KR20050048701A - 다기능 금속 실드 케이스 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

베이스와 베이스의 가장자리에 대응하여 일체로 절곡 형성된 측벽으로 이루어진 금속 본체; 본체의 베이스와 측벽을 포함하는 내측면 위에 형성된 전기비도전의 열전도성 실리콘층을 포함하는 다기능 금속 실드 케이스가 개시된다. 열을 금속 본체에 신속하게 전달하여 외부로 열을 방출할 수 있으며, 열전도성 실리콘층이 전기비도전이기 때문에 전자부품과 금속 실드 케이스 간의 전기적 쇼트를 전혀 걱정할 필요가 없으며, 오히려 열전도성 실리콘층이 전자부품과 접촉되도록 함으로써 열전달이 보다 신속하게 이루어지도록 할 수 있다.

Description

다기능 금속 실드 케이스 및 그 제조방법{Multi-functional metal shield case and Method for making the same}

본 발명은 다기능 금속 실드 케이스 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속 본체의 내측면 위에 전기비도전의 열전도성 실리콘층을 형성하여 수납된 전자부품 또는 전자부품 모듈로부터 발생되는 열을 금속 본체에 신속하게 전달하여 외부로 열을 방출하도록 한 다기능 금속 실드 케이스에 관한 것이다.

더욱이, 본 발명은 금속 본체의 내측면 위에 전기비도전의 열전도성 실리콘층과 전기반도전성 및 열전도성을 갖는 전자파 흡수성 실리콘층을 순차적으로 적층하여 상기한 바와 같이 전자부품 또는 전자부품 모듈로부터 발생되는 열을 금속 본체에 신속하게 전달하는 외에 이들로부터 발생하여 외부로 방출되는 전자파를 흡수시켜 주고 외부로부터 유입되는 전자파를 흡수시켜 주는 다기능 금속 실드 케이스에 관련한다.

더욱이, 본 발명은 상기한 금속 실드 케이스를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.

전자기기와 정보통신기기는 소형화 및 집적화 되어 감에 따라 열, 정전기 및 전자파에 많은 영향을 받고 있다. 예를 들어, 전자부품으로서 마이크로프로세서는 처리속도가 빨라지고 메모리 반도체는 용량이 커짐에 따라 집적도가 증가함으로써 열과 전자파를 많이 발생하며, 이에 따라 주변의 열, 정전기 및 전자파에 영향을 많이 받는다.

종래에는 인쇄회로기판에 실장되는 전자부품이나 전자부품모듈의 전자파 차폐를 위하여 금속 실드 케이스가 사용되었는데, 그 제조공정을 살펴보면, 금속 시트를 프레스를 이용하여 연속 가공하여 금속 실드 케이스를 제작한 후 전자부품이나 전자부품모듈이 위치하는 인쇄회로기판 위에 솔더링 등으로 고정하여 전자파를 차폐하였다.

이와 같은 금속 실드 케이스를 적용함으로서 전자부품이나 전자부품모듈로부터 발생되는 열의 방출이 문제가 되어 실드 케이스 일부에 통기공을 형성하여 금속 실드 케이스 내부의 공기가 자연 대류에 의해 또는 팬에 의한 강제순환으로 통기공을 통하여 이동하도록 함으로써 내부의 열을 방출하였다.

그러나, 열의 방출을 고려하여 통기공을 많이 형성하면 전자파 차폐가 곤란하다는 문제가 생기며, 적게 형성하면 공기의 순환이 어렵다는 딜레마가 있다. 즉, 금속 실드 케이스 내부에서 발생한 열을 외부로 신속하게 전달될 수 있도록 함과 동시에 전자파로부터 차폐가 효과적으로 이루어질 수 있도록 통기공을 최적의 조건으로 형성해야 한다는 어려움이 있었다.

한편, 금속 실드 케이스 내부에 수납되는 전자부품이나 전자부품모듈은 전기적으로 금속 실드 케이스와 절연상태를 유지해야 하므로 금속 실드 케이스의 크기는 이를 고려하여 충분한 크기로 제작해야 한다.

그러나, 이와 같이 크게 제작하면, 금속 실드 케이스와 전자부품 사이에 큰 간격이 존재하여 여기에 있는 공기층에 의하여 열전도율이 저하되며, 또한 이 간격에 의하여 외부의 충격으로부터 전자부품을 보호하는데 한계가 있고, 더욱이 소형화와 집적화에 역행됨과 동시에 제조원가가 증가하는 문제가 있다.

전기절연에 대해서는 금속 실드 케이스의 내측면에 절연테이프를 부착하는 방법이 제시되어 있으나, 절연테이프의 열전도율이 낮고, 절연테이프 자체가 탄성력이 적기 때문에 외부충격으로부터 전자부품을 보호하지 못하며, 추가공정으로 제조원가가 증가하고 특히 전기 및 열적 절연테이프에 의해 통기공을 폐쇄할 우려가 크다는 문제점이 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 수납된 전자부품이나 전자부품모듈로부터 발생되는 열을 신속하게 금속 본체로 전달함과 동시에 외부의 충격으로부터 전자부품을 보호하고 소형화 및 집적화가 가능한 다기능 금속 실드 케이스 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 수납된 전자부품이나 전자부품모듈로부터 발생되는 열을 신속하게 금속 본체로 전달함과 동시에 내부에서 발생된 전자파가 외부로 유출되거나 외부로부터 전자파가 유입되는 것을 차폐하는 다기능 금속 실드 케이스 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적과 특징들은 이하에 서술되는 실시예를 통하여 보다 명확하게 이해될 것이다.

본 발명의 일 측면에 따르면, 베이스와 베이스의 가장자리에 대응하여 일체로 절곡 형성된 측벽으로 이루어진 금속 본체; 본체의 베이스와 측벽을 포함하는 내측면 위에 형성된 전기비도전의 열전도성 실리콘층을 포함하는 다기능 금속 실드 케이스가 개시된다.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 베이스와 베이스의 가장자리에 대응하여 일체로 절곡 형성된 측벽으로 이루어진 금속 본체; 본체의 베이스와 측벽을 포함하는 내측면 위에 형성된 전기반도전성 및 열전도성을 갖는 전자파 흡수성 실리콘층; 및 전자파 흡수성 실리콘층 위에 적층되는 전기비도전의 열전도성 실리콘층을 포함하는 다기능 금속 실드 케이스가 개시된다.

금속 본체와 열전도성 실리콘층 또는 금속 본체와 열도전성 실리콘층/전자파 흡수성 실리콘층을 관통하는 적어도 하나 이상의 통기공이 형성된다.

바람직하게, 전기비도전의 열전도성 실리콘층이나 전기반도전성 및 열전도성을 갖는 전자파 흡수성 실리콘층은 금속 본체의 베이스 위에만 형성될 수 있다.

또한, 상호 대향하는 측벽의 단부에는 인쇄회로기판에 끼워져 고정되는 고정 팁이 일체로 돌출 형성되며, 열전도성 실리콘층 또는 열전도성 실리콘층/전자파 흡수성 실리콘층은 고정 팁을 제외하고 형성된다.

바람직하게, 열전도성 실리콘층은 내부에 수납되는 전자부품이나 전자부품모듈과 직접 접촉될 수 있다.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 베이스와 베이스의 가장자리에 대응하여 일체로 형성된 측벽으로 이루어지며 평면상에 전개된 금속 본체를 준비하는 단계; 금속 본체의 내측면 위에 전기비도전의 열전도성 실리콘층을 형성하는 단계; 및 수납부가 형성되도록 금속 본체의 측벽을 절곡하는 단계를 포함하는 다기능 금속 실드 케이스의 제조방법이 개시된다.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 베이스와 베이스의 가장자리에 대응하여 일체로 형성된 측벽으로 이루어지며 평면상에 전개된 금속 본체를 준비하는 단계; 금속 본체의 내측면 위에 전기반도전성 및 열전도성을 갖는 전자파 흡수성 실리콘층을 형성하는 단계; 및 전자파 흡수성 실리콘층 위에 전기비도전의 열전도성 실리콘층을 형성하는 단계; 및 수납부가 형성되도록 금속 본체의 측벽을 절곡하는 단계를 포함하는 다기능 금속 실드 케이스의 제조방법이 개시된다.

열전도성 실리콘층은 액상의 열전도성 실리콘을 도포하고 열경화하여 형성되거나 전기비도전의 고체 열전도성 실리콘 시트를 전기비도전의 액상 열전도성 실리콘이나 실리콘 테이프를 이용하여 형성될 수 있다.

또한, 전자파 흡수성 실리콘층은 액상의 전자파 흡수성 실리콘을 도포하고 열경화하여 형성된다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 설명한다.

도 1은 본 발명에 따른 금속 실드 케이스를 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 금속 실드 케이스의 일부를 절단한 사시도이다.

도 1과 도 2를 참조하면, 본 발명의 금속 실드 케이스(10)는 베이스(11)와 베이스의 가장자리를 따라 일체로 절곡된 측벽(14)으로 이루어진 금속재질의 본체(15)와, 본체의 베이스(11)와 측벽(13)을 포함하는 내측면 위에 형성된 전기비도전의 열전도성 실리콘층(13)으로 이루어진다.

베이스(11)와 측벽(14)은 수납 폐공간을 이루도록 한 번에 일체로 제작되거나, 평면상에서 베이스(11)를 중심으로 측벽(14)을 일체로 설계한 후 측벽을 절곡하여 제작할 수 있다. 어느 경우도 적용될 수 있지만, 열전도성 실리콘층(13)을 내측면 위에 형성하면서 대량생산한다는 측면에서는 후자의 방법이 보다 효율적이다.

또한, 후자의 경우에 따르면, 측벽(14)이 절곡된 상태에서 각 모서리는 일정한 간격을 유지한 채 접합되지 않는다.

바람직하게, 금속 본체(15)의 전체 또는 일부, 예를 들어, 베이스(11)에는 다수개의 통기공(12)이 형성될 수 있다.

금속 본체(15)의 사이즈는 수납되는 전자부품 또는 전자부품모듈과의 간격을 최소화할 수 있는 정도이며, 바람직하게는 전자부품과 직접 접촉할 수 있는 정도로 제작할 수 있다.

상호 대향하는 측벽(14)의 단부에는 인쇄회로기판에 솔더링으로 실장되는 고정 팁(tip; 16)이 형성되며, 이 고정 팁(16)을 포함하는 측벽(14)의 단부 영역에는 열전도성 실리콘층(13)이 형성되지 않도록 하여, 후술하는 바와 같이, 인쇄회로기판에 실장할 경우 솔더링 등에 영향을 주지 않도록 할 수 있다.

열전도성 실리콘층(13)은 전기비도전의 열전도성 세라믹 파우더가 전기비도전 실리콘에 균일하게 혼합되어 형성된다. 바람직하게, 전기비도전의 열전도성 세라믹 파우더로는 보론 나이트라이드 또는 알루미늄 옥사이드가 이용될 수 있다. 즉, 보론 나이트라이드 또는 알루미늄 옥사이드는 열은 잘 전달하지만 전기에 대해서는 절연특성을 갖는다.

열전도성 실리콘층(13)을 형성하는 방법에 대해서 설명하면, 액상의 전기비도전 실리콘에 보론 나이트라이드 또는 알루미늄 옥사이드와 같은 전기비도전의 열전도성 세라믹 파우더를 균일하게 혼합한다.

이어, 상기한 바와 같이, 평면상에서 전개된 금속 본체(15)의 베이스(11)와 측벽(14)에 캐스터(caster)나 라미네이터(laminator) 또는 익스트루더(extruder)를 이용하여 필요 부위에 코팅을 한 후 열경화하고 프레스/벤딩공정을 거쳐 금속 실드 케이스를 제작한다.

필요에 따라서는 평면상에서 전개된 금속 본체(15)의 베이스(11)에만 열전도성 실리콘층(13)을 코팅할 수 있다.

바람직하게, 열전도 실리콘층(13)과 금속 본체의 강력한 접촉을 위하여 금속 본체(15)에 프라이머(primer) 처리를 한 후 코팅할 수 있다.

또한, 프레스/벤딩공정 중에 필요한 적절한 개수의 통기공(12)을 형성할 수 있다.

이와 같이 열전도성 실리콘층(13)을 코팅함으로써 전자부품이나 전자부품모듈로부터 발생되는 열을 신속하게 금속 본체로 전달할 수 있으며, 열전도성 실리콘층(13)이 전기비도전이기 때문에 전자부품과 금속 실드 케이스 간의 전기적 쇼트를 전혀 걱정할 필요가 없다.

특히 열전도성 실리콘층(13)이 전자부품과 직접 접촉되도록 함으로써 종래보다 2배 이상으로 열전달이 신속하게 이루어지도록 할 수 있으며, 이와 함께 실드 케이스의 전체 크기를 줄일 수 있어 소형화와 집적화에 큰 역할을 한다.

더욱이, 열전도성 실리콘층이 코팅된 후에 통기공을 형성하기 때문에 열전도성 실리콘층과 금속 본체의 동일한 위치에 필요한 개수로 배치할 수 있다.

또한, 인쇄회로기판이 휘어지는 등의 외부의 물리적 충격에 대해 열전도성 실리콘층(13)이 탄성을 갖기 때문에 충격을 흡수할 수 있다.

한편, 실드 케이스의 사이즈가 작거나 열전도성 실리콘층의 두께가, 예를 들어, 2㎜ 이상으로 지나치게 두꺼워서 상기와 같은 연속 공정으로 제조하는 것이 비효율적인 경우에는 금속 본체만을 프레스하고 벤딩하여 금속 실드 케이스를 제작한 후 미리 만들어진 열전도성 실리콘 시트를 적절하게 절단 및 가공하여 열전도성 실리콘 테이프나 액상의 열전도성 실리콘을 이용하여 접착하여 코팅할 수 있다.

이 경우, 금속 실드 케이스의 통기공과 열전도성 실리콘 시트의 통기공을 일치시키기 위하여 동일한 지그를 적용할 수 있다.

도 2a는 도 2의 변형예를 보여주는 단면도이다.

이 실시예에서는 금속 본체(15)의 내측면 위에 전기반도전성 및 열전도성을 갖는 전자파 흡수성 실리콘층(18)이 코팅되고, 이 전자파 흡수성 실리콘층(18) 위에 전기비도전의 열전도성 실리콘층(13)이 적층된다.

전자파 흡수성 실리콘층(18)은 전기도전성과 열전도성을 갖는 전자파 흡수성 파우더가 전기비도전 실리콘에 균일하게 혼합되어 형성된다.

바람직하게, 전자파 흡수성 파우더는 연자성 금속, 카본 그라파이트, 스피넬계 결정구조를 갖는 연자성 재료인 Ni-Zn계 페라이트, Mn-Zn계 페라이트, Cu-Zn계 페라이트, Mg-Zn계 페라이트 또는 Ba계 페라이트를 포함한다. 이 중에서 페라이트는 소성된 것을 사용한다.

특히, 연자성 금속과 페라이트는 전자파 흡수성과 전자파 차폐성을 동시에 가지며, 전기비도전의 실리콘과 섞이면서 전기저항이 증가하여 전기반도전성을 갖기 때문에 정전기를 제거하는 기능도 병행한다.

제작하는 방법의 일 예를 살펴보면, 액상의 전기비도전 실리콘에 전자파 흡수성 연자성 금속이나 카본 또는 연성 페라이트를 믹서를 이용하여 균일하게 혼합한 후 캐스터(caster)나 라미네이터(laminator), 익스트루더(extruder)를 이용하여 금속 본체(15)의 필요한 부위에 액상 전자파 흡수성 실리콘층(18)을 코팅시키고 열경화한다.

이어, 상기한 바와 같이, 액상의 전기비도전 실리콘에 보론 나이트라이드 또는 알루미늄 옥사이드와 같은 전기비도전의 열전도성 세라믹 파우더를 균일하게 혼합한 후 캐스터나 라미네이터, 익스트루더를 이용하여 열경화된 전자파 흡수성 실리콘층(18) 위에 열전도성 실리콘층(13)을 적층하고 열경화한다.

이어, 프레스하면서 벤딩을 하고, 필요한 위치에 통기공(12)을 형성한다.

이 실시예에 따르면, 상기한 실시예와 같이, 열전도성 실리콘층(13)을 코팅함으로써 전자부품이나 전자부품모듈로부터 발생되는 열을 신속하게 금속 본체로 전달할 수 있으며, 열전도성 실리콘층(13)이 전기비도전이기 때문에 전자부품과 금속 실드 케이스 간의 전기적 쇼트를 전혀 걱정할 필요가 없다.

또한, 전자파 흡수성 실리콘층의 열전달율이 3W/m℃ 이상이므로 열전달율이 3W/m℃ 이하인 열전도성 실리콘층만을 적용할 때보다 동일한 두께에서 보다 더 신속하게 열을 전달할 수 있다.

또한, 이와 같이 열전달 효율이 향상되면서도 전자부품으로부터 발생하는 전자파나 정전기를 흡수하여 차폐한다.

더욱이, 전자부품에서 발생된 전자파는 전자파 흡수용 실리콘층에서 흡수되어 열로 손실되고, 전자파 흡수성 실리콘층을 통과한 전자파는 금속 본체로부터 대부분 반사되어 다시 전자파 흡수성 실리콘층에 부딪히게 되어 소멸된다.

도 3은 본 발명에 따른 금속 실드 케이스의 실제 적용예를 보여주는 일부 절단 사시도이다.

도시된 바와 같이, 배선패턴(30)이 형성된 인쇄회로기판 위에는 전자부품들(20)이 실장되며, 본 발명에 따른 금속 실드 케이스(10)가 전자부품들(20)을 수납하도록 고정 팁(16)에 의해 인쇄회로기판 위에 장착된다.

고정 팁(16)에는 열전도성 실리콘층(13)이 코팅되지 않기 때문에 솔더링에 아무런 지장을 주지 않으며, 전자부품들(20)로부터 발생되는 열은 열전도성 실리콘층(13)을 통하여 금속 실드 케이스(10)에 신속하게 전달되어 외부로 방출된다.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였지만 당업자의 수준에서 다양한 변경을 가할 수 있음은 물론이다. 따라서, 본 발명의 권리범위는 상기한 실시예에 한정되어서는 안되며 이하에 기재되는 특허청구범위에 의해 결정되어야 한다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 금속 본체의 내측면 위에 전기비도전의 열전도성 실리콘층을 코팅하여 수납된 전자부품 또는 전자부품 모듈로부터 발생되는 열을 금속 본체에 신속하게 전달하여 외부로 열을 방출할 수 있다는 이점이 있다.

이와 함께 금속 본체의 내측면 위에 전기반도전성 및 열전도성을 갖는 전자파 흡수성 실리콘층과 전기비도전의 열전도성 실리콘층을 순차적으로 적층하여 전자부품 또는 전자부품 모듈로부터 발생되는 열을 금속 본체에 신속하게 전달하는 외에 이들로부터 발생하여 외부로 방출되는 전자파를 차폐시켜 주고 외부로부터 유입되는 전자파를 차폐시켜 주는 이점이 있다.

이와 함께 열전도성 실리콘층이 전기비도전이기 때문에 전자부품과 금속 실드 케이스 간의 전기적 쇼트를 전혀 걱정할 필요가 없으며, 오히려 열전도성 실리콘층이 전자부품과 접촉되도록 함으로써 열전달이 보다 신속하게 이루어지도록 할 수 있다.

또한, 전자부품과의 접촉을 신경쓸 필요가 없기 때문에 실드 케이스의 전체 크기를 줄일 수 있어 소형화와 집적화에 큰 역할을 한다는 이점이 있다.

더욱이, 열전도성 실리콘층이 코팅된 후에 프레스/벤딩고정을 통하여 통기공을 형성하기 때문에 열전도성 실리콘층과 금속 본체의 동일한 위치에 필요한 개수로 배치할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 금속 실드 케이스를 보여주는 사시도이다.

도 2는 도 1의 금속 실드 케이스의 일부를 절단한 사시도이다.

도 2a는 도 2의 변형예이다.

도 3은 본 발명에 따른 금속 실드 케이스의 실제 적용예를 보여주는 일부 절단 사시도이다.

Claims (13)

1. 베이스와 상기 베이스의 가장자리에 대응하여 일체로 절곡 형성된 측벽으로 이루어진 금속 본체;

   상기 본체의 베이스와 측벽을 포함하는 내측면 위에 형성된 전기비도전의 열전도성 실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다기능 금속 실드 케이스.
2. 베이스와 상기 베이스의 가장자리에 대응하여 일체로 절곡 형성된 측벽으로 이루어진 금속 본체;

   상기 본체의 베이스와 측벽을 포함하는 내측면 위에 형성된 전기반도전성 및 열전도성을 갖는 전자파 흡수성 실리콘층; 및

   상기 전자파 흡수성 실리콘층 위에 적층되는 전기비도전의 열전도성 실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다기능 금속 실드 케이스.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금속 본체와 열전도성 실리콘층 또는 상기 금속 본체와 열도전성 실리콘층/전자파 흡수성 실리콘층을 관통하는 적어도 하나 이상의 통기공이 형성되는 것을 특징으로 하는 다기능 금속 실드 케이스.
4. 베이스와 상기 베이스의 가장자리에 대응하여 일체로 절곡 형성된 측벽으로 이루어진 금속 본체;

   상기 본체의 베이스 위에 형성된 전기비도전의 열전도성 실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다기능 금속 실드 케이스.
5. 베이스와 상기 베이스의 가장자리에 대응하여 일체로 절곡 형성된 측벽으로 이루어진 금속 본체;

   상기 본체의 베이스 위에 형성된 전기반도전성 및 열전도성을 갖는 전자파 흡수성 실리콘층; 및

   상기 전자파 흡수성 실리콘층 위에 적층되는 전기비도전의 열전도성 실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다기능 금속 실드 케이스.
6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 금속 본체의 베이스와 열전도성 실리콘층 또는 상기 금속 본체의 베이스와 열도전성 실리콘층/전자파 흡수성 실리콘층을 관통하는 적어도 하나 이상의 통기공이 형성되는 것을 특징으로 하는 다기능 금속 실드 케이스.
7. 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항 또는 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상호 대향하는 상기 측벽의 단부에는 인쇄회로기판에 끼워져 고정되는 고정 팁이 일체로 돌출 형성되며, 상기 열전도성 실리콘층 또는 상기 열전도성 실리콘층/전자파 흡수성 실리콘층은 상기 고정 팁을 제외하고 형성되는 것을 특징으로 하는 다기능 금속 실드 케이스.
8. 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항 또는 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열전도성 실리콘층은 내부에 수납되는 전자부품이나 전자부품모듈과 직접 접촉되는 것을 특징으로 하는 다기능 금속 실드 케이스.
9. 베이스와 상기 베이스의 가장자리에 대응하여 일체로 형성된 측벽으로 이루어지며 평면상에 전개된 금속 본체를 준비하는 단계;

   상기 금속 본체의 내측면 위에 전기비도전의 열전도성 실리콘층을 형성하는 단계; 및

   수납부가 형성되도록 상기 금속 본체의 측벽을 절곡하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다기능 금속 실드 케이스의 제조방법.
10. 베이스와 상기 베이스의 가장자리에 대응하여 일체로 형성된 측벽으로 이루어지며 평면상에 전개된 금속 본체를 준비하는 단계;

    상기 금속 본체의 내측면 위에 전기반도전성 및 열전도성을 갖는 전자파 흡수성 실리콘층을 형성하는 단계; 및

    상기 전자파 흡수성 실리콘층 위에 전기비도전의 열전도성 실리콘층을 형성하는 단계; 및

    수납부가 형성되도록 상기 금속 본체의 측벽을 절곡하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다기능 금속 실드 케이스의 제조방법.
11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 열전도성 실리콘층은 액상의 열전도성 실리콘을 도포하고 열경화하여 형성되는 것을 특징으로 하는 다기능 금속 실드 케이스의 제조방법.
12. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 열전도성 실리콘층은 전기비도전의 고체 열전도성 실리콘 시트를 전기비도전의 액상 열전도성 실리콘이나 실리콘 테이프를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 다기능 금속 실드 케이스의 제조방법.
13. 제 10 항에 있어서, 상기 전자파 흡수성 실리콘층은 액상의 전자파 흡수성 실리콘을 도포하고 열경화하여 형성되는 것을 특징으로 하는 다기능 금속 실드 케이스의 제조방법.