TWI301150B - - Google Patents

Description

1301150 A7 B7 五、發明説明（1 ) 技術領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關於，特別是以波長2 0 0奈米以下之真 空紫外線（V U V )激發下，亮度劣化少，呈高亮度之藍 色發光的鋁酸鹼土鹽螢光體，使用該螢光體之螢光體漿料 組成物，以及亮度劣化少，可持續高效率發光之真空紫外 線（V U V )激發發光元件。 先行技術 例如，用於掃瞄器讀取用光源之稀有氣體燈、電漿顯 示面板（PDP)等所代表的，先將使用在VUV激發下 發光之螢光體的螢光膜形成於玻璃等之外圍器內，同時其 內將Ar、Xe、He、Ne等稀有氣體以單質或混合封 入，再使封入之稀有氣體放電，以所輻射之V U V激發外 圍器內的螢光膜使之發光，具有該構造、功能的V U V激 發發光元件，近年來其開發盛行並已臻實用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 向來，用於該VUV激發發光元件之螢光膜的螢光體 ，係以（Y，Gd) B〇3 : Eu等之紅色螢光體， LaP〇4: Ce ， Tb 、 Zri2Si〇4:Mn 、 BaAli2〇i9:Mn、 （Ba，Sr，Mg)〇· aA 12〇3 : Mn、YB〇3 : Tb等之綠色發光螢光體 ，BaMgAli〇〇i7: Eu、( B a ， Sr)

MgA 1 10〇17 : E u，Mn等之藍色發光螢光體等單 獨或混合使用。 用於V U V激發發光元件之螢光膜的螢光體，其特性 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇><29<7公釐） -4- 1301150 A7 B7 五、發明説明（2 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 要求有，νυν激發下能以高亮度發光，νυν激發發光 元件之螢光膜形成過程中螢光體塗膜經5 0 0 °C左右之烘 烤處理時發光亮度不下降（烘烤所致亮度劣化小）， V U V激發光元件之長時間作動，持續以V u V照射螢光 體之亮度下降（V U V所致亮度劣化）少，發光色之色純 度高等，而目前已實用化之螢光體並非所有這些特性均能 滿足。另一方面，市場上經常對v U V激發發光元件諸特 性有進一步改善之要求，對於V U V激發用螢光體亦期待. 有上述特性良好的新穎螢光體之開發。 而V U V激發用螢光體中，鋁酸鹽螢光體係代表性的 藍色或藍綠色發光之νυν激發用螢光體， BaMgAli〇〇i?:Eu、（Ba，Sr) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 M g A 1 i i 7 : E u，Μ η等，母體結晶含必要之 Mg的鋁酸鹼土金屬鹽，以2價E u或E u及Μη作爲活 化劑，通稱爲B AM螢光體之螢光體，已實際用作發光亮 度等發光特性優之V U V激發用藍色或藍綠色發光螢光體 。然而，該B A Μ螢光體有，特別是烘烤所致亮度劣化以 及V U V所致亮度劣化大之缺點，可替代的烘烤所致亮度 劣化，V U V所致亮度劣化少之藍色發光或藍綠色發光的 V U V激發用螢光體之開發，深受期盼。 同於B A Μ螢光體之鋁酸鹽，例如，母體結晶中不含 Mg之鹼土金屬鹽，以E u爲活化劑之鋁酸鹼土鹽螢光體 ，用波長2 0 0奈米以上之紫外線激發呈藍色發光，已廣 爲所知（參考英國專利第1，1 9 0,5 2 0號公報，美國 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 1301150 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7_五、發明説明（3 ) 專利4，8 2 7,1 8 7號公報等）。至於包括該螢光體以 VUV激發是否能高亮度發光等’該螢光體之作爲VUV 激發用螢光體的諸特性，卻尙不得而知。 本發明係爲謀藍色發光之新穎V U V激發用螢光體之 開發而完成，其目的在提供發光效率高，尤以作爲V U V 激發用螢光體時V U V所致亮度劣化少，呈色純度高之藍 色發光的鋁酸鹼土鹽螢光體，使用該螢光體之螢光體漿料 組成物，以及V U V激發發光元件。 發明之揭示 本發明人等爲達上述目的，對以E u爲活化劑之種種 組成的鋁酸鹼土鹽螢光體加以詳細硏討。 一般，以波長2 0 0奈米以上之紫外線激發時高效發 光之螢光體，以波長2 0 0奈米以下之VUV激發時卻不 可謂高效發光，其探討不易。 然而，本發明人等對習知用作水銀燈用螢光體之不含 M g，以E u作活化劑之鋁酸鹼土金屬鹽螢光體加以探討 ，發現其以波長2 0 0奈米以下之VUV激發時呈藍色發 光，而且即使化學組成相同而當結晶構造係特定構造時， VUV激發下可高效發光，並且，特別是耐VUV性提升 V U V所致亮度劣化減少等事實。並發現以分散有該螢光 體之螢光體漿料組成物形成螢光膜，具備該螢光膜之 VUV激發發光元件，其藍色成分之VUV所致亮度劣化 改善，長久使用亦可維持高亮度之藍色發光，終於完成本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1301150 A 7 B7 五、發明説明（4 ) 發明。 亦即，本發明係如下構成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (1) 一般式 a (M!-xEux)〇· 6A 12〇3所 表之螢光體，其特徵爲：該螢光體以C u Κ α 1特性X線 之粉末繞射光譜中，繞射角（20) 28。至31°之角 度範圍內有寬廣的帶狀高峰之鋁酸鹼土鹽螢光體。（其中 Μ表選自B a、S r及C a所成群之至少1種鹼土金屬元 素’ X及α各表滿足〇<x<1及〇 · 9$a$l · 8之 數）。 (2) 上述（1 )之鋁酸鹼土鹽螢光體，其中上述Μ 係鹼土金屬元素5〇莫耳％以上之B a。 (3) 上述（1 )或（2)之鋁酸鹼土鹽螢光體’其 中上述寬廣帶狀高峰之半値寬在〇 · 5。以上。（上述（ 1 )或（2 )之鋁酸鹼土鹽螢光體，其中上述螢光體的 C u Κ α 1特性X線粉末繞射光譜中，繞射角（2 0 )在 28°至3 1°之角度範圍內有半値寬〇 · 5°以上之高 峰）。 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 (4) 上述（1 )至（3)中任一項之鋁酸鹼土鹽螢 光體，其上述（螢光體之C u Κ α 1特性X線）粉末繞射 X線光譜中，繞射角（2 0 ) 2 8 °至3 1。之角度範圍 內存在的高峰之積分値，係繞射角（2 0 ) 2 1 °至 2 2°之角度範圍內存在的獨立高峰積分値之〇 . 5倍以 上。 (5) 上述（1 )至（4)中任一項之鋁酸鹼土鹽螢 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1301150 A7 _ B7 五、發明説明（5 ) 光體’其係波長2 0 0奈米以下之真空紫外線激發下發光 之真空紫外線激發用螢光體。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (6 )將螢光體分散於溶有粘結劑而成之螢光體漿料 組成物，其特徵爲：該螢光體係上述（1 )至（5 )中任 一項之鋁酸鹼土鹽螢光體。 (7 )上述（6 )之螢光體漿料組成物，其中上述螢 光體之含量係5至70重量％。 (8 )內部形成螢光膜之真空外圍器內封入烯有氣體 ’藉其放電輻射之真空紫外線激發該螢光膜而發光的真空 紫外線激發發光元件，其特徵爲：該螢光膜使用上述（1 )至（5 )中任一項之真空紫外線激發鋁酸鹼土鹽螢光體 圖面之簡單說明 第1圖：包括本發明之螢光體的鋁酸鹼土鹽螢光體之 粉末繞射X線光譜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明之最佳實施形態 以下詳細說明本發明。 本發明之鋁酸鹼土鹽螢光體，係經下述系列操作製造 。首先，將原料（1)選自Ba、Sr及Ca所成群之至 少1種鹼土元素，（2 ) A 1元素及（3 )活化劑E u元 素之各氧化物，或這些（1)至（3)之各元素的碳酸鹽 、硫酸鹽、鹵化物等化合物，以化學計量之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8- 1301150 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（6 ) a (Mi-xEux)〇· 6A 12〇3 (其中Μ表選自Ba 、S r及C a所成群之至少1種鹼土金屬元素，χ及a各 表滿足0<χ<1及0 · · 8等條件之數。下 同。）比例稱出。其次充分混合這些混合物所成之螢光體 原料化合物，充塡於鋁坩堝等之耐熱容器加以煅燒。然後 對所得煅燒物以如通常螢光體製作時所作處理，施以分散 、水洗、乾燥、篩分諸處理即可製造。 上述組成式中，爲得VUV激發下發光之螢光體，χ 値須大於0小於1，且a値若小於〇 · 9或大於1 · 8則 化學組成上雜質成分含量大，不得亮度高、耐V U V性優 之螢光體而不佳。 供煅燒之螢光體原料化合物中，如同B A Μ螢光體等 習知鋁酸鹼土鹽螢光體之製造，爲促進反應可於螢光體原 料化合物之混合物中添加A 1 F3、BaF2、Ca F2、 N Η 4 H F 2等氟化物作爲助熔劑。 本發明之鋁酸鹼土鹽螢光體，當組成式 a (Mi-xEux)〇· 6A12〇3中，χ値及a値各在 0<χ<1及0 · 9SaSl · 8之範圍時，VUV激發 下呈藍色發光，而從VUV激發時之發光亮度的觀點，尤 以上述組成式中上述χ値及a値各係〇 · 〇 3 € χ $ 0 · 5及1 · ISaSI · 5爲佳。上述組成式中之χ値 及a値，在當χ値小於〇 · 〇 3或超過0 . 5時，所得螢 光體於V U V激發下發光亮度降低。而a値小於1 . 1或 大於1·5時，化學組成上雜質成分之混入勢不可免’難 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS「A4規格（210X297公釐） ~" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1301150 Α7 Β7 五、發明説明（7 ) 得亮度高、耐νυν性優之螢光體。 從V U V激發下之發光亮度（刺激和）的觀點，本發 明之鋁酸鹼土鹽螢光體係以構成螢光體之母體結晶一部份 的Μ元爲B a，或5 0莫耳％以下，更佳者爲2 0莫耳％ 以下之B a經S r及C a中之至少其一取代的鹼土金屬元 素爲較佳。 螢光體原料化合物係於1 3 〇 〇至1 8 0 〇°C之溫度 ’在還原性環境氣體中隨充塡量以2至4 0小時作1次以 上煅燒。煅燒溫度低於1 3 0 0 t時所得螢光體V U V所 致亮度劣化加大’且在VUV激發下不得充分之發光亮度 。若高於1 8 0 0 °C則能耗大，於工業上不利。 爲得锻燒時之還原性環境氣體可有，於充塡螢光體原 料化合物之坩堝中埋入石墨、活性碳，於充塡石墨、活性 碳之坩堝內埋入螢光體原料化合物，以及在氮及氫之混合 氣體中煅燒等方法。 又，亦可使椴燒環境氣體中含水蒸氣。 如上製造之本發明鋁酸鹼土鹽螢光體，其特徵爲：該 螢光體粉末以C u Κ α 1特性X線照射量測粉末繞射X線 光譜，觀察該光譜時，繞射角（20)在28°至3 1° 之角度範圍內可具有寬廣之帶狀高峰，該寬廣帶狀高峰之 強度愈高，該螢光體於VUV激發下發光亮度愈高，而 V U V所致亮度劣化之程度愈低。 本發明螢光體之上述粉末繞射X線光譜中，該繞射角 (20) 28°至3 1°的角度範圍內可見之寬廣帶狀高 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 琴 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 1301150 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（8 ) 峰，係指局部觀察下無狹小尖銳的高峰（如第1圖者）之 扁平高峰。該繞射角（20) 28°至3 1°之角度範圍 的寬廣高峰，半寬値在〇 · 5 °以上，更大到1。以上時 則VUV激發下發光亮度更高，VUV所致亮度劣化更可 予抑制，故爲較佳。 從另一觀點，上述粉末繞射X線光譜中，繞射角（2 0 ) 2 8 °至3 1 °之角度範圍內的寬廣高峰，其繞射X 線計數之積分値（I 2 8 )，及出現於繞射角（2 β ) 2 1 °至2 2 °之角度範圍的獨立高峰，其繞射X線計數 之積分値（121)各予求出並算出其比（α)，若該α 値在0 · 5以上，則螢光體在VUV激發下發光亮度高， 且VUV所致之亮度劣化少。從進一步提升發光亮度，及 V U V所致亮度劣化抑制效果之觀點，α値以在〇 . 8以 上爲更佳。 該α値之求出可係，例如第1圖所例示之螢光體的粉 末繞射X線光譜，繞射角（2 0 ) 1 6 °至1 7 °之角度 範圍因無X線繞射強度的高峰可見，以該角度範圍當作背 景，求出該1 6 °至1 7 °角度範圍之繞射X線計數積分 値（I ^ 6 )，並將繞射角（2 0 ) 2 8 °至3 1 °角度範 圍之寬廣高峰的繞射X線計數積分値（I 2 8 )，及出現 於繞射角（2Θ) 2 1°至22°角度範圍之獨立高峰的 繞射X線計數積分値（I 21)各予求出，算出（128- 3 X I i 6 ) / ( I 2 i — I i 6 )之値。 第1圖係上述組成式中，a = l · 286 ，X = (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 1301150 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（9 ) 0 · 1 {即，組成式爲 1 · 286 (Bao.9，Euo.i )〇· 6A 12〇3丨的下述實施例1之鋁酸鹼土鹽螢光 體的C u Κ α 1特性X線粉末繞射X線光譜。第1圖中， 曲線a、b、c、d、e及f各係於1 2 0 0 °C、 1 3 0 cr C、1 4 0 0。。、1 5 0 0 °C、1 6 0 0 〇C 及 1 7 0 0 t煅燒之各螢光體的光譜，係使曲線a至f之6 曲線的繞射角（橫軸）一致，將各曲線繪出而成，縱軸之 相對高度可於同一曲線內相對比較，但不能於各曲線間作 比較。 由第1圖可知，經1 3 0 0 °C至1 7 0 0 °C煅繞之螢 光體（曲線b至f )，粉末繞射X線光譜中，該光譜之繞 射角（2 Θ) 2 8°至3 1°角度範圍可見微弱之寬廣高 峰。相對於此，於1 2 0 0 °C煅繞之螢光體（曲線a )在 粉末繞射X線光譜中，繞射角（2 0 )) 2 8 °至3 1 ° 角度範圍內全無該高峰可見。該粉末繞射X線光譜中繞射 角（20) 28°至3 1°角度範圍出現之寬廣帶狀高峰 ，僅見於螢光體原料經1 3 0 0 °C以上的溫度煅燒而得之 鋁酸鹼土鹽螢光體，而在低於1 3 0 0 °C之溫度煅燒的螢 光體則不得見。 本發明之鋁酸鹼土鹽螢光體，以波長2 0 0奈米以上 之紫外線、電子束、X線等電磁波、電離輻射激發，亦呈 色純度高之藍色發光。 其次說明本發明之螢光體漿料組成物。 本發明之螢光體漿料組成物，除螢光體粉末係用如上 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -12- 1301150 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7_五、發明説明（10) 製得之本發明鋁酸鹼土鹽螢光體外，含用在習知螢光體漿 料組成物之成分。 本發明螢光體漿料組成物之製造，除使用本發明之鋁 酸鹼土鹽螢光體以外，係如同習知螢光體漿料組成物之製 造。例如，可將本發明之鋁酸鹼土鹽螢光體與溶有粘結樹 脂的溶劑各以特定量混合成混合物，充分攪拌、混練使螢 光體分散，同時依使用目的等調整粘度而得。 本發明螢光體漿料組成物的製造之際，連同上述鋁酸 鹼土鹽螢光體使用之粘結樹脂，隨使用目的可用乙基纖維 素、硝基纖維素、聚氧化乙烯、壓克力樹脂等。又，爲螢 光體及粘結樹脂之分散，及爲粘度之調整，連同螢光體及 粘結樹脂使用之溶劑，有醋酸丁酯、丁基卡必醇、丁基卡 必醇醋酸酯、萜品醇等。 使鋁酸鹼土鹽螢光體之配合量，爲對溶劑除外之螢光 體及粘結樹脂總重占5至7 0重量％，將該螢光體及溶有 粘結樹脂的溶劑摻合，加以攪拌、混練，最後添加溶劑調 整粘度，從塗膜厚度控制、塗布工作性等觀點則係較佳。 其次詳細說明本發明之V U V激發發光元件。 本發明之V U V激發發光元件之一的稀有氣體燈，其 製造係，例如，自具有所欲內徑之透明玻璃細管的一端， 以粘度調整爲可於管內壁面流動之本發明螢光體漿料組成 物流過塗布，將之乾燥再施以烘烤處理將有機成分鍛繞揮 散，或將螢光體漿料組成物塗布乾燥後之玻璃板等裝入玻 璃細管內，製作螢光膜。其次作該玻璃管內部之排氣，將 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X；297公釐） -13- 1301150 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（11 ) 少量稀有氣體封入管內，將電極安裝於玻璃細管兩端，或 隔玻璃管壁裝於內外兩面，或裝於玻璃管外兩面相向，封 閉該玻璃管兩端。如此製作本發明V U V激發發光元件之 一的稀有氣體燈。 又，本發明V u V激發發光元件之另一例的P D P， 其製造係，例如，於玻璃板等之背面板形成內部電極，設 置條狀或陣列狀間壁構成多數胞，將紅、綠、藍各色之螢 光體漿料組成物以網印法等塗布於構成各胞之各間壁底部 及內壁。藍色螢光體漿料組成物使用本發明之螢光體漿料 組成物。將之乾燥、烘烤，於各胞內形成螢光膜，並將背 面板以一定間隔與形成有內部電極之玻璃板等所成的前面 板相向配置，封閉前面板及背面板之周圍，將內部排氣封 入稀有氣體，成本發明VUV激發發光元件之一的p D P 〇 除上述稀有氣體燈、PDP外，其它本發明之VUV 激發發光元件，無論種類、形態爲何，均可於各V U V激 發發光元件外圍器的成爲發光面之支承體表面，以習知方 法塗布本發明之螢光體漿料，使之經乾燥、烘烤處理各形 成螢光膜，將稀有氣體封入形成有螢光膜之外圍器內而製 造。 如此製得之本發明V U V激發發光元件，係作動中發 光亮度下降少，亮度高之V U V激發發光元件。 實施例 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -14- 1301150 A7 B7 五、發明説明（12) 其次，以實施例及比較例具體說明本發明，惟本發明 不限於以下實施例。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔實施例1 A〕

BaC〇3: 1 · 1574 莫耳 Eu2〇3: 〇 · 0643 莫耳 Al2〇3:6.0莫耳 A 1 F 3 : 〇 · 〇 1 莫耳 將上述各螢光體原料充分混合後，充塡於氧化鋁坩堝 放入石墨加蓋，於含水蒸氣之氮中以最高溫1 6 0 0 °C， 於包括升降溫煅燒2 4小時。其次，煅燒粉過篩得組成式 1 · 2 8 6 (Ba〇.9Eu〇.i) 〇·6Α12〇3 之銘 酸鹼土鹽螢光體。 以C u Κ α 1特性X線測出該螢光體之粉末繞射X線 光譜，如第1圖曲線e，繞射角（2 0 ) 2 8 °至3 1 ° 之角度範圍內有寬廣帶狀高峰之觀測。該寬廣帶狀高峰之 半値寬爲1 · 1 0 ° ，α値爲1 · 1 5。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔實施例1 Β〕 將3 0重量％之實施例1 Α的鋁酸鹼土鹽螢光體， 1 0重量％之丁基卡必醇，5 3重量％之丁基卡必醇醋酸 酯及7重量％之乙基纖維素充分混練，製造實施例1 B之 螢光體漿料組成物。 將該實施例1 B之螢光體漿料組成物塗布於玻璃板上 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15- 1301150 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（13) 成5 0 0微米厚，於1 2 0 °C放置3 0分鐘乾燥，再於空 氣中以5 0 0 °C烘烤3 0分鐘得螢光膜，以波長1 4 6奈 米之V U V照射，以亮度計量測其發光亮度以及發光色度 點（X値、y値），求出發光亮度除以發光色之色度坐標 的y値之値刺激和（亮度/ y )，以於相同條件下測出之 下述比較例1 B之螢光體漿料組成物所成的螢光膜之刺激 和（亮度/ y )爲1 0 0，則實施例4 B之螢光體漿料組 成物所成螢光膜之刺激和（亮度/ y )爲2 7 1 · 4。 而藍色發光螢光體之亮度隨其發光色（色度點之y値 )比例放大、發光色（y値）不同的螢光體間，作發光效 率之相互比較的簡便方法，一般係以亮度除以y値之値作 比較。因而，本發明中亦由發光亮度之量測値各求出上述 定義之刺激和（亮度/ y )，作相對比較。 〔實施例1 C〕 如上製得之實施例1 B的螢光體漿料組成物塗布於寬 2毫米之玻璃板上，於1 2 0 °C乾燥6 0分鐘後於5 0 0 °C煅燒3 0分鐘。將該玻璃板固持於外徑4毫米之玻璃管 內，以鎳電極裝於該玻璃管兩端，管內經真空排氣後封入 50托之Ne 98% — Xe 2%氣體，製作實施例 1 C之V U V激發發光元件（稀有氣體燈）。將該實施例 1 C之V U V激發發光元件連續點亮，各求出剛點亮後及 點亮2 4小時後之剌激和（亮度/ y )，相對於剛點亮後 ’點亮2 4小時後的刺激和（亮度/ y )之相對値（刺激 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -16- 1301150 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

A7 ___B7 五、發明説明（14) 和維持率）予以算出，則實施例1 C之V U V激發發光元 件之刺激和維持率爲8 5 %。 表1示實施例1 A的螢光體製造用之螢光體原料種類 ，其配合比及煅燒溫度。 表2示實施例1 A的螢光體之組成式，粉末繞射X線 光譜中繞射角（20) 28°至3 1。之角度範圍內有無 寬廣帶狀X線繞射高峰之存在，半寬値，α値，實施例 1 Β螢光體漿料組成物所成螢光膜在ν υ V激發下之相對 刺激和（亮度/ y )及實施例1 C的V U V激發發光元件 之刺激和維持率。 〔實施例2 Α至1 6 A，比較例1 A〕 使用表1之化合物及其配合比之螢光體原料，於表1 之煅燒溫度煅燒以外，如同實施例1 A得實施例2 A至 1 6 A及比較例1 A之螢光體。 表2示實施例2 A至1 6 A及比較例1 A之螢光體的 組成，及粉末繞射X線光譜中繞射角（2 Θ ) 2 8 °至 3 1 °之角度範圍內有無寬廣帶狀X線繞射高峰存在，半 値寬及α値。 〔實施例2 Β至1 6 Β，比較例1 Β〕 取代實施例1 Α之螢光體，改用實施例2 Α至1 6 A 及比較例1 A之各螢光體以外，如同製造實施例1 B之螢 光體漿料組成物，製造實施例2 B至1 6 B及比較例1 B ^^裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -17- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1301150 A7 __ B7 五、發明説明（15) 之螢光體漿料組成物。 如同實施例1 B製作這些組成物的螢光膜，以波長 1 4 6奈米之V U V照射，以與實施例1 B相同之條件求 出發光之各刺激和（亮度/ y )，以比較例1 B之螢光體 所成螢光膜之刺激和（亮度/ y )爲1 〇 〇 ,求出各螢光 膜之刺激和（亮度/ y )之相對値，結果列於表2。 〔實施例2 C至1 6 C，比較例1 c〕 取代實施例1 B之螢光體漿料組成物，改用實施例 2 B至1 6 B及比較例1 B之各螢光體漿料組成物製作螢 光膜以外，如同製造實施例1 C之V U V激發發光元件， 製造實施例2 C至1 6 C及比較例1 C之激發發光元件， 如同實施例1 C量測該V U V激發發光元件之刺激和維持 率，結果列於表2。 〔比較例2 A〕 BaC〇3: 〇 · 9莫耳 Eu2〇3:〇.〇5莫耳 3MgC〇3.Mg (〇H)2: 0 · 25 莫耳 A 1 2〇3 : 5 · 0莫耳 A 1 F 3 : 〇 · 〇 1 莫耳 將上述各螢光體原料充分混合後，充塡於氧化鋁坩堝 放入石墨加蓋，於含水蒸氣之氮中以最高溫度1 4 5 〇 t： 於包括升降溫時間2 4小時煅燒，冷卻得一次煅燒物。所 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -18- 1301150 A7 B7 ------ ~·--- 五、發明説明（16) 得煅燒粉過篩得組成式（B a 〇 . 9 E u q . i ) M g A 1 i 〇〇^ 7之比較例2 A的B A Μ螢光體。 粉末繞射X線光譜中，繞射角（2 θ ) 2 8 至 3 1 °之角度範圍無寬廣帶狀X線繞射高峰出現。 〔比較例2 B〕 取代實施例1 A之螢光體，改用比較例2 A之B A Μ 螢光體以外，如同製造實施例1 Β之螢光體漿料組成物， 製造比較例2 Β之螢光體漿料組成物。 如同實施例1 Β，用該組成物製作螢光膜，以波長 1 4 6米之V U V照射，求出此際發光之刺激和（亮度/ y )，以於相同條件量測的上述比較例1 B之螢光體漿料 組成物所成螢光膜之激發和（亮度/ y )爲1 0 0時，比 較例2 B之螢光體漿料組成物所成之螢光膜的激發和（亮 度 / y )爲 1 8 8 · 4。 〔比較例2 C〕 取代實施例1 B的螢光體漿料組成物，改用比較例 2A之BAM螢光體以外，如同製造實施例1 c之VUV 激發發光元件，製造比較例2 C之v U V激發發光元件。 如同實施例1 C之量測該V u V激發發光元件之激發 和維持率，得8 2 · 1 %。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------衣— 2f先閑讀背面之注意事If再填寫本頁} -訂一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -19- 1301150 A7 B7 五、發明説明（17) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

fe( II ο o ο ο Ο ο ο ο o ο P ο o ο ο Ο ο ο ο o ο νο r ' 4 νο r—< t—Η VO r—Η CO r—Η 寸 r—^ r-H 卜 t—^ r—Η 襞 IX( r—Η Ο r < o τ—Η ο ο r-H Ο \ 1 " < Ο τ—Ή Ο ι—Η Ο t......i o τ—Η Ο < ο o ο ο Ο Ο Ο Ο o ο CO 〇 CO 寸 CO 寸 CO 寸 m r-H 0s] VD ΟΟ 寸 CO 寸 CO 寸 CO 寸 m 时 νο νο οα ν〇 ν〇 VO ο ο 〇 ο CO 〇 t—Η Ο ο Ο o Μ W ο 〇 ο ο ο Ο ο Ο o ο ϋ o ο o ο ο ο Ο ο Ο o ο 腐 .........4 < VO νο ν£> νο v£> Η CO 〇 寸 Ο o ο Ο Ο ο ο ο 〇 ο OO ο m r〇 o CO 寸 米 u Ο v〇 o ο Ο Ο ο ο ο 〇 ο m u o C<"> 寸 H t " < r- 〇〇 寸 寸 寸 寸 o 卜 CO CO r-H ΟΟ 卜 卜 卜 r- τ—Η u ΙΟ ON ON CS Csl l〇 to l〇 ΟΟ r-H o ο C<l Ο Ύ—Κ r—Η r-H r-H ο PQ r-H r-H r—Η r—i 1—Η ι—Η ! < /^s /^Ν /—\ /^S /^\ u U U U Ο U CJ PQ < m PQ PQ PQ PQ m PQ PQ PQ m < < < < < < < < < ^^ ο Μ i—H CNl CO 寸 oo ON τ—Η 孽 孽 辑 辑 辑 辑 辑 辑 IK Μ Μ 魏 1¾ 1¾ u IK 贓 {W (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- 1301150 A7 B7 五、發明説明（18) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 煅燒溫度 P 1600 1600 1600 1- 1600 1600 1600 1200 CO (Xl 1 _ < 〇 i—H o r-H o r-H Ο Η Ο r-H 〇 t—H 〇 < 〇 o o ο Ο o o c^> o vr^ VO un r- CO ON y^N CO 寸 W CNJ 口 〇 o o /—s Ο οο ο o Μ m o o ο ο o 〇 o o o Ο ο o o 超 <Ni i··11 4 VO VO VsO Vs〇 ν〇 VO v〇 Η CO <π 〇 U o o o ο ο o o V-H 00 实 國 m ^pn CO o u o o o ο ο o o m u CO 〇 〇N ON oo οο 寸 C<1 寸 卜 u ON o CO ο VO 〇 o r—H τ—Η r-H PQ r-H U CJ u U υ /^N U /^N /^S m PQ CQ PQ PQ PQ u PQ < < < < < < 辑 徹 \ η t—H 04 CO 寸 IT) Ό < m JL\ 孽 孽 習 習 辑 舞 辑 U IK IK 魏 u w H JLJ J-Λ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公釐） -21 1301150 A7 B7 五、發明説明（19) 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本百 〇 ▼裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -22- 1301150 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（20 ) g涂班: > 89.C r-H ί—^ ON 95.4 91A 91Λ r- ON 82」 82.] 81 CO csj 〇 Mm 卜 ι—Η 1( 寸 o v〇 r- 04 r- 寸 MD 〇 〇 OO OO CM CO CN CM csi CSI r—H r-H oo 卜 Csl 卜 r- o 卜 O i〇 CNl ON r- ^ H « r-H τ—( cs CO CO CO 〇 VO 'O oo o oo csi 1/^ 卜 v〇 l/n r—H Μ ^ is O o r Ή r-H 〇 1 在28至3Γ 有無繞射高 峰 擗 擗 擗 擗 擗 壊 摧 6 AhCh 〇 6 Oi ’ i 6 cs r—( 6 <N r—H 6 cs r 1 '"_丨·< 6 <s 1 < 1 < < VO < VO <d VO < MD c VO << v£> • 6 m • • • • • 〇 /^*N • 〇 O o 〇 〇 〇 o 〇 < 酬 o o 〇 o 〇 o W S m 口 o /*—N m On 〇 σ3 m 〇v o cd w O o w 〇\ 〇 C3 O o :¾ CQ m O o CXJ o cd PQ 〇 m PQ 〇 r-H PQ \ < r n ai PQ Csl r—H PQ r-H r- VO H PQ OO τ—< VO oo csi i—H O cd PQ /—N U /^N u /^-N U S CJ /—N U /—N U /-N 〇 PQ PQ PQ PQ m m PQ < r-H ffl CN 1« ϋ r-H r—H < 04 < cn r-H <ί 寸 τ-H < 1—H < Ό r-H CN 孽 孽 1 CN 键 辑 u 鎰 撇 {Η 1¾ IK IK ♦n IK ±j j-λ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I# 項再填· 裝·

、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -23- 1301150 A7 ___— —___B7 五、發明説明（21 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由表2可知具有，c ^ κ α 1特性χ線之粉末繞射X 光譜中，繞射角（20) 28。至31。之角度範圍內有 寬廣帶狀筒峰的結晶構造之本發明鋁酸鹼土鹽螢光體，以 之製成螢光膜之VUV激發發光元件（實施例1 c至1 6 C )，相較於用粉末繞射X線光譜中，繞射角（2 0 ) 2 8 °至3 1 °之角度範圍無寬廣帶狀高峰的結晶構造之 習知纟g酸驗土鹽螢光體製作螢光膜的V υ V激發發光元件 (比較例1 C )，螢光體因V U V之亮度劣化程度降低， 故刺激和維持率明顯改善。 而且’ V U V激發下之刺激和（亮度/ y )所表之發 光效率’在以本發明之螢光體漿料（實施例1 B至1 6 B )製成螢光膜時，亦比用結晶構造係繞射角（2 0 ) 2 8°至3 1°之角度範圍無寬廣帶狀高峰之習知鋁酸鹼 土鹽螢光體的螢光體漿料（比較例1 B )所成之螢光膜高 約2至2 · 7倍。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，尤以本發明之VUV激發發光元件（實施例1 C 至1 6 C )，其刺激和維持率相較於以B A Μ螢光體製作 螢光膜之V U V激發發光元件（比較例2 C )，有相當程 度之提升。 產業上之利用可能性 本發明之E u活化鋁酸鹼土鹽螢光體，及使用該螢光 體之螢光體漿料組成物，用波長2 0 0奈米以下之VUV 激發呈高效率之藍色發光，因V U V所致亮度劣化少’使 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -24- 1301150 A7 B7 五、發明説明（22) 用本發明的螢光體漿料組成物製造之V U V激發發光元件 ，長久作動中發光效率變化小，可維持高亮度之發光。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25-

Claims (1)

1301150 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 第9 1 1 1 7902號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國96年10月26日修正 1 . 一種鋁酸鹼土鹽螢光體，其特徵爲：以波長 2 0 〇奈米以下之VUV激發呈現高效率發光之一般式 a (Mi-xEux)〇· 6Α12〇3所表示者，該螢光體 之C u Κ α 1特性X線粉末繞射X線光譜中，該光譜在繞 射角（2 0 ) 2 8 °至3 1 °之角度範圍內，寬帶狀之高峰 之半寬値爲0 · 5 °以上（但是上式中’ Μ表至少一種選自 B a、S r及C a所成群之鹼土金屬元素，X及a各表示 滿足0<χ<1及0 · 9^a^l · 8等條件之數）。 2 .如申請專利範圍第1項之鋁酸鹼土鹽螢光體，其 中該粉末繞射X線光譜中，該光譜的繞射角（2 0 )2 8 ° 至3 1°之角度範圍內存在之高峰的積分値，係上述光譜 的繞射角（2 0 ) 2 1 °至2 2 °之角度範圍內存在的獨立 高峰積分値之0 · 5倍以上。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之鋁酸鹼土鹽螢光體 ’其中該螢光體係波長2 0 0奈米以下的真空紫外線激發 下發光之真空紫外線激發用螢光體。 4 · 一種於溶有粘結劑之溶劑中分散含有螢光體之螢 光體漿料組成物，其特徵爲：該螢光體係如申請專利範關 第1至3項中任一項之鋁酸鹼土鹽螢光體。 5 ·如申請專利範圍第4項之螢光體漿料組成物，数 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲·«背面之注意事項存填寫本頁) 1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1301150 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 有紫其任 成空，中 形真件項 部之元 3 內射發至 藉輻激 1 係電線第 。 , 放外圍體 件體紫範光 。 元氣空利螢 % 光有真專鹽 量發稀的請土 重發之光申鹼 ο 激入發如酸 7 線封之用鋁 至外內使使發 5 紫器膜膜激 係空圍光光線 量真外螢螢外 含種空述該紫 之一真上於空 體 ·之發：真 光 6 膜激爲之 螢 光線徵項 中螢外特一 (請先閲·#背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2-