TWI300840B

TWI300840B - Temperature detecting apparatus

Info

Publication number: TWI300840B
Application number: TW095137949A
Authority: TW
Inventors: Kyong-Ha Lee
Original assignee: Hynix Semiconductor Inc
Priority date: 2005-11-09
Filing date: 2006-10-14
Publication date: 2008-09-11
Also published as: US20070103249A1; KR100656430B1; TW200718930A; JP5037086B2; JP2007134031A; US7573340B2

Description

1300840 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於一種溫度偵測設備，尤其係關於改善半 ^ 導體記憶體裝置元件會隨溫度改變的操作特性之溫度偵測設備。【先前技術】一般而言，當半導體記憶體裝置高速運作時，所產生 _ 的熱量會與操作速度成比例增加。例如：當所產生的熱量持續增加，如此半導體記憶體裝置的溫度會達到85°C或更高，這樣半導體記憶體裝置會停止運作，結果所處理的資料就會遺失。這種問題在行動裝置中尤其嚴重。在大多數情況下，原因是因為行動裝置不大，所以無法在行動裝置内提供獨立的冷卻系統。 > 進一步，半導體記憶體裝置的運作速度會因為周圍溫度而變慢。尤其是，當周圍溫度低於正確運作溫度時，運作速度會下降。在此情況下，無法保證資料處理速度在可靠的程度内。【發明内容】本發明設計來解決上述問題，並且本發明的目的在於提供一種可根據半導體記憶體裝置溫度變化來控制運作速度的溫度偵測設備。 1300840 * 進一步，本發明的其他目的在於避免半導體記憶體裝置的運作停止，並且當半導體記憶體裝置在高溫下運作時利用降低運作速度，以及當半導體記憶體裝置在低溫下運 ^ 作時利用增加運作速度，來保證資料處理速度。為了達成上述目的，在本發明内使用兩種震盪器，其中一種與溫度無關，另一種與溫度有關。此外，比較從兩震盪器輸出的脈衝寬度，來決定半導體記憶體裝置是在高溫、低溫或是正常温度範圍下運作。然後，根據溫度偵測 * 結果改變時脈速度，如此可避免半導體記憶體裝置的運作、停止，或避免半導體記憶體裝置的處理速度下降。 /根據本發明態樣，一溫度偵測設備包含：一第一震盪 ^ 器，其輸出一第一震盪信號來回應一第一震盪器重設信 : 號，該第一震盪信號與該溫度無關；一第二震盪器，其輸 • 出一第二震盪信號來回應一第二震盪器啟用信號，該第二震盪信號與該溫度有關；一比較器，其將該第一震盪器的 • 一輸出脈衝與該第二震盪器的一輸出脈衝比較，然後輸出一溫度偵測比較信號；以及一輸出單元，其輸出一溫度偵測信號來回應該溫度偵測比較信號的輸入。進一步，根據本發明其他態樣，一溫度偵測設備包含 :一震盪器啟用信號產生單元，其在一溫度偵測運作期間 - 產生一第一震盪器重設信號以及一第二震盪器啟用信號； . 一第一震盪器，其輸出一第一震盪信號來回應該第一震盪器重設信號，該第一震盪信號與該溫度無關；一第二震盪 ' 器，其輸出一第二震盪信號來回應該第二震盪器啟用信 1300840 胃號，該第二震盪信號與該溫度有關；一更新信號產生單元 _ ，其產生一溫度偵測更新信號用於控制要同時輸出的該第一與第二震盪信號，然後將該溫度偵測更新信號供應給該震盪器啟用信號產生單元；一比較器，其將該第一和第二震盪器的該輸出脈衝彼此比較，然後輸出一溫度偵測比較信號；以及一輸出單元，其輸出一溫度偵測信號來回應該溫度偵測比較信號的輸入。 I 更進一步，仍舊根據本發明其他態樣，一溫度偵測設備包含：一開始信號產生單元，其產生一用於開始溫度偵、測的溫度偵測開始信號；一震盪器啟用信號產生單元，其、產生一第一震盪器重設信號以及一第二震盪器啟用信號來 * 回應該溫度偵測開始信號；一第一震盪器，其輸出一第一 ^ 震盪信號來回應該第一震盪器重設信號，該第一震盪信號 ' 與該溫度無關；一第二震盪器，其輸出一第二震盪信號來回應該第二震盪器啟用信號，該第二震盪信號與該溫度有 • 關；一更新信號產生單元，其更新一溫度偵測週期來回應該第一震盪信號，並且產生用於讓該第一與第二震盪信號同時輸出的一溫度偵測更新信號，然後將該溫度偵測更新信號供應給該震盪器啟用信號產生單元；一比較器，其將該第一和第二震盪器的該輸出脈衝彼此比較，然後輸出一 - 溫度偵測比較信號；一輸出單元，其鎖定該溫度偵測比較，信號，然後輸出該鎖定的信號當成一溫度偵測信號；以及一延遲單元，其輸出一震盪器運作完成信號來完成該第二震盪器的運作，以及一重設信號來重設該輸出單元，以回 1300840 應邊比較間隔設定信號。【實施方式】此後，將參照附圖來詳細說明本發明的較佳具體實施例。第一圖為說明根據本發明之一具體實施例的溫度偵測設備之方塊圖。 φ 根據本發明具體實施例的溫度偵測設備包含：一開始信號產生單元10，其產生一用於開始溫度偵測的溫度偵測 • 開始信號TD-START ; —震盪器啟用信號產生單元20，其 - 利用開始信號產生單元10的輸出信號TD_START，產生用 • 於啟用第一與第二震盪器的控制信號，也就是第一震盪器 ' 重設信號〇SC_RESET和第二震盪器啟用信號OSCJEN ; 一第一震盪器30,其輸出一第一震盪信號OSC1 (與溫度無關的脈衝信號）來回應由震盪器啟用信號產生單元20輸出參的該第一震盪器重設信號OSCJRESET ; —第二震盪器40 ，其輸出一第二震盪信號OSC2 (與溫度有關的脈衝信號) 來回應由震盪器啟用信號產生單元20輸出的該第二震盪器啟用信號OSCJEN ; —更新信號產生單元50，其更新一溫度偵測週期來回應該第一震盪信號OSC1，並且產生用於 • 讓該第一與第二震盪器30和40開始輸出該第一與第二震 - 盪信號OSC1和OSC2的一溫度偵測更新信號 TD一UPDATE，然後將該溫度偵測更新信號TD—UPDATE供 • 應給該震盪器啟用信號產生單元20 ; —比較器100，其將 1300840 ’ 該第一與第二震盪器30和40的輸出脈衝彼此比較，然後輸出溫度偵測比較信號TD_PULSE ; —輸出單元80，其鎖定該溫度偵測比較信號TD_PULSE，其為該比較器1〇〇的輸出信號，然後當該比較週期時間結束時輸出該鎖定的信號當成一溫度偵測信號TDOUT ;以及一延遲單元90，其運用一比較間隔設定信號COMP輸出一控制信號 OSC_OFFJPULSE來完成該第二震盪器40的運作，以及一 I 控制信號COMPJDJPULSEB來重設該輸出單元80。在此，比較器100包含：一比較間隔選擇單元60，其 • 輸出該比較間隔設定信號COMP以便設定一比較間隔，來將該第一與第二震盪器30和40的輸出脈衝彼此比較；以 ' 及一比較單元70,其在該比較間隔設定信號COMP從該比：較間隔選擇單元60輸出間隔期間，將該第一與第二震盪器 “ 30和40的輸出脈衝彼此比較，然後輸出該溫度偵測比較信號TDJPULSE當成一比較結果。 • 此後，將說明第一圖内顯示的溫度偵測設備之運作。首先，當開始信號產生單元10由電源開啟信號 PWRUP初始化並且啟用啟動信號ACT之後，貝ij啟用溫度偵測開始信號TD_START。然後，震盪器啟用信號產生單元20輸出第一震盪器重設信號OSC_RESET和第二震盪器 - 啟用信號〇SC_EN，用於驅動第一與第二震盪器30和40 此後，第一震盪器30輸出第一震盪信號OSC1來回應溫度偵測開始信號TD START以及第一震盪器重設信號 1300840 OSCJRJESET ’並且第二震盪器40輸出第二震盪信號〇sc2 • 來回應第二震盪器啟用信號OSC-EN。因此較佳是，第一震盪器30為與溫度無關的震盪器，並且第二震盪器4〇為與溫度有關的震盈器。此外，針對第二震盪器4〇，可使用其中輸出脈衝寬度隨溫度增加而減少的震盪器，或輸出脈衝寬度隨溫度減少而增加的震盡器。如此，第二震盈器4〇可執行高溫偵測或低溫偵測。 φ 在另一方面，第一震盪信號OSC1供應給更新信號產生單元50，如此用於更新溫度偵測設備的溫度偵測更新信 - 號TD-UPDATE會從更新信號產生單元50輸出，然後溫度偵測更新信號TD_UPDATE會輸入至震盪器啟用信號產生 ^ 單元20。因此，產生第一震盪器重設信號〇sc_RESET和 _ ‘ 第二震盪器啟用信號0SCJEN。 " 進一步，第一震盪信號0SC1也供應給比較間隔選擇單元60。比較間隔選擇單元60運用第一震盪器重設信號 • 〇SC_RESET以及第一震盪信號0SC1產生比較間隔設定信號 COMP 〇

之後，比較單元70比較第一與第二震盪信號〇sCl和 0SC2，而比較間隔設定信號COMP則啟用，然後輸出溫度偵測比較信號TDJPULSE。溫度偵測比較信號TDJPULSE - 鎖定在輸出單元80内。在停用比較間隔設定信號COMP， . 然後經過預定時間期間之後，鎖定在輸出單元80内的溫度偵測比較信號TDJPULSE會輸出當成溫度偵測信號 ' TDOUT。然後，輸出單元80會在溫度债測信號TDOUT輸 11 1300840 - 出，然後經過預定時間期間之後重設。第二圖為說明第一圖内所示開始信號產生單元ίο的範例圖式。根據本發明具體實施例的開始信號產生單元10利用電源開啟信號PWRUP初始化，並輸出溫度偵測開始信號 TD_START來回應啟動信號ACT。此外，開始信號產生單元10包含：一第一 p型MOS電晶體P1，其由電源開啟信鲁號PWRUP所驅動；一第一 n型MOS電晶體N1，其由啟動信號ACT所驅動，該第一 ρ型MOS電晶體Ρ1和該第一 - η型MOS電晶體N1都串聯在一電源供應端子VDD與一接地端子之間；以及一第一鎖12，其連接在該第一 ρ型MOS 電晶體Ρ1與該第一 η型MOS電晶體Ν1之間的一輸出端 ' 子與一連接端子之間。當供應電源開啟信號PWRUP用於初始化，溫度偵測開始信號TD一START會維持在低位準。然後，當已供應啟 _ 動信號ACT，則溫度偵測開始信號TD_START會轉移至高位準，導致溫度偵測設備開始運作。第三圖為說明第一圖内所示更新信號產生單元5〇的範例圖式。根據本發明具體實施例的更新信號產生單元決定溫度偵測設備的更新時機，以回應第一震盪信號〇scl，並 - 讓第一晨盪俏號0SC1的輪出時機與第二震盪信號OSC2 _ 的輪出時機彼此配合。此外，更新信號產生單元50包含：至少複數個雙倍單元52-1至52_n之一，該第一震盈信號 12 1300840 直到讀 OSC1輸入其中並且將該第一震盪信號OSC1加倍，第一震盪信號0SC1具備一預定期間然後輸出〜带 x 辰盪器雯新信號OSC—UPDATE;以及一第一延遲單元54,其將該= 蓋器更新信號0SC一UPDATE延遲一預定時間，然後矜^ > 溫度偵測更新信號TD—UPDATE。第四圖為說明第一圖内所示震盪器啟用信號產生單元 20的範例圖式。

在當已經啟用由第二圖内所示開始信號產生單元1〇所產生的溫度偵測開始信號TD一START之情況下，也就是在高位準，當已經啟用由第三圖内所示更新信號產生單元 50所產生的溫度偵測更新信號TDJLJPDATE，震盡器啟用信號產生單元20啟用第二震盪器啟用信號0SCJEN和第一震盪器重設信號OSC—RESET。進一步，當停用比較間隔設定信號COMP然後經過預定時間期間之後產生震盪器運作完成信號〇SC_OFF_PULSE，則震盪器啟用信號產生單元 20會停用第二震盪器啟用信號0SCJEN，如此停止第二震盪器40的運作。藉由使用RS正反器28來實施震盪器啟用信號產生單元20,其中使用溫度偵測開始信號TD_START當成時脈信號，並且使用溫度偵測更新信號TD—UPDATE和震盪器運作完成信號0SC_0FF_PULSE當成輸入信號。如第四圖内所示，根據本發明具體實施例的震盪器啟用信號產生單元20包含：一第一邏輯元件21，其中已輸入該溫度偵測更新信號TD_UPDATE和該溫度偵測開始信 13 1300840 號TD-START ; —第二邏輯元件23，其中已輸入該溫度偵測開始信號TD_START和該震盪器運作完成信號 OSC—OFF—PULSE; —第三邏輯元件25,其中已輸入該第一邏輯元件21的一輸出信號以及一第四邏輯元件27的一輸出信號，並且其輸出該第二震盪器啟用信號0SC_EN ; 該第四邏輯元件27，其中已輸入該第二邏輯元件23的一輸出信號以及該第三邏輯元件25的一輸出信號；以及一第二延遲單元29,其將該第二震盪器啟用信號〇SC_EN延遲一預定時間，然後輸出該第一震盪器重設信號 OSCJRJESET。在此，運用比較間隔設定信號COMP可產生震盪器運作完成信號〇SC_OFF_PULSE，稍後將於第八圖内詳細討論。第五圖為說明第一圖内所示比較間隔選擇單元60的範例圖式。例如：在震盪器之中脈衝寬度隨第二震盪器40 的溫度增加而減少的情況下，第五圖顯示用於偵測高溫的溫度偵測設備之比較間隔選擇單元。當第一震盪器重設信號OSCJRESET已啟用，則比較間隔選擇單元60輸出已啟用的比較間隔設定信號COMP，並當第一震盪信號OSC1的反向與延遲信號已啟用，則輸出已停用的比較間隔設定信號。更進一步，該比較間隔選擇單元60包含：一第二p型 M0S電晶體P2,其由該第一震盪信號OSC1的反向和延遲信號0SC1JPULSEB所驅動；一第二η型M0S電晶體N2 1300840 ，其由該第一震盪器重設信號OSCJRESET所驅動，該第 •二P型M〇S電晶體P2和該第二n型M0S電晶體N2都串聯在該電源供應端子VDD與該接地端子之間；一第三p 型M0S電晶體p3，其連接在該電源供應端子VDD與該第一 P型M0S龟晶體p2和該第二n型μ〇§電晶體N2之間的一連接端子之間，並且由該電源開啟信號pwRUp所驅動，以及一第二鎖64，其連接在一輸出該比較間隔設定信 _ 號C〇MP的輸出端子與該第二p型M〇s電晶體p2與該第二η型M0S電晶體N2之間的該連接端子之間。此外，藉 - 由第三延遲單元62將第一震盪信號〇sci反向與延遲，來產生弟一震盈信號0SC1的反向與延遲信號 0SC1—PULSEB。在此，第一震盪信號osci的反向與延遲 * 信號0SC1—pULSEB為在第一震盪信號〇sci掉落邊緣上啟用的信號。當套用電源開啟信號PWRUP並且啟用第一震盪器重 Φ 設信號osc—RESET，則比較間隔設定信號COMP會變成高位準，因此第一與第二震盪信號0SC1和0SC2之間的比較就會開始。然後，當已套用第一震盪信號0SC1的反向與延遲信號0SC1JPULSEB，則比較間隔設定信號COMP 會轉移至低位準，如此完成比較。 - 在本發明内’因為第一震盡信號0SC1的反向與延遲信號0SC1JPULSEB已在第一震盪信號0SC1的掉落邊緣 ‘ 上啟用，則輸出脈衝寬度對應至第一震盪信號0SC1週期 ^ 一半的比較間隔設定信號COMP。 15 1300840 j 第六圖為說明第一圖内所示比較單元70的範例圖式。為了利用比較第一震盪器30的第一震盪信號OSC1與第二震盪器40的第二震盪信號OSC2來偵測溫度，根據本 ’ 發明具體實施例的比較單元70輸出溫度偵測比較信號 TD_PULSE，指出第二震盪信號OSC2是否具有與第一震盪信號OSC1相同的位準，而與第一震盪信號OSC1同步產生的比較間隔設定信號COMP則在高位準。尤其是，當第二震盪器40為脈衝寬度隨溫度增加而減少的震盪器，則使用偵測第二震盪信號OSC2是否在啟用 . 狀態的電路，而比較間隔設定信號COMP已經啟用來實施比較單元70，如此比較單元70可執行高溫偵測。 ’ 換言之，如第六圖内所示，根據本發明具體實施例的 - 比較單元70包含：一第五邏輯元件74，其中已輸入該第 ‘ 二震盪信號OSC2的反向信號以及該比較間隔設定信號 COMP ;以及一第一反向單元76，其延遲該第五邏輯元件 ⑩ 74的輸出信號。在此，第二震盪信號OSC2由第二反向單元72反向。進一步，藉由使用在輸入信號具有相同位準時輸出低位準信號的元件，例如NAND閘，來實施第五邏輯元件74。第七圖為說明第一圖内所示輸出單元80的範例圖式。 - 在根據本發明具體實施例的輸出單元80内，當震盪器、運作完成信號〇SC_OFF_PULSE隨著溫度偵測比較信號 TD_PULSE啟用而啟用時，溫度偵測信號TDOUT轉移至 ' 高位準，並且溫度偵測信號TDOUT維持在高位準狀態直 16 1300840 ‘ 到重設信號COMP—D_PULSEB啟用。進一步，根據本發明具體實施例的輸出單元80包含：一第四p型MOS電晶體P4，其由該重設信號 • COMP—DJPULSEB所驅動；一第三η型M0S電晶體N3，其由該溫度偵測比較信號TDJPULSE所驅動，該第四ρ型 MOS電晶體Ρ4和該第三η型M0S電晶體Ν3都串聯在該電源供應端子VDD與該接地端子之間；一第三鎖82，其連接至該第四ρ型MOS電晶體Ρ4與該第三η型MOS電 ^ 晶體Ν3之間的一連接端子；一第一轉換閘84，其連接至 . 該第三鎖82的一輸出端TD，並由該震盪器運作完成信號 OSC一OFF—PULSE所驅動；以及一第四鎖88，其連接至該 - 第一轉換閘84和一輸出端子之間。在此，未說明的參考號，碼86代表用於驅動該轉換閘84的反向單元。當溫度偵測比較信號TDJPULSE變成高位準，則會開啟第三η型M0S電晶體N3,因此會從第三鎖82輸出高位 • 準信號。然後，當震盪器運作完成信號0SC_0FF_PULSE 變成高位準，則會開啟轉換閘84，因此高位準信號會當成溫度偵測信號TD0UT從第四鎖88輸出。然後，當利用重設信號COMP—D—PULSEB開啟第四ρ型M0S電晶體P4，則溫度偵測信號TDOUT會轉換成低位準，如此完成溫度 - 偵測信號TD0UT的輸出。 / 第八圖為說明第一圖内所示延遲單元90的範例圖式。根據本發明具體實施例的延遲單元90包含：一第四延遲單元92，其藉由使用該比較間隔設定信號c〇MP來產生 17 1300840 - 該震盪器運作完成信號OSC_OFFJPULSE ;以及一第五延 . 遲單元94,其藉由使用該比較間隔設定信號（：0^1?來產生該重設信號COMPJD_PULSEB。在此，第四延遲單元92 在比較間隔設定信號COMP的延遲信號已停用，然後經過預定時間之後，產生震盪器運作完成信號 OSC-OFF—PULSE，藉此完成第一和第二震盪器30和4〇的運作。此外，第五延遲單元94將比較間隔設定信號c〇MP 肇延遲比第四延遲單元92還要久的時間，然後在震盪器運作完成信號OSC一OFFJPULSE已停用之後產生重設信號， COMP—D—PULSEB，藉此完成溫度偵測運作。，第九圖為說明根據本發明具體實施例的溫度债測設備 ' 運作範例之時機圖。在此，第九圖顯示一種其中當第二震 ' 盪器40為脈衝寬度隨溫度增加而減少的震盪器來偵測高 - 溫之情況。當第二震盪器啟用信號OSCJEN在第一時間tn上啟 • 用，則會輸出第一震盪信號OSC1和第二震盪信號0SC2。此日¥半導體έ己憶體裝置的溫度升南，第二震盡信號 OSC2會當成脈衝寬度小於第一震盪信號Qsci脈衝寬度的信號來輸出。此後，當與第一震盪信號OSC1同步產生的比較間隔 ^ 设疋k號COMP已啟用，則在比較間隔期間會輸出溫度债 - 測比較信號TDJPULSE。此時，因為第二震盪信號〇sc2 的脈衝寬度會小於第一震盪信號OSC1的脈衝寬度，所以會在第二時間tl2上輸出溫度偵測比較信號td PULSE。 18 .1300840 因此，從第七圖内所示輪出單元8〇的第三鎖82之輸出端 TD輸出的輸出信號會轉換成高位準。然後，當在第三時間輸t13上停用溫度偵測比較信號TD_pULSE並且在第四時間 tl4、上啟用震盪器運作完成信號〇sc一〇FF—puLSE時，第二鎖82的輸出信號會當成溫度偵測信號7]〇〇171透過第四鎖8 8來輸出。之後’當在第五時間tl5上已啟用重設信號 φ C〇MP-D-PULSEB當成低位準信號，則停用第三鎖82的輸出信號並轉換至低位準，如此完成溫度偵測運作。 ^ 第十圖為說明第一圖内所示比較間隔選擇單元60的 • 其他範例圖式。例如：當第二震盪器40為脈衝寬度隨溫度增加而減少的震盪器時，第十圖顯示用於偵測低溫的溫度，偵測設備之比較間隔選擇單元。 - 當第二震盪器啟用信號OSC一EN已啟用，則比較間隔選擇單元60輸出已啟用的比較間隔設定信號c〇MP,並當 φ 第二震盪信號0SC2的反向與延遲信號已啟用，則輸出已停用的比較間隔設定信號。該比較間隔選擇單元60包含··一第五p型m〇S電晶體P5 ’其由該第^一展盈#號0802的反向和延遲信号卢 OSC2—PULSEB所驅動；一第四η型MOS電晶體N4，其 . 由該第二震盪器啟用信號OSCJEN所驅動，該第五ρ型 MOS電晶體Ρ5和該第四η型MOS電晶體Ν4都串聯在該電源供應端子VDD與該接地端子之間；一第六ρ型M〇s * 電晶體P6，其連接在該電源供應端子VDD與該第五p型 19 1300840 ' MOS電晶體P5和該第四n型m〇S電晶體N4之間的一連 • 接端子之間，並且由該電源開啟信號PWRUP所驅動；以及一第五鎖68，其連接在一輸出該比較間隔設定信號 COMP的輸出端子與該第五p型m〇S電晶體P5與該第四 η型M0S電晶體N4之間的該連接端子之間。此外，藉由第六延遲單元66將第二震盪信號0SC2反向與延遲，來產生第二震盪信號OSC2的反向與延遲信號 _ OSC2一PULSEB。在此，第二震盪信號〇SC2的反向與延遲信號OSC2—PULSEB為在第二震盪信號〇SC2掉落邊緣上 . 啟用的信號。 _ ¥套用用於將比較間隔選擇單元6〇初始化的電源開啟信號PWRUP並且啟用第二震盪器開啟信號〇sc_EN， ' 啟用比較間隔設定信號COMP，也就是變成高位準，則第一與第一震盪信號OSC1和〇sc2之間的比較就會開始。然後，當已套用第二震盪信號0SC2的反向與延遲信號 ⑩ 〇SC2-PULSEB，則比較間隔設定信號COMP會轉移至低位準，如此完成比較。在本發明内，因為第二震盪信號〇SC2的反向與延遲信號OSC2JPULSEB已在第二震盪信號〇SC2的掉落邊緣上啟用，則輸出脈衝寬度對應至第二震盪信號〇SC2週期、一半的比較間隔設定信號COMP。 ; 在比較間隔選擇單元6〇如第十圖内所示來實施之情況下，比較單元70輸出溫度偵測比較信號TD一pULSE，栺出第展盡彳§號osci是否維持在相同位準，而與第二震 20 -1300840 盪信號OSC2同步產生的比較間隔設定信號⑵Mp在高位 . ':、也就疋明回頭參考第六圖，比較單元7〇運用第一展紅就osci以及比較間隔設定信號c〇娜當成邏輯元件的輸入^虎，來產生溫度偵測比較信號TD—puLSE。尤其是，當第二震盪器40為脈衝寬度隨溫度降低而增加的震盪器，則使用债測第一震盈信號〇sci是否維持在相，準，而比較間隔設定信號COMP已經啟用來實施比 • 較單，70,如此比較單元7〇可執行低溫偵測。第十圖為說明根據本發明具體實施例的溫度積測設備運作其他範例之時機圖。、 - 當第二震盪器啟用信號OSC—EN在第一時間t21上啟用貝J會輸出第-震盪信號OSC1和第二震盈信號〇SC2。 * 此時，當半導體記憶體裝置的溫度降低，第二震盪信號 OSC2會富成脈衝寬度大於第一震盈信號osci脈衝寬度的 ^ 7虎來輪出。 _ 此後，當與第二震盪信號OSC2同步產生的比較間隔設定信號COMP已啟用，則在比較間隔期間會輸出溫度偵測比較信號TD—PULSE。此時，因為第二震盪信號〇SC2 的脈衝寬度會大於第一震盪信號OSC1的脈衝寬度，所以會在第二時間t22在高位準上輸出溫度偵測比較信號 TD—PULSE。因此，第七圖内所示輸出單元80的第三鎖82 - 之輸出信號會轉換成高位準。然後，當在第三時間t23上停用溫度偵測比較信號TDJPULSE並且在第四時間t24上 ‘ 啟用震盪器運作完成信號〇SC_OFFJPULSE變成高位準 21 1300840 ，時，第三鎖82的輸出信號會當成溫度偵測信號TDOUT透過第四鎖88來輸出。之後，當在第五時間t25上已啟用重設信號 ‘ COMP_D_PULSEB當成低位準信號，則第三鎖82的輸出信號轉換至低位準，如此完成溫度偵測運作。在本發明的較佳具體實施例内，可運用NAND閘來實施第一至第四邏輯元件。不過，本發明並不受限於此。 I 進一步，在本發明内，至少第五圖内顯示的比較間隔選擇單元與第十圖内顯示的比較間隔選擇單元之一可用來 . 偵測半導體記憶體裝置的溫度。此外，當第五圖内顯示的 . 比較間隔選擇單元與第十圖内顯示的比較間隔選擇單元都 _ 使用時，利用將第五圖内顯示的比較間隔選擇單元與第十圖内顯示的比較間隔選擇單元並聯，就可同時執行高溫偵 " 測與低溫偵測。如上述，在本發明内，因為偵測半導體記憶體裝置的 • 溫度，然後根據偵測的溫度改變時脈速度，則當半導體記憶體裝置在高溫下運作時可降低運作速度，以及當半導體記憶體裝置在低溫下運作時可增加運作速度。如此，可改善半導體記憶體裝置的運作特性，結果改善半導體記憶體裝置的可靠性。雖然本發明參考較佳具體實施例來說明，精通此技術 , 的人士應知道，在不悖離本發明的精神與領域之下可進行各種修改與變化。因此，吾人應瞭解，上述具體實施例僅 ^ 供說明，並不設限。此外，本發明的領域係由申請專利範 22 1300840 圍所疋義而非前述範例具體實施例，因此位於申請專利範邊界内的任何改變，或者這些範圍和邊界的等義改變 _都隸屬於申請專利範圍。【圖式簡單說明】第一圖為說明根據本發明具體實施例的溫度偵測設備之方塊圖； • 、·第一圖為說明第一圖内所示開始信號產生單元的圖式； • 第二圖為說明第一圖内所示更新信號產生單元範例的 . 圖式； • 第四圖為說明第一圖内所示震盪器啟用信號產生單元 — 範例的圖式；第五圖為說明第一圖内所示比較間隔選擇單元範例的圖式； • 圖為說日月第—圖内所示比較單元範例的圖式；，七圖為說明第-圖内所示輸出單it範例的圖式；，八圖為說明第-圖内所示延遲單s範例的圖式； $ λ圖為說明根據本發明具體實施例的溫度偵測設備運作範例之時機圖；第十圖為說明第_圖内所示比較間隔選擇單元其他範、例的圖式；以及 . 圖為說明根據本發明具體實施例的溫度偵測設備運作其他範例之時機圖。 23 1300840 【主要元件符號說明】 ίο 開始信號產生單元 12 第一鎖 20 震盪器啟用信號產生單元 21 第一邏輯元件 23 第二邏輯元件 25 第三邏輯元件 27 第四邏輯元件 28 RS正反器 29 第二延遲單元 30 第一震盪器 40 第二震盪器 50 更新信號產生單元 52-1 雙倍單元 52-n 雙倍單元 54 第一延遲單元 60 比較間隔選擇單元 62 第三延遲單元 64 第二鎖 66 第六延遲單元 68 第五鎖 70 比較單元 72 第二反向單元 74 第五邏輯元件 24 第一反向單元輸出單元第三鎖第一轉換閘反向單元第四鎖延遲單元第四延遲單元第五延遲單元比較器 25

Claims

1300840 十、申請專利範圍： 1. 一種溫度偵測設備，其包含：一第一震盪器，其輸出一第一震盪信號來回應一第 _ 一震盪器重設信號，該第一震盪信號與該溫度無關；一第二震盪器，其輸出一第二震盪信號來回應一第二震盪器啟用信號，該第二震盪信號與該溫度有關；一比較器，其將該第一震盪器的一輸出脈衝與該第 I 二震盪器的一輸出脈衝比較，然後輸出一溫度<貞測比較信號；以及 . 一輸出單元，其輸出一溫度偵測信號來回應該溫度、偵測比較信號的輸入。〜 2.如申請專利範圍第1項之溫度偵測設備，，其中該比較器包含： ' 一比較間隔選擇單元，其輸出一比較間隔設定信號來將該第一與第二震盪器的輸出脈衝彼此比較；以及 • 一比較單元，其在一該比較間隔設定信號輸出期間，將該第一與第二震盪信號彼此比較，然後輸出該溫度偵測比較信號。 3.如申請專利範圍第2項之溫度偵測設備，其中當該第一震盪器重設信號已啟用，則該比較間 - 隔選擇單元產生已啟用的該比較間隔設定信號，並當該 . 第一震盪信號的一反向與延遲信號已啟用，則產生已停用的該比較間隔設定信號。 ’ 4.如申請專利範圍第2項之溫度偵測設備， 26 1300840 其中該比較間隔選擇單元包含：一第一 MOS電晶體以及一第二MOS電晶體，這兩者串聯在一電源供應端子與一接地端子之間，該第一 MOS電晶體由該第一震盪信號的該反向與延遲信號所驅動，並且該第二MOS電晶體由該第一震盪器重設信號所驅動；以及一第三MOS電晶體，其連接在該電源供應端子與該第一和第二MOS電晶體之間的一連接端子之間，並由一電源開啟信號所驅動。 5. 如申請專利範圍第3項之溫度偵測設備，其中該比較間隔選擇單元包含·· 一第一 MOS電晶體以及一第二MOS電晶體，這兩者串聯在一電源供應端子與一接地端子之間，該第一 MOS電晶體由該第一震盪信號的該反向與延遲信號所驅動，並且該第二MOS電晶體由該第一震盪器重設信號所驅動；以及一第三MOS電晶體，其連接在該電源供應端子與該第一和第二MOS電晶體之間的一連接端子之間，並由一電源開啟信號所驅動。 6. 如申請專利範圍第4項之溫度偵測設備，其中藉由一延遲單元將該第一震盪信號反向與延遲，如此在該第一震盪信號的一掉落邊緣上啟用，來產生該第一震盪信號的該反向與延遲信號。 7. 如申請專利範圍第5項之溫度偵測設備， 27 1300840 ^ 其中藉由一延遲單元將該第一震盪信號反向與延遲，如此在該第一震盪信號的一掉落邊緣上啟用，來產生該第一震盪信號的該反向與延遲信號。 8. 如申請專利範圍第2項之溫度偵測設備，其中該比較單元輸出該溫度偵測比較信號，指出該第二震盪信號是否具有與該比較間隔設定信號相同的位準，而與該第一震盪信號同時產生的該比較間隔設定信 I 號為高位準。 9. 如申請專利範圍第2項之溫度偵測設備，其中該比較單元包含一邏輯元件，其中已輸入該第二震盪信號的反向信號以及該比較間隔設定信號。 10. 如申請專利範圍第8項之溫度偵測設備，其中該比較單元包含一邏輯元件，其中已輸入該第 ~ 二震盪信號的反向信號以及該比較間隔設定信號。 11. 如申請專利範圍第9項之溫度偵測設備， • 其中該比較單元進一步包含一反向單元，其將該邏輯元件的一輸出信號反向。 12. 如申請專利範圍第10項之溫度偵測設備，其中該比較單元進一步包含一反向單元，其將該邏輯元件的一輸出信號反向。 - 13.如申請專利範圍第2項之溫度偵測設備，進一步包含： . 一延遲單元，其輸出一震盪器運作完成信號來完成該第二震盪器的運作，以回應該比較間隔設定信號。 ^ 14.如申請專利範圍第1項之溫度偵測設備， 28 1300840 β 其中當已啟用該溫度偵測比較信號，然後已啟用該震盪器運作完成信號，則該輸出單元輸出該溫度偵測信號。 • 15.如申請專利範圍第1項之溫度偵測設備，其中該輸出單元包含：一第一 MOS電晶體以及一第二MOS電晶體，這兩者串聯在一電源供應端子與一接地端子之間，該第一 _ MOS電晶體由一重設信號所驅動，並且該第二MOS電晶體由該溫度偵測比較信號所驅動；以及 • 一轉換閘，其連接至該第一與第二MOS電晶體之間的一連接端子，並由一震盪器運作完成信號所驅動。 _ 16.如申請專利範圍第14項之溫度偵測設備， ‘ 其中該輸出單元包含：一第一 MOS電晶體以及一第二MOS電晶體，這兩者串聯在一電源供應端子與一接地端子之間，該第一 • MOS電晶體由一重設信號所驅動，並且該第二MOS電晶體由該溫度偵測比較信號所驅動；以及一轉換閘，其連接至該第一與第二MOS電晶體之間的一連接端子，並由一震盪器運作完成信號所驅動。 17. —種溫度偵測設備，其包含： - 一震盪器啟用信號產生單元，其在一溫度偵測運作 - 期間產生一第一震盪器重設信號以及一第二震盪器啟用信號； ' 一第一震盪器，其輸出一第一震盪信號來回應該第 29 1300840 一震盪器重設信號，該第一震盪信號與該溫度無關；一第二震盪器，其輸出一第二震盪信號來回應該第二震盪器啟用信號，該第二震盪信號與該溫度有關；一更新信號產生單元，其產生一溫度偵測更新信號用於控制要同時輸出的該第一與第二震盪信號，然後將該溫度偵測更新信號供應給該震盪器啟用信號產生單元；一比較器，其將該第一和第二震盪器的該輸出脈衝彼此比較，然後輸出一溫度偵測比較信號；以及一輸出單元，其輸出一溫度偵測信號來回應該溫度偵測比較信號的輸入。 18. 如申請專利範圍第17項之溫度偵測設備，其中在一溫度偵測開始信號已啟用的狀態下，當該溫度偵測更新信號已啟用，該震盪器啟用信號產生單元啟用該第二震盪器啟用信號和該第一震盪器重設信號，並且當一震盪器運作完成信號已啟用，則停用該第二震盪器啟用信號。 19. 如申請專利範圍第17項之溫度偵測設備，其中該震盪器啟用信號產生單元為一 RS正反器，其中使用一溫度偵測開始信號當成一時脈信號，並且使用該溫度偵測更新信號和一震盪器運作完成信號當成輸入信號。 20. 如申請專利範圍第18項之溫度偵測設備，其中該震盪器啟用信號產生單元為一 RS正反器， 30 1300840 A 其中使用該溫度偵測開始信號當成一時脈信號，並且使用該溫度偵測更新信號和該震盪器運作完成信號當成輸入信號。 * 21.如申請專利範圍第17項之溫度偵測設備，其中該震盪器啟用信號產生單元包含：一第一邏輯元件，其中已輸入該溫度偵測更新信號和一溫度偵測開始信號； I 一第二邏輯元件，其中已輸入該溫度偵測開始信號和一震盪器運作完成信號； ^ 一第三邏輯元件，其中已輸入該第一邏輯元件的一 . 輸出信號以及一第四邏輯元件的一輸出信號，並且其輸 ' 出該第二震盪器啟用信號； ‘ 該第四邏輯元件，其中已輸入該第二邏輯元件的一 ^ 輸出信號以及該第三邏輯元件的一輸出信號；以及一第二延遲單元，其將該第二震盪器啟用信號延遲 • 一預定時間，然後輸出該第一震盪器重設信號。 22.如申請專利範圍第18項之溫度偵測設備，其中該震盪器啟用信號產生單元包含：一第一邏輯元件，其中已輸入該溫度偵測更新信號和該溫度偵測開始信號； * 一第二邏輯元件，其中已輸入該溫度偵測開始信號 - 和該震盪器運作完成信號；一第三邏輯元件，其中已輸入該第一邏輯元件的一 ‘ 輸出信號以及一第四邏輯元件的一輸出信號，並且其輸 31 1300840 出該第二震盪器啟用信號；該第四邏輯元件，其中已輸入該第二邏輯元件的一輸出信號以及該第三邏輯元件的一輸出信號；以及一第二延遲單元，其將該第二震盪器啟用信號延遲一預定時間，然後輸出該第一震盪器重設信號。 23. 如申請專利範圍第17項之溫度偵測設備，其中該比較器包含：一比較間隔選擇單元，其輸出一比較間隔設定信號來將該第一與第二震盪器的輸出脈衝彼此比較；以及一比較單元，其在一該比較間隔設定信號輸出期間，將該第一與第二震盪信號彼此比較，然後輸出該溫度偵測比較信號。 24. 如申請專利範圍第23項之溫度偵測設備，其中當該第一震盪器重設信號已啟用，則該比較間隔選擇單元產生已啟用的該比較間隔設定信號，並當該第一震盪信號的一反向與延遲信號已啟用，則產生已停用的該比較間隔設定信號。 25. 如申請專利範圍第23項之溫度偵測設備，其中該比較間隔選擇單元包含：一第一 MOS電晶體以及一第二MOS電晶體，這兩者串聯在一電源供應端子與一接地端子之間，該第一 MOS電晶體由該第一震盪信號的該反向與延遲信號所驅動，並且該第二MOS電晶體由該第一震盪器重設信號所驅動；以及 32 1300840 一第三MOS電晶體，其連接在該電源供應端子與該第一和第二M0S電晶體之間的一連接端子之間，並由一電源開啟信號所驅動。 26. 如申請專利範圍第24項之溫度偵測設備，其中該比較間隔選擇單元包含：一第一 M0S電晶體以及一第二M0S電晶體，這兩者串聯在一電源供應端子與一接地端子之間，該第一 M0S電晶體由該第一震盪信號的該反向與延遲信號所驅動，並且該第二M0S電晶體由該第一震盪器重設信號所驅動；以及一第三M0S電晶體，其連接在該電源供應端子與該第一和第二M0S電晶體之間的一連接端子之間，並由一電源開啟信號所驅動。 27. 如申請專利範圍第25項之溫度偵測設備，其中藉由一延遲單元將該第一震盪信號反向與延遲，如此在該第一震盪信號的一掉落邊緣上啟用，來產生該第一震盪信號的該反向與延遲信號。 28. 如申請專利範圍第26項之溫度偵測設備，其中藉由一延遲單元將該第一震盪信號反向與延遲，如此在該第一震盪信號的一掉落邊緣上啟用，來產生該第一震盪信號的該反向與延遲信號。 29. 如申請專利範圍第23項之溫度偵測設備，其中該比較單元輸出該溫度偵測比較信號，指出該第二震盪信號是否具有與該比較間隔設定信號相同的 33 1300840 位準，而與該第一震盪信號同時產生的該比較間隔設定 * k號位於高位準。 .3〇·如申請專利範圍第23項之溫度偵測設備，其中”亥比較早元包含一邏輯元件，其中已輸入該第 —震盡信號的反向信號以及該比較間隔設定信號。 31·如申請專利範圍第29項之溫度偵測設備，其中。亥比較早元包含一邏輯元件’其中已輸入該第 φ 二震盡信號的反向信號以及該比較間隔設定信號。 32·如申請專利範圍第30項之溫度偵測設備， • 其中該比較單元進一步包含一反向單元，其將該邏 ’ 輯元件的一輸出信號反向。 - 33·如申請專利範圍第31項之溫度偵測設備，其中該比較單元進一步包含一反向单元，其將該邏輯元件的一輸出信號反向。 34·如申凊專利範圍第17項之溫度 <貞測設備’ _ 其中當已啟用該溫度偵測比較信號，然後已啟用該震盪器運作完成信號，則該輸出單元輸出該溫度偵測信號。 35·如申請專利範圍第17項之溫度偵測設備，其中該輸出單元包含： ^ 一第一 MOS電晶體以及一第二MOS電晶體，這兩，者串聯在一電源供應端子與一接地端子之間’該第一 MOS電晶體由一重設信號所驅動，並且該第二MOS電晶體由該溫度偵測比較信號所驅動；以及 34 1300840 一轉換閘，其連接至該第一與第二MOS電晶體之間的一連接端子，並由一震盪器運作完成信號所驅動。 36. 如申請專利範圍第34項之溫度偵測設備，其中該輸出單元包含：一第一 MOS電晶體以及一第二MOS電晶體，這兩者串聯在一電源供應端子與一接地端子之間，該第一 M0S電晶體由一重設信號所驅動，並且該第二M0S電晶體由該溫度偵測比較信號所驅動；以及一轉換閘，其連接至該第一與第二M0S電晶體之間的一連接端子，並由一震盪器運作完成信號所驅動。 37. 如申請專利範圍第23項之溫度债測設備，進一步包含：一延遲單元，其輸出一震盪器運作完成信號來完成該第二震盪器的運作，以回應該比較間隔設定信號。 38. —種溫度偵測設備，其包含：一開始信號產生單元，其產生一用於開始溫度偵測的溫度偵測開始信號；一震盪器啟用信號產生單元，其產生一第一震盪器重設信號以及一第二震盪器啟用信號來回應該溫度偵測開始信號；一第一震盪器，其輸出一第一震盪信號來回應該第一震盪器重設信號，該第一震盪信號與該溫度無關；一第二震盪器，其輸出一第二震盪信號來回應該第二震盪器啟用信號，該第二震盪信號與該溫度有關；一更新信號產生單元，其更新一溫度偵測週期來回 35 1300840 應該第一震盪信號，並且產生用於讓該第一與第二震盪信號同時輸出的一溫度偵測更新信號，然後將該溫度偵 « 測更新信號供應給該震盪器啟用信號產生單元； ^ 一比較器，其將該第一和第二震盪器的該輸出脈衝彼此比較，然後輸出一溫度偵測比較信號；一輸出單元，其鎖定該溫度偵測比較信號，然後輸出該鎖定的信號當成一溫度偵測信號；以及 _ 一延遲單元，其輸出一震盪器運作完成信號來完成該第二震盪器的運作，以及一重設信號來重設該輸出單元，以回應該比較間隔設定信號。 39. 如申請專利範圍第38項之溫度偵測設備，其中該比較器包含：一比較間隔選擇單元，其輸出一比較間隔設定信號 _ 來將該第一與第二震盪器的輸出脈衝彼此比較；以及一比較單元，其在一該比較間隔設定信號輸出期 | 間，將該第一與第二震盪信號彼此比較，然後輸出該溫度债測比較信號。 40. 如申請專利範圍第39項之溫度偵測設備，其中當該第一震盪器重設信號已啟用，則該比較間隔選擇單元產生已啟用的該比較間隔設定信號，並當該第一震盪信號的一反向與延遲信號已啟用，則產生已停用的該比較間隔設定信號。 41. 如申請專利範圍第39項之溫度偵測設備，其中該比較間隔選擇單元包含： 36 1300840 ，一第一 MOS電晶體以及一第二MOS電晶體，這兩者串聯在一電源供應端子與一接地端子之間，該第一 M0S電晶體由該第一震盪信號的該反向與延遲信號所 • 驅動，並且該第二M0S電晶體由該第一震盪器重設信號所驅動；以及一第三M0S電晶體，其連接在該電源供應端子與該第一和第二M0S電晶體之間的一連接端子之間，並 _ 由一電源開啟信號所驅動。 42·如申請專利範圍第40項之溫度偵測設備， . 其中該比較間隔選擇單元包含：一第一 M0S電晶體以及一第二M0S電晶體，這兩 ' 者串聯在一電源供應端子與一接地端子之間，該第一 1 M0S電晶體由該第一震盪信號的該反向與延遲信號所 ' 驅動，並且該第二M0S電晶體由該第一震盪器重設信號所驅動；以及 • 一第三M0S電晶體，其連接在該電源供應端子與該第一和第二M0S電晶體之間的一連接端子之間，並由一電源開啟信號所驅動。 43. 如申請專利範圍第41項之溫度偵測設備，其中藉由一延遲單元將該第一震盪信號反向與延 - 遲，如此在該第一震盪信號的一掉落邊緣上啟用，來產 - 生該第一震盪信號的該反向與延遲信號。 44. 如申請專利範圍第42項之溫度偵測設備， ^ 其中藉由一延遲單元將該第一震盪信號反向與延 37 1300840 遲，如此在該第一震盪信號的一掉落邊緣上啟用，來產生該第一震盪信號的該反向與延遲信號。 45.如申請專利範圍第39項之溫度偵測設備， ’ 其中該比較單元輸出該溫度偵測比較信號，指出該第二震盪信號是否具有與該比較間隔設定信號相同的位準，而與該第一震盪信號同時產生的該比較間隔設定信號位於高位準。 0 46.如申請專利範圍第39項之溫度偵測設備，其中該比較單元包含一邏輯元件，其中已輸入該第 _ 二震盪信號的反向信號以及該比較間隔設定信號。 _ 47.如申請專利範圍第45項之溫度偵測設備， • 其中該比較單元包含一邏輯元件，其中已輸入該第二震盪信號的反向信號以及該比較間隔設定信號。 ’ 48.如申請專利範圍第46項之溫度偵測設備，其中該比較單元進一步包含一反向單元，其將該邏 φ 輯元件的一輸出信號反向。 49. 如申請專利範圍第47項之溫度偵測設備，其中該比較單元進一步包含一反向單元，其將該邏輯元件的一輸出信號反向。 50. 如申請專利範圍第39項之溫度偵測設備， - 其中當該第二震盪器重設信號已啟用，則該比較間 . 隔選擇單元產生已啟用的該比較間隔設定信號，並當該第二震盪信號的一反向與延遲信號已啟用，則產生已停 ^ 用的該比較間隔設定信號。 38 1300840 51. 如申請專利範圍第39項之溫度偵測設備，其中該比較間隔選擇單元包含：一第一 MOS電晶體以及一第二MOS電晶體，這兩者串聯在一電源供應端子與一接地端子之間，該第一 MOS電晶體由該第二震盪信號的一反向與延遲信號所驅動，並且該第二MOS電晶體由該第二震盪器啟用信號所驅動；以及一第三MOS電晶體，其連接在該電源供應端子與 _ 該第一和第二MOS電晶體之間的一連接端子之間，並由一電源開啟信號所驅動。 52. 如申請專利範圍第50項之溫度偵測設備，其中該比較間隔選擇單元包含：一第一 MOS電晶體以及一第二MOS電晶體，這兩者串聯在一電源供應端子與一接地端子之間，該第一 MOS電晶體由該第二震盪信號的該反向與延遲信號所 | 驅動，並且該第二MOS電晶體由該第二震盪器啟用信號所驅動；以及一第三MOS電晶體，其連接在該電源供應端子與該第一和第二MOS電晶體之間的一連接端子之間，並由一電源開啟信號所驅動。 53. 如申請專利範圍第51項之溫度偵測設備，其中藉由一延遲單元將該第二震盪信號反向與延遲，如此在該第二震盪信號的一掉落邊緣上啟用，來產生該第二震盪信號的該反向與延遲信號。 39 1300840 • 54.如申請專利範圍第52項之溫度偵測設備，其中藉由一延遲單元將該第二震盪信號反向與延遲，如此在該第二震盪信號的一掉落邊緣上啟用，來產 ' 生該第二震盪信號的該反向與延遲信號。 55.如申請專利範圍第39項之溫度偵測設備，其中該比較單元輸出該溫度偵測比較信號，指出該第一震盪信號是否具有與該比較間隔設定信號相同的 I 位準，而與該第二震盪信號同時產生的該比較間隔設定信號位於高位準。 - 56.如申請專利範圍第39項之溫度偵測設備，，其中該比較單元包含一邏輯元件，其中已輸入該第；一震盪信號的反向信號以及該比較間隔設定信號。 - 57.如申請專利範圍第55項之溫度偵測設備，其中該比較單元包含一邏輯元件，其中已輸入該第一震盪信號的反向信號以及該比較間隔設定信號。 • 58·如申請專利範圍第56項之溫度偵測設備，其中該比較單元進一步包含一反向單元，其將該邏輯元件的一輸出信號反向。 59. 如申請專利範圍第57項之溫度偵測設備， ^ 其中該比較單元進一步包含一反向單元，其將該邏 ' 輯元件的一輸出信號反向。 60. 如申請專利範圍第38項之溫度偵測設備，其中當已啟用該溫度偵測比較信號，然後已啟用該震盪器運作完成信號，則該輸出單元輸出該溫度偵測信 1300840 • 號。 61.如申請專利範圍第38項之溫度偵測設備，其中該輸出單元包含： - 一第一 MOS電晶體以及一第二MOS電晶體，這兩者串聯在一電源供應端子與一接地端子之間，該第一 MOS電晶體由該重設信號所驅動，並且該第二MOS電晶體由該溫度偵測比較信號所驅動；以及 0 —轉換閘，其連接至該第一與第二MOS電晶體之間的一連接端子，並由該震盪器運作完成信號所驅動。 . 62.如申請專利範圍第60項之溫度偵測設備， . 其中該輸出單元包含：，一第一 MOS電晶體以及一第二MOS電晶體，這兩 - 者串聯在一電源供應端子與一接地端子之間，該第一 MOS電晶體由該重設信號所驅動，並且該第二MOS電晶體由該溫度偵測比較信號所驅動；以及 ⑩ 一轉換閘，其連接至該第一與第二MOS電晶體之間的一連接端子，並由該震盪器運作完成信號所驅動。 63.如申請專利範圍第38項之溫度偵測設備，其中在該溫度偵測開始信號已啟用的狀態下，當該溫度偵測更新信號已啟用，該震盪器啟用信號產生單元，啟用該第二震盪器啟用信號和該第一震盪器重設信 - 號，並且當該震盪器運作完成信號已啟用，則停用該第二震盪器啟用信號。 * 64.如申請專利範圍第38項之溫度偵測設備， 41 1300840 其中該震盪器啟用信號產生單元為一 RS正反器，其中使用該溫度偵測開始信號當成一時脈信號，並且使用該溫度偵測更新信號和該震盪器運作完成信號當成輸入信號。 65.如申請專利範圍第63項之溫度偵測設備，其中該震盪器啟用信號產生單元為一 RS正反器，其中使用該溫度偵測開始信號當成一時脈信號，並且使 I 用該溫度偵測更新信號和該震盪器運作完成信號當成輸入信號。 . 66.如申請專利範圍第38項之溫度偵測設備， ^ 其中該震盪器啟用信號產生單元包含：；一第一邏輯元件，其中已輸入該溫度偵測更新信號 - 和該溫度偵測開始信號；一第二邏輯元件，其中已輸入該溫度偵測開始信號和該震盪器運作完成信號； • 一第三邏輯元件，其中已輸入該第一邏輯元件的一輸出信號以及一第四邏輯元件的一輸出信號，並且其輸出該第二震盪器啟用信號；該第四邏輯元件，其中已輸入該第二邏輯元件的一輸出信號以及該第三邏輯元件的一輸出信號；以及一第二延遲單元，其將該第二震盪器啟用信號延遲 - 一預定時間，然後輸出該第一震盪器重設信號。 67.如申請專利範圍第63項之溫度偵測設備， * 其中該震盪器啟用信號產生單元包含： 42 1300840 一第一邏輯元件，其中已輸入該溫度债測更新信號和該溫度偵測開始信號；一第二邏輯元件，其中已輸入該溫度偵測開始信號 ' 和該震盪器運作完成信號；一第三邏輯元件，其中已輸入該第一邏輯元件的一輸出信號以及一第四邏輯元件的一輸出信號，並且其輸出該第二震盪器啟用信號； ¥ 該第四邏輯元件，其中已輸入該第二邏輯元件的一輸出信號以及該第三邏輯元件的一輸出信號；以及 . 一第二延遲單元，其將該第二震盪器啟用信號延遲 . 一預定時間，然後輸出該第一震盪器重設信號。 • 68.如申請專利範圍第38項之溫度偵測設備，其中該啟動信號產生單元由一電源開啟信號初始化並輸出該溫度偵測開始信號，來回應一啟動信號。 69.如申請專利範圍第38項之溫度偵測設備， • 其中該開始信號產生單元包含：一第一 MOS電晶體，其連接在一電源供應端子與一輸出端子之間，並由一電源開啟信號所驅動；以及一第二MOS電晶體，其連接在該輸出端子與一接地端子之間，並由一啟動信號所驅動。， 70.如申請專利範圍第68項之溫度偵測設備， - 其中該開始信號產生單元包含：一第一 MOS電晶體，其連接在一電源供應端子與 ^ 一輸出端子之間，並由一電源開啟信號所驅動；以及 43 1300840 • 一第二MOS電晶體，其連接在該輸出端子與一接地端子之間，並由一啟動信號所驅動。 71.如申請專利範圍第38項之溫度偵測設備， ' 其中該更新信號產生單元包含：至少一雙倍單元，該第一震盪信號輸入其中並且將該第一震盪信號加倍，直到該第一震盪信號具備一預定週期，然後輸出一震盪器更新信號；以及 _ 一第一延遲單元，其將該震盪器更新信號延遲一預定時間週期，然後輸出一溫度偵測更新信號。 . 72.如申請專利範圍第38項之溫度偵測設備，其中該延遲單元包含：；一第一延遲單元，其藉由使用該比較間隔設定信號 - 來產生該震盪器運作完成信號；以及一第二延遲單元，其藉由使用該比較間隔設定信號來產生該重設信號。 • 73·如申請專利範圍第38項之溫度偵測設備，其中該第一延遲單元在該比較間隔設定信號的一延遲信號已停用，然後經過預定時間週期之後，產生該震盪器運作完成信號；以及該第二延遲單元將比較間隔設定信號延遲比第一，延遲單元還要久的時間，然後在該比較間隔設定信號停，用然後經過一預定時間週期之後產生該重設信號，藉此完成一溫度偵測運作。 ’ 74.如申請專利範圍第72項之溫度偵測設備， 44 1300840 其中該第一延遲單元在該比較間隔設定信號的一延遲信號已停用，然後經過預定時間週期之後，產生該震盪器運作完成信號；以及該第二延遲單元將比較間隔設定信號延遲比第一延遲單元還要久的時間，然後在該比較間隔設定信號停用然後經過一預定時間週期之後產生該重設信號，藉此完成一溫度偵測運作。

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