CN116762478A - 显示装置及电子装置 - Google Patents

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light emitting
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首藤章志
泽部智明
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Abstract

提供一种用于可以控制半透射反射层的形成面的不均匀形状的复杂性的显示装置。该显示装置包括：多个第一像素；多个第二像素；以及多个第三像素。第一子像素各自包括发射第一光和第三光的第一发光元件；第二子像素各自包括发射第二光的第二发光元件；第三子像素各自包括发射第一光和第三光的第三发光元件。第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件各自包括：第一电极；包括发光层的有机层；第二电极；以及半透射反射层。第一电极和半透射反射层构成谐振器结构。第一发光元件和第三发光元件的半透射反射层具有相同高度。

Description

显示装置及电子装置
技术领域
本公开涉及显示装置和包括显示装置的电子装置。
背景技术
近年来，有机电致发光(EL)显示装置(在下文中，简称为“显示装置”)已经变得普遍。在该显示装置中，为了改善光提取效率，提出了设置谐振器结构(腔结构)。
例如，专利文献2(参见，例如，第67段)公开了一种谐振器结构，其中，保护层设置在阴极电极与半透射板(半透射反射层)之间，并且保护层(光学调节层)的膜厚度对于每种发射颜色而改变。
引用列表
专利文献
专利文献1：日本专利申请公开号2016-143585
发明内容
本发明要解决的问题
然而，在专利文献1中描述的技术中，因为保护层的膜厚度如上所述对于每个发射颜色而改变，所以其上形成半透射板(半透射反射层)的表面的凹凸形状变得复杂。如果凹凸形状以这种方式复杂，则处理保护层所需的步骤数量增加，这可能导致生产率降低。
本公开的目的是提供能够抑制其上形成有半透射反射层的表面的凹凸形状的复杂性的显示装置和包括该显示装置的电子装置。
解决问题的方法
为了解决上述问题，本公开提供一种显示装置，包括多个第一子像素、多个第二子像素和多个第三子像素，
其中，第一子像素包括发射第一光和第三光的第一发光元件，
第二子像素包括发射第二光的第二发光元件，
第三子像素包括发射第一光和第三光的第三发光元件，
第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件各自包括第一电极、包括发光层的有机层、第二电极以及半透射反射层，并且谐振器结构由第一电极和半透射反射层配置，以及
第一发光元件和第三发光元件中的半透射反射层的高度相同。
第二公开是包括第一公开的显示装置的电子装置。
附图说明
图1是示出根据本公开第一实施例的显示装置的总体配置的示例的示图。
图2是示出根据本公开的第一实施例的显示装置的显示区域110A的配置的示例的截面图。
图3是示出根据本公开第一实施例的显示装置的外围区域的配置的示例的截面图。
图4是示出根据本公开第一实施例的显示装置的外围区域的配置的另一示例的截面图。
图5A是示出包括单层发光单元的有机EL层的配置的第一示例的截面图。图5B是示出包括单层发光单元的有机EL层的配置的第二示例的截面图。
图6A是示出包括两层发光单元的有机EL层的配置的第一示例的截面图。图6B是示出包括两层发光单元的有机EL层的配置的第二示例的截面图。
图7是示出根据本公开的第二实施例的显示装置的配置的示例的截面图。
图8是示出根据变形1的显示装置的配置的示例的截面图。
图9是示出根据变形2的显示装置的配置的示例的截面图。
图10是示出根据变形3的显示装置的配置的示例的截面图。
图11是示出根据变形4的显示装置的配置的示例的截面图。
图12是示出根据变形11的显示装置的配置的示例的截面图。
图13是示出根据变形12的显示装置的配置的示例的截面图。
图14是示出根据变形13的显示装置的配置的示例的截面图。
图15是示出根据变形14的显示装置的配置的示例的截面图。
图16是示出根据变形15的显示装置的配置的示例的截面图。
图17是示出根据变形16的显示装置的配置的示例的截面图。
图18是示出根据变形17的显示装置的配置的示例的截面图。
图19是示出根据变形18的显示装置的配置的示例的截面图。
图20是示出根据变形19的显示装置的配置的示例的截面图。
图21是示出根据变形20的显示装置的配置的示例的截面图。
图22是示出根据变形21的显示装置的配置的示例的截面图。
图23是示出根据变形22的显示装置的配置的示例的截面图。
图24是示出根据变形23的显示装置的配置的示例的截面图。
图25是示出根据变形23的显示装置的配置的另一示例的截面图。
图26是示出模块的示意性配置的示例的平面图。
图27A是示出数码相机的外观示例的前视图图。图27B是示出数码相机的外观示例的后视图。
图28是头戴式显示器的外观示例的透视图。
图29是示出电视设备的外观的示例的透视图。
图30是示出模拟1-1和2的结果的曲线图。
图31是示出模拟1-2和2的结果的曲线图。
图32是示出模拟1-3和2的结果的曲线图。
图33是示出模拟3-1和4的结果的曲线图。
图34是示出模拟3-2和4的结果的曲线图。
图35是示出模拟3-3和4的结果的曲线图。
图36是示出模拟1-1和2的结果的曲线图。
图37是示出模拟1-2和2的结果的曲线图。
图38是示出模拟1-3和2的结果的曲线图。
图39是示出模拟3-1和4的结果的曲线图。
图40是示出模拟3-2和4的结果的曲线图。
图41是示出模拟3-3和4的结果的曲线图。
图42是示出模拟5-1和6的结果的曲线图。
图43是示出模拟5-2和6的结果的图表。
图44是示出模拟5-3和6的结果的曲线图。
图45是示出模拟7-1和8的结果的曲线图。
图46是示出模拟7-2和8的结果的曲线图。
图47是示出模拟7-3和8的结果的曲线图。
具体实施方式
将按照以下顺序描述本公开的实施例。另外，在以下的各实施例的所有附图中，对相同或相当的部分标注相同的附图标记。
1第一实施例(显示装置的示例)
2第二实施例(显示装置的示例)
3变形(显示装置的变形)
4应用例(电子装置的示例)
5模拟示例
<1第一实施例>
[显示装置的配置]
图1是示出根据本公开第一实施例的显示装置10的总体配置的示例的示图。显示装置10包括显示区域110A和设置在显示区域110A的外围边缘上的外围区域110B。在显示区域110A中，多个子像素100R、多个子像素100G和多个子像素100B以诸如矩阵的规定布置模式二维布置。
子像素100R发射红光，子像素100G发射绿光，并且子像素100B发射蓝光。应注意，在以下描述中，在不特别区分子像素100R、100G、以及100B的情况下，将其称为子像素100。红光、蓝光和绿光分别是第一光、第二光和第三光的示例。子像素100R、子像素100G、以及子像素100B分别是第一子像素、第二子像素、以及第三子像素的示例。相邻的子像素100R、100G、以及100B的组合构成一个像素(像素)。图1示出了其中布置在行方向(水平方向)上的三个子像素100R、100G、和100B的组合构成一个像素的示例，但是子像素100R、100G、和100B的布置不限于此。
在外围区域110B中，设置作为用于视频显示的驱动器的信号线驱动电路111和扫描线驱动电路112。信号线驱动电路111将对应于从信号供应源(未示出)供应的亮度信息的视频信号的信号电压经由信号线111A供应至所选择的子像素100。扫描线驱动电路112包括与输入时钟脉冲同步地依次移位(传送)起始脉冲的移位寄存器等。扫描线驱动电路112在向每个子像素100写入视频信号时逐行扫描子像素100，并顺序地向每个扫描线112A提供扫描信号。
显示装置10是发光装置的示例。显示装置10可以是微型显示器。显示装置10可以设置在虚拟现实(VR)装置、混合现实(MR)装置、增强现实(AR)装置、电子取景器(EVF)、小型投影仪等中。
图2是示出根据本公开的第一实施例的显示装置10的显示区域110A的配置的示例的截面图。显示装置10包括驱动基板11、多个第一电极12、绝缘层13、有机EL层14、第二电极15、光学调节层16、半透射反射层17、保护层18、以及滤色器19。
图3是示出了显示装置10的外围区域110B的配置的示例的截面图。显示装置10进一步包括外围区域110B中的接触部分12A。
显示装置10是顶部发射型显示装置。显示装置10的滤色器19侧是顶侧(显示表面侧)，并且显示装置10的驱动基板11侧是底侧。在以下描述中，在构成显示装置10的每个层中，在显示装置10的顶侧上的表面被称为第一表面，并且在显示装置10的底侧上的表面被称为第二表面。
(子像素)
子像素100R包括发射红光和蓝光的发光元件101R。子像素100G包括发射绿光的发光元件101G。子像素100B包括发射红光和蓝光的发光元件101B。发光元件101R和发光元件101B具有相同的配置，并且依次包括第一电极12、有机EL层14、第二电极15、光学调节层16和半透射反射层17。发光元件101G依次包括第一电极12、有机EL层14、第二电极15以及半透射反射层17。在以下描述中，在不特别区分发光元件101R、101G和101B的情况下，将它们称为发光元件101。
发光元件101R、101G和101B中的每一个具有谐振器结构。由此，能够提高光提取效率。谐振器结构由第一电极12和半透射反射层17配置。发光元件101R和101B的谐振器结构具有相同的配置，并且被配置为谐振和加强包括在有机EL层14中生成的白光中的红光和蓝光，并且向显示表面发射红光和蓝光。发光元件101G的谐振器结构被配置为谐振并且加强包含在有机EL层14中生成的白光中的绿光，并且向显示表面发射绿光。
在发光元件101R和101B的谐振器结构中，第一电极12和半透射反射层17之间的光路长度被设置为使得红光和蓝光谐振并被加强。在发光元件101G的谐振器结构中，第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度被设置为使得绿光谐振并被加强。
例如，谐振器结构的谐振条件由以下等式表示。
L＝(m-Φ/2π)×λ/2
L：谐振器结构的光路长度
m：自然数
Φ：辐射，第一电极12中的相移量(可包括半透射反射层17中的相移量)
λ：从有机EL层14发射的光的波长
(驱动基板)
驱动基板11是所谓的背板。驱动基板11的第一表面设置有驱动多个发光元件101的驱动电路、向多个发光元件101供电的电源电路等(均未示出)。此外，绝缘层设置在驱动基板11的第一表面上以覆盖驱动电路、电源电路等。因此，驱动基板11的第一表面变平。
驱动基板11的基板主体可以由例如容易用晶体管等形成的半导体形成，或者可以由具有低透湿性和透氧性的玻璃或树脂形成。具体地，基板主体可以是半导体基板、玻璃基板、树脂基板等。半导体基板包括例如非晶硅、多晶硅、单晶硅等。玻璃基板包括例如高应变点玻璃、钠玻璃、硼硅酸盐玻璃、镁橄榄石、铅玻璃、石英玻璃等。例如，树脂基板包括选自包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚乙烯苯酚、聚醚砜、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等的组中的至少一种。
(第一电极)
多个第一电极12以与多个子像素100的布置模式相似的布置模式二维地布置在驱动基板11的第一表面上。第一电极12是阳极。如果在第一电极12和第二电极15之间施加电压，空穴从第一电极12注入到有机EL层14中。相邻的第一电极12通过绝缘层13电隔离。
每个第一电极12的厚度可以相同。第一电极12可以由例如金属层形成，或者可以由金属层和透明导电氧化物层形成。在第一电极12由金属层和透明导电氧化物层形成的情况下，从与有机EL层14相邻的放置具有高功函数(high work function)的层的观点来看，透明导电氧化物层优选地设置在有机EL层14侧上。
金属层还具有作为反射在有机EL层14中产生的光的反射层的功能。例如，金属层包括选自包括铬(Cr)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)、铝(Al)、镁(Mg)、铁(Fe)、钨(W)、以及银(Ag)的组中的至少一种金属元素。金属层可以包括上述至少一种金属元素作为合金的组成元素。合金的具体示例包括铝合金和银合金。铝合金的具体示例包括例如AlNd和AlCu。
可以与金属层的第二表面侧相邻地设置基底层(未示出)。基底层用于在形成金属层时改善金属层的晶体方向。基底层包括例如从包括钛(Ti)和钽(Ta)的组中选择的至少一种金属元素。基底层可以包括上述至少一种金属元素作为合金的组成元素。
透明导电氧化物层包括透明导电氧化物。例如，透明导电氧化物包括，选自包括以下各项的组的至少一个：包括铟的透明导电氧化物(在后文中称为“铟基透明导电氧化物”)、包括锡的透明导电氧化物(在后文中称为“锡基透明导电氧化物”)、以及包括锌的透明导电氧化物(在后文中称为“锌基透明导电氧化物”)。
铟基透明导电氧化物包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)或氧化铟镓锌(IGZO)、氟掺杂的氧化铟(IFO)。在这些透明导电氧化物中，铟锡氧化物(ITO)是特别优选的。这是因为铟锡氧化物(ITO)在功函数方面对于空穴注入有机EL层14具有特别低的势垒，使得可以特别降低显示装置10的驱动电压。例如，锡基透明导电氧化物包括，氧化锡、锑掺杂的氧化锡(ATO)或氟掺杂的氧化锡(FTO)。例如，锌类透明导电氧化物包括，氧化锌、铝掺杂氧化锌(AZO)、硼掺杂氧化锌、或镓掺杂氧化锌(GZO)。
(绝缘层)
绝缘层13设置在驱动基板11的第一表面上的相邻第一电极12之间的部分中。绝缘层13将相邻的第一电极12彼此绝缘。绝缘层13具有多个开口13A。多个开口13A的每一个对应于每个子像素100设置。更具体地，多个开口13A中的每一个设置在每个第一电极12的第一表面(有机EL层14侧的表面)上。第一电极12和有机EL层14通过开口13A彼此接触。
绝缘层13可以是有机绝缘层、无机绝缘层或它们的层叠体。例如，有机绝缘层包括选自包括聚酰亚胺类树脂、丙烯酸类树脂、酚醛清漆类树脂等的组中的至少一种。例如，无机绝缘层包括选自包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)等的组中的至少一种。
(有机EL层)
有机EL层14设置在多个第一电极12与第二电极15之间。有机EL层14连续地设置在显示区域110A中的所有子像素100(即，多个子像素100R、多个子像素100G和多个子像素100B)之上，并且是显示区域110A中的所有子像素100共用的层。
有机EL层14是包括发光层的有机层的示例。有机EL层14被配置为发射白色光。有机EL层14可以是包括单层发光单元的有机EL层14，可以是包括两层或者两层以上的发光单元的有机EL层(层叠结构)14，或者可以是具有不同于这些结构的有机EL层14。
例如，如图5A所示，包括单层发光单元的有机EL层14具有空穴注入层14HIL、空穴传输层14HTL、红光发射层14REL、发光分离层14SL、蓝光发射层14BEL、绿光发射层14GEL、电子传输层14ETL、以及电子注入层14EIL以该顺序从第一电极12朝向第二电极15层叠的配置。或者，例如，如图5B所示，包括单层发光单元的有机EL层14具有空穴注入层14HIL、空穴传输层14HTL、蓝光发射层14BEL、发光分离层14SL、黄光发射层14YEL、电子传输层14ETL、以及电子注入层14EIL以该顺序层叠的配置。应注意，蓝光发射层14BEL和黄光发射层14YEL的层压位置不限于在图5B中示出的示例，并且蓝光发射层14BEL和黄光发射层14YEL可互换。
例如，如图6A所示，包括两层发光单元的有机EL层14具有空穴注入层14HIL、空穴传输层14HTL、绿光发射层14GEL、红光发射层14REL、电子传输层14ETL、电荷产生层14CGL、空穴传输层14HTL、蓝光发射层14BEL、电子传输层14ETL、以及电子注入层14EIL以该顺序从第一电极12朝向第二电极15层叠的配置。或者，如图6B所示，例如，包括两层发光单元的有机EL层14具有空穴注入层14HIL、空穴传输层14HTL、蓝光发射层14BEL、电子传输层14ETL、电荷产生层14CGL、空穴传输层14HTL、黄光发射层14YEL、电子传输层14ETL、和电子注入层14EIL以该顺序从第一电极12朝向第二电极15层叠的配置。应注意，蓝光发射层14BEL和黄光发射层14YEL的层压位置不限于图6B中示出的示例，并且蓝光发射层14BEL和黄光发射层14YEL可互换。
空穴注入层14HIL用于提高向每个发光层中的空穴注入效率并且抑制泄漏。空穴传输层14HTL用于增强到每个发光层的空穴传输效率。电子注入层14EIL用于提高到每个发光层中的电子注入效率。电子传输层14ETL用于提高到各发光层的电子传输效率。发光分离层14SL是用于调节载流子注入各个发光层的层，并且通过经由发光分离层14SL将电子或空穴注入各个发光层来调节各个颜色的发光平衡。电荷产生层14CGL向夹置电荷产生层14CGL的两个发光层提供电子和空穴。
如果电场被施加至红光发射层14REL、绿光发射层14GEL、蓝光发射层14BEL、以及黄光发射层14YEL中的每一个，那么发生从第一电极12注入的空穴与从第二电极15注入的电子的重新组合，并且生成红光、绿光、蓝光、以及黄光。
(第二电极)
第二电极15被设置为面向多个第一电极12。第二电极15连续地设置在显示区域110A中的所有子像素100之上，并且用作显示区域110A中的所有子像素100的共用电极。第二电极15是阴极。如果在第一电极12与第二电极15之间施加电压，则电子从第二电极15注入到有机EL层14中。第二电极15是对在有机EL层14中产生的光具有透明性的透明电极。为了提高发光效率，第二电极15优选地由具有尽可能高的透明性和小的功函数的材料形成。
例如，第二电极15由金属层或透明导电氧化物层中的至少一个形成。更具体地，第二电极15由金属层或者透明导电氧化物层的单层膜形成，或者由金属层和透明导电氧化物层的层叠膜形成。在第二电极15由层叠膜形成的情况下，金属层可以设置在有机EL层14侧，或者透明导电氧化物层可以设置在有机EL层14侧，但是从与有机EL层14相邻放置具有低功函数的层的观点来看，金属层优选地设置在有机EL层14侧。
第二电极15调节在子像素100G中第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度。第二电极15的厚度被设置为使得对应于子像素100G的颜色的绿光谐振并且在谐振器结构中加强。尽管图2示出了子像素100G中的第二电极15的厚度与子像素100R和100B中的第二电极15的厚度相同的示例，但是子像素100G中的第二电极15的厚度可比子像素100R和100B中的第二电极15的厚度薄。
例如，金属层包括选自包括镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、钙(Ca)以及钠(Na)的组中的至少一种金属元素。金属层可以包括上述至少一种金属元素作为合金的组成元素。合金的具体示例包括MgAg合金、MgAl合金、AlLi合金等。透明导电氧化物层包括透明导电氧化物。作为透明导电氧化物，可例示类似于上述第一电极12的透明导电氧化物的材料。
(接触部分)
接触部分12A是连接第二电极15和基底布线(未示出)的辅助电极。例如，基底布线设置在驱动基板11的第一表面上。第二电极15的外围边缘部分15A延伸至外围区域110B。接触部分12A的第一表面连接到第二电极15的外围边缘部分15A。另一方面，接触部分12A的第二表面经由接触插头(未示出)连接到基底布线。在本说明书中，第二电极15的外围边缘部分15A是指从第二电极15的外围边缘朝向内部具有预定宽度的区域。
接触部分12A在平面图中可具有围绕矩形显示区域110A的闭环形状。图1示出了其中外围区域110B在平面图中具有倒L形的示例，但是外围区域110B在平面图中可具有闭环形状。接触部分12A和外围区域110B的闭环形状的具体示例包括矩形环形状等。
接触部分12A由金属层或金属氧化物层中的至少一个形成。更具体而言，接触部分12A由金属层或金属氧化物层的单层膜、或者金属层和金属氧化物层的层叠膜形成。在接触部分12A由层叠膜形成的情况下，金属氧化物层可设置在第二电极15侧上，或者金属层可设置在第二电极15侧上。
作为接触部分12A的构成材料，可例示类似于第一电极12的材料。具体地，作为接触部分12A的金属层和金属氧化物层的构成材料，可分别示例与第一电极12的金属层和金属氧化物层的材料相似的材料。
接触部分12A可以具有与第一电极12相同的配置。接触部分12A的金属层和金属氧化物层可以分别由与第一电极12的金属层和金属氧化物层相同的材料形成。
(光学调节层)
光学调节层16在对应于多个子像素100G的每个部分中具有开口16A。子像素100R和子像素100B包括在第二电极15与半透射反射层17之间的光学调节层16。因此，在子像素100R和子像素100B中，第二电极15和半透射反射层17彼此分离。另一方面，子像素100G不包括第二电极15与半透射反射层17之间的光学调节层16。因此，在子像素100G中，第二电极15和半透射反射层17彼此相邻。
光学调节层16对在有机EL层14中产生的光具有透明性。子像素100R和100B中的光学调节层16的厚度相同。因此，子像素100R和100B中的光学调节层16的第一表面的高度相同。光学调节层16在每个子像素100R和100B中调节第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度。子像素100R和100B中的光学调节层16的厚度被设置为使得对应于子像素100R的颜色的红光和对应于子像素100B的颜色的蓝光在谐振结构中谐振并被加强。
光学调节层16可以是有机层、无机层或其层叠体。例如，有机层包括选自包括聚酰亚胺类树脂、丙烯酸类树脂、酚醛清漆类树脂、诸如聚对二甲苯(注册商标)的对苯二甲基类化合物、在有机EL中使用的单体材料的聚合物等的组中的至少一种。例如，无机层包括从包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)等的组中选择的至少一种。
(半透射反射层)
半透射反射层17设置在子像素100R和100B中的光学调节层16的第一表面上，并且设置在子像素100G中的第二电极15的第一表面上。子像素100R和100B中的半透射反射层17的高度相同。因此，可抑制形成半透射反射层17的表面的凹凸形状的复杂化。半透射反射层17透射在有机EL层14中产生的光的一部分并且反射其余的光。图2示出了半透射反射层17在子像素100R与子像素100G之间以及在子像素100G与子像素100B之间划分的示例。然而，如图4所示，半透射反射层17可连接在子像素100R与子像素100G之间以及子像素100G与子像素100B之间。即，半透射反射层17可连接在显示区域110A中的子像素100之间。在这种情况下，可以降低第二电极15的电阻。
此外，如图4所示，半透射反射层17的外围边缘部分17A可延伸至外围区域110B。在这种情况下，半透射反射层17的外围边缘部分17A可以直接连接至接触部分12A的第一表面，或者半透射反射层17的外围边缘部分17A可以连接至接触部分12A的第一表面以将第二电极15的外围边缘部分15A夹在其间。
半透射反射层17例如是金属层。例如，金属层包括选自包括镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、钙(Ca)、金(Au)、铜(Cu)、锡(Sn)、锌(Zn)、钠(Na)等的组中的至少一种金属元素。金属层可以包括上述至少一种金属元素作为合金的组成元素。合金的具体示例包括MgAg合金、MgAl合金、AlLi合金等。
半透射反射层17可以是其中第一金属层和第二金属层层叠的多层膜。第一金属层和第二金属层中的第一金属层可以设置在有机EL层14侧上。第一金属层包括，例如，从包括钙(Ca)、钡(Ba)、锂(Li)、铯(Cs)、铟(In)、镁(Mg)和银(Ag)的组中选择的至少一种。第一金属层可以包含上述至少一种金属元素作为合金的组成元素。例如，第二金属层包括选自包括镁(Mg)和银(Ag)的组中的至少一种。第二金属层可以包括上述至少一种金属元素作为合金的组成元素。
半透射反射层17可以是包含透明材料的透明材料层。透明材料层可具有与作为透明材料层的下层的光学调节层16和第二电极15的折射率不同的折射率。透明材料层可具有与作为透明材料层的上层的保护层18的折射率不同的折射率。
从提高反射率的观点来看，透明材料层与光学调节层16之间的折射率差△n1以及透明材料层与第二电极15之间的折射率差△n2优选为0.1以上。这里，折射率差△n1表示从子像素100B发射的蓝光的峰值波长处的折射率差或从子像素100R发射的红光的峰值波长处的折射率差中的至少一个。而且，透明材料层与第二电极15之间的折射率差△n2表示从子像素100G发射的绿光的峰值波长处的折射率差。
从提高反射率的观点来看，透明材料层和保护层18之间的折射率差△n3优选为0.1以上。这里，透明材料层和保护层18之间的折射率差△n3表示从子像素100B发射的蓝光的峰值波长处的折射率差、从子像素100G发射的绿光的峰值波长处的折射率差、以及从子像素100R发射的红光的峰值波长处的折射率差中的至少一个。
透明材料包括透明导电氧化物或电介质。作为透明导电氧化物，可例示类似于上述第一电极12的透明导电氧化物的材料。例如，电介质包括选自包括氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物等的组中的至少一种。
(保护层)
保护层18设置在半透射反射层17的第一表面上并且覆盖多个发光元件101。保护层18将发光元件101与外部空气屏蔽，并抑制湿气从外部环境渗入发光元件101中。此外，在半透射反射层17由金属层形成的情况下，保护层18可具有抑制金属层的氧化的功能。
例如，保护层18包括具有低吸湿性的无机材料或聚合物树脂。保护层18可以具有单层结构或多层结构。在保护层18的厚度增加的情况下，优选具有多层结构。这是为了缓和保护层18的内部应力。无机材料包括例如从包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化钛(TiOx)、氧化铝(AlOx)等的组中选择的至少一种。例如，聚合物树脂包括选自包括热固性树脂、紫外线固化树脂等的组中的至少一种。
(滤色器)
滤色器19设置在保护层18的第一表面上。滤色器19例如是片上滤色器(OCCF)。滤色器19包括红色滤波器19R、绿色滤波器19G和蓝色滤波器19B。红色滤波器19R是具有与从发光元件101R发射的红光相同颜色的滤波器。绿色滤波器19G是具有与从发光元件101G发射的绿光相同颜色的滤波器。蓝色滤波器19B是具有与从发光元件101B发射的蓝光相同颜色的滤波器。
红色滤波器19R、绿色滤波器19G和蓝色滤波器19B被设置成分别面向发光元件101R、发光元件101G和发光元件101B。红色滤波器19R和发光元件101R构成子像素100R，绿色滤波器19G和发光元件101G构成子像素100G，并且蓝色滤波器19B和发光元件101B构成子像素100B。
从发光元件101R发射的红光穿过红色滤波器19R，而从发光元件101R发射的蓝光被红色滤波器19R阻挡。因此，从子像素100R发射具有高色纯度的红光。
从发光元件101G发射的绿光穿过绿色滤波器19G，而除了从发光元件101G发射的绿光之外的可见光被绿色滤波器19G阻挡。因此，从子像素100G发射具有高颜色纯度的绿光。
从发光元件101B发射的蓝光通过蓝色滤波器19B，而从发光元件101B发射的红光被蓝色滤波器19B阻挡。因此，从子像素100B发射具有高颜色纯度的蓝光。
此外，遮光层可设置在滤色器19R、19G和19B之间，即，在子像素100之间的区域中。
[用于制造显示装置的方法]
在下文中，将描述根据本公开第一实施例的用于制造显示装置10的方法的示例。
首先，通过例如溅射方法在驱动基板11的第一表面上依次形成金属层和透明导电氧化物层，然后，使用例如光刻技术和蚀刻技术图案化金属层和透明导电氧化物层。因此，形成多个第一电极12。
接下来，通过例如化学气相沉积(CVD)方法在驱动基板11的第一表面上形成绝缘层13以覆盖多个第一电极12。接下来，通过例如光刻技术和干法蚀刻技术，在位于每个第一电极12的第一表面上的绝缘层13的一部分中形成开口13A。
接下来，通过例如气相沉积法将空穴传输层、红光发射层、发光分离层、蓝光发射层、绿光发射层、电子传输层和电子注入层按照这种顺序层叠在多个第一电极12的第一表面和绝缘层13的第一表面上，从而形成有机EL层14。接着，通过例如气相沉积法或溅射法在有机EL层14的第一表面上形成第二电极15。
接下来，通过例如CVD方法在第二电极15的第一表面上形成光学调节层16。接下来，例如，通过光刻技术和干法蚀刻技术，在光学调节层16的对应于每个子像素100G的一部分中形成开口16A。接下来，通过例如气相沉积法或溅射法在第二电极15的第一表面和光学调节层16的第一表面上形成半透射反射层17。
接下来，通过例如CVD方法或气相沉积方法在半透射反射层17的第一表面上形成保护层18以填充开口16A，然后通过例如光刻法在保护层18的第一表面上形成滤色器19。如上所述，获得图2中所示的显示装置10。
[操作和效果]
如上所述，在根据第一实施例的显示装置10中，子像素100R和子像素100B包括在第二电极15和半透射反射层17之间的光学调节层16，并且子像素100R和子像素100B中的光学调节层16的厚度相同。因此，可使子像素100R和子像素100B中的半透射反射层17的高度相同。因此，与其中光学调节层的厚度针对子像素的每种颜色改变的显示装置(例如，参见专利文献1)相比，可以抑制其上形成半透射反射层17的表面(即，光学调节层16的第一表面)的不平坦形状的复杂化。因此，可以抑制加工光学调节层16所需的步骤数量的增加，由此抑制生产率的降低。
另外，由于多个发光元件101R、101G及101B中的每一个都具有谐振器结构，因此可提高光提取效率。因此，可以提高发光效率。此外，可以扩大色域。
与用于制造显示装置的常规方法相比，用于制造根据第一实施例的显示装置10的方法仅进一步包括形成光学调节层16的步骤、蚀刻光学调节层16的步骤(仅蚀刻光学调节层16的对应于子像素100G的一部分的步骤)、以及形成半透射反射层17的步骤。因此，由于在用于制造显示装置的常规方法中仅添加了三个步骤，所以可以制造在每个子像素100中具有谐振器结构的显示装置10，同时抑制制造步骤的增加。即，能够在抑制制造成本增加的同时制造显示装置10。这里，假设常规的显示装置是指每个子像素未设置有谐振器结构的显示装置。
<2第二实施例>
[显示装置的配置]
图7是示出根据本公开的第二实施例的显示装置20的配置的示例的截面图。显示装置20与根据第一实施例的显示装置10的不同之处在于其在显示区域110A中进一步包括多个子像素100IR。
(子像素)
子像素100IR包括发射绿光和红外光(IR)的发光元件101IR。子像素100IR具有与子像素100G的层配置相似的层配置。即，子像素100IR依次包括第一电极12、有机EL层14、第二电极15和半透射反射层17。红外光是第四光的示例。子像素100IR是第四子像素的示例。在第二实施例中，子像素100G包括发射绿光和红外光(IR)的发光元件101G。
子像素100IR具有谐振器结构。子像素100IR的谐振器结构由第一电极12和半透射反射层17构成。子像素100G和100IR的谐振器结构被配置为谐振并且加强在有机EL层14中生成的光中包含的绿光和红外光，并且向显示表面发射绿光和红外光。在第二实施例中，假设在有机EL层14中产生的光至少包括白光和红外光。在子像素100G和100IR的谐振器结构中，第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度被设置为使得绿光和红外光谐振并且被加强。
(有机EL层)
有机EL层14连续地设置在显示区域110A中的所有子像素100(即，多个子像素100R、多个子像素100G、多个子像素100B以及多个子像素100IR)之上，并且是显示区域110A中的所有子像素100共用的层。
(第二电极)
第二电极15调节在子像素100G和100IR中第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度。子像素100G的光学调节层16的厚度被设置为使得对应于子像素100G的绿光和对应于子像素100IR的红外光谐振并且在谐振器结构中被加强。尽管图7示出了子像素100G和100IR中的第二电极15的厚度与子像素100R和100B中的第二电极15的厚度相同的示例，但是子像素100G和100IR中的第二电极15的厚度可薄于子像素100R和100B中的第二电极15的厚度。
(光学调节层)
光学调节层16在分别对应于多个子像素100G和多个子像素100IR的每个部分中具有开口16A。子像素100G和子像素100IR不包括第二电极15和半透射反射层17之间的光学调节层16。因此，在子像素100G和子像素100IR中，第二电极15和半透射反射层17彼此相邻。图7示出了半透射反射层17在子像素100R和子像素100IR之间以及在子像素100G和子像素100B之间划分的示例。然而，半透射反射层17可连接在子像素100R与子像素100IR之间以及子像素100G与子像素100B之间。即，半透射反射层17可连接在显示区域110A中的子像素100之间。在这种情况下，可以降低第二电极15的电阻。
(半透射反射层)
半透射反射层17设置在子像素100R和100B中的光学调节层16的第一表面上，并且设置在子像素100G和100IR中的第二电极15的第一表面上。子像素100R和100B中的半透射反射层17的高度相同。此外，子像素100G和100IR中的半透射反射层17的高度相同。因此，可抑制形成半透射反射层17的表面的凹凸形状的复杂化。
图7示出了半透射反射层17在子像素100R和子像素100IR之间以及在子像素100G和子像素100B之间划分的示例。然而，半透射反射层17可连接在子像素100R与子像素100IR之间以及子像素100G与子像素100B之间。即，半透射反射层17可连接在显示区域110A中的子像素100之间。在这种情况下，可以降低第二电极15的电阻。
(滤色器)
滤色器19包括红色滤波器19R、绿色滤波器19G、蓝色滤波器19B以及红外光透射滤波器19IR。红色滤波器19R、绿色滤波器19G和蓝色滤波器19B中的每个如在第一实施例中所述。红外光透射滤波器19IR设置为面向发光元件101IR。红外光透射滤波器19IR和发光元件101IR构成子像素100IR。红外光透射滤波器19IR被配置为透射红外光，但是阻挡具有比红外光更低的波长范围的可见光。注意，滤色器19可不包括红外光透射滤波器19IR。
包括在从发光元件101G发射的光中的绿光穿过绿色滤波器19G，然而，包含在从发光元件101IR发射的光中的红外光被绿色滤波器19G阻挡。因此，从子像素100G发射具有高颜色纯度的绿光。
包括在从发光元件101IR发射的光中的红外光穿过红外光透射滤波器19IR，而包含在从发光元件101IR发射的光中的绿光被红外光透射滤波器19IR阻挡。因此，除了红外光之外的分量减少，并且从子像素100IR发射具有高纯度的红外光。
[操作和效果]
如上所述，在根据第二实施例的显示装置20中，子像素100G和子像素100IR不包括第二电极15和半透射反射层17之间的光学调节层16。因此，在子像素100G和子像素100IR中，半透射反射层17被设置成与第二电极15相邻并且具有相同的高度。因此，即使在设置了包括子像素100R、100G、和100B以及子像素100IR的四种类型的子像素100的情况下，也可抑制其上形成有半透射反射层17的表面(即，光学调节层16的第一表面)的不平坦形状的复杂化。因此，可以抑制加工光学调节层16所需的步骤数量的增加，由此抑制生产率的降低。
<3变形>
[变形1]
图8是示出根据变形1的显示装置10A的配置的示例的截面图。在根据第一实施例的显示装置10中，已经描述了光学调节层16在对应于多个子像素100G的每个部分中具有开口16A的示例(见图2)。然而，在根据变形1的显示装置10A中，将描述光学调节层16在对应于多个子像素100R和100B的每个部分中具有开口16A的示例。
(子像素)
子像素100R和子像素100B在第二电极15和半透射反射层17之间不包括光学调节层16。因此，在子像素100R和子像素100B中，第二电极15和半透射反射层17彼此相邻并且具有相同的高度。另一方面，子像素100G包括在第二电极15与半透射反射层17之间的光学调节层16。因此，在子像素100G中，第二电极15和半透射反射层17彼此分离。
(光学调节层)
光学调节层16调节子像素100G中第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度。子像素100G的光学调节层16的厚度被设置为使得对应于子像素100G的颜色的绿光谐振并且在谐振器结构中加强。
(第二电极)
第二电极15调节在子像素100R和100B的每一个中的第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度。子像素100R和100B中的第二电极15的厚度被设置为使得对应于子像素100R的颜色的红光和对应于子像素100B的颜色的蓝光在谐振器结构中谐振并被加强。
[变形2]
图9是示出根据变形2的显示装置10B的配置的示例的截面图。在根据第一实施例的显示装置10中，已经描述了光学调节层16在对应于多个子像素100G的每个部分中具有开口16A的示例(见图2)。然而，在根据变形2的显示装置10B中，将描述光学调节层16在对应于多个子像素100G的每个部分中具有突起16B的示例。即，将描述光学调节层16在对应于多个子像素100R和多个子像素100B的每个部分中具有凹部(recess)16C的示例。
(子像素)
子像素100G包括在第二电极15与半透射反射层17之间的光学调节层16。因此，在子像素100G中，第二电极15和半透射反射层17彼此分离。子像素100G中的光学调节层16的厚度不同于子像素100R和100B中的光学调节层16的厚度。更具体地，子像素100G中的光学调节层16的厚度比子像素100R和100B中的光学调节层16的厚度厚。然而，子像素100G中的光学调节层16的厚度可比子像素100R和100B中的光学调节层16的厚度薄。
(光学调节层)
光学调节层16调节子像素100G中第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度。子像素100G的光学调节层16的厚度被设置为使得对应于子像素100G的颜色的绿光谐振并且在谐振器结构中被加强。
[变形3]
图10是示出根据变形3的显示装置20A的配置的示例的截面图。在第二实施例中，已经描述了光学调节层16在对应于多个子像素100G和100IR(参见图7)的每个部分中具有开口16A的示例。然而，在根据变形3的显示装置10A中，将描述光学调节层16在对应于多个子像素100R和100B的每个部分中具有开口16A的示例。
(子像素)
子像素100R和子像素100B在第二电极15和半透射反射层17之间不包括光学调节层16。因此，在子像素100R和子像素100B中，第二电极15和半透射反射层17彼此相邻并且具有相同的高度。另一方面，子像素100G和100IR包括在第二电极15与半透射反射层17之间的光学调节层16。因此，在子像素100G和100IR中，第二电极15和半透射反射层17彼此分离并且具有相同的高度。
(光学调节层)
子像素100G和100IR中的光学调节层16的厚度相同。因此，子像素100G和100IR中的光学调节层16的第一表面的高度相同。光学调节层16在每个子像素100G和100IR中调节第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度。子像素100G和100IR中的光学调节层16的厚度被设置为使得对应于子像素100G的绿光和对应于子像素100IR的红外光谐振并且在谐振器结构中被加强。
(第二电极)
第二电极15调节在子像素100R和100B的每一个中的第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度。子像素100R和100B中的第二电极15的厚度被设置为使得对应于子像素100R的红光和对应于子像素100B的颜色的蓝光在谐振器结构中谐振并被加强。
[变形4]
图11是示出根据变形4的显示装置20B的配置的示例的截面图。在第二实施例中，已经描述了光学调节层16在对应于多个子像素100G和100IR(参见图7)的每个部分中具有开口16A的示例。然而，在根据变形4的显示装置10A中，将描述光学调节层16在对应于多个子像素100G和100IR的每个部分中具有突起16B的示例。即，将描述光学调节层16在对应于多个子像素100R和100B的每个部分中具有凹部16C的示例。
(子像素)
子像素100G和100IR在第二电极15与半透射反射层17之间包括光学调节层16。因此，在子像素100G和100IR中，第二电极15和半透射反射层17彼此分离。子像素100G和100IR中的光学调节层16的厚度不同于子像素100R和100B中的光学调节层16的厚度。更具体地，子像素100G和100IR中的光学调节层16的厚度比子像素100R和100B中的光学调节层16的厚度厚。然而，子像素100G和100IR中的光学调节层16的厚度可比子像素100R和100B中的光学调节层16的厚度薄。
(光学调节层)
子像素100G和100IR中的光学调节层16的厚度相同。因此，子像素100G和100IR中的光学调节层16的第一表面的高度相同。光学调节层16在每个子像素100G和100IR中调节第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度。子像素100G和100IR中的光学调节层16的厚度被设置为使得对应于子像素100G的绿光和对应于子像素100IR的红外光谐振并且在谐振器结构中被加强。
[变形5]
在第一实施例及变形1和2中，已经描述了显示装置10、10A和10B包括滤色器19的示例。然而，显示装置10、10A和10B可以不包括滤色器19。类似地，稍后将描述的显示装置10C、10D、10E、10F、10G、10H和10I可以不包括滤色器19。
[变形6]
在第一实施例和变形1和2中，已经描述了子像素100R、子像素100G、和子像素100B中的全部包括滤波器的示例。然而，子像素100R、子像素100G、和子像素100B中的至少一个可包括滤波器。即，滤色器19可以包括红色滤波器19R、绿色滤波器19G或蓝色滤波器19B中的至少一个滤波器。例如，滤色器19可包括红色滤色器19R和蓝色滤色器19B。类似地，在稍后描述的变形11至13和17至19中，子像素100R、子像素100G、以及子像素100B中的至少一个可包括滤波器。
[变形7]
在第二实施例和变形3和4中，已经描述了显示装置20、20A和20B包括滤色器19的示例。然而，显示装置20、20A和20B可以不包括滤色器19。类似地，稍后将描述的显示装置20C、20D、20E、20F、20G、和20H可不包括滤色器19。
[变形8]
在第二实施例和变形3和4中，已经描述了子像素100R、子像素100G、子像素100B和子像素100IR均包括滤波器的示例。然而，子像素100R、子像素100G、子像素100B、或子像素100IR中的至少一个可包括滤波器。即，滤色器19可包括红色滤波器19R、绿色滤波器19G、蓝色滤波器19B或红外光透射滤波器19IR中的至少一个滤波器。类似地，在稍后描述的变形14至16和20至22中，子像素100R、子像素100G、子像素100B以及子像素100IR中的至少一个可包括滤波器。
[变形9]
在第一和第二实施例以及变形1至8中，已经描述了第一电极12由相邻的金属层和透明导电氧化物层形成的示例。然而，绝缘层可设置在金属层与透明导电氧化物层之间，并且金属层和透明导电氧化物层可彼此分离。在这种情况下，金属层和透明导电氧化物层可通过接触插头电连接。上述结构可类似地用于稍后描述的变形11至23。
[变形10]
在第一和第二实施例和变形1至8和11至23中，显示装置10、10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G、10H、10I、20、20A、20B、20C、20D、20E、20F、20G、和20H(在下文中，称为“显示装置10等”)可进一步包括填充树脂层和对置基板。填充树脂层设置在滤色器19和对置基板(counter substrate)之间。填充树脂层具有作为粘接滤色器19和对置基板的粘接层的功能。例如，填充树脂层包括选自包括热固性树脂、紫外线固化树脂等的组中的至少一种。
对置基板被设置成面向驱动基板11。对置基板密封多个发光元件101、滤色器19等。对置基板包括对从滤色器19发射的每种颜色的光透明的材料，诸如玻璃。
如上所述，在显示装置10等包括对置基板的情况下，滤色器19可设置在对置基板的第二表面(面向有机EL层14的表面)上。
[变形11]
图12是示出根据变形11的显示装置10C的配置的示例的截面图。显示装置10C与根据第一实施例的显示装置10(见图2)的不同之处在于，其进一步包括蚀刻停止层(etchingstop layer)21。
蚀刻停止层21是基底层的示例。当通过蚀刻形成开口16A时，蚀刻停止层21可以停止蚀刻的进程。蚀刻停止层21可具有保护层的功能，用于抑制湿气等从外部侵入第二电极15、有机EL层14等。蚀刻停止层21对在有机EL层14中产生的光具有透明性。
蚀刻停止层21的蚀刻速率慢于光学调节层16的蚀刻速率。在此，蚀刻速率是每单位时间通过蚀刻去除的层的厚度。光学调节层16相对于蚀刻停止层21的蚀刻选择性(Sb/Sa)优选为5以上，更优选为10以上，还更优选为15以上。如果选择比(Sb/Sa)为5以上，则可以抑制当通过蚀刻形成开口16A时由于蚀刻引起的蚀刻停止层21的厚度的减小。在本说明中，光学调节层16相对于蚀刻停止层21的蚀刻选择比(Sb/Sa)表示光学调节层16的蚀刻速率Sb与蚀刻停止层21的蚀刻速率Sa的蚀刻速率比(Sb/Sa)。
蚀刻停止层21连续地设置在显示区域110A中的多个子像素100(即，多个子像素100R、多个子像素100G和多个子像素100B)之上，并且是显示区域110A中的多个子像素100共用的层。子像素100G在第二电极15与半透射反射层17之间包括蚀刻停止层21。子像素100R和子像素100B在第二电极15和半透射反射层17之间依次包括蚀刻停止层21和光学调节层16。例如，蚀刻停止层21由金属层或透明导电氧化物层形成。
根据变形11的用于制造显示装置10C的方法与根据第一实施例的用于制造显示装置10的方法的不同之处在于，其在形成第二电极15的步骤和形成光学调节层16的步骤之间进一步包括形成蚀刻停止层21的步骤。
例如，在形成蚀刻停止层21的步骤中，通过气相沉积法或溅射法在第二电极15的第一表面上形成蚀刻停止层21。
如上所述，在根据变形11的显示装置10C中，子像素100G在第二电极15与半透射反射层17之间包括蚀刻停止层21。因此，当通过蚀刻在光学调节层16中形成开口16A时，可以通过蚀刻停止层21停止蚀刻的进程。因此，可以提高开口16A的深度的处理精度。即，可提高子像素100G中第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度的精度。
[变形12]
图13是示出根据变形12的显示装置10D的配置的示例的截面图。显示装置10D与根据变形1的显示装置10A(见图8)的不同之处在于，其进一步包括蚀刻停止层21。
子像素100G在第二电极15与半透射反射层17之间依次包括蚀刻停止层21和光学调节层16。子像素100R和子像素100B在第二电极15和半透射反射层17之间包括蚀刻停止层21。
如上所述，在根据变形12的显示装置10D中，子像素100R和子像素100B在第二电极15和半透射反射层17之间包括蚀刻停止层21。因此，当通过蚀刻在光学调节层16中形成开口16A时，可以通过蚀刻停止层21停止蚀刻的进程。因此，可以提高开口16A的深度的处理精度。即，可提高在子像素100R和子像素100B中的第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度的精度。
[变形13]
图14是示出根据变形13的显示装置10E的配置的示例的截面图。显示装置10E与根据变形2(参见图9)的显示装置10B的不同之处在于其包括光学调节层22而不是光学调节层16并且进一步包括蚀刻停止层21。
光学调节层22依次包括第一光学调节层22A和第二光学调节层22B。更具体地，子像素100R和子像素100B在第二电极15和半透射反射层17之间依次包括第一光学调节层22A和蚀刻停止层21。子像素100G在第二电极15与半透射反射层17之间依次包括第一光学调节层22A、蚀刻停止层21以及第二光学调节层22B。
第一光学调节层22A对在有机EL层14中产生的光具有透明性。第一光学调节层22A连续设置在显示区域110A中的多个子像素100(即，多个子像素100R、多个子像素100G和多个子像素100B)之上，并且是显示区域110A中的多个子像素100共用的层。
子像素100R、100G、和100B中的第一光学调节层22A的厚度基本相同。因此，子像素100R、100G、和100B中的第一光学调节层22A的第一表面的高度基本相同。第一光学调节层22A可调节在子像素100R和100B的每一个中的第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度。子像素100R和100B中的第一光学调节层22A的厚度被设置为使得对应于子像素100R的颜色的红光和对应于子像素100B的颜色的蓝光在谐振结构中谐振并被加强。
第二光学调节层22B对在有机EL层14中产生的光具有透明性。第二光学调节层22B可调节在子像素100G中的第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度。子像素100G中的第二光学调节层22B的厚度被设置为使得对应于子像素100G的颜色的绿光谐振并且在谐振器结构中被加强。
第一光学调节层22A可以是有机层、无机层或其层叠体。作为有机层和无机层的材料，可以示例类似于第一实施例中的光学调节层16的材料。
第二光学调节层22B可以是有机层、无机层或其层叠体。作为有机层和无机层的材料，可以示例类似于第一实施例中的光学调节层16的材料。
如上所述，在根据变形13的显示装置10E中，子像素100R和子像素100B在第一光学调节层22A与第二光学调节层22B之间包括蚀刻停止层21。因此，当通过蚀刻在第二光学调节层22B中形成开口16A时，可以通过蚀刻停止层21停止蚀刻的进程。因此，可以提高开口16A的深度的处理精度。即，可提高在子像素100R和子像素100B中的第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度的精度。
[变形14]
图15是示出了根据变形14的显示装置20C的配置的示例的截面图。显示装置20C与根据第二实施例的显示装置20(参见图7)的不同之处在于其还包括蚀刻停止层21。
蚀刻停止层21连续地设置在显示区域110A中的多个子像素100(即，多个子像素100R、多个子像素100G、多个子像素100B以及多个子像素100IR)之上，并且是显示区域110A中的多个子像素100共用的层。子像素100G和子像素100IR在第二电极15与半透射反射层17之间包括蚀刻停止层21。子像素100R和子像素100B在第二电极15和半透射反射层17之间依次包括蚀刻停止层21和光学调节层16。
如上所述，在根据变形14的显示装置20C中，子像素100G和子像素100IR在第二电极15与半透射反射层17之间包括蚀刻停止层21。因此，当通过蚀刻在光学调节层16中形成开口16A时，可以通过蚀刻停止层21停止蚀刻的进程。因此，可以提高开口16A的处理精度。即，可提高子像素100G和子像素100IR中第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度的精度。
[变形15]
图16是示出了根据变形15的显示装置20D的配置的示例的截面图。显示装置20D与根据变形3(见图10)的显示装置20A的不同之处在于，其还包括蚀刻停止层21。
子像素100G和子像素100IR在第二电极15与半透射反射层17之间依次包括蚀刻停止层21和光学调节层16。子像素100R和子像素100B在第二电极15和半透射反射层17之间包括蚀刻停止层21。
如上所述，在根据变形15的显示装置20D中，子像素100R和子像素100B在第二电极15和半透射反射层17之间包括蚀刻停止层21。因此，当通过蚀刻在光学调节层16中形成开口16A时，可以通过蚀刻停止层21停止蚀刻的进程。因此，可以提高开口16A的深度的处理精度。即，可提高在子像素100R和子像素100B中的第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度的精度。
[变形16]
图17是示出了根据变形16的显示装置20E的配置的示例的截面图。显示装置20E与根据变形4的显示装置20B(见图11)的不同之处在于其包括光学调节层22而不是光学调节层16并且进一步包括蚀刻停止层21。
光学调节层22依次包括第一光学调节层22A和第二光学调节层22B。更具体地，子像素100R和子像素100B在第二电极15和半透射反射层17之间依次包括第一光学调节层22A和蚀刻停止层21。子像素100G和子像素100IR在第二电极15与半透射反射层17之间依次包括第一光学调节层22A、蚀刻停止层21以及第二光学调节层22B。
第一光学调节层22A连续设置在显示区域110A中的多个子像素100(即，多个子像素100R、多个子像素100G和多个子像素100B)之上，并且是显示区域110A中的多个子像素100共用的层。
子像素100R、100G、100B以及100IR中的第一光学调节层22A的厚度基本相同。因此，子像素100R、100G、100B以及100IR中的第一光学调节层22A的第一表面的高度基本相同。第一光学调节层22A可调节在子像素100R和100B的每一个中的第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度。子像素100R和100B中的第一光学调节层22A的厚度被设置为使得对应于子像素100R的颜色的红光和对应于子像素100B的颜色的蓝光在谐振结构中谐振并被加强。
第二光学调节层22B可调节在子像素100G和100IR的每一个中的第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度。子像素100G和100IR中的第二光学调节层22B的厚度被设置为使得对应于子像素100G和100IR的绿光和对应于子像素100IR的红外光谐振并且在谐振器结构中被强化。
如上所述，在根据变形16的显示装置20E中，子像素100R和子像素100B在第一光学调节层22A与半透射反射层17之间包括蚀刻停止层21。因此，当通过蚀刻在第二光学调节层22B中形成开口16A时，可以通过蚀刻停止层21停止蚀刻的进程。因此，可以提高开口16A的深度的处理精度。即，可提高在子像素100R和子像素100B中的第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度的精度。
[变形17]
图18是示出根据变形17的显示装置10F的配置的示例的截面图。显示装置10F与根据第一实施例的显示装置10(参见图2)的不同之处在于其包括光学调节层23而不是光学调节层16。
类似于第一实施例中的光学调节层16，光学调节层23在对应于多个子像素100G的每个部分中具有开口16A。光学调节层23在第二电极15的第一表面上包括有机层23A和无机层23B。因为有机层23A的蚀刻速率比无机层23B的蚀刻速率快，所以当通过蚀刻来处理光学调节层23以形成开口16A时，通过第二电极15容易停止蚀刻的进程。
有机层23A相对于无机层23B的蚀刻选择性(Sc/Sd)优选为5以上，更优选为10以上，还更优选为15以上。如果蚀刻选择性(Sc/Sd)为5以上，则可增加有机层23A相对于第二电极15的蚀刻选择性(Sc/Sa)。因此，当通过蚀刻在光学调节层23中形成开口16A时，可以抑制由于蚀刻引起的第二电极15的厚度减小。在本说明书中，有机层23A相对于无机层23B的蚀刻选择性(Sc/Sd)表示有机层23A的蚀刻速率Sc与无机层23B的蚀刻速率Sd的蚀刻速率比(Sc/Sd)。此外，有机层23A相对于第二电极15的蚀刻选择性(Sc/Sa)表示有机层23A的蚀刻速率Sc与第二电极15的蚀刻速率Sa的蚀刻速率比(Sc/Sa)。
有机层23A相对于第二电极15的蚀刻选择性(Sc/Sa)优选为5以上，更优选为10以上，还更优选为15以上。如果选择比(Sb/Sa)为5以上，则可以抑制在通过蚀刻在光学调节层23中形成开口16A时由于蚀刻而导致的第二电极15的厚度减小。
例如，有机层23A可包括用于有机EL层14的已知有机材料。具体地，例如，有机层23A可包括选自包括空穴传输材料和电子传输材料的组中的至少一种。
空穴传输材料包括，例如，选自包括聚(9，9-二辛基芴-alt-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、4，4’-亚环己基双[N，N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、N，N’-二苯基-N，N’-二(间甲苯基)联苯胺(TPD)、N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基联苯胺(α苯基联苯)、4，4’，4”三-9-咔唑基三苯基苯胺(TCTA)、4，4’，4”三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺等的组中的至少一种。
例如，电子传输材料包括，选自包括以下的组中的至少一种：双-4，6-(3，5-二-3-吡啶基苯基)-2-甲基嘧啶(B3PymPm)、2-(4-联苯基)-5-(p-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(tBu-PBD)、1，3-双[5-(4-叔丁基苯基)-2-[1，3，4]噁二唑基]苯(OxD-7)、3-(联苯基-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)、浴铜灵(BCP)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)等。
有机层23A可包括与包含在有机EL层14中的有机材料相似的有机材料。具体地，例如，有机层23A可包括与空穴传输层14HTL或电子传输层14ETL的有机材料相似的有机材料。在这种情况下，因为有机层23A可以由与空穴传输层14HTL或电子传输层14ETL的成膜装置类似的成膜装置形成，所以可以简化制造装备。有机层23A可以包括诸如聚对二甲苯(注册商标)的对亚二甲苯基化合物。有机层23A可包括选自包括热固性树脂、紫外线固化树脂等的组中的至少一种。
如上所述，在根据变形17的显示装置10F中，光学调节层23在第二电极15的第一表面上依次包括有机层23A和无机层23B。因为有机层23A相对于第二电极15的蚀刻选择性(Sc/Sa)大，所以当通过蚀刻加工光学调节层23以形成开口16A时可以抑制由于蚀刻引起的第二电极15的厚度减小。因此，由于可提高开口16A的深度的处理精度，所以可提高在子像素100G中第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度的精度。
[变形18]
图19是示出了根据变形18的显示装置10G的配置的示例的截面图。显示装置10G与根据变形1(参见图8)的显示装置10A的不同之处在于其包括光学调节层23而不是光学调节层16。
类似于变形1中的光学调节层16，光学调节层23在对应于多个子像素100R和100B的每个部分中具有开口16A。
如上所述，在根据变形18的显示装置10G中，光学调节层23在第二电极15的第一表面上依次包括有机层23A和无机层23B。因为有机层23A相对于第二电极15的蚀刻选择性(Sc/Sa)大，所以当通过蚀刻加工光学调节层23以形成开口16A时可以抑制由于蚀刻引起的第二电极15的厚度减小。因此，因为可以提高开口16A的深度的处理精度，所以可以提高在子像素100R和子像素100B中的第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度的精度。
[变形19]
图20是示出根据变形19的显示装置10H的配置的示例的截面图。显示装置10H与根据变形2(参见图9)的显示装置10B的不同之处在于其包括光学调节层24而不是光学调节层16。
光学调节层24在对应于多个子像素100G的每个部分中具有突起16B。光学调节层24依次包括位于第二电极15的第一表面上的无机层24A、有机层24B以及无机层24C。突起16B由有机层24B和无机层24C的层叠体形成。有机层24B和无机层24C的层叠体在对应于多个子像素100R和100B的每个部分中具有开口16A。
除了无机层24A由无机材料形成之外，无机层24A类似于变形13(见图14)中的第一光学调节层22A。有机层24B和无机层24C分别类似于变形19中的有机层23A和无机层23B(参见图19)。
有机层24B与无机层24A的蚀刻选择性(Sf/Se)优选为5以上，更优选为10以上，并且还更优选为15以上。如果蚀刻选择性(Sf/Se)为5以上，则当通过蚀刻在有机层24B和无机层24C中形成开口16A时，可以抑制由于蚀刻导致的无机层24A的厚度减小。在本说明书中，有机层24B与无机层24A的蚀刻选择性(Sf/Se)代表有机层23A的蚀刻速率Sf与无机层23B的蚀刻速率Se的蚀刻速率比(Sf/Se)。
在根据变形19的显示装置10H中，光学调节层23包括无机层24A、有机层24B和无机层24C。因为有机层24B与无机层24A的蚀刻选择性(Sf/Se)大，所以当通过蚀刻处理有机层24B和无机层24C以形成开口16A时，可以抑制由于蚀刻导致的无机层24A的厚度减小。因此，因为可以提高开口16A的深度的处理精度，所以可以提高在子像素100R和子像素100B中的第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度的精度。
[变形20]
图21是示出了根据变形20的显示装置20F的配置的示例的截面图。显示装置20F与根据第二实施例的显示装置20(参见图7)的不同之处在于其包括光学调节层23而不是光学调节层16。
在变形20中，光学调节层23在分别对应于多个子像素100G和多个子像素100IR的每个部分中具有开口16A。
如上所述，在根据变形20的显示装置20F中，光学调节层23在第二电极15的第一表面上包括有机层23A和无机层23B。因此，有机层23A相对于第二电极15的蚀刻选择性(Sc/Sa)可增加。因此，当通过蚀刻加工光学调节层23以形成开口16A时，通过第二电极15容易停止蚀刻的进程。即，可提高子像素100G和子像素100IR中第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度的精度。
[变形21]
图22是示出了根据变形21的显示装置20G的配置的示例的截面图。显示装置20G与根据变形3(参见图10)的显示装置20A的不同之处在于其包括光学调节层23而不是光学调节层16。
在光学调节层23中，光学调节层23在对应于多个子像素100R和100B的每个部分中具有开口16A。
在根据变形21的显示装置20G中，光学调节层23在第二电极15的第一表面上包括有机层23A和无机层23B。因此，有机层23A相对于第二电极15的蚀刻选择性(Sc/Sa)可增加。因此，当通过蚀刻加工光学调节层23以形成开口16A时，通过第二电极15容易停止蚀刻的进程。即，可提高在子像素100R和子像素100B中的第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度的精度。
[变形22]
图23是示出了根据变形22的显示装置20H的配置的示例的截面图。显示装置20H与根据变形4的显示装置20B(见图11)的不同之处在于其包括光学调节层23而不是光学调节层16。
在变形22中，光学调节层24在对应于多个子像素100G和100IR的每个部分中具有突起16B。有机层24B和无机层24C的层叠体在对应于多个子像素100R和100B的每个部分中具有开口16A。
如上所述，在根据变形22的显示装置20H中，光学调节层23在第二电极15的第一表面上包括无机层24A、有机层24B以及无机层24C。因此，有机层24B相对于无机层24A的蚀刻选择性(Sf/Se)可以增加。因此，当通过蚀刻加工有机层24B和无机层24C以形成开口16A时，可以抑制由于蚀刻导致的无机层24A的厚度减小。因此，因为可以提高开口16A的深度的处理精度，所以可以提高在子像素100R和子像素100B中的第一电极12与半透射反射层17之间的光路长度的精度。
[变形23]
图24是示出了根据变形23的显示装置10I的配置的示例的截面图。显示装置10I与根据第一实施例的显示装置10(参见图3)的不同之处在于，其进一步包含透明电极25。
透明电极25是电连接半透射反射层17和接触部分12A的辅助电极。透明电极25对在有机EL层14中产生的光具有透明性。透明电极25设置在半透射反射层17的第一表面上以遵循由多个开口16A形成的不规则性。透明电极25的外围边缘部分25A延伸到外围区域110B。透明电极25的外围边缘部分25A可以直接连接至接触部分12A的第一表面，或者透明电极25的外围边缘部分25A可以电连接至接触部分12A的第一表面以将第二电极15的外围边缘部分15A夹在其间。
例如，透明电极25由金属层或透明导电氧化物层中的至少一个形成。更具体地，第二电极15由金属层或者透明导电氧化物层的单层膜形成，或者由金属层和透明导电氧化物层的层叠膜形成。作为金属层，可以例示与第二电极15的金属类似的材料。作为透明导电氧化物，可例示与第二电极15的透明导电氧化物类似的材料。
在根据变形23的显示装置10I中，由于显示装置10I进一步包括透明电极25，因此可以减小第二电极15的电阻。
图24示出了半透射反射层17在子像素100R与子像素100G之间以及在子像素100G与子像素100B之间划分的示例。然而，如图25所示，半透射反射层17可连接在子像素100R与子像素100G之间以及子像素100G与子像素100B之间。即，半透射反射层17可连接在显示区域110A中的子像素100之间。在这种情况下，可进一步降低第二电极15的电阻。
<4应用例>
(电子装置)
根据上述第一和第二实施例及其变形的显示装置10等可以用于各种电子装置。例如，显示装置10等可结合在各种电子装置中作为如图26中所示的模块。具体地，其适用于需要高分辨率并且紧邻眼睛被放大和使用的摄像机或单镜头反光相机、头戴式显示器等的电子取景器。该模块包括在驱动基板11的一个短边上不用对置基板等覆盖而暴露的区域210，并且外部连接端子(未示出)通过延伸信号线驱动电路111和扫描线驱动电路112的布线而形成在该区域210中。用于输入和输出信号的柔性印刷电路(FPC)220可连接到外部连接端子。
(具体示例1)
图27A和图27B示出了数码相机310的外观的示例。数字静态相机310是可更换镜头的单镜头反射型，并且包括基本上在相机主体部(相机主体)311的前面的中心处的可更换成像透镜单元(可更换镜头)312和将由摄影师在左前侧握持的握持部313。
监视器314设置在从相机主体部311的后表面的中心向左偏移的位置处。在监视器314的上方设有电子取景器(目镜窗)315。通过透过电子取景器315进行观察，拍摄者可以在视觉上识别从成像透镜单元312引导的对象的光图像并且确定图片组成。作为电子取景器315，可使用任何显示装置10等。
(具体示例2)
图28示出了头戴式显示器320的外观的示例。例如，头戴式显示器320包括在玻璃形状的显示单元321的两侧佩戴在用户的头部上的耳钩部322。作为显示单元321，可以使用显示装置10等中的任何一个。
(具体示例3)
图29示出了电视设备330的外观的示例。电视设备330包括，例如，包括前面板332和滤光镜333的视频显示屏幕单元331，并且视频显示屏幕单元331包括显示装置10等中的任何一个。
<5模拟示例>
在下文中，将通过模拟具体描述本公开，但是本公开不限于这些模拟。注意，在以下模拟中，使用有机装置模拟器(setfos(注册商标)，由Fluxim制造)作为模拟软件。
[模拟1-1、1-2、1-3和2]
模拟1-1、1-2、1-3和2涉及有机EL层包括单层发光单元的显示装置。具有示于表1中的结构的显示装置的外耦合效率通过模拟获得。在模拟1-1、1-2和1-3中使用的显示装置的配置分别对应于图2、图8和图9中所示的显示装置的配置。然而，模拟1-1、1-2和1-3被配置为没有滤色器。图30、图31和图32分别示出了在400nm至800nm的波长范围内的模拟1-1、1-2和1-3的结果。图36、图37和图38分别示出了在400nm至1000nm的波长范围内的模拟1-1、1-2和1-3的结果。在所有图30、图31、图32、图36、图37和图38中示出了模拟2的结果，用于与模拟1-1、1-2和1-3的结果进行比较。
[模拟3-1、3-2、3-3和4]
模拟3-1、3-2、3-3和4涉及有机EL层包括单层发光单元的显示装置。通过模拟获得表2中所示结构的显示装置的外耦合效率。在模拟3-1、3-2和3-3中使用的显示装置的配置分别对应于图2、图8和图9中所示的显示装置的配置。然而，模拟3-1、3-2和3-3被配置为没有滤色器。图33、图34和图35分别示出了在400nm至800nm的波长范围内的模拟3-1、3-2、以及3-3的结果。在图39、图40以及图41中分别示出了在400nm至1000nm的波长范围内的模拟3-1、3-2以及3-3的结果。在所有图33、图34、图35、图39、图40和图41中示出了模拟4的结果，用于与模拟3-1、3-2和3-3的结果进行比较。
[模拟5-1、5-2、5-3、6]
模拟5-1、5-2、5-3和6涉及有机EL层包括两层发光单元(具有串联结构的发光单元)的显示装置。通过模拟获得具有在表3中示出的结构的显示装置的外耦合效率。在模拟5-1、5-2和5-3中使用的显示装置的配置分别对应于图2、图8和图9中所示的显示装置的配置。然而，模拟5-1、5-2和5-3被配置为没有滤色器。在图42、图43以及图44中分别示出了在400nm至1000nm的波长范围内的模拟5-1、5-2以及5-3的结果。在所有图42、图44和图43中示出了模拟6的结果，用于与模拟5-1、5-2和5-3的结果进行比较。
[模拟7-1、7-2、7-3和8]
模拟7-1、7-2、7-3和8涉及有机EL层包括两层发光单元(具有串联结构的发光单元)的显示装置。通过模拟获得具有在表4中示出的结构的显示装置的外耦合效率。模拟7-1、7-2和7-3中使用的显示装置的配置分别对应于图2、图8和图9中所示的显示装置的配置。然而，模拟7-1、7-2和7-3被配置为没有滤色器。在图45、图46以及图47中分别示出了在400nm至1000nm的波长范围内的模拟7-1、7-2以及7-3的结果。在所有图45、图46以及图47中示出了模拟8的结果，用于与模拟3-1、3-2以及3-3的结果进行比较。
表1示出了在模拟1-1、1-2、1-3和2中使用的显示装置的配置。
[表1]
表2示出了在模拟3-1、3-2、3-3和4中使用的显示装置的配置。
[表2]
表3示出在模拟5-1、5-2、5-3和6中使用的显示装置的配置。
[表3]
/>
表4示出了在模拟7-1、7-2、7-3和8中使用的显示装置的配置。
[表4]
/>
关于其中有机EL层包括单层发光单元的显示装置，从图30至图35和图36至图41可以看出。
模拟1-1、1-2和1-3的外耦合效率高于模拟2的外耦合效率。另外，模拟3-1、3-2和3-3的外耦合效率高于模拟4的外耦合效率。因此，在有机EL层包括单层发光单元的情况下，通过使用图2、图8和图9中所示的显示装置的配置，可以提高外耦合效率。
对于其中有机EL层包括两层发光单元(具有串联结构的发光单元)的显示装置，可从图42至图47看到以下描述。
模拟5-1、5-2和5-3的外耦合效率高于模拟6的外耦合效率。另外，模拟7-1、7-2和7-3的外耦合效率高于模拟8的外耦合效率。因此，在有机EL层包括两层发光单元(具有串联结构的发光单元)的情况下，通过使用图2、图8和图9中所示的显示装置的配置，可以提高输出耦合效率。
虽然以上具体描述了本公开的第一实施例和第二实施例及其变形，但是本公开不限于上述第一实施例和第二实施例及其变形，并且基于本公开的技术构思的各种修改是可能的。
例如，在上述第一和第二实施例及其变形中提及的配置、方法、步骤、形状、材料、数值等仅是示例，并且根据需要，可使用与这些不同的配置、方法、步骤、形状、材料、数值等。
在不背离本公开的主旨的情况下，上述第一实施例和第二实施例及其变形的配置、方法、步骤、形状、材料、数值等可彼此组合。
在上述第一和第二实施例及其变型例中举例说明的材料可以单独使用或者两种或更多种组合使用，除非另有说明。
此外，本公开还可采用以下配置。
(1)
一种显示装置，包括多个第一子像素、多个第二子像素和多个第三子像素，
其中，第一子像素包括发射第一光和第三光的第一发光元件，
第二子像素包括发射第二光的第二发光元件，
第三子像素包括发射第一光和第三光的第三发光元件，
第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件各自包括第一电极、包括发光层的有机层、第二电极以及半透射反射层，并且谐振器结构由第一电极和半透射反射层配置，以及
第一发光元件和第三发光元件中的半透射反射层的高度相同。
(2)
根据(1)所述的显示装置，其中，第一子像素、第二子像素和第三子像素中的至少一个子像素进一步包括滤波器。
(3)
根据(2)所述的显示装置，
其中，在第一子像素包括滤波器的情况下，滤波器是具有与第一光相同颜色的滤波器，
在第二子像素包括滤波器的情况下，滤波器是具有与第二光相同颜色的滤波器，以及
在第三子像素包括滤波器的情况下，滤波器是具有与第三光相同颜色的滤波器。
(4)
根据(1)所述的显示装置，
其中，第一子像素进一步包括具有与第一光相同颜色的第一滤波器，
第二子像素进一步包括具有与第二光相同颜色的第二滤波器，以及
第三子像素进一步包括具有与第三光相同颜色的第三滤波器。
(5)
根据(1)至(4)中任一项所述的显示装置，
其中，第一发光元件和第三发光元件在第二电极与半透射反射层之间各自进一步包括光学调节层，以及
第一发光元件与第三发光元件中的光学调节层的厚度相同。
(6)
根据(5)所述的显示装置，其中，第二电极和半透射反射层在第二发光元件中彼此相邻。
(7)
根据(1)至(4)中任一项所述的显示装置，其中，第二发光元件在第二电极与半透射反射层之间进一步包括光学调节层。
(8)
根据(7)所述的显示装置，其中，第二电极和半透射反射层在第一发光元件和第三发光元件中彼此相邻。
(9)
根据(1)至(4)中任一项所述的显示装置，
其中，第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件在第二电极与半透射反射层之间各自进一步包括光学调节层，以及
第二发光元件中的光学调节层的厚度与第一发光元件和第三发光元件中的光学调节层的厚度不同。
(10)
根据(9)所述的显示装置，其中，第二发光元件中的光学调节层的厚度比第一发光元件和第三发光元件中的光学调节层的厚度厚。
(11)
根据(1)至(10)中任一项所述的显示装置，其中，第一光、第二光和第三光分别是红光、绿光和蓝光。
(12)
根据(1)至(11)中任一项所述的显示装置，
其中，第一发光元件和第三发光元件被配置为在谐振器结构中使第一光和第三光谐振，以及
第二发光元件被配置为在谐振器结构中使第二光谐振。
(13)
根据(1)至(12)中任一项所述的显示装置，其中，有机层设置在多个第一子像素、多个第二子像素以及多个第三子像素之上。
(14)
根据(1)所述的显示装置，进一步包括多个第四子像素，
其中，第四子像素包括发射第二光和第四光的第四发光元件，
第二发光元件还发射第四光，
第四发光元件包括第一电极、有机层、第二电极和半透射反射层，并且谐振器结构由第一电极和半透射反射层配置，以及
第二发光元件和第四发光元件中的半透射反射层的高度相同。
(15)
根据(14)所述的显示装置，其中，第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素中的至少一个子像素进一步包括滤波器。
(16)
根据(15)所述的显示装置，
其中，在第一子像素包括滤波器的情况下，滤波器是具有与第一光相同颜色的滤波器，
在第二子像素包括滤波器的情况下，滤波器是具有与第二光相同颜色的滤波器，
在第三子像素包括滤波器的情况下，滤波器是具有与第三光相同颜色的滤波器，并且
在第四子像素包括滤波器的情况下，滤波器是被配置为透射第四光的滤波器。
(17)
根据(14)所述的显示装置，
其中，第一子像素进一步包括具有与第一光相同颜色的第一滤波器，
第二子像素进一步包括具有与第二光相同颜色的第二滤波器，
第三子像素进一步包括具有与第三光相同颜色的第三滤波器，以及
第四子像素进一步包括第四滤波器，第四滤波器被配置为透射第四光。
(18)
根据(14)至(17)中任一项所述的显示装置，其中，第一光、第二光、第三光和第四光分别是红光、绿光、蓝光和红外光。
(19)
根据(14)至(18)中任一项所述的显示装置，
其中，第一发光元件和第三发光元件被配置为在谐振器结构中使第一光和第三光谐振，以及
第二发光元件和第四发光元件被配置为在谐振器结构中使第二光和第四光谐振。
(20)
一种电子装置，包括根据(1)至(19)中任一项所述的显示装置。
此外，本公开还可采用以下配置。
(21)
一种显示装置，包括：发射第一光的多个第一子像素、发射第二光的多个第二子像素、以及发射第三光的多个第三子像素，
其中，每个第一子像素包括发射第一光和第三光的第一发光元件以及具有与第一光相同颜色的第一滤色器，
每个第二子像素包括发射第二光的第二发光元件以及具有与第二光相同颜色的第二滤色器，
每个第三子像素包括发射第一光和第三光的第三发光元件以及具有与第三光相同颜色的第三滤色器，
第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件各自包括第一电极、包括发光层的有机层、第二电极以及半透射反射层，并且谐振器结构由第一电极和半透射反射层配置，以及
第一发光元件和第三发光元件中的半透射反射层的高度相同。
(22)
根据(21)所述的显示装置，
其中，第一发光元件和第三发光元件在第二电极与半透射反射层之间各自进一步包括光学调节层，以及
第一发光元件和第三发光元件中的光学调节层的厚度相同。
(23)
根据(22)所述的显示装置，其中，第二电极和半透射反射层在第二发光元件中彼此相邻。
(24)
根据(21)所述的显示装置，其中，第二发光元件在第二电极与半透射反射层之间进一步包括光学调节层。
(25)
根据(24)所述的显示装置，其中，第二电极和半透射反射层在第一发光元件和第三发光元件中彼此相邻。
(26)
根据(21)所述的显示装置，
其中，第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件在第二电极与半透射反射层之间各自进一步包括光学调节层，以及
第二发光元件中的光学调节层的厚度与第一发光元件和第三发光元件中的光学调节层的厚度不同。
(27)
根据(26)所述的显示装置，其中，第二发光元件中的光学调节层的厚度比第一发光元件和第三发光元件中的光学调节层的厚度厚。
(28)
根据(21)至(27)中任一项所述的显示装置，其中，第一光、第二光和第三光分别是红光、绿光和蓝光。
(29)
根据(21)至(28)中任一项所述的显示装置，
其中，第一发光元件和第三发光元件被配置为在谐振器结构中使第一光和第三光谐振，以及
第二发光元件被配置为在谐振器结构中使第二光谐振。
(30)
根据(21)至(29)中任一项所述的显示装置，其中，有机层设置在多个第一子像素、多个第二子像素和多个第三子像素之上。
(31)
根据(21)所述的显示装置，进一步包括发射第四光的多个第四子像素，
其中，每个第四子像素包括发射第二光和第四光的第四发光元件，
第二发光元件中的每一个还发射第四光，
第四发光元件包括第一电极、有机层、第二电极和半透射反射层，并且谐振器结构由第一电极和半透射反射层配置，以及
第二发光元件和第四发光元件中的半透射反射层的高度相同。
(32)
根据(31)所述的显示装置，
其中，第一发光元件和第三发光元件在第二电极与半透射反射层之间各自进一步包括光学调节层，以及
第一发光元件和第三发光元件中的光学调节层的厚度相同。
(33)
根据(32)所述的显示装置，其中，第二电极和半透射反射层在第二发光元件和第四发光元件中彼此相邻。
(34)
根据(31)所述的显示装置，其中，第二发光元件和第四发光元件在第二电极与半透射反射层之间各自进一步包括光学调节层。
(35)
根据(34)所述的显示装置，其中，第二电极和半透射反射层在第一发光元件和第三发光元件中彼此相邻。
(36)
根据(31)所述的显示装置，
其中，第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件以及第四发光元件在第二电极与半透射反射层之间各自进一步包括光学调节层，以及
第二发光元件和第四发光元件中的光学调节层的厚度与第一发光元件和第三发光元件中的光学调节层的厚度不同。
(37)
根据(31)至(36)中任一项所述的显示装置，其中，第一光、第二光、第三光和第四光分别是红光、绿光、蓝光和红外光。
(38)
根据(31)至(37)中任一项所述的显示装置，
其中，第一发光元件和第三发光元件被配置为在谐振器结构中使第一光和第三光谐振，以及
第二发光元件和第四发光元件被配置为在谐振器结构中使第二光和第四光谐振。
(39)
根据(31)至(38)中任一项所述的显示装置，其中，有机层被设置在多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素以及多个第四子像素之上。
(40)
一种电子装置，包括根据(1)至(39)中任一项所述的显示装置。
此外，本公开还可采用以下配置。
(41)
一种显示装置，包括多个第一子像素、多个第二子像素和多个第三子像素，
其中，第一子像素包括发射第一光和第三光的第一发光元件，
第二子像素包括发射第二光的第二发光元件，
第三子像素包括发射第一光和第三光的第三发光元件，
第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件各自包括第一电极、包括发光层的有机层、第二电极以及半透射反射层，并且谐振器结构由第一电极和半透射反射层配置，以及
第一发光元件和第三发光元件中的半透射反射层的高度相同。
(42)
根据(41)所述的显示装置，
其中，第一子像素、第二子像素和第三子像素中的至少一个子像素进一步包括滤波器，
在第一子像素包括滤波器的情况下，滤波器是具有与第一光相同颜色的滤波器，
在第二子像素包括滤波器的情况下，滤波器是具有与第二光相同颜色的滤波器，以及
在第三子像素包括滤波器的情况下，滤波器是具有与第三光相同颜色的滤波器。
(43)
根据(41)所述的显示装置，
其中，第一子像素进一步包括具有与第一光相同颜色的第一滤波器，
第二子像素进一步包括具有与第二光相同颜色的第二滤波器，以及
第三子像素进一步包括具有与第三光相同的颜色的第三滤波器。
(44)
根据(41)至(43)中任一项所述的显示装置，
其中，第一发光元件和第三发光元件在第二电极与半透射反射层之间各自进一步包括光学调节层，以及
第一发光元件和第三发光元件中的光学调节层的厚度相同。
(45)
根据(44)所述的显示装置，其中，第二电极和半透射反射层在第二发光元件中彼此相邻。
(46)
根据(44)或(45)所述的显示装置，其中，光学调节层依次包括有机层和无机层。
(47)
根据(41)至(43)中任一项所述的显示装置，
其中，第一发光元件和第三发光元件依次在第二电极与半透射反射层之间各自进一步包括基础层和光学调节层，
第一发光元件在第二电极与半透射反射层之间进一步包括基底层，以及
基底层的蚀刻速率比光学调节层的蚀刻速率慢。
(48)
根据(41)至(43)中任一项所述的显示装置，其中，第二发光元件在第二电极与半透射反射层之间进一步包括光学调节层。
(49)
根据(48)所述的显示装置，其中，第二电极和半透射反射层在第一发光元件和第三发光元件中彼此相邻。
(50)
根据(41)至(43)中任一项所述的显示装置，
其中，第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件在第二电极与半透射反射层之间各自进一步包括光学调节层，以及
第二发光元件中的光学调节层的厚度与第一发光元件和第三发光元件中的光学调节层的厚度不同。
(51)
根据(50)所述的显示装置，其中，第二发光元件中的光学调节层的厚度比第一发光元件和第三发光元件中的光学调节层的厚度厚。
(52)
根据(41)至(51)中任一项所述的显示装置，
其中，第一发光元件和第三发光元件被配置为在谐振器结构中使第一光和第三光谐振，以及
第二发光元件被配置为在谐振器结构中使第二光谐振。
(53)
根据(41)至(43)中任一项所述的显示装置，进一步包括多个第四子像素，
其中，第四子像素包括发射第二光和第四光的第四发光元件，
第二发光元件还发射第四光，
第四发光元件包括第一电极、有机层、第二电极和半透射反射层，并且谐振器结构由第一电极和半透射反射层配置，以及
第二发光元件和第四发光元件中的半透射反射层的高度相同。
(54)
根据(53)所述的显示装置，
其中，第一子像素、第二子像素、第三子像素或第四子像素中的至少一个子像素进一步包括滤波器，
在第一子像素包括滤波器的情况下，滤波器是具有与第一光相同颜色的滤波器，
在第二子像素包括滤波器的情况下，滤波器是具有与第二光相同颜色的滤波器，
在第三子像素包括滤波器的情况下，滤波器是具有与第三光相同颜色的滤波器，以及
在第四子像素包括滤波器的情况下，滤波器是被配置为透射第四光的滤波器。
(55)
根据(53)所述的显示装置，
其中，第一子像素进一步包括具有与第一光相同颜色的第一滤波器，
第二子像素进一步包括具有与第二光相同的颜色的第二滤波器，
第三子像素进一步包括具有与第三光相同颜色的第三滤波器，以及
第四子像素进一步包括第四滤波器，第四滤波器被配置为透射第四光。
(56)
根据(53)至(55)中任一项所述的显示装置，
其中，第一发光元件和第三发光元件被配置为在谐振器结构中使第一光和第三光谐振，以及
第二发光元件和第四发光元件被配置为在谐振器结构中使第二光和第四光谐振。
(57)
根据(41)至(56)中任一项所述的显示装置，其中，有机层包括至少一个电荷产生层。
(58)
根据(41)至(57)中任一项所述的显示装置，进一步包括接触部分和辅助电极，
其中，辅助电极电连接半透射反射层和接触部分。
(59)
根据(41)至(57)中任一项所述的显示装置，进一步包括接触部分，其中，半透射反射层电连接第二电极和接触部分。
(60)
一种电子装置，包括根据(41)至(59)中任一项的显示装置。
参考符号列表
10、10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G、10H、10I、20、20A、20B、20C、20D、20E、20F、20G、20H显示装置
11 驱动基板
12 第一电极
12A接触部分
13绝缘层
13A开口
14 有机电致发光层
15 第二电极
16 光学调节层
16A开口
16B 突起
16C 凹部
17 半透射反射层
18 保护层
19 滤色器
19R 红色滤波器
19G 绿色滤波器
19B 蓝色滤波器
19IR IR滤波器
21蚀刻停止层
22A第一光学调节层
22B第二光学调节层
22、23、24光学调节层
23A、24B有机层
23B、24A、24C无机层
25透明电极
25A外围边缘部分
100R、100G、100B、100IR子像素
101R、101G、101B、101IR发光元件
110A显示区域
110B 外围区域
111 信号线驱动电路
111A信号线
112 扫描线驱动电路
112A扫描线
310数码相机(电子装置)
320头戴式显示器(电子装置)
330电视装置(电子装置)

Claims (20)

1.一种显示装置，包括多个第一子像素、多个第二子像素和多个第三子像素，
其中，所述第一子像素包括发射第一光和第三光的第一发光元件，
所述第二子像素包括发射第二光的第二发光元件，
所述第三子像素包括发射第一光和第三光的第三发光元件，
所述第一发光元件、所述第二发光元件以及所述第三发光元件各自包括第一电极、包括发光层的有机层、第二电极以及半透射反射层，并且谐振器结构由所述第一电极和所述半透射反射层配置，以及
所述第一发光元件和所述第三发光元件中的所述半透射反射层的高度相同。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的至少一个子像素进一步包括滤波器，
在所述第一子像素包括所述滤波器的情况下，所述滤波器是具有与所述第一光相同颜色的滤波器，
在所述第二子像素包括所述滤波器的情况下，所述滤波器是具有与所述第二光相同颜色的滤波器，以及
在所述第三子像素包括所述滤波器的情况下，所述滤波器是具有与所述第三光相同颜色的滤波器。
3.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述第一子像素进一步包括具有与所述第一光相同颜色的第一滤波器，
所述第二子像素进一步包括具有与所述第二光相同颜色的第二滤波器，以及
所述第三子像素进一步包括具有与所述第三光相同颜色的第三滤波器。
4.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述第一发光元件和所述第三发光元件在所述第二电极与所述半透射反射层之间各自进一步包括光学调节层，以及
所述第一发光元件与所述第三发光元件中的所述光学调节层的厚度相同。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二电极和所述半透射反射层在所述第二发光元件中彼此相邻。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述光学调节层依次包括有机层和无机层。
7.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述第一发光元件和所述第三发光元件依次在所述第二电极与所述半透射反射层之间各自进一步包括基底层和光学调节层，
所述第一发光元件在所述第二电极与所述半透射反射层之间进一步包括所述基底层，以及
所述基底层的蚀刻速率比所述光学调节层的蚀刻速率慢。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二发光元件在所述第二电极与所述半透射反射层之间进一步包括光学调节层。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二电极和所述半透射反射层在所述第一发光元件和所述第三发光元件中彼此相邻。
10.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述第一发光元件、所述第二发光元件以及所述第三发光元件在所述第二电极与所述半透射反射层之间各自进一步包括光学调节层，以及
所述第二发光元件中的所述光学调节层的厚度与所述第一发光元件和所述第三发光元件中的所述光学调节层的厚度不同。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第二发光元件中的所述光学调节层的厚度比所述第一发光元件和所述第三发光元件中的所述光学调节层的厚度厚。
12.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述第一发光元件和所述第三发光元件被配置为在所述谐振器结构中能够谐振所述第一光和所述第三光，以及
所述第二发光元件被配置为在所述谐振器结构中能够谐振所述第二光。
13.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括多个第四子像素，
其中，所述第四子像素包括发射所述第二光和第四光的第四发光元件，
所述第二发光元件还发射所述第四光，
所述第四发光元件包括所述第一电极、所述有机层、所述第二电极和所述半透射反射层，并且所述谐振器结构由所述第一电极和所述半透射反射层配置，以及
所述第二发光元件和所述第四发光元件中的所述半透射反射层的高度相同。
14.根据权利要求13所述的显示装置，
其中，所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素中的至少一个子像素进一步包括滤波器，
在所述第一子像素包括所述滤波器的情况下，所述滤波器是具有与所述第一光相同颜色的滤波器，
在所述第二子像素包括所述滤波器的情况下，所述滤波器是具有与所述第二光相同颜色的滤波器，
在所述第三子像素包括所述滤波器的情况下，所述滤波器是具有与所述第三光相同颜色的滤波器，以及
在所述第四子像素包括所述滤波器的情况下，所述滤波器是被配置为透射所述第四光的滤波器。
15.根据权利要求13所述的显示装置，
其中，所述第一子像素进一步包括具有与所述第一光相同颜色的第一滤波器，
所述第二子像素进一步包括具有与所述第二光相同颜色的第二滤波器，
所述第三子像素进一步包括具有与所述第三光相同颜色的第三滤波器，以及
所述第四子像素进一步包括第四滤波器，所述第四滤波器被配置为能够透射所述第四光。
16.根据权利要求13所述的显示装置，
其中，所述第一发光元件和所述第三发光元件被配置为在所述谐振器结构中能够谐振所述第一光和所述第三光，以及
所述第二发光元件和所述第四发光元件被配置为在所述谐振器结构中能够谐振所述第二光和所述第四光。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机层包括至少一个电荷产生层。
18.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：接触部分和辅助电极，
其中，所述辅助电极电连接所述半透射反射层和所述接触部分。
19.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：接触部分，
其中，所述半透射反射层电连接所述第二电极和所述接触部分。
20.一种电子装置，包括根据权利要求1所述的显示装置。
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