F)2n+1、〇Cn(H+F)2n+1、與 OCF2Y ’或相鄰之R1對可結合形成五-或六-員環； Y為Η、C1、或Br ;及 A 為 S 或 NR11 ; ' 在式III至X之:彡： RM在各情形為相同或不同，而且為Η或cnH2n + 1 ; 1306447 發明說明續頁 η為1至12之整數；及 α為0、1或2 ; 至X之各 δ為0或1至4之整數； 在式νττφ : Ε至Ε4在各情形為相同或不同，而且為crI2或ν，其條件 為至少一個丑為]^;及 R12在各情形為相同或不同，而且選自Η、D、SR11:、 N(Rn)2、F、Cn(H+F)2n+1、0Cn(H+F)2n+1、與 0Cf2Y，或相 鄰之R對可結合形成五_或六-員環，其條件為至少一個Rl2 選自 D、F、Cn(H+F)2n+1、〇cn(H+F)2n+1、與 〇CF2Y ; 在式VIII至X之各愔报： R2及R7至R10在各情形為相同或不同，而且選自h、d、
CnH2n+1、OR 、SR11、與n(Rh)2，或相鄰之R對可結舍形 成五-或六-員環。 在另一個具體實施例中，本發明係關於具有至少一個活 性層（其包含在570至700奈米範圍具有發射最大值之發光層） 之有機電子裝置’丨中活性層之至少2〇重量％包含以上金屬 錯合物、或以上金屬錯合物之組合。 在此使用之名詞“化合物” 意圖表示由分子（其更包括原子）
離于阳艰风芝具有公稱（-1)電荷之配位基 7法分雞。名詞j 二分子、離子、 b ‘HL”因損失氫 字母“Z”用以表 -8- 1306447 (4) [^明 不由^中性母體化合物“Hz”因損失氫離子而形成之具有公稱 屯荷之配位基。術語“錯合物，，在作名詞使用時，意圖表 有至；一個金屬離子及至少一個配位基之化合物。名 司β —碳基”意圖表示其中存在兩個以CHR基分離之酮基之 中〖生化合物。名詞“β_烯醇基，，意圖表示β-二羰基之陰離子形 式，其中已摘除來自兩個羰基間之CHR基之Η。名詞“基，，意 圖表示一部份化合物’如有機化合物中之取代基或錯合= 之配位基。名凋面部”意圖表示具有八面體幾何之錯合 物Masb3之一種異構物，其中三個“a，，基均相鄰，即，在八 面體之一面之角落。名詞“子午線，，意圖表示具有八面體幾 何之錯合物之一種異構物，其中三個、，，基佔據三個 位置使得其二彼此為反式。片語“相鄰，，在指裝置中之層時 ，不必然地表示一層緊鄰另一層。另一方面，片語“相鄰r 基’用以指彼此在化學式中緊鄰之尺基（即，在藉鍵結合之原 子上之R基）。名詞“光活性，，指呈現電發光及/或光敏性之任 何材料。此外，全部使用IUPAC編號系統，其中週期表之 奴由左自右邊編為 1至 18 (CRC Handb〇〇k 〇f Chemist7
Physics，第81版，2000)。在式及方程式中，字母A、£、乙 、R' Q、Y、與Z用以表示其内定義之原子或基。所有其他 字母用以表示習知原子符號。名詞“（H+F)”意圖表示氫與氟 之所有組合，包括完全氫化、部份氫化或全氟化取代基。 “發射最大值，，表示得到最大電發光強度之波長奈米。電發' 光通常在二極管結構中測量，其中測試之材料夾在兩個電 接觸層之間且施加電壓。光強度及波長各可藉，例如，光 (5) 1306447 發明說明續頁 電二極管與光譜儀測量。 1.式說明 圖1顯示用於本發明金屬錯合物之配位基L之式III至VII。 圖2顯不用於本發明金屬錯合物之配位基L之式VIII至X。 圖3顯不用於本發明之卜烯醇基配位基之式χι與膦基烷氧 化物之式XII。 圖4顯不合成用於本發明之母體配位基化合物HL之方程 式⑴。 圖5顯示形成用於本發明之錯合物之方程式⑺至⑷。 圖6為發光裝置（LED)之略示圖。 圖7為LED測試裝置之略示圖。 鍪施例之詳細却明 本發明之金屬錯合物具有上示式〗與式π之一，而且稱為 環金屬化錯合物。式！與式„中之鼓為+3氧化狀態且為六配 位。在式1中’ #合物為不具有額外配位基之參環金屬化錯 合物。此參錯合物可呈現面部或子午她可，但是最常形 成面部異構物。在式Π中’錯合物為具有—個額外單陰離子 性雙牙配位基Ζ之C環金屬化錯合物。這些環金屬化銀錯合 物為中性及非離子性，而且可完整地昇華。經真空沉積得 到之14些故料之薄膜呈現良好至優良之電發光性質。 本發明之錯合物具有最大值在57〇至7〇〇奈米範圍（其為可 見光光譜之紅-橙色至紅色區域）之發射光譜。較佳之紅色& 射在620奈米及更大。 Χ 1306447 _ (6) 發明說明績頁 或°比π各-°比。定（在A為NR_11時）化合物，其中在。比0定上有至少 個含氟取代基。R至R基可選自有機化合物之習知取代 基’如烷基、烷氧基、鹵素 '硝基、與氰基，及氘、氟、 l 氟化烷基、與氟化烷氧基。此基可部份地或完全地氟化（全 w 化）。較佳為α為0，及R3及/或R5為含氟取代基。最佳為 CF3。在Α為NR11時，較佳為R11為CH3。 圖1所示具有式IV之配位基L衍生自嗟吩-或。比洛·奎寧化 合物。圖1所示具有式V或式VI之配位基l衍生自售吩-或。此 略-異奎寧化合物。較佳為α為0。在A為NR11時，較佳為Ru籲春 為 CH3。
圖1所示具有式VII之配位基L衍生自噻吩-或吡咯_二嗓化 合物，或具有3或更多個氮之同系物。6-員環上有至少一個 取代基，其選自 D、F、Cn(H+F)2n+1、〇Cn(H+F)2n+i、與 〇CF2Y ，最佳為CF3。較佳為α為〇。在a為NR11時，較佳為r1 1务 CH3。 ： 圖2所示具有式viii之配位基l衍生自苯基-奎寧化合物。 圖2所示具有式IX或X之配位基l衍生自苯基-異奎寧化合物籲 。R7至R1()基可選自有機化合物之習知取代基，如烷基、貌 氧基、鹵素、硝基、與氰基，及氘。較佳為汉8及/或尺⑺為經 雜原子鍵結〜之具有非鍵結π電子之取代基，最佳為氧。較佳 為R9取代基為烷基，較佳為第三烷基。 * 母體配位基化合物HL通常可藉對應氯化雜環芳基與有機’ 硼酸或有機鎂試劑之標準鈀催化Suzuki或Kumada交叉偶合 製備’例如’如 〇 Lohse、p. Thevenin、E. Waldvogel之 -11- 1306447 發明說明續頁 ⑺
Synlett，1999，45-48所述。對於苯基_異奎寧’此反應描述 於圖4之方程式（1) ’其中r與R，表示取代基。 Z配位基為單陰離子性雙牙配位基。通常這些配位基具有 N、Ο、P、或S作為配位原子，而且在對銥配位時形成5 _或 6-員壞。適合之配位基包括胺基、亞胺基、醯胺基、烷氧 化物、叛酸基、膦基、硫醇基等。這些配位基之適合母體 化合物之實例包括β-二羰基（β_烯醇基配位基），及其N與s同 系物’ fe基缓酸（胺基缓酸基配位基）；吼σ定缓酸（亞胺基缓 酸基配位基）；柳酸衍生物（柳酸基配位基）；羥基奎寧（羥基 奎寧基配位基）與其S同系物；及二芳基膦基烷氧化物（二芳 基膦基烷氧化物配位基）。 β-烯醇基配位基通常具有圖3所示之式XI，其中R13在各 情形為相同或不同。rU基可為氫、齒素、經取代或未取代 院基、芳基、烷芳基、或雜環基。相鄰R!3基可結合形成 與六-員環，其可經取代。較佳之r丨3基選自Η、F、 Cn(H+F)2n + i、_c6H5、-C4H3S、與-C4H30，其中 η為 1 至 12之 整數’較佳為1至6。 適合之β-烯醇基配位基Ζ包括下列化合物。β-烯醇基形式 之簡寫在以下以括號表示。 2，4 -戊二_J同基[a c a c ] 1，3-—苯基 _ 1，3_ 丙二酿j 基[di] 2,2,6,6-四曱基 _3,5-庚二酮基[TMH] - 4,4,4-三1_1_(2-。塞吩基）_1，3_丁二酮基[丁丁？八] 7,7-二曱基 _1，1，1，2,2,3,3-七氟-4,6-辛二酮基[1?〇0] -12- 1306447 _ ⑻ 發明說明績頁 1，1，1，3,5,5,5-七氟-2,4-戊二酮基[卩7&(^(：] 1，1，1，5,5,5-六氟 _2,4-戊二酮基[F6acac] 1-未基甲基-4-異丁基。比唾琳基[fmbp] β-二羰基母體化合物HZ通常為商業可得。母體化合物 F7acac，1，1，1，3,5,5,5-七氟-2,4-戊二酮(：：173(：(〇)(：：1^(：：(〇)(：：173 ，可基於全氟戊烯-2與氨之反應，繼而水解步驟，使用二 步驟合成製備。此化合物應在無水條件下儲存及反應，因 為其易於水解。 經基奎寧基配位基HZ可經如烷基或烷氧基之基取代，其 可部份或全氟化。通常這些化合物為商業可得。適合之羥 基奎寧基配位基Z之實例包括： 8-羥基奎寧基[8hq]
2-甲基-8-經基奎寧基[Me-8hqJ 10-羥基苯并奎寧基[l〇_hbq；| 母體羥基奎寧化合物通常為商業可得。 膦基烷氧化物配位基HZ通常具有圖3所示之式χπ，其中 R在各情形為相同或不同，而且選自Cn(H+F)2n+i與 C6(H+F)5， R在各情形為相同或不同’而且選自^與cn(H+F)2n + 1， 及 〜 λ為2或3。 適合之膦基烧氧化物配位基之實例列於以下。這些配位_ 基之簡寫示於括號中。 J-(—笨基膦基）-1-氧基丙烧[dpp〇] -13 - 1306447 (9) -- 發明說明續頁 1，1貳（―氟甲基）_2_(二苯基膦基）_乙氧化物[tfmdpe〇] 母體膦基燒醇化合物為商業可得。 ^ I與II之錯合物通常藉由首先形成橋接氯二聚物而由金 屬氯鹽製備。對於噻吩，啶配位基，此反應描述於圖5所 不之方程式（2)。然後藉由在根據二聚物為2當量三氟乙酸銀 AgOCOCF3存在下，無溶劑加入過量配位基母體化合物hl 而形成式I之錯合物。此反應描述於圖5之方程式（3)。式Η 之錯合物係藉由將Ζ配位基之鈉鹽加入橋接氯二聚物而形成 。此反應描述於圖5之方程式（4)。 本發明之金屬錯合物之實例示於以下表丨。在各情 ^ 與δ為零。 y
表1之錯合物中’化合物1-a具有約570奈米，化合物卜匕 有約670奈米之之電發光發射最大值。 -14- (10) 1306447 本發明亦關於包含至少—個置於兩個電接觸層間之光活 性層之電子裝置’纟中裝置之至少―個光活性層包括本發 明之錯合物。如圖6所示，典型裝置i⑽具有陽極層u㈣陰 極層iso,及在陽極11〇與陰極150間之層12〇、13〇及視情： 之M0。層120、130、與140概括地稱為活性層。相鄰：極 為電洞注射/運輸層丨2()。相鄰陰極為包含電子運輸材 選用層140。電洞注射/運輸層12〇與陰極（或選用電子運輸
層）間為光活性層130。層120、13〇、與14〇個別地及概括2 稱為活性層。 視裝置100之應用而定’光活性層13〇可為藉施加電壓活 化之發光層（如發光二極管或發光電化學電池）、一層對應輻 射能量且產生信號（有或無施加偏壓）之材料（如光電偵測管） 。光電债測管之實例包括光電導電池、光敏電阻、光電開 關、光電晶體、與光電f ’及光電伏打電池，這些名詞欷 Markus, John ^ Electronics and Nucleonic Dictionary, 470與 476 (McGraw-Hill，1966)。 本發明之錯合物作為層13〇之光活性材料、或層i4〇之電 子運輸材料特別有用。在用於層13〇時，已發現本發明之錯 口物不需在固態基質稀釋劑中而有效。可使用基於層之總 重量為大矻20重量％金屬錯合物，至多實質上1〇〇重量％金 屬錯合物之層作為發射層。.額外之材料可與金屬錯合物存 在於發射層。例如，可存在螢光染料以改變發射之顏色。’ 亦了力入稀釋劍。較佳為，稀釋劑利於層中之電荷運輸。 稀釋劑可為聚合材料，如聚（N_乙烯基咔唑）與聚矽烷。其 -15- 1306447 (π) 發明說明續頁 亦可為小分子，如4,4’_Ν，Ν，·二。卡。坐聯苯或第三芳族胺。在 使用稀釋劑時，金屬錯合物通常以少量存在，通常基於層 之總重量為少於20重量％，較佳為少於1〇重量％。 -種可用於本發明銥金屬錯合物之稀釋劑型式為共軛聚 合物’其中聚合物之三線激發狀態為比銥錯合物之三線激 發狀態高之能量程度。適合之1麵取人礼 — ^ /、軛+合物之貫例包括聚伸 方基亞乙烯、聚第、聚„号二。坐、聚苯胺、聚口塞吩、聚。比咬
，來伸本基、其共聚物、及其組合。共軛聚合物可為具有 例如丙烯酉夂、甲基丙烯酸、&乙稀基單體單位之非共 軛部份之共聚物。特別有用為苐之均聚物與共聚物及經： 代第。 在某些情形’本發明之金屬錯合物可存在超過—種里構 形式，或可存在不同錯合物之混合物。應了解在以上 之討論中，名詞“金屬錯合物，，意圖包含錯合物及/或 吳構物之混合物。 _ 、此裝置通常亦包括可相鄰陽極或陰極之撐體（未示最常 為丄撐體相鄰陽極。擇體可為撓性或剛性、有機或無機。 k常使用破璃或撓性有機膜作為撐體。陽極1 1阿為注射或 :木正電何載體特別有效之電極。陽極較佳為由含金屬、 :°金屬、〜合金、金屬氧化物、或渡合金屬氧化物之材料 :成。適合之金屬包括第11族金屬、第4、5與6族金屬、及 弟8 1〇知過渡金屬。如果陽極為透光，則通常使用第12、: 介與14族金屬之混合金屬氧化物，如銦錫氧化物。陽極110 '、了包含如聚苯胺之有機材料，如“心祕Η咖‘出邱 "16 - (12) 1306447 發明說明績頁 diodes made fr〇m soluble conducting polymers5^ Nature^ 357卷’第 477~479 頁(1992年 6月 11 日）。 陽極層110通常藉物理蒸氣沉積法或旋鑄法塗佈。名气 “物理蒸氣沉積”指各種真空進行之沉積方式。因此，例如 物理裔氣"L積包括所有之喷鍍形式(包括離子束喷鍍)及所 有之蒸氣沉積形式（如雪上去—&々& 一 — 八（如電子束瘵發與電阻蒸發）。可使用之物 理条氣沉積指定形式為rf磁控管喷鍍。 通常有相鄰陽極之電洞運輸層120。層120之電洞運輸材 料之實例已歸納於，例如，Y. Wang之Kirk_⑽繼Eney’edia of Chemical Technology，第 4版，第以卷，第 837_86〇 頁， 1996包洞運輸分子與聚合物均可使用。除了上述之τ叩 &MPMP’常用之電洞運輸分子為：1，1-武[(二-4-甲苯基胺 基）苯基]環己烧（TAPC) ; Ν,Ν，-武（4-曱基苯基）-Ν,Ν，-武（4- 乙基苯基）-[1，1，-(3,3，_ 二曱基）聯苯基]_4,4，_ 二胺（etpd); 肆甲基笨基）-队队化，：^，-2,5-伸苯二胺（？〇入）；〇1-苯基-4-n，n-二笨基胺基苯乙烯（TPS);對_(二乙胺基）苯甲醛二苯基 月井（DEH);三苯胺（TPA) ; ι_苯基_3_[對_(二乙胺基）苯乙烯 基]-5-[對-(一乙胺基）苯基]吡唑啉（ppR^DEASp);丨，2-反_ 貳（9H-咔唑-9-基）環丁烷（DCZB) ; n，n，n，，n，_肆（4_甲基苯 基）-(1’1’-聯苯基）-4,4’-二胺（1^);及卟啉化合物，如酞氰 銅。常用之電洞運輸聚合物為聚乙烯基咔唑、（苯基曱基)聚 矽烷、聚（3,4-乙二氧基噻吩）（]?]£]：>〇丁）、及聚苯胺。亦可藉 由將如上所述之電洞運輸分子摻雜至如聚苯乙烯與聚碳酸 酯之聚合物中，而得到電洞運輸聚合物。 •17- (13) 1306447 發明說明績頁 遥用層140可用以利於雷耳_運給， ^ 走千連輸及作為防止層界面間硬 反應之緩衝層或抗硬化層。較佳為，此層促進電子移動 及減少硬化反應。選用層14〇用電子運輸材料之實例包括 金屬甜合oxinoid化合物，如參（δ_經基奎寧基）銘（α啡 :為主化合物，如2,9 —二甲基_4丨二苯基]，i"琳⑽Μ
ΓΑ7_一苯基-1，10-啡娜PA)，及対化合物，如2-(4-聯 ^ Μ#第三丁基苯基⑴，4“号二哇（_)與3_(4_聯笨 M'笨基Μ4·第三丁基苯基M，2,4-三嗤（TAZ)。 ： ⑸為注射或收集電子或負電荷載體特別有效之電極 :極可為具有比第一電接觸層(在此情形，陽極)低之作業 :數之任何金屬或非金屬。用於第二電接觸層之材料可選
厘族之驗金屬（例如，U、CS)、請（驗土）金屬、第U T金屬、綱系、及㈣。可使用如紹、铜、_、鋇、彭、 與鎂、及其組合。 已知有機電子裝置中罝古甘 _ 具有其他層。例如，在導電性聚合 物層120與活性層π〇之間 1 了句利於正電何運輸及/或層之帶 奸:或作為保 < 層之層（未示）°類似地’活性層130 :陰：層150之間可有利於負電荷運輸及/或層之帶間隙相 :’或作為保護層之額外層（未示）。可使用此技藝已知之層 此，隹何上述層可由二或更多層製成。或者，可將一 部無機陽極層110、I電性聚合物層12〇、活性層130 陰_ 150表面處理’以增加電荷載體運輸效率。用於 ^層之材料之選擇較佳為由平衡提供具有高裝置效率 之效率之目標而決定。 -18- 1306447 (14) r--—-- 明說明績頁 應了解各功能層可由超過一層製成。 备》置可藉由在丨高& # 適S基材上循序蒸氣沉積個別層而製備。 可使用如破璃及$人1 β ,, x S膜之基材。可使用習知蒸氣沉積技術 ’如熱蒸發、/f卜4¾ , 子瘵氣沉積等。或者，可使用任何習知 覆技術由適當溶兩丨夕.卢.六々、4 、田岭Μ之洛液或分散液塗覆有機層。通常不同 之層具有以下之厚度範圍：陽極11〇，5〇〇_5〇〇〇埃 1 0 0 0 - 2 0 〇 〇 埃；雷，，pj、富 μ am a.矢電洞運輸層120 , 50-2500埃，較佳為2〇〇_ =〇〇〇埃；發光層13〇，1〇1_埃較佳為埃；選用 電子運輸層14〇’ 50]_埃，較佳為100-800埃；陰極15〇, 200-1MGG埃，較佳為·_测埃。電子_電洞重組區在裝 ^ 2之位置，因此及裝置之發射光譜，受各層之相對厚度 7y 例如，在使用如Aiq;之發射劑作為電子運輸層時， 電:-電洞重組區可在八丨心層。然後發射則為Α1“而^ :需 之尖銳鑭系發射。因此必須選擇電子運輸層之厚度使得^ 子電洞重組區在發光層。層厚之所需比例視所使用夕 確實本性而定。 應了解以金屬錯合物製造之本發明裝置之效率可藉由將 裝置中其他層最適化而進一步改良。例如，可使用如ca: ^ Mg/Ag、或LiF/Al之更有效陽極。亦可應用造成操作電
壓降低或增_加量子效率之成形基材及新穎電洞運輸材料Y 亦可加入額外層以調整各層之能量程度及利於電發光。 本發明之銥錯合物經常為磷光及光發光且 m ·<扣π再他之 -用。例如，銥之有*金屬錯合物已作為氧敏指示劑、在 生物檢驗作為磷光指示劑、及作為觸媒。戴環金屬化 — 、、’ 錯合1 -19 - (15)1306447 發明說明續頁 物可用 合物。 以合成其中第三配位基為相同或不同之環金屬化錯 實侈 以下之實例描述本發明之特定特點及優點。其意圖為本 發明之描述而非限制。所有之百分比為莫耳百分比，除非 另有指示。 實例1 此只例描述母體配位基化合物（HL)，2_(2_n塞吩基）_5·(三 氟曱基）。比咬之製備。 在乂下將2-噻吩基硼酸（Lancaster Synthesis，Inc•，丨〇〇克 7.81¾ 莫耳）、2 -氣.-5-三氟1 甲基。比咬（Aldrich Chemical 公 司’1417克，7.81毫莫耳）、肆三苯膦鈀（〇)(八1€1]^11，451毫 克 〇_391毫吴耳）、碳酸斜（£；]\/[8。丨61^6，3.24克，23.4莫 耳）、水（20毫升）、及二曱氧基乙烷（Aldrich，20毫升）在留 流攪拌20小時’然後將混合物冷卻至室溫且分離有機與水 層。以3 X 5 0毫升二乙醚萃取水層，及組合有機部份以硫酸 鈉乾燥，過濾，而且將濾液蒸發至乾。粗產物以CH2C12/己 烧（1:1)作為溶離劑藉矽膠急驟層析術純化（產物Rf=0.5)，而 提供所需產物如白色結晶固體（產量=5.2克，隔離產率73%) 。NMR〜(CDC13, 296 K，300 MHz): 6 = 7.73-7.57 (2H，m), 7·55 (1H, d, 7=8.5 Hz), 7.34 (1H, d, 7=4.8 Hz), 6.88 (1H, d,. /=4.8 Hz) ppm。19F NMR (CDCh，296K，282 MHz) δ = -62·78- ppm。 -20- (16) 1306447 發明說明嫌頁 此貫例描述中間物二氯橋接二聚物[IrC1{2_(2_噻吩基）_5_ (三氟甲基）°比啶}2]2之製備。 在氣下將得自實例1之2_(2_噻吩基）_5_(三氟曱基）〇比啶 (5 55毫克’2.42毫莫耳）、三氣化銥（8如〇1(：1^111丨(^13,401 宅克 I」〗毛莫耳）、2 -乙氧基乙醇（Aldrich Chemical公司， 1 〇毫升）、及水（1毫升）回流丨5小時，然後將反應冷卻至室溫 。藉過濾收集生成之沉澱產物，以己烷清洗，及真空乾燥 ’而k供575耄克（37%)產物如紅-橙色固體。1h NMR (CDC13, 296 K, 300 MHz): δ = 9.30 (4Η, d, /=1.5 Hz), 7.80 (4H, dd, J=2.〇 Hz^8.5 Hz), 7.59 (4H, d, 7=8.5 Hz), 7.21 (8H, d, J-4.8 Hz), 5.81 (d, 4H, J=4.9 Hz) 0 19F NMR (CDC13, 296K, 282 MHz) δ = -62·07 ppm。 實例3 此實例描述表1之化合物丨-a，參環金屬化銥錯合物[Ir{2_ (2-噻吩基）-5-(三氟甲基）π比啶}3]之製備。 在氮下在170-180°C組合得自實例2之[IrCl{2-(2-噻吩基）-5_(三l曱基）。比啶}2]2 (1〇〇毫克，〇.〇73毫莫耳）、得自實例1 之2-(2-噻吩基）-5-(三氟曱基）吡啶（2〇1毫克，〇·88毫莫耳）、 及二氟乙酸銀（Aldrich，40毫克，018毫莫耳）及攪拌1〇分鐘 。然後使瀑合物冷卻至室溫且將其再溶於最少量之二氣曱 烷。以二氣曱烷/己烷（丨：丨）作為溶離溶劑使溶液通過矽膠管 柱。收集自管柱流出之第一紅-橙色部份（產物Rf=〇 5)且蒸 發至乾。將殘渣懸浮在己烷中，及將沉澱產物過濾且以過 量己烷清洗而去除任何殘餘2-(2-噻吩基）-5-(三氟曱基）。比啶 1306447 _ (17) 發明說明績頁 ，而提供產物如紅-燈色固體。隔離產率=50毫克（39%)。！Η NMR (CDC13, 296 K, 300 MHz): 5 = 7.73-7.57 (6H, m), 7.55 (3H, d, J=8.5 Hz), 7.34 (3H, d, /=4.8 Hz), 6.88 (3H, d, 7=4.8 Hz)。19F NMR (CDC13, 296K，282 MHz) δ = -62·78。 使用類似步驟製造表1之化合物1-b至1-f。 實例4 此實例描述配位基母體化合物1-(4-第三丁基苯基）異奎寧 之製備。 。 在A下將4-第三丁基苯基硼酸（Aldrich Chemical公司， 5.00克’ 30.56毫莫耳）、1-氯異奎寧（Aldrich Chemical公司 ，5.44克，30_56毫莫耳）、肆三苯膦鈀（〇)(Aldrich，800毫克 ，0.69毫莫耳）、碳酸鉀（EM Science，12.5克，23.4莫耳）、 水（50毫升）、及二甲氧基乙烷（Aldrich，75毫升）在回流攪拌 20小時，然後將混合物冷卻至室溫且分離有機與水層。从 3 x 7 5愛升二乙醚萃取水層，及組合有機部份以硫酸納乾燥 ’過濾’而且將濾液蒸發至乾。粗材料在石夕膠管柱上層析 ，首先以4:1己烷/二氯曱烷溶離觸媒副產物，最後以二氣甲 烷/MeOH (9.5:0.5，產物Rf=0.7)溶離產物。收集純產物部份 且真空乾燥’而提供4.5克（隔離產率56%)之淺黃色固體， NMR光譜測定為>95°/。純。1H NMR (CDC13，296 K，3〇〇 MHz): δ = 8.58 (1Η, d, J=5.70 Hz), 8.15 (1H, d, 7=8.5 Hz), 7·83 (1H，d，J=8.5 Hz)，7.5_7.7 (7H, m)，i 38 (9H，s) ppm。 實例5 此實例描述二氣橋接二聚物第三丁基苯基）異奎 -22- 1306447 _一 (18) 發明說明績頁 寧} 2]2之製備。 將得自實例4之1-(4-第三丁基苯基）異奎寧（1.〇〇克，3.82 毫莫耳）、IrCl3(H20)3 (Strem Chemicals，633 毫克，1.79 毫 吳耳）、及2 -乙氧基乙醇（Aldrich Chemical公司，40毫升）在 回流攪拌1 5小時，然後將混合物倒入等體積水中。藉過濾 隔離生成之燈色沉澱藉過，以水清洗，及真空乾燥。然後 將固體再溶於二氣曱烷且通過矽膠墊。將紅色溶離二氣甲 烧溶液蒸發至乾’及將生成固體懸浮於己烷中。藉過濾隔 離固體而提供650毫克（49%)之紅-橙色固體，NMR光譜測定 為 >95%純。nMR (CD2C12, 296 K，300 ΜΗζ): δ=9·37 (4Η, d, J=6.5 Hz), 8.95 (4H, d, /=8.2 Hz), 8.07 (4H, d, J=8.5 Hz), 7.90 (4H, dd, 7=1.4^8.2 Hz), 7.7-7.9 (8H, m), 6.94 (4H，dd, >2.0及 8.4 Hz)，6.86 (4H，d，>6.4 Hz)，5.92 (4H， d，/=2.0 Hz)，O.w (36H，s) ppm。 此實例描述表1之化合物H ,貳環金屬化銥錯合勒 [Ir(acac){ 1_(4_第三丁基苯基）異奎寧h]之製備。 仟自只例5之第三丁基苯基）異奎寧（2⑽毫 克〇.135毫莫耳）、乙醯醋酮酸鈉（Aldrich , 80毫克，0.65 < =j耳）、、及2-乙氧基乙醇（Aldrich，5毫升）在12〇。〇攪拌ι( 刀1里’然、後真空移除揮發性成分。將殘渣再溶;^二氯甲貌 CI^Cl2作為溶離溶劑通過燒結玻璃漏斗上之矽膠墊。 將紅色發光濾液蒸發至乾而提供19〇隔離1 所需產物 ’1H 聰為〉95% 純 elHNMR(cDci3,296 = -23- 1306447 (19) 發明說明縝頁 300 MHz): δ = 8.94 (2H，dd, J=2.1 及 8_2 Hz), 8_49 (2H, d, J=6.4Hz)，8.11(2H，d，J=8.50Hz)，7.98(2H,d，J=3.9&9.6
Hz), 7.6-7.8 (4H, m), 7.55 (2H, d, J=6.4 Hz), 6.99 (2H, d, J=2.1 及 8.5 Hz), 6.21 (2H，d，J=2.0 Hz), 5·35 (1H，s)，1-84 (6H，s)，0.95 (18H，s) ppm。 使用類似步驟製造表1之化合物1_@至1_丨及」_1^至1_1。 實例7_ 此貫例描述配位基母體化合物(全氘苯基）異奎寧之製備a 全Til -本..周酸一甲輯.在氮下將n-BuLi (A丨drich，1 ·6 Μ於 己烧，38.6毫升）經2分鐘緩慢地加入溴苯_d5 (Aldrich Chemical公司，1〇·〇克，61.7毫莫耳）於無水二乙醚（5〇毫升） 之-7 8 C溶液。將授拌混合物加溫至室溫2小時，然後在氮 下轉移至另一個含棚酸三曱酯（Aldrich，50毫升，494毫莫 耳）與無水二乙醚（200毫升）之-78 °C攪拌溶液之燒瓶。將生 成混合物加溫至室溫且攪拌1 5小時’然後加入冰冷2 μ HC1 (5 0毫升）以將反應混合物驟冷。分離有機相，以硫酸鈉乾燥 ，過濾’及蒸發至乾，而提供4_9克（產率52%)之所需產物 如白色固體。NMR (CDC13, 296 Κ，300 ΜΗζ) δ 3.73 (br s) ppm ° 苯基）異奎寧：在氮下組合1-氯異奎寧（Aldrich Chemical公司，5.00克，30_6毫莫耳）、得自以上合成之全 鼠本石朋酸二曱I旨（4.87克，3 1.4宅.莫耳）、碳酸奸（EM Science· ’ 8.4克，61·2莫耳）、肆三苯膦鈀（0)(Aldrich，707毫克， 0.61 1毫莫耳）、二曱氧基乙烷（Aldrich，100毫升）、及水 •24- 1306447 (20) 發明說明績頁 (1 0 0宅升），而且使混合物回流1 5小時。然後分離有機層， 及水層以3 χ50毫升二乙醚萃取。組合有機成分以硫酸鈉乾 燥’過濾，及蒸發至乾。生成粗產物藉矽膠層析術純化。 首先以4:1二氣曱烷/己烷溶離膦觸媒，然後以1〇〇0/。二氣甲 烧然後二氯甲烧/甲醇（95 :5 ’產物Rf=0 · 6)溶離所需產物。組 合產物部份且蒸發至乾，而提供4·5克（7〇%)所需產物如白 色固體。1H NMR (CDC13, 296 Κ，300 ΜΗζ): δ = 8.60 (1Η, d， /=5.7 Hz), 8.10 (1H, d, J=8.5 Hz), 7.88 (1H, d, 7=8.4 H^), 7.67 (2H, m)，7·53 (1H，m) ppm。 實例8 此實例描述二氯橋接二聚物[IrCl{i-(全氘苯基）_異奎寧}2]2 之製備。 在氣下將得自實例7之1-(全氘苯基）異奎寧（3.00克，14.3 毫莫耳）、IrCl3(H2〇)3 (Strem Chemicals, Inc.，2.42 克，6·80 宅莫耳）、2-乙氧基乙醇（Aldrich Chemical公司，45毫升）、 及水（5毫升）在回流攪拌丨5小時，然後經過濾隔離生成之沉 殿產物。其然後以過量甲醇、然後二乙醚清洗，最後真空 乾燥’而提供所需產物如紅-橙色固體。產率=2.12克（48%)。 實例9 此實例描述表1之化合物丨，貳環金屬化銥錯合物 Ir(acac){l-(全氘苯基）異奎寧丨2之製備。 得自實例8之[IrCl{ 1-(全氘笨基）_異奎寧}2]2 (3〇〇毫克，. 0.232¾莫耳）、乙醒醋酮鈉鹽（Aldrich Chemical公司，71毫 克，0.581¾莫耳）、及2-乙氧基.乙醇（Aldrich，15毫升）在 -25- (21) 1306447 發明說明續頁 12〇°C攪拌45分鐘，然後真空移除揮發性成分。將生成殘渣 溶於二氯甲烷且以二氯甲烷作為溶離溶劑通過矽膠墊。收 集第一紅色部份（RfM.O)且蒸發至乾，而提供所需產物如 紅-橙色固體。產率=230 (70%)。iH NMR (CDCl3, 296 κ， 300 MHz) δ = 8_99 (1Η，m)，8_45 (1Η，d，J=6_4 Ηζ)，7.98 (1Η， m), 7.75 (2H, m)j 7.55 (1H, d, /=6.3 Hz), 5.29 (1H, s), !.79 (6H，s) ppm。由於在環金屬化反應發生之少量h/d交換所造 成而觀察到之額外信號：8.24 (〇.5H，m)，6 96 (〇 2〇h，次 /=9.8 Hz) 〇 5 實例10 此實例描述使用本發明之銥錯合物形成〇LEDs。 藉熱蒸發技術製造包括電洞運輸層（HT層）、電發光層（EL 層）、及至少一個電子運輸層（ET層）之薄膜〇led裝置。使 用具油擴散泵之Edward Auto 306蒸發器。用於所有薄膜远 積之基本真'空為1〇·6托耳之範圍。沉積槽可沉積五種不同之 膜而無需中斷真空。 使用具有約1 000-2000埃之ΐτο厚度之塗銦錫氧化物（IT〇) 玻璃基材。基材首先藉由以1NHC1溶液蝕刻不欲之汀〇區域 而圖樣化，以形成第一電極圖樣。使用聚醯亞胺帶作為光 罩。然後4水性清潔液中超音波清潔圖樣化IT〇基材。基材 然後以洛館水繼而異丙醇清洗，然後在曱苯蒸氣中去脂 小k 或者’使用得自Thin Film Devices, Inc.之圖樣化it〇 。运些1丁〇、係以塗覆^㈧埃〗^塗層2C〇rning m7玻璃為 主’其具有30歐姆/平方之片電阻及8〇〇/。之透光度。 -26- 1306447 發明說明績頁 (22) 然後將已清潔、圖樣化ITO基材裝入真空槽中且將槽下泵 至1(Τ6托耳。然後使用氧電漿將基材進一步清潔5-10分鐘。 在清潔後，然後藉熱蒸發將多層薄膜循序沉積在基材上。 最後經光罩沉積Α1之圖樣化金屬電極。在沉積時使用石英 結晶監視器（Sycon STC-200)測量膜厚。實例中報告之所有 膜厚為假設沉積材料之密度為一而計算之公稱值。然後自 真空槽取出完成之OLED裝置且立即特徵化而不封包。
裝置層及厚度之結論示於表2。在所有之情形，陽極為 ITO，如以上所討論，及陰極為具有700-760埃範圍之厚度 之A1 〇 表2 樣品 HT層厚度， EL層厚度， ET層厚度， 陰極厚度， 埃 埃 埃 埃 1 MPMP 化合物1-a DPA A1 504 411 418 737 2 MPMP 化合物1-i DPA A1 513 420 412 737 3 MPMP 化合物1-j DPA A1 513 414 400 721 4 MPMP 化合物1-k DPA A1 530 407 407 732 5 MPMP 化合物1-1 DPA A1 533 411 414 727 6 MPMP 化合物1-f DPA A1 -563 305 408 725 7 MPMP 化合物1-h DPA A1 538 409 418 734 8 MPMP 化合物1-c DPA A1 526 428 402 728 9 MPMP 化合物1-m DPA A1 530 404 415 725 -27- 1306447 _ (23) 發明說明續頁 DPA = 4,7-二苯基-1,10-啡啉 ET=電子運輸 EL=電發光 HT=電洞運輸 MPMP=貳[4-(N,N-二乙胺基）-2-曱基苯基](4-甲基苯基） 甲烷 O L E D樣品係猎由測置其（1)電流-電壓（I - V)曲線’（2)電發 光輻射相對電壓，及（3)電發光光譜相對電壓而特徵化。使 用之裝置200示於圖7。OLED樣品220之I-V曲線係以 Keithley Source-Measurement Unit 237 型 280 測量。以 Minolta LS-1 1 0發光計測量電發光輻射（單位為Cd/平方公分） vs.電壓，而使用Keithley SMU掃描電壓。電發光光譜係藉 由使用一對鏡片230將光經電子光栅240散佈於光譜儀250而 收集光，然後以二極管陣列偵測器260測量而得到。同時實 行所有三種測量且以電腦270控制。在特定電壓之裝置效率 係藉由將LED之電發光輻射除以裝置運行所需之電流密度 而決定。單位為Cd/A。 結果示於以下表3。 表3 .銥化合物之雷發来性皙 樣品- 峰輻射，Cd/m2 峰效率，Cd/A 蜂大約波長，nm 1 200 Cd/m2於25 V 1.5 570 2 100 Cd/m2於22 V 0.65 620 3 200於22 V 1.2 625 4 1 於 21 V 0.04 >670 5 400於22 V 1.6 605及640 6 5於20 V 0.3 585 7 7於23 V 0.06 620 -28- 1306447 (24) 發明說明績頁 8 2.5於23 V 0.3 625 9 350於19V 0.6 ---- 625 實例11 此實例描述在聚（第）聚合物基質中使用本發明之紅色發光 材料作為摻雜劑而形成OLED’s。使用生成摻合物作為 OLED之活性紅色發射層。如實例6所述製備銥錯合物 [Ir(acaC){l-(4-第三丁基苯基）異奎寧Μ，表1之化合物㈠。 如 Yamamoto 之 Progress in Polymer Science，第 17 卷，第 1153頁（1992)所述而製備聚苐聚合物，其中將單聚單位之三 鹵（較佳為二溴）衍生物與化學計量之零價鎳化合物（如貳 (1，5-環辛二烯）鎳乃反應。 此OLED實例中之有機膜成分均 一八此亂J丁 下：如實例10所述將ΙΊΓ〇/玻璃基材（Applied Films)圖樣^ (裝置有效面積=全部3平方公分）及清潔。基材然後藉由還 於J00瓦電漿烤箱中15分鐘而進一步清潔。將聚（乙二氧遵 售吩）-聚（笨乙烯績酸）(PED0T_PSSA，Bayer公司）緩衝層（坪 ，電洞運輸/注射層）旋塗至90奈米之厚度。膜在200ta加勃 板上乾燥3分鐘。然後將基材轉移至充填氮手套箱，此時將 聚Γ弗）聚合物溶液、[Ir(acac){1♦第三丁基苯基）異奎寧卜 (1·:微莫耳〜)、與無水甲苯(7·5毫升)旋塗至基材上至7〇;二. :厗度。然後將基材轉移至高真空槽，在以2 0xl0_6托耳熱 Γ積?（3·5奈米）繼而Ai (4⑽奈米）。然後使用UV-可硬化環 r μ /破.璃片膠合在陰極頂部而使生成〇LED裝置為氣密。 率：置稭由獲得電流電壓、發光-電壓、發光-電流、效 ϋ效率·電流外形而完全特徵化。其係使用電腦驅 -29· 1306447 - (25) I發明說明績頁 動（Labview軟體）Keithley Source-Measurement Unit及光電 二極管完成，後者整合在全部3平方公分裝置有效面積之光 輸出。 -30-

Claims (1)

  1. I3064497i 32776號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(97年9月） 修- 冬 Η @ ' 拾、申請專利範圍 1.一種具有選自式I與式II之電發光銥化合物， IrL3 (I) IrL2Z (II) 其中： Z為2,4-戊二酮基；及 L選自式III及式IX，
    (IX ) 其中： 在式III中： R3、R4 及 R6 為 D ; R5為CF3 ;及 A為S ; 在式IX中： R7、R8及 R10 為 D ;及 R9為D或第三丁基。 2. —種活性層，其包含至少一種如申請專利範圍第1項之 電發光銥化合物，其中活性層含少於2 0重量％之該至少 81719-970926.doc 1306447 申諝專利範圍縯頁 一種化合物，且存在稀釋劑。 3. 根據申請專利範圍第2項之活性層，其中至少一種具 選自式I與式II之式之化合物係選自Ir{2_(2·噻吩基）_&三 氣甲基）吼咬}3，ir(acac){1_(4·第三丁基苯基）異奎寧 (isoqumoline))2，&Ir(acac){1_(全氘苯基）異奎寧。 4. 根據申請專利範圍第2項之活性層，其中稀釋劑選自取 (队乙烯基味唑）；聚石夕烷；4,4，_咖_二味唾聯苯；與； 三芳族胺。 、 5. 根據申請專利範圍第2項之活性層，其中稀釋劑為共輟 :合物’其選自聚伸芳基亞乙烯、聚苐、㈣二唑、聚 苯胺、聚嗟吩、聚吼咬、聚伸苯基、其共聚4勿、及其組 合。 ' 6. 種有機電子裝置，其包含根據申請專利範圍第2項之 性層，纟中活性層包含在57〇至7〇〇奈米範圍具有發光 最大值之發光材料。 7. 根據申請專利範圍第6項之裝置，其進一步包含電洞運 輸層，其選自N，N，-二苯基_队^_雙（3_甲基苯*Hi，r_ 聯苯基]-4,4，-二胺；U4[〇4_甲苯基胺基）苯基’]環 己烷，N，N _雙（4-甲基苯基）_N，N，_雙（4_乙基苯基hu，_ (3,3’_二甲基）聯苯基]<4，-二胺；肆-(3-甲基苯基）_ N’N’N ’N -2,5-伸苯二胺；α_苯基_4_n，n_二苯基胺基苯 乙稀，對_( 一乙胺基）笨甲醛二苯基胖；三苯胺；雙[4 _ (N，N_二乙胺基）-2_甲基苯基](4-甲基苯基）甲烷；1-苯基-3·[對-(二乙胺基）苯乙烯基]_5_[對_(二乙胺基）苯基]π比唑 8I719-970926.doc 1306447 申請專利範闺縝頁 啉；丨，2_反-雙（9H_°卡唑基）環丁烷；N，N，N，，n、 甲基笨基）_(1，1’_聯苯基）_4,4’_二胺；外琳化 ' 組合。 切’及其 其更包含電子運輪 •根據申請專利範圍第6項之裝置 層’其選自 參（8-羥基奎寧基）鋁；2,9_二甲基_4,7_二苯基4，ι〇·啡 啉，4,7-二苯基_ι，10_啡啉；2_(4_聯苯基）_5_(4_第三丁 苯基）-1，3,4-哼二唑；3_(4_聯苯基）_4_苯基_5_(4_第三^ 苯基）-1，2,4-三唑；及其組合。 土 9·根據申請專利範圍第6項之裝置，其中至少—種具有琴 自式I與式II之式之化合物係選自Ir{2_(2_嘍吩基 ^ 田曾、 / V 鼠 土）吡啶h，Ir(acac){l-(4_第三丁基苯基）異奎办 (1S〇quinoline)h，及 Ir(acac){l-(全氘苯基）異奎寧丨2。 丁 1 〇.根據申請專利範圍第6項之裝置，其中稀釋劑選自聚（n 乙稀基咔唑）；聚矽烷；4,4，-N，N，-二咔唑聯苯；與 芳族胺。 1 1 ·根據申請專利範圍第6項之裝置’其中稀釋劑為共軛聚 合物’其選自聚伸芳基亞乙烯、聚第、聚啐二唑、聚苯 胺、聚噻吩、聚吡啶、聚伸苯基、其共聚物、及其組 合。 81719-970926.doc
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Families Citing this family (116)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050147534A1 (en) 1998-05-05 2005-07-07 Massachusetts Institute Of Technology Emissive sensors and devices incorporating these sensors
DE69939629D1 (de) 1998-05-05 2008-11-06 Massachusetts Inst Technology Emittierende Polymere und Vorrichtungen diese Polymere enthaltend
US6821645B2 (en) * 1999-12-27 2004-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
US20020121638A1 (en) * 2000-06-30 2002-09-05 Vladimir Grushin Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
KR100865096B1 (ko) * 2000-11-30 2008-10-24 캐논 가부시끼가이샤 발광 소자 및 표시 장치
KR100533556B1 (ko) * 2000-11-30 2005-12-06 캐논 가부시끼가이샤 발광 소자 및 표시 장치
US7998595B2 (en) * 2001-02-14 2011-08-16 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescent device, luminescent material and organic compound
JP3650082B2 (ja) * 2001-06-04 2005-05-18 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、発光材料および有機化合物
US7166368B2 (en) * 2001-11-07 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent platinum compounds and devices made with such compounds
US7250512B2 (en) * 2001-11-07 2007-07-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds having red-orange or red emission and devices made with such compounds
JP3969132B2 (ja) * 2002-03-12 2007-09-05 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置
GB0209652D0 (en) * 2002-04-26 2002-06-05 Univ Cambridge Tech Solution-processable phosphorescent materials
US6995445B2 (en) * 2003-03-14 2006-02-07 The Trustees Of Princeton University Thin film organic position sensitive detectors
DE10320103A1 (de) 2003-05-05 2004-12-02 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von Phenylpyridin-Metallkomplexen und Verwendung solcher Komplexe in OLEDs
GB0311234D0 (en) 2003-05-16 2003-06-18 Isis Innovation Organic phosphorescent material and organic optoelectronic device
TWI287567B (en) * 2003-07-30 2007-10-01 Chi Mei Optoelectronics Corp Light-emitting element and iridium complex
US20080248220A1 (en) * 2003-09-12 2008-10-09 Sumitomo Chemical Company,Limited Light-Emitting Material and Light-Emitting Device Using the Same
CN100536190C (zh) * 2003-11-25 2009-09-02 默克专利有限公司 有机电致发光元件
US7084425B2 (en) 2003-12-05 2006-08-01 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices
US6835835B1 (en) * 2003-12-05 2004-12-28 Eastman Kodak Company Synthesis for organometallic cyclometallated transition metal complexes
US6870054B1 (en) * 2003-12-05 2005-03-22 Eastman Kodak Company Synthesis for organometallic cyclometallated transition metal complexes
GB0329364D0 (en) * 2003-12-19 2004-01-21 Cambridge Display Tech Ltd Optical device
ATE332305T1 (de) * 2004-01-13 2006-07-15 Lg Electronics Inc Phenyl pyridine-iridium metal-komplexverbindungen für organische elektroluminizierende vorrichtung, verfahren zur herstellung der verbindungen und organische elektroluminizierende vorrichtung, die diese verbindungen verwendet
KR100615215B1 (ko) * 2004-04-13 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 이리듐 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
US7154114B2 (en) * 2004-05-18 2006-12-26 Universal Display Corporation Cyclometallated iridium carbene complexes for use as hosts
US7655323B2 (en) * 2004-05-18 2010-02-02 The University Of Southern California OLEDs utilizing macrocyclic ligand systems
US7393599B2 (en) * 2004-05-18 2008-07-01 The University Of Southern California Luminescent compounds with carbene ligands
US7534505B2 (en) * 2004-05-18 2009-05-19 The University Of Southern California Organometallic compounds for use in electroluminescent devices
US7601436B2 (en) 2004-05-18 2009-10-13 The University Of Southern California Carbene metal complexes as OLED materials
US7445855B2 (en) * 2004-05-18 2008-11-04 The University Of Southern California Cationic metal-carbene complexes
US7279704B2 (en) 2004-05-18 2007-10-09 The University Of Southern California Complexes with tridentate ligands
US7598388B2 (en) * 2004-05-18 2009-10-06 The University Of Southern California Carbene containing metal complexes as OLEDs
US7491823B2 (en) 2004-05-18 2009-02-17 The University Of Southern California Luminescent compounds with carbene ligands
US8617819B2 (en) * 2004-09-17 2013-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Polymers for analyte detection
US8492749B2 (en) 2004-12-23 2013-07-23 Basf Se Electroluminescent metal complexes with nucleophilic carbene ligands
JP4548121B2 (ja) * 2005-01-14 2010-09-22 セイコーエプソン株式会社 発光素子の製造方法
KR100676965B1 (ko) * 2005-03-05 2007-02-02 주식회사 두산 신규 이리듐 착화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR100803125B1 (ko) 2005-03-08 2008-02-14 엘지전자 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
KR100797469B1 (ko) 2005-03-08 2008-01-24 엘지전자 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
AU2006275514B2 (en) 2005-07-29 2012-04-05 Resverlogix Corp. Pharmaceutical compositions for the prevention and treatment of complex diseases and their delivery by insertable medical devices
KR100662378B1 (ko) * 2005-11-07 2007-01-02 엘지전자 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
US8501328B2 (en) 2005-11-07 2013-08-06 Lg Display Co., Ltd. Red phosphorescent compounds and organic electroluminescent devices using the same
US9023489B2 (en) 2005-11-07 2015-05-05 Lg Display Co., Ltd. Red phosphorescent compounds and organic electroluminescent devices using the same
TWI331484B (en) * 2006-03-15 2010-10-01 Au Optronics Corp Organic emmitting material for oled
KR20070097139A (ko) * 2006-03-23 2007-10-04 엘지전자 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
US9118020B2 (en) * 2006-04-27 2015-08-25 Global Oled Technology Llc Electroluminescent devices including organic eil layer
GB2440368A (en) * 2006-07-26 2008-01-30 Oled T Ltd Cathode coating for an electroluminescent device
US7608677B2 (en) * 2006-07-28 2009-10-27 General Electric Company Method for preparing polymeric organic iridium compositions
US7718277B2 (en) * 2006-07-28 2010-05-18 General Electric Company Electronic devices comprising organic iridium compositions
US7691494B2 (en) * 2006-07-28 2010-04-06 General Electric Company Electronic devices comprising organic iridium compositions
US7718087B2 (en) * 2006-07-28 2010-05-18 General Electric Company Organic iridium compositions and their use in electronic devices
US7704610B2 (en) * 2006-07-28 2010-04-27 General Electric Company Electronic devices comprising organic iridium compositions
US7695640B2 (en) * 2006-07-28 2010-04-13 General Electric Company Organic iridium compositions and their use in electronic devices
US7691292B2 (en) * 2006-07-28 2010-04-06 General Electric Company Organic iridium compositions and their use in electronic devices
US8283423B2 (en) 2006-09-29 2012-10-09 Massachusetts Institute Of Technology Polymer synthetic technique
US8802447B2 (en) * 2006-10-05 2014-08-12 Massachusetts Institute Of Technology Emissive compositions with internal standard and related techniques
US20090215189A1 (en) 2006-10-27 2009-08-27 Massachusetts Institute Of Technology Sensor of species including toxins and chemical warfare agents
JP5262104B2 (ja) 2006-12-27 2013-08-14 住友化学株式会社 金属錯体、高分子化合物及びこれらを含む素子
DK2118074T3 (en) 2007-02-01 2014-03-10 Resverlogix Corp Compounds for the prevention and treatment of cardiovascular diseases
US9130177B2 (en) 2011-01-13 2015-09-08 Universal Display Corporation 5-substituted 2 phenylquinoline complexes materials for light emitting diode
JP5638246B2 (ja) * 2007-03-08 2014-12-10 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション リン光材料
JP2008270737A (ja) * 2007-03-23 2008-11-06 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP5202864B2 (ja) * 2007-03-29 2013-06-05 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置
JP4775297B2 (ja) * 2007-03-29 2011-09-21 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置
US20080284318A1 (en) * 2007-05-17 2008-11-20 Deaton Joseph C Hybrid fluorescent/phosphorescent oleds
US20080284317A1 (en) * 2007-05-17 2008-11-20 Liang-Sheng Liao Hybrid oled having improved efficiency
US8034465B2 (en) * 2007-06-20 2011-10-11 Global Oled Technology Llc Phosphorescent oled having double exciton-blocking layers
US8383249B2 (en) * 2007-10-04 2013-02-26 Universal Display Corporation Complexes with tridentate ligands
US8067100B2 (en) * 2007-10-04 2011-11-29 Universal Display Corporation Complexes with tridentate ligands
KR100910153B1 (ko) * 2007-11-20 2009-07-30 (주)그라쎌 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자
JP5258271B2 (ja) * 2007-11-28 2013-08-07 キヤノン株式会社 有機金属錯体及びこれを用いた発光素子並びに表示装置
EP2225346A1 (en) 2007-12-17 2010-09-08 General Electric Company Emissive polymeric materials for optoelectronic devices
US7973126B2 (en) * 2007-12-17 2011-07-05 General Electric Company Emissive polymeric materials for optoelectronic devices
US20090191427A1 (en) * 2008-01-30 2009-07-30 Liang-Sheng Liao Phosphorescent oled having double hole-blocking layers
WO2009158555A2 (en) * 2008-06-26 2009-12-30 E.I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
DK2346837T3 (en) 2008-06-26 2015-04-20 Resverlogix Corp Methods for preparing quinazolinone derivatives
JP5353509B2 (ja) * 2008-07-16 2013-11-27 国立大学法人群馬大学 新規錯体化合物、並びにそれを用いた酸素濃度測定試薬および癌の診断薬
US7989580B2 (en) 2008-10-29 2011-08-02 General Electric Company Phosphorescent iridium complexes
ES2463097T3 (es) 2009-01-08 2014-05-27 Resverlogix Corp. Compuestos para la prevención y el tratamiento de enfermedades cardiovasculares
CA2754509C (en) 2009-03-18 2018-03-06 Resverlogix Corp. Novel anti-inflammatory agents
PT2421533T (pt) 2009-04-22 2019-01-21 Resverlogix Corp Novos agentes anti-inflamatórios
JP5523016B2 (ja) * 2009-08-20 2014-06-18 キヤノン株式会社 複素環化合物及びこれを用いた有機発光素子
EP2471122A4 (en) 2009-08-24 2013-11-06 Du Pont ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE LUMINAIRES
US20110204336A1 (en) * 2009-08-24 2011-08-25 E.I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
WO2011028475A2 (en) * 2009-08-24 2011-03-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
WO2011028482A2 (en) * 2009-08-24 2011-03-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
EP2471118A2 (en) * 2009-08-24 2012-07-04 E. I. du Pont de Nemours and Company Organic light-emitting diode luminaires
US20110260603A1 (en) * 2009-10-29 2011-10-27 E.I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
US8716699B2 (en) * 2009-10-29 2014-05-06 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diodes having white light emission
US20110266525A1 (en) * 2009-10-29 2011-11-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
EP2494624A4 (en) * 2009-10-29 2014-01-08 Du Pont LIGHT PANELS WITH ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES
US20110266524A1 (en) * 2009-10-29 2011-11-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
US20110260142A1 (en) * 2009-10-29 2011-10-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
US8716700B2 (en) 2009-10-29 2014-05-06 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diodes having white light emission
US8674343B2 (en) 2009-10-29 2014-03-18 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diodes having white light emission
US20110260143A1 (en) * 2009-10-29 2011-10-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
US10008677B2 (en) 2011-01-13 2018-06-26 Universal Display Corporation Materials for organic light emitting diode
JP5532020B2 (ja) * 2011-06-28 2014-06-25 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置
HUE044986T2 (hu) 2011-11-01 2019-11-28 Resverlogix Corp Orális, azonnali felszabadulású készítmények szubsztituált kinazolinonokhoz
WO2013104649A1 (en) 2012-01-12 2013-07-18 Basf Se Metal complexes with dibenzo[f,h]quinoxalines
CN103204880B (zh) * 2012-11-12 2016-01-20 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种有机磷发光材料、其制备方法以及由其制成的有机电致发光器件
US9765039B2 (en) 2012-11-21 2017-09-19 Zenith Epigenetics Ltd. Biaryl derivatives as bromodomain inhibitors
WO2014080290A2 (en) 2012-11-21 2014-05-30 Rvx Therapeutics Inc. Cyclic amines as bromodomain inhibitors
CN102977152B (zh) * 2012-12-07 2014-12-10 太原理工大学 一种橙红光磷光粉的制备方法
JP2016507496A (ja) 2012-12-21 2016-03-10 ゼニス・エピジェネティクス・コーポレイションＺｅｎｉｔｈ Ｅｐｉｇｅｎｅｔｉｃｓ Ｃｏｒｐ． ブロモドメイン阻害剤としての新規複素環式化合物
CN103936792B (zh) * 2013-12-12 2017-04-26 石家庄诚志永华显示材料有限公司 含有吡唑结构单元的化合物
KR101706203B1 (ko) 2014-11-10 2017-02-27 부산대학교 산학협력단 신규한 적색 발광 이리듐(iii) 착화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
JO3789B1 (ar) 2015-03-13 2021-01-31 Resverlogix Corp التراكيب والوسائل العلاجية المعتمدة لمعالجة الامراض المتعلقة بالمتممة
CN104987859A (zh) * 2015-06-24 2015-10-21 电子科技大学 有机电致磷光发光材料及其制备方法和发光器件
EP3689887A4 (en) 2017-09-29 2021-06-09 Sumitomo Chemical Company Limited COMPOSITION AND ELECTROLUMINESCENT DEVICE USING THE SAME
CN111909213B (zh) 2019-05-09 2024-02-27 北京夏禾科技有限公司 一种含有三个不同配体的金属配合物
CN111909212B (zh) 2019-05-09 2023-12-26 北京夏禾科技有限公司 一种含有6-硅基取代异喹啉配体的有机发光材料
CN111909214B (zh) 2019-05-09 2024-03-29 北京夏禾科技有限公司 一种含有3-氘取代异喹啉配体的有机发光材料
CN112679548B (zh) 2019-10-18 2023-07-28 北京夏禾科技有限公司 具有部分氟取代的取代基的辅助配体的有机发光材料
DE102021100230A1 (de) 2020-01-10 2021-07-15 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organisches lichtemittierendes Material
CN113105507B (zh) * 2020-01-10 2023-09-12 北京夏禾科技有限公司 有机发光材料

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3718488A (en) 1971-03-02 1973-02-27 Du Pont Precious metal decorating compositions containing bis-chelate derivatives of palladium
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
DE69110922T2 (de) 1990-02-23 1995-12-07 Sumitomo Chemical Co Organisch elektrolumineszente Vorrichtung.
US7294712B2 (en) * 1990-06-04 2007-11-13 Aventis Pharma S.A. Nucleotide sequences coding for variable regions of β chains of human T lymphocyte receptors, corresponding peptide segments and the diagnostic and therapeutic uses
US5408109A (en) 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
US5552678A (en) 1994-09-23 1996-09-03 Eastman Kodak Company AC drive scheme for organic led
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
DE60031729T2 (de) 1999-05-13 2007-09-06 The Trustees Of Princeton University Lichtemittierende, organische, auf elektrophosphoreszenz basierende anordnung mit sehr hoher quantenausbeute
JP3949363B2 (ja) * 1999-10-26 2007-07-25 富士フイルム株式会社 芳香族縮環化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子
CN1840607B (zh) 1999-12-01 2010-06-09 普林斯顿大学理事会 作为有机发光器件的磷光掺杂剂的l2mx形式的络合物
US6821645B2 (en) 1999-12-27 2004-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
JP3929690B2 (ja) 1999-12-27 2007-06-13 富士フイルム株式会社 オルトメタル化イリジウム錯体からなる発光素子材料、発光素子および新規イリジウム錯体
JP3929689B2 (ja) * 2000-03-28 2007-06-13 富士フイルム株式会社 高効率赤色発光素子、イリジウム錯体から成る発光素子材料及び新規イリジウム錯体
JP2001284049A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Fuji Photo Film Co Ltd 色変換膜及びそれを用いた発光装置
JP4048521B2 (ja) 2000-05-02 2008-02-20 富士フイルム株式会社 発光素子
US20020121638A1 (en) 2000-06-30 2002-09-05 Vladimir Grushin Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
US6670645B2 (en) 2000-06-30 2003-12-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
ATE482476T1 (de) 2000-07-17 2010-10-15 Fujifilm Corp Lichtemittierendes element und azolverbindung
US6939624B2 (en) 2000-08-11 2005-09-06 Universal Display Corporation Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
CN101924190B (zh) 2000-08-11 2012-07-04 普林斯顿大学理事会 有机金属化合物和发射转换有机电致磷光
JP4344494B2 (ja) * 2000-08-24 2009-10-14 富士フイルム株式会社 発光素子及び新規重合体子
JP4154139B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子
JP4154138B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子、表示装置及び金属配位化合物
KR100533556B1 (ko) 2000-11-30 2005-12-06 캐논 가부시끼가이샤 발광 소자 및 표시 장치
KR100865096B1 (ko) 2000-11-30 2008-10-24 캐논 가부시끼가이샤 발광 소자 및 표시 장치
JP4154145B2 (ja) * 2000-12-01 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物、発光素子及び表示装置
EP1371708A4 (en) * 2001-02-14 2004-06-16 Sanyo Electric Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE, LUMINESCENT MATERIAL, AND ORGANIC COMPOUND
JP4438042B2 (ja) * 2001-03-08 2010-03-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置
JP2002359079A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Canon Inc 発光素子及び表示装置
JP3650082B2 (ja) * 2001-06-04 2005-05-18 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、発光材料および有機化合物
JP4285947B2 (ja) * 2001-06-15 2009-06-24 三洋電機株式会社 発光性有機金属化合物及び発光素子
WO2002104080A1 (fr) * 2001-06-15 2002-12-27 Canon Kabushiki Kaisha Dispositif a electroluminescence organique
JP4208492B2 (ja) * 2001-06-15 2009-01-14 キヤノン株式会社 発光素子
JP2003073387A (ja) * 2001-09-04 2003-03-12 Canon Inc 金属配位化合物及び有機発光素子
US6916566B2 (en) * 2001-10-17 2005-07-12 Ford Motor Company System and method for rapid preheating of an automotive fuel cell
US6835469B2 (en) 2001-10-17 2004-12-28 The University Of Southern California Phosphorescent compounds and devices comprising the same
US7166368B2 (en) 2001-11-07 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent platinum compounds and devices made with such compounds
US7250512B2 (en) * 2001-11-07 2007-07-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds having red-orange or red emission and devices made with such compounds
EP1466506A4 (en) 2001-12-26 2007-03-07 Du Pont IRIDIUM ELECTROLUMINESCENT COMPOUNDS WITH FLUORINATED PHENYLPYRIDINES, PHENYLPYRIMIDINES AND PHENYLQUINOLINES AND DEVICES CONTAINED THEREFROM

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