TW202143477A - 顯示裝置及電子機器 - Google Patents

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TW202143477A
TW202143477A TW110111983A TW110111983A TW202143477A TW 202143477 A TW202143477 A TW 202143477A TW 110111983 A TW110111983 A TW 110111983A TW 110111983 A TW110111983 A TW 110111983A TW 202143477 A TW202143477 A TW 202143477A
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內田昌志
加藤裕
笠原直也
山崎崇
大地朋和
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日商索尼股份有限公司
日商索尼半導體解決方案公司
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Abstract

本發明之顯示裝置具備陽極電極、有機發光層、及第1陰極電極。該顯示裝置具備：複數個發光元件，其等之陽極電極、有機發光層及第1陰極按每個子像素而分離；保護層，其覆蓋複數個發光元件；及第2陰極電極，其設置於保護層上。第2陰極電極連接於經分離之各第1陰極電極。

Description

顯示裝置及電子機器
本揭示係關於一種顯示裝置及具備其之電子機器。
近年，使用有機EL(Electro-Luminescence：電致發光)元件之顯示裝置之開發正在進行中。使用有機EL元件之顯示裝置具有如下構造，於按每個像素隔開形成之第1電極上，積層至少包含有機發光層之有機層及第2電極。1個像素由RGB等複數個子像素構成。
於專利文獻1中，提案有上部電極由第1上部電極、與直接設置於第1上部電極上之第2上部電極構成之有機發光裝置。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利特開2016-021380號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，於專利文獻1所記載之有機發光裝置中，於第1上部電極或第2上部電極之圖案化步驟等，有機發光層暴露於製程氣體或藥液等，受到損傷而劣化。因此，於專利文獻1所記載之有機發光裝置中，有可靠性降低之問題。
本揭示之目的在於提供一種可抑制可靠性降低之顯示裝置及具備其之電子機器。 [解決問題之技術手段]
為了解決上述問題，第1揭示係一種顯示裝置，其具備：複數個發光元件，該等複數個發光元件具備陽極電極、有機發光層、及第1陰極電極，且陽極電極、有機發光層及第1陰極按每個子像素而分離；保護層，其覆蓋複數個發光元件；及第2陰極電極，其設置於保護層上；且第2陰極電極連接於經分離之各第1陰極電極。
第2揭示係一種顯示裝置，其具備：複數個發光元件，該等複數個發光元件具備第1電極、有機發光層、及第2電極，且第2電極、有機發光層及第2電極按每個子像素而分離；保護層，其覆蓋複數個發光元件；及第3電極，其設置於保護層上；且第3電極連接於經分離之各第2電極。
第3揭示係一種電子機器，其具備第1揭示或第2揭示之顯示裝置。
亦可為保護層具有接點孔，第2陰極電極經由接點孔連接於經分離之各第1陰極電極。
子像素之形狀亦可為大致橢圓形、大致六角形、大致正方形或大致長方形。
複數個發光元件亦可包含構成為能放射紅色光之複數個第1發光元件、構成為能放射綠色光之複數個第2發光元件、及構成為能放射藍色光之複數個第3發光元件。 複數個發光元件亦可構成為能放射白色光。
第1陰極電極、第2陰極電極亦可各自獨立地包含透明之金屬氧化物、金屬或合金。金屬氧化物亦可包含選自由銦-鋅氧化物(IZO)、銦-錫氧化物(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO)、鋁-鋅氧化物(AZO)及鎵-鋅氧化物(GZO)所組成之群之至少1種。金屬亦可包含選自由鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鈉(Na)及鍶(Sr)所組成之群之至少1種。合金亦可包含選自由鹼金屬或鹼土類金屬與Ag之合金、鎂(Mg)與銀(Ag)之合金、鎂(Mg)與鈣(Ca)之合金、及鋁(Al)與鋰(Li)之合金所組成之群之至少1種。
亦可為第1陰極電極包含透明之金屬氧化物，第2陰極電極包含金屬或合金。該情形時，亦可由陽極電極與第2陰極電極，於每個子像素構成共振器構造。
亦可為第1陰極電極包含金屬或合金，第2陰極電極包含透明之金屬氧化物。該情形時，亦可由陽極電極與第1陰極電極，於每個子像素構成共振器構造。
保護層亦可包含無機氧化物及有機絕緣材料中之至少1種。無機氧化物亦可例如包含選自由氮化矽(SiN)、氧化矽(SiO)、氮氧化矽(SiON)、氧化鋁(AlO)及氧化鈦(TiO)所組成之群之至少1種。
保護層可為單層膜，亦可為多層膜。亦可為多層膜具備第1至第n層，且該等第1至第n層包含互不相同之材料，例如互不相同之無機氧化物或有機絕緣材料。
亦可為複數個子像素包含複數個紅色子像素、複數個綠色子像素及複數個藍色子像素，且經分離之第1陰極電極上之保護層之厚度於紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素間大致相同。
亦可為於子像素，設置使由有機發光層產生之光共振之共振器構造，複數個子像素包含複數個紅色子像素、複數個綠色子像素及複數個藍色子像素，經分離之第1陰極電極上之保護層之厚度於每個紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素間不同。該情形時，共振器構造亦可由陽極電極與第2陰極電極構成。
第1陰極電極與第2陰極電極亦可於子像素之發光區域外連接。
亦可為第1陰極電極與第2陰極電極之連接部之個數相對於1個子像素為1個或2個以上。若基於提高第1陰極電極與第2陰極電極之間之導電性之觀點，則第1陰極電極與第2陰極電極之連接部之個數較佳相對於1個子像素為2個以上。
亦可為第2陰極電極具有複數個接點部，且1個接點部連接於2個以上之子像素。
第1陰極電極與第2陰極電極之連接部亦可具有點狀或線狀。此處，點狀或線狀為自垂直於顯示裝置之顯示面之方向俯視連接部時之形狀。點狀之連接部亦可為大致三角形、大致四角形、大致圓形、大致六角形、大致八角形或線狀。
亦可為第1陰極電極具有與第2陽極電極對向之對向面，且線狀之連接部沿對向面之周緣設置。
第2陰極電極亦可連接於第1陰極電極之端部。
亦可為第1陰極電極具有相對於發光元件之發光區域之周緣突出之突出部，且第2陰極電極於突出部連接於第1陰極電極。
亦可為發光元件於該發光元件之發光區域之周緣具有缺口部，且第2陰極電極於缺口部連接於第1陰極電極。
亦可為保護層具有複數個氣隙，且該等複數個氣隙分別設置於相鄰之子像素間。
亦可為顯示裝置進而具備覆蓋第2陰極電極之保護層。
亦可為顯示裝置進而具備與複數個發光元件對向設置之彩色濾光片，亦可為進而具備設置於複數個發光元件上之晶載彩色濾光片。
亦可為第1電極為陽極電極，第2電極、第3電極分別為第1陰極電極、第2陰極電極，亦可為第1電極為陰極電極，第2電極、第3電極分別為第1陽極電極、第2陽極電極。
按以下順序對本揭示之實施形態進行說明。另，以下實施形態之所有圖中，對相同或對應之部分標註相同符號。 1 第1實施形態 1.1 顯示裝置之構成 1.2 顯示裝置之製造方法 1.3 作用效果 1.4 變化例 2 第2實施形態 2.1 顯示裝置之構成 2.2 顯示裝置之製造方法 2.3 作用效果 2.4 變化例 3 第3實施形態 3.1 顯示裝置之構成 3.2 顯示裝置之製造方法 3.3 作用效果 3.4 變化例 4 應用例
＜1 第1實施形態＞ [1.1 顯示裝置之構成] 圖1係顯示本揭示之第1實施形態之有機EL顯示裝置10(以下，簡稱為「顯示裝置10」)之全體構成之一例之俯視圖。顯示裝置10係適合使用於各種電子機器者，於基板11上，於顯示區域110A及顯示區域110A之周緣設置有周邊區域110B。於顯示區域110A內，複數個子像素(子像素)100R、100G、100B以矩陣狀配置。子像素100R顯示紅色，子像素100G顯示綠色，子像素100B顯示藍色。另，以下說明中，於不特別區分紅色、綠色、藍色之子像素100R、100G、100B之情形時，稱為子像素100。
於周邊區域110B，設置有影像顯示用之驅動器即信號線驅動電路111及掃描線驅動電路112。信號線驅動電路111係將與自信號供給源(未圖示)供給之亮度資訊相應之影像信號之信號電壓，經由信號線111A供給至選擇之子像素100者。掃描線驅動電路112由與輸入之時脈脈衝同步將啟動脈衝依序移位(傳送)之移位暫存器等構成。掃描線驅動電路112係於對各子像素100寫入影像信號時以列單位掃描其等，且對各掃描線112A依序供給掃描信號者。
顯示裝置10係例如將OLED(Organic Light Emitting Diode：有機發光二極體)、Micro-OLED或Micro-LED(Light Emitting Diode：發光二極體)等自發光元件以陣列狀形成之微顯示器。顯示裝置10係適合使用於VR(Virtual Reality：虛擬實境)用、MR(Mixed Reality：混合實境)用或AR(Augmented Reality：擴增實境)用之顯示裝置、電子取景器(Electronic View Finder：EVF)或小型投影機等者。
圖2係顯示本揭示之第1實施形態之顯示裝置10之構成之一例之剖視圖。顯示裝置10係頂部發光方式之顯示裝置，具備具有一主面之基板11、設置於基板11之一主面上之複數個發光元件(第1發光元件)12R、複數個發光元件(第2發光元件)12G、複數個發光元件(第3發光元件)12B及絕緣層13、覆蓋複數個發光元件12R、複數個發光元件12G及複數個發光元件12B之保護層14、設置於保護層14上之第2陰極電極124、及覆蓋第2陰極電極124之保護層15。顯示裝置10亦可根據需要，進而具備設置於保護層15上之填充樹脂層(未圖示)、與設置於填充樹脂層上之對向基板(未圖示)。另，保護層15側為頂側，基板11側為底側。另，以下說明中，於不特別區分發光元件12R、12G、12B之情形時，稱為發光元件12。
圖3A、圖3B、圖3C、圖3D分別係顯示子像素100之形狀例之俯視圖。第1實施形態中，子像素100R、100G、100B分別由發光元件12R、發光元件12G、發光元件12B構成。子像素100之形狀例如為大致橢圓形(參照圖3A)、大致六角形(參照圖3B)、大致正方形(參照圖3C)或大致長方形(參照圖3D)等。亦可組合2個以上形狀使用。本說明書中，長方形意指具備2條長邊與2條短邊，且4個內角為直角之四角形。即，自長方形排除正方形。又，大致橢圓形、大致六角形、大致正方形、大致長方形等形狀中，亦包含橢圓形、六角形、正方形、長方形等形狀之周緣之一部分突出之形狀等(參照圖3A、圖3B、圖3C、圖3D等)、或橢圓形、六角形、正方形、長方形等形狀之周緣之一部分被切除之形狀等(參照圖11A、圖11B、圖11C等)。另，圖1中，顯示子像素100為大致正方形之例。
子像素100以規定之圖案2維排列。例如，具有大致橢圓形之複數個子像素100亦可以各子像素100之長軸方向一致之方式鋸齒狀配置(參照圖3A)。具有大致六角形之複數個子像素100亦可以蜂窩狀排列(參照圖3B)。具有大致正方形之複數個子像素100亦可以矩陣狀排列(參照圖3C)。具有大致長方形之複數個子像素100亦可以條狀排列(參照圖3D)。子像素100R、100G、100B亦可重複沿列方向配置。藉由相鄰之3個子像素100R、100G、100B之組合，構成一個像素(pixel)。
子像素100、即發光元件12具有發光區域101。發光區域101亦可具有與子像素100同樣之形狀。即，具有大致橢圓形、大致六角形、大致正方形、大致長方形之子像素100亦可分別具有大致橢圓形、大致六角形、大致正方形、大致長方形之發光區域101。
(發光元件) 複數個發光元件12以規定之圖案2維配置於基板11之一主面。複數個發光元件12包含複數個發光元件12R、複數個發光元件12G、複數個發光元件12B。發光元件12R係可放射紅色光地構成之紅色OLED。發光元件12G係可放射綠色光地構成之綠色OLED。發光元件12B係可放射藍色光地構成之藍色OLED。發光元件12亦可為Micro-OLED(MOLED)或Micro-LED。
發光元件12R具備設置於基板11上之陽極電極121、設置於陽極電極121上之有機層122R、及設置於有機層122R上之第1陰極電極123。發光元件12G具備設置於基板11上之陽極電極121、設置於陽極電極121上之有機層122G、及設置於有機層122G上之第1陰極電極123。發光元件12B具備設置於基板11上之陽極電極121、設置於陽極電極121上之有機層122B、及設置於有機層122B上之第1陰極電極123。另，以下說明中，於不特別區分有機層122R、122G、122B之情形時，稱為有機層122。
(基板) 基板11係支持排列於一主面之複數個發光元件12之支持體。又，雖未圖示，但於基板11亦可設置包含控制複數個發光元件12之驅動之取樣用電晶體及驅動用電晶體之驅動電路、以及對複數個發光元件12供給電力之電源電路等。
基板11例如可由水分及氧之透過性較低之玻璃或樹脂構成，亦可由電晶體等容易形成之半導體形成。具體而言，基板11可為高應變點玻璃、鈉鈣玻璃、硼矽酸玻璃、矽酸鎂石、鉛玻璃、或石英玻璃等玻璃基板、非晶矽、或多晶矽等半導體基板、或聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚乙烯基苯酚、聚醚碸、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、或聚萘二甲酸乙二酯等樹脂基板等。
(陽極電極) 陽極電極121按每個子像素100R、100G、100B電性分離而設置。陽極電極121亦兼備作為反射層之功能，於提高發光效率之方面而言，較佳由反射率儘可能高且功函數較大之金屬層構成。金屬層例如包含鉻(Cr)、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鐵(Fe)、鎢(W)、銀(Ag)等金屬元素之單體及合金中之至少1種。作為合金之具體例，列舉AlNi合金或AlCu合金等。陽極電極121亦可由金屬層之積層膜構成。
(第1陰極電極、第2陰極電極) 第1陰極電極123按每個子像素100R、100G、100B電性分離而設置。第1陰極電極123具有與第2陰極電極124對向之對向面123S。第1陰極電極123係對於由有機層122產生之光具有透過性之透明電極。此處，透明電極亦包含半透過性反射膜。
第2陰極電極124於顯示區域110A內作為所有子像素100R、100G、100B共通之電極而設置。第2陰極電極124連接於按每個子像素100分離之第1陰極電極123。具體而言，第2陰極電極124具有複數個接點部124A，該等複數個接點部124A分別連接於按每個子像素100分離之第1陰極電極123。接點部124A於前端具有連接於第1陰極電極123之連接部124B。連接部124B之個數例如相對於1個子像素100為1個。1個接點部124A例如連接於1個子像素100。
連接部124B連接於第1陰極電極123之對向面123S之一部分。連接部124B較佳設置於子像素110之發光區域101外。藉由將連接部124B設置於此種位置，可抑制發光區域101之面積減少。因此，可抑制顯示裝置10之亮度降低。又，可抑制於形成接點部124A時對有機層122之損傷。
圖4係沿圖3A之IV線-IV線之剖視圖。其中，圖3A中省略圖4所圖示之一部分構成構件(保護層14、保護層15等)之圖示。子像素100具有相對於發光區域101之周緣之一部分突出之突出部102。突出部102之突出方向為顯示裝置10之面內方向。突出部102藉由使第2陰極電極124相對於發光區域101之周緣突出而構成。有機層122亦可與第2陰極電極124一起相對於發光區域101之周緣突出。第2陰極電極124之接點部124A於突出部102中連接於第1陰極電極123。突出部102可朝向列方向鋸齒狀配置(參照圖3A、圖3B)，亦可配置於沿列方向延伸之直線上(參照圖3C、圖3D)。
如圖3A所示，突出部102具有大致橢圓形之情形時，突出部102亦可設置於大致橢圓形之子像素100之短軸之一端。如圖3B所示，突出部102具有大致六角形之情形時，突出部102亦可設置於大致六角形之子像素100之一個角部。如圖3C所示，突出部102具有大致正方形之情形時，突出部102亦可設置於大致正方形之子像素100之一個角部附近。如圖3D所示，突出部102具有大致長方形之情形時，突出部102亦可設置於大致長方形之子像素100之一條短邊。圖3D中，顯示短邊全體突出之例，但亦可為短邊中之一部分突出。
如圖3A至圖3D所示，接點部124A具有之連接部124B亦可具有點狀。若自垂直於顯示裝置10之顯示面之方向俯視連接部124B，則點狀之連接部124B亦可具有大致正方形或大致長方形等大致四角形。連接部124B之個數較佳相對於1個子像素100為1個。該情形時，藉由設置連接部124B，可抑制發光區域101之面積降低。因此，可抑制顯示裝置10之亮度降低。
第1陰極電極123、第2陰極電極124各自獨立地包含透明之金屬氧化物、金屬或合金。透明之金屬氧化物例如包含選自由銦-鋅氧化物(IZO)、銦-錫氧化物(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO)、鋁-鋅氧化物(AZO)及鎵-鋅氧化物(GZO)所組成之群之至少1種。金屬例如包含選自由鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鈉(Na)及鍶(Sr)所組成之群之至少1種。合金例如包含選自由鹼金屬或鹼土類金屬與銀(Ag)之合金、鎂(Mg)與銀(Ag)之合金、鎂(Mg)與鈣(Ca)之合金、及鋁(Al)與鋰(Li)之合金所組成之群之至少1種。
亦可為第1陰極電極123包含透明之金屬氧化物(例如IZO等透明導電材料)，第2陰極電極124包含金屬或合金(例如MgAg等高反射率材料)。第1陰極電極123及第2陰極電極124具有此種構成之情形時，亦可於子像素100R、100G、100B各自藉由陽極電極121與第2陰極電極124構成共振器構造。
亦可為第1陰極電極123包含金屬或合金(例如MgAg等高反射率材料)，第2陰極電極124包含透明之金屬氧化物(例如IZO等透明導電材料)。第1陰極電極123及第2陰極電極124具有此種構成之情形時，亦可於子像素100R、100G、100B各自藉由陽極電極121與第1陰極電極123構成共振器構造。另，關於共振器構造之細節，於後述之變化例2中進行說明。
(絕緣層) 絕緣層13係用以將陽極電極121按每個子像素100R、100G、100B電性分離者。絕緣層13設置於陽極電極121之間，且覆蓋陽極電極121之周緣部。更具體而言，絕緣層13於與各陽極電極121對應之部分具有開口，自陽極電極121之上表面(與第1陰極電極123對向之面)之周緣部覆蓋至陽極電極121之側面(端面)。
絕緣層13例如包含有機材料或無機材料。有機材料例如包含聚醯亞胺樹脂及丙烯酸樹脂中之至少1種。無機材料例如包含選自由氧化矽、氮化矽、氮氧化矽及氧化鋁所組成之群之至少1種。
(有機層) 有機層122R、122G、122B分別按每個子像素100R、100G、100B電性分離而設置。有機層122R、122G、122B係分別產生紅色光、綠色光、藍色光者。由於有機層122R、122G、122B具有相同之層構成，故以下對有機層122R之層構成進行說明。
圖5係放大顯示圖2所示之有機層122R之剖視圖。有機層122具有自陽極電極121側起依序積層電洞注入層122K、電洞輸送層122L、有機發光層122M、電子輸送層122N之構成。另，有機層122之構成並非限定於此者，可根據需要設置有機發光層122M以外之層。
電洞注入層122K係用以提高對有機發光層122M之電洞注入效率、且抑制洩漏之緩衝層。電洞輸送層122L係用以提高對有機發光層122M之電洞輸送效率者。有機發光層122M係藉由施加電場而引起電子與電洞之再耦合、而產生光者。電子輸送層122N係用以提高對有機發光層122M之電子輸送效率者。於電子輸送層122N與第1陰極電極123之間，亦可設置電子注入層(未圖示)。該電子注入層係用以提高電子注入效率者。
(保護層) 保護層14係用以覆蓋並保護複數個發光元件12者。具體而言，保護層14乃抑制有機層122於製造步驟中暴露於製程氣體或藥液等而受到損傷。又，保護層14抑制水分自外部環境向發光元件12內部滲入。於第1陰極電極123由金屬層構成之情形時，保護層14亦可具有抑制該金屬層氧化之功能。
保護層15係用以覆蓋並保護第2陰極電極124者。具體而言，保護層15抑制水分自外部環境到達第2陰極電極124、及水分自外部環境向發光元件12內部滲入。於第2陰極電極124由金屬層構成之情形時，保護層15亦可具有抑制該金屬層氧化之功能。
保護層14設置於第1陰極電極123與第2陰極電極124之間、及相鄰之子像素100間。保護層14具有於該保護層14之厚度方向貫通之複數個接點孔14H。接點孔14H係用以連接第1陰極電極123與第2陰極電極124者，於接點孔14H，配置有第2陰極電極124具有之接點部124A。接點孔14H較佳設置於發光區域101外。藉由將接點孔14H設置於此種位置，可抑制發光區域101之面積減少。因此，可抑制顯示裝置10之亮度降低。又，可抑制於形成接點孔14H時對有機層122之損傷。
分離之第1陰極電極123上之保護層14之厚度於紅色、綠色、藍色之子像素100R、100G、100B大致相同。
保護層14例如包含無機氧化物及有機絕緣材料中之至少1種。無機氧化物例如包含選自由氮化矽(SiN)、氧化矽(SiO)、氮氧化矽(SiON)、氧化鋁(AlO)及氧化鈦(TiO)所組成之群之至少1種。有機絕緣材料例如包含熱硬化型樹脂及紫外線硬化型樹脂中之至少1種。
圖2中顯示保護層14、15為單層膜之例，但如圖6所示，保護層14可為多層膜，亦可為多層膜。構成多層膜之各層較佳包含互不相同之材料。其理由在於，可抑制氣泡於各層間相連而形成之故。
作為多層膜之保護層14例如具備第1保護層14A與第2保護層14B。第1保護層14A與第2保護層14B較佳包含互不相同之材料。其理由在於，可抑制第1保護層14A中產生之氣泡亦與第2保護層14B相連而形成之故。多層構造之保護層15例如具備第1保護層15A與第2保護層15B。第1保護層15A與第2保護層15B較佳包含互不相同之材料。其理由在於，可抑制第1保護層15A中產生之氣泡亦與第2保護層15B相連而形成之故。
第1保護層14A及第1保護層15A例如包含氮化矽(SiN)。第2保護層14B及第2保護層15B例如包含氧化鋁(AlO)。第2保護層14B及第2保護層15B較佳藉由原子層沈積(Atomic Layer Deposition：ALD)而成膜。
上述說明中，已對多層構造之保護層14及保護層15具備2層保護層之例進行說明，但亦可具備2層以上之保護層。
[1.2 顯示裝置之製造方法] 以下，參照圖7A、圖7B、圖7C、圖7D及圖7E對具有上述構成之顯示裝置10之製造方法進行說明。
首先，使用例如薄膜形成技術、光微影技術及蝕刻技術，於基板11之一主面形成驅動電路等。接著，藉由例如濺鍍法，將金屬層形成於驅動電路等上之後，使用例如光微影技術及蝕刻技術將金屬層圖案化，藉此形成按每個發光元件12(即每個子像素100)分離之陽極電極121。
接著，藉由例如CVD(Chemical Vapor Deposition：化學汽相沈積)法，形成絕緣層13。接著，使用光微影技術及蝕刻技術，將絕緣層13圖案化。
接著，藉由例如蒸鍍法，將電洞注入層122K、電洞輸送層122L、有機發光層122M、電子輸送層122N依序積層於陽極電極121上，藉此形成有機層122R。接著，藉由例如濺鍍法，將第1陰極電極123形成於有機層122R上。
接著，藉由例如CVD法，將作為硬遮罩之第1保護層14A形成於第1陰極電極123上。接著，於第1保護層14A上塗佈抗蝕劑，形成抗蝕劑層。接著，藉由光微影加工抗蝕劑層，形成抗蝕劑圖案後，隔著抗蝕劑圖案蝕刻作為硬遮罩之第1保護層14A。其後，去除抗蝕劑圖案。
接著，將第1保護層14A作為硬遮罩蝕刻有機層122R及第1陰極電極123。藉此，如圖7A所示，按每個子像素100分離之有機層122R及第1陰極電極123形成於陽極電極121上，獲得複數個發光元件12R。
接著，以與上述發光元件12R之形成步驟同樣之順序，如圖7所示，將複數個發光元件12G及複數個發光元件12B形成於基板11之一主面。接著，藉由例如CVD法，如圖7B所示，以覆蓋複數個發光元件12之方式形成第2保護層14B。藉此，形成第1保護層14A與第2保護層14B之積層膜即保護層14。接著，於第2保護層14B上塗佈抗蝕劑，形成抗蝕劑層。接著，藉由光微影加工抗蝕劑層，形成抗蝕劑圖案後，隔著抗蝕劑圖案蝕刻保護層14。藉此，如圖7C所示，將用以連接第1陰極電極123與第2陰極電極124之接點孔14H形成於保護層14。接著，去除抗蝕劑圖案。
接著，藉由例如濺鍍法，如圖7D所示，以依循接點孔14H之方式於保護層14上形成第2陰極電極124。接著，藉由例如CVD法，如圖7E所示，以填埋接點孔14H之方式將保護層15形成於第2陰極電極124上。藉由以上，獲得圖2所示之顯示裝置10。
[1.3 作用效果] 上述第1實施形態之顯示裝置10中，保護層14設置於第1陰極電極123與第2陰極電極124之間。藉此，可藉由保護層14抑制於有機層122及第1陰極電極123之蝕刻步驟等，有機層122暴露於製程氣體或藥液等。即，可抑制有機層122受到損傷。因此，可抑制顯示裝置10之可靠性降低。
又，陽極電極121、有機發光層122M及第1陰極電極123按每個子像素100分離，具有絕緣性之保護層14設置於各子像素100之間。藉此，可抑制相鄰之子像素100間之洩漏電流。因此，可抑制混色，提高顏色再現性。又，亦可提高發光效率。因此，可提高顯示裝置10之特性。
又，由於第2陰極電極124經由接點部124A連接於第1陰極電極123之突出部102，故可減少第1陰極電極123與第2陰極電極124之接觸電阻。
[1.4 變化例] (變化例1) 上述第1實施形態中，已對顯示裝置10具備構成為可分別放射紅色光、綠色光、藍色光之複數個發光元件12R、12G、12B之例進行說明，但彩色化之方式並非限定於此者。例如，如圖8A所示，顯示裝置10亦可具備構成為可放射白色光之複數個發光元件12W與彩色濾光片16，來替代複數個發光元件12R、12G、12B。發光元件12W例如為白色OLED、Micro-白色OLED(MOLED)或Micro-白色LED。
彩色濾光片16例如為晶載彩色濾光片(On Chip Color Filter：OCCF)，設置於保護層15上。彩色濾光片16例如具備紅色濾光片16R、綠色濾光片16G及藍色濾光片16B。紅色濾光片16R、綠色濾光片16G、藍色濾光片16B分別與子像素100R之發光元件12W、子像素100G之發光元件12W、子像素100B之發光元件12W對向設置。藉此，自子像素100R、子像素100G、子像素100B內之各發光元件12W發出之白色光分別透過上述紅色濾光片16R、綠色濾光片16G及藍色濾光片16B，藉此，分別自顯示面出射紅色光、綠色光、藍色光。又，於各色之彩色濾光片16R、16G、16B間，即各色之子像素100R、100G、100B間之區域，亦可設置有遮光層(未圖示)。
上述變化例1中，已對保護層14、15具有單層構造之例進行說明，但如圖8所示，保護層14亦可具有多層構造，保護層15亦可具有多層構造。
上述變化例1中，已對彩色濾光片16為晶載彩色濾光片之例進行說明，但亦可為設置於對向基板之一主面之對向彩色濾光片。
(變化例2) 如圖9A所示，亦可於子像素100R、100G、100B分別設置共振器構造17R、17R、17B。共振器構造17R、17R、17B使規定波長之光共振增強並出射。具體而言，共振器構造17R、17R、17B分別使由發光元件12R、12G、12B，具體而言為由有機層122R、122G、122B產生之紅色光LR、綠色光LG、藍色光LB共振，增強並出射紅色光LR、綠色光LG、藍色光LB。如上所述，子像素100R、100G、100B各自進而具備共振器構造17R、17R、17B，藉此可提高顏色純度，且實現高亮度。
共振器構造17R、17R、17B由陽極電極121與第2陰極電極124構成。分離之第1陰極電極123上之保護層14之厚度於每個紅色、綠色、藍色之子像素100R、100G、100B不同。具體而言，子像素100R、100G、100B各者之保護層14之厚度根據子像素100R、100G、100B分別應顯示之顏色而不同。藉由使保護層14如此具有不同之厚度，可以產生最適於與應顯示之顏色相應之光之波長的共振之方式，設定陽極電極121與第2陰極電極124之間之光學距離。
第2陰極電極124較佳作為半透過反射膜發揮功能。第2陰極電極124較佳包含鎂(Mg)、銀(Ag)、以該等為主成分之鎂銀合金(MgAg)、或含有鹼金屬或鹼土類金屬之合金等。第1陰極電極123較佳包含透明之金屬氧化物。
如圖9B所示，顯示裝置10亦可於每個子像素100R、100G、100B具備上述共振器構造17R、17G、17B，且進而具備變化例1所說明之彩色濾光片16。該情形時，可進而提高顏色再現性。
上述變化例2中，已對共振器構造17R、17R、17B由陽極電極121與第2陰極電極124構成之例進行說明，但共振器構造17R、17R、17B亦可由陽極電極121與第1陰極電極123構成。該情形時，子像素100R、100G、100B各者之有機層122R、122G、122B之厚度根據子像素100R、100G、100B分別應顯示之顏色而不同。藉由保護層14如此具有不同之厚度，可以產生最適於與應顯示之顏色相應之光之波長的共振之方式，設定陽極電極121與第1陰極電極123之間之光學距離。
如上所述，共振器構造17R、17R、17B由陽極電極121與第1陰極電極123構成之情形時，第1陰極電極123較佳作為半透過反射膜發揮功能。第2陰極電極124較佳包含鎂(Mg)、銀(Ag)、以該等為主成分之鎂銀合金(MgAg)、或含有鹼金屬或鹼土類金屬之合金等。第2陰極電極124較佳包含透明之金屬氧化物。
(變化例3) 上述變化例2中，已對顯示裝置10具備紅色、綠色、藍色之發光元件12R、12G、12B、與使該等發光元件12R、12G、12B產生之規定波長之光共振的共振器構造17R、17R、17B之例進行說明，但如圖10A所示，亦可具備發光元件12W，替代發光元件12R、12G、12B。該情形時，共振器構造17R、17R、17B分別使發光元件12W，具體而言為有機層122W產生之白色光所包含之紅色光LR、綠色光LG、藍色光LB共振，並放出至外部。
藉由使用上述變化例3之構成，即便顯示裝置10不具備紅色、綠色、藍色之發光元件12R、12G、12B或彩色濾光片16，亦可進行全彩顯示等。
如圖10B所示，顯示裝置10亦可於每個子像素100R、100G、100B具備上述共振器構造17R、17G、17B，且進而具備變化例1所說明之彩色濾光片16。該情形時，可進而提高顏色再現性。
(變化例4) 上述第1實施形態中，已對子像素100具有相對於發光區域101之周緣突出之突出部102之例進行說明，但如圖11A、圖11B、圖11C所示，亦可具有切除發光區域101周緣之一部分之缺口部(凹狀部)103。
圖11A係顯示具有缺口部103之大致橢圓形之子像素100之例之俯視圖。缺口部103例如設置於大致橢圓形之短軸之一端。
圖11B係顯示具有缺口部103之大致六角形之子像素100之例之俯視圖。缺口部103例如設置於大致六角形之一個角部。
圖11C係顯示具有缺口部103之大致正方形之子像素100之例之俯視圖。缺口部103例如設置於大致正方形之一個角部之附近。
各子像素100之缺口部103可朝向列方向鋸齒狀配置(參照圖11A、圖11B)，亦可配置於沿列方向延伸之直線上(參照圖11C)。
圖12係沿圖11A之XII線-XII線之剖視圖。其中，圖11A中省略圖12所圖示之一部分構成構件(保護層14、保護層15等)之圖示。缺口部103係藉由使陽極電極121周緣之一部分朝第1陰極電極123周緣之內側凹陷而構成。有機層122可設置或不設置於缺口部103之第1陰極電極123下。圖12中顯示前者之例。第2陰極電極124具有之接點部124A於缺口部103中連接於第1陰極電極123。
(變化例5) 上述第1實施形態中，已對接點部124A具有之連接部124B具有大致正方形之例進行說明，但連接部124B之形狀並非限定於大致正方形者。例如，連接部124B可具有大致三角形(參照圖13A)、大致六角形(參照圖13B)或大致八角形(參照圖13C)等大致多角形，亦可具有大致圓形(參照圖13D)。
(變化例6) 上述第1實施形態中，已對第2陰極電極124之連接部124B具有點狀之例進行說明，但如圖14所示，連接部124B亦可具有線狀。例如，於子像素100具有大致正方形等大致四角形之情形時，線狀之連接部124B亦可設置於大致四角形之子像素100之對角線上。
(變化例7) 上述第1實施形態中，已對連接部124B之個數相對於1個子像素100為1個之例進行說明，但如圖15所示，亦可為相對於1個子像素100為2個以上。該情形時，可進而減少第1陰極電極123與第2陰極電極124之接觸電阻。
例如，如圖16A、圖16B、圖16C、圖16D所示，亦可於大致橢圓形、大致六角形、大致正方形或大致長方形之子像素100具有之1個突出部102，連接有2個以上之連接部124B。或，如圖17A、圖17B、圖17C所示，亦可於大致橢圓形、大致六角形或大致正方形之子像素100具有之1個缺口部103，連接有2個以上之連接部124B。
上述例中，已對子像素100具有1個突出部102，且對1個突出部102連接有2個以上之連接部124B之例進行說明，但亦可為子像素100具有2個以上之突出部102，且對各突出部102連接1個或2個以上之連接部124B。
(變化例8) 上述第1實施形態中，已對1個接點部124A連接於1個子像素100之例進行說明，但如圖18A、圖18B所示，亦可為1個接點部124A連接於相鄰之2個以上之子像素100，具體而言為例如相鄰之2個、3個或4個子像素100，由2個以上之子像素100共用。藉由1個接點部124A連接於2個以上之子像素100，可抑制發光區域101之面積減少。因此，可抑制顯示裝置10之亮度降低。又，由於可減少接點部124A之個數，故可抑制於形成接點部124A時對有機層122之損傷。接點部124A連接於相鄰之2個以上之子像素100，具有共用之1個共用連接部124C。於保護層14，對2個以上之子像素100設置有1個接點孔14H。
圖18A顯示1個接點部124A具有之共用連接部124C連接於相鄰之4個子像素100，由4個子像素100共用之例。圖18A中，顯示缺口部103為大致三角形之例，但如圖18B所示，缺口部103亦可為大致四角形。
圖18A、圖18B中，顯示對缺口部103連接共用連接部124C之例，但亦可對突出部102連接共用連接部124C。圖18A、圖18B中，顯示連接部124B為大致正方形之例，但亦可為大致正方形以外之大致多角形、大致圓形或線狀等。
(變化例9) 上述第1實施形態中，已對接點部124A具有點狀之連接部124B，且該點狀之連接部124B連接於子像素100具有之突出部102之例進行說明，但連接部124B之形狀及連接形態並非限定於此者。
圖19係顯示連接部124B之形狀及連接形態之變化例之剖視圖。圖20A係顯示連接部124B之形狀及連接形態之變化例之俯視圖。如圖19、圖20A所示，接點部124A亦可具有線狀之連接部124B。線狀之連接部124B亦可沿第1陰極電極123之對向面123S之周緣設置。
圖20A中，顯示在大致橢圓形之子像素100設置有大致橢圓形之連接部124B之例，但如圖20B、圖20C、圖20D所示，亦可於大致六角形、大致正方形、大致長方形等大致多角形之子像素100，設置大致六角形、大致正方形、大致長方形等大致多角形之連接部124B。圖20A、圖20B、圖20C、圖20D中，顯示線狀之連接部124B沿第1陰極電極123之對向面123S之周緣連續設置之例，但亦可不連續設置。
(變化例10) 上述變化例9中，已對接點部124A連接於第1陰極電極123之對向面123S之例進行說明，但如圖21所示，亦可連接於第1陰極電極123之端部(側面)。接點部124A如圖22A、圖22B、圖22C所示，可由大致正方形、大致長方形、大致六角形等之子像素100具有之第1陰極電極123之端部(側面)之整個周圍與第1陰極電極123連接，亦可由第1陰極電極123之端部(側面)之整個周圍中之一部分與第1陰極電極123連接。接點部124A之前端亦可配置於相鄰之子像素100之間。
藉由顯示裝置10具有變化例10之構成，無須按每個子像素100分開設置用以將第2陰極電極124連接於第1陰極電極123之連接部分(例如突出部102(參照圖3A、圖3B、圖3C及圖3D)、缺口部103(參照圖11A、圖11B及圖11C))。因此，具有變化例10之構成之顯示裝置10中，與按每個子像素100分開設置連接部分之顯示裝置10相比，可將子像素100微細化。
如圖23所示，第1陰極電極123亦可具有與接點部124A交叉之突出部123A。突出部123A亦可具有相對於有機層122之周緣突出之構成。藉由第1陰極電極123具有突出部123A，接點部124A容易於子像素100之端部(側面)與第1陰極電極123連接。因此，可抑制接點部124A與第1陰極電極123之連接不良。
(變化例11) 如圖24所示，保護層15亦可具有複數個氣隙15C。氣隙15C設置於相鄰之子像素100之間。藉由保護層15具有氣隙15C，可將放射至發光元件12之側方之光反射，提取至外部。因此，可提高顯示裝置10之亮度。氣隙15C較佳以包圍發光元件12之方式設置。氣隙15C亦可具有壁狀。
＜2 第2實施形態＞ [2.1 顯示裝置之構成] 圖29E係顯示本揭示之第2實施形態之顯示裝置410之構成之一例之剖視圖。顯示裝置410具備側壁411、保護層412、及第2陰極電極413。另，於第2實施形態中，對與第1實施形態同樣之部位附加相同之符號且省略說明。
(側壁) 側壁411覆蓋陽極電極121之側面及有機層122之側面。側壁411由絕緣材料構成。作為絕緣材料，可例示與第1實施形態之絕緣層13同樣之材料。
(保護層) 保護層412係用以保護發光元件12者。保護層412設置於發光元件12上。保護層412按每個發光元件12分離。作為保護層412之材料，可例示與第1實施形態之保護層14同樣之材料。
(第2陰極電極) 第2陰極電極413覆蓋設置有保護層412及側壁411之發光元件12。第2陰極電極413覆蓋保護層412之側面及第1陰極123之側面。第2陰極電極413與第1陰極電極123之側面或周緣部連接。
[2.2 顯示裝置之製造方法] 以下，參照圖29A～圖29E，對具有上述構成之顯示裝置410之製造方法之一例進行說明。
首先，於基板11之一主面上，形成按每個發光元件12分離之陽極電極121。接著，如圖29A所示，將有機層122、第1陰極電極123、保護層412依序積層於基板11之一主面上。
接著，如圖29B所示，使用例如光微影技術及蝕刻技術，加工有機層122、第1陰極電極123及保護層412，且按每個發光元件12分離。藉此，包含發光元件12與保護層412之複數個積層體形成於基板11之一主面上。接著，如圖29C所示，於基板11之一主面上形成絕緣層411A，藉由絕緣層411A覆蓋複數個積層體。
接著，如圖29D所示，藉由例如各向異性蝕刻，加工絕緣層411A，形成側壁411。接著，如圖29E所示，於基板11之一主面上形成第2陰極電極413，覆蓋設置有保護層412及側壁411之發光元件12。藉此，第2陰極電極413連接於第1陰極電極123之側面或周緣部。
[2.3 作用效果] 第2實施形態之顯示裝置410中，由於不使用接點部124A連接第1陰極電極123與第2陰極電極124(參照圖2)，故不會受到接點部124A之電阻增大之影響。 又，由於亦可不使用利用溶液之微影製程而製作顯示裝置410，故與使用接點部124A之構成相比，可提高良率。由於亦不會受到曝光界限、或接點部124A與圖案之重疊等由微影製程引起之制約，故可將像素高精細化。
[2.4 變化例] (變化例1) 顯示裝置420如圖30F所示，亦可具備覆蓋保護層412之側面之側壁部421。側壁部421為輔助電極，具有導電性。側壁部421設置於第1陰極電極123之上主面之周緣部。第2陰極電極413覆蓋側壁部421，經由側壁部421與第1陰極電極123電性連接。圖30F中，顯示第2陰極電極413不與第1陰極電極123之側面接觸之例，但第2陰極電極413亦可與第1陰極電極123之側面接觸。側壁部421亦可由與第1陰極電極123同樣之材料(例如IZO等金屬氧化物)構成。
以下，參照圖29A、圖30A～圖29F，對具有上述構成之顯示裝置410之製造方法之一例進行說明。
首先，於基板11之一主面上，形成按每個發光元件12分離之陽極電極121。接著，如圖29A所示，將有機層122、第1陰極電極123、保護層412依序積層於基板11之一主面上。
接著，如圖30A所示，使用例如光微影技術及蝕刻技術，對保護層412進行圖案加工，且按每個發光元件12分離。接著，如圖30B所示，於第1陰極電極123上形成導電層421A(例如IZO層等金屬氧化物層)，覆蓋分離之保護層412。
接著，如圖30C所示，藉由例如各向異性蝕刻，以導電層421A僅保留於保護層412之側壁之方式加工導電層421A。接著，如圖30D所示，將有機層122與第1陰極電極123按每個發光元件12分離。接著，如圖30E所示，將覆蓋發光元件12之側面之側壁411形成於基板11之一主面上後，如圖30F所示，於基板11之一主面上形成第2陰極電極413，覆蓋設置有保護層412、側壁部421及側壁411之發光元件12。藉此，將第2陰極電極413與側壁部421連接。
變化例1中，第2陰極電極413與第1陰極電極123之端部、或與第1陰極電極123相連之側壁部421之任一者相連即可。即，可增加第1陰極電極123與第2陰極電極413之實效連接面積。因此，即便於側壁411之高度、第1陰極電極123之膜厚等產生製造上之不均，亦可穩定進行第1陰極電極123與第2陰極電極413之連接，藉此可提高良率或可靠性。
(變化例2) 上述第2實施形態中，已對顯示裝置410具備單層構造之保護層412之例進行了說明，但如圖31G所示，亦可具備2層構造之保護層431。2層構造之保護層431將第1保護層431A與第2保護層431B依序配備於發光元件12上。
第1保護層431A與第2實施形態之保護層412同樣。第2保護層431B係具有較第1保護層431A更耐蝕刻之層。作為第2保護層431B之材料，例如可使用氧化鋁等金屬氧化物。
此處，已對保護層412具有2層構造之例進行說明，但保護層412亦可具有2層以上之積層構造。該情形時，構成保護層412之2層以上之層中積層於最上方之層較佳為具有較除此以外之層更耐蝕刻之層。
以下，參照圖31A～圖31G，對具有上述構成之顯示裝置410之製造方法之一例進行說明。
首先，於基板11之一主面上，形成按每個發光元件12分離之陽極電極121。接著，如圖31A所示，將有機層122、第1陰極電極123、第1保護層431A、第2保護層431B依序積層於基板11之一主面上。
接著，如圖31B所示，使用例如光微影技術及蝕刻技術，對第1保護層431A及第2保護層431B進行圖案加工，且按每個發光元件12分離。藉此，按每個發光元件12分離之2層構造之保護層431形成於第1陰極電極123上。接著，如圖31C所示，於第1陰極電極123上形成導電層421A(例如IZO層等金屬氧化物層)，覆蓋分離之保護層431。
接著，如圖31D所示，藉由例如各向異性蝕刻，以將導電層421A保留於保護層431之側壁之方式加工導電層421A。此時，亦可以將導電層421A亦保留於保護層431之側壁之方式加工導電層421A。接著，如圖31E所示，將有機層122與第1陰極電極123按每個發光元件12分離。
接著，如圖31F所示，將覆蓋發光元件12之側面之側壁411形成於基板11之一主面上後，如圖31G所示，於基板11之一主面上形成第2陰極電極413，覆蓋設置有保護層431、側壁部421及側壁411之發光元件12。藉此，將第2陰極電極413與側壁部421連接。
變化例2中，保護層431具有依序具備第1保護層431A與第2保護層431B之2層構造，第2保護層431B之構成材料具有較第1保護層431A之構成材料更耐蝕刻性。藉此，可抑制於加工第1陰極電極123時或形成側壁411時之過度蝕刻時，暴露於蝕刻而產生保護層431之膜損失或形狀崩壞。
(變化例3) 顯示裝置420如圖32D所示，亦可具備覆蓋保護層412之側面之側壁部441。側壁部441包含與第1陰極電極123相同種類之材料。側壁部441與第1陰極電極123之構成材料之組成比可相同，亦可不同。
側壁部441亦可藉由沈積膜構成。沈積膜係於乾式蝕刻(例如各向異性蝕刻)時，藉由反應產物之堆積物而形成於保護層412之側面之膜。
以下，參照圖29A、圖32A～圖32D，對具有上述構成之顯示裝置410之製造方法之一例進行說明。
首先，於基板11之一主面上，形成按每個發光元件12分離之陽極電極121。接著，如圖29A所示，將有機層122、第1陰極電極123、保護層412依序積層於基板11之一主面上。
接著，如圖32A所示，藉由例如各向異性蝕刻，加工有機層122、第1陰極電極123及保護層412，且按每個發光元件12分離。此時，包含第1陰極電極123之構成元素之導電性沈積物附著於保護層412之側面，形成側壁部441。藉此，包含側壁部441、保護層412及發光元件12之複數個積層體形成於基板11之一主面上。
接著，如圖32B所示，於基板11之一主面上形成絕緣層411A，藉由絕緣層411A覆蓋複數個積層體。接著，如圖32C所示，藉由例如各向異性蝕刻，加工絕緣層411A，形成側壁411。接著，如圖32D所示，於基板11之一主面上形成第2陰極電極413，覆蓋設置有側壁部441、保護層412及側壁411之發光元件12。藉此，將第2陰極電極413與側壁部441連接。
變化例3中，由於第2陰極電極413連接於由沈積膜構成之側壁部441，故可獲得與變化例2同樣之效果。第2陰極電極413亦可與第1陰極電極123之周緣部接觸。
(變化例4) 如圖33B所示，保護層412之側面亦可位於第1陰極電極123之上表面之周緣部之內側。第2陰極電極413與第1陰極電極123之上表面之周緣部及第1陰極電極123之側面接觸。
以下，參照圖29A～圖29C、圖33A、圖33B，對具有上述構成之顯示裝置410之製造方法之一例進行說明。
首先，與第2實施形態之顯示裝置410之製造方法同樣地實施形成陽極電極121至形成絕緣層411A之步驟(參照圖29A～圖29C)。
接著，如圖33A所示，藉由例如各向異性蝕刻，加工絕緣層411A，形成側壁411，且使保護層412之側面自第1陰極電極123之上表面之周緣部後退。
例如，藉由相同材料(例如SiN)構成側壁411與保護層412，進而選擇難以加工第1陰極電極123(例如IZO層)之乾式蝕刻條件，藉此，可使保護層412之側面自第1陰極電極123之一主面之周緣部後退。
接著，如圖33B所示，於基板11之一主面上形成第2陰極電極413，覆蓋設置有保護層412及側壁411之發光元件12。藉此，第2陰極電極413與第1陰極電極123之上表面之周緣部及第1陰極電極123之側面接觸。
變化例4中，可增加第1陰極電極123與第2陰極電極413之實效連接面積。因此，即便於側壁411之高度、第1陰極電極123之膜厚等產生製造上之不均，亦可穩定進行第1陰極電極123與第2陰極電極413之連接。藉此，可提高良率或可靠性。
(變化例5) 顯示裝置410如圖34A所示，亦可進而具備接點部451。接點部451係連接第2陰極電極413與基底配線(未圖示)之輔助電極。接點部451之上表面連接於第2陰極電極413之周緣部。另一方面，接點部451之下表面經由接點插塞(未圖示)連接於基底配線。本說明書中，第2陰極電極413之周緣部意指自第2陰極電極413之周緣朝向內側具有特定寬度之區域。
接點部451設置於基板11之一主面上之周邊區域。接點部451具有包圍顯示區域之矩形之閉環狀。接點部451亦可由與陽極電極121相同之層構成。接點部451亦可設置於與陽極電極121相同之高度。
側壁411之端部亦可載置於接點部451上。該情形時，由於可抑制因接點部451之階差切斷第2陰極電極413，故可抑制第2陰極電極413與接點部451之連接部分附近之第2陰極電極413之電阻上昇。
例如，藉由控制用以形成側壁411之絕緣層411A之膜厚、與形成絕緣層411A時之氣體或壓力等乾式蝕刻之條件，可如上所述，將側壁411之端部載置於接點部451上。
(變化例6) 變化例5中，已對將側壁411之端部載置於接點部451上之例進行說明，但側壁411之端部亦可如圖34B所示，將側壁411之端部與接點部451離開，而不將側壁411之端部載置於接點部451上。該情形時，可抑制由有機層122發出之光於側壁411之內部傳播而由接點部451反射。因此，可抑制顯示品質降低。
(變化例7) 接點部451如圖35A所示，亦可設置於顯示區域內。例如，接點部451亦可設置於相鄰之發光元件12之間。於顯示區域，接點部451例如經由接點插塞(未圖示)連接於驅動電路等。如此，藉由將接點部451設置於顯示區域內，可減少第2陰極電極413之電阻。
(變化例8) 接點部451如圖35B所示，亦可設置於顯示區域外。如此，藉由將接點部451設置於顯示區域外，可增大發光元件12之尺寸。
將接點部451設置於顯示區域外之情形時，如圖35C所示，亦可由作為絕緣層之側壁411填埋經分離之發光元件12之間。
圖35B所示之上述構成之情形時，於相鄰之發光元件12之間之凹部，有自各發光元件12至接點部451之淨距離增大之虞。另一方面，圖35C所示之上述構成之情形時，由於可減少相鄰之發光元件12之間之凹部，故可抑制自各發光元件12至接點部451之淨距離增大。因此，如為圖35C所示之上述構成，可抑制第2陰極電極413之電阻增大。
(變化例9) 變化例5～8中，已對將第2陽極電極413與接點部451連接之例進行說明，但亦可將第2陽極電極413與設置於基板11中之配線層461連接。
具有上述連接構成之顯示裝置410例如可如下所述般製造。首先，如圖36A所示，藉由絕緣層411A覆蓋按每個發光元件12分離之保護層412後，如圖36B所示，進行用以形成側壁411之各向異性蝕刻，直至到達基板11中之配線層461為止。接著，於基板11上形成第2陰極電極413。藉此，將第2陰極電極413連接於配線層461。
(變化例10) 第2實施形態中，已對有機層122、第1陰極電極123及保護層412之側面為垂直面之例進行說明，但如圖37A所示，有機層122、第1陰極電極123及保護層412之側面亦可為斜面。該情形時，由於可將覆蓋有機層122、第1陰極電極123及保護層412之側面之第2陰極電極413形成得較厚，故可減少第2陰極電極413之電阻。
如圖37B所示，亦可將保護層412之側面與上表面之間去角。該情形時，此時，亦可將覆蓋保護層412之側面之第2陰極電極413形成得較厚。
(變化例11) 第2實施形態中，已對藉由微影與蝕刻分別加工陽極電極121、與有機層122及第1陰極電極123而形成圖案之例進行說明，但亦可於將陽極電極121、有機層122及第1陰極電極123加以積層後，將陽極電極121、有機層122及第1陰極電極123統一進行蝕刻而分離。該情形時，考慮到重疊偏移，可不使陽極電極121之尺寸大於有機層122及第1陰極電極123之尺寸。即，如圖38所示，可將陽極電極121、有機層122及第1陰極電極123之尺寸設為相同尺寸。因此，可擴大發光區域。
(變化例12) 側壁411之折射率亦可低於有機層122之折射率。由於可將由有機層122發出之光於有機層122與側壁411之界面全反射，故可抑制由有機層122發出之光橫向傳播，而有效提高正面側之亮度。
＜3 第3實施形態＞ [3.1 顯示裝置之構成] 圖39係顯示本揭示之第3實施形態之顯示裝置510之構成之一例之剖視圖。顯示裝置510具備具有一主面之基板11、設置於基板11之一主面上之複數個發光元件12及接點部511、覆蓋複數個發光元件12之保護層14、覆蓋保護層14及接點部511等之第2陰極電極512、覆蓋第2陰極電極512之保護層15、及覆蓋保護層15上之樹脂層513。
(絕緣層) 絕緣層13於與各陽極電極121對應之部分具有開口13A，自陽極電極121之上表面之周緣部覆蓋至陽極電極121之側面(端面)。此處，陽極電極121之上表面之周緣部意指自陽極電極121之上表面之周緣朝向內側具有特定寬度之區域。發光元件12於絕緣層13之開口13A之外側被分離元件。
又，絕緣層13於與接點部511對應之部分亦具有開口13B，自接點部511之上表面之周緣部覆蓋至接點部511之側面(端面)。此處，接點部511之上表面之周緣部意指自接點部511之上表面之周緣朝向內側具有特定寬度之區域。
(接點部) 接點部511設置於相鄰之發光元件12之間。接點部511亦可由與陽極電極121相同之層構成。接點部511經由接點插塞(未圖示)連接於基底配線(未圖示)。
(第2陰極電極) 第2陰極電極512於顯示區域內作為所有發光元件12共通之電極而設置。第2陰極電極512覆蓋按每個發光元件12分離之保護層14之上表面及側面，且覆蓋發光元件12之上表面之周緣部(以下稱為「階面部」)及發光元件12之側面。第2陰極電極124於發光元件12之上表面之周緣部，與第1陰極電極123之上表面之周緣部連接。又，第2陰極電極124覆蓋相鄰之發光元件12之間之部分，且於該部分與接點部511連接。
此處，發光元件12之上表面之周緣部意指自發光元件12之上表面之周緣朝向內側具有特定寬度之區域。又，第1陰極電極123之上表面之周緣部意指自第1陰極電極123之上表面之周緣朝向內側具有特定寬度之區域。
(樹脂層) 樹脂層513覆蓋保護層15。樹脂層513填埋發光元件12間之凹部。樹脂層513較佳為具有較保護層15低之折射率之低折射樹脂。藉此，由於可使顯示裝置510具有導波構造，故可提高正面之光提取效率。使顯示裝置510具有導波構造之情形時，保護層15較佳由具有高折射率之氮化矽(SiN)等材料構成。
(像素排列) 複數個圖像100R、100G、100B之排列例如為條狀排列(參照圖40A)、三角形排列(參照圖40B)或正方排列(參照圖40C)。於像素100與像素100之間，設置有陰極接點區域511A。此處，陰極接點區域511A係包含相鄰之發光元件12之階面部、與位於該等階面部間之部分之區域。
陰極接點區域511A可如圖40A、圖40B、圖40C所示，連續設置於像素100與像素100之間，亦可如圖41A、圖41B、圖41C所示，分散設置於像素100與像素100之間。
[3.2 顯示裝置之製造方法] 以下，參照圖42A～圖42F，對具有上述構成之顯示裝置510之製造方法之一例進行說明。
首先，藉由例如濺鍍法，形成陽極電極121後，藉由例如光微影及乾式蝕刻加工陽極電極121。作為陽極電極121之材料，亦可使用AL系合金、Ag系合金等。又，作為陽極電極121之材料，亦可使用ITO、IGZO等功函數較高且透過率較高之材料。接著，藉由例如CVD法，將絕緣層13形成於基板11之一主面上。其後，如圖42A所示，使用例如抗蝕劑遮罩及乾式蝕刻，形成開口13A及開口13B。
接著，藉由例如蒸鍍法，將有機層122形成於陽極電極121上。作為有機層122，亦可使用HIL(Hole Injection Layer：電洞注入層)或HTL(Hole Transfer Layer：電洞傳輸層)等電洞輸送性較高之層。接著，將第1陰極電極121、第1保護層14A依序積層於有機層122上。作為第1陰極電極123，可使用IZO、ITO等功函數較高且透過率較高之材料，基於器件特性之觀點，亦可使用MgAg合金等。第1保護層14A較佳為可於100℃以下之低溫成膜，且對於水分或氧密封性較高之層。
接著，如圖42C所示，使用例如光微影及乾式蝕刻，加工有機層122、第1陰極電極123及第1保護層14A，將像素100間分離。接著，如圖42D所示，於第1保護層14A上形成第2保護層14B。藉此，獲得2層構造之保護層14。第2保護層14B之成膜條件亦可與第1保護層14A之成膜條件相同。
接著，如圖42E所示，於保護層14上形成規定圖案之抗蝕劑層514後，使用例如乾式蝕刻，加工第2保護層14B，將像素100間分離，使接點部511露出。於發光區域上存在保護層14，因此可抑制電漿對發光區域之損傷。其後，以例如100℃以下之低溫灰化去除抗蝕劑層514。若使用濕式蝕刻，則擔心有機層122被剝膜，因此較佳使用乾式蝕刻。
接著，如圖42F所示，藉由例如濺鍍法，將第2陰極電極512作為共通陰極形成於顯示區域全體。作為第2陰極電極512之材料，亦可使用與第1陰極電極123同樣之材料。接著，如圖39所示，藉由保護層15覆蓋第2陰極電極512後，於保護層15上形成樹脂層513。此時，藉由樹脂層513填埋像素100間之凹部。
[3.3 作用效果] 第2實施形態之顯示裝置510中，於絕緣層13之開口13A之外側將發光元件12進行元件分離，因此可抑制對發光區域內造成因乾式蝕刻引起之電漿損傷。又，於形成陰極接點區域511A時，亦可抑制對發光區域內造成因乾式蝕刻引起之電漿損傷。 由於以保護層14及保護層15被覆整個發光區域上，故可抑制形成水分等之洩漏路徑。 由於經由接點部511設置內襯配線，故可減少陰極電阻之影響。 由於第2陰極電極512於階面部與第1陰極電極123連接，故可減少陰極電阻。 於顯示區域內配置有接點部511，因此可不於顯示區域外配置陰極接點。又，由於自接點部511至發光元件12(像素100)之距離變近，故可抑制產生IR壓降。 今後，基於亮度、發光效率之觀點，預測有機EL之分塗構造之普及會得到發展。先前構造中，伴隨加工損傷之器件特性劣化較為顯著，但藉由使用本技術，可提供一種防止器件特性劣化於未然自不必說，且針對遮光或面板小型化等需求的器件。
[3.4 變化例] (變化例1) 如圖43A所示，亦可於顯示區域內，具有於發光元件12間未設置接點部511之區域。亦可於該區域之基板11上不設置絕緣層13，而由保護層14覆蓋。該情形時，可抑制因絕緣層13引起之像素間洩漏之產生。
(變化例2) 如圖43B所示，亦可於保護層15上進而配備保護層521。保護層521係由氧化鋁(alumina)等構成之ALD層。藉由採用此種構成，可提高保護層14、15、521之密封性能，提高顯示裝置510之可靠性。
＜4 應用例＞ (電子機器) 上述第1至第3實施形態及其變化例之任一者之顯示裝置10例如作為如圖25所示之模組，組入於各種電子機器。尤其適於攝像機或單眼反光相機之電子取景器或頭戴型顯示器等要求高解析度，且於眼睛附近放大使用者。該模組於基板11之一短邊側具有未由對向基板等覆蓋而露出之區域210，於該區域210，將信號線驅動電路111及掃描線驅動電路112之配線延長而形成有外部連接端子(未圖示)。於該外部連接端子，亦可連接有用以輸入輸出信號之可撓性印刷配線基板(Flexible Printed Circuit：FPC)220。
(具體例1) 圖26A、圖26B顯示數位靜態相機310之外觀之一例。該數位靜態相機310係透鏡更換式單眼反光型者，於相機本體部(相機主體)311之正面大致中央具有更換式之攝影透鏡單元(更換透鏡)312，於正面左側具有用以供攝影者握持之握柄部313。
於自相機本體部311之背面中央朝左側偏移之位置，設置有監視器314。於監視器314之上部，設置有電子取景器(接眼窗)315。攝影者藉由觀察電子取景器315，可視認由攝影透鏡單元312導引之被攝體之光像而進行構圖決定。作為電子取景器315，可使用上述第1至第3實施形態或其變化例之任一者之顯示裝置10。
(具體例2) 圖27顯示頭戴式顯示器320之外觀之一例。頭戴式顯示器320例如於眼鏡形之顯示部321之兩側，具有用以安裝於使用者之頭部之耳掛部322。作為顯示部321，可使用上述第1至第3實施形態或其變化例之任一者之顯示裝置10。
(具體例3) 圖28顯示電視裝置330之外觀之一例。該電視裝置330例如具有包含前面板332及濾光玻璃333之影像顯示畫面部331，該影像顯示畫面部331由上述第1至第3實施形態或其變化例之任一者之顯示裝置10構成。
以上，已對本揭示之第1至第3實施形態及變化例進行具體說明，但本揭示並非限定於上述第1至第3實施形態及變化例者，可進行基於本揭示之技術思想之各種變化。
例如，上述第1至第3實施形態及變化例中列舉之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等始終僅為例子，亦可根據需要使用與此不同之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等。
上述第1至第3實施形態及變化例之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等只要不脫離本揭示之主旨，則可相互組合。
上述第1至第3實施形態及變化例所例示之材料只要未特別說明，則可單獨使用1種或組合2種以上使用。
又，本揭示亦可採用以下構成。 (1) 一種顯示裝置，其具備： 複數個發光元件，其具備陽極電極、有機發光層、及第1陰極電極，且上述陽極電極、上述有機發光層及上述第1陰極電極按每個子像素而分離； 保護層，其覆蓋上述複數個發光元件；及 第2陰極電極，其設置於上述保護層上；且 上述第2陰極電極連接於經分離之各上述第1陰極電極。 (2) 如技術方案(1)之顯示裝置，其中上述保護層具有複數個接點孔，且 上述第2陰極電極經由上述接點孔連接於經分離之各上述第1陰極電極。 (3) 如技術方案(1)或(2)之顯示裝置，其中上述第1陰極電極、上述第2陰極電極各自獨立地包含透明之金屬氧化物、金屬或合金。 (4) 如技術方案(1)至(3)中任一項之顯示裝置，其中上述第1陰極電極包含透明之金屬氧化物，且 上述第2陰極電極包含金屬或合金。 (5) 如技術方案(1)至(4)中任一項之顯示裝置，其中上述保護層包含無機氧化物及有機絕緣材料中之至少1種。 (6) 如技術方案(1)至(5)中任一項之顯示裝置，其中上述保護層為多層膜。 (7) 如技術方案(1)至(6)中任一項之顯示裝置，其中複數個上述子像素包含複數個紅色子像素、複數個綠色子像素及複數個藍色子像素，且 經分離之上述第1陰極電極上之上述保護層之厚度，於上述紅色子像素、上述綠色子像素、上述藍色子像素間大致相同。 (8) 如技術方案(1)至(6)中任一項之顯示裝置，其中於上述子像素，設置使由上述有機發光層產生之光共振之共振器構造， 複數個上述子像素包含複數個紅色子像素、複數個綠色子像素及複數個藍色子像素，且 經分離之上述第1陰極電極上之上述保護層之厚度，於每個上述紅色子像素、上述綠色子像素、上述藍色子像素間不同。 (9) 如技術方案(1)至(8)中任一項之顯示裝置，其中上述第1陰極電極與上述第2陰極電極於上述子像素之發光區域外連接。 (10) 如技術方案(1)至(9)中任一項之顯示裝置，其中上述第1陰極電極與上述第2陰極電極之連接部之個數相對於1個上述子像素為1個或2個以上。 (11) 如技術方案(1)至(9)中任一項之顯示裝置，其中上述第2陰極電極具有複數個接點部，且 1個上述接點部連接於2個以上之上述子像素。 (12) 如技術方案(1)至(11)中任一項之顯示裝置，其中上述第1陰極電極與上述第2陰極電極之連接部具有點狀或線狀。 (13) 如技術方案(1)至(12)中任一項之顯示裝置，其中上述第1陰極電極具有與上述第2陰極電極對向之對向面，且 上述第1陰極電極與上述第2陰極電極之連接部沿上述對向面之周緣設置。 (14) 如技術方案(1)至(11)中任一項之顯示裝置，其中上述第2陰極電極連接於上述第1陰極電極之端部。 (15) 如技術方案(1)至(12)中任一項之顯示裝置，其中上述第1陰極電極具有相對於上述發光元件之發光區域之周緣突出之突出部，且 上述第2陰極電極於上述突出部連接於上述第1陰極電極。 (16) 如技術方案(1)至(12)中任一項之顯示裝置，其中上述發光元件於該發光元件之發光區域之周緣具有缺口部，且 上述第2陰極電極於上述缺口部連接於上述第1陰極電極。 (17) 如技術方案(1)至(16)中任一項之顯示裝置，其中上述保護層具有複數個氣隙，且 複數個上述氣隙分別設置於相鄰之上述子像素間。 (18) 如技術方案(1)之顯示裝置，其進而具備覆蓋上述第2陰極電極之保護層。 (19) 一種顯示裝置，其具備： 複數個發光元件，其具備第1電極、有機發光層、及第2電極，且上述第2電極、上述有機發光層及上述第2電極按每個子像素而分離； 保護層，其覆蓋上述複數個發光元件；及 第3電極，其設置於上述保護層上；且 上述第3電極連接於經分離之各上述第2電極。 (20) 一種電子機器，其具備如技術方案(1)至(19)中任一項之顯示裝置。
10:顯示裝置 11:基板 12B:發光元件 12G:發光元件 12R:發光元件 12W:發光元件 13:絕緣層 13A:開口 13B:開口 14:保護層 14A:第1保護層 14B:第2保護層 14H:接點孔 15:保護層 15A:第1保護層 15B:第2保護層 15C:氣隙 16:彩色濾光片 16B:藍色濾光片 16G:綠色濾光片 16R:紅色濾光片 17B:共振器構造 17G:共振器構造 17R:共振器構造 100:像素 100B:子像素 100G:子像素 100R:子像素 101:發光區域 102:突出部 103:缺口部 110A:顯示區域 110B:周邊區域 111:信號線驅動電路 111A:信號線 112:掃描線驅動電路 112A:掃描線 121:陽極電極 122:有機層 122B:有機層 122G:有機層 122K:電洞注入層 122L:電洞輸送層 122M:有機發光層 122N:電子輸送層 122R:有機層 122W:有機層 123:第1陰極電極 123A:突出部 123S:對向面 124:第2陰極電極 124A:接點部 124B:連接部 124C:共用連接部 210:區域 220:可撓性印刷配線基板 310:數位靜態相機(電子機器) 311:相機本體部 312:攝影透鏡單元 313:握柄部 314:監視器 315:電子取景器 320:頭戴式顯示器(電子機器) 321:顯示部 322:耳掛部 330:電視裝置(電子機器) 331:影像顯示畫面部 332:前面板 333:濾光玻璃 410:顯示裝置 411:側壁 411A:絕緣層 412:保護層 413:第2陰極電極 421:側壁部 421A:導電層 431:保護層 431A:第1保護層 431B:第2保護層 441:側壁部 451:接點部 461:配線層 510:顯示裝置 511:接點部 511A:陰極接點區域 512:第2陰極電極 513:樹脂層 514:抗蝕劑層 521:保護層 B:藍色 G:綠色 LB:藍色光 LG:綠色光 LR:紅色光 R:紅色
圖1係顯示本揭示之第1實施形態之顯示裝置之全體構成之一例之俯視圖。 圖2係顯示本揭示之第1實施形態之顯示裝置之構成之一例之剖視圖。 圖3A係顯示子像素之形狀例之俯視圖。 圖3B係顯示子像素之形狀例之俯視圖。 圖3C係顯示子像素之形狀例之俯視圖。 圖3D係顯示子像素之形狀例之俯視圖。 圖4係沿圖3A之IV線-IV線之剖視圖。 圖5係放大顯示圖2所示之有機層之剖視圖。 圖6係顯示保護層之變化例之剖視圖。 圖7A係用以對本揭示之第1實施形態之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖7B係用以對本揭示之第1實施形態之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖7C係用以對本揭示之第1實施形態之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖7D係用以對本揭示之第1實施形態之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖7E係用以對本揭示之第1實施形態之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖8A係顯示顯示裝置之變化例之剖視圖。 圖8B係顯示顯示裝置之變化例之剖視圖。 圖9A係顯示顯示裝置之變化例之剖視圖。 圖9B係顯示顯示裝置之變化例之剖視圖。 圖10A係顯示顯示裝置之變化例之剖視圖。 圖10B係顯示顯示裝置之變化例之剖視圖。 圖11A係顯示子像素之變化例之俯視圖。 圖11B係顯示子像素之變化例之俯視圖。 圖11C係顯示子像素之變化例之俯視圖。 圖12係沿圖11A之XII-XII線之剖視圖。 圖13A係顯示連接部之變化例之俯視圖。 圖13B係顯示連接部之變化例之俯視圖。 圖13C係顯示連接部之變化例之俯視圖。 圖13D係顯示連接部之變化例之俯視圖。 圖14係顯示連接部之形狀例之俯視圖。 圖15係顯示顯示裝置之變化例之剖視圖。 圖16A係顯示連接部之變化例之俯視圖。 圖16B係顯示連接部之變化例之俯視圖。 圖16C係顯示連接部之變化例之俯視圖。 圖16D係顯示連接部之變化例之俯視圖。 圖17A係顯示連接部之變化例之俯視圖。 圖17B係顯示連接部之變化例之俯視圖。 圖17C係顯示連接部之變化例之俯視圖。 圖18A係顯示連接部之變化例之俯視圖。 圖18B係顯示連接部之變化例之俯視圖。 圖19係顯示顯示裝置之變化例之剖視圖。 圖20A係顯示連接部之變化例之俯視圖。 圖20B係顯示連接部之變化例之俯視圖。 圖20C係顯示連接部之變化例之俯視圖。 圖20D係顯示連接部之變化例之俯視圖。 圖21係顯示顯示裝置之變化例之剖視圖。 圖22A係顯示連接部之變化例之俯視圖。 圖22B係顯示連接部之變化例之俯視圖。 圖22C係顯示連接部之變化例之俯視圖。 圖23係顯示顯示裝置之變化例之剖視圖。 圖24係顯示顯示裝置之變化例之剖視圖。 圖25係顯示模組之概略構成之一例之俯視圖。 圖26A係顯示數位靜態相機之外觀之一例之前視圖。 圖26B係顯示數位靜態相機之外觀之一例之後視圖。 圖27係顯示頭戴式顯示器之外觀之一例之立體圖。 圖28係顯示電視裝置之外觀之一例之立體圖。 圖29A係用以對本揭示之第2實施形態之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖29B係用以對本揭示之第2實施形態之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖29C係用以對本揭示之第2實施形態之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖29D係用以對本揭示之第2實施形態之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖29E係顯示本揭示之第3實施形態之顯示裝置之構成之一例之剖視圖。 圖30A係用以對變化例之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖30B係用以對變化例之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖30C係用以對變化例之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖30D係用以對變化例之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖30E係用以對變化例之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖30F係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之剖視圖。 圖31A係用以對變化例之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖31B係用以對變化例之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖31C係用以對變化例之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖31D係用以對變化例之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖31E係用以對變化例之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖31F係用以對變化例之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖31G係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之剖視圖。 圖32A係用以對變化例之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖32B係用以對變化例之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖32C係用以對變化例之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖32D係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之剖視圖。 圖33A係用以對變化例之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖33B係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之剖視圖。 圖34A係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之剖視圖。 圖34B係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之剖視圖。 圖35A係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之剖視圖。 圖35B係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之剖視圖。 圖35C係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之剖視圖。 圖36A係用以對變化例之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖36B係用以對變化例之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖36C係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之剖視圖。 圖37A係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之剖視圖。 圖37B係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之剖視圖。 圖38係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之剖視圖。 圖39係顯示本揭示之第3實施形態之顯示裝置之構成之一例之剖視圖。 圖40A係顯示子像素之形狀例之俯視圖。 圖40B係顯示子像素之形狀例之俯視圖。 圖40C係顯示子像素之形狀例之俯視圖。 圖41A係顯示子像素之形狀例之俯視圖。 圖41B係顯示子像素之形狀例之俯視圖。 圖41C係顯示子像素之形狀例之俯視圖。 圖42A係用以對本揭示之第3實施形態之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖42B係用以對本揭示之第3實施形態之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖42C係用以對本揭示之第3實施形態之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖42D係用以對本揭示之第3實施形態之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖42E係用以對本揭示之第3實施形態之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖42F係用以對本揭示之第3實施形態之顯示裝置之製造方法之一例進行說明之步驟圖。 圖43A係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之剖視圖。 圖43B係顯示變化例之顯示裝置之構成之一例之剖視圖。
10:顯示裝置
11:基板
12B:發光元件
12G:發光元件
12R:發光元件
13:絕緣層
14:保護層
14H:接點孔
15:保護層
121:陽極電極
122B:有機層
122G:有機層
122R:有機層
123:第1陰極電極
123S:對向面
124:第2陰極電極
124A:接點部
124B:連接部

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，其具備： 複數個發光元件，其具備陽極電極、有機發光層、及第1陰極電極，且上述陽極電極、上述有機發光層及上述第1陰極電極按每個子像素分離； 保護層，其覆蓋上述複數個發光元件；及 第2陰極電極，其設置於上述保護層上；且 上述第2陰極電極連接於經分離之各上述第1陰極電極。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中上述保護層具有複數個接點孔，且 上述第2陰極電極經由上述接點孔連接於經分離之各上述第1陰極電極。
  3. 如請求項1之顯示裝置，其中上述第1陰極電極、上述第2陰極電極各自獨立地包含透明之金屬氧化物、金屬或合金。
  4. 如請求項1之顯示裝置，其中上述第1陰極電極包含透明之金屬氧化物，且 上述第2陰極電極包含金屬或合金。
  5. 如請求項1之顯示裝置，其中上述保護層包含無機氧化物及有機絕緣材料中之至少1種。
  6. 如請求項1之顯示裝置，其中上述保護層為多層膜。
  7. 如請求項1之顯示裝置，其中複數個上述子像素包含複數個紅色子像素、複數個綠色子像素及複數個藍色子像素，且 經分離之上述第1陰極電極上之上述保護層之厚度，於上述紅色子像素、上述綠色子像素、上述藍色之子像素間大致相同。
  8. 如請求項1之顯示裝置，其中於上述子像素，設置使由上述有機發光層產生之光共振之共振器構造， 複數個上述子像素包含複數個紅色子像素、複數個綠色子像素及複數個藍色子像素，且 經分離之上述第1陰極電極上之上述保護層之厚度，於每個上述紅色子像素、上述綠色子像素、上述藍色子像素間不同。
  9. 如請求項1之顯示裝置，其中上述第1陰極電極與上述第2陰極電極於上述子像素之發光區域外連接。
  10. 如請求項1之顯示裝置，其中上述第1陰極電極與上述第2陰極電極之連接部之個數相對於1個上述子像素為1個或2個以上。
  11. 如請求項1之顯示裝置，其中上述第2陰極電極具有複數個接點部，且 1個上述接點部連接於2個以上之上述子像素。
  12. 如請求項1之顯示裝置，其中上述第1陰極電極與上述第2陰極電極之連接部具有點狀或線狀。
  13. 如請求項1之顯示裝置，其中上述第1陰極電極具有與上述第2陰極電極對向之對向面，且 上述第1陰極電極與上述第2陰極電極之連接部沿上述對向面之周緣設置。
  14. 如請求項1之顯示裝置，其中上述第2陰極電極連接於上述第1陰極電極之端部。
  15. 如請求項1之顯示裝置，其中上述第1陰極電極具有相對於上述發光元件之發光區域之周緣突出之突出部，且 上述第2陰極電極於上述突出部連接於上述第1陰極電極。
  16. 如請求項1之顯示裝置，其中上述發光元件於該發光元件之發光區域之周緣具有缺口部，且 上述第2陰極電極於上述缺口部連接於上述第1陰極電極。
  17. 如請求項1之顯示裝置，其中上述保護層具有複數個氣隙，且 複數個上述氣隙分別設置於相鄰之上述子像素間。
  18. 如請求項1之顯示裝置，其進而具備覆蓋上述第2陰極電極之保護層。
  19. 一種顯示裝置，其具備： 複數個發光元件，其具備第1電極、有機發光層、及第2電極，且上述第2電極、上述有機發光層及上述第2電極按每個子像素分離； 保護層，其覆蓋上述複數個發光元件；及 第3電極，其設置於上述保護層上；且 上述第3電極連接於經分離之各上述第2電極。
  20. 一種電子機器，其具備請求項1之顯示裝置。
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