TWI440425B - 具有週期性圖樣化底座結構的散熱器 - Google Patents

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Description

具有週期性圖樣化底座結構的散熱器
本發明係關於降低電磁干擾的傳播，尤其係關於積體電路的散熱器方面。
電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)為因為電磁輻射而影響電路的擾亂。這種擾亂會中斷、阻礙或降低或限制電路的有效性能(effective performance)。非所要的電磁輻射通常源自於積體電路(integrated circuits，IC)，並且由其他結構以足夠干擾其他部件的程度來輻射。散熱器特別有問題。由於散熱器有大片金屬表面區域，所以可作為傳播電磁輻射的有效天線。
業界內已經知道許多種降低EMI的方式。一種降低EMI的方式就是在每一個主動裝置(active device)上使用旁通(bypass)或「去耦合(decoupling)」電容。去耦合電容跨接電源供應器，盡可能靠近裝置。其他已知降低雜訊(noise)的方式為控制高速信號的上升時間。該上升時間可例如使用串聯電阻來控制。也可使用VCC濾波，以減少透過電源供應器連接(power supply connection)所散播的射頻干擾量。也可使用屏蔽，附加像是RF墊片(gasket)的額外部件也在所不惜。
由於積體電路時脈與資料速率提昇超過1 GHz，則IC所發出輻射的波長與IC散熱器的實體尺寸是處於相似的數量級(order of magnitude)上。如此讓散熱器有效作為IC/IC封裝上雜訊的天線。散熱器接地架構(grounding scheme)試圖解決此問題，但是這些措施增加印刷電路板組件的成本，也消耗電路板上寶貴的空間。
本發明的第一具體實施例為一種散熱器，包括具有週期性圖樣化結構的底座(base)，其中該週期性圖樣化結構包含在參考平面之二維度上相隔的複數個導電、導熱塊狀體(patch)所形成的陣列，並且具有與參考平面垂直的厚度。複數個分支(branch)在結構上連接這些塊狀體。每一分支都連接相鄰的塊狀體，並且在參考平面內的寬度小於每一相鄰塊狀體的寬度。複數個導熱冷卻鰭片耦合至底座，並且與參考平面垂直而延伸。
第二具體實施例為一種設備(apparatus)，具有包括連續、導電層的印刷電路板。處理器實體上耦合至印刷電路板，並且電耦合至導電層。散熱器耦合至電路板，並與處理器熱接觸。該散熱器包括具有週期性圖樣化結構的底座，其中該週期性圖樣化結構包含相隔並且與導電層平行的複數個導電、導熱塊狀體所形成的陣列，並且具有與導電層垂直的厚度。複數個分支在結構上連接這些塊狀體。每一分支都跨越兩相鄰塊狀體之間的開口，並且在參考平面內的寬度小於每一相鄰塊狀體寬度。複數個導熱冷卻鰭片耦合至底座，並且與參考平面垂直而延伸。
第三具體實施例為一種減少微處理器所產生電磁雜訊傳播的方法。微處理器所產生電磁雜訊的頻帶已經識別。利用分支互連的間隔的塊狀體之週期性圖樣已經選取，其幾何形狀(geometry)具備已識別頻帶內的抑制頻帶(stopband)。該處理器與具有底座的散熱器熱接觸，該底座包括具備所選週期性圖樣的導電、導熱材料。
本發明的具體實施例用來減少電子裝置內積體電路(IC)所導致的電磁干擾(EMI)。一種具體實施例為用於IC的散熱器，並且在該散熱器的底座內併入一個週期性圖樣化結構。該週期性圖樣化結構與電路板的實心金屬層(solid metal layer)(例如接地層或電源層)共同形成電磁能隙(electromagnetic bandgap，EBG)結構，其減少散熱器成為特定頻帶內天線的效率(efficiency)。該週期性圖樣化結構包括利用複數個導電分支互連的複數個導電塊狀體所形成的週期性陣列。週期性圖樣化結構內的開口已填入導熱但不導電的填充劑(filler)，如此最大化散熱器內的熱傳(heat transfer)而不會減損EBG結構的電氣特性(electrical property)。散熱鰭片使用導熱但不導電接合劑(binder)耦合至散熱器底座，如此最大化從散熱器底座至鰭片的熱傳，同時讓鰭片與散熱器底座電絕緣。週期性圖樣化結構的物理參數可經過選擇，以減少電磁波在一或多個特性頻帶(characteristic band)內的傳播。散熱器提供此雜訊減少，但是散熱程度與負擔能力(affordability)相當於傳統散熱器。
此處描述的許多材料可導電或不導電，以及導熱或不導熱，依照案例而定。雖然實際上每種材料的導電與導熱都有至少某些限制程度，並且在特定情況下，某些材料的導電效率不足以作為本發明當中的導電體。同樣地，某些材料的導熱效率不足以作為本發明當中的熱導體。如此在本發明的上下文當中，若材料具有導電係數(electrical conductivity coefficient)至少約10^7 S/m時則視為導電體，並且若材料具有導熱係數(thermal conductivity coefficient)至少約1 W/m*K時則考慮為熱導體。雖然此處明定，不過導熱性與導電性的定義與精通此技術人士所知的運作定義一致。
圖1為根據本發明具體實施例的散熱器10之透視圖。散熱器10包括一個具備週期性圖樣化結構的散熱器底座20，以及耦合至散熱器底座20的冷卻鰭片結構40。安裝片(mounting tab)16用來將散熱器10安裝至電路板(未顯示)，或固定散熱器來與發熱部件，像是積體電路，進行熱流通(thermal communication)。連續、導電的電路板層(circuit board layer)14也繪示出，但為了清晰起見所以省略其他電路板。連續、導電層14非常薄，通常為電路板的金屬層，像是電路板的接地平面或電源平面，此處也稱之為金屬層14。此處的週期性圖樣化散熱器底座20與金屬層14一起形成EBG結構，底下有進一步描述。
金屬層14也定義傳統參考平面，用來描述散熱器10的特定物理特性。散熱器底座20的第一表面22以及相對的第二表面24都與金屬層14平行。在此特定具體實施例，第一和第二表面22、24將稱為散熱器底座20的上表面22與下表面24。圖1內也提供直角座標(x.y.z)供參考。「x」和「y」軸代表金屬層14所定義之參考平面的兩個維度，「z」軸與x和y軸垂直，並且與金屬層14垂直。
週期性圖樣化散熱器底座20包括複數個間隔並且用分支30互連(請參閱圖2)的塊狀體28，在塊狀體28之間定義許多開口29。塊狀體在z方向上相隔於參考平面之上，並且在x和y方向內彼此相隔。塊狀體28和分支30共享散熱器底座20之相對的且平坦的上與下表面22、24。塊狀體28由導電與導熱材料形成，銅只是適合用來形成塊狀體28的導電與導熱材料之一種範例。
冷卻鰭片結構40包括耦合至散熱器底座20的複數個叉狀(prong-type)冷卻鰭片42。冷卻鰭片42在z方向上，亦即，是與金屬層14垂直而延伸。雖然可使用其他種冷卻鰭片，本具體實施例內的叉狀冷卻鰭片42允許冷卻鰭片42沿著散熱器底座20的上表面22排列，而無任何冷卻鰭片42橫向延伸通過相鄰塊狀體28之間的這些開口29的其中之一。冷卻鰭片42，類似於散熱器底座的塊狀體28，由像是銅或鋁的導熱材料形成。冷卻鰭片42利用導熱但不導電的接合劑26耦合至散熱器底座20的上表面22。如此，熱量有效從散熱器底座20通過接合劑26傳遞至鰭片42，但是冷卻鰭片42利用接合劑26與散熱器底座20電絕緣。
適合作為導熱、不導電接合劑26的材料範例為環氧複合物(epoxy composite)。環氧複合物的成份可經過選擇來達成所要的導熱性，但是具有夠低的導電性而可看待成不導電。如此，環氧複合物可以可靠地將冷卻鰭片42固定至散熱器底座20，並且讓冷卻鰭片42與散熱器底座20電絕緣。適合提供導熱性給環氧複合物的成份之一個特定範例為氮化硼(boron nitride)，其通常具有大約600 W/m*K的導電性。
在其他具體實施例內，可省略導熱、不導電接合劑，並且冷卻鰭片42可另外由導熱、不導電材料形成。例如：冷卻鰭片可由石墨製成，其導熱性介於大約25與470 W/m*K之間並且導電性大約50000 S/m。
冷卻鰭片的數量完全隨具體實施例而異，根據散熱器的大小、特定應用當中冷卻所需的所要表面積、主機板上與電腦機殼內的可用空間等。此具體實施例內的冷卻鰭片42已經分組，例如每一塊狀體28之四個冷卻鰭片42為一組。冷卻鰭片42的數量以及冷卻鰭片42的長度都經過選擇，來提供足夠的冷卻表面積。空氣可有效去除從散熱器底座20傳輸至冷卻鰭片42的熱量，通常由強制對流，但是有時也可用自然對流來達成。
圖2A為進一步詳細畫出一個散熱器底座20之週期性圖樣化結構的具體實施例的散熱器底座20之透視圖。已經移除圖1的冷卻鰭片42，來顯示相隔、導電、導熱、由分支30互連的塊狀體28所形成的陣列。塊狀體28以矩形陣列排列，例如四列四行。塊狀體28的陣列可選擇性在x與y方向內均勻地相隔。每一分支30連接至特定的一對相鄰塊狀體28。週期性圖樣化結構內的開口一般以29表示，位於相隔的塊狀體28與連接塊狀體28的分支30之間。開口29包括特別是內部L形溝槽31，以及沿著散熱器底座20兩外側邊緣33的外部開放溝槽(open slot)32。
塊狀體28和分支30具有導電與導熱性，因此電子可自由流出散熱器底座20，並且從一個塊狀體28自由流過分支30到其他塊狀體28。分支30和塊狀體28可由相同材料形成，並且甚至可由單一構件(unitary member)所形成，像是例如散熱器底座20可利用移除某些材料(例如透過加工(machining)、切削(cutting)或蝕刻(etching))由單一塊材料(例如銅)形成，造成所要的塊狀體28與分支30的圖樣。在此具體實施例內，與金屬層14平行的週期性圖樣化結構剖面25在與參考平面垂直之方向上不變(constant)。也就是，除了在典型製造公差的變化方面，剖面一般在z方向上不變。散熱器底座20具有整體散熱器長度(LH )以及整體寬度(WH )，在此具體實施例內相等。散熱器底座20也具有一致的(uniform)厚度(t)。
金屬層14與週期性圖樣化散熱器底座20一起形成具有特性抑制頻帶(characteristic stopband)的電磁能隙結構。該抑制頻帶主要作為週期性圖樣化結構幾何形狀的函數，上述幾何形狀包括散熱器底座20的整體尺寸以及塊狀體28與分支30的形狀與尺寸。因為散熱器底座20具有一致的厚度，所以每一塊狀體28和分支30都具有相同厚度「t」。
圖2B為部分散熱器底座20的放大透視圖，進一步詳述塊狀體28和分支30的幾何形狀。在此具體實施例內，塊狀體28的大小都一樣，如此每一塊狀體28在與散熱器底座20的長度(LH )相同的方向上都具有塊狀體長度(LP )，以及在與散熱器底座20的寬度(WH )相同的方向上都具有塊狀體寬度(WP )。雖然未要求，不過塊狀體28可為方形，如此塊狀體寬度等於塊狀體長度(WP =LP )。圖2B內將分支30的頂端表面加上陰影，在視覺上分辨塊狀體28與分支30。每一分支30具有分支長度(LB )，位於該分支30所連接之相鄰塊狀體28的間隔的方向上。也就是，連接在x方向上相隔的兩塊狀體的分支30具有x方向上的分支長度(LB )，而連接在y方向上相隔的兩塊狀體的分支30具有y方向上的分支長度(LB )。塊狀體28的間隔都一致，且間隔(s)等於分支長度(LB )。因為開口29部分由塊狀體28之間的間隔定義，所以開口29具有等於塊狀體之間間隔(s)的寬度。分支30佔用的表面積顯著小於塊狀體28，造成分支30的尺寸較小。在一個具體實施例內，每一分支30在XY平面內的表面積約小於相鄰塊狀體的任一的表面積的百分之15。
圖3為例示在開口29內新增導熱、不導電填充劑34的散熱器底座20之俯視圖。填充劑34的導熱性有效將熱量在散熱器底座20之各處從塊狀體28傳輸至塊狀體28不過，填充劑34的不導電性確定EBG結構的電氣消性不會因為填充劑34的存在而改變。因為接合劑26用來將散熱器鰭片42耦合至散熱器底座20(請參閱圖1)，並且填充劑34需要導熱與不導電，所以填充劑34與接合劑26可選用相同材料。例如：可使用環氧化合物(epoxy compound)作為將冷卻鰭片接合至散熱器底座20的接合劑26，以及作為填充散熱器底座20內之開口29的填充劑34。
圖4A為根據一個指定範例具體實施例的散熱器底座20之尺寸俯視圖。散熱器底座20包括三個第一部分21以及一個第二部分23。圖4B為圖4A中散熱器底座的第一部分21之尺寸俯視圖。圖4C為圖4A中散熱器底座的第二部分23之尺寸俯視圖。圖4A的散熱器底座20可由單個材料，利用根據圖4A、圖4B和圖4C的尺寸加工散熱器底座20來形成。可選擇的是，圖4A中散熱器底座20可用三個第一部分21與一個第二部分23建構，並且後續連接圖4A內所示部分21、23(例如利用熔接(welding)或銅焊接(brazing))。
圖5A為併入散熱器10來冷卻微處理器(「處理器」)的電子裝置50之側視圖，在此範例中該處理器為系統板60上的中央處理單元(central processing unit，CPU) 62。CPU 62位於系統板60上的插座(socket)64內。在將散熱器組件10固定至系統板60之前，CPU 62並未緊密固定在插座64內。使用傳統硬體17，例如不接地金屬柱，將散熱器10固定在安裝片16上，傳統硬體17將散熱器10的散熱器底座20緊密卡住CPU 62。因此CPU 62產生的熱量利用傳導方式從CPU 62傳輸至散熱器10。風扇66安裝在系統板60上，以產生氣流通過冷卻鰭片42，以利用強制對流來冷卻散熱器10。因此，散熱器冷卻CPU 62。
圖5B為圖5A內凸顯的電子裝置50一部分之放大詳細圖式。CPU 62具有電接點(electrical contact)66(像是墊狀柵格陣列(land grid array，LGA))與系統板60向上表面之上的裝配電接點68匹配，如此允許CPU 62與系統板60介接。此範例中的金屬層14為系統板60的接地層14。CPU與至少一個接地接點68G接地。因為CPU 62使用大量電流，所以CPU 62可能在電子裝置50內產生EMI。許多IC(像是CPU)的核心頻率通常在散熱器底座與電路板之參考平面所形成凹穴的第一些微共振模式(first few resonant mode)之相同範圍內。因此，凹穴共振效果(cavity resonance effect)可發生在散熱器底座20與金屬接地層14之間的小間隙內。使用傳統散熱器時，凹穴共振效果會放大特定共振頻率上的EMI。因此，金屬接地層14與散熱器底座20的週期性圖樣化外觀一起形成具有減少特定EMI頻率之特性抑制頻帶的EBG結構。如上述，透過選擇散熱器底座的物理參數調整抑制頻帶，來達成目標抑制頻帶(target stopband)。該目標抑制頻帶可經過選擇來例如降低峰值頻率(peak frequency)。
圖6為例示使用根據本發明具體實施例的週期性圖樣化散熱器底座20，造成相較於傳統、實心散熱器底座，EMI降低之圖表80。圖表80包括由上曲線81為界限的第一頻率描繪(first frequency plot)，以及由下曲線82為界限的第二頻率描繪。上曲線81代表使用實心散熱器底座時於一頻率範圍上的頻率響應(frequency response)，而下曲線82代表使用週期性圖樣化散熱器底座時於相同頻率範圍上的頻率響應。原型散熱器底座由厚度0.25英吋的銅製成，並且具有4×4塊狀體陣列，每個的尺寸都是500密爾(mil)乘400密爾。連接塊狀體的分支為80密爾乘80密爾。目標抑制頻帶區域由從4至5 GHz、6至8 GHz以及10至16 GHz所表示。週期性圖樣化散熱器底座的幾何形狀與物理參數經過選擇，來降低此頻率範圍內的峰值頻率。如圖表80內所見，相對於傳統散熱器底座，使用週期性圖樣化散熱器底座造成的峰值頻率顯著降低。使用週期性圖樣化散熱器底座時，顯著減少EMI的傳播。
在圖6的範例中，目標抑制頻帶經過選擇來降低峰值頻率。不過在任何已知裝置內，處理器產生的峰值頻率並不必然是會干擾大多數其他電路的頻率。如此，目標抑制頻帶並不必然包括每一應用當中的峰值頻率。
圖7為描述根據本發明具體實施例減少傳播電路板上處理器所產生之電磁雜訊的方法之流程圖。步驟100為識別處理器所產生之電磁雜訊的頻帶。所選取的頻帶可藉由考慮處理器所產生峰值EMI頻率，以及/或考慮電路板上其他裝置(尤其是類比裝置)的操作頻率而被挑選出。步驟102為選擇利用分支互連的間隔的塊狀體的週期性圖樣(其具有所選取的幾何形狀與物理參數)，來達成已識別頻帶內的目標抑制頻帶。傳導的塊狀體的尺寸、形狀與間隔全都會影響散熱器底座的週期性圖樣化結構所達成之實際抑制頻帶。選擇週期性圖樣的步驟可包括選擇塊狀體寬度、塊狀體長度、分支寬度、分支長度、底座厚度以及上述這些的組合。方形EBG結構(即是L P =W P )的實際尺寸與第一共振頻率(resonant frequency)的位置間之一般關係如下：
其中A =W B +L P 對應至這些個別的EBG元件之間的間隙與其尺寸(即是寬度或長度)的總和。在此，c =3*108 m/s 並且代表自由空間內的光速，而ε e ff 代表介質的有效介電常數(effective dielectric constant)。將互連分支的貢獻列入考量，並且假設W P =L P 以及W B =L B ，此表示式轉換成：
在矩形結構的情況下，將L P 替代EBG塊狀體的額外長度以及這些長度的組合，理論上可決定所有其他後續抑制頻帶的位置。
在步驟104內，可根據步驟102內選取的週期性圖樣來形成散熱器底座。在步驟106內，選擇具有連續、導電層的電路板。所形成的層可為金屬層，像是分層電路板(layered circuit board)的接地平面與電源平面。該電路板通常包括一個處理器，搭配其他數位和/或類比電路。在步驟108內，週期性圖樣化散熱器底座被固定而與處理器熱接觸。週期性圖樣化散熱器底座與金屬層一起形成EBG結構，其降低在所選的頻率的抑制頻帶範圍內EMI的振幅。
此處所使用的術語僅為說明特定具體實施例之用，並非用於限制本發明。如此處所使用，除非上下文有明確指示，否則單數形式型態「一」(a、an)和「該」(the)也包括複數形式型態。吾人將進一步瞭解，說明書中使用的「包含」與/或「包括」指定所陳述的特徵、實體、步驟、操作、元件、部件及/或群組存在，但是不排除還有一或多個其他特徵、實體、步驟、操作、元件、部件及/或群組存在。「較佳地」、「較佳的」、「較佳」、「選擇性」、「可」等詞以及類似詞彙都用於指示所提到之項目、條件或步驟為本發明的選擇性(非必要)特徵
後附之申請專利範圍中之對應的結構、材料、動作以及所有手段或步驟附加功能的構件的同等項意欲包含用來結合其他所主張之構件以執行該功能的任何結構、材料或動作。本發明的描述已經為了說明與描述而呈現，但非要將本發明受限在所揭示的形式中。在不脫離本發明之範疇與精神的前提下，本技術之一般技術者將瞭解許多修正例以及變化例。具體實施例經過選擇與說明來最佳闡述本發明與實際應用的原理，並且讓其他精通此技術的人士對本發明有最佳瞭解，因為具有多種修正的多樣具體實施例適合所考慮的特定用途。
10．．．散熱器
20．．．散熱器底座
40．．．冷卻鰭片結構
16．．．安裝片
14．．．電路板層(也可稱為連續、導電層或金屬層)
22．．．第一表面
24．．．第二表面
28．．．塊狀體
30．．．分支
29．．．開口
42．．．冷卻鰭片
26．．．接合劑
31．．．L形溝槽
32．．．外部開放溝槽
33．．．外側邊緣
25．．．剖面
34．．．填充劑
21．．．第一部分
23．．．第二部分
50．．．電子裝置
60．．．系統板
62．．．CPU
64．．．插座
17．．．硬體
66．．．風扇
66．．．電接點
68．．．電接點
68G．．．接地接點
80．．．圖表
81．．．上曲線
82．．．下曲線
圖1為根據本發明具體實施例的散熱器之透視圖。
圖2A至圖2B為進一步詳細畫出散熱器底座之週期性圖樣化結構的散熱器底座之透視圖。
圖3為例示在開口內新增導熱、不導電填充劑的散熱器底座之俯視圖。
圖4A為根據一個指定範例具體實施例的散熱器底座之尺寸俯視圖。
圖4B為圖4A的散熱器底座第一部分之尺寸俯視圖。
圖4C為圖4A的散熱器底座第二部分之尺寸俯視圖。
圖5A為併入散熱器來冷卻CPU的電子裝置之側視圖。
圖5B為圖5A的電子裝置一部分之放大詳細圖式。
圖6為例示使用根據本發明具體實施例的週期性圖樣化散熱器底座，造成相較於傳統、實心散熱器底座，EMI降低之圖表。
圖7為描述根據本發明具體實施例減少傳播電路板上處理器所產生之電磁雜訊的方法之流程圖。
10．．．散熱器
20．．．散熱器底座
40．．．冷卻鰭片結構
16．．．安裝片
14．．．電路板層(也可稱為連續、導電層或金屬層)
22．．．第一表面
24．．．第二表面
28．．．塊狀體
29．．．開口
42．．．冷卻鰭片
26．．．接合劑

Claims (20)

  1. 一種散熱器，包含：一底座，具有一週期性圖樣化結構，該週期性圖樣化結構包含在一參考平面的二維度上相隔的複數個導電、導熱塊狀體所形成的一陣列，並且具有與該參考平面垂直的一厚度；複數個結構上連接該等塊狀體的分支，每一分支連接相鄰的塊狀體並且具有在該參考平面內的一寬度，其小於每一相鄰塊狀體的一寬度；以及複數個導熱冷卻鰭片，其耦合至該底座並且與該參考平面垂直而延伸。
  2. 如申請專利範圍第1項之散熱器，其中在與該參考平面垂直的一方向上，該週期性圖樣化結構的一剖面為不變。
  3. 如申請專利範圍第1項之散熱器，另包含：一導熱、不導電填充劑，填入該等相鄰的塊狀體之間的該等空隙。
  4. 如申請專利範圍第1項之散熱器，其中該等塊狀體具有至少10^7 S/m的導電係數，以及大於1 W/m*K的導熱係數。
  5. 如申請專利範圍第1項之散熱器，另包含：一導熱、不導電接合劑，將該等冷卻鰭片耦合至該底座的一表面。
  6. 如申請專利範圍第1項之散熱器，其中該等冷卻鰭片為導熱且不導電。
  7. 如申請專利範圍第1項之散熱器，其中在參考平面內，每一分支具有一表面積，其約小於該等相鄰塊狀體之任一的該表面積的百分之十五。
  8. 如申請專利範圍第1項之散熱器，其中該週期性圖樣化結構與該等分支共享第一與第二相對表面。
  9. 一種設備，包含：一印刷電路板，其包括一連續、導電層；一處理器，其實體上耦合至該印刷電路板，並且電耦合至該導電層；以及一散熱器，其耦合至該電路板並與該處理器熱接觸，該散熱器包括：具有一週期性圖樣化結構的一底座，該週期性圖樣化結構包含相隔且與該導電層平行的複數個導電、導熱塊狀體所形成的一陣列，並且具有與該導電層垂直的一厚度；結構上連接該等塊狀體之複數個分支，每一分支跨越兩相鄰塊狀體之間的一開口，並且在該參考平面內具有的一寬度，其小於每一相鄰塊狀體的一寬度；以及複數個導熱冷卻鰭片，其耦合至該底座並且與該參考平面垂直而延伸。
  10. 如申請專利範圍第9項之設備，其中該印刷電路板的該導電層為一接地平面。
  11. 如申請專利範圍第10項之設備，另包含：複數個金屬柱，將該處理器固定至該電路板，其中該等金屬柱並未接地至該接地層。
  12. 如申請專利範圍第9項之設備，另包含一導熱、不導電接合劑，將該等冷卻鰭片耦合至該底座。
  13. 如申請專利範圍第9項之設備，其中該週期性圖樣化結構具有與該參考平面平行的一實質上不變的剖面。
  14. 如申請專利範圍第9項之設備，另包含：一導熱、不導電填充劑，填入該等相鄰的塊狀體之間的該等空隙。
  15. 如申請專利範圍第9項之設備，其中該塊狀體具有至少10^7 S/m的導電係數，以及大於1 W/m*K的導熱係數。
  16. 如申請專利範圍第12項之設備，其中該導熱、不導電接合劑包含一環氧材質。
  17. 如申請專利範圍第9項之設備，其中每一分支具有一表面積，其約小於該等相鄰塊狀體之任一的該表面積的百分之十五。
  18. 如申請專利範圍第9項之設備，其中該週期性圖樣化結構與該分支共享第一與第二相對平面。
  19. 一種降低一積體電路所產生之電磁雜訊傳播之方法，包含：識別由該積體電路所產生的該電磁雜訊的一頻帶：選擇由複數個分支互連的間隔的複數個塊狀體所形成的一週期性圖樣，該週期性圖樣的幾何形狀(geometry)具有該識別的頻帶內的抑制頻帶；以及將該積體電路熱接觸具有一底座的一散熱器，該底座包括一導電、導熱材料，其具有該所選之週期性圖樣。
  20. 如申請專利範圍第19項之方法，其中選擇由該等分支互連的間隔的該等塊狀體所形成的週期性圖樣，該週期性圖樣的幾何形狀具有該識別的頻帶內的抑制頻帶的上述步驟包含選擇由一塊狀體寬度、一塊狀體長度、一分支寬度、一分支長度以及一底座厚度所組成之群組的其中之一或多個。
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