JP2006135202A - 電子機器の放熱構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】 高放熱性を維持しつつ、構成部材を削減し、安価で小形、高密度な電子機器の放熱構造を提供する。
【解決手段】 金属ベース部11と該金属ベース部11上に設けた絶縁層12で構成され、パワー半導体などの第1高発熱部品15を実装した金属ベース基板1と、CPUなど制御回路からなる第2高発熱部品21を実装した回路基板2とを備え、両者の高発熱部品の実装面側が対向するように、金属ベース基板1と回路基板2をコネクタ3を介して接続してなる電子機器の放熱構造において、回路基板2上の第2高発熱部品21は、金属ベース基板1上の第1高発熱部品15が実装されていない未実装領域16に対向する位置に実装しており、金属ベース基板1は、該基板1の表面に設けられた絶縁層12と、絶縁層12における第2高発熱部品21が対向配置される位置に第2高発熱部品21の熱を金属ベース基板1へ伝熱させるための放熱シート4とを備えた。
【選択図】 図1
【解決手段】 金属ベース部11と該金属ベース部11上に設けた絶縁層12で構成され、パワー半導体などの第1高発熱部品15を実装した金属ベース基板1と、CPUなど制御回路からなる第2高発熱部品21を実装した回路基板2とを備え、両者の高発熱部品の実装面側が対向するように、金属ベース基板1と回路基板2をコネクタ3を介して接続してなる電子機器の放熱構造において、回路基板2上の第2高発熱部品21は、金属ベース基板1上の第1高発熱部品15が実装されていない未実装領域16に対向する位置に実装しており、金属ベース基板1は、該基板1の表面に設けられた絶縁層12と、絶縁層12における第2高発熱部品21が対向配置される位置に第2高発熱部品21の熱を金属ベース基板1へ伝熱させるための放熱シート4とを備えた。
【選択図】 図1
Description
パワー半導体などのパワー変換回路からなる高発熱の電子部品が実装された金属ベース基板と、CPUなど制御回路からなる高発熱の電子部品が実装された回路基板とを対向させて組み込んだ電子機器に関し、発熱量の大きな電子部品の放熱効率を高めるための電子機器の放熱構造に関する。
従来、電子機器はCPU(Central Processing Unit:中央処理装置)等の高出力、高集積の電子部品あるいは、電力変換を行うパワー半導体からなる電子部品を内蔵している。CPUは高速で情報の演算、制御を行い、パワー半導体は高出力の電力変換を行い、いずれにおいても相当の発熱を伴う。このような電子機器に内蔵される電子部品の放熱構造については、例えば図5のようになっている。
図5は従来の電子機器の放熱構造を示す側断面図である。
図において、101は基板、102は発熱素子、103は樹脂パッケージ、108、113はランド、110はフィン、111は放熱用貫通孔、114は放熱ブロック、116はケースである。
ガラス−エポキシ基板等の基板101には発熱素子102を内蔵した樹脂パッケージ103がランド108を介し、はんだを用いて実装されている。この樹脂パッケージ103の実装面103aにはフィン110が形成されている。このフィン110の上面には発熱素子102の実装面(図5の例では、発熱素子2の底面)が直接的に当接接続されている。また、このフィン110の下面(基板側の面)は露出しており、ランド108に直接的に半田により接続されている。また、上記フィン110の一部は樹脂パッケージ103よりも外部に突出形成されている。
上記基板101には放熱用貫通孔(熱ビア)111が形成されている。この放熱用貫通孔111は、発熱素子102の搭載領域面(例えば、樹脂パッケージ103の直下のランド108が形成されている領域の基板面)からその直下の反対側の基板面に貫通するものであり、伝熱材料(例えば、熱伝導率が良い半田等の金属材料、図示せず)が充填されている。
また、上記発熱素子102の搭載領域面の反対側の基板面にはランド113を介して放熱ブロック114がはんだによって取り付けられている。この放熱ブロック114は熱伝導率に優れた材料、例えば金属やセラミックスによって構成されている。
この実施例では、フィン110と、ランド108と、放熱用貫通孔111の伝熱材料(図示せず)と、ランド113とによって、伝熱通路が構成されており、発熱素子102の熱はフィン110とランド108と放熱用貫通孔111の伝熱材料(図示せず)とランド113を順に通って放熱ブロック114に伝搬され、放熱シート117を介して間接的にケース116にて放熱を行うことができる(例えば、特許文献1参照)。
特開2000−332171号公報(第7頁、図1(a))
図5は従来の電子機器の放熱構造を示す側断面図である。
図において、101は基板、102は発熱素子、103は樹脂パッケージ、108、113はランド、110はフィン、111は放熱用貫通孔、114は放熱ブロック、116はケースである。
ガラス−エポキシ基板等の基板101には発熱素子102を内蔵した樹脂パッケージ103がランド108を介し、はんだを用いて実装されている。この樹脂パッケージ103の実装面103aにはフィン110が形成されている。このフィン110の上面には発熱素子102の実装面(図5の例では、発熱素子2の底面)が直接的に当接接続されている。また、このフィン110の下面(基板側の面)は露出しており、ランド108に直接的に半田により接続されている。また、上記フィン110の一部は樹脂パッケージ103よりも外部に突出形成されている。
上記基板101には放熱用貫通孔(熱ビア)111が形成されている。この放熱用貫通孔111は、発熱素子102の搭載領域面(例えば、樹脂パッケージ103の直下のランド108が形成されている領域の基板面)からその直下の反対側の基板面に貫通するものであり、伝熱材料(例えば、熱伝導率が良い半田等の金属材料、図示せず)が充填されている。
また、上記発熱素子102の搭載領域面の反対側の基板面にはランド113を介して放熱ブロック114がはんだによって取り付けられている。この放熱ブロック114は熱伝導率に優れた材料、例えば金属やセラミックスによって構成されている。
この実施例では、フィン110と、ランド108と、放熱用貫通孔111の伝熱材料(図示せず)と、ランド113とによって、伝熱通路が構成されており、発熱素子102の熱はフィン110とランド108と放熱用貫通孔111の伝熱材料(図示せず)とランド113を順に通って放熱ブロック114に伝搬され、放熱シート117を介して間接的にケース116にて放熱を行うことができる(例えば、特許文献1参照)。
ところが、従来技術は、電子部品の接合部の形状がパワー半導体に見られるようなフィンを有する形状に限られたものになり、それ以外の接合部形状では良好な伝熱が困難になる場合がある。たとえば、CPUなどの発熱部品に見られるような微小な複数のはんだボールによって回路基板と接合するBGA(Ball Grid Ally)のような接合部形状では伝熱する面積が少ないため回路基板への伝熱が困難となり、放熱用貫通孔も容易に設けることができないという問題があった。
また、回路基板には必ず放熱用貫通孔を設ける必要があり、高価なものになるという問題があった。
さらに放熱ブロックなど部品点数が増加し、製品の形状が大きくなるという問題があった。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、高放熱性を維持しつつ、構成部材を削減し、安価で小形、高密度な電子機器の放熱構造を提供することを目的とする。
また、回路基板には必ず放熱用貫通孔を設ける必要があり、高価なものになるという問題があった。
さらに放熱ブロックなど部品点数が増加し、製品の形状が大きくなるという問題があった。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、高放熱性を維持しつつ、構成部材を削減し、安価で小形、高密度な電子機器の放熱構造を提供することを目的とする。
上記問題を解決するため、本発明は次のように構成したものである。
請求項1の発明は、金属ベース部と該金属ベース部上に設けた絶縁層で構成され、パワー半導体などのパワー変換回路からなる第1高発熱部品を実装した金属ベース基板と、CPUなど制御回路からなる第2高発熱部品を実装した回路基板とを備え、両者の高発熱部品の実装面側が対向するように、前記金属ベース基板と前記回路基板をコネクタを介して接続してなる電子機器の放熱構造において、前記第2高発熱部品は、前記金属ベース基板上の第1高発熱部品が実装されていない未実装領域の部分に対向するように、前記回路基板上に実装しており、前記金属ベース基板には、前記回路基板との対向面に絶縁層を設けてあり、前記絶縁層と前記第2高発熱部品の間に、前記第2高発熱部品の熱を前記金属ベース基板へ伝熱させるための放熱シートを設けたことを特徴としている。
また、請求項2の発明は、請求項1記載の電子機器の放熱構造において、前記絶縁層と前記放熱シートの間に別体の金属板を取り付けたことを特徴としている。
また、請求項3の発明は、金属ベース部と該金属ベース部上に設けた絶縁層で構成され、パワー半導体などのパワー変換回路からなる第1高発熱部品を実装した金属ベース基板と、CPUなど制御回路からなる第2高発熱部品を実装した回路基板とを備え、両者の高発熱部品の実装面側が対向するように、前記金属ベース基板と前記回路基板をコネクタを介して接続してなる電子機器の放熱構造において、前記第2高発熱部品は、前記金属ベース基板上の第1高発熱部品が実装されていない未実装領域の部分に対向するように、前記回路基板上に実装しており、前記金属ベース基板は、前記第2高発熱部品と対向した位置に前記金属ベース部の表面を露出させた金属ベース露出部と、該金属ベース露出部に直接取付た放熱シートとを備えており、前記絶縁層は、前記放熱シートの取付け面を除いた前記金属ベース部の表面に設けたことを特徴としている。
また、請求項4の発明は、請求項3に記載の電子機器の放熱構造において、前記金属ベース部は、前記放熱シートの取付け面における面位置が前記絶縁層の面位置より下方になるように、凹部を設けてあることを特徴としている。
請求項1の発明は、金属ベース部と該金属ベース部上に設けた絶縁層で構成され、パワー半導体などのパワー変換回路からなる第1高発熱部品を実装した金属ベース基板と、CPUなど制御回路からなる第2高発熱部品を実装した回路基板とを備え、両者の高発熱部品の実装面側が対向するように、前記金属ベース基板と前記回路基板をコネクタを介して接続してなる電子機器の放熱構造において、前記第2高発熱部品は、前記金属ベース基板上の第1高発熱部品が実装されていない未実装領域の部分に対向するように、前記回路基板上に実装しており、前記金属ベース基板には、前記回路基板との対向面に絶縁層を設けてあり、前記絶縁層と前記第2高発熱部品の間に、前記第2高発熱部品の熱を前記金属ベース基板へ伝熱させるための放熱シートを設けたことを特徴としている。
また、請求項2の発明は、請求項1記載の電子機器の放熱構造において、前記絶縁層と前記放熱シートの間に別体の金属板を取り付けたことを特徴としている。
また、請求項3の発明は、金属ベース部と該金属ベース部上に設けた絶縁層で構成され、パワー半導体などのパワー変換回路からなる第1高発熱部品を実装した金属ベース基板と、CPUなど制御回路からなる第2高発熱部品を実装した回路基板とを備え、両者の高発熱部品の実装面側が対向するように、前記金属ベース基板と前記回路基板をコネクタを介して接続してなる電子機器の放熱構造において、前記第2高発熱部品は、前記金属ベース基板上の第1高発熱部品が実装されていない未実装領域の部分に対向するように、前記回路基板上に実装しており、前記金属ベース基板は、前記第2高発熱部品と対向した位置に前記金属ベース部の表面を露出させた金属ベース露出部と、該金属ベース露出部に直接取付た放熱シートとを備えており、前記絶縁層は、前記放熱シートの取付け面を除いた前記金属ベース部の表面に設けたことを特徴としている。
また、請求項4の発明は、請求項3に記載の電子機器の放熱構造において、前記金属ベース部は、前記放熱シートの取付け面における面位置が前記絶縁層の面位置より下方になるように、凹部を設けてあることを特徴としている。
請求項1に記載の発明によると、金属ベース基板に実装された高発熱部品のみならず、回路基板に実装された高発熱部品の放熱も金属ベース基板にて行うため、放熱面を統一することできると共に、全体の冷却構造の簡素化により小形で安価にすることができる。
また、請求項2に記載の発明によると、回路基板上の発熱部品を金属板を介して金属ベース基板に密着させることができ、回路基板上の発熱部品の放熱を良好に行うことができる。
また、請求項3に記載の発明によると、回路基板に実装されているCPUなどの制御回路からなる高発熱部品と金属ベース基板を密着させることができ、回路基板に実装されているCPUなど制御回路の高発熱部品の放熱を良好に行うことができる。
また、請求項4に記載の発明によると、基板間距離を大きくする必要がなく、製品を小形にすることができる。
また、請求項2に記載の発明によると、回路基板上の発熱部品を金属板を介して金属ベース基板に密着させることができ、回路基板上の発熱部品の放熱を良好に行うことができる。
また、請求項3に記載の発明によると、回路基板に実装されているCPUなどの制御回路からなる高発熱部品と金属ベース基板を密着させることができ、回路基板に実装されているCPUなど制御回路の高発熱部品の放熱を良好に行うことができる。
また、請求項4に記載の発明によると、基板間距離を大きくする必要がなく、製品を小形にすることができる。
以下、本発明の実施例を図に基づいて具体的に説明する。
図1は、本発明の第1実施例を示す電子機器の放熱構造の側断面図である。
図において、1は金属ベース基板で、金属ベース部11と該金属ベース部11上に設けた絶縁層2で構成され、絶縁層2の上部に電極(図示せず)を有している。13は金属ベース基板1の実装面で、14は放熱面である。また15は金属ベース基板1上に実装されたパワー半導体などのパワー変換回路からなる第1高発熱部品であり、16は未実装領域である。また、2は回路基板であり、21は回路基板に実装されたCPUなど制御回路からなる第2高発熱部品、22は第2高発熱部品21に対して発熱の小さい低発熱部品である。それから、3は金属ベース基板1と回路基板2とを電気的に接続するコネクタで、各々の基板に実装されている。4は放熱シートである。
図において、1は金属ベース基板で、金属ベース部11と該金属ベース部11上に設けた絶縁層2で構成され、絶縁層2の上部に電極(図示せず)を有している。13は金属ベース基板1の実装面で、14は放熱面である。また15は金属ベース基板1上に実装されたパワー半導体などのパワー変換回路からなる第1高発熱部品であり、16は未実装領域である。また、2は回路基板であり、21は回路基板に実装されたCPUなど制御回路からなる第2高発熱部品、22は第2高発熱部品21に対して発熱の小さい低発熱部品である。それから、3は金属ベース基板1と回路基板2とを電気的に接続するコネクタで、各々の基板に実装されている。4は放熱シートである。
本発明が従来技術と異なる点は、第2高発熱部品21は、金属ベース基板1上の第1高発熱部品15が実装されていない未実装領域16の部分に対向するように、回路基板2上に実装しており、金属ベース基板1には、回路基板2との対向面に絶縁層12を設けてあり、絶縁層12と第2高発熱部品21の間に、第2高発熱部品21の熱を金属ベース基板1へ伝熱させるための放熱シート4を設けた点である。なお、金属ベース基板1は電子機器のケースも兼用するようになっている。
次に、電子装置の熱の移動を図1を用いて説明する。
図において、まず、金属ベース基板1上の第1高発熱部品15は実装面13の電極(不図示)にはんだ付けにより実装されており、この直下の絶縁層12を通じて金属ベース基板1に伝熱し、放熱面14により外部へと放熱を行う。また、回路基板2に実装された第2高発熱部品21は金属ベース基板1の未実装領域16に放熱シート4を挟み込んで取り付けられているため、回路基板2に実装された第2高発熱部品21の熱は、放熱シート4を介して絶縁層12、さらに金属ベース基板1に伝熱し、第1高発熱部品15と同様に放熱面14より外部へと放熱を行う。なお、金属ベース基板1上の絶縁層12は断熱性を有するため、可能な限り薄いことが望ましく、金属ベース基板1の厚さ、材質は特に問わない。また、放熱シート4は第2高発熱部品21と金属ベース基板1を密着させ、熱伝導性があるものであればよいが、金属ベース基板1に充電部がなければ、導電性を有してもよい。さらに回路基板2はどのような種類のプリント基板でも良い。
図において、まず、金属ベース基板1上の第1高発熱部品15は実装面13の電極(不図示)にはんだ付けにより実装されており、この直下の絶縁層12を通じて金属ベース基板1に伝熱し、放熱面14により外部へと放熱を行う。また、回路基板2に実装された第2高発熱部品21は金属ベース基板1の未実装領域16に放熱シート4を挟み込んで取り付けられているため、回路基板2に実装された第2高発熱部品21の熱は、放熱シート4を介して絶縁層12、さらに金属ベース基板1に伝熱し、第1高発熱部品15と同様に放熱面14より外部へと放熱を行う。なお、金属ベース基板1上の絶縁層12は断熱性を有するため、可能な限り薄いことが望ましく、金属ベース基板1の厚さ、材質は特に問わない。また、放熱シート4は第2高発熱部品21と金属ベース基板1を密着させ、熱伝導性があるものであればよいが、金属ベース基板1に充電部がなければ、導電性を有してもよい。さらに回路基板2はどのような種類のプリント基板でも良い。
したがって、本発明の第1実施例は、上記の如く、金属ベース基板に実装された高発熱部品のみならず、回路基板に実装された第2高発熱部品の放熱も金属ベース基板にて行う構成にしたため、放熱面を統一することができ、全体の冷却構造の簡素化により小形で安価にすることができる。
図2は、本発明の第2実施例を示す電子機器の放熱構造の側断面図である。
図において、17は未実装領域の部分を兼ねると共に、金属ベース基板1が露出する金属ベース露出部である。なお、第2実施例が第1実施例と同じ構成要素については、その説明を省略し、異なる点のみを説明する。
第2実施例が第1実施例と異なる点は、第2高発熱部品21が、金属ベース基板1上の第1高発熱部品15が実装されていない金属ベース露出部17の部分に対向するように、回路基板2上に実装しており、金属ベース基板1は、第2高発熱部品21と対向した位置に金属ベース部11の表面を露出させた金属ベース露出部17と、該金属ベース露出部17に直接取付た放熱シート4とを備えており、絶縁層12は、放熱シート4の取付け面を除いた金属ベース部11の表面にを設けた点である。なお、熱の移動については絶縁層を除いて第1実施例と同じなので、説明を省略する。
図において、17は未実装領域の部分を兼ねると共に、金属ベース基板1が露出する金属ベース露出部である。なお、第2実施例が第1実施例と同じ構成要素については、その説明を省略し、異なる点のみを説明する。
第2実施例が第1実施例と異なる点は、第2高発熱部品21が、金属ベース基板1上の第1高発熱部品15が実装されていない金属ベース露出部17の部分に対向するように、回路基板2上に実装しており、金属ベース基板1は、第2高発熱部品21と対向した位置に金属ベース部11の表面を露出させた金属ベース露出部17と、該金属ベース露出部17に直接取付た放熱シート4とを備えており、絶縁層12は、放熱シート4の取付け面を除いた金属ベース部11の表面にを設けた点である。なお、熱の移動については絶縁層を除いて第1実施例と同じなので、説明を省略する。
したがって、本発明の第2実施例は、上記の如く、金属ベース基板の未実装領域の部分において、断熱性を有し、かつ、伝熱の障害となっていた絶縁層を取り除き、金属ベース基板を露出させた構成にしたので、回路基板に実装されている第2高発熱部品と金属ベース基板を放熱シートを介して直接密着させることができ、回路基板に実装されている第2高発熱部品の放熱を良好に行うことができる。
図3は、本発明の第3実施例を示す電子機器の放熱構造の側断面図である。
図において、18は未実装領域の部分を兼ねると共に、金属ベース基板に設けた凹部である。なお、第3実施例が第2実施例と同じ構成要素については、その説明を省略し、異なる点のみを説明する。
第3実施例が第2実施例と異なる点は、金属ベース部11は、放熱シート4の取付け面における面位置が絶縁層12の面位置より下方になるように、凹部18を設けた点である。なお、熱の移動については絶縁層を除いて第1実施例と同じなので、説明を省略する。
図において、18は未実装領域の部分を兼ねると共に、金属ベース基板に設けた凹部である。なお、第3実施例が第2実施例と同じ構成要素については、その説明を省略し、異なる点のみを説明する。
第3実施例が第2実施例と異なる点は、金属ベース部11は、放熱シート4の取付け面における面位置が絶縁層12の面位置より下方になるように、凹部18を設けた点である。なお、熱の移動については絶縁層を除いて第1実施例と同じなので、説明を省略する。
したがって、本発明の第3実施例は、上記の如く、金属ベース基板の未実装領域の部分において、絶縁層がなく、さらに露出した金属ベース部に凹部を設ける構成にしたので、基板間距離を大きくする必要がなく、製品を小形にすることができる。
図4は、本発明の第4実施例を示す電子機器の放熱構造の側断面図である。なお、第4実施例が第1実施例と同じ構成要素については、その説明を省略し、異なる点のみを説明する。
図において、19は未実装領域の部分を兼ねると共に、別体に取り付けられた金属板である。
第4実施例が第1実施例と異なる点は、絶縁層12と放熱シート4の間に別体の金属板19を取り付けた点である。なお、金属板の取り付けは金属ベース基板と密着できればどのような取り付けでも良いが、SMT(Surface Mount Technology:表面実装技術)による実装であれば他の実装部品と同様に取り付けることができる。
図において、19は未実装領域の部分を兼ねると共に、別体に取り付けられた金属板である。
第4実施例が第1実施例と異なる点は、絶縁層12と放熱シート4の間に別体の金属板19を取り付けた点である。なお、金属板の取り付けは金属ベース基板と密着できればどのような取り付けでも良いが、SMT(Surface Mount Technology:表面実装技術)による実装であれば他の実装部品と同様に取り付けることができる。
したがって、本発明の第4実施例は、上記の如く、金属ベース基板の部品未実装領域において、別体の金属板を取り付ける構成にしたので、金属ベース基板1と回路基板2の基板間距離を小さくすることができず、回路基板2に実装されている発熱部品21の上部が金属ベース基板1の実装面に届かない場合であっても、回路基板上の高発熱部品を放熱シート、金属板を介して金属ベース基板との密着性を向上させることができ、回路基板上の高発熱部品の放熱を良好に行うことができる。
高放熱性を維持しつつ、高密度実装や高密度配線を可能とすることができるので、他の発熱部品が実装された基板にも適用できる。
1 金属ベース基板
2 回路基板(多層基板)
3 コネクタ
4 放熱シート
11 金属ベース部
12 絶縁層
13 実装面
14 放熱面
15 第1高発熱部品
16 未実装領域
17 金属ベース露出部
18 凹部
19 金属板
21 第2高発熱部品
22 低発熱部品
2 回路基板(多層基板)
3 コネクタ
4 放熱シート
11 金属ベース部
12 絶縁層
13 実装面
14 放熱面
15 第1高発熱部品
16 未実装領域
17 金属ベース露出部
18 凹部
19 金属板
21 第2高発熱部品
22 低発熱部品
Claims (4)
- 金属ベース部と該金属ベース部上に設けた絶縁層で構成され、パワー半導体などのパワー変換回路からなる第1高発熱部品を実装した金属ベース基板と、CPUなど制御回路からなる第2高発熱部品を実装した回路基板とを備え、両者の高発熱部品の実装面側が対向するように、前記金属ベース基板と前記回路基板をコネクタを介して接続してなる電子機器の放熱構造において、
前記第2高発熱部品は、前記金属ベース基板上の第1高発熱部品が実装されていない未実装領域の部分に対向するように、前記回路基板上に実装しており、
前記絶縁層と前記第2高発熱部品の間に、前記第2高発熱部品の熱を前記金属ベース基板へ伝熱させるための放熱シートを設けたことを特徴とする電子機器の放熱構造。 - 前記絶縁層と前記放熱シートの間に別体の金属板を取り付けたことを特徴とする請求項1記載の電子機器の放熱構造。
- 金属ベース部と該金属ベース部上に設けた絶縁層で構成され、パワー半導体などのパワー変換回路からなる第1高発熱部品を実装した金属ベース基板と、CPUなど制御回路からなる第2高発熱部品を実装した回路基板とを備え、両者の高発熱部品の実装面側が対向するように、前記金属ベース基板と前記回路基板をコネクタを介して接続してなる電子機器の放熱構造において、
前記第2高発熱部品は、前記金属ベース基板上の第1高発熱部品が実装されていない未実装領域の部分に対向するように、前記回路基板上に実装しており、
前記金属ベース基板は、前記第2高発熱部品と対向した位置に前記金属ベース部の表面を露出させた金属ベース露出部と、該金属ベース露出部に直接取付た放熱シートとを備えており,
前記絶縁層は、前記放熱シートの取付け面を除いた前記金属ベース部の表面に設けたことを特徴とする電子機器の放熱構造。 - 前記金属ベース部は、前記放熱シートの取付け面における面位置が前記絶縁層の面位置より下方になるように、凹部を設けたことを特徴とする請求項3記載の電子機器の放熱構造。
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Cited By (5)
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