TWI306386B - Electromagnetic interference shield and method of making the same - Google Patents

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TWI306386B
TWI306386B TW093118392A TW93118392A TWI306386B TW I306386 B TWI306386 B TW I306386B TW 093118392 A TW093118392 A TW 093118392A TW 93118392 A TW93118392 A TW 93118392A TW I306386 B TWI306386 B TW I306386B
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Description

1306386 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關電子裝置所用電磁波干擾(EMI)防護 罩,尤指一種使用在行動電台之EMI防護罩。 【先前技術】 按電磁波干擾(EMI)防護罩(即屏蔽)係用來衰減包含 行動電台(手機)之各種電子裝置所產生,不然的話,就是 所接收之EMI。通常,屏蔽材料係、能夠反射、吸收或防止 來自進入或出自屏蔽材料包圍的封閉區域之射頻信號。 本來,屏蔽即防護罩包括一片導電金屬板材料,對寬 頻的電磁輻射線具有屏蔽的效果,然而,電子裝備或裝置 f导愈複雜,料裝置錢高功率位科會將愈敏感或 於產生特有的射頻信號。對金屬屏蔽而言,欲有效達到 ^類此特定頻率及功率位準的目的,必需要有非常厚的 敝對大部伤之行動台(或手機)而言將造成笨重且體 型大,以致難合適用之情形。 最近之改良式EMI屏蔽(即防護罩)包括—片導電材 ::ί ▲ ί :導電構件結合之附加之吸收構件。該吸收構件 板構件的表面電流,並吸收、反射、解散或改 2磁輻射線。典型的,該種材料特性應具有對電磁輻射 右Μ呈括導電性、介質常數及磁導料,為熟習於 &頻率的尨號之衰減技術者所裁量。吸收構件通 材枓及構造配合製成,以提供在對干擾最敏 感之頻率砣圍内具高屏蔽水準。 1306386 舉例言,吸收構件可由具有吸收特性之一塊聚矽氧、 胺:酸乙酯或其他材料利用壓敏性或壓力吸收性粘膠劑 貼者於導電構件上而構成。另—方式為可直接在導電構件 上施以夕層導電及吸收被覆層。無論使肋膠劑枯貼或利 用被覆塗層,均在該導電構件焊接於行動台之電路板之後 進仃,以便避免焊接過程中的高溫帶來不利之效應。 儘管結合金屬導電構件與吸收材料之屏蔽(防護罩) 帶來利點1收構件之枯著狀態有容易失效之傾向。至於 應用被覆塗層則需要反覆施行被覆及等候乾固以達到足 夠厚度來滿足屏蔽之要求。 因此,一種能容易製造之含有導電構件及吸收構件之 I,蔽疋有利的’尤其是,若該EMI屏蔽能不使用枯膠 劑或多層被覆而簡單構成,則更有利。
【發明内容】 十對别述需要,及達成其他利點,提供一 種改良之腿屏蔽,用來阻隔及消散電磁波干擾。此’EMI 屏蔽或防護罩包括—具有多個抓鉤伸人—吸收構件上所 形成多個穿插孔内以將二構件牢固連結之主導電構件。 :正常之使用期間,吸收構件能確實牢固地保持在主 導電構件上是有利的。此外,吸收構件可制 :接作業時所產生溫度靴至26(rc之範圍之材2 構件與吸收構件可在emi屏蔽焊接於行 動口(手機)之電子電路之前先組裝在-起。在另一开,離 中,抓鉤具有銳緣以利吸收構㈣人固定在抓鉤上,藉^ 1306386 方式有利於免用粘貼或吸收被覆層沈積之手續。 在一具體實施形態中,本發明之行動台(手機)包括 一用來阻隔及耗散電磁波干擾之含有一主導電構件之電 磁波干擾防護罩(屏蔽)》主導體構件具有第一安裝面及 包含至少一個從安裝面向外突出之抓鉤。吸收構件具有第 二安裝面,此安裝面至少有一部份與第一安裝面接合。吸 收構件上形成有至少一個在第二安裝面上具有入口之穿 插孔。主導電構件之抓鉤經由該入口插入吸收構件之穿插 =内而將吸收構件牢固地固定在抓鉤上。導體構件最好是 含有複數個抓鉤伸入吸收構件之相對應數之插孔内。 、吸收構件可由具有多層次之導電材料與吸收材料形 成之積層體或具有導電材料與吸收材料組成之樹脂複合 材料構成。在另一實例中,吸收構件是由包封在聚合物本 體内之導電網構成。或者,該吸收構件也可由包封在導電 2棉構造體中之非導電網所構成。吸收構件最好是在配 合焊接作業時之溫度範圍諸如:139°C至22(TC甚至或139 C至26Gt範圍内具有充分之堅固性,以便於將屏蔽焊接 於電子電路或其他行動台之部件時能耐此焊接作業。 在另一具體實施形態中,主導電構件是具有延展性之 片材’而抓鉤是利料子沖成。抓鉤可形成具有尖銳邊緣 =如由三角形沖子沖成),如此,吸收材料可壓入該尖 2緣而使二構件相連接之同時,也在該吸收構件上形成 〇孔(抓鉤承接孔)。抓鉤可具有足鉤長度以完全貫穿 °收構件之相對表面然後將尖端彎曲以將二構件體結合 1306386 固定在一起。或者,也可在吸收構件上預先形成穿插孔, 牙插孔可藉由例如:衝切、喷水鑽孔、雷射鑽孔、鑽頭鑽 孔或超音波切割等方法形成。 在再一具體實施形態中,主導電構件包括一聚合物薄 片’其上开;^成有從安裝面延伸出之抓鉤,有一導枋料加貼 於該聚合物薄片及抓鉤上以提供導電性。 在又一具體實施形態中,主導電構件包括至少二個自 第一安裝面向外延伸之抓鉤。此實施形態之吸收構件具有 至少二個相對邊,而每一抓鉤沿著並緊貼於二相對邊之一 對應邊’藉此使兩個構件確實固定在一起。 本發明之EM I防護罩具有許多優點:例如,不必使用 任何枯膠劑或被覆及乾燥固化方式,而只使用抓鉤即能使 導電構件牢ϋ地貼附在吸收構件上;此外,此三構件在某 些實施例中尚可在焊接過程之前預先組裝在—起,因為所 使用之吸收構件之材料可耐溫高達26(rc,;還有,吸收構 件之結構及特性可依例如行動台等精巧之電子裝置所需 要EJU頻率之屏蔽範圍内選擇性地變化。在前述一實施例 中之一角形抓鉤之特殊構造,有利於無需在吸收構件上事 先開設穿插孔便可容易地裝配在一起。 【實施方式】 -茲依照附圖就本發明之構成詳細說明如下:按附圖僅 不本毛明之某些實施例’而非所有實施例。當然,此等發 明尚可:種種不同之形態加以具體化,而非倡限於下文將 述各貫施例更正確而言,所舉之實施例只是為此技術 1306386 足法定要求而已。又,圖中凡相同或相當之構 件白以相同之符號表示0 第1圖表示本發明之ΕΜΙ防護罩(屏蔽)1〇定位於 部份拆解之行動台5〇 $ φ. ,,, ' 實施例^特別是顯示該ΜΙ防 :罩連結在行動台50之背般部3〇之情形。此背般部 3〇形成能裝配於行動台5G之表殼部31之形狀。此兩殼 ,-旦組裝為—體,範屏们。即完全定位且與電路板 $結合成電氣連接,藉以遮蔽多個電子元件33。腿屏 蔽,括-附在—吸收構件12上之主導構件u,以便能夠 遮蔽具有廣大fe圍之干擾頻率及_個或更多個狹小範圍 之頻率之信號。後者之頻率具有通常高於其餘之廣大範圍 之頻率之功率位準。 在此所述之EMI屏蔽可用在任何電子裝置,唯最好用 於行動台。此£MI屏蔽適宜用於行動台之理由為其與原金 屬屏蔽比較具有緊湊的大小及輕量之特點之故,而金屬屏 蔽對行動裝置而言,常會帶來不受歡迎之笨重及笨大之 弊。一般而言,在此所討論之適用EMI屏蔽之行動台是指 行動電話,但疋此種論述只是舉可從本發明得利之行動台 之—種機型為例加以說明而已,因此,不能視為限定本發 明之專利範圍。 舉例S之’其他型之行動台如:攜帶式個人數位助理 (PDA)、呼叫器、筆記型電腦及其他型之語音及文書通信 系統均可使用本發明。此外,本發明系統及裝置將主要關 連於行動通信之應用加以說明,唯須知本發明之系統及裝 1306386 置可利用於有關之種種其他方面之應用,包括行動通信工 業及行動通信工業以外之產業。 主導構件11在本實施例中包括一由周牆結構14包圍 之通常呈長方形之平坦底座,該周牆結構14自底座之第 一安裝面15向外延伸,底座之另一面(即背面)為緊接於 行動台50之背殼部30之外側面16。此外側面丨6如第i 囷所示可附貼於背殼部30 ,藉此使周牆結構14於外殼組 裝時能保持與電路板32接觸之狀態。另一種選擇為,該 周牆結構14可焊接於電路板32,如此則可免去外侧面16 附裝在背殼部30上。不管如何,EMI屏蔽1〇與電路板32 之間需有接觸以建立電氣連接。 第1圖所顯示之長方形導電構件u最好是用於一般 也具有長方形外殼及長方形電路板之行動電話型行動 台,然而,本發明並非偈限於該種形狀,蓋因種種不同形 狀之導電構件11可配合需屏蔽之具—致之各種不同形狀 之電子電路及裝置之故。舉例言,圓形者可用於圓形電路 板’或不規卿狀者可匹配-個或多個電路板或電子電路 組件。枝之職及其狀間隙以、為另—個會影響導電 構件之形狀之因素。 配置EMI屏蔽1〇在電路板32上使周牆結構14盘電 可提供通達電子部件之電導通道以使題屏蔽 保護外部之f針擾波⑽)及吸"子部 在該電子構件上之EMI。 展王次打 依本發明各種不同方式之焊接方法可用來冑腿屏 10 1306386 蔽10連接至電路板32,甚至在導電及吸收部件η及12 f接之後實施。舉例言,用液體焊波掃過電子部件板之波 流焊接,或者使用對流或壓力空氣之回流焊接均可使用, 容後文詳述。 θ雖然本發明之EMI屏蔽10適宜採用能產生較高溫度 之焊接,唯亦可採用其他方法及裝置以在電子電路與 屏蔽ίο之間建立電導通道。例如EMI屏蔽可包括由自電 子電路引出之導線連接之端子或導電帶或冑腿屏蔽電 連接於電子電路之#著物。各種各樣之電子電路之开)狀 (―般隨著行動台或其他電子裝置之形態而變化)及不伴 隨焊接之EMI屏蔽1()與電子電路之導電連接可依習用手 段來實現,因此不在下文中贅述。 第一安裝面15上設有多個突剌或抓鉤17向外突出以 ,絲抓持吸收構件12緊貼導電構件1卜在此實施例 ,母一個抓鉤17係由做為導體構件12之薄片材料向外 =上沖出之折彎部構成。圖示之抓鉤17每—個皆形成具 —對側邊交接於一尖端之三角形’這些抓鉤17最好是 <用三角形沖子時對導電構件11之焊接面16沖切並折曲 而形成從另—面即安裝面15向外突伸之三角形突片。 了文將就本發明之—種裝配方法之實施例更詳細敘 2 °圖不之三角形且具銳緣之抓鉤Π方便使用壓力結 〇件11,12以構成EMI屏蔽,此方法包括將吸收構件 壓入抓鉤17使之剌穿並抓持該吸收構件。 導電構件11最好使用可壓延性導電金屬板材如:紹 1306386 或銅等有助於提高屏蔽效果且可利用沖壓方法以管曲形 成其周牆結構14之板材構成。其他可用之導電金屬材料 尚有諸如鍚、鋁、金、銀、鎳等單一材料或互相組合之材 料。舉例言,在銅板材料上被覆一層鉛、金、銀、鎳或另 一層銅。使用板片材料有利於減輕導電構件u之重量之 同時可提供基寬廣之頻率範圍之EMI屏蔽。一種取代可壓 延性金屬導電構件11之構成為,採用合成材料如:聚合 物或複合材料利用模製成型方法製成。該成型部件隨後^ 施以被覆導電材料以提供屏蔽能力。 上述模製方法也有利容易形成不同形狀之抓鉤17及 抓鉤17佈設,舉例言,抓鉤17可以形成夾片以壓接吸收 構件12之邊緣,或形成栓、銷穿過吸收構件12等等。因 應該知道導電構件u與其抓鉤17之構造不應限定於 前述實施例,而是可能形成各種形狀及大小,只要能提供 EMI屏蔽之基準及抓鉤能將吸收構件12確實保持在導電 構件11即可。另外也該知道除了前述之材料之外,其他 型之金屬材料及非金屬材料同樣可使用,只要這些材料具 有相當之導電特性以提供屏蔽功效即可。 圖不實施例所表示之吸收構件12是一片板狀吸收材 料如.3有導電材料微粒子之可塑性塑膠或導電層與吸 收層交互積層而成之積層板等是,此吸收構件12通常是 與導電構件11之矩形一致,但有時是較小。吸收構件12 係位於周牆結構14所圍中央位置且含有位於面對導電構 件11之第—安裝面15之第二安裝面18如第3圖所示。 12 1306386 吸收構件12也具有位於其第:安裝面18之相反側之表面 19 〇 吸收構件12如同導電構件以此不能被視為有必要 較形狀或外形,此吸收構件u可形成配合導體 m形狀,❿導體構件11則最好形成將要屏蔽之電 =件之㈣、形狀及大小。此外,吸收 二件’而是可以由呈相接觸或不接觸之相關 材科箱組成之組件,只要能屏蔽所期望頻率之EMI即 m,圖示實施例顯示一只通常為矩形之行動電 件,從其變化上同樣可獲得其利^電台及電子構 19之^=^上形财多”㈣«件之兩面18及 之牙插孔20,母-個對應之抓鉤17插通各對應 =20,特別是,每一個抓釣17通常從安裝面J完全穿 通吸收構件後露出其反側面19。 部份抓鉤17並無相對應之穿插孔2〇 有四個抓鉤17從導電構件u 圖斤不 構件之外緣21向上延伸,=女裝面15沿著吸收 對相向,其中一對扣住長方形二⑽成兩 扣住長方形EMI屏蔽之長邊。在此實施例中'設 t釣住=,帛Λ ^收料,奴可將其折 無二預先後透:/構:之中間部一, 孔。 生,一般皆穿透相對應之穿插 13 1306386 π,=圖:說明中用來拘束吸收構件12之多個抓鉤 ^ 一個通常相對之外側抓鉤,或者一個穿過 在:起插:,之抓鉤,即有可能牢固保持二構件 。3如說,單一之非圓形斷面之抓鉤17可延伸穿 透其中一個穿插孔20且如果是緊密壓人其中,即可將吸 收,件U對於導電構件u不致旋轉及移動地保持住、。在 另一㈣中,抓鉤17可具有突緣末端以限制抓鉤 脫出’舉财’可將㈣之三㈣抓鉤17之尖端折 彳壓在吸收構件12之反側面19上。 本發明之EM I屏蔽1 〇之另一實施例為,吸收構件12 士之多個穿插孔20可如第4圖所示配合一不規則圖形適 ‘佈°又導電構件11之抓鉤17呈對應地設在可穿透穿插 孔20之位置,通常每一抓鉤形成導電構件n與吸收構件 12之間之接地,以便由EMI屏蔽10吸收一個或多個共振 頻率。由於抓鉤附設在不規則排列之位置,每一重複設置 即提供更多共振給予吸收構件12之一恆定掃頻。在上述 實施例,該不規則圖形為三元柯赫(TriadicK:och),但也可 使用其他不規則圖形’例如:其他柯赫雪花狀及樹狀結 構,西爾品克西塾料(Sierpinksi Gsket)或單極及希耳伯特 曲線(Hilbert curve)可用來決定接地位置。 吸收構件12最好是使用當定位在抓鉤17上時足以確 實支持本身及甚至在高焊接溫度下能牢固保持定位之材 料構成’焊接作業時會產生相當程度之高溫,而由於導電 構件11之導電性,曝露在此高溫下之EMI屏蔽1〇會比要 14 1306386 連接屏蔽之電路曝露在此高溫下來得更耐用。 。舉例s,共熔焊接(使用鉛)會產生溫度約139。(:至 220 C,而無鉛焊接溫度會高達26(rc,因此,用來構成 =構件12之材料,其熔點溫度及熱變形溫度最好是在 最高焊接溫度之範圍内或超過此溫度,結果,吸收構件在 此等高溫時必須具有足夠之結構剛性,以抗因本身重量而 J損或變形’依吸收構件之特性折衷選定。舉例言,其高 酿度不能有反而影響及抓鉤17與吸收構件12之間之電氣 通道ί 5。在一實施例中,吸收構件12可由能耐焊接過 溫之熱塑性塑膠或熱固性塑膠材料構成,該熱塑性 韓…: 利用射出成型、壓縮成型或樹脂 M 法在模具中處理形成。又在另一實施例中,吸 片肤而Γ利用加熱及滾壓至溶融狀態並形成相當薄之板 月狀而加以處理形成薄膜片。 積層:::1:所使用之材料也可包含由多層非均質層 一心層於其另t實例為包含*兩層薄導電層夾持 體内之導i層戈力覆’―包封在聚合特基材或非導電性網 被覆可料電性材敎細胞結構。導電層 被覆了包含開放或閉鎖細胞導電發泡體。 士在又—實施例中,吸收構件12可由均質材料如•且 有化學結構能發揎轿 材科如·具 料形成^二ru㈣性之㈣性聚合物材 基甲酸醋、液晶聚合物、聚人物厚膜古繁/醯胺聚風 合物均可做At 口物厚膜油墨及這些材料之混 巧J做為導電性聚合物來使用。 15 1306386 吸收構件12所用材料也可以具有附帶另外之導電性 收Si::添加於該聚合物之複合結構,舉例言,該吸 件12包括7二或鐵粉加載於矽片。再一實施例為吸收構 電性产氧It :銀、銅、銻、金、翻等金屬之導 庳由2 在任何場合,導電性及吸收性構件兩者皆 ::棱供各種各樣廣泛且可選擇屏 電性材料構成。 之導 在製造上述實施例之EMI屏蔽1〇之過程中,一張導 生:可延展之金屬板材先被沖切成為適當形狀大小之 绫邱Γ道t有經向一共同方向彎曲以形成周牆結構4之周 ^及導電構件u之底部。然後’利用一三角形衝子從 焊接面16往第一安裝面15衝切穿透該導電構件之底部, ^形成自第-安裝面15衝開彎曲向外突出之抓釣Η之三 角形銳緣及尖端,詳如第3圖所示。 隨後,將吸收構件12定位於抓釣17之上方後向抓釣 壓入,由於藉壓力施加於吸收構件12,若該材料上未 先形成穿插孔20時,三角形抓鉤17之尖端及銳緣會剌 穿該構件之材料而形成穿插孔2G,結果,—旦兩構件之 第一及第二安裝面15及丨8實際上接觸後,抓鉤17之尖 端即伸出吸收構件12之反側面19外部。如此,穿插孔 2〇即具有形成在第二安裝面18之進口端及形成在其反側 面19之出口端。又,做為一可任意選擇之附加步驟,抓 鉤π之末端可加以彎曲以使之與吸收構件12之反側面 19平齊對應。 16 1306386 插孔l為另一可同時將二構件U ’ 12貼合為—及形成穿 孔20之方法為’穿插孔2〇可事先沖切形成,然後,對 古爪鉤17嵌人而完成安裝。沖切方式可利用各種工呈及 =立例如:模具沖切、噴水鑽孔、雷射鑽孔、鑽刀鑽孔 =超日波切割等方法加卫穿透吸收構件而形成穿插孔 甭孔20 —旦預先形成時,便可藉抓鉤17插進對應 :牙插孔20而將二構件u,12之安裝面15,18帶入貼 合之安裝狀態。 、
上述二構件u,12 —旦組合好,ΕΜί屏蔽(防護罩) 即可接文上述各種焊接方法中之一種以建立連通電子 路之電氣通道。前述組裝步驟在焊接之前完成是有利 的’。因為不像傳統之屏蔽,本發明之ΕΜΙ屏蔽是能耐高達 260°C之燒焊溫度之故。
*本發明之EM I屏蔽有許多優點,例如:導電構件u 係藉由抓鉤17讀實地附裝在吸收構件12,而不用枯膠或 被覆及硬化處理;此外,在某些實施例中,構彳u,^ 可在焊接處理之前組裝在—起,蓋因所用之吸收構件之材 料具有高達26Gt:之溫度之容許度之故;再者,吸收構件 12之結構及性質可予以變化以選擇性地屏蔽例如行動電 台之複雜電子裝置所需EMI頻率之範圍。圖示實施例之三 角形抓鉤17之特疋構造有利於無需在吸收構件上預先沖 切穿插孔20而容易完成組裝,藉此可簡化裝配作業。 對於熟習於有關本發明之技藝人士而言,應可想到本 文所敘述之本發明尚可作種種修飾及其他實施例,可得利 17 1306386 自前述詳細說明及相關附圖所提示之内容,因此,應了解 本發明並不侷限於所揭示之特定實施例,而是涵蓋及在本 文之申請專利範圍内所包含之各種修飾及其他實施例。 又,雖然本文使用特定之用語,只是表達一般性及說明性 忍義’而非為限定之目的,在此聲明。 18 1306386 【圖式簡單說明】 第1圖為具有本發明一實施例之EMI防護罩之行動電 台之分解圖; 第2圖為第一圖所示EMI防護罩之透視圖; 第3圖為第一圖所示EMI防護罩之縱剖視圖; 第4圖為具備其上形成有不規則圖形配置之接地開 口本發明另一實施例之EMI防護罩之平面圖。 【主要元件符號說明】 10 EMI防護罩(屏蔽) 11 主導電構件 12 吸收構件 14 周牆結構 15 第一安裝面 16 焊接面 17 抓釣 18 第二安裝面 19 反側面 20 穿插孔 21 外緣 30 背殼部 31 表殼部 32 電路板 33 電子部件 50 行動電台(手機) 19

Claims (1)

1306386 十、申請專利範圍: 1. 一種用以阻隔及耗散電磁波干擾之電磁波干擾防 護罩’該防護罩包括: 一主導電構件,具有第一安裝面,此主導電構件包括 至少一個抓鉤自該第一安裝面向外延伸,及 吸收構件,具有第二安裝面面向上述第一安裝面, 此吸收構件形成有至少一個穿插孔; 其中自主導電構件延伸之抓鉤穿透吸收構件之穿插 孔,以將該吸收構件確實牢固地保持在抓鉤上。 .如申請專利範圍第1項之電磁波干擾防護罩,其中 該吸收構件於受到139tj_ 2耽之溫度後仍能確實保 其固定狀態。 '' 3.如申請專利範圍第i項之電磁波干擾防護罩,其 該吸,構件於受到139。〇至26(TC之溫度後仍能確實保; •其固定狀態。
_ 4.如申請專利範圍第1項之電磁波干擾防護罩,其中 該主導電構件具有多個抓鉤,而該吸數構件則形成有多個 用來收容每一對應之抓鉤之穿插孔。 5·如申請專利範圍第4項之電磁波干擾防護罩,其中 該主導電構件係-可延展性板狀材料,且其中該抓釣係自 20 1306386 該構件向外側延伸出來β 6.如申請專利範圍第4項之電磁波干擾防護罩,其中 每一抓鉤具有能穿透吸收構件而在該構件上形成 之相當尖銳之銳緣。 孔 上* .如申請專利範圍第4項之電磁波干擾防護罩,其中 §亥穿插孔係預先形成在吸收構件上。 8·如申請專利範圍第4項之電磁波干擾防護罩,其中 =主導電構件包括一其上預先形成有自上述第一安裝面 犬伸之抓鉤之聚合物板材,且此聚合板材被覆有導電材料 層0 9. 如申請專利範圍第4項之電磁波干擾防護罩,其中 該抓鉤完全穿透過該吸收構件至一反側面後,折彎成為大 致與該反側面平齊。 10. 如申請專利範圍第1項之電磁波干擾防護罩,其 中該吸收構件係由具有導電材料與吸收材料之組合之樹 脂複合材料構成。 11. 如申請專利範圍第1項之電磁波干擾防護罩,其 中該吸收構件係由具有導電材料層及吸收材料層之積層 21 ί3〇6386 材料構成。 12. 如申請專利範圍第 中該吸收構件係由 電磁波干擾防護罩,其 體構成。由包封在—聚合物基材中之導電性網狀 13. 如申請專利範圍第j項 令該吸收構件係由包 ,皮干擾防護罩,其 網狀體構成。 發泡結構中之非導電性 驟:14·-種電磁波干擾防護罩之製造方法,包括下列步 在主導電構件上提供形成多個抓鉤; 在吸收構件上提供多個穿插孔;及 藉由將抓鈞定位於穿插孔以將吸收構件安裝在主導 電構件上。 ,I5·如申請專利範圍第14項之電磁波干擾防護罩之 製造方法,其中該提供及安裝步驟係在將突設有抓鉤之導 電構件之第一安裝面帶入與吸收構件之第二安裝面接 觸’以使抓鉤穿透該第二安裝面成為埋入在該吸收構件中 並形成穿插孔,而同時發生。 16·如申請專利範圍第14項之電磁波干擾防護罩之 22 !3〇6386 —行動電台之電路 製造方法,尚包括將該導電構件 板上之步驟。 .
17:如巾料利範圍f 14項之電磁波干擾防護罩戈 法’其中該提供穿插孔之步驟包括在吸收構件形居 =匕’使該穿插孔從吸收構件之第二安裝面延伸至該怒 弯至==?面’該方法進-步包括將抓釣之物 項之電磁波干擾防護罩之 之步驟包括在該主導電構 18·如申請專利範圍第14 製造方法,其中該形成多個抓鉤 件上衝孔。 19. 如申請專利範圍第18㉟之電磁波干擾防護罩之 =方法,其中該衝孔包括使用三角形衝子以形 抓鉤。 n少
20. 、如申請專利範圍第14項之電磁波干擾防護 &方法’其中該形成穿插孔之步驟包括在將抓釣定位 穿插孔之前在吸收構件上沖切出穿插孔。 、 礼如申請專利範圍第2〇項之電磁波干擾防護 製造方法,其中該穿插孔之形成包括將吸收構件用模 切、噴水鑽孔、雷㈣孔、❹鑽孔及超音波方^ 之一種達成。 在中 23 1306386 22.如申請專利範圍第14項之電磁波干擾防護罩之 製造方法,其t該抓鉤之形成包括模鑄成型該主導電構 件’其上具有抓鉤。 ,23.如申請專利範圍第22項之電磁波干擾防護罩之
製造方法,尚包括在該模鑄成型之主導電構件及抓鉤上施 覆一層導電被覆層。 ,土 24.如申凊專利範圍第14項之電磁波干擾防護罩之 製造方法’尚包括麵成上述穿插孔於構件上之前形成該 吸收構件之步驟。 ,25.如申請專利範圍第24項之電磁波干擾防護罩之 製造方法,其中該吸收構件之形成包括將導電性網體包封 在吸收性聚合物基材中。
26·如申請專利範圍第24項之電磁波干擾防護罩之 方法,其中該吸收構件之形成包括附加導電性材料於 24項之電磁波干擾防護罩 之形成包括形成一具有導電 之 材 27.如申請專利範圍第 製造方法,其中該吸收構件 料及吸收材料層之積層體。 24 1306386 & 、申巧專利範圍第24項之電磁波干擾防護罩之 ,&去"中該吸收構件之形成包括形成將吸收性 埋入導電性發泡材料中。 29.如U專利範圍第24項之電磁波干擾防護罩之 、方法―’尚包括將電子部件焊接於主導電構件之步驟。 ^ 3G.-细以阻隔及耗散電磁波干擾之電磁波干擾防 護罩,該防護罩包括: 主導電構件,具有第—安裝面,此主導電構件包括 至>、兩個抓鉤自該第一安裝面向外延伸,及 及收構件’具有第二安裝面面向上述第一安裝面, 及至少二個相對邊; 其中母個抓鉤沿著各對塵之一個相對邊延伸乂將 該吸收構件確實地保持在二抓鉤之間。 31_如申請專利範圍第3〇項之電磁波干擾防護罩,豆 =吸收構件於受到丨机至26代之溫度後仍 保 持其固定狀態。 32·如申請專利範圍第3〇項之電磁波干擾防護罩,其 中該主導電構件具有多個抓鉤,而該吸收構件則形成 個用來收容每一對應之抓鉤之穿插孔。 25 1306386 33. 如申凊專利範圍第32項之電磁波干擾防護罩,其 中該主導電構件係-可延展性板狀材料,且其中該抓鉤係 自該構件向外側延伸出來。 34. 種行動電台’該行動電台包括: 一電子電路組件; 一主導電構件,具有第一安裝面,此主導電構件包括 至少一個抓鉤自該第一安裝面向外延伸,且此主導電構件 經由導電通道連接該電子電路組件;及 一吸收構件,具有第二安裝面面向上述第一安裝面, 此吸收構件形成有至少一個穿插孔; 、 其中自主導電構件延伸之抓鉤穿透吸收構件之穿插 孔,以將該吸收構件確實牢固地保持在抓鉤上,且其中該 主導電構件與吸收構件一齊遮蔽該電子電路組件以免受 到電磁波之干擾。 35_如申請專利範圍第34項之行動電台,其中該吸收 構件受到139t至260°C之溫度後仍能確實保持其固定狀 態。 、 36.如申請專利範圍第34項之行動電台,其中該主導 電構件具有多個抓鉤,而該吸收構件則形成有多個用來收 容每一對應之抓鉤之穿插孔。 1306386 37. 如申請專利範圍第36項之行動電台,其中該主導 電構件係-可延展性板狀材料,且其中該抓鉤係自該構件 向外側延伸出來。 38. 如申請專利範圍第37項之行動電台,其中每一抓 鉤具有此穿透吸收構件而在該構件上形成穿插孔之相當 尖銳之銳緣。 39. —種用以阻隔及耗散電磁波干擾之電磁波干擾防 護罩’該防護罩包括: 一主導電構件,具有第一安裝面; 一吸收構件,具有第二安裝面面向上述第一安裝面, 此吸收構件形成有多個開口配置成一不規則圖形,·及 <多個接地將吸收構件連接至主導電構件,該每一個接 地设於形成該不規則圖形之多個開口中對應之一個。 40. 如申請專利範圍第39項之電磁波干擾防護罩,其 中該接地包括一個自主導電構件延伸進入吸收構件之對 應開口内之抓鉤。 41. 如申請專利範圍第41項之電磁波干擾防護罩,其 ,該主導構件係-可延展性板狀材料,且其中該抵釣係自 5亥構件向外側延伸出來。 27 1306386 —42.如申句專利範圍第41項之電磁波干擾防護罩其 中每-抓鉤具有能穿透吸收構件而在該構件上形成穿插 孔之相當尖銳之銳緣。 驟: 43.-種電磁波干擾防護罩之製造方法,包括下列步 提供一主導電構件; 在吸收構件上提供多個穿插孔,其中該穿插孔係 成不規則圖形; ,t將吸收構件安裝在主導電構件上,及將吸收構件與 ¥電構件在該多個穿插孔巾形成電氣連接。 主 製、二4法如It專1範圍第43項之電磁波干擾防護罩之 釣I導雪該提供主導電構件之步驟包括提供多個抓 位在穿插心。 件f錢接包括將抓鉤定 45.如申請專利範圍第44 製造方法,其中該形成多個抓鉤 上衝孔。 項之電磁波干擾防護罩之 之步驟包括在主導電構件 46.如申請專利範圍第π @ 製造方法,”該提供:項之電磁波干擾防護罩之 穿插孔,使《插職吸收構件之第 2 28 1306386 收構件之相反側之面,該方法進一步包括將抓鉤之端末折 彎至該反側面上。 29
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