TWI302054B - Amplification device - Google Patents

Description

1302054 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種放大裝置。 【先前技術】 在各種領域之控制系統中，由類比感測器所 段的類比訊號係微小電流/電壓位準，因此在該控制夭白 部中係設置可放大到可處理位進、 大器）。 ^料的贼放大$置（前置放 在此，關於具有放大裝置之控制系統的一個例子，传 在弟圖例示主要做為行動電話之傳話側 用 的駐極電容器傳聲器（以下，稱之 使用 眶,—e)系統（例如參照以下所示專利：^apaClt〇】 ecm系統的構造，係在具有Vm端子9〇ι 子 902、Gnd端子903之放大F署沾u山7 v. ^ ^ 双大哀置的3端子放大裝置900,使

Vm立而子9 01連接使導雷續睹4立 ¥电性艇接地的駐極電容器203的 =電^並經由電阻值R1之負載電阻2〇〇使⑽ 9〇2與電源㈣1相連接’然後再使㈤端子903接地。 駐極電容器203係使導雷槌葙π 構成。此外，導電性薄電極㈣向而 程度）使之帶電，當聲音訊贫以之^原（數1〇至1〇〇V 命卜士 $ p“士， 儿乂工虱之疏岔波的形式傳到導 ::㈣會產生膜的振動。接著，駐極電容器2〇3的電 =_!mie(3pF)會產生變化，並形成對應該電容值c赋變 :的父流的電壓波形（以τ，稱之為交流訊號）。此外，—

言該交流訊號之直流成分為接地電位，具有數咖V 317078 1302054 左右之微小振幅位準。 3端子放大裝置900係由：Vm端子901連接閘極電 極，Vdd端子902連接：：及極電極，而Gnd端子903連接源 極電極之源極接地的接合型場效電晶體（以下，稱之為 J-FET)904 ;以及設置在配線於J-FET904之閘極電極與源 - 極電極之間、使閘極電極之位準在接地電位穩定化的電阻 取 元件905所構成。 - 在此，3端子放大裝置900之輸入部的特性，係對輸 鲁入電阻（電阻元件905等）以及輸入電容（J-FET904之寄生電 容等）求出以下各點。 首先，在輸入電阻的情況下，係求出高電阻值。亦即， 係藉由駐極電容器203與輸入電阻構成高通濾波器 (high-pass filter)，且為了避免100Hz左右之可聽帶域中的 聲音訊號衰減，並使之輸入至3端子放大裝置900，電阻 元件905之電阻值必須在100M至數G(D)左右。此外，當 高通渡波器之斷開（cut off)頻率fl，以Rill代表輸入電阻 翁之電阻值時，係由下記數式（數式1)來決定。 fl=l/(2x 7Γ X Rinx Cmic)…（數式 1) 例如，駐極電容器203之電容值Cmic為3pF，斷開頻 率fl為50Hz時，輸入電阻值Rin係變為1061Μ(Ω)。 接著，在輸入電容之情況下，係求出低電容值。亦即， 3端子放大裝置900之輸入電容，係與駐極電容器203串 聯連接。因此，輸入電容之電容值大時，產生於駐極電容 器203中的交流訊號會被分割，導致在輸入3端子放大裝 6 317078 .1302054 置900的階段交流訊號之位準降低的問題。此外，因輸入 電阻之電阻值較大，且基於抑制由輸入電阻與輸入電容的 積所決定的時間常數的觀點，輸入電容係求出低電容。 此外，3端子放大裝置900所使用之放大元件，係採 用在高輸入電阻、低輸入電容、低雜音等各點上平衡性良 • 好的源極接地型的 J-FET904。此外，源極接地型之 • J-FET904的放大增益Αν係在以gm代表J-FET904之電 - 導，而以ATTin代表輸入電容等所產生之衰減量時係由以 φ下的（數式2)決定。

Av=gmx Rl —ATTin …（數式 2) (專利文獻1)日本特開2003-243944號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之課題） 但是，J-FET的放大增益係如（數式2)所示，隨著J-FET 之電導gm而變化。但是，J-FET之電導gm，一般而言， 具有π—50至200”％左右之潛在性不均，只在電導gm完 鲁成等級分類管理的程度。因此，即使是同一類型的J-FET， 也會因電導gm之不均導致J-FET之放大增益也產生不 均，而且，在使用J-FET之放大裝置（3端子放大裝置900 等）之放大增益上也產生不均。 此外，如第1 3圖所示，在增加J-FET之放大增益的情 況下，也必須增加;及極飽和電流Idss(200 // A左右）。隨著 淡極飽和電流Idss之增加，消耗電流也會增加，因此在增 加J-FET之放大增益時會因消耗電流的關係而受到限制。 7 317078 1302054 放大器1〇5係對應『差動放大器』、電阻元件1〇7則是對應 『第3電阻元件』。另外，M〇SFET1 利範圍第2項之『電晶體』對應。 ~本申"專

Vin ‘子101係輸入有直流成分為接地電位（零電位） 之交流訊號的端子。此外，交流訊號係指對應在駐極電容 器203中所產生之音聲訊號的交流電壓波形。vdd端子 係經由外接之電阻值R1之負載電阻200而與電源電壓Vdd 之電源線2(M連接的端子。Gnd端子1〇3為接地用之端子。 亦即，3端子放大裝置1〇〇係與習知ecm系統中之習 头3鳊子放大衣置9〇〇相同的端子構造，無需變更習知3 端子放大裝置900的外接電路，即可組裝於Ε(：μ系統。 山包阻值之屯阻元件1 〇4，係被設置在配線於Vdd 鈿:102與Gnd端子103之間的訊號線間。電阻元件 係藉由與負載電組200之組合，而使用於設定N型 MOSFET 106之没極—源極電流此。 山差動放大器1〇5係以下述方式構成。首先，正的電谓 &子係f Vdd端子1Q2與電阻元件1()4之間的訊號線讀 接六同日寸負的電源端子係與Gnd端子1 〇3連接。另外，名 _ 'b由Vin i而子1 〇丨輸入至非反轉輸入端子（『一方之 輸入鈿子』）的同時，對應交流訊號之輸出係經由Vdd卸 子102盘雷p日；Μ, σ 『 牛1 〇4之間的訊號線反饋至反轉輸入端弓 (另方之輸入端子』）。換言之，差動放大器丨〇5係 現放大增益表” ！，， ’、 義為1之電壓隨耦器構造。 夕卜 ’在非反轉輸入端子與反轉輸入端子之間，預身 317078 12 1302054 端子之交流訊號的直流成分穩定化於接地電位。該電阻元 件107亦可置換為二極體元件。亦即，二極體元件之陰極 /陽極之間幾乎沒有電位差’且該二極體元件係形成南阻 抗狀態。此外，電阻元件107亦可置換為可使之維持導通 狀態的電晶體。此外，導通狀態的電晶體，係例如對閘極 “ 電極供給電源電壓之N型MOSFET，或使閘極電極接地之 衡P型MOSFET等，可等效性地做為電阻元件使用。 . 如上所述，3端子放大裝置1 00並非如先前之情況一 馨般使用J-FET，而是使用差動放大器105而構成。此外，3 端子放大裝置100係使根據負載電阻200之電阻值R1與 電阻元件104之電阻值Rs所決定之放大增益Av(電阻值 R1/電阻值Rs)而放大之交流訊號的電壓波形，產生於Vdd 端子102或Vout端子202。 此外，出現於Vdd端子102或Vout端子202之交流 訊號的電壓波形，由於N型MOSFET 106為源極接地型， 因此，較諸於輸入非反轉輸入端子之階段的交流訊號，其 •相位係呈反轉。此外，出現於Vdd端子102或Vout端子 202之交流訊號的直流成分，係由電源電壓Vdd減去負載 電阻200的電壓下降量（=(Rl/Rs) · Vb)。 3端子放大裝置100並非如先前一般使用J-FET，因此 完全不需要考慮J-FET的電導gm的不均。此外，電阻值 Rl、Rs的不均係在一般的1C製程下，可抑制在± 20%左 右的程度，因此，相較於使用先前J-FET的情況，可降低 放大增益之不均幅度。 14 317078 、1302054 此外，由於3端子放大裝置100無須進行J-FET的電 導gm的等級分類，因此相對地可達到降低製造步驟數以 及使良率穩定化的目的。此外，高溫時在j_Fet中較易發 生閘極漏洩（gate leak)，關於此點在本發明中亦無須考慮^ 如此外使用先岫的J-FET時，汲極飽和電流Idds會隨 -著放大增益的增加而增加，因此，基於消耗電流的觀點必 : 須限制放大增益。另一方面，3肿工#丄壯职 • 、 力万面，3 i而子放大裝置1〇〇係根據 .負載電阻200的電阻值R1與電阻元件1〇4的電阻值Rs， 鲁故消耗電流的影響較少，且可調整放大增益。 如上所述，藉由本發明之3端子放大裝置1〇〇，即可 輕易調整放大增益。 《差動放大器》 根據第3圖說明差動放大器1〇5的詳細構成例。 邮差動放大器105係具有差動電晶體對，而該差動電曰 月豆對具備有··使Vin端子丨〇丨以万非=# & 曰曰 栌制^ # 以及非反轉輸入端子與用以 通之閘極電極（『第1控制電極』）連接的Ρ 盘/SFET112(『第1電晶體』）；以及使Ν型應FET106 阻元件104之連接點 通/非導通之閘極電極（『第2 子與用以控制導 MOSF則3(『第2電晶 ^電極』）連接的p型 體對中，係使相互的源;:電』極)= ψμ r ，、通連接，而該共通源極連 裣點中，連接有閉極電極偏壓 連 P ^ MOSFETH0 ^ ^ 1〇2 卿此丨丄 9 ’及極電極。此外，在#動帝a 月旦氧中，在汲極電極側係；鱼只 兒曰曰 次有由 N 型 MOSFET114、Π5 317078 15 .1302054 因此，非反轉輸入端子與反轉輸入端子之間的補償電 壓Vb ’例如，可藉由使P型MOSFET112、Π3之閘極: 源極間電壓VgS本身產生偏置電壓，並使各個閘極電極13 的尺寸相異，而預先產生。具體而纟，例如，可先將p刑 MOSFET113之閑極源極間電a Vgs設^成低於p二 -腫FET112。因此，藉由先將p型m〇SFEtu3之開極^ '寬度W設定成較p型M0SFET112長，並將問極的長产l •-設定為較P型_F则2短，即可使各個間極電極= 參電流密度產生差異’並產生所希望的補償電壓外。 <第2實施形態> 弟5圖所示之3端子放大裝置1〇〇，係在第2圖所示 之3端子放大裝置1〇〇中，重新配置電阻元件108、109 =形。此外，第5圖所示之3端子放大装置1〇〇，係對 應申請專利範圍第3項『 咬μ 貝之放大I置』。因此，在與專利申 =圍弟3項之元件的對應上，電阻元件1〇8 4電阻元件』，而電阻元件⑽係對應『第5電阻元件』 電阻值Rb的電阻元件1〇8，係設在配線於Ν型 〇SFETl〇6之源極電極盥反 λα ^ ^ ”夂柃輸入鈿子之間的訊號線間 阻电杜 琶阻值Ra的電阻元件109係設在配線於電 1 之間的訊號線間的電阻元件。 亦即，差動放大器】 ^ ” 仏王現放大增益為“（Ra+Rb) / a之非反轉放大器的檨忐 搞器構成。因此，假設:二入，^ 、罕別入至非反轉輸入端子的交流訊 317078 18 1302054 •號的振幅設定為X時’出現於N型MOSFET106之源極電 極與笔阻元件10 4之間的連接點的訊號的振幅，係形成 “(Ra+Rb)/Ra · X”，而高於第2圖所示之3端子放大裝 置100的放大增益。 但是，差動放大器105原本對於差動電晶體對之各個 電晶體的偏壓最好相同，且補償電壓Vb的大小係有樣式 :上的限制以避免產生差動輸出的歪斜。因此，補償電壓Vb /愈低愈好。此外，由於第5圖所示之3端子放大裝置1 〇〇， _係高於第2圖所示之3端子放大裝置1〇〇的放大增益，因 此，可根據電阻元件10 8的電阻值Rb以及電阻元件1 〇 9 的電阻值Ra，減少反轉輸入端子與非反轉輸入端子間所需 、的補償電壓。 „ <弟3實施形態〉 在第2圖或第5圖所示之3端子放大裝置1〇〇中，亦 可將N型MOSFET106置換為p型M〇SFET、NpN形雙極 鲁土：晶體或PNP型雙極型電晶體。第6圖係顯示將第2圖 斤不之3ί而子放大I置1〇〇之m〇sfeti〇6置換為p 里MOSFET119的圖。如第6圖所示，與n型]y[〇SFET106 的，形相較，因閘極電極與没極電極係呈反轉，故差動放 大器105的極性亦產生逆轉。 端子放大裝置=== (第1實施形態） ，弟7圖係顯不使用申請專利範圍第4及第5項之『放 、衣且』的一貫施形怨之4端子放大裝置4〇〇的ECM系 317078 19 1302054 統的構成圖。 第8圖係顯示4端子放大裝置400的構成圖。此外， 在與專利申請範圍第4項之端子的對應上，Vm端子401 係對應『第1端子』，Vdd端子402係對應『第2端子』， Gnd端子403係對應『第3端子』，Vdd2端子404係對應 - 『第4端子』，負載電阻200係對應『第1電阻元件』，電 ， 阻元件405係對應『第2電阻元件』，差動放大器406係對 - 應『差動放大器』，而電阻元件408係對應『第3電阻元件』。 馨此外，N型MOSFET407係對應本專利申請範圍第5項之 『電晶體』。

Vin端子401係輸入有直流成分為接地電位（0電位）之 交流訊號的端子。Vdd端子402係藉由外接之電阻值R1 的負載電阻200與電源電壓Vdd之電源線201連接的端 子。Gnd端子403為接地用的端子。Vdd2端子404係連接 獨立於電源電壓Vdd之電源電壓Vdd2的電源線206。 電阻值Rs的電阻元件405，係設在配線於Vdd端子 ® 402與Gnd端子403間之訊號線間。 差動放大器406係以下述方式構成。首先，正的電源 端子係在與Vdd2端子404連接，而負的電源端子係與Gnd 端子403連接。此外，在交流訊號由Vin端子401輸入於 非反轉輸出端子（『一方的輸入端子』）的同時，對應交流 訊號之輸出係經由Vdd端子402與電阻元件405之間的訊 號線反饋至反轉輸出端子（『另一方的輸入端子』）。亦即， 差動放大器406係呈現電壓隨搞器構成。此外，在非反轉 20 317078 ^ 1302054 輸入端子與反轉輸入端子之間，係預先產生以輸入至非反 轉輸入端子之交流訊號的接地電位（直流成分）為基準之超 過交流訊號之最大振幅位準之正的補償電壓Vb。 N型MOSFET407係具有：用以控制導通/非導通之 閘極電極（『控制電極』）；連接於Vdd端子402側之訊號 • 線的汲極電極（『第1電極』）；以及連接電阻元件405側 : 之訊號線的源極電極（『第2電極』）之設於Vdd端子402 - 與電阻元件405之間的訊號線間，並呈現所謂的源極接地 馨型的構成。因此，N型MOSFET407的放大增益Αν，可根 據「電阻值R1 /電阻值Rs」決定。此外，藉由使差動放 大器406的輸出連接N型MOSFET407之閘極電極的同 時，使N型MOSFET407之源極電極與反轉輸入端子之間 連接，即可使差動放大器406的輸出反饋至反轉輸入端子。 電阻值Rin(數100M至數G(Q )程度）的電阻元件408 係設在配線於Vin端子401與非反轉端子之間的訊號線， 與Gnd端子403之間的訊號線間，其使用目的係使輸入非 ®反轉輸入端子之交流訊號的直流成分穩定在接地電位。此 外，與電阻元件107相同，亦可置換為二極體元件或導通 狀態的電晶體。 在此，4端子放大裝置400基本上係與3端子放大裝 置100為相同構成，因此，與3端子放大裝置100的情形 相同，可獲得使放大增益之調整變得更為容易的效果。此 外，4端子放大裝置400之構成，與3端子放大裝置100 的最大差異點係在於：配設Vdd2端子404，以及，使供給 317078 1302054 差動放大器406之電源電壓Vdd2的供給線，與經由負載 電阻200供給N型M〇SFET4〇7之電源電壓vdd的供給線 獨立分開。 因此，在使用3端子放大裝置！ 〇〇的情況下，供給差 動放大器M05之電流Ib會流入負㈣阻2〇〇，其結果所產 生之雜訊成分，會與出現於v〇ut端子2〇2之波形重疊，但 在使用4端子放大裝置的情況下，由電源線寫流入 差動放大器406之電流Ib，並不會流入負載電阻·。因 使用4立而子放大1置4〇〇，不但具有良好的源電壓特 性’同時亦有助於出現在Vout端子2〇2之波形的s/n比 的改善。 (第2實施形態） 『第9圖係顯示使时請專利範圍第6項以及第7項之

放大裝置』的一實施例之4媸；姑|壯 系統的構成圖。、而子放大裝置谓的ECM 在丄'〇Λ係顯示4端子放大褒置5°〇的構成圖。，此外， 在與專利申請範圍第6項之端子的對應上，νιη端子训 ，對應『第1端子』，Vdd端子502係對應『第2端子， Gnd端子503係對應『第3端 』 『第4浐+ ^ ^ 』，〇ut端子504係對應 而子』，負載電阻505係對應『第！電阻元件+ 阻元件506係對應『第2電阻 牛』’ ％ 應『差動放大器』，電阻元件5。9係對應『二大 此外，M M〇SFET508，則是對應本專二；^』。 項之『電晶體』。 甲明祀圍第7 317078 22 、1302054 ， Vm端子501係輸入直流成分為接地電位（0電位）之交 流訊號的端子。Vdd端子502為與電源電壓Vdd之電源線 201連接的端子。Gnd端子503為接地用的端子。Vout端 子係與負載電阻505以及電阻元件506之連接點連接的端 子。 - 差動放大器507係以下述方式構成。首先，在正的電 ， 源端子與Vdd端子502連接，而負的電源端子係與Gnd端 - 子503連接。此外，在將Vin端子501所輸出之交流訊號 參輸入於非反轉輸出端子（『一方的輸入端子』）的同時，對 應交流訊號之輸出係經由負載電阻505與電阻元件506之 間的訊號線反饋至反轉輸出端子（『另一方的輸入端子』）。 亦即，差動放大器507係呈現電壓隨耦器構成。此外，在 非反轉輸入端子與反轉輸入端子之間，預先產生以輸入非 反轉輸入端子之交流訊號的接地電位（直流成分）為基準之 超過交流訊號之最大振幅位準之正的補償電壓Vb。 N型MOSFET508係具有：用以控制導通/非導通的 •閘極電極（『控制電極』）；與負載電阻505側之訊號線連 接的汲極電極（『第1電極』）；以及與負載元件506侧之 訊號線連接的源極電極（『第2電極』），且設在負載電阻 505與電阻元件506之間的訊號線間，呈現所謂的源極接 地型之構成。藉此，N型MOSFET508的放大增益Αν，可 根據「電阻值R1 /電阻值Rs」決定。此外，藉由使差動 放大器507的輸出與N型MOSFET508的閘極電極連接的 同時，使N型MOSFET508的源極電極與反轉輸入端子之 317078 1302054 ' 間連接’即可使差動放大器507的輸出反饋至反轉輸入端 電阻值Rin(數100M至數G(Q )左右）的電阻元件509 係設在配線於Vin端子501與非反轉端子之間的訊號線、 以及Gnd端子503之間的訊號線間，其使用目的係使輸入 於非反轉輸入端子之交流訊號的直流成分穩定於接地電 ； 位。此外，與電阻元件1〇7相同，亦可置換為二極體元件 ； 或導通狀態的電晶體。 • •在此，4端子放大裝置500基本上係與3端子放大裝 置100以及4端子放大裝置400為相同構成，因此，與3 端子放大裝置100以及4端子放大裝置4〇〇的情形相同， '可獲得使放大增益的調整變得更為容易的效果。此外，在 4端子放大裝置500的構成中，與3端子放大裝置1〇()以 及4端子放大裝置4〇〇最大差異點在於：配設端子 504 ’以及内建有外接的負載電阻505。 藉此’在4端子放大裝置5〇〇的内部，可根據所要求 之放大增益預先設定負載電阻5〇5之電阻值Ri以及電阻 元件506之電阻值Rs的比率。此外，負載電阻5〇5之電 阻值R1以及電阻元件5〇6之電阻值Rs的比率，可藉由在 CMOS製程中鄰接配置負載電 + 只秋电丨丑以及電阻元件5〇6 等，而將不均的情況控制在數％左右的程度。 (第3實施形態） 第11圖係顯示申請專利範圍第8項之『放大裝置之 一實施形態之4端子放大裝置5〇〇的構成圖。、且』 317078 24 1302054 的σ周整’交得更為容易的效果。此外，可達到無須設置N型 MOSFET508等之構成簡單化的目的。 (第4實施形態） 在第8圖所示之4端子放大裝置4〇〇，或第1〇圖、第 11圖所不之4端子放大裝置500中，與3端子放大裝置1〇〇 -的情況相同，可將N型]VIOSFET407、508置換為p型MOS :FET ' NPN型雙極性電晶體、pNp型雙極性電晶體的其中 ·- 一種。此外，置換為P型MOSFET或PNP型雙極性電晶 馨體時，係使差動放大器4〇6、507的極性反轉。 以上’係說明本發明之實施形態，前述實施例係有助 於本發明之理解，但本發明之範圍並不侷限於上述解釋， 在不超越申請專利範圍的條件下，本發明涵蓋各種變更/ 改良，同時，亦包含其等效物。 例如，3端子放大裝置100、4端子放大裝置400、500， 不限於ECM系統之初段放大器的用途。3端子放大裝置 ⑩100、4端子放大裝置4〇〇、5〇〇，可在各種控制系統中，做 為將類比感測器所檢測出之類比訊號，放大至可在該控制 系統内處理之位準的初級放大器來使用。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明一實施形態之ECM系統的構成圖。 第2圖係本發明一實施形態之3端子放大裝置的構成 圖。 第3圖係本發明一實施形態之3端子放大裝置的詳細 構成圖。 26 317078 1302054 第4圖係N型MOSFET之構造的說明圖。 第5圖係本發明一實施形態之3端子放大裝置的構成 圖。 第6圖係本發明一實施形態之3端子放大裝置的構成 圖。 - 第7圖係本發明一實施形態之ECM系統的構成圖。 •-第8圖係本發明一實施形態之4端子放大裝置的構成 • 圖。 籲第9圖係、本發明—實施形態之ECM系統的構成圖。 第10圖係本發明—實施形態之4端子放大裝置的構成 圖。 第11圖係本發明一實施形態之4端子放大裝置的構成 圖。 第12圖係習知ECM系統之構成圖。 第13圖係JFET之Vgs對Ids特性的示意圖。 【主要元件符號說明】 •1。 N型碎基板π沒極電極 12 源極電極 ^ 閘極電極 100、 900 3端子放大裝置 101、 401、501、901 Vin 端子 102、 402、404、502、902 Vdd 端子 103、 403、503、903 Gnd 端子 104、 1 07、1 08、1 〇9 電阻元件 105、 406、507 差動放大器 317078 27 1302054 106 、114 、115 、 116 、 407 、508 N 型 MOSFET 110 v 111 、112 、 113 、 119 P 型 MOSFET 200 、505 負載電阻 20卜 206 …電源線 202 Vout端子 203 駐極電容器 405 、408 電阻元件 504 Vout端子 400 、500 4端子放大裝置 =506 、509 、510、511 電阻元件 -904 J-FET 905 電阻元件 ❿Αν 放大增益 lb 電流 Ids 汲極-源極電流 Is 偏壓電流 R1、 Ra、 Rb、Rin、Rs 電阻值 28 317078

Claims (1)

1302054十、申請專利範圍 1. 子； 年月日修正替換貧 第941!624〇號專利申曹案 (97年7月8曰） 種放大裝置，係具有：輸入有交 經由夕K與夕贫1不 ’化σ 之弟1端子； 、、二由外接之弟1電阻元件蛊 -、电源線逯接之第2端 接地之第3端子； 設在前述第2端子與前述第3 的第2電阻元件； -子之間的讯號線間 正的電源端子係與前述第2端子及前述第2電阻元 件間的訊號線連接的同時，負 端子連接， 員的迅源端子俤與前述第3 r私在^交流訊號由前述帛1端子輸人至反轉/非反 ::二：子中的一方輸入端子的同時’對應前述交流訊 輪出係經由前述第2端子舆前述第2電阻元件之間 的§fl號線而反饋至另一方輸入端子， 而在前述一方輸入端子與前述另一方輸入端子之 間，預先產生以前述一方輸入端子的接地電位為基準且 超過前述交流訊號之最大振幅位準之正補償電壓的差 動放大器；及 设在前述第1端子與前述一方輸入端子間的訊號 線:與前述第3端子之間的訊號線間，使輸入於前述一 方褕入端子的前述交流訊號的直流成分穩定於接地電 位的第3電阻元件， 其係使根據前述第1電阻元件以及前述第2電阻元 么之琶阻值而放大之前述交流訊號的電麗波形產生於 29 317078修正本 1302054

•。卫一―--- 月日修正替換頁 第94116240號專利肀請案 (97年7月8曰） 箣述第2端子 2. :申請專利範圍第1項之放大裳置，其中，在前述第2 :子與前述第2電阻元件之間的訊號線間具有電晶體， ::晶體具備有：用以控制導通/非導通之控制電極； :::述第2端子側之訊號線連接之第ι電極；以及與前 述弟2電阻元件侧之訊號線連接之第2電極， ^使前述差動放大器之輪出連接於前述控制電 =同…使前述第2電極與前述另—方輸人端子之間 而使前述差動放大器之輸出反饋至前述另一方輸 2二ΓΓΓ述第1電阻元件之電阻值除以崎 值所決定之放大增益而放大的前述交 —的電壓波形產生於前述第2端子。 ^乂 !.如申請專利範圍第.2項之放大裝置，，且古 在前述第2電極與前述另一 早、/、備有·.設 的第4電阻元件;及設在前述第4電=:=線間 :輪入端子之間的訊號線、與前述第端=另- 線間.的第5電阻元件； 知子之間的訊號 並且根據前述第4電阻元件以及電 之電阻值而使前述—方輸入端子與；c 子之間所需要的前述補償㈣減少。^另一方輸入端- 4. -種放大裝置，係具有：輸入有交流訊號之 、士由外接之第】電阻元件與 而子， 端子； 牙1 $原線連接之第2 317078修正本 30 1302054 ^ΎΓ&----------------: 年月日修正替換頁 第94116240號專利申請案 (97年7月8曰） 接地之第3端子； 與第2電源線連接之第4端子； 第2端子與前述第3端子之間的訊號線間 的弟2電阻元件； 在正的電源端子與前述第4端子連接的同時，負的 電源端子與前述第3端子連接， 在前述交流訊號由前述第1端子輸入至反轉/非反 ^輸入&子中的—方輸人端子的同時’對應前述交流訊 叙輸出係經由前述第2端子與前述第2電阻元件之間 的訊號線反饋至另一方輸入端子； 而在前述一方輸入端子與前述另一方輸入端子之 ?:之先產生以前述一方輸入端子的接地電位為基準且 超過前述交流訊號之最大振幅位準之正補償電壓的差 動放大器；及 汉f則述第1端子和前述一方輸入端子間的訊號 、、、^ $ C弟3 %子之間的訊號線間，以使輸入於前述 方輸入端子的前述交流訊號的直流成分穩定於接地 電位的第3電阻元件； 其係使根據前述第1電阻元件以及前述第2電阻元 件之電阻值放大之前述交流訊號的電壓波形產生於前 述第2端子。 ，申請專利範圍第4項之放大裝置，其中，在前述第2 =而子與鈾述第2電阻元件之間的訊號線間具有電晶體，： 該電晶體具備有··用以控制導通/非導通之控制電極； 317078修正本 31 !3〇2054 泊7—ν—綫 .一— ‘ i日修轉換頁 第94116240號專利申誇安 • 」 (97年7月i G 端子側之訊號線連接之第}電極；以及與前 W 2琶阻元件側之訊號線連接之第2電極， 極的^使前 ^差動放大器之輪出連接於前述控制電 nub 2電極與前述另—方輪人端子之 =而使前述差動放大器之輪出反饋至前述另-方輸 2電ί且：根據前述第1電阻元件之電阻值除以前述第 4=電阻值所決定之放大增益而放大的前述交 /瓜訊唬的電壓波形產生於前述第2端子。 又 6· —種放大裝置，係具有： 輸入有交流訊號之第1端子，· 與電源線連接之第2端子； 接地之第3端子； 接在前述第2端子與前述第3.端子之間的訊 唬線間的弟1電阻元件以及第2電阻元件； 飞 與前述第1電阻元件及前述第2 生 號線連接的第4端子； 之間的訊 在正的電源端子係與前述第2 的電源端子係與前述第3端子連接， 、同％’負 在前述交流訊號由前述第工 鈐 s 轉輸入端子中的一方輸入端子的同時，對應^m反. 出係經由前述第i電阻元件與前 之間的矾號線反饋至另一方輪入端子. 件 而在前述-方輸人端子與前述另―方輸人端子之 317078修正本 32 1302054 日修正替換頁 第94116240號專利申請案 (97年7月8曰） 2 先/生以前述-方輸入端子的電位為基準且超過 訊號之最大振幅位準之正補償電壓的差動放 、線、==1子=_ m_ 一 3的況唬線間，而使輸入於前述 一方輪入端子的前述交流訊声 電位的第3電阻元件；虎的“成分穩定於接地 丛並且使根據前述第1電阻元件以及.前述第2電阻元 =電阻值而放大之前述交流訊號的電壓波形產生於 則述弟4端子。 7.如申請專利範圍第6項之放大裝置，其中，在前述第工 :阻=與前述第2電阻元件之間的訊號線間具有電晶 晶體具備有：用以控制導通/非導通之控制電 極’'與前述第！電阻元件側之訊號線連接之第i電極； 以及細述第2電阻元件側之訊號線連接之第2電極， 藉由使前述差動放大器之輸出連接於前述控制電 極’㈣使前述第2電極與前述另—方輸人端子之間連 接，而使前述差動放大器之輸出反饋至前述另—方輸入 端子， . 並且使根據前述第1電阻辑之電阻值除以前述第 2電阻元件之電阻值所衫之放大增益而放大的前述交 流訊號的電壓波形產生於前述第4端子。 8. —種放大裝置，係具有： 輸入有交流訊號之第1端子； 317078修正本 33 1302054 (97年7月S曰） prm——、-、....…Ί 年月日修正替換頁丨 與電源線連接之第2端子； 接地之第3端子； 正的電源端子係與前述第 電源端:係舆前述第3端子連接而子連接’同時’負的 在鈾述交流訊號由前述第1 轉輸入端子中的—朴人、子輸人至反轉/非反 f卢之於^ f 同時’對應前述交流訊 唬之％出係經由第2電 ^ ^ ^ ^ 卞汉爾至另一方輸入端子， 而在别述一方輸入端 4 g ^ 遮另一方輸入端子之 >、+、六法〜 万铷入為子的電位為基準且超過 則：^乂抓訊號之最大振 大器； τ之正制員電㈣動放 設在前述第1電阻元件盥前 訊號線、與前述第3端子之門、端子間的 昂知于之間的訊號線間的第2電阻元 ••件，· 與前述差動放大器之輸出連接的第4端子； 雄、端子與前述-方輸入端子間的訊號 Ύ、料弟3端子之間的訊號線間，使輸人於前述一 方輸入端子的前述交流訊號的直流成分穩定於接地電 位的第3電阻元件； 並且使根據前述第1電阻元件以及前述第2電阻元 二之f阻值而放大之前述交流訊號的電Μ波形產生於 ^述弟4端子。 9.如申^專利範圍第U δ項中任一項之放大裝置，其 中’刖述差動放大器係具備有差動電晶體對，其由使前 317078修正本 34 1302054 fF&l 第，戰 輸ί端子與用以控制導通/非導通之第1控制兩 4 k接之弟1電晶體；以及使 包 以控制導通/非導通之第9批在… 4入端子與用 所構成， 、之弟“工制电極連接之第2電晶體 同的t使Γ第1以及前述第2控制電極分別具有不 寸而預先產生前述補償電壓。 T:中， 【::卜述第3電阻元件係置換為二 導通狀態之電晶體。 叶^疋 申請專f範圍第！至8項中任一項之放大裝置，其 ’係使前述第1端子，與預先使駐極電容器麥克風； 的一方電極帶電之駐極電容器的另—方電極相連^中 *而響應以音聲訊號為依據之前述駐極電容器恭 ι2 Γΐϊ化的交流訊號，係被輸入於前述第1端子。书 ’ f專利範圍第9項之放大裝置’其中’係使前述第 ,^子’邱先使駐極電容器麥克風中的—方電極帶命 之駐極電容器的另一方電極相連接， 电 而響應以音聲訊號為依據之前述駐 容值變化的交流訊號，係被輸入於前述第^端^的電 13.Π:Γ:暖第10項洲 駐極電容器麥克風中的-方電極帶 電之駐極電各器的另一方電極相連接， ☆ I:響應：音聲訊號為依據之前述駐極電容器的電 各、艾化的交流訊號，係被輸入於前述第1端子。 317078修正本 35