JP3046152B2 - 増幅回路 - Google Patents

増幅回路

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JP3046152B2
JP3046152B2 JP4239704A JP23970492A JP3046152B2 JP 3046152 B2 JP3046152 B2 JP 3046152B2 JP 4239704 A JP4239704 A JP 4239704A JP 23970492 A JP23970492 A JP 23970492A JP 3046152 B2 JP3046152 B2 JP 3046152B2
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裕紀 入江
佳和 江良
誠 丸山
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信システムの受信
回路として使用する増幅回路に係り、特に、光受信回路
の前置増幅器として使用して好適な増幅回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は従来技術による光通信システム用
の受信回路における前置増幅器の回路を示す図であり、
以下、図3を参照して従来技術の回路を説明する。図3
において、1は受光素子、2は初段FET、3はドレイ
ン負荷、7は後段FET、8はソース負荷、9は帰還負
荷である。
【0003】従来技術による前置増幅器は、図3に示す
ように、ドレインに負荷3が接続されてソース接地され
た初段FET2と、ソースに負荷8が接続されてドレイ
ン接地された後段FET7と、後段出力から初段入力へ
信号を帰還させて負帰還増幅ループを構成する帰還負荷
9とにより構成されている。
【0004】そして、受光素子1からの光信号の受信信
号は、初段FET2のゲートに入力され、初段FET2
及び後段FET7により増幅され、後段FET7のソー
スより出力される。
【0005】なお、この種の増幅回路に関する従来技術
として、例えば、「化合物半導体デバイスII」、今井他
編、工業調査会、第33頁等に記載された技術が知られ
ている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】光受信回路の前置増幅
器は、一般的に直結形負帰還増幅形式により構成される
が、前述したように、特に、前段及び後段の2つのFE
Tにより増幅回路を構成する場合、その開放利得は、初
段FETのトランスコンダクタンス(以下gmという)
とドレイン負荷との積で決まり、この積が大きいほど利
得も大きくなる。ところが、gm、ドレイン負荷を適正
以上に大きくすると、増幅回路の帯域幅が劣化するとい
う問題点を生じる。
【0007】すなわち、前記従来技術による増幅回路
は、増幅回路の開放利得を充分に大きくすることができ
ず、このために、帯域幅、入力換算雑音等の特性を向上
させることが困難であるという問題点を有することにな
る。
【0008】本発明の目的は、前記従来技術の問題点を
解決し、帯域幅、入力換算雑音等の特性の劣化のない高
性能な光受信回路として使用して好適な増幅回路を提供
することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明によれば前記目的
は、前段と後段の2つの増幅素子を有する増幅回路の前
記2つの素子の間に差動増幅器を付加し、これにより、
増幅回路の開放利得を大きくするようにすることにより
達成される。
【0010】
【作用】前段及び後段の2つの増幅素子の間に差動増幅
器を付加することにより、増幅素子のgm、ドレイン負
荷等を適正値に保ちながら、増幅回路の開放利得を大き
くすることができる。これにより、本発明は、増幅回路
の帯域幅、入力換算雑音等の特性を向上させることがで
きる。
【0011】
【実施例】以下、本発明による増幅回路の一実施例を図
面により詳細に説明する。
【0012】図1は本発明の一実施例の構成を示すブロ
ック図、図2は本発明の一実施例の具体的な回路構成を
示す図である。図1、図2において、4は差動増幅器、
5は平均値検出用抵抗、6は平均値検出用コンデンサ、
10、12、14はレベルシフトダイオード、11、4
2、43はFET、13、44は電流源、41はドレイ
ン抵抗であり、他の符号は図3の場合と同一である。
【0013】本発明の一実施例は、図1に示すように、
光入力信号を電流信号に変換する受光素子1と、この電
流信号を受けて増幅するソース接地された初段FET2
と、このFET2のドレインに接続された負荷3と、こ
のドレインの出力信号を正相入力とする差動増幅器4
と、この差動増幅器4の出力信号電圧の平均値を検出し
逆相入力に帰還する抵抗5及びコンデンサ6と、差動増
幅器4の出力を受けるドレイン接地された後段FET7
と、このFET7のソースに接続された負荷8と、FE
T2のゲート、FET7のソース間を接続する帰還負荷
9とにより構成されている。
【0014】そして、受光素子1からの光信号の受信信
号は、初段FET2のゲートに入力され、初段FET
2、差動増幅器4及び後段FET7により増幅され、後
段FET7のソースより出力される。
【0015】図示本発明の一実施例による負帰還増幅回
路の交流開放利得は、FET2のgm、ドレイン負荷
3、差動増幅器4の電圧利得(以下、βという)の3つ
の積によりほぼ決定される。従って、本発明の一実施例
は、βを大きくすれば、FETのgm、ドレイン負荷3
を適正以上に大きくする必要なく、交流開放利得を充分
な大きさとすることができる。
【0016】また、本発明の一実施例は、差動増幅器4
の出力の平均値を検出し、逆相入力に返しているので、
オフセット補償が掛けられていることになり、これによ
り、差動増幅器4の正相入力電圧と出力電圧の平均値と
を、常時ほぼ等しくすることができるので、増幅回路の
安定化を損なうことなく、全段を直流結合して構成する
ことが可能となる。
【0017】本発明の一実施例は、前記のような構成を
備えることにより、帯域幅、入力換算雑音等の特性の向
上を図ることができる。
【0018】次に、図1に示した本発明の一実施例の具
体的な回路構成を図2により説明する。
【0019】図2において、初段FET2のソースに
は、レベルシフトダイオード10が接続され、FET2
のゲート・ソース電圧が適正値に保持されている。初段
FET2と差動増幅器4との間には、ソースフォロワと
してのFET11、ダイオード12及び電流源13が追
加されており、差動増幅器4の入力ダイナミックレンジ
を大きくしている。
【0020】差動増幅器4は、ソースが相互に結合され
た2つのFET42、43と、ドレイン抵抗41と、電
流源44とにより構成される。また、後段FET7のソ
ースには、レベルシフトダイオード14が接続されてお
り、これにより、本発明の一実施例は、本発明の一実施
例を構成する負帰還増幅器の帯域幅等の諸特性を向上さ
せることができ、さらに、入力ダイナミックレンジを拡
大させることができると共に、低い電源電圧で動作させ
ることが可能となり、特に、集積化する場合に有効であ
る。
【0021】前述した本発明の一実施例は、増幅素子と
してFETを使用して構成したとして説明したが、本発
明は、バイポーラトランジスタを増幅素子として使用し
て構成することもでき、この場合にも同様な効果を得る
ことができる。また、本発明の一実施例は、トランスイ
ンピーダンス型増幅器を例として説明したが、本発明
は、一般的なオペアンプ、コンパレータ等により、負帰
還増幅形式を採用して構成することができ、この場合、
負帰還ループ内に差動増幅器を追加することが有効であ
る。
【0022】また、前述した本発明の一実施例は、光受
信信号を増幅するものとして説明したが、本発明は、一
般の微小信号の増幅のために使用することも可能であ
る。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、増
幅回路の開放利得を大きくすることができるので、帯域
幅、入力換算雑音等の特性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の構成を示すブロック図であ
る。
【図2】本発明の一実施例の具体的な回路構成を示す図
である。
【図3】従来技術の一例の回路構成を示す図である。
【符号の説明】
1 受光素子 2 初段FET 3 ドレイン負荷 4 差動増幅器 5 平均値検出用抵抗 6 平均値検出用コンデンサ 7 後段FET 8 ソース負荷 9 帰還負荷
フロントページの続き (72)発明者 丸山 誠 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株式会社 日立製作所 情報通信事業部 内 (56)参考文献 特開 昭48−95755(JP,A) 特開 昭60−109309(JP,A) 特表 昭59−500844(JP,A) 『化合物半導体デバイス[▲II▼ ]』今井哲二,生駒俊明,佐藤安夫,藤 本正友(昭和60年1月10日発行)工業調 査会、第33頁 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03F 1/30 - 1/40 H03F 3/00 - 3/195 H04B 10/00 - 10/28

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力信号を増幅する初段増幅素子と、信
    号を出力する後段増幅素子と、後段増幅素子の信号出力
    を前段増幅素子の信号入力に負帰還する帰還路とを備え
    た増幅回路において、前記初段増幅素子と後段増幅素子
    との間に、出力の平均値を検出して逆相に入力する形式
    の差動増幅器を設けたことを特徴とする増幅回路。
  2. 【請求項2】 前記初段増幅素子と後段増幅素子とは、
    電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項1
    記載の増幅回路。
  3. 【請求項3】 前記初段増幅素子と後段増幅素子とは、
    バイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項
    1記載の増幅回路。
  4. 【請求項4】 前記初段増幅素子と後段増幅素子と差動
    増幅器とが直流結合されていることを特徴とする請求項
    1、2または3記載の増幅回路。
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