TWI300670B

TWI300670B - Display device and manufacturing method therefor

Info

Publication number: TWI300670B
Application number: TW093137590A
Authority: TW
Inventors: Koji Suzuki; Ryuji Nishikawa; Kiyoshi Yoneda
Original assignee: Sanyo Electric Co
Priority date: 2003-12-26
Filing date: 2004-12-06
Publication date: 2008-09-01
Also published as: KR100684243B1; CN1638580A; CN100431165C; TW200522782A; US7166959B2; KR20050067067A; JP2005197011A; US20050140277A1; JP4475942B2

Description

1300670 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於顯不裝置’特別是關於具備微小共振構造之彩色顯示裝置。【先前技術】 π近幾年來，業界皆注目於可能薄型小型化的平板顯示盗（flat panel display，FPD)，而於該平板顯示器中之代表性液晶顯示裝置’即已被採用於各種機器。最近即於使用自/ 么光型的電场發光（electroluminescence，EL)元件之發光裝·- 置(如♦顯不裝置或光源）’尤於對採用有機化學物材料，可為多樣化發光色之高亮度發光的有機虹顯示裝置，即-加速進行其研發動作。，而於有機EL顯示裝置，即不像液晶顯示裝置之將由背光（back-light)光線之透過率以當作光闕（1啡㈤叫配置於其前面之液晶面板控制之方式，而是如上述之發光型式’在其^質上的光線利用效率，也就是，對外部的光線取出效率南，因而能以高亮度發光。 v唯因現有提案的有機ELi件之發光亮度尚不夠充为，並且為提升發光亮度，對有機層增大以電流時卻有加速有機層劣化的問題。為解決该問題的方法祕奴士^ 宙…去邛的万法a經有如下之專利文獻1及非專利文獻1等的提幸，始於祐— i、、，茶句於EL顯不裝置採用微小共振器，予以增強特定波長的光線強度方法。 (專利文獻1) 316552修正本 6 1300670 曰本專利特開平06-275381號公報。 f (非專利文獻1) 中山隆博、角田敦「導入光共振器構造之元件」，應用物理學會，有機分子·生物電子學分科會，1993年第^屆講習會，第135至143頁。 “ (發明所需解決的問題）若於有機EL元件採用上述微小共振器構造時，需在元件背面侧的電極設置作為反射鏡機能的金屬電極（如=陰極）’而於元件前面（基板側）設半透鏡，即對該 : 屬電極間之光學長度為L的發光波長入，即可設定如^式 (1): 2nL=(m+l/2) · λ ......(l) 之關係，以選擇性方式增強波長λ，對外部射出光線。式中11為折射率，m為整數〇、j23… 唯上述關係，在射出波長為單一波長，肛顯示農置，或採用平面光源時，其設計較簡易。有枝，在製造全彩色有機EL顯示裝置時不面板内增強的波長，有R、G、B等3種…個顯素增強不同波長光線，因此，需於每須於母一像像素之半透鏡與金屬電極間之光學長度射出波長，改變該體4 裝Π，係與採用為積體電路的半導全部像素中，達成高顯示品質之安=者，：因而需於供實際上使用之顯示裝置。即热法採用為 31幻52修正本 7 1300670 因此，於上述共振器構造，理认较置時，即可在每一射出 7，右為全彩色顯示若各像素個別製造分別具有皮=象=學長度。唯因 =1“避免製造的複雜化，且有導致嚴重之品目。特別是在有機EL顯示裝置中， ;二而^口°質*定性問題的存在，若單純地採用共振态構造，而進行顯元梦罟+ B m m 1產時，會導致良品率的下降，钕致衣以成本的顯著提高。因而， J£括哭而^ ^ ^員不叙置的微小 /、振為而έ，尚無從研究階段更進一步之進展。【發明内容】 ' (解決課題之手段）置，ίί’在貫現一種具備微小共振器之顯示裝置遠衣置具備有··複數個像素，藉由至少2種的射出光進行彩色顯示之顯示裝置，前述複數個像素1 各具備·形成於基板侧之下部反射膜’形成於該下部反射狀上方之上部反射膜’以及在該下部反射膜與該上部反射膜之間所構成之微小共振器構造，於該下部反射膜與該上部反射膜之間之至少-層有機發光元件層；而且在前述下部反射膜與前述有機發光元件層之間，具備有依照每一像素形成個別圖案之導電性共振間隔物層，設置在前述複數個像素中至少-部分之像素的前述導電性共振間隔物層具備有：複數之透明導電性金屬氧化物層，以及在該透明導電性金屬氧化物層之層間，具有與該氧化物層之折射率的差為± 25%以内的折射率的透光層，而將在前述有機發 3】6552修正本 1300670 W1 光7G件層獲得並經由構成於前述下部反射膜與前述上部反射膜之間的前述微小共振器構造增強的光射出至外部。本發明之另一態樣，係具備有：複數個像素，藉由至少2種類之波長的射出光進行彩色顯示之顯示襄置，曰前'求複數個像素，係各具備：形成於基板側之下部反射膜成於該下部反射膜之上方之上部反射膜，以及在該下/ 射膜與該上部反射膜之間所構成之微小共振器構造，二 ==該上Γ反射膜之間之至少-層有機發光“ 曰别述下°卩反射膜與前述有機發光元件層之門二而擁有個別圖案之導電性共振間隔：’ 層5又置在刖述稷數個像素中至少一邱八 :共振間隔物層具備有單層或多二電== 長的其他像素的前述導電性丑』之射出波數的透明導電性金屬氧化物層二二二=具備有··複屬氧化物層之層間之具有與該氧二;= 月導電性金 25%以内的折射率的透光層：斤：率的差為± 獲得並經由構成於前诚下# 、在别述有機發光元件層的前述微小共振哭構二:射膜與前述上部反射膜之間本發明之出至外部。述導電性共振間隔物；之述顯示裝置令，使用於前合从下條件之材料··多妗曰电性i屬礼化物係符相對於非晶質之針 Ό曰曰W述透明導電性金屬氧化物外日日貝之刖述透明導電性苟平L化物姓刻率，未滿前述非晶質羊句用之蝕刻劑的之透月導電性金屬氧化物的_ 9 316552修正本 1300670 =10分之U小於1〇分之1);且前述多結晶 — T生，化物相對於前述透光層之材細刻劑= 刻率，未滿該透光層的钱刻率的10分之i。本發明之另一態樣，係在上述之顯示裝置中，前述導電：共振間隔物層之前述透明導電性金屬乳化物層，传以銦錫乳化物形成，而前述透光層細氮切形成。本毛月之3悲、樣’係在上述之顯示部反射膜，係包含銀、金：則述下種合金。鋁以及该專金屬之任一一t發明之另一態樣，係-種顯示裝置之製造方法，此顯示裝置具備有：複數個傻去膜，形成於該下部反射膜上方之上丄=備以部反射膜與該上部反射狀間·成之微小共振器在2 下敎射膜與該上部反射膜之間挾設至少一層有機笋光：件，’錢小共振器之前述下部反射膜與前述上素間有所差異，；:=波、。方法為.在形成前述兑^ 有機發光元件層前，就前 ^㈣後I成别述 M m 像素中形成包含透明導電 !·生至屬軋化物而用以調整前述光物層，在形成該導電性此椐門p振間部反射膜後，於各;US = 性金屬氧化物而成之預定厚产的非晶質之透明導電非晶質間隔物層加以多：:=:隔，退人處理以形成多結晶化間 316552修正本 10 1300670 隔物層’形成前述多結晶化間隔物層後，在至少一部份像__ 素領域中，形成氮化矽層，而形成前述氮化矽層後，形成♦ 由非晶質之透明導電性金屬氧化物而成之預定厚度的非晶質間隔物層，在前述多數個像素中至少一部份的像素領域中，以前述多結晶化間隔物層為蝕刻停止層，以蝕刻除去丽述非晶質間隔物層，利用除去至少前述非晶質間隔物層之像素領域，以及具有前述多結晶化間隔物層以及前述^ 、化矽層、且在該氮化矽層上殘留有前述非晶質間隔物層之像素領域，來改變最終之前述導電性共振間隔物層的合厚度。 ° 本發明之另一態樣，係在上述顯示裝置之製造方法：中，前述非晶質之各間隔物層係在積層後，以光微影法圖~· 案化為每一像素之形狀。：本發明之另一態樣，係在上述顯示裝置之製造方法：中，前述透明導電性金屬氧化物，係一種銦錫氧化物。本發明之另一態樣，係在上述顯示裝置之製造方法中’在形成前述導電性共振間隔物層時，該非晶質間隔物鲁層相對於前述非晶質間隔物層用之蝕刻劑的蝕刻率以及該- 氮，石夕層相對於前述氮化石夕層用之餘刻劑的钱刻率，係前述多結晶化間隔物層相對於各蝕刻劑之蝕刻率的ι〇件以上。 ’ 本發明之另一態樣，係在上述顯示裝置之製造方法中，以前述多結晶化間隔物層為蝕刻停止層之前述非晶質間隔物層的蝕刻，係使用包含有鹽酸以及硝酸之水溶液的 316552修正本 11 1300670 濕姓刻。令表明 / 中另一態樣，係在上述顯示裝置之製造方法 “过夕結晶化間隔物層為餘刻停止層之前述氮化白勺岁丨1 7 ’ 曰 / ，係使用包含有氫氟酸以及硝酸以及醋酸之水溶液的濕蝕刻。本發明之另一態樣，係在上述顯示裝置之製造方法 |形j前述下部反射膜後，係在不暴露於大氣中的條件 ^ ;別述下部反射膜上，形成非晶質狀態之導電性金屬氧化物層，以作為第1層之間隔物層。士發明之另一態樣，係在上述顯示裝置之製造方法中，前述下部反射膜，係包含銀、金、白金、鋁以及該金屬之任何合金。、根據本發明之其他實施方式，在上述顯示裝置之製造方法中，础述導電性共振間隔物層，係設在前述下部反射膜與前述有機發光元件層之間，且將電荷供給至前述有機發光元件層的電極。 (發明之效果）根據本發明，可在顯示裝置之各像素中，依照每一射出波長輕易且正確地形成微小光共振器。特別是可利用光微影法在精準的位置形成導電性共振間隔物層。此外，藉由變更該導電性共振間隔物層，例如複數個導電性金屬氧化物層以及透光層的層疊數或殘留數，即可依據射出波長 (增強波長）極為容易地變更該間隔物層的合計厚度。、有關導電性金屬氧化物層的層疊數或殘留數，可藉 316552修正本 12 1300670 由：利用非晶質導電性金屬氧化物或氮化石夕之兩種，與多結晶導電性金屬氧化物之間的餘刻；== 形成於下層之多結晶㈣性金屬氧化物層做為 / ^:選擇性地除去形成於上層的非晶質導電性金屬氧化 ^或i切層，即m好之厚度精度輕㈣更導電性金屬氧化物層的積層數或殘存數。【實施方式】兹參照圖示，說明實施本發明之最佳形態悲）如下：第1圖係有關於本發明實施形態之具備微小共振界構造之顯示裝置概略❹構造的示意圖。顯示u係於各像素具備有自發光顯示元件的發光顯示裝機肛元件為顯示元件之有機虹元件顯示裝置為== 以說明之。有機EL元件100,係於第！電極2〇〇及第2電極· 間具有有機化合物，尤係至少含有有機發光元件層12〇之積層構造者U㈣在有機層陽極植人電洞，且於陰極植入電子，將植入之電洞及電子在有機層巾，予以再結合，獲得再結合能f以激發有機發光㈣，在於回歸基底狀態時，引起發光的原理者。第1電極200，係使用導電性金屬氧化物材料之銦. 錫氧化物（Indium Tin 〇xide，IT0)，而於第2電極24〇使用作為上部反射膜作用的鋁（Α1)或其合金等。又於第】電極 2〇〇下層設有與上部反射膜間構成微小共振器構造的下部 316552修正本 13 1300670 反射膜110。將有機發光元件層120 極200侧透過基板10出射於二η線’由透明的第1電 emission)」型顯示震置時/ Μ斤明的「底部發光（b〇tt〇m 發光元件層no之光線：有下部反射膜110有使來自有機謂半透過性時，該下；反其-部分為可透過的所則任何-種，或其ΓΓ可使用Ag、Au、Pt、化认、’膜作為可透光線的薄膜，磋烟條、格條等具有開口部的圖案（pattern)。

光4二Γ發光元件層120亦有，至少含具有機發先刀子的毛先層、以對應材料構成單層、或兩層、

四層以上之多層積層構造所構成之狀態。而於第i圖：之不例’即係於作為陽極機能的第1電極2GG侧，以電洞植入層⑵、電洞輸送層124、發光層126、電子輸送層128、電子植入層13G的順序’以真空蒸錢法之連續成膜等予以積層，且在電子植入層130±，將作為陰極機能的第2電極240,以與有機發光元件層12〇同樣的真空蒸著法，連接著該元件層120予以形成。有機發光元件之發光光線，係起因於有機發光分子，而在具備R、G、B的彩色顯示裝置時，得於將每一像素將發光層126予以分別圖案化，分別使用R、G、B用的不同發光材料。此時，該發光層126係於每一 r、g、b像素，至少為防止混色，得將R、G、B作成分離圖案，分別以不同製程成膜。惟於本實施形態，並不予以限定，發光層j 26 係採用同一發光材料於全部像素’且於各像素採用同一的 316552修正本 14 1300670 白色發光層。具體言之，係於發光層126，採用具有相互: 補色關係的撥黃色發光層與藍色發光層的積層構造，以實> 現因加色所產生之白色發光。而於全部像素使用白色發光EL元件時，雖得以有機發光元件層120之整層形成全部像素共同的全層次，但為確實控制每一像素之發光提高其對比度（c〇ntrast)，得將各像素予以個別圖案化。若使用遮罩成膜（如真空蒸鍍法），. =能於將白色發光層126的每一像素個別圖案化之成膜同時予以形成。如第1圖示例，係將同一白色發光層126形成於各像素之個別圖案。又於其他電洞植入層122、電洞輸送層124、電子輸送層128、電子植入層13〇，亦係以全部像素共同方式形成（使用遮罩，以所需大小於每一像素實施個別圖案化亦可)。而於第2電極24〇亦以全部像素丘同：方式形成。 ^ · 又於有機發光元件層120,係具有輸送電洞或電子機能，但為高電阻值，僅在第！電極2〇〇與第2電極24〇挟持有機發光元件層12G直接相對的區域，植人電荷，而有機EL元件100的發光區域係限於該第！電極2〇〇盘第2 相對的區域。更正確來說…電極2〇〇之端部二係由平坦化絕緣層140覆蓋，而該平坦化絕緣層140 發=^極200上的開口區域，成為有機el元件100的有關本實施形態的微小共振器構造，係於該透明之第 0與第2電極240間挟持有機發光元件層120而 316552修正本 15 1300670 相對的區域中，構成於第i電極綱下層之下部反射膜n〇 · 與兼作上述第2電極240的上部反射膜間的層間。此日夸，, 該微小共振器之光學長度L，即係對應於下部反射膜ιι〇，

^部反射膜240之層間距離（厚度），以及下部反射膜ιι〇與上部反射膜240之光線浸入距離之長度，對R、G、B :波長又Ur、、又b)，即可由上述式⑴所示的光學長度Lar、Lg、Lb)形成於R、G、k各像素。又於此時，. :部及以反射膜110、240使用金屬材料，該膜層的光線— >又入距離即近似於〇。由此，斜由對甶冋一構成的白色發光體鲁 ⑶射出的白色光，僅有對應於各像素之光學長度l，而 ^別對應於R、G、W波長光共振增強後，射出於外部。：右该發光層126的發光色’得能以r、g、b分別對應於每 =素之R、G、B時，係對應於該波長成分中，形成於各：像素之微小共振器之光學長度L，增強該波長又而射出。-又因該微小共振器構造’射出光指向性，尤係對之觀察側正面方向的指向性提升，得於將正亮度提升。直日^心尤 _ 形態中’為了於各像素對應於射出波. 雙更先學長度L，將存在於下部反射膜11〇及上部反射膜 240之層間的第丨電極謂，及有機發光元件層η 1電極2GG作為導電性共振間隔物層n變更其厚度。又因係以每—像素之個別圖案化，且以每—射= ，：：、G、B)分別形成不同厚度之導電性共振間隔物：〇〇日守’本貫施形態係採用圖案化精度較高的微影法予以 316552修正本 16 1300670 微影圖案化。另一方面，並不是共振間隔物層200,分別由個別之厚度的導電性度的ITO間隔物層進行多數、王/成’而以-定厚數，由此就射出波長不同的====層1殘留共振間隔物層20。厚度。具有複數個積層之：==:: 層之歹多留岸盤，β收去田、各το間隔物白&已形成之itc)間隔物層上積# 的=間隔物層，予以選擇性地去除與否而予以控制積層為了從兩層IT〇間隔物層積層體僅選擇上層 i :=以去除’在本實施形態，係利用非晶fiT〇(; ;、夕:日日ίτ〇(ρ-ιτ〇)對钱刻劑的韻刻率μ虫刻速度）差。 ^ .由於濕式餘刻使用的敍刻劑（如，Hcl、HN〇3、H2〇混 ^ ;即肥、而〇3的水溶液）a_IT〇之姓刻速度為 = 倍以上’更正確說之’數十倍以上，使用如上述之餘 2卜對下層Ρ·ΙΤ0層之上h_IT0之韻刻速度比的選擇比必定很大。因此，以全部像素共同之方式由下依序形成ρ·ΙΤΟ層 =ΙΤΟ層之積層體，於預定像素區域，將a_iT〇層上予以 f罩，使用可獲得如上述選#比的钱刻齊J實施姓刻作業 4，在未加遮罩像素區域中，即可僅將a_lT〇層以蝕刻作業^以去除，且露出P-IT0層上面時，即可自動停止蝕刻，於疋’可將a-ITO層作為蝕刻停止層使用，因此，有於ρ_ιτ〇 ^上殘留a-ΠΌ層的區域，及去除心ΙΤ〇層的區域，也就是次，可正確地形成相差a_IT〇層厚度分之不同總厚度導電性共振間隔物層200。又因未蝕刻而殘留的a_IT〇層， 316552修正本 17 1300670 =由有機發光元件層120成膜前進行的退火處理（⑽此al，，火成為P-ITO層，最後即以有機EL元件1〇〇之構成第1電極200的1丁〇層，全部予以多結晶化。再者，不僅為a_iT〇層，例如：氮化矽物（SiNx)，亦對其蝕刻劑（如：HF、HN〇3、CHCHOOH、H2〇之混合液；氫氟酸、硝酸及醋酸之水溶液），得使用p_IT〇層為=刻停 =層。因而，不僅使導電性共振間隔物層2〇〇為ιτ〇層構 w，亦如後述第7圖所示，可利用ΙΤ〇層2〇办、2〇外與 SiNx層210之積層構造，於射出波長相異的像素間，變更 ‘電性共振間隔物層200之厚度。此日守，導電性共振間隔物層2〇〇係位於下部反射膜11 〇邛反射膜24〇間，有必要使來自有機發光元件層I” 的光線透過。因此，其與Ι1Ό同時構成導電性共振間隔物層200的層，至少係一種透光層為其必要條件。而且，若將^電性共振間隔物層200，與使用ΙΤΟ層及ΙΤΟ以外之 Τ料2層的積層構造時，應儘量使各層之折射率相近為宜。若該鄰接相的折射率有極大差異時，在界面會產生光 t反射、散射，導致有機發光元件層120獲得的光之損失發生、。因而，以至少須使之與IT0層之折射率差為± 25% =内為要件，且係以土 20%以内的差異為宜。ΙΤ0的折射率約為1.9, SiNx層的折射率亦為約19。因此，以跑層與ιτο層之界面不發生光線的反射等，因而，得將兩層予以積層’構成為導電性共振間隔物層200。構成上述導電性共振間隔物層2〇〇的IT〇層，可分別 316552修正本 18 1300670 由喷滅（spattering)法予以形成。此外，亦可採用真空蒸著法形成。如第7圖所示，咖層21〇係用嘴㈣，或電聚 CVD法形成。再於本實施形態中，上述導電性共振間隔物層（第1€ 極）200下層形成的下部反射膜UG，係採用如^等高反射率的金屬薄膜為宜。復於赤臌始设於成臈後，即以不曝露於大氣方式移動至第1電極200的形成製程。由此，可防止下部反射膜no表面被自然氧化膜覆蓋、下部反射膜ιι〇與第i 電極200之界面上附著不純物等而導致之反射率下降，亦可確實防止第1電極200對下部反射膜U〇之密著性劣化。，實施形態的微小共振器，不限於如上述的底部 • 亦侍以採用於頂部發射 (top-emission)型 EL 顯示裝置。 =圖係表示，於將有機發光元件層⑶獲得的光線，由第2電極240側射出的頂部發射型顯共振器構造的構成。在頂部發射型時，係以下部反二膜1〇使用約1 00%的光反射膜（铲、反射膜用盘上、μ、Λ 時’下部反射膜110係使产，式盔相同材料的充分厚 X 戍”、、開口部膜層予以對應。第2電極240須為透光性。若極而作用P h 第電極240作為陰作用k ’為維持電子植入性、Au等金屬镇胺、、乍函數較小的界面側，將設於與有機發光元件層120之胰作成可透光程度的薄膜，或星；#網目妝格子狀開Π部之圖案，以覆有，·利狀、野肤而形成由ΙΤΟ等所 316552修正本 19 1300670 成之透明導電層2她，以作為第2電極24〇。又與下部反射膜110間’為構成微小共振器之上部反射膜，即可利用與該第2電極240之有機發光元件層㈣的界面側形成之上述半透性之金屬薄膜24〇m。於本貫施形態中，不論為底部發射型或頂部發射型之任何-種顯不裝置，如上述，係於下部反射膜⑽盘上反射膜謂間形成微小共振器構造。更以不論是那二種情形’利用p-ΙΤΟ作為蝕刻停止層，由Ιτ〇間隔物層之包含與SiN之多層）構造，將第ι電極2〇〇的厚曰度母一射出波長之不同厚度，以作為調整光學長度的導電共振間隔物層。 ^ 又於本實施形態中，可採用在各像分別控制有機元件的所1主- 。幵胃7L ]牛，以每-像素形成為獨:圖；=的開關元件，然後，圖案的第！電極200,即可由R :/母一像素為個別也不致以影響其:顏谷易地调整像素之光學長度。你、口于X ^ 所謂的被動矩陣型顯示裝置時，元件的易，且能獲有高可靠性之觀又備構造的簡 (stripe)^#if i μ ^ιΐ ^ λ Ρ以母線方式變更條紋第1電極⑽厚度為佳。厚度變更為每一不射:=機:先元件層-之元件層12Θ中，以各像f、…而，於有機發光各像素共同形成的層次，即以同時形成 316552修正本 20 !3 00670 件在右剌不僅為製程的單純化觀點，且知因有機EL元積居槎、Γ曰古因有水分及氧、粒子（particie)等，在於形成數：^之有機發光元件層12〇日夺，須於最低限度之製程且以不破&真空狀態連續成膜為防止劣化上之極重要條件。第3圖係有關本實施形態之主動矩陣型有機虹顯示 2概略電路構成圖。電路構成雖不限於第3圖，唯因像素係具有.有機EL元件1〇〇、開關電晶體TFTi、el 2電晶體所2、保持電容Csc。且將Tm的閘極電極於顯不裝置水平方向，與供應掃描信號之閉極線予以 =性連接，而該源極（或汲極）即延伸於垂直方向，與供應滅之資料線DL連接。保持電容〜係連接於開關電曰曰-TFT1之汲極（或源極），在輸出掃描信號，導通 (〇n)k，將對應於經由TFT1的源·汲極供應的資料線π 之資料信號電壓之㈣簡至再錢擇該像素為止。而該保持於保持電容Cse的電壓，係施加於EL驅動電晶體TFT〕之閘極電極，TFT2對應於該施加於閘極電極的電壓，由電源（PVdd)線PL對有機EL元件1〇〇之第i電極⑽（此處為陽極）供給電流。於第1及第2圖中，連接於有機EL元件1〇〇之第1 電極200 & TFT，係相當於上述第3圖中之扯驅動電晶體TFT2 ’而於第i及第2圖中，係將開關電晶體tfti及保持電容csc予以省略。唯TFT1及TFT2中之任何一個，係使用非晶石夕（amorphous siiiCOn)由雷射光退火（iaser 316552修正本 21 1300670 麵ealing)予以多結晶化之同時形#的多晶石夕膜，作為形成於玻璃基板80上之主動層82者。又於間極絕緣膜8 極電極86等所之必要要件，即經由同-製程大致同時形成。且將保持電容量Csc之一方電極係由上述τ阳導體膜82兼用，而以另一方電極係挾持閘極絕緣膜μ而相對，由與間極電極86為同—金屬材料作成，且由施加有預定電容量電壓vsc之電容電極線所構成。 *而該保持電容Csc、TFT1及TFT2係覆蓋於層間絕緣膜88。且係由貫通於層間絕緣膜88而形成的接觸孔叫，在TFT1之源極（或汲極）連接有資料線dl，又於之源極（或汲極）連接有電源線PL。更由樹脂等所成之平坦化絕緣層92形成層間絕緣膜88及資料線dl、電源線的覆蓋。而在貫通平坦化絕緣層92與層間絕緣膜88形成之接觸孔94’將TFT2之汲極(或源極)連接於第i電極暮此日守如第1及第2圖所示，因第1電極200兼用為共振間隔物層而係透明，其下層，也就是下部反射膜HO 會比第1電極200先形成於上述平坦化絕緣層92上。又於接觸孔94,為使TFT與第i電極2〇〇的連接可靠性更高'，係如第1圖及第2圖所示，在接觸孔94内，以不形成下部反射膜no為宜。在此狀況下，係於下部反射膜11〇成膜時，可使用遮蔽接觸孔94區域之圖案遮罩。但若能確實庐得接觸時，亦得將下部反射膜11()形成於接觸孔94内貝^ 於上面形成第1電極200。又如第1圖及第2圖所示，在接觸孔94的形成區域，因 316552修正本 22 1300670 該接觸孔94的存在而有使第！電極2〇〇表面各其他位置之; 表面為低的狀況。如上述，於本實施形態中，為決定射出，波長（共振波長）λ，正確地設定共振器内之光學長度l至，重要’因此’於表面的不平坦區域’亦即在一像素内之_ 各易發生光學長度L參差不齊的該接觸孔94上方區域，係以覆蓋第1電極200之端部附近之平坦化絕緣膜14 以覆蓋為宜。 . 其次，特就在每-射出波長製造不同厚度之導電性共振間隔物層200之示例，參照第4圖及第5圖予以說明如下：於該狀況下，係如第1圖及第2圖，基板上係如Μ 圖及弟2圖’已形成有TFT及覆蓋該爪之層間絕緣膜 88、平坦化絕緣膜92。且於平坦化絕緣膜上，自直空基鐘法，將作為下部反射膜11G < Ag膜予以形成。但得由、喷歲法予以形成。成膜時，若使用每—像素區域具有開口部，遮罩’即能於成膜同時予以圖案化。亦可在基板全面形成Ag膜後，再使賴影法將每—像素之形狀μ圖案化。下部反射膜110係除上述之^外，得使用Au、pt、…之二-:重或該金屬的合金膜。若如第4圖，由下側(基板侧) =Μ射出光線時’該下部反射膜UG可由成膜時間的控制’作成可透光程度之薄膜，或於成膜時❹遮罩，或以 :一像素之形狀予以圖案化，同時，作成網目狀、格子狀寻在個像素區域内具備複數個開口部的圖案。如弟4圖⑷所示，於每一像素圖案形成下部反射膜 110後，以使該下部反射膜11G表面不曝露於大氣之狀態， 316552修正本 23 1300670 繼續以覆蓋下部反射膜110方式，在基板全面，以喷濺法形成非晶質狀態的ITO(a-ITO)層202a。其次，在該a-ITO層202a上形成抗蝕層後曝光，再如第4圖（b)所示，以在各像素區域作成覆蓋a-ITO層202a 之圖案之方式留存上述抗蝕遮罩層，再由所謂之光微影技術（photolithography)法獲得钱刻遮罩204ml。再使用如上述之HC1、HN〇3水溶液等為蝕刻劑，將未為蝕刻遮罩204ml覆蓋區域，以蝕刻法予以去除後，如第 4圖（c)所示，留存下部反射膜110上的每一像素圖案之 a-ITO層202a。蝕刻遮罩204ml即於a-ITO層202a之蝕刻後，使用遮罩去除用之蝕刻劑予以去除之。

在a-ITO層202a的圖案化後，進行ITO層多結晶化的多結晶化退火。要將非晶質ITO變為多結晶ITO，則須以150°C以上的溫度進行退火。而退火溫度（環境溫度，為實施較長時間的退火作業，膜溫度亦略同於該溫度）即設定於200°C以上為宜。能設定於220°C為佳。退火時間（除去升溫及降溫時間的實際退火時間，net anneal time)以非晶質ITO成為多結晶化所需之時間即可，並不予以硬性規定。有1 〇分左右至6小時左右者。示例係設定於2小時。而該多結晶化之退火處理，係為防止ITO層表面的變質，應在乾燥的氮氣環境中實施，係將應處理基板配置於設定環境溫度為上述220°C之處理室（chamber)内，或施以燈退火（lamp anneal)方式實施。藉由該多結晶化退火處理， a-ITO層202a被多結晶化，而如第4圖（d)所示可獲得p-ITO 24 316552修正本 1300670 層 202ρ 〇獲得p-ITO層202p後，可如第4圖（e)所示，覆蓋該 p-ITO層202p，藉由喷濺法等在基板全面形成預定厚度之 a-ITO層206a。再以僅覆蓋形成較第1層之p-ITO層202p 為厚之導電性共振間隔物層的像素區域（此處係指G像素區域、R像素區域）上，由光微影法形成蝕刻遮罩204m2。以上述遮罩204m2為抗蝕罩，將a-ITO層206a以較蝕刻p-ITO層202p快19倍的蝕刻劑的上述HC1、HN〇3 水溶液實施蝕刻作業。由該蝕刻劑實施蝕刻處理，可如上述，得以將未由遮罩204m2覆蓋的a-ITO層206a，以高選擇率去除，惟形成於a-ITO層206a下層的p_ITO層202p，由該姓刻劑幾乎無法去除。因此，a-ITO層206a的姓刻，得能於下層存在P-ITO層202p的像素區域（此處為B像素區域）中，露出p-ITO層202p的上面時，自動停止。由此，得將a-ITO層206a能選擇性地由p_ITO層202p上面，以蝕刻去除。又於a-ITO層206a蝕刻後，去除蝕刻遮罩 204m2。由此，可僅使存在有姓刻遮罩204m2之像素區域 (此處為G像素區域、R像素區域）如第4圖⑴所示，成為在p-ITO層202p上層留存a-ITO層206a的積層構造，其未被遮罩204m2覆蓋之像素區域（B區域），獲得第1層 p-ITO層202p之單層構造。其次，對a-ITO層206a實施多結晶化之退火處理，係以上述第1層之a-ITO層202a的退火處理為同一條件進行，即可如第4圖（f)示例，將右側兩像素區域（G、R像素 25 316552修正本 1300670 區域）中，將形成於ρ-ΙΤΟ層202p上之a-ITO層206a予以多結晶化。如上述，即可如第5圖（a)所示，能於圖中右側的兩像素區域，獲得第1層之P-ITO層202p及第2層之 p-ITO層206p之積層構造。又若將第2層之a-ITO層206a 予以多結晶化後，該下層p-ITO層202p與上層之p-ITO 層206p之邊界不明顯，將成為兩層厚度的p-ITO層。於形成第2層之p-ITO層206p後，即如第5圖（b)所示，再於覆蓋該P-ITO層206p之基板全面，以喷濺法形成規定厚度之a-ITO層208a。再於殘存該a-ITO層208a的像素區域，此處係以僅覆蓋R像素區域，以光微影法形成蝕刻遮罩204m3。然後，以該蝕刻遮罩204m3為抗蝕罩，以p-ITO為蝕刻停止層，使用與上述同樣的蝕刻劑，實施 I虫刻處理以去除a-ITO層208a。由此，可選擇性地僅將未以蝕刻遮罩204m3覆蓋區域之a-ITO層208a予以去除。本示例中，係將G像素區域下層之ρ·ΙΤΟ層206p、B像素區域下層之p-ITO層202p分別露出時，即自動停止a-ITO 層208a之姓刻處理。之後，去除#刻遮罩204m3，由此，如第5圖（c)所示，得以僅在R像素區域留存蝕刻遮罩 204m3覆蓋之第3層之a-ITO層208a。再者，在與對上述第2層及第1層之a-ITO層進行之多結晶化處理相同之條件下，進行用以使該a-ITO層208a 多結晶化之退火處理，如第5圖（d)所示，可僅於R像素區域，在第2層之p_ITO層206p上形成p_ITO層208p。惟於第2層之p-ITO層206p與第3層之p-ITO層208p的 26 316552修正本 1300670 邊界，即如第1層及第2層之p-IT〇層2〇6p之邊界一樣，乂其於多結晶化後不存在，在本示例中，R像素區域係較其j 他色區域為厚，且係整體為多結晶化的IT〇層者。如上所述，本實施形態，係於不同射出波長之尺、〇、-Β較像素區域，以光微影法完成圖案化時，係以存在於下層之Ρ-ΙΤΟ層為蝕刻停止層，選擇性地去除上層之心汀〇層，以變更p-ITO層之積層數（合計厚度）。由此，容易地-且，正確地，如第5圖（d)所示，將導電性共振間隔物層2⑼ 之厚度hr、hg、hb，在R、G、B予以分別改變。如此，可籲使用三種（204ml、204m2、204m3)抗姓膜作為用以形成3 種厚度的導電性共振間隔物層2〇〇之蝕刻遮罩，而分別形_ 成不同厚度之R、G、B導電性共振間隔物層2〇〇。 _ 第1層至第3層之各IT0層厚度，不需相等，可例如· 用調整各層之成膜時間之方法，使所需要之導電性址振間隔物層200的最後厚度hr、hg、hb以單層、兩層、;、層構· 造荨分別達成最適宜厚度即可。具體而言’第i層的p-IT0層2〇2p厚度，應與最薄的 6像素要求之導電性共振間隔物層·的厚度hb相等。第 =^ Ρ_ΙΤ〇層裹p厚度，即對6像素要求之導電性共振 w層200厚度hg，滿足其「hg_hb」的厚度。然後，第 ^層2^ ^層厚度’係對素要求之導電性共振間隔物 k 予度hr應滿足「hr_hg-hb」之厚度。 |形成每-射出波長不同厚度的導電性共振間隔物層 0後’即如上述第！及第2圖所示，先形成覆蓋各間隔 316552修正本 27 1300670 物層200端部之使用丙稀酸（亞克力）樹脂的平坦化絕緣層 140,之後，將含有發光層的有機發光元件層12〇、兼用^ 上部反射膜之第2電極24〇 #，以各像素共同方式形成: 由此’可獲縣-像素具有不同射出波長光學長度l的微小共振器構造的有機EL元件。 -第6圖係表示上述第4圖及第5圖所示製造方法之其他不例。：於第6圖表示第4圖⑷以後製程之範例者。於本例，其第4圖⑷至第4圖⑷止的製程係與第4圖相同。首先’在下部反射膜110上，就每一像素形成a_IT〇層，並予以多結晶化形成為P-ITO層202p。其次，如第6圖⑷所示，於覆蓋p_IT〇層2〇2p之基板全面形成a-ITO層206a，僅在R像素區域中，於心IT〇層2〇6a上，以光微影方法留存蝕刻遮罩214m2以作為遮罩。其次，使用為使第i層之卜汀〇層2〇2p為蝕刻停止層之上述蝕刻劑，將心汀〇層2〇6a予以蝕刻處理。由此，如第6圖（b)所示，僅在覆蓋於蝕刻遮罩214m2 的R像素區域留存第1層之P-ITO層202p上的第2層之 a-ITO層206a，而於其他G、B像素區域露出第i層之ρ_ιτ〇層202ρ再將第2層之a_iT〇層2〇6a，以上述多結晶化退火同樣條件實施退火處理，將a-IT〇層2嶋予以多結晶化，即可獲得如第6圖（〇所示，僅於R像素區域作成ρ_ιτ〇層202ρ與卜ιτο層2〇6ρ的兩層構造。其-人’如第6圖（d)所示，形成第3層之a_iTO層208a 於基板全面，於本示例中，係僅在G像素區域及R像素區 316552修正本 28 1300670 域，以光微影法在a-ITO層208a上留存蝕刻遮罩214m3。：再使用將存在於下層之p-IT0層作為蝕刻停止層的蝕刻劑，將a-ITO層208a加以蝕刻處理而去除。由而，如第6 圖0)所不，在G像素區域的第1層之ρ·ΙΤ〇層2〇2p上堆積第3層之a-iT〇層208a，且於R像素區域，即於第2層之P-ITO層2〇6P上堆積第3層之a_IT〇層2〇8a，又於B _ 像素區域，僅形成第1層之p_IT〇層2〇2p。 - 將第3層之a-ITO層208a予以圖案化後，進行將該 a-ITO層208a予以多結晶化之退火處理。由此，即如第6鲁圖（f)所示，於G像素區域可在”^(^層2〇2p上形成ρ_ιτ〇層208Ρ，而在R像素區域，即於卜1丁〇層2〇外上形成ρ_ιτ〇 _ 層208ρ。由第6圖所示之方法，可使用三種（2〇4ml(第4 圖）、214m2、214m3)抗蝕膜作為最後形成3種厚度的導電· 性共振間隔物層200之蝕刻遮罩，而分別形成不同厚度之— R、G、B導電性共振間隔物層2〇〇。又於第6圖所示之製造方法時，該第丨層至第3層的各ITO層厚度係以下述方式設定之。首先，第i層之ρ·θιτ〇 · 層202ρ厚度，係與上述一樣，設定成最薄之Β像素所要-求之導電性共振間隔物層2〇〇厚度hb。第3層之ρ_ΙΤ〇層-208ρ厚度，職定朗G像素所要求之導電性共振間隔^ 層200厚度為滿足「hg_hb」的厚度者。然後，將第2層之 p-ΙΤΟ層206p厚度設定為對R像素所要求之導電性共振間隔物層200厚度為滿足之厚度。第7圖係表示對R、G、B中，要求最厚之r像素區 3】6552修正本 29 1300670 域的‘電性共振間隔物層2〇〇，不僅如上述從ιτο層之積; 層體’亦由具有類似ΙΤ0之折射率，且對ρ_ιτ〇層具有與‘ 對a_ITO層為同一選擇比之透光層21〇之積層體而成時的不例。具體而言，係於第！層次之{?_11：〇層2〇2p上形成由

SiNx所成的透光層21〇，再於其上形成層μ邙，將導電性共振間隔物層200由該IT〇/siNx/IT〇的3層構成者。豢亦於第7圖的示例，導電性共振間隔物層2〇〇係作為有機EL元件1〇〇之第！電極而作用者。因此，如第7圖 7不，知用絕緣性SiNx所成之透光層21〇為間隔物層期日守必須作成完全不覆蓋第！層之ρ_ιτ〇層，且設第 1層之p-ITO層202p與第2層之p_IT〇層2〇6p直接接觸，區域’以使兩層的電氣導通。而於不設該透光層21〇的區或、下邛反射膜11 〇與上部反射膜24〇間之光學長产L 即成為小於目的長度。因而’微小共振器之增強波長ς由目的波長偏移。正如第7圖所示’沒有透光層2ι〇時，連接上層14下層ΙΤ〇層之區域作為第丨電極的端部附 2或與TFT2之接觸區域附近，即不致於在發光區域面 ^來不良影響’且可將上層與下層IT〇層予以連接。如 ^ ^及第1電極200之接觸區域，係起因於接觸孔， :易於第1電極200上面產生凹部，而於此形成凹部的區或’微小共振器之光學長度L必與在其他位置者不同，在個像素區域增強而射出的⑽内，有可能混人不同波長先線。因此，將光學長度L有可能不成為目的長度之區域， 316552修正本 30 1300670 2非發光區域為宜。再且，為防止由於第！電極雇之又干使上層有機發光元件層m間斷、第2電極擔與第 2〇0之短路’而將第1電極_端部以平坦化絕緣们4〇覆蓋為宜。也就是說；該接觸區域，及第！電極200 :部，係以平坦化絕緣層140覆蓋第1電極200表面而成 :非毛光區域。因必匕，若為該區域，雖存在著調整光學長又\之透光層21G，亦不發光，故不致於帶來不良影響。苐8圖係表示，如第α 弟7圖所不於中間利用絕緣性之透光層21 〇以變更每一射屮、、由且对出波長之ν電成共振間隔物層2〇〇之旱度時的製造方法。於下部反射膜11G上形成第！層之 =TO層，且作為每—像素之圖#，再予以多結晶化而形、Ρ ΙΤΟ層202ρ為止之製程，係與第4圖⑷—樣。因而，予以省略。 y在第8圖之不例中，係於每—像素形成ρ·ΙΤΟ層202p 後即如第8圖⑷所不，於基板全面，以覆蓋ρ_ιτ〇層2叫方式形成由SiNx所成之透光層（以下稱層）21()。而該 ,Νχ層210係以噴錢法形成。其次，在該層川上，成抗姓材料後，以光微影法予以形成所需姓刻的餘刻遮罩224m2。而於第8圖⑷時，係僅於R像素區域之SiNx 層210上形成該蝕刻遮罩224m2。。、其次’將未由餘刻遮罩224m2所覆蓋之siNx層21〇品或予以I虫刻此時，因係使用由氮氣酸、硝酸、及醋酸的水溶液所成的li刻劑，故能以p_IT0層2G2p為触刻停止層，而去除SiNx㉟210。更由該#刻劑之SiNx钕刻速度 316552修正本 31 1300670 係蝕刻Ρ-ΙΤΟ層202p的10倍以上，因此，與蝕刻卜IT〇層犄一樣，以下層之ρ_ΙΤ〇層202ρ為蝕刻停止層，故得以將該SiNx層210，由Ρ-ΙΤ〇層202ρ上選擇性地去除。由貫施上述方式的蝕刻處理，得在僅形成蝕刻遮罩224m2的區域，使SiN層210殘存於p-IT0層2〇2p上，且於未遮蔽之像素區域去除SiN層210，而露出p_IT〇層2〇2p上面後’自動停止該蝕刻作業。於SiN層210之蝕刻處理完成後，去除蝕刻遮罩 224m2，即如第8圖（b)所示，僅於覆蓋之尺像素區域，形成由f-ITO層202p與SiN層210構成之積層構造，而於未遮敝之B像素區域及G像素區域即形成ρ_ιτ〇層2〇邛之單層構造。再次，如第8圖（c)所示，以覆蓋該SiN層21〇及露出的P-IT0層202p方式，在基板全面形成a_IT〇層2〇6a，並以光微影法將㈣遮罩224m3圖案化而僅於規定像素區域^存。而於第8圖⑷之示例中，該姓刻遮罩22知3係以復盍G像素區域及R像素區域中之層加仏方式予以形成圖案化。接著將p_IT0層2〇2p作為餘刻停止層，使用上述触刻劑（HCb HN〇3之水溶液）實施去除a_iT〇層2術的餘刻處理日寸’係如第8圖⑷所示，未由姓刻遮罩以m3 予以覆蓋之區域’也就是圖中的B像素區域，係將a-IT〇層206a^以去除。而该钱刻處理係於露出層2叫 316552修正本 32 !3〇〇67〇再者，由上述敍刻處理，於第8圖⑷，為使分別在g 像素區域及R像素區域中留存a_IT〇層2〇6a多結晶化而以與上述之多結晶化退火同一條件實施退火處理，如第8 圖（e)所示，形成a-IT0層2〇6a，於R、G、B之每—像素區域獲得不同厚度的導電成共振間隔物層·。此時，在 B像素區域為p-ITO層202P的單獨層，G像素區域係第i 層之p-ITO層202P上形成第2層次p_IT〇層2〇6p的兩層構造，而於R像素區域即為第！層之p_IT〇層2叫上开^ 成SiNx層210，再於其上方形成第2層次ρ_ιτ〇層2〇6ρ 的3層構造’分別獲有不同厚度的導電性共振間隔物層 200。又如G像素區域’下層ρ_ΙΤ〇與上層ρ_ιτ〇直接積層之構造中’因兩1Τ〇層於多結晶化處理後，層界面不明瞭，故獲得整體為1個的多結晶IT〇層。如上述方式，亦能由使用高位置精度的光微影法，以

性共振間隔物層200。亦如上述，率係略等於Ρ-ΙΤΟ層之光線折射率之光反射及光散射。亦如上述，SiN層210之光線折射光線折射率，因而，得以防止層間最低限度層上开> 成極薄Si〇2膜後，層21 0為宜。唯於此時，於Si02與ιτο及SiN層士右係使用包漿CVD法在ΙΤΟ層上直接形成SiN層21〇 :’於金屬氧化物的IT〇表面將有部分還原而成有色狀態為防止该還原著色，可使用上述喷賤法成膜或在再於上面由電漿CVD法形成SiN 該Si〇2膜的折射率為約ι .5，將 210之界面引起些許之光反射及 316552修正本 33 1300670 光政射，但其與ITO之折射率差為士 25%以内，而能防止：大=的射出光損失。又於Si〇2薄膜在下層ρ_ΙΤ〇層作為蝕刻停止層時之siNX層蝕刻時，得與該siNX層同時去除，如於B像素區域之導電性共振間隔物層細表面，或在G - 像素區域之導電性共振間隔物層200層内不會有該絕緣成 Si〇2薄臈之殘留現象。 — 、於上述說明’係以射出R、G、B之三色光彩色顯示裝· 為示例予以說明。但於本實施形態中，除了尺、〇、B _ 外’件採用於設有其他顏色之像素等’射出波長為4種或籲 )種以上的顯示裝置。此時’該導電性共振間隔㈣細須對應於該射出波長之種類及是否增強其波長等要求，於 =示裝置内作成4種或4種以上的厚度。又要將導電性：八振間隔物層細之厚度作成為4種或4種以上時 :蝕刻a-ITO層之上述蝕刻遮罩依序使用4種或4種以. ’再反覆進行將下層之ρ_ΙΤ〇層作為㈣停止声層之WO層或SiNx層予以選擇性的去除製程即^。、-(產業上的利用可能性）鲁本發明適用於具備微小共振器顯示裝置之制1 - 【圖式簡單說明】衣^ ° ，第1圖為本發明實施形態示裝置概略剖面構造之示意圖之具備微小共振器構造之顯構造之顯 EL顯示第2圖為本發明實施形態之具備微小共振器示裝置其他概略剖面構造之示意圖。第3圖為本發明實施形態之動態矩陣型有機 316552修正本 34 1300670 裝置的概略電路示意圖。第4圖（a)為本發明實施形態之導電性共振間隔物層之製程圖（1)。第4圖（b)為本發明實施形態之導電性共振間隔物層之製程圖（2)。第4圖（c)為本發明實施形態之導電性共振間隔物層之製程圖（3)。第4圖（d)為本發明實施形態之導電性共振間隔物層之製程圖（4)。第4圖（e)為本發明實施形態之導電性共振間隔物層之製程圖（5)。第4圖（f)為本發明實施形態之導電性共振間隔物層之製程圖（6)。第5圖（a)為本發明實施形態之導電性共振間隔物層之後續於第4圖的製程圖（1)。第5圖（b)為本發明實施形態之導電性共振間隔物層之後讀於第4圖的製程圖（2)。第5圖（c)為本發明實施形態之導電性共振間隔物層之後續於第4圖的製程圖（3)。第5圖（d)為本發明實施形態之導電性共振間隔物層之後續於第4圖的製程圖（4)。第6圖（a)為本發明實施形態之導電性共振間隔物層之其他製程圖（1)。第6圖（b)為本發明實施形態之導電性共振間隔物層之 35 3】6552修正本 1300670 其他製程圖（2)。第6圖（C)為本發明實施形態之導電性共振間隔物層之其他製程圖（3)。第6圖（d)為本發明實施形態之導電性共振間隔物層之其他製程圖（4)。第6圖（e)為本發明實施形態之導電性共振間隔物層之其他製程圖（5)。第6圖（f)為本發明實施形態之導電性共振間隔物層之其他製程圖（6)。第7圖為本發明實施形態之具有IT〇及siNx積體構造的導電性共振間隔物層構造之示意圖。第8圖（a)為本發明實施形態之利用IT〇及siNx的導電性共振間隔物層之製程圖（1)。第8圖（b)為本發明實施形態之利用IT〇及siNx的導電性共振間隔物層之製程圖（2)。第8圖（c)為本發明實施形態之利用IT〇及siNx的導電性共振間隔物層之製程圖（3)。弟8圖（d)為本發明實施形態之利用ιτο及siNx的導電性共振間隔物層之製程圖（4)。第8圖（e)為本發明實施形態之利用π。及ΜΝχ的導電性共振間隔物層之製程圖（5)。【主要元件符號說明】主動層（多晶矽膜）閘極電極 1Q'8〇基板 84 閘極絕緣膜〜 316552修正本

1300670 88 層間絕緣膜 92、140 平坦化絕緣膜 110 下部反射膜 122 電洞植入層 126 發光層 90、94 接觸孔 100 有機EL元件 120 有機發光元件層 124 電洞輸送層 128 電子輸送層 130 電子植入層 200 第1電極（導電性共振間隔物層） 202a、206a、208a 非晶質 ITO(a-ITO)層 202p、206p、208p 多結晶 ITO(p-ITO)層 210 透光層（SiNx層） 204ml、204m2、204m3、214m2、214m3、224m2、224m3 蚀刻遮罩 240 第2電極（上部反射膜）240m金屬薄膜 240t 透明導電層 37 316552修正頁

Claims

1300670 第93137590號專利申請案

tf 赞 a

1¾ 樣會 V· I 内 % 申請專利範圍修正本 p·.,…I … (9 ¾军§月3 ΤΪ曰）一種顯示裝置，係具備有複數個像素，藉由至少類之波長的射出光進行彩色顯示之顯示裝置，前述複數個像素，係各具備：形成於基板側之下部反射膜’形成於該下部反射膜之上方之上部反射膜，以及於該下部反㈣與該上部反射膜之間所構成之微小共振器構造，於該下部反射膜與該上部反㈣之間挟設至少1層有機發光元件層，

而且在如述下部反射膜與前間，具備有每一像素且有個別圖案層；述有機發光元件層之之導電性共振間隔物 δ又直社刖返稷數個像素中至少述導電性共㈣隔物層且備右.1 豕京的氣化肺βΓ 硬數之透明導電性金 ^ t物層’在_明導電性金屬氧該氧化物層之折射率的差曰：2具有光層，巧―25乂以内的折射率的

述下：二在前述有機發光元件層獲得並經由構成於前迷下部反射膜與前述卜卹e & 傅风万、别器構造增強的光射出至外部反射膜之間的前述微小共振置’係具備有複數個像素，藉由至少2種，皮長的射出光進行彩色顯示之顯示裝置，員丽述複數個像素，係各具借：形成於基板側之下部 316552(修正版） 2. 1300670 反射膜’形成於該下部反射膜之上方之上部反射膜，以及於，下部反射膜與該上部反射膜之間所構成之微小共振益構造，於該下部反射膜與該上部反射膜之間挟設至少1層有機發光元件層；而且在前述下部反射膜與前述有機發光元 :’;具備有每-像素具有個職案之導電性共振間隔物設置在前述複數個像素中至少一部分义. 述導電性共振間隔物#且 π 9刖m 性金屬氧化物；具備有早層或多層之透明導電€ 設在具有與前述部份像素之像素的前述㈣性共㈣隔備^. j其他明導電性金屬氧化物層，以及^ =備有.複數之透化物層之層間之具有㈣# 亥透明導電性金屬氧 25%以㈣折射率的透光層，· 斤射率的差為± 而將在前述有機發光曰元件層-述下部反射膜與前：門：:由構成於前· 器構造增強的光射出至外部M之間的现述微小共振 3.如ί請專·園第〗項之顯；振間隔物層之前述電:二吏用於前述付合下述條件之材料： V电性金屬氧化物係- 曰其多結晶之前述透明導電性— 曰曰質之前述透明導電性人、> 屬虱化物相對於非率’未滿前述非晶質：用蝕刻劑的蝕刻、〜性金屬氡化物的蝕刻率 3 ^6552(^ 2 1300670 的10分之1(小於10分之〗）， .‘ 且，珂述多結晶的前述透明導電性於前述透光層之材料用飿刻劑的 2化物相對的蝕刻率的10分之】。 X 、，滿該透光層 4·如申請專利範圍第〗項至第3項一其中，、員之顯示裝置，别述$電性共振間隔物層之前述透明係以銦錫氧化物形成’而前述透光二:氮 5.如申請專利範圍第〗項至第3 其中，肖T任項之顯示裝置’ f述下部反射膜’係包含銀、金、白金、 4金屬之任何合金。人 6^=^之製造方法’該顯示裝置具備有複數個像之上備:下部反射膜，形成於該下部反射膜反射膜，以及於該下部反射膜與該上部反部反=所構成之微小共振11，於該下部反射層與該上二反射層之間挾設至少】層有機發光元件層 =前二下部反射膜與前述上部反射膜之層間距離里…'之光予長度’係對應於射出波長而在晝素間有所：：至少2種波長之射出光來進行彩色顯示，、η亥衣造方法為：在形成前述下部反射膜後、形成前述有機發光元件層前’就前述每—像素中形成包含透明導電性金屬氧化物而用以調整前述光學長度之導電性 316552(修正版） 3 1300670 a I 共振間隔物層， ’^ 在形成該導電性共振間隔物層_，成由反射膜後’於各像素領域中，形的非晶質間隔物層笔性金屬氧化物而成之預定厚度對前述非晶質間隔物層加以曰形成多結晶化間隔物層，九、、口曰曰化退火處理以形成可述多結晶化間隔物層領域中，形成氮化石夕層， K像素而形成前述氮化矽層後，形成性金屬氧化物而成之預由非θθ貝之透明導電如一預疋；度的非晶質間隔物層， 2述複難像素巾至少_部份的像素領域中，以 ;=晶化間隔物層為餘刻停止層，以姓刻除去前述非日日質間隔物層，利㈣去至少前述非晶質間隔物層之像素領域，以及具有Wit多結晶化間隔物層以及前述氮切層、且在遠虱化矽層上殘留有前述非晶質間隔物層之像素領 f ’來改變最終之前述導電性共振間隔物層的合計厚度。 7.如申請專利範圍第6項之顯示裝置之製造方法，其中，雨述非晶質之各間隔物層係在積層後，以光微影法圖案化為每一像素之形狀。 8·如申請專利範圍第6項之顯示裝置之製造方法，其中，前述透明導電性金屬氧化物，係_種銦錫氧物。 316552(修正版) 4 1300670 9·如申請專利範圍第6項之顯示裝置之製造方法，其中，在形成前述導電性共振間隔物層時，該非晶質間隔物層相對於前述非晶質間隔物層用之蝕刻劑的蝕刻率以及4氮化;5夕層相對於前述氮化石夕層用之姓刻劑的飯刻率，係前述多結晶化間隔物層相對於各蝕刻劑之蝕刻率的10倍以上。 10·如申請專利範圍第6項之顯示裝置之製造方法，其中，曰所以丽述多結晶化間隔物層為蝕刻停止層之前述非曰曰貝間隔物層的蝕刻，係使用包含有鹽酸以及硝酸之水〉谷液的濕餘刻。 η·如申請，利範圍第6項之顯示裝置之製造方法，其中，以别述多結晶化間隔物層為蝕刻停止層之前述氮化石夕層的_，係使用包含有氫及顧以及醋酸之水溶液的濕蝕刻。 12.2請專利範圍第6項至第11項中任一項之顯示裝置之製造方法，其中，形f前述下部反射膜後，在不暴露於大氣中的條件 :於w述下部反射膜上’形成非晶質狀態之導電性金屬乳化物層，以作為第丨層之間隔物層。 .如申^專利範圍第12項之顯示裳置之製造方法，其中，箄入=述下反射膜，係包含銀、金、白金、銘以及該寻金屬之任何合金。申：專利範圍第13項之顯示裝置之製造方法，豆中盥前==電性共振間隔物層，係設在前述下部反射) 元件層之間，且將電荷供給至前述心乂无凡件層的電極。 316552(修正版) 5 1300670 七、指定代表圖： (一）本案指定代表圖為：第（1)圖。 (二)本代表圖之元件符號簡單說明： 80 基板 82 主動層（多晶矽膜) 84 閘極絕緣膜 86 閘極電極 88 層間絕緣膜 90 ^ 94 接觸孔 92、140平坦化絕緣膜 100 有機EL元件 110 下部反射膜 120 有機發光元件層 122 電洞植入層 124 電洞輪送層 126 發光層 128 電子輪送層 130 電子植入層 200 第1電極(導電性共振間隔物層） 210 透光層(SiNx層） 240 第2電極(上部反射膜) 240m 金屬薄膜本案若魏學辆，請翻魏的化學式：本案無代表化學式 316552修正本 5