CN101174061A - 液晶装置及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明的液晶装置在TFT阵列基板(10)(第一基板)的液晶层(50)侧的面上设置有用于形成液晶层(50)的初始转移核的初始转移构造(55)(第一初始转移构造)，并且，在对置基板(20)(第二基板)的液晶层(50)侧的面上通过隔着液晶层(50)与初始转移构造(55)对置的位置，设置有用于形成初始转移核的初始转移构造(56)(第二初始转移构造)。从而，可提供一种能够以低电压在短时间内进行初始转移的OBC模式的液晶装置及采用了该液晶装置的电子设备。

Description

液晶装置及电子设备
技术领域
本发明涉及一种液晶装置及电子设备，尤其涉及一种OCB(OpticallyCompensated Bend)模式的液晶装置。
背景技术
在以液晶电视等为代表的液晶装置领域，近年来以提高动画的画质为目的而使得响应速度快的OCB模式的液晶装置正备受瞩目。在OCB模式中，需要满足在初始状态下液晶分子的取向在两个基板之间成为以喷雾(spray)状配置的喷雾取向，在显示动作时液晶分子的取向成为弯曲成弓的状态(弯曲取向)。而且，在显示动作时，通过以弯曲取向的弯曲程度来调制透过率，实现了高速响应性。因此，在OCB模式的液晶装置的情况下，由于电源切断时液晶是喷雾取向，所以，电源接通时需要通过对液晶施加阈值电压以上的电压，使液晶的取向状态从初期的喷雾取向转移为显示动作时的弯曲取向的所谓初始转移操作。这里，如果初始转移没有充分进行，则将导致显示不良、或无法得到所期望的高速响应性。因此，为了解决这些问题点，提出了下述专利文献1～3所记载的技术方案。
在专利文献1中，提出了一种在构成液晶显示面板的一对基板的一个基板上形成用于产生用来促进从液晶层的喷雾取向向弯曲取向的转移的核的突起的技术。在专利文献2中，提出了一种在薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，下面简称为TFT)阵列基板上安装线状导电体(电极)或突起等用于促进转移的构造物的技术。在专利文献3中，提出了一种在反射部是混合(hybrid)结构的R-OCB、透过部是OCB构成的半透过反射型液晶显示装置中，通过在透过部设置突起来实现初始转移的技术。
【专利文献1】特开2001-305550号公报
【专利文献2】特开2002-296596号公报
【专利文献3】特开2002-207227号公报
然而，即使采用上述专利文献1～3所记载的任意一项技术，都不能充分地以高速从喷雾取向向弯曲取向进行初始转移，从而无法以低电压、短时间完成初始转移。
发明内容
本发明是为了解决上述课题而提出的发明，其目的在于，提供一种能够在短时间内以低电压进行初始转移的OCB模式的液晶装置及使用了该液晶装置的电子设备。
为了实现上述目的，本发明的液晶装置是包括夹持液晶层的第一基板和第二基板、通过使所述液晶层的取向状态从喷雾取向向弯曲取向初始转移来进行显示的液晶装置，其特征在于，在所述第一基板的所述液晶层侧设置有用于形成所述液晶层的初始转移核的第一初始转移构造，并且，在所述第二基板的所述液晶层侧通过隔着所述液晶层与所述第一初始转移构造对置的位置上，设置有用于形成所述初始转移核的第二初始转移构造。
在现有技术中，用于形成导致使液晶层从喷雾取向向弯曲取向初始转移的初始转移核的突起等初始转移构造被形成在一个基板上。因此，通过该初始转移构造无法十分容易地产生初始转移核。与此相对，本发明者发现，通过在构成液晶装置的2个基板的双方中都形成初始转移构造，且使这些初始转移构造通过隔着液晶层对置(平面重合配置)，可以使液晶层的整体(bulk)高效初始转移。即，本发明的液晶装置的特征在于，在第一基板、第二基板双方中设置有第一初始转移构造、第二初始转移构造，并且通过介入液晶层使它们对置。由此，第一初始转移构造和第二初始转移构造共同作用，对液晶层中的初始转移核的形成作出贡献，从而能够以低电压在短时间内进行初始转移。
而且，在所述第一初始转移构造及所述第二初始转移构造的至少一个中，可以采用从所述第一基板及所述第二基板的表面朝向所述液晶层突出的凸部。
根据该构成，能够使初始的液晶分子朝向各个方向倾斜取向，而且，通过初始转移电压的施加，可以产生各个方向的倾斜电场。由此，可以在阶梯差倾斜部的表面产生向错，从而能够顺畅地进行初始转移动作。
并且，在所述第一初始转移构造及所述第二初始转移构造的至少一个中，可以采用所述第一基板及所述第二基板的液晶驱动用电极上所设置的狭缝或凹口。
根据该构成，能够通过初始转移电压的施加产生各个方向的倾斜电压。由此，可以在阶梯差倾斜部的表面产生向错，从而能够顺畅地进行初始转移动作。
另外，在所述第一初始转移构造及所述第二初始转移构造的至少一个中，可以采用用于在所述第一基板及所述第二基板的液晶驱动用电极之间在所述液晶层内产生电场的辅助电极。
根据该构成，由于在第一基板及第二基板的液晶驱动用电极和辅助电极之间在液晶层中产生了倾斜电场，所以可顺畅地进行初始转移动作。
优选地，具备以矩阵状配置的多个子像素，所述第一初始转移构造及所述第二初始转移构造被配置在所述子像素外的区域。
根据该构成，由于第一、第二初始转移构造配置在子像素外的区域，所以，即使因第一、第二初始转移构造而在液晶层上产生了向错，该向错也不会对显示造成不良影响。
或者，优选地，具备以矩阵状配置的多个子像素，在一个所述子像素内具有反射显示区域和透过显示区域，至少在所述反射显示区域设置液晶层厚调整层，用于使所述反射显示区域中的所述液晶层的层厚比所述透过显示区域中的所述液晶层的厚度薄，所述液晶层厚调整层在所述液晶层的层厚薄的区域和厚的区域之间具有倾斜部，所述第一初始转移构造及所述第二初始转移构造被配置在与所述液晶层厚调整层的所述倾斜部平面重合的位置。
由于形成了液晶层厚调整层的倾斜部的区域对于反射显示区域、透过显示区域的任意一个而言都不会成为理想的液晶层厚(延迟)，而且，容易使得液晶的取向混乱，所以，对于反射显示、透过显示的任意一个都成为使显示质量降低的原因。因此，如果在与该区域平面重合的位置配置第一、第二初始转移构造，则即使因第一、第二初始转移构造在液晶层中产生了向错，也可以将该向错对显示质量的不良影响抑制为最小限度。
而且，优选地，所述第一初始转移构造及所述第二初始转移构造的延伸方向，与分别形成有该第一初始转移构造及第二初始转移构造的基板表面的液晶取向限制方向、或和该液晶取向限制方向正交的方向交叉。
根据该构成，在初始转移构造的延伸方向两侧不施加电压时的液晶取向方向和施加电压时液晶分子被旋转的方向之间的关系成为非对称。结果，易于形成初始转移核，从而可顺畅地进行初始转移动作。
并且，优选地，所述第一初始转移构造的延伸方向与所述第二初始转移构造的延伸方向相互正交。
根据该构成，在第一、第二初始转移构造通过隔着液晶层对置的区域中，可至少暂时形成液晶扭曲取向(twist alignment)的液晶区域。由于在OCB模式的液晶层中，扭曲取向的能量(吉布斯能量(Gibbs energy))状态位于喷雾取向和弯曲取向的中间，以及极其容易地进行从扭曲取向向弯曲取向的取向转移，所以，如上所述，通过使第一、第二初始转移构造的延伸方向正交，可以更加顺畅地进行取向转移，并且初始取向转移即使在像素整体中也将迅速完成。
本发明的电子设备的特征在于具备上述本发明的液晶装置。
根据该构成，可提供一种具备液晶显示部的电子设备，该液晶显示部能够顺畅地进行初始转移操作，并且高速响应性优良。
附图说明
图1是本发明第一实施方式的液晶装置的整体构成图。
图2是该液晶装置的等效电路图。
图3是表示该液晶装置的一个子像素的构成图。
图4是表示OCB模式的液晶装置中的液晶的2种取向状态图。
图5是表示该液晶装置的初始转移构造的部分的图。
图6是表示该初始转移构造的其他例子的图。
图7是表示该初始转移构造的又一个例子的图。
图8是表示该初始转移构造的另一个例子的图。
图9是表示本发明的电子设备的一个例子的立体图。
图中：10-TFT阵列基板(第一基板)，20-对置基板(第二基板)，24-液晶层厚调整层，50-液晶层，55、55a、56、56a、56b、57、58-初始转移构造，70-倾斜部，100-液晶装置，1300-便携式电话(电子设备)。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明，但本发明的技术范围不限定于以下的实施方式。而且，在以下的说明所参考的各附图中，为了易于观察各构成要素，对各部分的比例尺等进行适当改变来进行表示。并且，在本说明书中，将液晶装置的各构成部件中的液晶层侧称为内面侧，将其相反侧称为外面侧。另外，将图像显示的最小单位称为“子像素”，将包括各色滤色器的多个子像素的集合称为“像素”。此外，在子像素的平面区域中，将能够利用从液晶装置的显示面侧入射的光进行显示的区域称为“反射显示区域”，将能够利用从液晶装置的背面侧(与所述显示面相反一侧)入射的光进行显示的区域称为“透过显示区域”。
(第一实施方式)
首先，参照图1～图4，对本发明第一实施方式的液晶装置进行说明。
本实施方式的液晶装置是采用了TFT元件作为像素开关元件的有源矩阵型液晶装置。而且，如图3所示，是所谓多间隙(multigap)方式的半透过反射型液晶装置，其包括TFT阵列基板10(第一基板)、与TFT阵列基板10对置配置并配置在观察者侧的对置基板20(第二基板)、夹持在基板10、20之间的液晶层50、设置在TFT阵列基板10上的对从对置基板20侧入射的光进行反射的反射电极15r、和用于使存在该反射电极15r的反射显示区域R中的液晶层50的层厚比不存在反射电极15r的透过显示区域T中的液晶层50的层厚更小的液晶层厚调整层24。
图1(a)是从对置基板一侧观察本实施方式的液晶装置100及其各构成要素的俯视图，图1(b)是沿着图1(a)的H-H’线的侧视剖面图。
如图1(a)、(b)所示，在本实施方式的液晶装置100中，TFT阵列基板10和对置基板20通过密封部件52而粘合，液晶层50被密封在由该密封部件52划分的区域内。在密封部件52外侧的周边电路区域中，沿着TFT阵列基板10的一边形成有数据信号驱动电路101及外部电路安装端子102，沿着与该一边邻接的两条边形成有扫描信号驱动电路104。而且，在对置基板20的角部设置有基板间导通部件106，用于在TFT阵列基板10与对置基板20之间实现电导通。
图2是利用了TFT元件的本实施方式的液晶装置100的等效电路图。在液晶装置100的图像显示区域中，以栅格状配置有数据线6a及扫描线3a，在二者的交点附近配置有作为图像显示单位的子像素。在以矩阵状配置的多个子像素中分别形成有像素电极15。在该像素电极15的旁侧形成有作为开关元件的TFT元件30，用于进行向该像素电极15的通电控制。该TFT元件30的源极与数据线6a电连接。各数据线6a被供给图像信号S1、S2、…、Sn。
而且，TFT元件30的栅极与扫描线3a电连接。扫描线3a在规定的定时被脉冲地供给扫描信号G1、G2、…、Gn。另外，TFT元件30的漏极与像素电极15电连接。而且，如果通过从扫描线3a供给的扫描信号G1、G2、…、Gn使作为开关元件的TFT元件30仅仅在一定期间中处于导通状态，则从数据线6a供给的图像信号S1、S2、…、Sn在规定的定时被写入到各像素的液晶中。
写入到液晶中的规定电平的图像信号S1、S2、…、Sn被一定期间地保持在像素电极15与后述的公共电极之间所形成的液晶电容中。另外，为了防止所保持的图像信号S1、S2、…、Sn泄漏，在像素电极15与电容线3b之间形成有蓄积电容7，与液晶电容并列配置。并且，如果如上所述对液晶施加电压信号，则液晶分子的取向状态会按照所施加的电压电平而发生变化。由此，入射于液晶的光被调制，能够实现灰度等级显示。
图3是本实施方式的液晶装置100的子像素的说明图，图3(a)是一个子像素的俯视构成图，图3(b)是沿着图3(a)的A-A’的剖面构成图。
如图3(a)所示，沿着矩形状的像素电极15的一条长边配置了上述的数据线6a，沿着像素电极15的一条短边配置了上述的扫描线3a。与扫描线3a平行延伸的电容线3b和扫描线3a接近配置。在数据线6a与扫描线3a的交点附近形成有底栅型TFT元件30。TFT元件30的漏电极44在像素电极15侧边延伸的位置处通过介入接触孔14与像素电极15电连接。
如图3(b)所示，在TFT阵列基板10的基板主体11的内面侧形成有扫描线3a及电容线3b，形成绝缘薄膜41，使得覆盖这些扫描线3a和电容线3b。通过介入绝缘薄膜41在与扫描线3a对置的位置上形成有半导体层45，该半导体层45由俯视为矩形状的非晶硅膜构成，按照一部分跨越在半导体层45上的方式，在绝缘薄膜41上形成有源电极6b和漏电极44。并且，形成有层间绝缘膜12，使得覆盖这些半导体层45、源电极6b及漏电极44。形成有贯通层间绝缘膜12而到达漏电极44的接触孔14，在层间绝缘膜12上所形成的透明电极15t(像素电极15)的一部分被埋设在该接触孔14内，透明电极15t和TFT元件30电连接。
在层间绝缘膜12的上面，在远离成为图像显示单位的子像素的长度方向的TFT元件30的一侧，形成有在表面具有凹凸的树脂层16。在树脂层16的表面形成有由Al、Ag等高反射率金属材料构成的反射电极(反射层)15r。另一方面，如上所述，在接近子像素的长度方向的TFT元件30的一侧，形成有由ITO等透明导电性材料构成的透明电极15t。这些反射电极15r与透明电极15t导通连接，构成像素电极15的整体。并且，反射电极15r的形成区域成为图示的子像素中的反射显示区域R，透明电极15t的形成区域成为透过显示区域T。
另外，在对置基板20的基板主体21的内面侧形成有滤色器层22，其具备按每个子像素透过不同色光的滤色器。优选地，滤色器在子像素的平面区域内成为被划分为色度不同的两种色材区域的构成。具体而言，对应于透过显示区域T的平面区域设置有第一色材区域，对应于反射显示区域R的平面区域设置有第二色材区域，可以采用第一色材区域的色度大于第二色材区域的色度的构成。另外，还可以在反射显示区域R的一部分设置非着色区域。通过如此构成，可在显示光仅仅透过滤色器一次的透过显示区域T、与进行两次透过的反射显示区域R之间防止显示光的色度不同，从而能够使反射显示与透过显示的视觉特性一致，从而可提高显示质量。另外，也可以在TFT阵列基板10侧形成滤色器层22。
在滤色器层22的内侧设置有液晶层厚调整层24，用于使反射显示区域R中的液晶层50的层厚比透过显示区域T中的液晶层50的层厚小。并且，在液晶层厚调整层24的内面侧的近似整个面形成有公共电极25。在半透过反射型的液晶装置中，向反射显示区域R的入射光两次透过液晶层50，而向透过显示区域T的入射光仅透过液晶层50一次。由此，如果在反射显示区域R与透过显示区域T之间，液晶层50的延迟不同，则光透过率会产生差异，无法得到均匀的图像显示。因此，通过设置液晶层厚调整层24，可以使反射显示区域R中的液晶层50的层厚(例如2μm左右)成为透过显示区域T中的液晶层50层厚(例如4μm左右)的一半左右。从而，反射显示区域R中的液晶层50的延迟和透过显示区域T中的液晶层50的延迟被设定为近似相同。这样，可通过液晶层厚调整层24实现多间隙构造，从而能够在反射显示区域R与透过显示区域T中得到均匀的图像显示。
在反射显示区域R与透过显示区域T之间的边界区域上形成有液晶层厚调整层24的倾斜部70。由此，从反射显示区域R到透过显示区域T，液晶层50的层厚连续变化。该倾斜部70的倾斜角相对于基板主体21的表面为10°～30°左右。一般地，在液晶层厚调整层24的倾斜部70中，液晶分子的取向状态容易混乱，易于造成显示质量降低。因此，本实施方式的液晶装置100通过在反射显示区域R侧(具有反射电极15r的一侧)配置倾斜部70，形成了重视透过显示的结构。作为液晶层厚调整层24的构成材料，优选地，采用丙烯酸树脂等具有电绝缘性及感光性的材料。通过利用感光性材料，能够实现利用光刻法的图案形成，可精度良好地形成液晶层厚调整层24。另外，也可以在TFT阵列基板10侧设置液晶层厚调整层24。
对于本实施方式而言，在TFT阵列基板10、对置基板20双方的内面侧，分别在与液晶层厚调整层24的倾斜部70平面重合的位置形成有由突条构成的初始转移构造55、56(第一、第二初始转移构造)。构成各初始转移构造55，56的突条近似呈三棱柱状的形状，处于以三棱柱的一个矩形面为底面而放平在各基板上的形态。并且，如图3(a)所示，在各初始转移构造55、56中，当将三棱柱的棱线延伸的方向(三棱柱的长度方向)定义为“初始转移构造的延伸方向”时，TFT阵列基板10侧的初始转移构造55的延伸方向(由箭头E表示)与对置基板20侧的初始转移构造56的延伸方向(由箭头F表示)正交。
在TFT阵列基板10侧，形成由聚酰亚胺等构成的取向膜18，使得覆盖初始转移构造55、反射电极15r及透明电极15t。同样，在对置基板20侧，也形成由聚酰亚胺等构成的取向膜29，使得覆盖初始转移构造56和公共电极25。对两基板10、20的取向膜18、29分别实施了抛光(rubbing)处理。抛光处理如图3(a)中由箭头19a、19b所示，对TFT阵列基板10侧(由箭头19a表示)、对置基板20侧(由箭头19b表示)都沿着与数据线6a的延伸方向(即，像素电极15的长度方向)平行的方向实施。而且，两基板10、20的抛光方向19a、19b与TFT阵列基板10的初始转移构造55的延伸方向E正交，与对置基板20的初始转移构造56的延伸方向F平行。在子像素的一个角落部，垂直设置有柱状的隔离体(spacer)59，用于限制TFT阵列基板10与对置基板20之间的间隔。
并且，如图3(b)所示，在TFT阵列基板10与对置基板20之间夹持有以OCB模式动作的液晶层50。本实施方式中，TFT阵列基板10侧、对置基板20侧都在透过显示区域T及反射显示区域R形成水平取向膜18、19，透过显示区域T及反射显示区域R的液晶层50都以OCB模式动作。
图4是在OCB模式的液晶装置100中液晶分子的取向状态的说明图。OCB模式中，在图4(b)所示的初始状态下，液晶分子51成为以喷雾状配置的喷雾取向。另外，在图4(a)所示的显示动作时，液晶分子51成为弯曲成弓的弯曲取向。并且，通过在显示动作时以弯曲取向的弯曲程度来调制透过率，可实现显示动作的高速响应性。
返回到图3(b)，在TFT阵列基板10、对置基板20的外面侧分别设置有偏振板36、37。该偏振板36、37用于仅使在特定方向振动的直线偏振光透过。偏振板36的透过轴及偏振板37的透过轴被配置成相互近似正交，并且，按照与取向膜18、29的抛光方向近似以45°交叉的方式配置。在偏振板36及偏振板37的内侧(基板主体11、21侧)分别配置有相位差板31、相位差板32。如果使用相对可视光的波长具有大约1/4波长的相位差的所谓λ/4板作为相位差板31、32，则连同偏振板36、37一起可构成圆偏振板。另外，如果组合使用λ/2板和λ/4板，则可构成宽带的圆偏振板。
并且，也可以在偏振板36、偏振板37的内侧配置光学补偿薄膜(未图示)。通过配置光学补偿薄膜，在从正面观察液晶装置100时，或从侧面观察时，能够补偿液晶层50的相位差，并使漏光减少，从而可增加对比度。作为光学补偿薄膜，可以采用使折射率各向异性为负的盘状(discotic)液晶分子等混合取向而构成的负的单轴性介质(例如富士胶片制造的WV薄膜)。另外，也可以采用使折射率各向异性为正的向列型(nematic)液晶分子等混合取向而构成的正的单轴性介质(例如日本石油制造的NH薄膜)作为光学补偿薄膜。并且，还可以组合使用负的单轴性介质和正的单轴性介质。另外，还可以使用各方向的折射率为nx＞ny＞nz的二轴性介质、负的C-Plate等。
进而，在对置基板20的外面侧设置有具有光源、反射体、导光板等的背光照明(照明机构)60。
如上所述，在OCB模式的液晶装置的情况下，由于电源切断时的液晶层50的状态为喷雾取向，所以，需要在电源接通时通过对液晶施加阈值电压以上的电压、使液晶分子51的取向状态从图4(b)所示的初始的喷雾取向转移为图4(a)所示的显示动作时的弯曲取向的、所谓初始转移操作。这里，如果初始转移未充分进行，则会产生显示不良、无法得到所期望的高速响应性。因此，作为液晶层50的初始转移操作，不仅顺次使扫描线ON，而且在像素电极15与公共电极25之间施加15V左右的脉冲电压。如果通过该初始转移电压的施加而在子像素中产生向错，则该向错成为转移核，初始转移在周边行进。这样，可以顺畅地进行初始转移动作。
尤其在本实施方式中，由于在子像素中容易产生成为初始转移核的向错，所以，如图3(a)所示，在TFT阵列基板10、对置基板20双方的内面与液晶层厚调整层24的倾斜部70平面重合的位置处，设置有初始转移构造55、56。并且，如图5(a)所示，TFT阵列基板10侧的初始转移构造55的延伸方向与对置基板20侧的初始转移构造56的延伸方向正交。由此，如图5(b)所示，在初始转移构造55、56通过隔着液晶层50而对峙的区域，可以至少暂时形成液晶分子51扭曲取向(twist alignment)的液晶区域。在OCB模式的液晶层中，扭曲取向的能量状态位于喷雾取向和弯曲取向的中间位置，极容易进行从扭曲取向向弯曲取向的转移。因此，取向转移在液晶层50的整体块中会更顺畅地进行，在像素整体中迅速结束初始取向转移。根据本实施方式，能够实现一种可以以低电压在短时间内实施初始转移的液晶装置。
而且，在本实施方式中，在与位于子像素内的反射显示区域R和透过显示区域T之间的边界部分的液晶层厚调整层24的倾斜部70平面重合的位置上，配置有初始转移构造55、56。由于对于反射显示区域R、透过显示区域T的任意一个，液晶层厚调整层24的倾斜部70所触及的区域都不会成为理想的液晶层厚(延迟)，而且还成为向错(disclination)的原因，所以，针对反射显示、透过显示的任意一个，都会使得显示质量降低。因此，通过在该位置配置初始转移构造55、56，即使在液晶层50中发生了向错，也可以将该向错对显示质量的不良影响抑制为最小限度。
[第一实施方式的变形例1]
在上述实施方式中，将初始转移构造55、56设置在与液晶层厚调整层24的倾斜部70对应的位置，但也不必限定于该位置。由于初始转移构造55、56成为向错的原因并且至少对显示造成不良影响，所以，可以根据重视透过显示或者反射显示的任意一个来选择初始转移构造55、56的形成位置。即，如果重视透过显示，则可以将初始转移构造55、56配置到反射显示区域R，如果重视反射显示，则可以将初始转移构造55、56配置到透过显示区域T。
另外，上述实施方式中，在TFT阵列基板10、对置基板20的每个当中，将由三棱柱状的突条构成的初始转移构造55、56设置成使其延伸方向正交，但也可以不限定于该构成。例如可以如图6(a)所示，在TFT阵列基板10、对置基板20任意一个的基板上设置上面为平坦面的突条55a，在另一个基板上设置多个(本实例中为2个)俯视为八角形状的岛状的突起56a。或者可以如图6(b)所示，在TFT阵列基板10、对置基板20任意一个的基板上设置上面为平坦面的突条55a，在另一个基板上设置多列(本实例中为2列)俯视为锯齿形状的突条56b。或者，还可以如图6(c)所示，在TFT阵列基板10、对置基板20任意一个的基板上设置上面为平坦面的突条55a，在另一个基板上设置三棱柱状的突条56。作为这些突起与突条的构成材料，可以采用酚醛系的正型光致抗蚀剂。通过在抗蚀剂显影之后以大约220℃实施坚膜(post bake)，可以得到光滑的突起形状。
如果形成这种突起，则能够在初始状态下使液晶分子向各种方向倾斜取向，而且，通过初始转移电压的施加，能够在液晶层50中产生各种方向的倾斜电场。伴随于此，介电常数各向异性为正的液晶分子从各个方向向各个方向旋转，同时沿着电场方向进行重新取向。由此，可以在倾斜部的表面产生向错。从而可顺畅地进行初始转移动作。
[第一实施方式的变形例2]
在TFT阵列基板10、对置基板20两者上形成由三棱柱状的突条构成的初始转移构造55、56的情况下，也可以不像上述实施方式那样使延伸方向正交，而如图7所示，按照延伸方向平行的方式进行配置。该情况下，在进行从喷雾取向向弯曲取向转移的过程中，不经过扭曲取向状态，但液晶分子51在各初始转移构造55、56的以三棱柱的棱线为中心的两侧向相反方向进行弯曲取向，在棱线正上方的区域将产生向错。以该向错为核，可以顺畅地进行初始转移。
[第一实施方式的变形例3]
以上举例说明了设置突条与突起作为初始转移构造55、56的情况，但也可以替代该构成，在TFT阵列基板10上的像素电极15、或在对置基板20上的公共电极25中形成狭缝或凹口。可以在TFT阵列基板10侧、对置基板20侧两者上形成狭缝或凹口，也可以按照在一个基板侧形成狭缝或凹口、在另一个基板形成突起或突条的方式，组合狭缝/凹口和突起/突条。
图8(a)表示只将与图3(a)的液晶层厚调整层24的倾斜部70相当的位置取出表示，是在TFT阵列基板10侧形成了三角形状的突条57、在对置基板20侧形成了直线状的狭缝58作为初始转移构造时的平面构成图。图8(b)是该位置的剖视图。该实例中，在液晶层厚调整层24的倾斜部70所触及的区域配置有初始转移构造57、58，按照突条57的棱线的延伸方向朝向像素电极15的长度方向的方式，配置有由突条57构成的初始转移构造。另一方面，设置于公共电极25的狭缝58按照自身的长度方向朝向与突条57的棱线的延伸方向正交的方向(像素电极15的短边方向)的方式形成有多道(本实例中为2道)。
这样，通过使由突条57构成的初始转移构造和由狭缝58构成的初始转移构造正交配置，如图8(b)所示，突条57的倾斜面的方向与由狭缝58产生的倾斜电场的倾斜方向正交。因此，在初始转移构造57、58通过隔着液晶层50对峙的区域，可以至少暂时形成液晶分子51发生了扭曲取向(twist alignment)的区域。如上所述，如果在OCB模式的液晶层中经过扭曲取向状态，则从喷雾取向向弯曲取向的转移极其容易进行。因此，即使在该构成中，也可实现能够以低电压在短时间内实施初始转移的液晶装置。
另外，狭缝不限定于直线状，也可以是具有弯曲部的构成。并且，不限定于在电极的中央部设置狭缝的构成，也可以将切口了电极的周缘部的部分(凹口)作为用于形成转移核的初始转移构造。
(第二实施方式)
下面对本发明的第二实施方式进行说明。
本实施方式的液晶装置的基本构成与第一实施方式相同。不同之处在于，第一实施方式中，在与像素电极平面重合的位置配置了一对初始转移构造，但与此相对，本实施方式中，在与像素电极不平面重合的位置配置了一对初始转移构造。因此，下面将仅对该不同点进行说明。
对于本实施方式的液晶装置而言，例如将图5(a)、(b)、图6(a)～(c)、图7、图8(a)、(b)等中所例示形式的一对初始转移构造，配置在与像素电极15不平面重合的位置、即所谓的显示区域之外的区域。其中，这里所说的“显示区域”是指实质上对显示做出贡献的区域，并且在像素电极15的形成区域中，是对滤色器的各色材料层进行划分的黑矩阵的开口部所触及的区域。更具体而言，在本实施方式中，一对初始转移构造被配置在与图3(a)所示的数据线6a、扫描线3a、电容线3b等平面重合的位置。
在本实施方式中，也可提供能够以低电压在短时间内实施初始转移的液晶装置，并且能够获得与第一实施方式相同的效果。并且，由于一对初始转移构造配置在显示区域之外的区域，所以，即使因初始转移构造在液晶层中产生了向错，该向错也不会对显示造成不良影响。
(电子设备)
图9是表示本发明的电子设备的一个例子的立体图。图9所示的便携式电话1300具备上述实施方式的液晶装置作为小尺寸的显示部1301，还具备多个操作按钮1302、受话口1303以及送话口1304。由于上述实施方式的液晶装置可以将显示质量的降低抑制为最小限度，且能够顺畅地进行OCB模式的初始转移动作，所以，可以提供具备显示质量优良的液晶显示部的便携式电话1300。
上述各实施方式的液晶装置不限定应用于上述的便携式电话，还可以优选作为图像显示机构应用在电子书、个人计算机、数字静态照相机、液晶电视、取景型或直视监控型的录像机、车辆导航装置、寻呼机、电子记事本、电脑、文字处理器、工作站、可视电话、POS终端、具备触摸屏的设备等，任意一种电子设备都能够实现明亮、高对比度的显示。
另外，本发明的技术范围不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内可以施加各种变更。例如在上述实施方式中，使两基板表面的抛光方向与TFT阵列基板的初始转移构造的延伸方向正交、与对置基板的初始转移构造的延伸方向平行。也可以替代该构成，使基板表面的抛光方向(液晶取向限制方向)与初始转移构造的延伸方向以90°以外的角度交叉。例如，如果在由三棱柱状的突条构成的初始转移构造中采用了上述构成，则抛光线会倾斜跨过三棱柱的棱线，在三棱柱的棱线的两侧，不施加电压时的液晶取向方向与施加电压时的液晶分子要旋转的方向之间的关系成为非对称。结果，易于形成初始转移核，可顺畅地进行初始转移动作。
而且，在上述实施方式中，举例说明了将突起/突条、设置于电极的狭缝/凹口等作为初始转移构造的情况，但也可以采用用于在像素电极与公共电极之间在液晶层中产生倾斜电场的辅助电极。该情况下，液晶层同样可以在双方基板的辅助电极所对峙的区域中十分容易地初始转移，从而可提供能够以低电压在短时间内实施初始转移的液晶装置。并且，由于在初始转移构造的形成位置有漏光之虞，所以，可以在该位置形成遮光层或布线等来进行遮光。另外，不论半透过反射型/透过型/反射型、有源矩阵型/无源矩阵型等，本发明可应用在各种类型的液晶装置中。

Claims (9)

1.一种液晶装置，具备夹持液晶层的第一基板和第二基板，用于使所述液晶层的取向状态从喷雾取向向弯曲取向初始转移来进行显示，
在所述第一基板的所述液晶层侧设置有用于形成所述液晶层的初始转移核的第一初始转移构造，并且，在所述第二基板的所述液晶层侧通过隔着所述液晶层与所述第一初始转移构造对置的位置，设置有用于形成所述初始转移核的第二初始转移构造。
2.根据权利要求1所述的液晶装置，其特征在于，
所述第一初始转移构造及所述第二初始转移构造的至少一个，是从所述第一基板及所述第二基板的表面朝向所述液晶层突出的凸部。
3.根据权利要求1所述的液晶装置，其特征在于，
所述第一初始转移构造及所述第二初始转移构造的至少一个，是设置于所述第一基板及所述第二基板的液晶驱动用电极的狭缝或凹口。
4.根据权利要求1所述的液晶装置，其特征在于，
所述第一初始转移构造及所述第二初始转移构造的至少一个，是在所述第一基板及所述第二基板的液晶驱动用电极之间在所述液晶层内产生电场的辅助电极。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的液晶装置，其特征在于，
具备以矩阵状配置的多个子像素，所述第一初始转移构造及所述第二初始转移构造被配置在所述子像素外的区域。
6.根据权利要求1～4中任意一项所述的液晶装置，其特征在于，
具备以矩阵状配置的多个子像素，
在一个所述子像素内具有反射显示区域和透过显示区域，
至少在所述反射显示区域设置液晶层厚调整层，用于使在所述反射显示区域中所述液晶层的层厚比在所述透过显示区域中所述液晶层的厚度薄，
所述液晶层厚调整层在所述液晶层的层厚薄的区域和厚的区域之间具有倾斜部，
所述第一初始转移构造及所述第二初始转移构造被配置在与所述液晶层厚调整层的所述倾斜部平面重合的位置。
7.根据权利要求1～6中任意一项所述的液晶装置，其特征在于，
所述第一初始转移构造及所述第二初始转移构造的延伸方向，与分别形成有该第一初始转移构造及第二初始转移构造的基板表面的液晶取向限制方向、或和该液晶取向限制方向正交的方向交叉。
8.根据权利要求1～7中任意一项所述的液晶装置，其特征在于，
所述第一初始转移构造的延伸方向与所述第二初始转移构造的延伸方向相互正交。
9.一种电子设备，具备权利要求1～8中任意一项所述的液晶装置。
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