JP5173300B2 - 有機発光素子 - Google Patents
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Description
前記第2電極層の膜厚が1nm以上30nm以下であり、
前記光反射透過層と前記第1電極層との間に微小共振器構造を有し、
前記光反射透過層と前記第1電極層との間の膜厚が、前記有機層から発光する光を強めるように調整されており、
前記光反射透過層が導電性を持ち、前記第2電極層と前記光反射透過層とが、前記画素開口部以外の前記透明絶縁層が形成されていない部位で電気的に接続されており、
前記第2電極層は蒸着法により形成されており、
前記透明絶縁層はスパッタ法もしくはCVD法により形成されていることを特徴とする。
図2は、本発明の第1実施例による有機発光素子を表す平面図である。50mm角のガラス基板210上に形成されるアクティブ駆動が可能なTFT基板であって、中央に25.4mm角の画素領域を持つ。画素領域にはサイズ35μm×110μm、短辺方向のピッチ56μm、長辺方向のピッチ169μmの画素開口部(総画素数67500 150ppi)を設ける。陽極として膜厚120nmのAg層及び膜厚10nmのITO層をスパッタ法により形成する。ガラス基板中央の30mm角の領域に透明な絶縁層220を形成し、その周囲に陰極の引き出し電極230を2mmの幅で形成する。これを評価基板1とする。
評価基板1上に、真空蒸着法により28mm角の蒸着領域を持つマスクを介して画素開口部(25.4mm角)上に有機層を形成する。蒸着は順にCuPcを10nm、α−NPDを10nm、Alq3とCoumarin540との95:5の共蒸着層を20nm、Alq3を20nm、LiFを1nmの膜厚で形成する。これを蒸着基板1とする。
引き続いて蒸着基板1に34mm×34mmのマスクを用いて画素開口部と陰極の引き出し電極とを覆うようにMg90wt%,Ag10wt%となるよう共蒸着法にて5nmの膜厚で形成する。更に45μm×120μm開口部を持つ短辺方向のピッチ56μm、長辺方向のピッチ169μmのマスクを用いて画素開口部を被覆するようにスパッタ法によりSrO膜を200nmの膜厚でマスク成膜を行なう。この上に34mm×34mmのマスクを用いて画素開口部と陰極の引き出し電極とを覆うようにAgをスパッタ法にて10nmの膜厚で成膜する。その後パッシベ−ション層として40mm角のマスクを介してCVD法によりSiNx層を更に1μmの膜厚で一様に形成する。これを素子1とする。
蒸着基板1をもう一枚用意し、これを蒸着基板2とする。また、評価基板1上に28mm角の蒸着領域を持つマスクを介して画素開口部(25.4mm角)上に有機層を形成したものをもう一枚作製し、これを蒸着基板3とする。蒸着基板3の膜厚はCuPcを10nm、α−NPDを10nm、Alq3とCoumarin540との95:5の共蒸着層を20nm、Alq3を50nm、LiFを1nmとする。
以上作製した3つの素子を点灯させると、素子1、素子2では非点灯画素が見られないのに対して、素子3では非点灯画素が確認される。また、素子1と素子2との外部量子効率を比較すると、素子1の外部量子効率の方が高い。また、耐久特性においても素子1の耐久時間は素子2に比較して良好である。
110 有機発光素子
120 第1電極層(陽極)
130 有機層
140 第2電極層(陰極)
150 透明絶縁層
160 光反射透過層
210 ガラス基板
220 画素開口部を有した透明絶縁層
230 陰極の引き出し電極
Claims (3)
- 基板の側から順に第1電極層、有機層、第2電極層、透明絶縁層、光反射透過層から成る層構成を画素開口部に持ち、
前記第2電極層の膜厚が1nm以上30nm以下であり、
前記光反射透過層と前記第1電極層との間に微小共振器構造を有し、
前記光反射透過層と前記第1電極層との間の膜厚が、前記有機層から発光する光を強めるように調整されており、
前記光反射透過層が導電性を持ち、前記第2電極層と前記光反射透過層とが、前記画素開口部以外の前記透明絶縁層が形成されていない部位で電気的に接続されており、
前記第2電極層は蒸着法により形成されており、
前記透明絶縁層はスパッタ法もしくはCVD法により形成されていることを特徴とする有機発光素子。 - 前記透明絶縁層は吸湿性を持つ材料からなることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記有機層は蒸着法により形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機発光素子。
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