KR20120000282A - 히트 스프레더 및 그를 포함하는 반도체 패키지 - Google Patents

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KR20120000282A
KR20120000282A KR1020100060572A KR20100060572A KR20120000282A KR 20120000282 A KR20120000282 A KR 20120000282A KR 1020100060572 A KR1020100060572 A KR 1020100060572A KR 20100060572 A KR20100060572 A KR 20100060572A KR 20120000282 A KR20120000282 A KR 20120000282A
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layer
adhesive layer
heat dissipation
heat spreader
heat
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KR1020100060572A
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유재욱
최경세
조은석
최미나
황희정
배세란
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삼성전자주식회사
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Abstract

히트 스프레더(heat spreader)가 제공된다. 히트 스프레더는 제1 접착층, 제1 접착층 상부에 형성된 방열층, 및 제1 접착층과 방열층을 관통하여 형성된 벤트부를 포함한다.

Description

히트 스프레더 및 그를 포함하는 반도체 패키지{Heat spreader and semiconductor package compring the same}
본 발명은 히트 스프레더 및 그를 포함하는 반도체 패키지에 관한 것이다.
최근 전자기기의 급속한 기술발전에 따라 반도체 칩이 점차 고집적화, 소형화 및 미세화 되어가고 있다. 이러한 소형 고집적 반도체 칩은 빠른 구동속도로 동작하면서 많은 양의 열을 발산하게 되기 때문에, 이로 인해 주변회로의 온도를 상승시키게 된다. 이러한 고온 환경은 주변회로의 동작 성능을 저하시켜 제품 신뢰성에 영향을 줄 수 있다. 따라서, 이러한 반도체 칩의 발산열을 저감하기 위해 히트 스프레더가 사용되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 부착공정이 간단하고 열발산 효율이 높은 히트 스프레더를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 신뢰성이 향상된 반도체 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 히트 스프레더의 일 태양(aspect)은, 제1 접착층, 제1 접착층 상부에 형성된 방열층, 및 제1 접착층과 방열층을 관통하여 형성된 벤트부를 포함한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 패키지의 일 태양은, 반도체 칩이 실장된 기판, 기판 상에 형성된 몰딩층, 및 몰딩층 상에 형성된 히트 스프레더를 포함하되, 히트 스프레더는, 제1 접착층과, 제1 접착층 상부에 형성된 방열층과, 방열층에 형성된 벤트부를 포함한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 패키지의 다른 태양은, 반도체 칩이 실장된 기판, 기판 상에 형성된 몰딩층, 및 몰딩층 상에 형성된 히트 스프레더를 포함하되, 히트 스프레더는, 도전성을 갖는 제1 접착층과, 제1 접착층 상부에 형성되고, Si 또는, Al, Cu, In, Pb 및 그 합금 중 적어도 어느 하나로 이루어진 방열층과, 방열층 상부에 형성된 제2 접착층과, 제2 접착층 상부에 형성된 PI 필름으로 이루어진 보호층과, 보호층, 제2 접착층, 및 방열층을 관통하여 형성된 다수의 벤트부로서, 벤트부는 제1 방향 및 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 각각 정렬되어 형성된 벤트부를 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 히트 스프레더의 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A′선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3 및 4는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예의 변형 실시예들에 따른 히트 스프레더의 사시도들이다.
도 5는 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예에 따른 히트 스프레더의 사시도이다.
도 6은 도 5의 B-B′선을 따라 절단한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상에 의한 또 다른 실시예에 따른 히트 스프레더의 사시도이다.
도 8은 도 7의 C-C′선을 따라 절단한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 반도체 패키지의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예에 따른 반도체 패키지의 단면도이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예에 따른 반도체 패키지의 성능을 설명하기 위한 도면들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 표시된 구성요소의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭하며, "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "이루어지다(made of)"는 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 히트 스프레더(heat spreader)에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 히트 스프레더의 사시도이고, 도 2는 도 1의 A-A′선을 따라 절단한 단면도이다. 도 3 및 4는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예의 변형 실시예들에 따른 히트 스프레더의 사시도들이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 히트 스프레더는 제1 접착층(10), 방열층(20) 및 벤트부(ventilation unit)(30)를 포함할 수 있다.
제1 접착층(10)은 반도체칩(도 9의 110)이 실장된 기판(도 9의 100) 상에 형성된 몰딩층(도 9의 120)과 방열층(20)을 접착시키는 역할을 할 수 있다. 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 히트 스프레더의 제1 접착층(10)은 반도체칩(미도시)에서 발산되는 열을 방열층(20)에 잘 전달하기 위해 도전성을 가질 수 있고, 특히, 원상태로 회복가능한 탄성을 가질 수도 있다. 제1 접착층(10)의 탄성에 대해서는 보다 자세히 후술하도록 한다. 이러한 제1 접착층(10)은 예를 들어, 에폭시(epoxy) 계열의 도전성을 갖는 접착층일 수 있다.
방열층(20)은 제1 접착층(10) 상부에 형성될 수 있다. 구체적으로 방열층(20)은 제1 접착층(10)에 접착되어 제1 접착층(10) 상부에 형성될 수 있다. 이러한 방열층(20)은 열을 잘 전달하여 외부로 발산시킬 수 있는 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 히트 스프레더의 방열층(20)은 Si, 유리 소재로 이루어지거나, Al, Cu, In, Pb 및 그 합금 중 적어도 어느 하나인 금속 소재로 이루어질 수 있다.
방열층(20)의 두께(T1)는 50 내지 200㎛일 수 있다. 만약, 방열층(20)의 두께(T1)가 50㎛보다 작을 경우 열을 전달하여 외부로 발산시키는 방열층(20) 고유의 기능이 잘 발휘되지 못할 수 있고, 방열층(20)의 두께(T1)가 200㎛보다 클 경우 방열층(20)의 휨특성(flexibility)이 저하될 수 있다.
한편, 도 1 및 도 2에서는 제1 접착층(10) 상부에 방열층(20)만 형성된 것이 도시되어 있으나, 필요에 따라서는 제1 접착층(10) 하부 또는 방열층(20) 상부에 베이스층(미도시)이 더 형성될 수도 있다.
벤트부(30)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 제1 접착층(10)과 방열층(20)을 관통하여 형성될 수 있다. 이러한 벤트부(30)는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 히트 스프레더가 몰딩층(도 9의 120)에 접착될 때, 접착 과정에서 몰딩층(도 9의 120)과 히트 스프레더 사이에 잔류되는 공기를 외부로 배출(ventilation)하는 배출로 역할을 할 수 있다. 만약, 접착 과정에서 몰딩층(도 9의 120)과 히트 스프레더 사이에 잔류되는 공기가 외부로 배출되지 못하면, 접착된 히트 스프레더 표면에 기포가 형성될 수 있으며, 이는 히트 스프레더의 방열 특성을 저하시켜 제품 신뢰성에 악영향을 줄 수도 있다. 따라서 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 히트 스프레더와 같이 벤트부(30)를 형성하면 히트 스프레더 자체가 플렉시블(flexible)하여 간편하게 몰딩층(도 9의 120에 부착할 수 있을 뿐만 아니라, 부착 과정에서 표면 기포 발생이 방지되어 제품 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 1 및 도 2에서는 다수의 원형 홀(hole) 벤트부(30)가 제1 방향(예를 들어, Y방향) 및 제2 방향(예를 들어, X방향)으로 각각 정렬되어 형성된 것이 도시되어 있으나, 벤트부(30)의 형상은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예의 변형 실시예에 따른 히트 스프레더는 도 3에 도시된 바와 같이 다수의 사각형 홀 벤트부(30)가 제1 방향(예를 들어, Y방향) 및 제2 방향(예를 들어, X방향)으로 각각 정렬되어 형성되어 있을 수 있다. 또한, 비록 도 3에서는 사각형 홀 벤트부(30)만을 도시하고 있으나, 벤트부(30)의 형상은 이 밖에 타원형 홀, 마름모형 홀등 다양한 형태가 가능할 수 있다.
한편, 도 4를 참조하면, 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예의 변형 실시예에 따른 히트 스프레더의 벤트부(30)는 제1 방향(예를 들어, Y방향)으로 정렬되어 형성된 쐐기형 슬릿(slit) 형상일 수 있다. 이와 같이 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예 및 그 변형 실시예들에 따른 히트 스프레더의 벤트부(30) 형상은 접착 과정에서 몰딩층(도 9의 120)과 히트 스프레더 사이에 잔류되는 공기를 외부로 배출시킬 수 있는 형상이면 어떤 형상이든 가능할 수 있다.
다음, 도 5 및 도 6을 참조하여, 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예에 따른 히트 스프레더에 대해 설명한다.
도 5는 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예에 따른 히트 스프레더의 사시도이고, 도 6은 도 5의 B-B′선을 따라 절단한 단면도이다. 이하에서는 앞서 설명한 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 히트 스프레더를 설명하면서 설명한 사항에 대해서는 중복되는 설명을 생략하도록 한다. 즉, 여기서는 그 차이점에 대해서만 설명하도록 한다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 방열층(20)은 서로 이격되어 형성된 다수의 어레이부(21)와 어레이부(21)의 상부에 일체형으로 형성된 브릿지부(22)를 포함할 수 있다. 즉, 방열층(20)의 하부는 격자 모양의 어레이(array)를 구성하는 다수의 어레이부(21)로 구성되고, 방열층(20)의 상부는 다수의 어레이부(21)를 제1 또는 제2 방향(예를 들어, Y 또는 X방향)으로 연결하는 브릿지부(22)로 구성될 수 있다. 서로 이격되어 형성된 다수의 어레이부(21) 사이에는 제1 접착층(10)이 형성될 수 있다.
이렇게 방열층(20)을 어레이부(21)와 브릿지부(22)로 형성할 경우 수평 방향(예를 들어, Y 또는 X방향)으로의 열전달 특성이 향상될 수 있다.
다음, 도 7 및 도 8을 참조하여, 본 발명의 기술적 사상에 의한 또 다른 실시예에 따른 히트 스프레더에 대해 설명한다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상에 의한 또 다른 실시예에 따른 히트 스프레더의 사시도이고, 도 8은 도 7의 C-C′선을 따라 절단한 단면도이다. 이하에서도 앞서 설명한 실시예들과의 차이점에 대해서만 설명하도록 한다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 기술적 사상에 의한 또 다른 실시예에 따른 히트 스프레더는 제2 접착층(40) 및 보호층(50)을 더 포함할 수 있다.
구체적으로, 보호층(50)은 방열층(20) 상부에 제2 접착층(40)에 의해 접착되어 형성될 수 있다. 즉, 제2 접착층(40)은 방열층(20)과 보호층(50)을 접착시키는 역할을 할 수 있으며, 실질적으로 제1 접착층(10)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
보호층(50)은 외부 충격으로부터 히트 스프레더를 보호하고, 방열층(20)의 변색을 방지하는 역할을 할 수 있다. 구체적으로, 보호층(50)은 히트 스프레더가 부착된 반도체 패키지(미도시)에 후속 패키징 공정이 진행될 때, 공정 중에 발생하는 외부 충격이나 이물질로부터 방열층(20)을 보호하고, 방열층(20)이 산화되어 변색되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
이 경우 벤트부(30) 도 8에 도시된 바와 같이 보호층(50), 제2 접착층(40), 방열층(20) 및 제1 접착층(10)을 관통하여 형성될 수 있다. 비록, 도 8에는 벤트부(30)가 원형 홀로 형성된 것이 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 제한되지는 않으며, 앞서 설명한 다양한 형상의 벤트부(30)가 형성될 수 있다. 또한, 방열층(20)의 형상도 도 8에 도시된 것에만 제한되지 않음은 물론이다.
다음, 도 9를 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 반도체 패키지에 대해 설명한다.
도 9는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 반도체 패키지의 단면도이다. 여기서는 도 9에 도시된 바와 같이 반도체 패키지가 BGA 패키지인 것을 예로 들어 설명하나 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 히트 스프레더는 Filp Chip 패키지, Lead Frame 패키지, Stacked 패키지등 다양한 패키지에 적용 가능하다.
도 9를 참조하면, 반도체 패키지는 기판(100), 반도체 칩(110), 몰딩층(120), 및 히트 스프레더(10 내지 30)를 포함할 수 있다.
기판(100)의 반도체 칩(110) 실장 영역 상에는 반도체 칩(110)이 실장될 수 있다. 그리고 도 9에 도시된 바와 같이, 기판(100)의 반도체 칩(110)이 실장된 면의 타면에는 다수의 접촉 단자가 형성될 수 있다.
몰딩층(120)은 기판(100) 상에 형성될 수 있다. 구체적으로 몰딩층(120)은 기판(100) 상에 실장된 반도체 칩(110)을 감싸며 형성될 수 있다.
몰딩층(120) 상부에는 히트 스프레더(10 내지 30)가 형성될 수 있다. 구체적으로, 히트 스프레더(10 내지 30)는 몰딩층(120)이 형성된 후, 몰딩층(120) 및 기판(100) 상부에 예를 들어, 펀칭(punching) 가공되어 부착될 수 있는데, 이 때, 제1 접착층(10)은 방열층(20)이 몰딩층(120)에 부착되도록 하는 역할을 할 수 있다. 이러한 펀칭 가공 시, 제1 접착층(10)내에 형성된 벤트부(30)는 몰딩층(120)과 방열층(20) 사이에 잔류되는 공기를 외부로 배출하는 통로로 이용되고, 펀칭 가공이 완료되면 제1 접착층(10)의 탄성에 의해 제1 접착층(10)으로 채워질 수 있다. 따라서, 펀칭 가공이 완료된 후 제1 접착층(10) 내에는 벤트부(30)가 형성되지 않을 수 있다.
한편, 도시하지는 않았으나, 필요에 따라 벤트부(30)를 크게 가공할 경우, 벤트부(30)는 펀칭 가공이 완료된 후에도 제1 접착층(10)으로 모두 채워지지 않고 제1 접착층(10)내에 그대로 형성되어 있을 수도 있다. 즉, 필요에 따라 벤트부(30)의 가공 크기를 조절하여 펀칭 가공 후 제1 접착층(10)내의 벤트부(30)가 존재하도록 할 수도 있고, 제1 접착층(10) 내의 벤트부(30)가 제1 접착층(10)으로 채워지도록 할 수도 있다.
방열층(20)내에 형성된 벤트부(30)는 도 9에 도시된 바와 같이, 몰딩층(120)에 부착이 완료된 후 하부 몰딩층(120)의 형상에 따라 그 크기와 형상이 각각 다르게 변경될 수 있다.
한편, 몰딩층(120) 및 기판(100) 상부에 히트 스프레더(10 내지 30)을 부착하는 공정은 릴투릴(reel to reel) 공정을 이용하여 수행될 수 있다. 즉, 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들의 따른 히트 스프레더(10 내지 30)는 플렉시블한 특성을 갖고 있기 때문에, 패키지 제조 공정의 제일 마지막 공정에 릴투릴 공정을 이용하여 몰딩층(120) 및 기판(100) 상부에 부착될 수도 있다. 이로서, 반도체 패키지에 히트 스프레더를 부착하는 공정이 매우 간단해질 수 있다.
도 9에는 도시하지 않았으나, 히트 스프레더(10 내지 30) 상부에 마킹이 필요할 경우, 마킹이 필요한 영역에는 벤트부(30)가 형성되지 않을 수도 있다.
다음 도 10을 참조하여, 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예에 따른 반도체 패키지에 대해 설명한다.
도 10은 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예에 따른 반도체 패키지의 단면도이다. 마찬가지로 여기서는 도 10에 도시된 바와 같이 반도체 패키지가 BGA 패키지인 것을 예로 들어 설명하나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예에 따른 반도체 패키지의 히트 스프레더는 방열층(20) 상부에 제2 접착층(40) 및 보호층(50)이 더 형성될 수 있다. 이 점을 제외하고는 앞서 설명한 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하면서 설명한 내용과 모두 동일한바 중복된 설명을 생략한다.
한편, 도 9 및 도 10에서는 반도체 패키지에 부착되는 히트 스프레더로 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 히트 스프레더만 예를 들었으나, 앞서 설명한 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 다양한 히트 스프레더가 부착될 수 있음은 당연하다.
다음, 도 11 및 도 12를 참조하여, 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예에 따른 반도체 패키지의 성능에 대해 설명한다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예에 따른 반도체 패키지의 성능을 설명하기 위한 도면들이다.
먼저 도 11을 참조하면, 도 11은 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예에 따른 반도체 패키지(P 참조)와 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예에 따르지 않은 반도체 패키지(Q 참조)간 방열 특성에 관한 그래프이다.
구체적으로 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예에 따른 반도체 패키지(P 참조)는 히트 스프레더가 벤트부(30)가 형성된 상태에서 몰딩층(도 10의 120) 상부에 부착된 반도체 패키지이며, 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예에 따르지 않은 반도체 패키지(Q 참조)는 히트 스프레더가 몰딩층(도 10의 120) 내부에 형성된 경우이다. 도 11을 참조하면, 서로 다른 전력(도 11의 1 내지 3)을 인가했을 때, 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예에 따른 반도체 패키지(P 참조)의 열발산 효과가 대략 30%정도 우수함을 알 수 있다.
다음 도 12를 참조하면, 도 12는 온도를 0℃에서 250℃까지 올린 후, 다시 0℃로 내리면서, 반도체 패키지의 히트 스프레더가 휘는 정도를 측정한 결과이다. 도 12에서 알 수 있듯이 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예에 따른 반도체 패키지의 히트 스프레더(P 참조)는 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예에 따르지 않은 반도체 패키지의 히트 스프레더(Q 참조)에 비해 휨특성(flexibility)가 매우 우수함을 알 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 제1 접착층 20: 방열층
21: 어레이부 22: 브릿지부
30: 벤트부 40: 제2 접착층
50: 보호층 100: 기판
110: 반도체 칩 120: 몰딩층

Claims (10)

  1. 제1 접착층;
    상기 제1 접착층 상부에 형성된 방열층; 및
    상기 제1 접착층과 상기 방열층을 관통하여 형성된 벤트부를 포함하는 히트 스프레더.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 벤트부는 다수가 형성되되,
    상기 다수의 벤트부는 제1 방향 및 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 각각 정렬되어 형성된 히트 스프레더.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 벤트부는 다수가 형성되되,
    상기 다수의 벤트부는 제1 방향으로 정렬되어 형성된 히트 스프레더.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 각 벤트부의 형상은 쐐기형 슬릿(slit)인 히트 스프레더.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 접착층은 도전성과 탄성을 갖는 히트 스프레더.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 방열층은 서로 이격되어 형성된 다수의 어레이부와 상기 어레이부의 상부에 일체형으로 형성된 브릿지부를 포함하는 히트 스프레더.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 방열층 상부에 형성된 제2 접착층 및 상기 제2 접착층 상부에 형성된 보호층을 더 포함하고,
    상기 벤트부는 상기 보호층, 제1 및 제2 접착층, 및 방열층을 관통하여 형성된 히트 스프레더.
  8. 반도체 칩이 실장된 기판;
    상기 기판 상에 형성된 몰딩층; 및
    상기 몰딩층 상에 형성된 히트 스프레더를 포함하되,
    상기 히트 스프레더는,
    제1 접착층과,
    상기 제1 접착층 상부에 형성된 방열층과,
    상기 방열층에 형성된 벤트부를 포함하는 반도체 패키지.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 히트 스프레더는 상기 방열층 상부에 형성된 제2 접착층 및 상기 제2 접착층 상부에 형성된 보호층을 더 포함하고,
    상기 벤트부는 상기 보호층, 제2 접착층, 및 방열층을 관통하여 형성된 반도체 패키지.
  10. 반도체 칩이 실장된 기판;
    상기 기판 상에 형성된 몰딩층; 및
    상기 몰딩층 상에 형성된 히트 스프레더를 포함하되,
    상기 히트 스프레더는,
    도전성을 갖는 제1 접착층과,
    상기 제1 접착층 상부에 형성되고, Si 또는, Al, Cu, In, Pb 및 그 합금 중 적어도 어느 하나로 이루어진 방열층과,
    상기 방열층 상부에 형성된 제2 접착층과,
    상기 제2 접착층 상부에 형성된 PI 필름으로 이루어진 보호층과,
    상기 보호층, 제2 접착층, 및 방열층을 관통하여 형성된 다수의 벤트부로서, 상기 벤트부는 제1 방향 및 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 각각 정렬되어 형성된 벤트부를 포함하는 반도체 패키지.
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