TWI293091B - Deposited film and process for producing the same - Google Patents

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1293091 五、發明說明（1) 發明領# ^ 本發明有關一種具有優異透明性及對氣體如氧及水蒸 氣具有障壁性質之氧化鋁沉積薄膜及有關一種製造薄膜之 方法。 發明背f 近幾年來’藉由在塑膠基材表面上經由真空沉積、濺 =離子濺射、化學蒸鍍等方法沉積無機氧化物如氧化矽 ^ 所形成之透明氣體障壁薄膜在作為具有對氣體如 氧之障壁性質方面備受矚目。 具有氧化鋁沉積層之氣體而言，一般採用之方Φ ft & Mig Γ 等方式予以熱蒸發之鋁饋入氧氣而使鋁 rm沉積在塑膠基材上。因此，若氧饋入量增 加，則無法形成密眚爲 ^ 曰 性皙尤s。結果，無法獲得具優異氣體障壁 性賢尤其疋水蒸氣障壁性 量減少，則薄膜透明产降m 一方面，若氧饋人 性質及優異氣體障壁嚴格限制以獲得具有穩定 至於控制氧化鋁沉積景: 積量（莫耳/分鐘)對積篁之方法’已知有將鋁之平均沉 在特定範圍（參見日太^料速率（莫耳/分鐘）之比例維持 公報所述方法中，黏# ^公開公報103359/1 987號）。此 之鋁量隨裝置大小及^至薄膜之鋁量及黏著在掩蔽板等上 率隨鋁之沉積量而異：積條件而略有改變，或鋁之反應速 獲得具相同障壁性；《· 一此即使上述比例相同’未必可 貝蹲臈，恐怕無法獲得具穩定性質如

1293091 五、發明說明（2) 氣體障壁性質之氧化鋁沉積薄膜。 沉積製程期間控制光傳遞之方法為已知（參見曰本專 利公開公報8121 9/2001 )。然而，光傳遞由沉積薄膜之鋁 氧化態及沉積層厚度兩因素所決定，因此僅控制光傳遞性 恐怕無法獲得具有穩定性質如氣體障壁性質之氧化銘沉積 薄膜。

再者，控制人1(^沉積層中X之方法為已知（參見曰本專 利公開公報1 70427/1 999)。然而，在沉積裝置中沉積期間 難以測量氧量。若沉積層暫時暴露至大氣中以測量氧量， 則沉積層與大氣中之氧反應而改變該X值，且因此類似上 述方法’可能無法獲得如氣體障壁性質之性質穩定之氧化 鋁沉積薄膜。 發明目的

本發明致力研究於發展氧化鋁沉積薄膜之方法，藉此 方法’即使製造條件如加工速率改變，亦可獲得具有品質 穩定如氣體障壁性質穩定且具有耐水性優異之氧化鋁沉積 層之氧化鋁沉積薄膜。結果，本發明人發現藉由將所得氧 化链沉積薄膜（1 )之螢光X—射線強度（A) kcps對未饋入氧 所得之紹沉積薄膜（2)之螢光X-射線強度（B) kcps之沉積 比例設定在特定範圍内，可獲得具有品質穩定如氣體障壁 ，質穩定且具有耐水性優異之氧化鋁沉積層之氧化鋁沉積 薄膜。基於此發現而完成本發明。 本發明另一目的係提供一種具有上述性質且藉由熱密 封薄膜沉積在氧化鋁沉積薄膜所得之積層薄膜煮沸後之層

1293091 五、發明說明（3) 積物強度優異之沉積薄膜。 發明概述 本發明有關一種氧化鋁沉積薄膜，包括基材薄膜及氧 化鋁沉積層，該沉積層對濕狀態基材薄膜之剝離強度至少 0.3N/15 亳米。 本發明中，除了上述性質以外，該氧化鋁沉積薄膜較 好具有氧滲透性不超過40毫升/米2 ·天· MPa及水蒸氣滲透 性不超過4· 0克/米2 ·天。 有關本發明之氧化链沉積薄膜，氧化銘沉積薄膜（1 ) 之螢光X-射線強度（A) kcps(鋁Κα-射線）對未饋入氧所 件之銘；儿積薄膜（2)之螢光X-射線強度（β) kcps(銘Κ α-射線）之沉積比例（Α/Β)為（Α/Β) $0· 85。 本發明較好有關一種氧化鋁沉積薄膜，包括基材薄膜 及氧化鋁沉積層，係藉由使（A/B)比例為〇·35$(Α/Β)$0· 85之方式在基材薄膜一表面上沉積氧化鋁所獲得者，亦有 關一種製造該薄膜之方法。 、 本發明之氧化鋁沉積薄膜可藉由包括以使（Α/Β)比例 為可滿足0·35$( Α/Β) $0·85之條件之數值方式在基材薄

膜一表面上沉積氧化鋁接著使氧化鋁沉積層氧化之方法獲 得。 有關氧化鋁沉積薄膜，該氧化鋁沉積薄膜（i )之螢光 X〜射線強度（A) kcps較好在0.5至10 kcps之範圍。 詳細說明 本發明之氧化鋁沉積薄膜及製造該薄膜之方法詳述如

第8頁 1293091 ---~ 五、發明說明（4) 下。 本發明氧化叙沉積薄膜所用之基材薄膜一般為包括熱 #〖生樹脂之片材或薄膜基材。至於熱塑性樹脂，可使用目 2已知之各種熱塑性樹脂。樹脂實例包含聚烯烴如聚乙 ^ 聚丙稀、聚-4-甲基-1-戊烯及聚丁烯；聚酯如聚對苯 =甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯及聚萘二甲酸乙 一醇S曰’聚醯胺如耐綸一6、耐綸6及聚二甲苯基己二醯 胺’聚氯乙烯；聚苯乙烯；離聚物；及其混合物。其中， =具有優異伸長度及透明度之熱塑性樹脂如聚丙烯、聚對 苯一 I酸乙二醇酯及聚醯胺較佳。由此熱塑性樹脂製得之 基材薄膜可為未拉伸薄膜或拉伸薄膜。 當本發明中使用拉伸薄膜時，較好使用雙轴定向薄 膜。 較好使基材薄膜之沉積表面接受表面處理如電暈放電 處理、火焰處理、電漿處理或底塗處理以增進對氧化鋁之 黏著性。 該基材薄膜可為使用一種樹脂之單層薄膜或多層薄 膜。 當在其一表面（積層表面）上已以聚胺基甲酸酯樹脂預 塗佈之雙轴定向薄膜使用作為多層薄膜時，在其中氧化鋁 沉積在該雙轴定向薄膜上之薄膜聚胺基曱酸酯預塗佈表面 上積層該熱密封薄膜所得之沉積薄膜具有優異之煮沸後積 層強度。 至於聚胺基甲酸酯樹脂，可使用一般用於薄膜黏著之

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五、發明說明（5) =以=2、水性積層黏著劑、無溶劑積層黏 腊及聚3=二 脂、聚域型聚胺基甲酸醋樹 t聚胺基甲酸聚尿素樹脂。雖然聚胺基甲 :二水性分散液型樹脂或溶劑型樹脂，但由調整聚胺基曰甲 之脂層之交聯程度之難易度及製造場地之環境問i觀 為水性分散液型聚胺基甲酸醋_。該水性分散 甲酸醋樹脂較好為可自我乳化之聚胺基甲酸醋 ，、中於聚胺基甲酸酯樹脂之主鏈或側鏈導人親水美 -C〇〇Na> ^ -so3Na? 例中，藉由使用異氰酸酷樹脂作為交聯劑而形成三 線性聚脸2方面，水性分散液型樹脂之許多例中，形成 於=胺基曱酸醋結構或產生聚胺基甲酸醋—聚尿素樹 二B =，交聯劑如三聚氰胺樹脂、環氧樹脂或亞胺樹脂 f加罝可為聚胺基曱酸醋樹脂為準之約3至 。觸媒添加量可為聚胺基甲酸醋樹脂為準之約。·‘重 0以加速固化反應。此交聯劑不僅可改良易黏著薄膜之 耐水性及溶劑抗性且可賦予黏著性質增進。 漸水1± =散液型樹脂有時含有消泡劑或表面活性劑如乳 化；=!!且消泡劑或表面活性劑在較後階段可能引起問題。 ，此，較好使用不含該等試劑之樹脂。若存在消泡劑，可 月b發生因消泡劑產生之不良外觀。若存在表面活性劑，則 不良外觀如雙轴定向薄膜之白化或沉積後之氣體

1293091 五、發明說明（6) 機％ ::於ί發明之基材薄膜中，可含有無機細顆粒或有 ，、顆粒。藉添加此顆粒，可避免基材薄膜撕扯。 基材面Λ藉聚胺基甲酸醋樹脂預塗佈之雙轴定向 二可用於太路，時稱ί'雙轴定向預塗佈基材薄膜"）（較 ；發明），為藉預塗佈定向方法獲得之雙轴定向 包括在薄膜定向前，以聚胺基甲酸醋樹脂塗 =月曰溥膜定向接著熱_。此雙轴定向薄膜不同於由 二，β疋=該熱塑性樹脂薄膜接著以聚胺基甲酸醋樹脂塗佈 所得之薄膜。 在連續雙轴定向薄膜之例中，以聚胺基甲酸醋樹脂塗 可在擠出片材於機械方向拉伸之前進行，或已在機械方 向拉伸之薄膜可以聚胺基曱酸酯樹脂塗佈，接著於橫向方 向拉伸。就以聚胺基甲酸酯樹脂塗佈薄膜而言，可使用各 種方法如空氣刮塗及桿塗。 製造雙軸定向預塗佈薄膜之方法實例包括使熱塑性樹 知如聚對本一甲酸乙一醇酯、聚丙烯或聚醯胺之粒片、顆 粒或晶片饋入擠出機中，使其熱熔融，使擠出之熔融樹脂 自τ-模嘴擠出成片材，若需要藉靜電澆鑄等使片材與冷卻 桶接觸使片材驟冷形成薄膜，接著以聚胺基甲酸酯樹脂塗 佈未拉伸片材或在機械方向拉伸之拉伸薄膜，及依序雙軸 定向、同時雙轴定向或於橫向方向拉伸而拉伸薄膜。製造 雙轴定向薄膜之拉伸條件如拉伸溫度及拉伸比例可對所用 之熱塑性樹脂適當決定。在例如聚對苯二甲酸乙二醇酯之

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例中’較好溫度設定在9〇至145它，拉伸係在機械及橫向 方$各3·〇至5·〇倍之拉伸比例進行，及接著在21〇至24〇。〇 $订熱固化。依據此方法，存在有數種熱加熱階段如預熱 階段、拉伸階段及熱固化階段，且在該等加熱階段中，薄 膜獨立加熱’因而可改良聚胺基曱酸酯樹脂層對雙軸定向 薄膜之基材薄膜之黏著性。

，聚胺基甲酸酯樹脂層對後述熱密封層（熱密封薄膜） 之黏著性及薄膜產量之觀點觀之，聚胺基甲酸酯樹脂層厚 度^好在0.01至0·5克/米2之範圍，又較好〇 〇3至〇1克/米 ·」若聚胺基甲酸酯樹脂層厚度小於〇· 〇1克/米2，則黏著性 容易不足，且若厚度大於〇· 5克/米2 ,則易發生薄膜撕扯。

較=用於本發明之雙轴定向預塗佈基材薄膜為其積層 ^面已精聚胺基甲酸酯樹脂預塗佈之雙轴定向預塗佈基材 薄膜。在另一表面（未積層表面）上未預先塗佈聚胺基甲酸 酯，脂，而沉積氧化鋁。即使在已積層聚胺基甲酸酯之基 材薄膜表面（積層表面）上沉積氧化鋁，氧障壁性質並未改 良，甚至與其中氧化鋁沉積在非積層表面之薄膜相較並未 改^。因此本發明中，氧化鋁沉積在雙軸定向之預塗佈基 材薄膜之非積層表面上。較好使雙轴定向之預塗佈基材薄 膜之非積層表面接受表面處理如電暈放電處理、火焰處 理、電漿處理或底塗處理，以增進對氧化鋁之黏著性。 本發明中，基材薄膜厚度一般在5至5〇微米範圍内， 較好9至30微米。 本發明之氧化鋁沉積薄膜（Α)為具有特定剝離強度之

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氧化鋁沉積薄膜（Α_υ，及為具有特定氧 :積薄膜(广2)等。氧化鋁沉積薄膜中氧化鋁沉積 曰—對濕狀態之基材薄膜之剝離強度平 範圍太：好。.5至麵5毫米，特佳為m = 5毫毫广 毫升/乎，'之氧二，積薄膜U — 2)之氧滲透性不超過4〇 毫升/未.天.MPa，較好不超過30毫升/米2 •天· Mpa， :水蒸氣滲透性不超過4.0克/米2 ·天，較好不超過3 〇克/ 米 •天。

測1本發明有關之氧化鋁沉積薄膜之氧化鋁層對基材 薄膜之剝離強度中，不可能進行氧化鋁沉積層本身之剝離 測試，因為此層極薄之故。因此，為了測量本發明中氧化 鋁 >儿積層對基材薄膜之剝離強度，氧化鋁沉積層必須以黏 著劑塗佈，接著於其上積層另一薄膜且因此積層之薄膜1 基材薄膜剝除以測量氧化鋁沉積層對基材薄臈之剝離強 度。然而此方法中，氧化鋁沉積層對基材薄膜之剝離強度 無法避免地受用以積層之黏著劑及另一薄膜之類型影響二 依據本發明中，以下列方式測量氧化鋁沉積層對4狀 態之基材薄膜之剝離強度。氧化铭沉積層表面以聚胺基甲 酸酯乾積層黏著劑塗佈（得自三井武田化學股份有限公 司，Takelac A310:Takenate A3 = 12:l(混合重量比），塗 佈重量：3克/米2)，接著其上積層厚度50微米及密度〇.92〇 克/公分3之線性低密度聚乙烯薄膜（得自東赛璐股份有限公 司，TUX FCS)或雙轴定向之聚丙烯薄膜（OPP薄膜，得自東 赛璐股份有限公司，商品名：ME-1 )，及基材薄膜以厚度

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五、發明說明（9) 之雙轴定向聚丙稀薄膜之黏著膠帶背襯，而製備積 線薄膜獲得15毫米寬之測試試樣，及基材 此部Lΐ ΐ聚丙稀薄膜（或opp薄膜）在其間介面彼 率3 〇V乎,二：開之表面滴下水之後或之時，以剝離速 SI/:測量180。_剝離強度，及因此測量之剝離 強度於本發明中係有關濕狀態之剝離強度。 你其沉積層是否自純薄膜剝離可在剝離測試後藉 ΐίίί 接受螢光x_射線測量而確認。亦即，若基 現尚未偵測到氧化銘，冑已發生氧化銘沉積層與 =Ξ:間之介面分離，及此時測量之剥離強度為氧化鋁 沉積層對基材薄膜之剝離強度。另一方面，若所；m ίίίΐ薄膜上，則此時測量之剝離強度為氧化鋁沉積層 層之剝離強度’1此意指並未測量氧化銘沉積層對 基材溥膜之剝離強度。留在基材薄膜上之 時氧化銘沉積層破裂，且此意指氧化銘沉積層 薄膜之剝離強度兩於氧化鋁沉積層之破裂強度（測量值）。 有關具有本發明上述特定剥離強度之氧化鋁沉積薄 膜，氧化鋁沉積薄膜（1)之螢光χ-射線強度（A) kcps對未 饋入氧所得之鋁沉積薄膜（2)之螢光χ—射線強度（B) kcps 之沉積比例（A/B)(後文稱為"沉積比例"）較好為（A/B) 85 ^若沉積比例大於0.85，恐怕無法改良濕狀態之鍵結強 度（剝離強度）。本發明中，沉積比例又較好 幺 (A/B)S0.85,且特佳為 0.45s(A/B)s〇n、若沉;比例 為〇·45 S(A/B) S 0.80，則除了上述特定剝離強度以外 1293091

五、發明說明（10) 可獲得兼具有氧滲透性及低水蒸氣 即對氧滲透及水蒸氣之蜃篡之，儿積薄膜，亦 比例小於上述範圍之T肪Ηϊϊ ^ ^早！旺買）。右 >儿積 壁性質。若沉積比例大#卜汁浐囹> u ，、有優異乳體障 有不良透明度 上述範圍之上限’則所得薄膜具 ^發明中，氧化鋁沉積薄膜（1)之螢光X-射線強度（A) kcPs依下列方式測量。於沉積裝置中，饋入既定量之1 = 鋁量，因而加工中之光傳遞性變成上述值，而 獲侍氧化鋁沉積薄膜，或在控制條件下饋入既定氧 可沉積^述量之鋁，獲得氧化鋁沉積薄膜。接著，自氧化 鋁沉積薄膜所得之測試試樣之鋁Κ α _射線強度係使用螢 光X-射線分析儀器ZSX1 〇〇s(由Rigaku工業公司製造）測 量，且因此測得之螢光X-射線強度取為（A) kcps。 i 未饋入氧所得之鋁沉積薄膜（2 )之螢光x_射線強度（B) 以下列方式測量。紹沉積以如上述製造氧化銘沉積薄膜之 相同方式進行，但未饋入氧，獲得鋁沉積薄膜。接著，由 紹沉積薄膜所得之測試試樣之鋁Κ α -射線強度係使用螢 光X -射線分析儀器ZSXIOOs(由Rigaku工業公司製造）測 量’且因此測得之螢光X-射線強度取為（B) kcps。 由所得之螢光X-射線強度（A) kcp及螢光X-射線強度 (B) kcps計算沉積比例（A/B)。 本發明中，氧化鋁沉積薄膜（1)之螢光X-射線強度（A) kcps較好在〇·5至10 kcps範圍内，更好0·5至8 kcps，又 更好0·5至5 kcps。氧化鋁沉積薄膜（1)之螢光X-射線強度

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附 件 rm 五、發明說明（11) (A) kcps在上述範圍時，可獲得具有優異惫&障 壁性質之氧化鋁沉積薄膜。 ^ 雖然氧化銘沉積層之厚度並未特別限制，但一般在15 至500埃之範圍，較好20至45〇埃。若厚度小於15埃恐怕 無法獲得具優異氣體障壁性質之薄膜。若厚度超過5〇〇〜 埃，則所得薄膜易具有不良撓性。 為了對本發明之氧化鋁沉積薄膜賦與熱密封性質，可 在基材薄膜表面及/或氧化鋁沉積層表面積層熱密封層。 —製造本發明之氧化鋁沉積薄膜之方法包括藉由使S氧與 銘蒸氣於真空（減壓下）中反應而在基材薄膜一表面上沉^ 氧化鋁，其方式為使氧化鋁沉積薄膜（1)之螢光χ_射線強 度（A) kcps對未饋；所得乏鋁沉積薄膜（2)之螢光χ一射 線強度（B) kcps之沉積比例（Α/Β)(沉積比例）為〇 35$ (Α/Β)$〇·85，較好〇·45$(Α/Β)$〇·8〇。所得氧化銘=沉 薄膜（1)之螢光X-射線強度（Α)隨氧饋入速率而異。當氧饋 入速率（氧化度）增加時，鋁之沉積量降低，且因此&光/ 射線強度（Α)變小。當氧饋入速率（氧化度）降低時，銘之 沉積量增加，且因此螢光X-射線強度（Α)變大。氧未全然 饋入所得之鋁沉積量由螢光X-射線強度（Β)表示。王… 氧化鋁沉積量（金屬鋁）隨基材薄膜加工速率（處理速 率）、蒸氣化銘在基材薄膜上之沉積效率、銘蒸發速率等 而異。 、' 氧化铭（铭）沉積量與沉積薄膜之光傳遞間有關聯。若 氧化狀態相同，則加工中之沉積薄膜光傳遞隨氧化銘沉積 1293091

量增加而降低。 於製造本發明之氧化鋁沉積薄膜之設備中裝設榮光义一 射線測量儀器，可直接測量所得氧化鋁沉積薄膜中氧化链 之沉積量，且依據所測量之值，可直接控制沉積條件。、 然而，即使設備中未裝設螢光X—射線測量儀器，較好 在所用沉積設備中預先產生加熱速率、金屬鋁蒸發速率、 氧饋入量等不同之沉積薄膜，接著測量沉積薄膜之榮光义一 射線強度（A)及螢光X-射線強度（B)，並測定顯示條件如加 工速率、金屬铭之療發速率、氧饋入速率及光傳遞以及螢 光X-射線強度（A)及螢光X-射線強度（B)間關聯性之校正曲 線。 例如’藉由控制氧饋入速率及鋁蒸氣量，沉積速率 (A/B)可設定在上述定義之範圍内。氧饋入速率可藉使用 質量流動控制器而設定在所述值。氧饋入速率隨加工速 率、薄膜厚度等而大為變化，且例如在60〇米/分鐘之沉積 速率及83%光傳遞性之條件下，氧饋入速率僅設定在較好 0.9至4.6升/分鐘之範圍内，更好ι·9至4·2升/分鐘，以1 米基材薄膜寬度為準。鋁蒸氣量可基於波長35〇奈米之光 傳遞性或當氧饋入速率設定為恆定值時既定之氧化鋁沉積 層之光傳遞性而加以控制。 將光傳遞測ϊ儀器（光傳遞測量計）裝設至沉積裝置 中’在沉積製程期間始終可觀察到薄膜沉積氧化鋁之光傳 遞性。此例中，藉由將氧化鋁沉積薄膜之光傳遞性設定在 較好70至95%範圍内，又較好75至90%之範圍，該沉積比例

第17頁 1293091 五、發明說明（13) (A/B)可決定在本發明前述範圍内。 饋入氧使鋁氧化之裝置（饋入喷嘴）較好配置在基材薄 膜之鬆開側之上，基材薄膜及掩蔽版之間，在基材薄膜之 寬度方向及其中設疋掩蔽板之區域内，且此裝置較好以可 使氧以冷;東輕旋轉方向及相反於紹蒸氣之方向饋入之方式 排列。當此裝置裝設在此位置時，氧並未饋至黏附在掩蔽 板上之銘上但可僅饋至沉積在基材薄膜上之銘，且結果， 可避免饋入過量氧所引起之真空度降低（減壓程度）。較好 因此饋入之氧與鋁蒸氣接觸而進行反應且所得氧化鋁沉積 在，材薄膜上。若氧饋入未在基材薄膜鬆開侧進行而在基 材薄膜捲繞侧進行，則恐怕無法改善濕狀態之剝離強度。 氧與鋁療氣在真空（減壓下）中反應而在本發明基材薄 膜上形成鋁沉積層中，自排列在基材薄膜鬆開侧且位於一 2離基材薄膜U150毫#，較好⑴⑼毫米之氧饋入喷 嘴饋入氧。若氧饋入噴嘴與基材薄膜間之距離小於1毫 =，變得難以在設計中確定氧饋入喷嘴之位置。若氧饋入 材薄膜間之距離大於150毫米，恐怕無法改善濕 狀恶之剝離強度。 法）就Λ加^熱而言，可採用各種方法如電子束方法⑽方 線電頻率誘發加熱方法及電阻加熱方法。本發明 薄膜由於熱效率佳、易高速沉積及 產量較可能高如裝置所能允許之範圍内。由 "觀之，該辄圍較好為10至1 000米/分鐘，特佳為

1293091 發明說明（14) 50至1000米/分鐘。當沉積速率在此範圍内，可穩定地製 得本發明之氧化鋁沉積薄膜。 本發明之氧化鋁沉積薄膜係藉於基材薄膜一表面上以 沉積比例（A/B)在上述特定範圍内之方式沉積氧化銘而獲 得。再者，本發明中，氧化鋁沉積薄膜亦可藉於基材薄膜 上以沉積比例（A/B)在特定範圍内之方式沉積氧化鋁接著、 使氧化鋁沉積層與氧如後述接觸而獲得。

亦即，製造本發明氧化鋁薄膜之另一方法包括使氧與 紹蒸氣於真空（減壓下）中反應而在基材薄膜上沉積氧化〃 鋁，其方式為使氧化鋁沉積薄膜（1)之螢光射線強度（A) kcps對未饋入氧所得之鋁沉積薄膜（2)之螢光χ_射線強度 (B) kcps 之沉積比例（Α/Β)為 〇·35$(Α/Β)$〇·85，較好 45$(Α/Β)$0·80 ’接著使氧化鋁沉積層與氧接觸進一步 使氧化鋁沉積層氧化，因而產生氧化鋁沉積薄膜。

使氧，鋁沉積層氧化之方法實例為完成沉積後於大氣 中再捲繞薄膜之方法。於大氣中再捲繞氧化鋁沉積薄膜， 將氧導入 >儿積溥膜捲繞之輥中而進一步氧化該氧化鋁，因 而:使在低沉積比例中可展現安定之氣體障壁性質。再捲 繞刚之時間，好短，且完成沉積後盡可能快速地進行再捲 繞’但其視薄膜捲繞之輥緊密度等而異。該再捲繞較好在 沉積完成後5天内進行，更好3天，最好2天。當再捲繞在 此期間内進行’可在不使氣體障壁性質或水蒸氣障壁性質 劣化之下促進氧化。為了以藉再捲繞導入之氧使氧化鋁充 分氧化，較好在再捲繞後，使薄膜靜置1天或更久。

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五、發明說明（15) 使氧化鋁沉積層氧化之方法另一杂 薄膜捲繞前於沉積裝置中使氧化銘沉；氧：銘沉積 電室未配置於裝置中之例中相：漿；：；：法。與電漿放 Φ將平乂 於配置於沉積裝置中之 電漿了使氧化銘沉積層與氧及氧電漿接觸，氧及氧 ^漿擴散較少，因而氧及氧電漿可以較高之氣體濃产 ^化鋁沉積層中。再者’沉積裝置中減壓程度即使$饋入 圍’更好升/分鐘’幻米寬度之氧化銘沉積 為準。電漿放電室可配置在—或多個位置。若放電室 數里較多，更易促進氧化且更穩定促進。 、一本發明中，氧化鋁沉積後，使氧化鋁沉積層與氧接觸 進行後氧化，因而氧化鋁沉積期間氧饋入速率略不同於前 述製程。氧進料速率隨製程速率、氧化鋁厚度等大為變 化，且例如，在6〇〇米/分鐘之沉積速率及83%光傳遞性之 條件下，氡饋入速率僅設定在較好3· 4至6 5升/分鐘之範 圍=，更好3· 4至6· 1升/分鐘，以}米基材薄膜寬度為準。 紹条氣量可基於波長350奈米之光傳遞性或當氧饋入速率 設定為怪定值時既定之氧化鋁沉積層之光傳遞性而加以控 制。 上述例中，藉由將氧化鋁沉積薄膜之光傳遞性設定在 較好70至98%範圍内，又較好75至96%之範圍，該沉積比例 (A/B)可決定在本發明前述範圍内。

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在氧化鋁沉積薄膜如上述形成後使沉積 製程中，饋入氧使紹氧化之裝置排列、沉積i;觸 基材薄膜表面處理等細節與上述相同。 心ϋ本發:月之氧化鋁沉積薄膜之製程中，自基材薄膜 侧饋入氧至基材薄膜一表面上之沉積氧化銘後所 氧化鋁沉積層可以上述相同方式與氧接觸而進一步氧化該 氧化銘。 本發明優點如下《與習知氧化鋁沉積薄膜相較本發 明ϋ化鋁沉積薄膜之障壁性質穩定，如氧氣障壁性質及 水瘵氣障壁性質。再者，該氧化鋁沉積薄膜耐水性（氧化 鋁沉積層與基材薄膜間之鍵結強度）優異，尤其濕狀態之 耐水性。 、右已藉聚胺基甲酸酯樹脂預塗佈之雙軸定向薄膜使用 7為基材薄膜且在基材薄膜非積層表面（未以聚胺基甲酸 酉曰=爿曰預，佈之表面）上沉積氧化鋁，則可獲得氧氣障壁 性=、水瘵氣障壁性質、耐水性（尤其濕狀態）等優異之沉 積薄膜。再者，若在雙轴定向薄膜之聚胺基曱酸酯預塗佈 表面上積層熱密封薄膜，則可獲得積層物強度優異之薄 依據本發明，氧化鋁之沉積狀態利用螢光义—射線強度 ，例之况積比例（Α/Β)加以控制，且因此可獲得如上述之 氣體障壁性質之品質穩定且具有優異耐水性之氧化鋁沉積 f，氧化链沉積薄膜。亦即，具有優異氧氣障壁性質及水 ?备氣障壁性質且具有優異耐水性之氧化鋁沉積層之本發明

1293091 五、發明說明（17) 氧化鋁沉積薄膜可藉下列方法穩定 氧與鋁蒸氣在真空（減壓下）中反鹿 化鋁沉積層，其沉積方式為沉積二 内，且接著若需要，使氧化鋁沉積 化。藉由以沉積比例為準控制氧化 發現各種 >儿積速率穩定之沉積條件 使沉積比例相當低，亦可獲得具有 異水蒸氣障壁性質及透明性之氧化 再者，藉由自基材薄膜之鬆開 而在基材薄膜一表面上沉積氧化鋁 展現基材薄膜與氧化銘沉積層間高 薄膜。 本發明之氧化鋁沉積薄膜可用 包裝液體或濕食品及包裝欲加熱食 蒸煮袋食品。即使氧化鋁沉積薄膜 如欲煮沸食品或蒸煮袋食品，亦可 不發生積層薄膜分離。再者，若以 雙轴定向薄膜使用作為基材薄膜， 優異積層物強度（鍵結強度）因而沉 用途。 再者，本發明之沉積薄膜不僅 裝材料且可作為可用於各種領域如 業材料領域之包裝材料。 實例 地獲得’該方法包括使 而在基材薄膜上形成氧 例（A/B)在特定範圍 層與氧接觸而促進氧 紹沉積薄膜之性質，可 。再者依據本發明，即 穩定氧氣障壁性質、優 鋁沉積薄膜。 侧饋入氧與鋁蒸氣反應 ，可獲得即使濕狀態亦 鍵結強度之氧化鋁沉積 於各種包裝用途，尤其 品，如欲煮沸之食品或 用於包裝欲加熱之食品 有利地使用而在加熱時 聚胺基甲酸S旨預塗佈之 則氧化鋁沉積薄膜具有 積薄膜有利地用於上述 可有利地作為食品之包 醫樂領域、化妝品及工

1293091 五、發明說明（18) 本發明將參考下列實例進一步描述，但須了解本發明 不限於該等實例。 實例及比較例中之性質係藉下列方法測量。 (1)氧滲透性測量 薄膜之氧滲透性係在20 °c之溫度及90%RH之條件下使 用氧滲透性測量機器（M0C0N公司製造，OXTRAN2/20)測 ° (2 )水蒸氣滲透性測量 使用薄膜製備袋子，接著於其内放置氯化鈣，及袋子 頂端熱密封而使表面積為〇·〇1米2。使袋子在4〇它之溫度及 90%RH屋度之條件下靜置3天，及測量重量變化。以重量變 化為準，評估水蒸氣滲透性。 (3)螢光X-射線強度 使用螢光X-射線分析儀器（Rigaku工業公司製造， ZSXIOOs)測量鋁之κ α -射線。 (4 )光傳遞性及紹沉積性質之控制 於沉積裝置中測量350奈米之光傳遞性（ρΕΤ之光傳遞 性· 100%)，且為了控制鋁沉積品質，電子束之輪出以使 光傳遞性變為上數值之方式控制。 (5 )殘留物百分比測量 氧化鋁沉積薄膜之螢光χ—射線強度（A) kcps(鋁Κα_ 射線）事先測量《接著，使用測量剝離強度後所得之氧化 鋁沉積薄膜，測量留在基材薄膜表面上之氧化鋁螢光[射 線強度（C) kcps(鋁Κ α-射線）。（c)/(A)xl〇〇之值取為殘

第23頁 1293091 五、發明說明（19) 留物百分比。 (6 )濕狀態之剝離強度測量 積層薄膜切開獲得1 5毫米寬度之測試試樣，且基材薄 膜與鍵結至該沉積層之LLDPE薄膜或0ΡΡ薄膜在其間介面彼 此部分分灕。於分離表面上滴下水後，所處理之試樣在 3 0 0毫米/分鐘之剝離速率測量1 8 0 ° -剝離強度並表示為剝 離強度。 (Ό熱密封強度

就測量熱密封強度而言，使用具有氧化鋁沉積層/基 材溥膜/聚胺基曱酸g旨積層物層/ /黏著劑/LLDPE薄膜之結 構之積層物（積層沉積薄膜）。 (乾狀態之熱密封強度） 積層沉積薄膜之LLDPE薄膜表面面向另一積層沉積薄 膜之LLDPE薄膜表面，且在130°C、1秒及2·〇公斤/公分2之 條件下熱密封。接著，切下1 5毫米寬度之測試試樣，及在 300毫米/分鐘之速率測量試樣之熱密封強度。 (煮沸後之熱密封強度）

積層沉積薄膜之LLDPE薄膜表面面向另一積層沉積薄 膜之LLDPE薄膜表面，且在130 °C、1秒及2· 〇公斤^公分2之 條件下熱密封。接著，切下1 5毫米寬度之測試試樣及試樣 在沸水中煮沸1小時。接著在3 0 0毫米/分鐘之迷率測量濕 狀態試樣之熱密封強度。 實例1 在使用作為基材之厚度12微米之雙轴定向聚對苯二甲

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五、發明說明（20) 酸乙二醇酯薄膜（PET薄膜）一表面上，藉電子束加熱方法 以基於1米寬度基材薄膜以3.7升/分鐘之饋入速率饋入氧 而使銘熱蒸發。因此，以600米/分鐘之沉積速率製備光傳 遞性7 7 %之氧化铭沉積薄膜。接著在沉積後立即在既定薄 膜沉積層一侧之表面上乾積層厚度50微米之LLDPE薄膜（密 度：0.92 0克/公分3，MFR : 3.8克/10分鐘）而製備雙層薄 膜。雙層薄膜之性質列於表1。 實例2 在使用作為基材之厚度12微米之雙轴定向pet薄膜一 表面上’藉電子束加熱方法以基於1米寬度基材薄膜以3. 4 寿 升/分鐘之饋入速率饋入氧而使铭熱蒸發。因此，以6〇〇米 /分鐘之沉積速率製備光傳遞性80%之氧化鋁沉積薄膜。接 著如實例1相同方式製備雙層薄膜。雙層薄膜之性質列於 -表1 〇 比較例1

在使用作為基材之厚度12微米之雙軸定向PET薄膜一 表面上，藉電子束加熱方法未饋入氧使鋁熱蒸發^因此， 以600米/分鐘之沉積速率製備光傳遞性61%之氧化鋁沉積 薄膜。接著如實例1相同方式製備雙層薄膜。雙層薄膜之 性質列於表1。

第25頁 1293091第091121757號專利申請案說明書修正頁_ 五、發明說明（21) 氧饋入速 率 毫升/分 鐘（1米 寬） 光傳遞性 % A kcps B kcps 沉積比例 A/B 氧滲透性 毫升/米 2·天-MPa 水蒸氣滲 透性 克/米2 · 天· MPa 實例1 3.7 77 1. 16 1.74 0. 67 9 0.9 實例2 3.4 80 0.99 1.47 0· 67] 9 1.2 比較彳列1 0.0 61 1.95 1.95 1.00 50 8.6 實例3 在使用作為基材之厚度12微米之雙軸定向PET薄膜一 表面上，藉電子束加熱方法以基於丨米寬度基材薄膜以4.6 升/分鐘之饋入速率饋入氧而使鋁熱蒸發。因此，以6〇〇米 /分鐘之沉積速率製備光傳遞性85%之氧化鋁沉積薄膜。 因此，捲繞在捲轴上之沉積薄膜於大氣中解開及再捲 繞於另一捲轴上。使沉積薄膜靜置2天。接著，如實例1之 相同方式製備雙層溥膜。雙層薄膜之性質列於表2。 實例4 、

P 在使用作為基材之厚度12微米之雙轴定向pET薄膜一 表面上，藉電子束加熱方法以基於丨米寬度基材薄膜以4 6 升/分鐘之饋入速率饋入氧而使鋁熱蒸發。因此，以6〇〇米 /分鐘之沉積速率製備光傳遞性85%之氧化鋁沉積薄膜。接 著氧化鋁沉積薄膜依序導入配置在沉積裝置内之三個電漿 放電至中。於電漿放電室内，以基於丨米寬之氧化鋁沉積 薄膜以0.25升/分鐘之饋入速率饋入氧而進行電漿放電。 使用所得 >儿積溥膜’如實例1之相同方式製備雙層薄膜。 雙層薄膜性質列於表2。 ' 參考例1

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1293091 五、發明說明（22) 在使用作為基材之厚度12微米之雙轴定向PET薄膜_ 表面上，藉電子束加熱方法以基於丨米寬度基材薄膜以4. 6 升/分鐘之饋入速率饋入氧而使鋁熱蒸發。因此，以6〇()米 /分鐘之沉積速率製備光傳遞性85%之氧化鋁沉積薄膜。使 用沉積後立即獲侍之沉積薄膜，如實例3之相同方式製備 雙層薄膜。測量雙層薄膜性質且列於表2。 參考例2 在使用作為基材之厚度12微米之雙轴定向PET薄膜一 表面上，藉電子束加熱方法以基於1米寬度基材薄膜以6{) 升/分鐘之饋入速率饋入氧而使銘熱蒸發。因此，以6Q〇米 /分鐘之沉積速率製備光傳遞性9 9 %之氧化銘沉積薄膜0 因此，捲繞在捲轴上之沉積薄膜於大氣中解開及再捲 繞於另一捲轴上。使沉積薄膜靜置2天，及如實例丨之相同 方式製備雙層薄膜。測量雙層薄膜之性質並列於表2。 表2 氧饋入 速率 毫升/分 鐘（1米 寬） 光傳遞 性％ A kcps B kcps 沉積比 例A/B 氧滲透 性 毫升/米 2 ·天· MPa 水蒸氣 滲透性 克/米 2 ·天· MPa 實例3 4.6 85 1.04 1.95 0.53 11 1.85 實例4 4.6 85 1.03 1. 97 0.52 12 2.5 參考例 1 4.6 85 1.04 Ί 1.95 0.53 11 6.6 比較例 2 6.0 99 0.93 2.74 0.34 19 7.5 由實例3及參考例1之比較可看出，在氧化鋁沉積後，

第27頁 1293091 五、發明說明（23) 藉由使氧化鋁沉積層與氧接觸使氧化鋁氧化可改善水蒸氣 障壁性質。亦可看出當沉積比例（A/B)如比較例2般小於0. 35時’即使進行再捲繞亦無法改良水蒸氣障壁性質。 實例5

於厚度12微米之雙轴定向聚酯薄膜（PET薄膜）中，基 於1米寬度基材薄膜以3.2升/分鐘之饋入速率以冷凍輥之 旋轉方向自排列在基材薄膜鬆開侧上及在掩蔽板基材薄膜 側上且與基材薄膜距離2〇毫米之氧饋入喷嘴饋入氧，同時 控制紹沉積量使得光傳遞性變為79%。因此，製備氧化鋁 沉積薄膜。氧化鋁沉積薄膜之沉積比例（A/B)為〇· 7〇。 氧化錯沉積薄膜之沉積層在大氣中與氧充分接觸後， 在沉積薄膜之沉積層側之表面上積層厚度5〇微米之LLDPE 薄膜（密度：〇· 920克/公分3，MFR : 3· 8克/10分鐘）而製備 雙f薄膜。以濕態測量積層物強度（剥離強度）後所得之基 材薄膜表面上紹之殘留百分比為1〇%。有關氧化鋁沉積薄 膜’所測量之性質列於表3。 實例6

於PET薄膜中，基於1米寬度基材薄膜以4升/分鐘之饋 入速率以冷束輥之旋轉方向自排列在基材薄膜鬆開侧上及 ，掩^板基材薄膜侧上之氧饋入喷嘴饋入氧，同時控制鋁 /儿積篁使得光傳遞性變為85%。因此，製備氧化鋁沉積薄 膜。氧化鋁沉積薄膜之沉積比例（A/B)為〇· 6〇。 奋氧化銘沉積薄膜之沉積層在大氣中與氧充分接觸後， 如實例5之相同方式製備雙層薄膜。以濕態測量積層物強 1293091 五、發明說明（24) 度（剝離強度）後所得之基材薄膜表面上鋁之殘留百分比為 18%。 有關氧化鋁沉積薄膜，所測量之性質列於表3。 實例7 於PET薄膜中’基於1米寬度基材薄膜以4· 5升/分鐘之 饋入速率以冷凍輥之旋轉方向自排列在基材薄膜鬆開側上 及在掩，板基材薄膜侧上之氧饋入喷嘴饋入氧，同時控制 ，沉積量使得光傳遞性變為9〇%。因此，製備氧化鋁沉積 薄膜。氧化紹沉積薄膜之沉積比例（A/B)為〇· 5〇。

氧化銘沉積薄膜之沉積層在大氣中與氧充分接觸後， 如實例5之相同方式製備雙層薄膜。以濕態測量積層物強 度（剝離強度）後所得之基材薄膜表面上紹之殘留百分比為 22%。 ”、、 有關氧化铭沉積薄膜，所測量之性質列於表3。 參考例2 、 於PET薄膜中，基於丨米寬度基材薄膜以6升/分鐘之饋 入速率以冷凍輥之旋轉方向自排列在基材薄膜鬆開侧上及 在掩蔽板基材薄膜侧上之氧饋入喷嘴饋入氧，同時控制紹 沉積量使得光傳遞性變為99%。因此，製備氧化鋁沉積薄 膜。氧化鋁沉積薄膜之沉積比例（A/B)為〇· 20。 氧化鋁沉積薄膜之沉積層在大氣中與氧充分接觸後，

如實例5之相同方式製備雙層薄膜。以濕態測量積層物強 度（剝離強度）後所得之基材薄膜表面上鋁之殘留百分比為

第29頁 1293091 五、發明說明（25) 有關氧化鋁沉積薄膜，所測量之性質列於表3。 比較例3 於PET薄膜中，基於1米寬度基材薄膜以1升/分鐘之饋 入速率以冷涞輥之旋轉方向自排列在基材薄膜鬆開侧上及 在掩蔽板基材薄膜侧上之氧饋入喷嘴饋入氧，同時控制鋁 沉積量使得光傳遞性變為。因此，製備氧化銘沉積薄 膜。氧化銘沉積薄膜之沉積比例（A/B)為〇· 95。 氧化銘沉積薄膜之沉積層在大氣中與氧充分接觸後， 如實例5之相同方式製備雙層薄膜。以濕態測量積層物強

度（剝離強度）後所得之基材薄膜表面上鋁之殘留百分比為 0 % 〇 有關氧化IS沉積薄膜，所測量之性質列於表3。 參考例3 、於PET薄膜中’基於1米寬度基材薄膜以4升/分鐘之負 ^速=以冷凍輥之旋轉方向自排列在基材薄膜鬆開侧上石 在掩蔽板延伸侧上且距離基材薄膜2〇〇毫米之氧饋入喷嘴 饋入f，同時控制鋁沉積量使得光傳遞性變為85%。因 ^ /u、&備氧化鋁沉積薄膜。氧化鋁沉積薄膜之沉積比例 CA/B)為〇· 6〇 〇

&奋化鋁/儿積薄膜之沉積層在大氣中與氧充分接觸後， 产U:、同方式製備雙層薄膜。以濕態測量積層物強 又後所得之基材薄膜表面上鋁之殘留百分比| 有關氧化鋁沉積薄膜，所測量之性質列於表3。

1293091 五、發明說明（26) 參考例4 市售氧化銘沉積雙轴定向聚醋薄膜（構自T〇y〇金屬礦 物股份有限公司’BARRIALOX 1011HG)之濕狀態剝離強; 為0·1Ν/15毫米。在基材薄膜表面上之鋁殘留百分比又 0%。 表3 螢光X-射 線強度 Α/Β 沉積比例 氧滲透性 毫升/米 2 ·天· MPa 水蒸氣滲 透性 克/米2 · 天· MPa 濕狀態之 剝離強度 Ν/15亳米 實例5 1.04/1.55 0.7 13 1.2 0.6 實例6 1·07/1·78 0.6 12 1.4 1.5 實例7 1 1.05/2.10 0.5 14 1.8 4.0 參考例2 0.90/4.50 0.2 30 ~8^~ 6.0 比較例3 1.10/1.16 0.95 20 8.5 0.1 參考例3 1.03/2.06 0.5 15 ~Γο~ 0· 2 參考例4 一 - 15 1.3 0.1

^如表3所示，沉積比例為〇·7至0.5所得之氧化鋁沉積 薄膜（實例5至7)之氧滲透性不超過ΐ4·〇亳升/米2 ·天.Mpa 及水蒸氣滲透性不超過2·0克/米2 ·天·ΜΡ&，因此對氧滲 透之抗性及對水条氣參透之抗性極優異。再者，該等薄膜 中，沉積層對濕狀態之基材薄膜之剝離強度不小於 0.6Ν/15毫米’因此濕狀態之鍵結強度亦優異。另一方 面’當沉積比例為0·2所得之氧化銘沉積薄膜中（參考例 2)，對氧滲透性之抗性及對水蒸氣滲透性之抗性略低，而 沉積層對濕狀態之基材薄膜之剝離強度為6· 5Ν/15毫米且

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沉積比例為〇· 95所得之 3 )’沉積層對濕狀態之基材 米且低。再者，對氧滲透性 佳。 氧化銘沉積薄膜中（比較例 薄膜之剝離強度為〇· 毫 之抗性及對水蒸氣滲透性不 實例8 厚度12微米之雙轴定向聚對苯二甲酸乙二醇醋薄膜 (基材薄膜）之積層表面以聚胺基甲酸酯預塗佈且其非積層 表面進行電暈處理，於該薄膜非積層表面上，基於i米寬曰 度基材薄膜以4升/分鐘之饋入速率以冷凍輥之旋轉方向自 排列在雙軸定向基材薄膜鬆開側上及在掩蔽板與基材薄膜 之間且距離雙軸定向基材薄膜2〇毫米之氧饋入喷嘴饋入、 氧’同時控制鋁沉積量使得光傳遞性變為85%。因此，製 備氧化銘沉積薄膜。氧化鋁沉積薄膜之沉積比例（A/B)為 氧化紹彡儿積薄膜之氧化銘沉積層在大氣中與氧充分接 觸後，在氧化鋁沉積薄膜之氧化鋁沉積層表面上，使用聚 胺基甲酸酯乾積層黏著劑（購自三井武田化學公司，

Takelac A310(商品名）：Takenate A3(商品名）以 12:1 之

比例混合，塗佈重量：3克/米2)積層厚度20微米之雙軸定 向聚丙烯薄膜（OPP薄膜，得自東赛璐股份有限公司，商品 名·· ME-1)。再者，在鋁沉積薄膜之積層物表面上，使用 聚胺基甲酸酯乾積層黏著劑（購自三井武田化學公司，

Takelac A310(商品名）：Takenate A3(商品名）以 12:2 之

第32頁 1293091 五、發明說明（28) 比例混合，塗佈重量：3克/米2)積層由厚度50微米之LLDPE 薄膜（購自東赛璐股份公司，商品名：TUX FCS，密度：〇· 920克/公分3，MFR :3.8克/10分鐘）。因此，獲得積層沉積 薄膜。 有關積層沉積薄膜，測量氧滲透性、水蒸氣滲透性、 非積層表面之剝離強度（乾狀態及濕狀態）、非積層表面上 之殘留物百分比、積層表面之剝離強度（乾狀態及濕狀態） 及熱密封強度（氧化鋁沉積薄膜/基材薄膜/聚胺基甲酸酯 積層物層//黏著劑/LLDPE薄膜結構之積層物，乾狀態及煮 沸後）。結果列於表4及表5。 參考例5 於實例8所用相同類型之雙轴定向聚對苯二甲酸乙二 醇酯薄膜（基材薄膜）中，基於1米寬度基材薄膜以5· 3升/ 分鐘之饋入速率以冷凍輥之旋轉方向自排列在基材薄膜鬆 開侧上及在掩蔽板與基材薄膜之間之氧饋入喷嘴饋入氧， 同時控制銘沉積量使得光傳遞性變為g7%。因此，製備氧 化鋁沉積薄膜。氧化鋁沉積薄膜之沉積比例（A/B)為〇· 3。 使用該氧化紹沉積薄膜，如實例8所述松同方式製備 η 積層沉積薄膜。積層沉積薄膜之性質列於表4及表5。 參考例6 面進行電暈處理且積層表面 軸定向聚對苯二f酸乙二醇 面中，基於1米寬度基材薄 ;東輥之旋轉方向自排列在雙 於厚度12微米且非積層表 未以聚胺基甲酸酯預塗佈之雙 酉旨薄膜（基材薄膜）之非積層表 膜以4升/分鐘之饋入速率以冷

1293091 五、發明說明（29) 轴定向基材薄膜鬆開側上及在掩蔽板與基材薄膜之間且距 離雙轴定向基材薄膜20毫米之氧饋入喷嘴饋入氧，同時控 制鋁沉積量使得光傳遞性變為85%。因此，製備氧化鋁沉 積薄膜。氧化鋁沉積薄膜之沉積比例（A/B)為0· 6。 使用該氧化鋁沉積薄膜，如實例8所述相同方式製備 積層沉積薄膜。積層沉積薄膜之性質列於表4及表5。 比較例4 於厚度12微米且非積層表面進行電暈處理且積層表面 未以聚胺基甲酸酯預塗佈之如參考例6所用之相同類型雙 轴定向聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜（基材薄膜）之非積層表 面中’基於1米寬度基材薄膜以1升/分鐘之饋入速率以冷 康親之旋轉方向自排列在雙轴定向基材薄膜鬆開侧上及在 掩蔽板與基材薄膜之間之氧饋入喷嘴饋入氧，同時控制鋁 沉積量使得光傳遞性變為60%。因此，製備氧化鋁沉積薄 膜°氧化紹沉積薄膜之沉積比例（A/B)為〇· 95。 使用該氧化鋁沉積薄膜，如實例8所述相同方式製備 積層沉積薄膜。積層沉積薄膜之性質列於表4及表5。 參考例7 使用如參考例6所用之相同類型雙轴定性聚對苯二甲 酸乙二醇酯薄膜作為基材薄膜，其非積層表面進行電暈處 理及其積層表面未以聚胺基甲酸酯樹脂預塗佈。 在雙轴定向之聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜之非積層表 面上’使用聚胺基甲酸酯乾積層黏著劑（購自三井武田化 子 a 1 Takelac A310(商品名）：Takenate A3(商品名）

第34頁 1293091 五、發明說明（30) ---— 以12:2之比例混合，塗佈重量：3克/米2)積層厚度5〇微 之LLDPE薄膜（購自東赛璐股份有限公司，商品名：Τϋχ ” FCS，密度：〇· 920克/公分3，MFr : 3· 8克/1〇分鐘）而 雙層薄膜。 備 有關雙層薄膜，如實例8之相同方式測量雙轴定向聚 對苯二甲酸乙二醇酯及LLDPE薄膜間之剝離強度及熱密 強度。 、 結果列於表4及表5。 參考例8 於實例8所用之相同類型雙轴定向聚對苯二甲酸乙二 醇酯薄膜（基材薄膜）之未以聚胺基甲酸酯預塗度之積層表 面中，基於1米寬度基材薄膜以4升/分鐘之饋入速率以冷 凍輥之旋轉方向自排列在雙轴定向基材薄膜鬆開侧上及在 掩蔽板與基材薄膜之間且距離雙轴定向基材薄膜2〇毫米之 氧饋入喷嘴饋入氧，同時控制鋁沉積量使得光傳遞性變為 8 5%。因此，製備氧化鋁沉積薄膜。氧化鋁沉積薄膜之沉 積比例（A/B)為0· 5。

在氧化鋁沉積薄膜之沉積層表面上，如參考例7之相 同方式，使用聚胺基甲酸酯乾積層黏著劑（購自三井武田 化學公司，Takelac A310(商品名）：Takenate A3(商品 名）以12:1之比例混合，塗佈重量·· 3克/米2)積層由厚度50 微米之LLDPE薄膜（購自東赛璐股份有限公司，商品名： TUX FCS，密度：〇· 920克/公分3，MFR : 3· 8克/10分鐘）所 製得之熱密封層。有關所得積層薄膜，如實例8之相同方

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1293091 五、發明說明（31) 式測量氧滲透性及水蒸氣滲透性。 結果列於表4及表5。 表4 沉積比例 (A/B) 氧化鋁沉 積側 非氧化鋁 沉積側 氧滲透性 毫升/米 2 ·天·MPa 水蒸氣滲 透性 克/米2 · 天· MPa 實例8 0.6 1.02/1.7 0 電暈處理 (非積層 表面） 胺基甲酸 酯預塗佈 (積層表 面） 15 1.1 參考例5 0.3 1.00/3.3 0 電暈處理 (非積層 表面） 胺基甲酸 酯預塗佈 (積層表 面） 17 3.5 參考例6 0.6 1.01/1.6 8 電暈處理 (非積層 表面） 未處理 16 1.1 比較例4 0.95 1.04/1.0 9 電暈處理 (非積層 表面） 未處理 14 3.0 參考例7 (未沉積 氧化鋁） 電暈處理 (非積層 表面） 參考例8 0.6 1.00/1.6 7 胺基甲酸 酯預塗佈 (積層表 面） 電暈處理 (非積層 表面） 29 3.0

1293091 五、發明說明（32) 表5 剝離強度N/15毫米 熱密封強度 N/15毫米 氧化鋁沉積側 氧化鋁1 卜沉積側 乾狀態 濕狀態 殘留物 乾狀態 濕狀態 乾狀態 煮沸後 實例8 3.2 1.5 18 3.4 3.00 55 54 參考例 5 3.3 2.5 20 3.4 3.0 55 53 參考例 6 3. 1 1.4 16 2.3 2.0 34 30 比較例 4 2.0 0.1 0 2.2 2.1 35 31 參考例 7 2. 7 2.1 49 33 參考例 8 — 一 一 —

由表4及表5可看出，沉積比例為06所獲得之氧化鋁 沉積薄膜（實例8)之氧滲透性為15毫升/米2 ·天· MPa及水 蒸氣滲透性為1· 1克/米2 ·天· MPa，因此對氧滲透性之抗 性及對水蒸氣滲透性之抗性均極優異。再者，此薄膜中， 雙軸定向基材薄膜之非積層表面與氧化鋁沉積層間之濕狀 態剝離強度為1.5N/15毫米，因此濕狀態之鍵結強度亦優 異。再者，雙轴定向基材薄膜之積層表面與熱密封層（熱 密封薄膜）間之乾狀態及濕狀態剝離強度及乾狀態及煮沸 後熱密封強度亦優異。 沉積比例為0.3所獲得之氧化鋁沉積薄膜（參考例5)之 · 對氧滲透性抗性及對水蒸氣滲透性抗性均比實例8所得之 氧北銘沉積薄膜差。然而，雙轴定向基材薄膜之非積層表 面與氧化鋁沉積層間之濕狀態剝離強度為2· 5n/i5毫米，

第37頁 1293091_ 五、發明說明（33) 因此濕狀態之鍵結強度較佳。有關雙轴定向基材薄膜之積 層表面與熱密封層（熱密封薄膜）間之剝離強度，此氧化鋁 沉積薄膜相等於實例8所獲得之氧化鋁沉積薄膜。 另一方面’使用其積層表面未以聚胺基甲酸酯樹脂預 塗佈之雙軸定向聚對笨二甲酸乙二醇酯薄膜所得之氧化鋁 沉積薄膜（參考例6)展現雙軸定向基材薄膜積層表面與熱 密封層間之不良剝離強度及不良之熱密封強度，但對氧滲 透性之抗性優異，對水蒸氣滲透性之抗性優異及氧化鋁沉 積層與雙轴定向基材薄膜之非積層表面間之剝離強度優 異。 沉積比例0· 95所獲得之氧化鋁沉積薄膜（比較例4) 中’基材薄膜之非積層表面之濕狀態剝離強度為〇 1N/15 毫米且不足。此外，對水蒸氣滲透性之抗性不佳。 在已以聚胺基曱酸酯預塗佈之雙軸定向聚對苯二甲酸 乙二醇酯之積層表面上沉積氧化鋁所得之參考例8之沉積 薄膜（亦即在實例8之相反侧上具有沉積層之具體例，/氧化 銘沉積比例：0.6)，在對氧滲透性之抗性及對水蒸氣之抗 性方面，比實例8所獲得之沉積薄膜差。

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Claims (1)

1. 1293091 ^ 六、申請專利範圍 1 · 一種製造氧化紹沉積薄膜之方法，包括以使氧化鋁沉 積薄膜（1)之螢光X-射線強度（A) kcps(銘Κα -射線） 對未饋入氧所得之鋁沉積薄膜（2)之螢光χ—射線強度 (B) kcps(鋁Κ α -射線）之沉積比例（Α/β)為〇· 35 $ (Α/Β) $0.85之方式使氧與鋁蒸氣在真空十反應而在基 材薄膜上沉積氧化鋁。 如申請專利範圍第1項之製造氧化鋁沉積薄膜方法，其 中（Α/Β)之比例為〇· 45 $(Α/Β) $〇· 85。 一種製造氧化紹沉積薄膜之方法，包括以使氧化鋁沉 積薄膜（1)之螢光X-射線強度（A) kcps(鋁Κα_射線） 對未饋入氧所得之鋁沉積薄膜（2 )之螢光χ-射線強度 (B) kcps(鋁Κ α -射線）之沉積比例（Α/Β)為〇· 35 $ (Α/Β) $〇·65之方式使氧與鋁蒸氣在真空中反應而在基 材薄膜上 >儿積氧化鋁，接著使氧化鋁沉積層與氧反應 而使氧化鋁沉積層氧化。 ^ 〜 =申請專利範圍第i至3項中任一項之製造氧化鋁沉積 薄膜之方法，其中氧化鋁沉積薄膜（1)之螢光χ_射線 強度（A) kcps 為 〇·5 至 1〇 kcps。 ^申請專利範圍第丨至3項中任一項之製造氧化鋁沉積 薄膜之方法’其中氧與鋁蒸氣之反應係藉自冷凍輥旋 轉方向且與銘蒸氣相反方向之饋入喷嘴饋入氧而進 灯’該饋入噴嘴係排列在基材薄膜之鬆開侧且排列在 掩蔽板之寬度方向。 如申请專利範圍第5項之製造氧化鋁沉積薄膜之方法， 2 3· 4. 5· 6·

   第39頁 1293091 六、申請專利範圍 ' 其中饋入喷嘴係距離基材薄膜1至150毫米。 7·如申請專利範圍第3項之製造氧化鋁沉積薄膜之方法， 其中沉積完成後，藉使氧化鋁沉積薄膜於大氣中再捲 繞而使氧化链沉積層與氧接觸。 8·如申請專利範圍第3項之製造氧化鋁沉積薄膜之方法， 其中氧化銘沉積薄膜沉積後及捲繞前，使氧化鋁沉積 層與沉積裝置中之氧及氧電漿接觸。 9·如申請專利範圍第3項之製造氧化鋁沉積薄膜之方法， 其中氧化IS沉積層與排列在沉積裝置中至少一個電槳 放電室中之氧及氧電漿接觸。 10·如申請專利範圍第1至3項中任一項之製造氧化鋁沉積 薄膜之方法，其中基材薄膜為雙轴定向薄膜。 11·如申請專利範圍第1〇項之製造氧化鋁沉積薄膜之方 法’其中氧化鋁係沉積在其積層表面已以聚胺基甲酸 醋樹脂層預塗佈之雙轴定向基材薄膜之非積層表面 上0 12 ·如申請專利範圍第11項之製造氧化鋁沉積薄膜之方 法’其中熱密封層係直接或經由黏著劑層積層在氧 化紹沉積薄膜之積層表面上。 13· 一種氧化鋁沉積薄膜，包括基材薄膜、及對基材薄膜 之濕狀態剝離強度至少0 · 3N/ 1 5毫米之氧化鋁沉積層， 其具有氧滲透性不超過40毫升/米2 ·天· MPa及水蒸氣 渗透性不超過4· 0克/米2 ·天· MPa，其中氧化鋁沉積薄 膜（1)之螢光X-射線強度（A) kcps(鋁Κα-射線）對未

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   六、申請專利範圍 饋入氧所得之紹沉積薄膜（2)之螢光X-射線強度（B) kcps(叙κ α -射線）之沉積比例（A/B)為（A/B) $〇· 85。 一種氧化紹沉積薄膜，包括基材薄膜、及對基材薄 膜之濕狀態剝離強度至少〇· 3N/1 5毫米之氧化鋁沉積層 ’其中氧化铭沉積薄膜（1)之螢光χ-射線強度（A) kcps (、銘Κ α -射線）對未饋入氧所得之鋁沉積薄膜（2)之螢 光X-射線強度（B) kcps(鋁Κ α -射線）之沉積比例 (Α/Β)為（Α/Β) $〇· 85。

   種氧化鋁沉積薄膜，包括基材薄膜、及對基材薄 膜之濕狀態剝離強度至少〇 · 3 Ν/丨5毫米之氧化鋁沉積 層’其具有氧滲透性不超過40毫升/米2 ·天· MPa及水 蒸，滲透性不超過4·〇克/米2 ·天· Μρ&，其中氧化鋁沉 積薄膜（1)之螢光X-射線強度（A) kcps(鋁Κα_射線） 對未饋入氧所得之銘沉積薄膜之螢光χ_射線強度 (B) kcps(鋁Κ α -射線）之沉積比例（Α/Β)為〇· 35 $ (A/B) $〇· 85 〇

   • 一種氧化鋁沉積薄膜，包括基材薄膜、及對基材薄 膜之f狀態剝離強度至少〇· 3 N/1 5毫米之氧化鋁沉積層 ’係藉由以使氧化紹沉積薄膜)之螢光χ_射線強度 (A)kcps(鋁Κ α -射線）對未饋入氧所得之鋁沉積薄膜 (2)之螢光X-射線強度（B) kcps(鋁κ α —射線）之沉積 比，（Α/Β)為〇·35$(Α/Β)$〇·65之方式沉積氧化鋁， 接著氧化該氧化鋁沉積層而製備者。 Ρ· —種氧化鋁沉積薄膜，包括基材薄膜、及對基材薄

   第41頁 1293091 六、申請專利範圍 膜之濕狀態剝離強度至少〇 · 3 N /1 5毫米之氧化鋁沉積層 ’其中氧化紹沉積薄膜（1)之螢光χ_射線強度（A) kcps 為0.5至lOkcps，且氧化鋁沉積薄膜（1)之螢光χ—射線 強度（A) kcps(鋁Κ α -射線）對未饋入氧所得之鋁沉積 薄膜（2)之螢光X-射線強度（B)kCpS(|gK α -射線）之沉 積比例（Α/Β)為（Α/Β) $〇· 85。

   18· 一種氧化鋁沉積薄膜，包括基材薄膜、及對基材薄 膜之濕狀態剝離強度至少〇 · 3 Ν /1 5毫米之氧化銘沉積層 ’其中該基材薄膜為雙轴定向基材薄膜，且氧化鋁沉 積薄膜（1)之螢光X-射線強度（A) kcps(鋁Κα-射線） 對未饋入氧所得之鋁沉積薄膜（2 )之螢光χ-射線強度 (B) kcps(鋁K 射線）之沉積比例（Α/Β)為^" $ 〇· 85。 — 19·=如申請專利範圍第18項之氧化鋁沉積薄膜，其中 該雙軸定向薄膜之積層表面係以聚胺基甲酸酯樹脂層 預塗佈及氧化鋁係沉積在雙轴定向基材薄膜之非積^ 表面。 曰 2 0

   •=如申請…專利範圍第18或19項之氧化鋁沉積薄膜，其中 2該基材薄膜為雙轴定向聚醋基材薄膜。 •膜如申請專利範圍和至16項中任—項之氧化銘沉積薄 、，、中在基材薄膜上或氧化鋁沉積薄 U沉積層之表面上積層熱密封層。 氧化鋁 雙如轴申定請Λ利Λ圍第19項之氧化銘沉積薄膜，其中係在 向土材溥膜之積層表面上積層熱密封層。

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