TWI292638B - Dielectric resonance element, dielectric resonator, filter, resonator device, and communication device - Google Patents

Description

1292638 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明，係關於TE01 5介電共振元件、包含該元件的 介電共振器、濾波器、振盪器裝置及具有該等之通訊裝置 【先前技術】 在介電濾波器中，以有效利用頻率爲目的，要求能降 低損失與提高頻率選擇性。爲了實現此目標，使用了具有 高度無負載Q(以下簡稱爲^Qu」）特性的介電共振器。 另外，在具有介電共振器的振盪器中，爲了實現低噪 音化與溫度特性穩定化，使用了具有高Qu特性的介電共振 器。 作爲具有此種高Qu特性的介電共振器，利用TE01 5 模式的介電共振器是有效的。TE01 5的單模式共振器，由 於該共振器的形狀是圓筒、圓柱、或多角柱等非常簡單的 形狀，因此其設計與製造都容易，但若想要構成多層的濾 波器，則因在空腔內將共振器排列成一列，故存在著整體 尺寸變大的缺點。 爲此，作爲將這種TE015模式多重化後的介電共振器 ，曾有（1)特開2001 - 160702 ^ 3重模式球型介電濾波器及 其製造方法」、（2)特開平5 - 63414「介電共振器裝置」的 提案。另外，在上述（2)的「介電共振器裝置」所記載的直 角座標系中的「TE101模式」，是一種與由圓筒座標系表 1292638 示的與TEOl 5模式相同的共振模式。 若使用前述多重化後的TE015模式的介電共振器’則 可構成小型、輕量且具有較高Qu的濾波器等。 然而，欲以介電陶瓷燒結體來製造（1)、（2)所述的球形 或大致球形的共振器時，需要有非常高的技術，一般來講 ，其加工因難，成本非常高。 另外，使用此種構成的3重模式共振器，製作4層以 上的濾波器時，在將共振器彼此磁場耦合的構成中，不僅 容易發生所謂的多偶合現象，而且爲了避免這種偶合所作 的調整非常困難，需要特殊的裝置。另外，在（1)的「3重 模式球型介電濾波器及其製造方法」中，並未揭示用以構 成4層以上濾波器的具體手段。 如（幻的「介電共振器裝置」所示，若使用耦合環而與 其它的共振器耦合的話，雖然較易構成4層以上的濾波器 ，但在該場合，因耦合環而明顯降低共振器的Q，存在著 無法充分發揮原有的高Qu特性的問題。 另一方面，作爲使用有介電共振器的振盪器，例如在 特開平9 一 162646公報中，揭示了一種將BS衛星廣播與 CS衛星通訊信號，由1台轉換器加以受信的振盪器。在這 種接受頻率帶不同的2個信號的場合，需要有2個分別對 應各頻帶的局部振盪器。以往，係於各局部振盪器中，分 別使用與各自頻率對應的TE01 δ單模式的共振器。亦即， 使用2個ΤΕ01 (5單模式共振器。在此種振盪器裝置的共振 器部分，若適用（1)或（2)所示的3重模式的介電共振器的話 1292638 ，可減少介電共振器的使用數量。然而，因存在不使用於 振盪器的第3個共振模式，故在所需的共振頻率的附近發 生不需要的耦合模式，並不實用。 本發明目的在於，提供一容易製造、能以低成本構成 將TE01 6模式雙重化的介電共振元件及其利用裝置。 又，本發明另一目的在於，提供一即使在構成由4層 以上的共振器組成的濾波器時，也可避免多偶合問題的介 電共振元件及其利用裝置。 本發明又一目的在於，提供不會產生因不需要的耦合 模式所發生的不良現象，可用於2頻率的振盪器裝置的介 電共振元件及其利用裝置。 【發明內容】 本發明的介電共振元件，係將大致正方形板狀的第1、 第2平板部分，以該平板部分的中心線彼此一致且呈交叉 的狀態下，一體成形爲介電材料，於第1、第2平板部分， 分別產生電場向量沿該平板部分的面內方向旋轉的TE015 模式的電磁場。 其中，所謂平板部分的「中心線」，係指在將大致正 方形板狀的平板部分立起的狀態下，於平板部分上面畫出 假想對角線時，從其交點延伸的假想垂直線。 另外，所謂「使中心線相互一致」，係指使第1、第2 平板部分的中心線一致，但不僅包含未必完全一致的狀態 ，且包含該中心線配置於第1、第2平板部分的交叉部分的 1292638 狀態， 藉由此種構造，將外面作成以平面爲主體的形狀，即 易於製造。並且，可作爲TE015的雙重模式共振器來利用 ，避免了上述多偶合的問題。 另外，本發明的介電共振元件，其特徵在於，將前述 第1、第2平板部分的交叉角度形成爲90°以外的角度。 據此，即能產生將2個TE01 5模式以既定耦合度加以耦合 的雙層共振器裝置的作用。 另外，本發明的介電共振元件，其特徵在於，係使前 述第1、第2平板部分的厚度尺寸彼此不同。藉由此種構成 ，可使2個TE01 5模式的共振器的共振頻率產生差別。 另外，本發明的介電共振元件，其特徵在於，係使前 述第1、第2平板部分的形狀彼此不同。藉由此種構成，可 使2個TE01 5模式的共振器的共振頻率產生差別。 另外，本發明的介電共振元件，其特徵在於，係將前 述第1、第2平板部分的角作成具有去角形狀或圓弧的形狀 。藉由此種構成，幾乎不會使TE01 5模式的共振頻率變化 ，將其它TM模式等不需要的共振模式的共振頻率切換至 高頻側，使其遠離使用頻帶。藉此，即可防止因不需要模 式的影響而造成共振器的Qu降低。 另外，本發明的介電共振元件，其特徵在於，在前述 第1、第2中之任一平板部分、或前述第1、第2雙方的平 板部分，局部性的設有孔。藉由此種構成，降低平板部分 的有效介電常數，以決定2個TE01 5模式的共振頻率。 1292638 另外，本發明的介電共振元件，其特徵在於，在從前 述第1、第2平板部分之一面交叉部，朝夾著中心線相對的 另一面交叉部的方向，形成孔或貫通孔。藉由此種構成， 相對2個TE01 δ模式的共振頻率，將TM模式等其它不需 要的共振模式的共振頻率切換至相對高頻發生側，以防止 Qu的降低。 另外，本發明的介電共振元件，其特徵在於，在前述 第1、第2平板部分的面交叉部，形成朝中心線方向的凹部 。藉由此種構成，使正交的2個TE01 5模式耦合，而能根 據凹部大小來調整其耦合量。 另外，本發明的介電共振元件，其特徵在於，在前述 第1、第2平板部分的面交叉部，形成朝離開中心線方向凸 出的凸出部。藉由此種構成，使正交的2個TE01 5模式耦 合，而能根據凸出部大小來調整其耦合量。 另外，本發明的介電共振元件，其特徵在於，分別於 前述第1、第2平板部分的一側面，接合由介電常數低於介 電材料的材料組成的支持台。藉由此種構成，在收納於空 腔內的狀態下，由空腔的導體面分離，而抑止導體損失的 發生。另外，可抑止因TM模式等不需要的共振模式所造 成的不良影響。又，使2個TE01 5模式的影響相同，使設 計更爲容易。 另外，本發明的介電共振元件，其特徵在於，於前述 第1、第2平板部分與前述中心線大致呈直角之任一側面， 接合由介電常數低於介電材料的材料組成的支持台。藉由 1292638 此種構成，在收納於空腔內的狀態下，由空腔的導體面分 離，而抑止導體損失的發生。另外，可抑止因TM模式等 不需要的共振模式造成的不良影響。 另外，本發明的介電共振器，其特徵在於，係由前述 介電共振元件與收納介電共振元件的空腔構成。藉由此種 構成，可防止從TE015雙重模式的介電共振元件向外部漏 出電磁場，以及與外部電路不需要的耦合，謀求特性的安 定化。 另外，本發明的濾波器，其特徵在於，在前述空腔內 ，設置與該空腔內的介電共振元件的既定共振模式耦合的 輸出入耦合機構。藉由此種構成，可獲得選擇性優良的濾 波器特性。 另外，本發明的濾波器，其特徵在於，將前述介電共 振元件的前述第1、第2平板部分非平行地配置於空腔的內 壁面。藉由此種構成，即不需相鄰共振器間用以耦合的環 路與傳送線路，謀求損失的降低化、生產性的提高化以及 低成本化。 另外，本發明的濾波器，特徵在於，將複數個前述介 電共振元件的前述第1、第2平板部分任一方的平面，彼 此配置成同一方向且在同一平面內的狀態，且將該複數個 介電共振元件配置成前述中心線平行地相對於空腔的上下 面。藉由此種構成，可阻止不需要的TM110模式的傳送。 另外，本發明的瀘波器，其特徵在於，係組合前述中 心線相對空腔的上下面平行配置的介電共振元件，與前述 11 1292638 中心線相對空腔的上下面垂直配置的介電共振元件。藉由 此種構成，可阻止不需要的TM110模式的傳送，且謀求多 層化。 另外，本發明的特徵在於，係於前述中心線相對空腔 的上下面平行配置的介電共振元件，組合TE015單模式共 振器或TEM半同軸空腔共振器等的單一模式的共振元件。 藉由此種構成，可阻止不需要的TM110模式的傳送。 另外，本發明的振盪器裝置，設置有2組由線路、與 該線路端部連接的主動元件、以及相對線路耦合於其途中 的介電共振元件所構成的振盪器，其特徵在於：在形成有 前述述線路與主動元件的基板上，裝載上述任一介電共振 元件，且將該介電共振元件的2個TE015模式間產生的2 個耦合模式、即奇模式與偶模式的磁場，分別耦合於前述2 個線路。藉由此種構成，可使用單一的介電共振元件來而 實現小型化，構成輸出2頻率的振動信號的振盪器裝置。 另外，本發明的振盪器裝置，設置有2組由線路、與 該線路端部連接的主動元件、以及相對線路耦合於其途中 的介電共振元件所構成的振盪器，其特徵在於：將前述2 組振盪器的線路彼此大致平行地配置在基板上，以作用爲 介電共振元件的介電材料的中心線平行於基板之方式配置 該介電共振元件，將介電共振元件的奇模式與偶模式的磁 場，分別耦合於2組振盪器的線路。藉由此種構成，可容 易地將線路與振盪器整體配置在基板上。 另外，本發明的通訊裝置，其特徵在於，具有介電共 12 1292638 振器、濾波器或振盪器裝置。藉由此種構成，可構成小型 、輕量，具有高電力效率、高感度通訊性能的通訊裝置。 【實施方式】 以下’梦照圖1說明第1實施形態的介電共振元件的 構成。 圖1(A)〜（D)，係介電共振元件的三面圖，係俯視圖 ，（B)係前視圖，（C)係右側視圖。另外，（d)係介電共振元 件的立體圖。 該介電共振元件，係將介電材料一體成形爲，分別呈 大致正方形板狀的第1平板部分la、與第2平板部分lb， 其中心線（(D)部位的一點鏈線V)彼此一致、交叉的形狀， 本例中，第1、第2平板部分的交叉角係90。。 其中，如圖1(E)所示，中心線的定義，係從第丨平板 部分la的上面畫出的對角線Wl、W2的交點延伸的垂線， 以及從第2平板部分1 b的上面畫出的對角線W3、W4的交 點延伸的垂線。 另外，該第1平板部分la的中心線與第2平板部分lb 的中心線，最好是在完全一致的狀態下交叉，但例如也可 如圖1(F)中的誇張所示，只要兩中心線係位於第1平板部 分la與第2平板部分lb的介電質的交叉部分Z內的話， 即使偏移配置亦可。 設第1平板部分la相對上述中心線延伸於直角方向的 軸爲X軸，設第2平板部分lb延伸的軸爲Y軸。 13 1292638 第1平板部分上，如（C)的箭頭所示，產生電場向量沿 面內方向旋轉的TE015 y模式的共振模式。同樣的，第2 平板部分lb上，如（B)的所示，產生電場向量沿面內方向旋 轉的TE01 5 X模式的共振模式。本例中，因第1、第2平板 部分係正交，故上述2個TE015模式正交，而不互相耦 合。因此，具有可作爲2個獨立的共振器來使用之介電共 振元件的作用。 此介電共振元件，由於其整體是將平面作爲主體的形 狀，以及呈朝上述中心線方向延伸的柱狀體，由此，介電 材料的一體成形非常容易，可減少製造成本。另外，由於 沒有產生第3個共振模式的空間，因此也不會發生與第3 個共振模式不需要的多偶合。 另外，圖1中，如一點鏈線所示的介電共振元件的中 心線，在後述實施形態參照的圖中，爲避免該等圖的複雜 化，除了需要的部分之外不作圖示。 圖2，係顯示第2實施形態的介電共振元件構成的圖。 其中，（A)係俯視圖，（B)是前視圖，（C)是右側視圖。與圖1 所示例不同的，本例中，係將第1平板部分1 a與第2平板 部分lb的交叉角作成90°以外的角度。藉由此種構成，在 第2平板部分lb的面內方向產生的TE01 5 X模式的電場向 量中，產生第1平板部分la的面內方向的成分，TE01 5 X 模式與TE01 5 y模式耦合。且，第1、第2平板部分la、 lb的交叉角越偏離90° ，兩模式的耦合度即越大。 另外，若第1平板部分la係朝向X軸方向話，由於第 14 1292638 2平板部分lb的延伸方向會偏離Y軸，因此電場向量沿該 第2平板部分lb的面內方向旋轉的共振模式，嚴格說來並 非TE01 5 X模式，而是可稱之爲近似TE01 6 X模式的共振 模式。 圖3，係顯示第3實施形態的介電共振元件構成的圖。 圖1所示的例中，第1、第2平板部分la、lb的厚度尺寸 相等，但本圖3所示的例中，第1平板部分la的厚度尺寸 a大於第2平板部分lb的厚度尺寸。藉由此種構成，電場 向量·沿第1平板部分la的面內方向旋轉的TE01 δ y的共振 頻率，即會小於電場向量沿第2平板部分lb的面內方向旋 轉的TEOlSx的共振頻率。亦即，可作用爲共振頻率不同 的2個獨立的共振器。 此構造，在構成例如濾波器時，設有耦合環等輸出入 耦合機構時，因受該輸出入耦合機構的影響，可利用於修 正因共振空間的縮小化造成的共振頻率的上升。 圖4，係顯示第4實施形態的介電共振元件構成的圖。 圖1所示的例中，第1、第2平板部分la、lb的形狀及尺 寸大致相等，但本圖4所示的例中，係將第2平板部分lb 形成爲較第1平板部分la小1號。據此，可使第2平板部 分lb產生的TE01 5 X模式的共振頻率大於第1平板部分la 產生的TE015y模式的共振頻率。亦即，可作用爲共振頻 率不同的獨立的2個共振器。 此構造，在構成例如濾波器時，亦可利用來修正因耦 合環等輸出入機構的影響造成的共振頻率的上升。 15 1292638 圖5(A)〜（D)，係顯示第5實施形態的介電共振元件構 成的圖。（A)係俯視圖，（B)係前視圖，（C)係右側視圖，（D) 係立體圖。 此介電共振元件，係相等於將圖1所示構成的第1、第 2平板部分la、lb的四個角部分加工成去角形狀者。藉由 此種去角構造，電場向量朝X軸方向或Y軸方向的TM110 模式、或TMllOy模式的共振頻率，即會切換至高頻側。據 此，此等不需要的模式的共振頻率即從所使用之TEOl^x 模式或TE015x模式的共振頻率，向無影響的頻率離去， 而能防止Qu的降低。 圖6，係顯示第6實施形態的介電共振元件構成的立體 圖。整體的外形與圖1所示的構成相同。但在本圖6所示 的例中，在第1、第2平板部分la、lb的既定部位上形成 有孔。Hal係第1平板部分la上面形成的孔，Ha2係在其 側面形成的孔。另外，Hbl係第2平板部分lb上面形成的 孔，Hb2係在其側面形成的孔。 如前所述，藉將平板部分的介電質局部性地除去，可 使電場向量沿平板部分的面內方向旋轉的TE01 5模式的共 振頻率向上升方向轉移。由此，孔越深或孔的內徑越大， 則TE01 5模式的共振頻率可設定得越高。 若作成將介電質棒可插入拔出於上述孔，即能對共振 頻率進行上升、下降兩方向的微調。因此，作爲共振器與 濾波器，在裝入此介電共振元件後，亦可進行其特性的調 整。 16 1292638 圖6中，也可將孔Hal、Hbl貫通至該介電共振元件的 底面，也可將孔Ha2、Hb2貫通至各自相對的側面。 另外，由於上述孔是朝介電板部分的面方向延伸的孔 ，因此不致對與該介電板正交的另一介電板部分產生的 TE01 δ模式造成影響。是以，2個TE01 5模式的共振頻率 可獨立地進行調整。 圖7，係顯示第7實施形態的介電共振元件構成的立體 圖。 本例中，形成有孔Ho，該孔Ho係從第1、第2平板部 分la、lb —方的面交叉部，朝隔著圖中以一點鏈線表示的 中心線之對向的另一交叉部方向貫通。 介電共振元件的中央部，分別係2個平板部分上產生 的TE01 5模式的電場成分少的區域，且係電場朝X軸方向 的TE01 5 X模式、電場朝Y軸方向的TE01 δ y模式、電場 朝Z軸方向的TE015z模式的電場成分較高的區域。藉由 在該介電共振元件的中央部形成孔，即能不對上述2個 TE01 5模式的共振頻率造成影響，可上述3個TE01 5模式 的共振頻率切換至不影響使用頻帶的高頻側。 其次’作爲第8實施形態，參照圖8說明2個TE01 (5 模式的耦合方法。 圖8(A)係表示TE015(+y)模式、ΤΕ015(+χ)模式及 該兩者的合成模式、即偶模式。另外，（Β)係表示ΤΕ01 5 (y)模式、ΤΕ01δ(—χ)模式及該兩者的合成模式、即奇模式 。若第1、第2平板部分ia、ib的形狀及尺寸相等，則 17 1292638 ΤΕΟΙδχ模式與TE015y模式的共振頻率相等，因此，該 偶模式與奇模式的頻率也相等。因此，若在第1、第2平板 部分的面交叉部，形成有朝中心線方向的凹部D，則因偶 模式與奇模式失去對稱性，故可使偶模式與奇模式的頻率 具有差別。 圖9，是具有與上述凹部不同的另一形狀的凹部的介電 共振元件的立體圖。 (A)所示例中，在第1、第2平板部分la、lb的面交叉 部，形成有朝中心線方向之寬度一定的槽狀凹部D。此種 凹部的截面形狀，如圖9(B)、（C)所示是任意的。另外，如 圖9(D)所示，凹部D未必一定要朝平行於中心線的方向延 伸，也可局部形成。 圖10，係顯示第9實施形態中的2個TE01 5模式的耦 合構造以及耦合模式（偶模式、奇模式）的共振頻率不同的另 一種結構。 圖8與圖9所示例中，在2個平板部分的面交叉部形 成有凹部，但在該圖10中，反而是在2個面交叉部形成朝 離開中心線的方向凸出的凸出部P。由於此種凸出部P的 存在’前述偶模式與奇模式的共振頻率產生差異，可使 TE01 5 X模式與TE01 5 y模式耦合。另外，可利用頻率不 同的偶模式與奇模式。 接著’顯示介電共振元件的安裝構造。 圖11 ’係顯示第10實施形態的介電共振器組件的結構 ’其在空腔內等安裝有各種如上述的介電共振元件的形態 18 1292638 。（A)所示例中，在與中心線〇垂直的面，即在第1、第2 平板部分la、lb的一側面，分別接合有支持台2。該支持 台2的介電常數低於第1、第2平板部分la、lb的介電常 數。由此，減小了支持台2對共振元件的共振模式的影響 〇 如圖所示，藉由將該支持台2的四個角螺固於空腔的 內底面，可容易地將介電共振器組件安裝在空腔內。 圖11(B)所示例中，設有較第1、第2平板部分la、lb 側面的接合面積小的圓柱狀支持台2。藉由此種構成，可抑 制支持台2對共振模式的影響。（B)所示例中，藉由將支持 台2的底面與空腔的內底面等接合，將介電共振元件支持 在空腔內的既定位置。 圖12，係顯示第11實施形態的介電共振器組件構成的 圖。本例中，支持台2與第2平板部分lb —方的側面接合 。如後所述，在圖12所示的支持結構中，可將介電共振元 件的偶模式與奇模式分別與基板上的2條線路進行磁場耦 合。 另外，圖11與圖12所示例中，並未顯示2個共振模 式間耦合用的凹部與凸出部、頻率調整用的孔等。 其次，參照圖13說明第12實施形態的濾波器構成。 濾波器的構成，係在空腔內收納有上述的各種介電共 振元件，並設有與既定共振模式耦合的輸出入耦合機構。 圖13(A)是取下空腔的上蓋3t後狀態的俯視圖，（B)是 (A)中的A—A部分的截面圖。圖13中，3b是空腔的底板 19 1292638 ，3w是空腔的側壁。在空腔的底板3b上，螺固有圖11(A) 所示構成的介電共振器組件。 4a、4b是同軸接頭，在其中心導線與側壁3w之間，分 別設有稱合環5a、5b。親合環5a如圖8所示，係與TE01 5x模式的磁場耦合。同樣的，耦合環5b係與TE01(5y模 式的磁場耦合。在該介電共振元件中，因形成有凹部D， 故TE015x模式與TE015y模式耦合。因此，此濾波器具 有由2層共振器耦合而成、顯示頻帶通過特性的濾波器的 作用。 圖13所示的空腔的底板3b、側壁3w、上蓋3d分別由 A1等金屬的壓鑄作成，或者藉由對陶瓷與樹脂添加導電性 薄膜而作成。 圖14，係顯示第13實施形態之使用3個介電共振元件 的濾波器構成的圖。（A)是取下空腔的上蓋3t後狀態的俯視 圖，（B)是（A)中的A—A部分的截面圖。其中，10a、10b、 10c分別是在支持台上安裝介電共振元件所組成的介電共振 器組件。本例中，各介電共振元件的平板部分la、lb的方 向，係相對介電共振器組件10a、1 Ob、10c的排列方向配置 成45° 。另外，於相鄰介電共振元件之間局部性地設置側 壁3w’ 。該側壁的開口部分，具有將相鄰介電共振器組件 的既定的共振器間耦合的耦合窗cw的作用。 上述耦合窗cw部分，介電共振器組件10a的平板部分 la的TE01 5 y與介電共振器組件10b的平板部分lb的 TE01 6 X模式係磁場耦合。另外，介電共振器組件10b的平 20 1292638 板部分la的TEOl 5 y與介電共振器組件l〇c的平板部分lb 的TE01 5 X模式係磁場耦合。因此，具有合計6層的共振 器依序耦合、顯示頻帶通過特性的濾波器。 圖15，係顯示第14實施形態之使用3個介電共振器組 件的濾波器構成的圖。本例中，3個介電共振器組件10a、 10b、10c係配置成第1平板部分la相互平行，且第2平板 部分lb朝同一面方向。另外，在介電共振器組件l〇a與 10b之間，由空腔的側壁部分形成耦合窗cw。藉由該耦合 窗cw，介電共振器組件10a、10b之各平板部分lb的TE01 占X模式，彼此磁場耦合。 空腔內，設有分別與介電共振器組件l〇b、10c的第1 平板部分la的TE01 6 y模式磁場親合的親合環6。以線路 11將該2個耦合環6間連接。另外，同軸接頭4a的耦合環 5a ’係配置成與介電共振器組件i〇a的第1平板部分la的 TE01 5 y模式進行磁場耦合的形態。同軸接頭4b的耦合環 5b ’係配置成與介電共振器組件i〇c的第2平板部分lb的 TE01(5X模式進行磁場耦合的形態。 藉由此種構成，而具有合計6層的共振器依序耦合、 顯示頻帶通過特性的濾波器的作用。 圖16，係顯示第15實施形態之使用介電共振器組件的 濾波器構成的圖。圖16(A)係（Β)中的Β—Β部分的截面圖， (Β)係（Α)中的A—Α的截面圖。圖中之3，係構成3個通道 空間的空腔本體，3w是從兩側覆蓋空腔本體3之開口部的 空腔側壁。 21 1292638 圖16中的3個介電共振器組件l〇a、10b、10c、耦合 窗cw、耦合環5a、5b、6的相對位置關係，與圖15所示的 構成等價。如此，在介電共振元件的第1、第2平板部分中 ，無論是將支持台2與哪一方的平板部分的側面耦合，藉 將該支持台2安裝於空腔本體3，皆能獲得在電氣上與圖 15所示構成相同的濾波器。 接著，參照與圖17圖18說明第16實施形態的濾波器 構成。 圖17，係顯示TMllOz模式的電磁場分佈例。圖17(A) 係空腔內的介電共振元件的俯視圖，（B)是從（A)中A-A部 分所視的前視圖。其中，對空腔僅顯示其壁面。 圖17中，實線的箭頭係代表朝z軸方向的電場向量。 另外，虛線的箭頭則代表沿與z軸垂直的面（X - y面）旋轉 的磁場向量。 該TMllOz模式，與積極使用之TE015模式相較，其 磁場擴張較大。因此，相鄰共振器易以TMllOz模式耦合， TMllOz模式易傳遞。當TMllOz模式未充分地與TE01 (5模 式的頻率分離時，受TMllOz模式的影響，也會出現影響濾 波器的衰減帶的情況。 圖18，係顯示解決了上述問題的濾波器構成。圖18(A) 係卸下空腔的上蓋3d後狀態的俯視圖，（B)係（A)中的A—A 部分的截面圖。圖18中，3b是空腔的底板，3w是空腔的 側壁。在空腔的底板3b上，螺固有圖11與圖12所示構成 的介電共振器組件l〇a〜10d。但在本例中，就介電共振器 22 1292638 組件10a、l〇b、10d而言，係將構成介電共振元件的第i、 第2平板部分中，一平板部分的四角加工成去角形狀。 該3個介電共振器組件l〇a、l〇b、10d，係將構成各介 電共振元件的2個平板部分的中心線配置成與空腔的底板 3b及上蓋3t平行。介電共振器組件l〇c，係將上述中心線 配置在空腔的底板3b與上蓋3t之垂直方向。 如圖18(A)所示，在空腔的側壁3w上，分別在介電共 振器組件10a與10b之間、10b〜10c之間、10c〜10d之間 ，形成有耦合窗cw。各介電共振器組件的介電共振元件的 各平板部分上標記的（1)〜（8)的編號，係代表該平板部分的 共振器是第幾層共振器的序數。第1層與第2層、第3層 與第4層、第5層與第6層、第7層與第8層，係分別透 過形成於各介電共振元件的凹部進行耦合。第2層與第3 層、第4層與第5層、第6層與第7層分別透過耦合窗cw 進行磁場耦合。另外，第1層的共振器（1)與耦合環5a耦合 ，第8層的共振器（8)與耦合環5b耦合。 介電共振器組件l〇c所產生的TMllOz模式，無法傳遞 至相鄰介電共振器組件10b、10d。雖然在介電共振器組件 10b、10d中亦會發生TMllOz模式，但與10c相比較，由於 z方向的有效介電常數低，故介電共振器組件l〇b、l〇d中 的TMllOz模式的頻率，較l〇c中的TMllOz模式的頻率高 出1.3倍以上。由此，可抑制TMllOz模式的耦合。其結果 ，介電共振器組件10c所發生的TMllOz模式的頻率，即使 與所利用之TMllOz模式的頻率相接近，也不會對瀘波器的 23 1292638 衰減帶特性造成不良影響。 圖18所示例中，雖係將所有介電共振器組件l〇a〜10d 安裝在空腔的底板3b上，但對於介電共振器組件10a、10b 、10d，也可使用圖11所示構成的介電共振器組件，將其 支持台2螺固在空腔的側壁上。藉由此種構成，在介電共 振器組件l〇a、10b、10d中，因在介電共振元件上下之間隔 有空氣層，故可進一步提高TMllOz模式的頻率，進一步抑 制TMllOz模式的傳遞。 圖19，係顯示第17實施形態的濾波器構成的圖。圖 19(A)係將空腔的上蓋3d取下後狀態的俯視圖，（B)係（A)中 的A— A部分的截面圖。圖19中，3b是空腔的底板，3w 是空腔的側壁。本例中，作爲介電共振器組件l〇a、10d， 係構成由圓柱狀介電共振元件Γ組成的一般TE015單模 式的共振器。於空腔的側壁3w，在介電共振器組件10a與 10b、10b與10c、10c與10d之間形成有耦合窗cw。如此， 由於包含ΤΕΟΙδ單模式的共振器而構成濾波器，因此可進 一步抑制TMllOz模式的傳遞。 圖19所示例中，作爲單模式的共振器，也可設置TEM 半同軸空腔共振器。如此，也能抑制TMllOz模式的傳遞。 另外，圖18與圖19所示例中，雖係將介電共振元件 的支持台直接安裝在空腔的底板上，但也可將墊圏等的間 隔件插入該支持台與空腔的底板之間，藉由空氣層之設置 ，提高TMllOz模式的頻率。如此，可進一步遠離所利用的 TE01 5模式的頻率。 24 1292638 接著，參照圖20、圖21、圖23、圖24說明第18實施 形態的振動裝置構成。 圖20,係顯示構成在基板上的振盪器裝置的外觀立體 圖。在基板25上面，分別形成有線路21b〜24b、21c〜24c 。另外，在基板25上面，分別組裝有FETb、FETc、晶片 電阻Rib、R2b、Rlc、R2c，晶片電容器Clb、Clc。進一步 的，在基板25的上面，通過支持台安裝介電共振元件1。 圖21，係圖20所示的振盪器裝置中之1組振盪器部分 的等價電路圖。圖21的符號，係對樣圖20所示的符號。 線路21的端部以電阻R1作爲終端，另一端部與FET連接 。FET之汲極，連接由線路22與電容器C1組成的偏置電 壓施加電路。Vb代表偏置電壓。在FET的源極，透過電阻 R2與線路24接地。FET的汲極，連接作爲短線（stub)的線 路23。然後，從FEY源極透過電容器C2取出振動信號。 介電共振元件1，係耦合在線路21的既定位置。據此 ，整體構成頻帶反射型振動電路。 圖20所示的振盪器裝置，具有圖21所示的2組振盪 器。但將單一的介電共振元件1組裝在基板25上，將該組 裝位置作爲中心，將電路配置成點對稱。介電共振元件1， 係一種將圖8所示的凹部D取代凸出部構成的介電共振元 件。亦即，介電共振元件1與圖8所示的構成相同，作用 爲共振頻率不同的TE015(y+x)的模式與TE015(y-X)模 式的2個共振器，分別獨立地與線路21b、21c耦合。其結 果，該振盪器裝置儘管使用了單一的介電共振元件，但也 25 1292638 能用作爲輸出頻率不同的2個振動信號的2個頻率振盪器 裝置。 圖23 ’顯示了上述介電共振元件的共振模式與2條線 路的位置關係。本例中，係在基板上，將上述2組振盪器 配置成線路彼此呈大致平行狀，以用作介電共振元件1的 介電材料的中心線（交叉的2個平板部分共有的中心線）平行 於基板之方式，配置該介電共振元件1。圖23(A)係顯示偶 模式的電磁場分佈，（B)顯示奇模式的電磁場分佈。如此， 線路21c即選擇性的耦合於偶模式的磁場，線路21b選擇 性的耦合於奇模式的磁場。 如前所述，藉由將介電共振元件1配置成使用作介電 共振元件1的介電材料的中心線平行於基板，從而可將2 條線路21b、21c平行配置在基板上，極其容易地在基板上 配置振盪器全體，使整體更加小型化。 圖24，係將低介電常數的支持台與垂直於上述中心線 的面接合，透過該支持台將介電共振元件配置在基板上的 例子，亦即，以上述中心線垂直於基板之方式，配置介電 共振元件的例子。圖24(A)、（B)均爲俯視圖。在此場合， 必需將線路設置成與電場面平行。爲了使線路21b’與偶模 式耦合，如（A)所示，係將線路21b’平行配置於偶模式的 電場面’爲了使線路21c’與奇模式親合，如（B)所示，係 將線路21c’平行配置於奇模式的電場面。其結果，成爲將 2條線路21b’ 、21c’配置成面向彼此正交的方向，使電 路的配置複雜化。 26 1292638 接著，參照圖22說明第19實施形態的通訊裝置之特 別是轉換器部分的構成。該轉換器，係一種接收來自廣播 衛星（BS)與通訊衛星（C)發出的電波，分別將其轉換爲中間 頻率信號的轉換器。圖22中，ANT是BS、CS兼用天線的 信號接收探測器。LNAa、LNAb分別是低噪音放大器，分 別放大來自ANT的BS收信、CS收信。BPFb、BPFc分別爲 帶通瀘波器，在以LNAb、LNAc放大的信號中，僅使所需 的頻帶的信號通過。 〇SCb、〇SCc係圖21所示的振盪器，分別產生BS用局 部信號與CS用局部信號。該2組振盪器如圖20所示，構 成單一的振盪器裝置。 MIXb、MIXc係混頻器，將上述局部信號與接收信號加 以混頻，以輸出各自的中間頻率信號。AMP，則將該中間 頻率信號放大，輸出至後層的收信電路。 採用本發明，介電材料的外面是以平面爲主體的形狀 ，其製造容易。且可用作爲TE015的雙重模式共振器，不 會發生多偶合，也不會發生因此而產生的不需要的頻率響 應。 另外，採用本發明，藉由將第1、第2平板部分的交叉 角形成爲90°以外的角度，即具有耦合2個TE01 5模式共 振器耦合的2層振盪器裝置的作用，不致犧牲Qu，而能謀 求整體之小型化。 另外，採用本發明，藉由使第1、第2平板部分的厚度 尺寸彼此不同，即能作爲共振頻率不同的2個TE015模式 27 1292638 的共振器來加以利用。 另外’採用本發明，藉由使第1、第2平板部分的形狀 彼此不同’即能作爲共振頻率不同的2個TE01 δ模式的共 振器來加以利用。 另外’採用本發明，藉由將第1、第2平板部分的角加 工成具有去角形狀或圓弧的形狀，TE015模式的共振頻率 即幾乎不變化"其它TM模式等不需要的共振模式的共振 頻率切換至高頻側，而遠離使用頻帶。據此，可防止因不 需要模式的影響而造成共振器的QU降低。 另外，採用本發明，藉由在第1、第2中任一平板部分 ，或前述第1、第2雙方的平板部分局部性地設置孔，即可 分別設定2個TE01 5模式的共振頻率。 另外，採用本發明，藉由形成從第1、第2平板部分的 一面交叉部，朝隔著中心線對向的另一面交叉部形成孔或 貫通孔，從而可相對2個TE01 6模式的共振頻率，將TM 模式等其它不需要的共振模式的共振頻率，切換至相對高 頻之發生側，防止Qu降低。 另外，採用本發明，藉由在第1、第2平板部分的面交 叉部形成朝中心線方向的凹部，而將正交的2個TE015模 式耦合，可根據凹部的大小來調整其耦合量。 另外，採用本發明，藉由在第1、第2平板部分的面交 叉部形成朝離開中心線方向凸出的凸出部，而將正交的2 個TE015模式耦合，可根據凸出部的大小來調整其耦合量 28 1292638 另外，採用本發明，藉由將以低於介電材料介電常數 的材料組成的支持台，接合於大致垂直於中心線的面，即 分別接合於第1、第2平板部分的一側面，從而在收納於空 腔內的狀態下與空腔的導體面分離，抑制導體損失的發生 。另外，可抑制因TM模式等不需要的共振模式產生的不 良影響。且對2個TE01 5模式的影響相等，而易於設計。 另外，採用本發明，藉由將以低於介電材料介電常數 的材料組成的支持台，接合於與大致平行於中心線的面， 亦即接合於第1、第2平板部分任一平板部分的一側面，從 而在收納於空腔內的狀態下與空腔的導體面分離，抑制導 體損失的發生。另外，可抑制因TM模式等不需要的共振 模式產生的不良影響。 另外，採用本發明，藉由介電共振元件與收納該介電 共振元件的空腔構成介電共振器，可防止從TE015雙重模 式的介電共振元件向外部漏出電磁場，並可防止與外部電 路不需要的耦合，使特性穩定化。 另外，採用本發明，藉由在空腔內設置與該空腔內的 介電共振元件的既定共振模式耦合的輸出入耦合機構，以 構成濾波器，可減少插入損失，獲得選擇性優異的濾波器 特性。 另外，採用本發明，藉由將平行於介電共振元件的中 心線的任意面，非平行的配置於空腔內壁面，以構成濾波 器，即不需要相鄰共振器間耦合用的環路與傳送線路，謀 求降低損失、提高生產性以及降低成本。 29 1292638 另外，採用本發明，藉由以複數個前述介電共振元件 的前述第1、第2平板部分的任一平面彼此共有同一平面， 且前述中心線平行面向空腔的上下面之方式配置該複數個 介電共振元件，可阻止不需要的TM110模式的傳遞，抑制 衰減帶產生不良影響。 另外，採用本發明，藉由組合中心線平行面向空腔的 上下面配置的介電共振元件，與中心線垂直面向空腔的上 下面配置的介電共振元件，可阻止不需要的TM110模式的 傳遞，容易的謀求多層化。 另外，採用本發明，藉由組合中心線平行面向空腔的 上下面配置的介電共振元件，與TEO1 5單模式共振器或 TEM半同軸空腔共振器等的單一模式的共振元件，可阻止 不需要的TM110模式的傳遞。 另外，採用本發明，藉由設置2組由線路、與該線路 端連接的主動元件以及耦合於線路途中的介電共振元件所 構成的振盪器，在形成有線路與主動元件的基板上，載置 介電共振元件，且將其奇模式與偶模式的磁場分別與2條 線路耦合，構成振盪器裝置，即能使用單一的介電共振元 件，在謀求小型化的同時，構成輸出2頻率振動信號的振 盪器裝置。 另外，採用本發明，藉由將前述2組振盪器的線路彼 此大致平行地配置在基板上，以作用爲介電共振元件的介 電材料的中心線平行於基板之方式配置該介電共振元件， 將介電共振元件的奇模式與偶模式的磁場，分別耦合於2 30 1292638 組振盪器的線路，可容易地將線路與振盪器整體配置在基 板上。 另外，採用本發明，藉由具有介電共振器、濾波器或 振盪器裝置來構成通訊裝置，從而可構成小型輕量，具備 高電力效率、高感度之通訊性能的通訊裝置。 【圖式簡單說明】 (一）圖式部分 圖1(A)〜（F)，係顯示第1實施形態的介電共振元件構 成的圖。 圖2(A)〜（C)，係顯示第2實施形態的介電共振元件構 成的圖。 圖3(A)〜（C)，係顯示第3實施形態的介電共振元件構 成的圖。 圖4(A)〜（D)，係顯示第4實施形態的介電共振元件構 成的圖。 圖5(A)〜（D)，係顯示第5實施形態的介電共振元件構 成的圖。 圖6，係顯示第6實施形態的介電共振元件構成的圖。 圖7，係顯示第7實施形態的介電共振元件構成的圖。 圖8(A)、（B)，係顯示第8實施形態中2個TE01 5模式 ，與其耦合模式之偶模式、奇模式的電磁場分佈的圖。 圖9(A)〜（D)，係顯示耦合2個TE01 5模式之介電共振 元件構成的立體圖。 31 1292638 圖10(A)〜（D)，係顯示耦合第9實施形態的2個TEOl 5模式的介電共振元件構成的立體圖。 圖11(A)、（B)，係顯示第10實施形態的介電共振器組 件構成的圖。 圖12，係顯示第11實施形態的介電共振器組件構成的 圖。 圖13(A)、（B)，係顯示第12實施形態的濾波器構成的 圖。 圖14(A)、（B)，係顯示第13實施形態的濾波器構成的 圖。 圖15(A)、（B)，係顯示第14實施形態的濾波器構成的 圖。 圖16(A)、（B)，係顯示第15實施形態的濾波器構成的 圖。 圖17(A)、（B)，係顯示TMllOz模式的電磁場分佈例的 圖。 圖18(A)、（B)，係顯示第16實施形態的濾波器構成的 圖。 圖19(A)、（B)，係顯示第17實施形態的濾波器構成的 圖。 圖20，係顯示第18實施形態的振盪器裝置構成的立體 圖。 圖21，係振盪器裝置中1組振盪器部分的等價電路圖 32 1292638 圖22，係顯示第19實施形態的通訊裝置構成的方塊圖 Ο 圖23(A)、（B)，係顯示介電共振元件的共振模式與2 條線路的位置關係的圖。 圖24(A)、（B)，係顯示介電共振元件的共振模式與2 條線路的位置關係的圖。 (二）元件代表符號 1 介電共振元件 la, lb 平板部分 2 支持台 3 空腔 3b 底板 3t 上蓋 3w 側壁 4 同軸接頭 5，6 耦合環 10 介電共振器組件 11 線路 21 〜24 線路 25 基板 cw 稱合窗 D 凹部 P 凸出部 33

Claims (1)

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第91133934號申請案，申請專利範圍修正本 1.一種介電共振元件，其特徵在於： 將在大致正方形板狀的第1、第2平板部分，以該平板 部分的中心線彼此一致且呈交叉的狀態一體成形爲介電材 料； 於第1、第2平板部分，分別產生電場向量沿該平板部 分的面內方向旋轉的TE01 5模式的電磁場。 2. 如申請專利範圍第1項之介電共振元件，其中，係將 鲁 前述交叉的角度形成爲90°以外的角度。 3. 如申請專利範圍第1或2項之介電共振元件，其中， 前述第1、第2平板部分的厚度尺寸彼此不同。 4. 如申請專利範圍第1或2項之介電共振元件，其中， 前述第1、第2平板部分的形狀彼此不同。 5. 如申請專利範圍第1或2項之介電共振元件，其中， 係使前述第1、第2平板部分的角，具有去角形狀或圓弧的 形狀。 · 6. 如申請專利範圍第1或2項之介電共振元件，其中， 前述第1、第2之任一平板部分的側面，或前述第1、第2 雙方的平板部分，局部性地設有孔。 7. 如申請專利範圍第1或2項之介電共振元件，其中， 前述第1、第2平板部分的一方的面交叉部，形成有孔或貫 通孔。 8. 如申請專利範圍第1或2項之介電共振元件，其中， 34 1292638 前述第1、第2平板部分的面交叉部，形成有凹部。 9·如申請專利範圍第1或2項之介電共振元件，其中， 前述第1、第2平板部分的面交叉部，形成有凸出部。 1〇·如申請專利範圍第1或2項之介電共振元件，其中 ’係於前述第1、第2平板部分之與前述中心線大致垂直的 任一側面，接合由介電常數低於前述介電材料的材料所構 成的支持台。 11_如申請專利範圍第1或2項之介電共振元件，其中 ，係於前述第1、第2平板部分中，與前述中心線大致平行 的任一側面，接合由介電常數低於前述介電材料的材料所 構成的支持台。 12. —種介電共振器，其特徵在於： 係由申請專利範圍第10或11項之介電共振元件，與 收納該介電共振元件的空腔構成。 13. —種濾波器，其特徵在於： 係由申請專利範圍第12項之介電共振器，與輸出入耦 合機構所構成，該輸出入耦合機構，係耦合於該介電共振 器的介電共振元件的既定共振模式。 14·如申請專利範圍第13項之濾波器，其中，係以複數 個前述介電共振元件之前述第1、第2平板部分，非平行於 空腔的內壁面之方式，配置該複數個介電共振元件。 15·如申請專利範圍第13項之濾波器，其具備介電共振 元件，該介電共振元件係配置成，複數個前述介電共振元 件的前述第1、第2平板部分的任一平面，以彼此相同面向 35 1292638 且在同一面內的狀態配置，且前述中心線係平行面向空腔 的上下面。 16. —種濾波器，其特徵在於： 設有以前述中心線垂直面向空腔的上下面方式配置的 介電共振元件，並將該共振元件耦合於申請專利範圍第15 項之介電共振元件而成。 17. —種濾波器，其特徵在於： 設有單一模式的共振元件，並將該共振元件耦合於申 請專利範圍第13項之介電共振元件而成。 18. —種振盪器裝置，係設有2組由線路，連接於該線 路端部的主動元件，以及耦合在前述線路途中的介電共振 元件所構成的振盪器，其特徵在於： 在形成有前述線路與主動元件的基板上，載置申請專 利範圍第1〜11中任一項之介電共振元件，並將該介電共 振元件的2個TE01 5模式間產生的2個耦合模式、即奇模 式與偶模式的磁場，分別耦合於前述2條線路。 19. 如申請專利範圍第18項之振盪器裝置，其中，係將 前述2組振盪器的線路彼此配置成大致平行，將前述介電 共振元件作爲申專利範圍第11項之介電共振元件，將前述 奇模式與偶模式的磁場，分別耦合於前述2組振盪器的線 路。 20. —種通訊裝置，其特徵在於： 具有申請專利範圍第12項之介電共振器，申請專利範 圍第13〜17項之濾波器，或申請專利範圍第18、19之振 36 1292638 盪器裝置。

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