TWI304492B - - Google Patents

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1304492 (1) 玫、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明爲有關液晶裝置，其驅動方法及電子機器。 【先前技術】 傳統上，於液晶裝置之配向模式，係具有以無施加電 壓狀態使液晶分子略平行於基板面，且於垂直於基板之方 向具有扭轉之配向扭轉向列（以下簡稱爲TN)模式，和 使液晶分子配向於垂直之垂直配向模式之2種。從信賴性 等層面視之，傳統雖然係以TN模式爲主流.，但是垂直配 向模式由於具有幾個優點特性，故垂直配向模式之液晶裝 置將逐漸受到重視。 譬如，於垂直配向模式上，液晶分子對基板面，係將 垂直配列之狀態（無從法線方向觀察之光學相位差）做爲 黑顯示，而加以使用，因此黑顯示品質較優，且可獲得高 對比。同時，於正面對比佳之垂直配向型液晶顯示裝置上 ，所得到一定對比之視角範圍，相較於水平配向模式之 TN (扭轉向列）液晶，將較爲廣。 但是，於上述垂直配向模式之中，有必要適當控制施 加電壓時之液晶分子傾斜方向，而於未進行傾斜方向之控 制時，於點領域之中央部，將具有產生未傾斜之液晶分子 領域（向錯）而降低顯示亮度之問題存在。同時，將此電 位差做爲中心，而使得液晶分子傾斜成放射狀，故液晶分 子之指向與偏光板之角度於點領域內變化，亦將具有降低

-5- (2) 1304492 透過偏光板之光量問題發生。 爲了解決於如此之垂直配向模式之液晶顯示裝置之問 題，譬如，於以下之專利文獻1已揭示著於形成畫素電極 成平面視之矩陣狀基板之中，於畫素電極間之邊界領域設 置配向控制用之嵌入電極，而將作成控制施加電壓時之液 晶分子傾斜方向之液晶顯示裝置。 [專利文獻1] 特開平1 1 -2 1 2053號公報 若藉由記載於上述專利文獻1之液晶顯示裝置時，藉 由與畫素電極之施加電壓係獨立控制.之嵌入電極之作用， 使得可控制於點領域內之電壓施加時之液晶分子之傾斜方 向。但是。上述嵌入電極，由於係形成於畫素電極與基板 之間，故爲了適當控制液晶分子之傾斜方向，相較於藉由 畫素電極所形成之電場，有必要將較強電場藉由嵌入電極 而加以形成。亦既，於嵌入電極相較於畫素電極有施加較 爲高之電壓必要，即使就爲了驅動嵌入電極之電路，亦有 準備耐高壓之驅動電路之必要。因此，由於構造之複雜化 及電路之高性能化將導致製造困難度及成本變高之問題。 本發明乃爲有鑑於上述事情而所發明之，且可有效控 制於點領域之向錯之產生，而作爲可高亮度之顯示’另外 ，可用低電壓來進行液晶分子之配向控制，最好亦係提供 一種製造容易度佳之液晶裝置而作爲目的。 同時，本發明，係用於上述液晶裝置而提供一種最適 當之液晶裝置之驅動方法來做爲目的。 -6- (3) 1304492 【發明內容】 本發明之液晶顯示裝置，爲了解決上述課題’乃具備 於一面配列形成於矩陣狀之畫素電極，與對應於各畫素電 極而設置之開關元件之陣列基板，和具備對向於該陣列基 板所配置之對向基板，與挾持於前述兩基板間之液晶層之 液晶裝置；其特徵：前述液晶層，係由具有負的介電異方 性液晶所形成；於前述對向基板之液晶層側，設置著沿著 前述畫素電極間之邊界所延伸存在之平面視之略爲條紋狀 之配向控制電極。 若藉由上述構造時，以沿著配置成矩陣狀之畫素電極 之邊境設置配向控制電極，而於畫素電極施加電壓時，構 成液晶層之垂直配向模式之液晶分子，將整合於配向控制 電極之排列方向而可作成傾斜。因此，可有效抑制由於液 晶分子傾斜於無順序所產生之向錯，進而可高亮度之顯示 〇 同時，配向控制電極由於並非設置於陣列基板，且， 設置於對向基板，故藉由控制液晶分子之傾斜方向之配向 控制電極所產生之電場，係不會被藉由畫素電極所產生電 場遮蔽，而直接作用於液晶層。因此，相較於記載於先前 之專利文獻1之傳統之液晶顯示裝置，可降低施加於配向 控制電極之電壓，無須對驅動配向控制電極之電路之耐壓 對策，且易於製造，同時亦可降低製造成本。 於本發明之液晶裝置上，施加於前述配向控制電極之 電壓，最好係於鄰接所形成之配向控制電極作成相反之極 1304492 第93105755號專利申請案 中文說明書修正頁民國97 ϋ月％!日修正 (4) 7/年> 月Α日修(更)正替換頁 性。所謂前述「相反極性」，係表示將對向基板側之電極 做爲基準（零）而反向電位之正負，譬如，當對向基板側 之電極爲0V時，其中一方極性爲負的電位，而另一方爲 正電位之狀態。做成如此之構造，係施加電壓時之液晶分 子之傾斜方向（指向方向），於點領域內，能整合於一方 向，可防止於點領域內將產生向錯線而降低亮度。 於本發明之液晶裝置上，施加於前述配向控制電極之 電壓，相較於前述畫素電極之最大驅動電壓可構成較爲小 。如先前之構造，於本發明之液晶裝置上，配向控制電極 由於設置於對向基板側，故藉由配向控制電極所產生之電 場，大約直接作用於液晶層，因此，施加於配向控制電極 之電壓’即使比畫素電極之最大驅動電壓（於進行畫像顯 不時’所施加於畫素電極之電壓最大値）爲小，亦可進行 良好液晶分子之傾斜方向之控制。若藉由此構造時，以與 傳統之液晶裝置之相同電壓，即可驅動畫素電極及配向控 制電極，易於從傳統構造而移轉。 本發明之液晶裝置，係沿著前述畫素電極之邊緣，而 形成延伸存在於相互交叉方向之掃描線及資料線，該液晶 裝置之驅動模式於成爲1 Η反轉驅動之同時，前述配向控 制電極和前述掃描線，於平面視之中，可構成形成爲約爲 重疊。 同時，本發明之液晶裝置，係沿著前述畫素電極之邊 緣’而形成延伸存在於相互交叉方向之掃描線及資料線， 該液晶裝置之驅動模式於成爲S反轉驅動之同時，前述配 (5) 1304492 向控制電極和前述資料線，於平面視之中，亦可構成形成 爲約爲重疊。 於本發明之液晶裝置之中，最好係於鄰接於配向控制 電極之配列方向之畫素，而使驅動電壓之極性反轉而加以 驅動。此爲於面板前面將液晶分子之傾斜方向做成相同之 故。因此，配向控制電極於沿著掃描線而加以設置時，畫 素電極之驅動方式作成1H反轉驅動即可，同時，配向控 制電極於沿著資料線而加以設置時，作成S反轉驅動即可 〇 於本發明之液晶裝置上，於前述對向基板之液晶層側 ，形成略爲圓盤狀之共通電極，於前述共通電極之液晶層 側，隔著絕緣層可形成前述配向控制電極之構造。作成如 此之構造，係電氣性絕緣共通電極，將可保持任意電位之 配向控制電極，設置於對向基板。 另外，於本發明之液晶裝置上，於前述對向基板之液 晶層側，形成平面視之略爲條紋狀之共通電極，而於前述 共通電極之基板側，沿著該共通電極間之間隙而延伸存在 之前述配向控制電極，亦可隔著絕緣層而形成之構造。 作成如此之構造，即使相較於共通電極於較基板側設 置配向控制電極，亦能夠進行良好之液晶層之配向控制。 因此，譬如，能夠易於適用將配向控制電極做爲對向基板 之遮光膜之一部份而加以構成之構造，或做爲彩色濾光片 之黑矩陣之一部份而加以形成之構造等。 於本、發明之液晶裝置上，於前述對向基板之液晶層側 -9- 1304492 f_________———―叫 (6) 年r月叫修(更)正替換頁 ，形成平面視之略爲條紋狀之共通電極，於前述共通電極 間之間隙，亦可作成與該共通電極平行所形成之前述配向 控制電極之構造。 於如此之構造上，可將共通電極與配向控制電極形成 於相同層，以相同材質構成共通電極與配向控制電極時， 對工程上特別有益。同時，亦具有無須爲了電氣性絕緣共 通電極與配向控制電極之絕緣層之形成工程。 於本發明之液晶裝置上，可採用前述配向控制電極成 爲遮光膜或是其一部份之構造。於形成配向控制電極之領 域上，由於藉由電場於液晶層中之電場將產生偏斜，成爲 向錯領域，故爲了不降低顯示品質，雖然需要遮光相關領 域，但是作成上述之構造，係前述向錯領域藉由配向控制 電極本身而被遮光。亦即，當除了配向控制電極另外設置 爲了遮光上述向錯領域之遮光膜時，有需要定位遮光膜和 配向控制電極，但是若藉由本構造時，則無須相關定位且 提局工程效率。 於本發明之液晶裝置上，係於前述配向控制電極與前 述對向基板之間，可作成形成彩色濾光片之構造。作成如 此之構造係可提供高亮度，可顯示廣視野角之彩色顯示之 液晶裝置。同時，於相關構造之中，前述配向控制電極， 最好係形成於前述黑矩陣之平面領域內。當配向控制電極 ’脫離黑矩陣之平面領域而配置時，其領域亦產生遮光之 必要’而降低開口率，故較不好。 於本發明之液晶裝置上，係挾持前述液晶層而於兩側 -10- (7) 1304492 ，可作成具備爲了入射圓彳扁光1之^圓偏光1手段之構造° ^乍成 如此之構造’將不易產生因於^丨扁光1板之透過軸與、液晶層 之液晶分子之指向之角度偏移之亮度降低’而可取得明亮 之顯示。

其次，本發明之液晶裝置之驅動方法，係如申請專利 範圍第1項所記載之液晶裝置之驅動方法’其特徵係於鄰 接之前述配向控制電極’於施加相反極性之電壓狀態上’ 驅動前述畫素電極。作成如此之驅動方法，當於畫素電極 施加電壓時，由於可以液晶分子之指向方向爲於點領域內 整合成大略相同方向（配向控制電極之配列方向）一般驅 動液晶裝置，故可顯示高亮度。 於本發明之液晶裝置之驅動方法上，於前述配向控制 電極施加電壓，亦可與前述畫素電極之掃描同步進行。即 使就如此之方法，亦可與上述方法同樣顯示高亮度。

本發明之電子機器，其特徵係具備先前之本發明之液 晶裝置。若藉由此構造時，將可提供高亮度，高對比，寬 視野角之顯示部，或是，具備光學調變手段之電子機器。 【實施方式】 以下，茲參照圖面說明本發明之實施形態。以下之實 施形態之液晶裝置，係以使用薄膜電晶體（TFT )來做爲 開關元件之主動矩陣型之液晶裝置。 (第1實施形態） -11 - (8) 1304492 圖1爲表示配置於構成本實施形態之液晶裝置之畫像 顯示領域之矩陣狀的複數點之等效電路圖’圖2爲表示 TFT陣列基板之一*個點構造平面圖’圖3爲表不液晶裝置 構造之剖面圖，又，圖3(a)爲表示沿著圖2之A— A’ 線部分剖面圖，圖3 ( b )爲表示沿著B — B ’線對向基板之 部分剖面圖。同時，於以下各圖之中，各層或各構件爲了 於圖面上成爲可辨識程度之大小，故於各層或各構件使縮 小比例不同。 本實施形態之液晶顯示裝置之中，如圖1所示，於配 置成構成畫像顯示領域之矩陣狀複數點，各形成畫素電極 9，與爲了控制該畫素電極9開關元件之TFT30，供給畫 像信號之資料線6a係電氣性連接於該TFT30之源極。寫 入於資料線6a之畫像信號SI，S2........Sn，係依序供給 於線順序，或是對相鄰之複數資料線6a，供給於各群組 。同時，掃描線3a係電氣性連接於TFT30之閘極，對複 數掃描線3a，掃描信號Gl，G2……Gm係依序脈衝性施加 於特定之時序。同時，畫素電極9係電氣性連接於TFT3 0 之汲極，開關元件之TFT30藉由僅於一定時間導通，使 得從資料線6a所供給之畫像信號SI，S2...Sn寫入於特定 之時序上。 藉由畫素電極9寫入於液晶之特定準位之畫像信號 S1 5 S2…··Sn，係一定時間保持於後述之共通電極。液晶 係藉由所施加之電壓準位而改變分子集合之配向或順序， 調變光進而可顯示灰階。於此，所保持之畫像信號爲了防 -12- 1304492 Ο) ±漏電’故附加與形成於畫素電極9與共通電極之間之液 晶電容並聯之積蓄電容7 〇。又，符號3 b爲電容線。 其次’藉由圖2說明有關構成本實施形態之液晶裝置 之平面構造。 如圖2所示，於TFT陣列基板上，複數矩形狀之畫 素電極9係設置成矩陣狀，沿著畫素電極9之縱橫之邊界 形成著資料線6a及掃描線3a。又，於圖2上，爲了易於 觀察圖面，則省略電容線3b及積蓄電容70之圖示。於本 實施形態中，包圍各畫素電極9及其周圍一般，所配置之 資料線6a及掃描線3 a等所形成之領域內側，爲一個點領 域’於配置成矩陣狀之各點領域，爲可顯示之構造。 資料線6a係構成TFT30，譬如與由聚矽膜所形成之 平面視之爲矩形狀之半導體層11交叉位置上，於半導體 層1 1之源極領域7，經由未圖示之接觸孔而電氣性連接 ’畫素電極9於半導體層11之汲極領域8，直接或是經 由接觸孔而電氣性連接。同時，於半導體層11之略爲中 央部之中，交叉從掃描線3a分歧，而延伸之閘極電極13 ，與此閘極電極1 3平面性重疊之領域係成爲半導體層1】 之通道領域。 同時，與掃描線3 a平面性重疊一般，配置條紋狀之 配向控制電極25，與配向控制電極25略爲正交，而配置 條紋狀之遮光膜26。配向控制電極25相較於掃描線3a 形成較大之同時，亦與各畫素電極9之掃描線3a側之週 邊部平面性重疊之。且，遮光膜26係覆蓋資料線6a和半 -13- (10) 1304492 導體層11之一部份一般地而形成。另外’此等之配向控 制電極25及遮光膜26，係對向配置於形成畫素電極9或 TFT30等之TFT陣列基板，且設置於後述之對向基板之 液晶層側。 其次，當觀察剖面構造時，如圖3 ( a )所示，係於 TFT陣列基板1 0與對向配置於此之對向基板20之間，挾 持著由初期配向狀態呈現垂直配向之負的介電率異方性的 液晶所形成之液晶層5 0。TFT陣列基板1 0，乃於由石英 ，玻璃等之透光性材料所形成之基板主體1 〇 A之表面， 具有由ITO等所形成之透明導電膜，或者由鋁，銀等所形 成之金屬反射膜，或是藉由前述透明導電膜與金屬反射膜 之層積膜所構成之畫素電極9。 另外，於圖3(a)上，雖然圖示以基板主體10A與 畫素電極9來做爲TFT陣列基板1 0之構造要素，但是實 際上，於畫素電極9與基板主體10A之間，形成1或複 數之絕緣膜，於相關絕緣膜之間層，形成先前之半導體層 11或掃描線3a，資料線6a等。覆蓋畫素電極9而形成垂 直配向膜。 另外，於對向基板20，如圖3(a)及圖3(b)所示 ，於由石英，玻璃等之透孔性材料所形成之基板主體20A 之內面側，依序形成共通電極22，和平面視之略爲條紋 狀之遮光膜26，和覆蓋此遮光膜26所形成之絕緣層23， 和正交於前述遮光膜26延伸之配向控制電極25，覆蓋配 向控制電極25及絕緣層23而形成未圖示之垂直配向膜。 -14- (11) 1304492 另外，如圖3 ( a )所示’於TFT陣列基板10及對向 基板2 0之外面側，各設置偏光板1 7，2 7。 對向基板20之共通電極22 ’ ’譬如由ΙΤΟ等之透明 導電材料所形成，於基板主體20 Α之其中一面，形成圓 盤狀。於此共通電極22上所形成之遮光膜26，譬如係以 Al，Cr等材料所構成。同時，覆蓋遮光膜26及共通電極 22之絕緣層23，譬如係以Si02等之絕緣性透光材料所構 成，電氣性絕緣形成於其上之配向控制電極2 5和共通電 極22，而能夠於配向控制電極25施加任意之電壓。因此 ’於本實施形態上，於配向控制電極25之延伸存在方向 ，連接爲了施加電壓於配向控制電極25之各電極之驅動 電路。 於具備上述構造之本實施形態之液晶裝置上，於對向 基板20設置配向控制電極25，於垂直配向模式之液晶施 加電壓，而傾斜於基板面方向時之傾斜方向，能夠整合於 配向控制電極2 5之寬方向（配列方向）。圖3 ( a )爲模 式性表示於畫素電極9，從圖示左側施加+5V，-5V，+5V 之電壓，於對向基板之配向控制電極25，從圖示左側施 加-3V，+3V之電壓狀態之液晶分子51之配向狀態。關於 圖示之液晶分子51之配向狀態，係根據在於圖3 ( a )所 示之各電極之電位條件下，本發明者藉由模擬所求出之液 晶分子分布。 又，於上述模擬上，液晶裝置之驅動方式，係作成 1H反轉驅動（行反轉驅動），將施加電壓時之液晶層50 -15- (12) 1304492 之相位差設爲λ /2，偏光板1 7，27其透過軸係作成與配 向控制電極25之延伸存在方向產生45°之角度之正交偏光 鏡之正常黑。同時，於配向控制電極25，使各條反轉極 性而施加3V電壓。 如圖3 ( a )所示，於本實施形態之液晶裝置上，藉 由將相較於畫素電極9之驅動電壓（5V)爲低之電壓事 先施加於配向控制電極25，於液晶層50施加電壓時之液 晶分子5 1之傾斜方向（指向），可於點領域內整合於圖 示右方向。亦即，藉由施加於配向控制電極25之電壓， 使得於畫素電極9與共通電極22之間所形成之電場，偏 斜於配向控制電極25附近，於畫素電極9之週邊部形成 傾斜電場。且，沿著此電場之傾斜將傾斜液晶分子5 1， 仿效此等點領域內之液晶分子51之傾斜方向能夠整合於 一定方向而傾斜。另外，藉由配向控制電極25所產生之 傾斜電場，僅出現於配向控制電極2 5之附近，雖亦取決 於配向控制電極2 5之寬度，但對顯示領域幾乎亦不受影 響，因此液晶分子51之傾斜角度即使藉由上述配向控制 電極25之電場而變爲較淺，亦不會產生黑浮點等而降低 顯示品質。 如此’若藉由本實施形態之液晶顯示裝置時，將可有 效防止液晶分子51於點領域內，藉由無順序傾斜所產生 之向錯，於取得高亮度顯示之同時，亦可有效防止於垂直 配向模式之液晶裝置，傾斜方向觀察時所產生之微污點狀 之斑點，進而於廣視野角範圍內可獲得高品質之顯示。 -16- (13) 1304492 同時，本實施形態之情況，配向控制電極25乃 Al，Cr2等之金屬膜所構成，即使做爲遮光膜（黑矩 亦能夠加以功能化。配向控制電極25，雖然亦可藉由 等之透明導電材料所構成之，但是如上述所言，其兼 光模之構造，可容易的將藉由配向控制電極25之電 產生之電場傾斜領域遮光，將可使起因於電場偏斜之 不對顯示品質產生影響。另外，將配向控制電極25 透明電極，並另外設置遮光膜時，有需要正確進行配 制電極25與遮光膜之定位，但是配向控制電極25兼 光膜之構造，而於降低工程時間數之同時，亦具有可 藉由精密度不良所產生之良率之降低之優點。 另外，於配向控制電極25之平面領域之中，如 述，將產生偏斜電場，由於成爲產生向錯之狀態，故 晶裝置之開口率上，配向控制電極25之寬度，最好 成狹小於畫素電極9之間隔程度，且當沿著配向控制 25另外設置遮光膜時，寬度即使作成更狹小亦不拘。 又，如上所述，於本實施形態之液晶裝置上，配 制電極25係設置於對向基板20側，於爲了控制施加 時之液晶分子之傾斜方向之配向控制電極2 5，施加 壓，相較於施加於畫素電極9之電壓，可作成較低。 而言，於記載於專利文獻1之傳統技術上，配向控制 嵌入電極係由於相較於畫素電極設置於下側，譬如， 素電極之驅動電壓爲 5V時，施加於嵌入電極之電 10〜15V程度，和相較於畫素電極有需要施加頗高之 藉由 陣） ITO 具遮 位所 向錯 作成 向控 具遮 防止 上所 於液 係作 電極 向控 電壓 之電 具體 用之 當畫 壓爲 電壓 > 17- (14) 1304492 ，因此，有必要安裝耐高壓之電路來做爲嵌入電極用之驅 動電路。對此，於本實施形態之液晶裝置上，施加於配向 控制電路25之電壓即使相較於畫素電極之驅動電壓較爲 低，如先前記載，由於可良好進行液晶分子之配向控制， 故可降低往配向控制電極2 5用之驅動電路之負荷，藉此 ，將無須安裝耐高壓之驅動電路，亦可易於製造之。 於本實施形態之液晶裝置上，配向控制電極25之電 壓極性，係於各條線反向，驅動方式係作成1 Η反轉驅動 。圖4爲模式性表示將共通電極之電位設爲0V時之1Η 反轉驅動時之各畫素電壓極性之說明圖，圖5爲模式性表 示畫素電極9和配向控制電極25之電壓極性說明圖。 於本實施形態之液晶裝置上，如圖2所示，配向控制 電極25，係與掃描線之延伸存在方向形成平行，且如圖5 所示，於各條形成相反電壓極性。於如此構造之中，最好 係於配向控制電極25之配列方向，反轉鄰接之畫素電極 極性之lh反轉驅動，若非如此之驅動方法，譬如爲S反 轉驅動時，則灰階顯示成爲粗糙之污點顯示故不佳。 於是，於1H反轉驅動上，如圖4所示，於1圖框之 中，於掃描線之延伸方向整合各畫素之極性，而於資料線 之延伸存在方向上，於鄰接之畫素間爲了爲反極性，故於 各畫素電極9寫入畫像信號，於各圖框反轉各畫素之極性 一般而驅動之。因此，於配向控制電極2 5之配列方向， 反轉電壓極性，將可獲得控制產生閃爍點之良好顯示。 另外，做爲配向控制電極25之驅動形態，係可用（1 -18- (15) 1304492 )通常保持一定電壓之方法或是（2)與掃描線3a同步掃 描而掃描配向控制電極25之方法。即使用任一之驅動方 法，由於皆可獲得藉由控制產生向錯所產生之改善亮度效 果，故配向控制電極25之驅動方法，只要因應於液晶裝 置之設計，而選擇不易產生閃爍點等之驅動方法既可。 同時，於本實施形態之液晶裝置上，於圖3 ( a )所 示之偏光板1 7，2 7和液晶層5 0之間，可設置1 /4波長板 等之圓偏光板入射手段。若藉由此構造時，透過液晶層 5 0的光係爲圓偏光，而液晶裝置之亮度，可做成不依存 於液晶分子之指向和偏光板.1 7，2 7之透過/吸收軸角度之 構造。 於以上之實施形態上，配向控制電極25雖然係說明 有關沿著掃描線3 a所配置之情況，但是做爲本發明之液 晶裝置之形態，如圖6所示，配向控制電極25亦可適用 沿著資料線6 a而配置者。圖6爲表示第1實施形態之液 晶裝置之其他構造例子之平面構造圖，其剖面構造，係與 圖3所示之第1實施形態相同。 於作成如此構造時，遮光膜26爲沿著掃描線3 a —般 而配置，形成於對向基板20既可。且，於相關構造之中 ，液晶裝置之驅動方法爲S反轉驅動。亦即，於鄰接於沿 著資料線6a所形成之配向控制電極2 5之配列方向（圖示 左右方向）之畫素間，反轉電壓極性一般，而驅動各畫素 〇 圖6所示之構造例之液晶裝置，亦與先前之實施形態 -19- (16) 1304492 相同，點領域內之液晶分子由於在施加電壓時，整合於一 方向而傾斜，故可獲得抑制向錯之產生之效果，進而可顯 示高亮度。同時，於液晶層之上下，即使設置圓偏光手段 當然亦可。 [第2實施形態] 以下，茲參考圖7而說明本發明之液晶裝置之第2實 施形態。圖7 ( a )爲表示本實施形態之液晶裝置之部分 平面構造圖，圖7 ( b )爲表示沿著同圖之C-C線之剖面 構造圖。 於本實施形態之液晶裝置之構造中，與先前實施形態 之液晶裝置不同點，係其對向基板之構造，其基本構造係 與上述第1實施形態之液晶裝置相同。因此，於圖7之中 ，對和圖1至圖3相同之構造要素，付與相同符號，並省 略其詳細說明。 如圖7 ( a )及圖7 ( b )所示，於本實施形態之液晶 裝置上，於對向基板20之內面側，形成著平面視之爲條 紋狀之配向控制電極25，和覆蓋此配向控制電極25之絕 緣層23，和於絕緣層23上，與前述配向控制電極25平 行延伸之平面視之爲條紋狀之共通電極22a。如圖7 ( a ) 所示，共通電極22a係由ITO等之透明導電材料所形成， 於其寬度內包含畫素電極9 一般而平面配置。配向控制電 極25，係沿著畫素電極9之圖示左右方向之邊端，與掃 描線3 a平面性重疊一般地，配置於畫素電極9，9間之邊 -20- (17) 1304492 界部。同時，如圖7 ( b )所示，共通電極22a和配向控 制電極25，係藉由絕緣層23電氣性絕緣之。 於配向控制電極25，係與上述第1實施形態相同連 接著省略圖示之驅動電路，成爲能於每1條短冊狀之電極 施加反極性之電壓。即使就本實施形態之液晶裝置，畫素 電極9之驅動方式亦爲1H反轉驅動。 另外，圖7 ( b )所示，於本實施形態之液晶裝置上 ，配向控制電極25雖然乃較共通電極22設置於更靠基板 主體20A側，但是共通電極22a由於係配置成平面視之條 紋狀，開口於對應於配向控制電極25之平面領域，故藉 由配向控制電極25所產生之電場，幾乎不會因爲共通電 極22a而被遮蔽，且於點領域間之邊界部分，能作用於液 晶層5 0，能將施加電壓時之液晶分子傾斜方向，整合於 配向控制電極25之配列方向（圖5 ( a )上下方向）。因 此，即使就本實施形態之液晶裝置，亦能有效於點領域內 ，控制向錯之產生，且，進而可獲得高亮度之顯示。 同時，即使就本實施形態之液晶裝置，亦與先前實施 形態之液晶裝置相同，配向控制電極25係可延著資料，線 6a加以配置。圖8爲表示相關構造之液晶裝置之平面構 造圖。如圖8所示，於本構造之中，配向控制電極2 5係 沿著資料線6a加以配置，共通電極22a係延著資料線6a 形成條紋狀。於相關構造之中，係以S反轉驅動來做爲 晶裝置之驅動方式。

-21 - (18) 1304492 [電子機器] 圖9爲表示於顯示部具備本發明之液晶裝置之電子機 器之例子的攜帶電話斜視圖。此攜帶電話1 3 00係將上述 實施形態之液晶裝置做爲小尺寸之顯示部1 3 0 1而加以具 備，並具備複數操作鍵1302、受話口 1303及送話口 13 04 而加以構成之。.上述實施形態之液晶顯示裝置，最適合 用於投射型光閥及直視型顯示裝置之任一者，其使用範圍 並非限於上述攜帶電話。 譬如，亦可適用於液晶投影機等之投射型之顯示裝置 ，電子書，個人電腦，數位相機，液晶電視，觀景型或監 視直視型之錄放影機，汽車衛星定位裝置，呼叫器，電子 手冊，計算機，文書處理機，工作站，影像電話，POS終 端機，及具備觸控面板之電子機器等，即使任一電子機器 ，皆可獲得高亮度，高對比之高品質顯示。 【圖式簡單說明】 圖1爲本發明之第1實施形態之液晶裝置之等效電路 圖。 圖2爲表示本發明之第1實施形態之液晶裝置之點的 構造平面圖。 圖3 ( a )爲表示延著液晶裝置之圖2之A — A線之部 分剖面圖，圖3(b)爲表示延著液晶裝置之圖2之B - B 線之部分剖面圖。 圖4爲表示1 Η反轉驅動時之畫素電壓極性說明圖。 -22- (19) 1304492 圖5爲表示本發明之液晶裝置動作時之電壓極性說明 圖。 圖6爲表示第1實施形態之液晶裝置之其他構造例子 平面構造圖。 圖7(a)爲表示第2實施形態之液晶裝置平面構造 圖，圖7(b)爲表示延著C一 C線之部分剖面圖。 圖8爲表示第2實施形態之其他構造例子之平面構造 圖。 圖9爲表示本發明之電子機器例子之斜視圖。 【符號說明】 10.....................TFT陣列基板 20.....................對向基板 22，22................共通電極 25 .....................配向控制電極 26 .....................遮光膜 3 a.....................掃描線 6a.....................資料線 9.......................畫素電極 30.....................TFT (開關元件） 50.....................液晶層 -23

Claims (1)

1. (1) 1304492 拾、申請專利範圍 1 · 一種液晶裝置，係具備：具備於一面配列形成於矩 陣狀之畫素電極，與對應於各畫素電極而設置之開關元件 之陣列基板；和對向於該陣列基板所配置之對向基板；和 挾持於前述兩基板間之液晶層之液晶裝置， 其特徵：前述液晶層，係由具有負的介電異方性液晶 所形成； 於前述對向基板之液晶層側，設置著沿著前述畫素電 極間之邊界所延伸存在之平面視之略爲條紋狀之配向控制 電極。 2 ·如申請專利範圍第1項所記載之液晶裝置，其中， 施加於前述配向控制電極之電壓，於鄰接所形成之配向控 制電極爲相反極性。 3 ·如申請專利範圍第1項或第2項所記載之液晶裝置 ，其中，施加於前述配向控制電極之電壓，相較於前述畫 素之最大驅動電壓較爲小。 4 ·如申請專利範圍第1項或第2項所記載之液晶裝置 ，其中，沿著前述畫素電極之周圍於相互交叉方向形成延 伸存在之掃描線及資料線。 該液晶裝置之驅動模式於成爲1H反轉驅動之同時， 前述配向控制電極與前述資料線，平面視之形成約爲重疊 〇 5 ·如申請專利範圍第1項或第2項所記載之液晶裝置 ’其中，沿著前述畫素電極之周圍於相互交叉方向形成延 -24 - (2) 1304492 伸存在之掃描線及資料線； 該液晶裝置之驅動模式於成爲S反轉驅動之同時，前 述配向控制電極與前述資料線，平面視之形成約爲重疊。 6·如申請專利範圍第〗項或第2項所記載之液晶裝置 ’其中’於前述對向基板之液晶層側，形成略圓盤狀之共 通電極；於前述共通電極之液晶層側，係隔著絕緣層形成 前述配向控制電極。 7·如申請專利範圍第1項或第2項所記載之液晶裝置 ’其中’於前述對向基板之液晶層側，形成平面視之略爲 條紋狀之共通電極；於前述共通電極之基板側，沿著該共 通電極間之間隙而延伸存在之前述配向控制電極係隔著絕 緣層而加以形成。 8 ·如申請專利範圍第1項或第2項所記載之液晶裝置 ，其中，於前述對向基板之液晶層側，形成平面視之略爲 條紋狀之共通電極；於前述共通電極間之間隙，形成與該 共通電極平行之前述配向控制電極。 9·如申請專利範圍第1項或第2項所記載之液晶裝置 ，其中，前述配向控制電極係形成遮光膜或其之一部份。 1 0·如申請專利範圍第1項或第2項所記載之液晶裝 置，其中，於前述配向控制電極與前述對向基板之間，形 成彩色濾光片。 1 1 ·如申請專利範圍第i項或第2項所記載之液晶裝 置，其中，於挾持前述液晶層之兩側，具備爲了入射圓偏 光於該液晶層之圓偏光入射手段。 -25- (3) 1304492 1 2 · —種液晶裝置之驅動方法，如申請專利範圍第1 項所記載之液晶裝置之驅動方法； 其特徵係：於鄰接之前述配向控制電極，以施加反極 性之電壓狀態而驅動前述畫素電極。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項所記載之液晶裝置之驅動 方法，其中，於前述配向控制電壓之施加電壓，係與前述 畫素電極之掃描同步進行。 14·一種電子機器，其特徵：係具備如申請專利範圍 第1項至第1 1項之任一項所記載之液晶裝置。 -26- 1304492 柒、（一）、本案指定代表圖為：第3圖 (二）、本代表圖之元件代表符號簡單說明： 20...........................對向基板 20A.........................基板主體 5 1...........................液晶分子 10...........................TFT陣列基板 25 ...........................配向控制電極 9.............................畫素電極 22 ...........................共通電極 23 ...........................絕緣層

   50...........................液晶層 10A.........................基板主體 17...........................偏光板 27...........................偏光板 26 ...........................遮光膜 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：

   -4-