TWI292441B - - Google Patents
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Description
1292441 五 形 U 閘 定 化 統 隧 耗 I 術 不 許 材 閘 發明說明（1) 、[發明所屬之技術領域] 本發明係關於一般之基板處理技術，尤其和在基板上 成高電介質膜之基板處理方法相關。 隨著微細化技術的進展，現在已可製造具有低於0 · 1 in閘極長度之MOS電晶體的超微細加工半導體裝置。 此超微細加工半導體裝置中，為了縮短M0S電晶體之 極長度及提高半導體裝置之動作速度，就必須依據比例 律而減少閘極絕緣膜之厚度。例如，若使用傳統之矽氧 膜做為閘極絕緣膜時，閘極絕緣膜之厚度就必須降至傳 ？nm以下。然而，氧化膜之厚度若降至此程度，因 ::應會使流過氧化膜之閘極漏電流會增大，而導致消 電力增大等之裝置特性的變差。 =丄從以前就開始檢討以％〇5、Zr〇2、 專呵電介質膜來取代傳統矽氧化狹 而言，這此莴雷介皙瞪^ …、 M牛導體技 相同，為；η使用之矽氧化膜的性質大 多待解決之問題 …應用做閘極絕緣膜，尚有 相對於此，矽氮化膜係傳統 料，且具有矽氧化膜之2倍的介二體敕處理0上-向採用之 :中之摻雜元素擴散至妙基板〜數，且二有效阻止 速半導體裝置之閘極絕緣膜的很有可-成為次世代 、[先前技術] 討 ，—般而言，此種CVD氮化膜因J /成夕虱化骐。然 化膜因界面特性較差而不適合
第6頁 傳統上，一般會利用電漿CVD法 1292441 五、發明說明（2) 當做閘極絕緣膜。因此，不曾嚐試將傳統氮化膜應用於閘 極絕緣膜上。 相對於此，最近則有人提出在如微波激勵之Ar、Kr、 或He的稀有氣體電漿中，導入如氮氣、氮氣及氫氣、或 NH3之含有氮的氣體，使其產生N游離基或關游離基，將矽 氧化膜表面變換成氮氧化膜之技術（KasUyUki Sekine， Yuji Sato, Masaki Hirayama and Tadahiro ohmi, J.
Vac· Sci· Technol. A17(5)， Sept/〇ct 1999， PP,3129-3133; Takuya Sugawara, Toshio Nakanishi, Masaru Sasaki, Shigenori Ozaki, Yoshihide Tade, Extended Abstracts of Solid State Devices and Materials，2002，ΡΡ·714-715)。利用此方式形成之氮氧 化膜’具有和矽熱氧化膜相同、或更佳之界面特性，很有 可能成為次世代高速半導體裝置之閘極絕緣膜。又，亦有 人提出利用此微波電漿直接實施矽基板表面之氮化的電漿 氣化技術、以及在前述稀有氣體電漿中導入含氧氣體且直 接實施氧化之電漿氧化技術。 又’以同一裝置在石夕基板表面之氧化處理後接著實施 電漿氮化處理時，若處理環境中殘留著氧化處理或其他處 理時導入之氧氣，則氮化處理之同時也會進行氧化，結 果，=有氮化處理所形成之閘極絕緣膜的膜厚增大之問 題。若出現此種閘極絕緣膜之膜厚增加的現象，則無法依 據比例定律獲得期望之半導體裝置的動作速度提升。此閘 極絕緣膜之膜厚增加的問題，在為了使導入之氮原子能在
I1M 第7頁 1292441 五、發明說明（3) —一" 膜厚方向充分擴散而實施長時間氮化處理時、或底層之氧 化膜車乂薄日才^特別明顯（TakUya Sugawara，Μ.，〇p.
Cit.; C. C. Chen, M. C. Yu, M. F. Wang, T. L. Lee, S· C· Chen，C· H. Yu and M.S· Liang，2002 7th International Symposium on Plasma and Process Induced Damage, pp·41—44) 0 "氧化处理及鼠化處理若在不同裝置内實施時，將基板 從氧化，理裝置移入氮化處理裝置時所吸附的水分，亦會 產生因氧化而使閘極絕緣膜之膜厚增加的相同問題。 三、[發明内容] 因此’本發明之課題，就是提供可解決前述問題之新 型而有效之基板處理裝置及處理方法。 本發明之更具體的課題，就是提供一種基板處理方法 及基板，理衣置’在；5夕基板表面之氧化處理後接著實施對 形，，氧化膜進行氮化處理時，可抑制因氮化處理而形成 之氮氧化膜的膜厚增加。 本發明之其他課題則係提供一種基板處理方法，具 有： 利用對矽基板表面實施氧化處理來形成氧化膜之步 驟、以及 利用對前述氧化膜實施氮化處理來形成氮氡化膜之步 驟；且 —:述氧化處理步驟後、前述氮化處理步驟前，含有對 實施前述氮化處理之環境實施氧氣排除之步驟。
1292441
依據本發明，對形成於矽基板表面之氣化膜實施 處理時，可抑制因殘留於處理環境内之氧所導致 化 :厚：形成適合用於超高速半導體裝置之閘極絕緣Π 溥氮氧化膜。 本狀幻極 四、[實施方式] 本發明之較佳實施形態如下所示。 [弟1實施例] 成。第1圖係本發明使用之電漿基板處理裝置10的概略構
參照第1圖，電漿基板處 理基板W之基板固定台12的處 用排氣口 11 Α進行排氣。前述 熱器4基板溫度控制機構1 2 a 理裝置1 0具有形成固定被處 理容器1 1，處理容器Π可利 基板固定台1 2中，會形成加 前述處理容器1丨上，會對應前述基板固定台12上之被 處理基板W形成開口部’前述開口部係由蓉土等低耗陶磁 所構成之蓋板13封住。X ’蓋板13之下方，以和前述被處 理基板W相對之方式形成氣體導入路徑、及和其連通之複 數喷^開：部*㈣土等低耗陶磁所構成之散流板14。
前述蓋板13及散流板14會形成微波窗，在前述蓋板13 f外側，會形成_射線槽孔天線或制n八式天線等之微波天 動作時’前述處理容器U内部之處理空間會經由前述 ^氣口HA實施排氣而處於特定之處理壓力下，然後，從 剛述散流板14同時導稀有氣體、及氧化氣體或
1292441 五、發明說明（5) 化氣體。 又，從前述天線15上部照射頻 射之微波會在天線之直徑方向傳送而 z之微波。照 透過蓋板1 3被導入直空容 、本下部發射，並 4波，故合產4 a此時，因經由天線導入 娬波故a產生尚密度、低電子溫度之均一八右的雷难 因此，第1圖之基板處理裝置中，電聚之電子^ 低，而可避免傷害到被處理基板¥及處理容器u内壁。 又，形成之游離基會沿著被處理基板w之表面在直徑方向 流動，。且因實施快速排氣，故可抑制游離基之復合，而可 在600 C之低溫下實施效率良好且一致之基板處理。 第2圖係使用第1圖之基板處理裝置1〇實施矽基板表面 之氧化處理並接著對得到之電漿氧化膜實施氮化處理來形 成虱乳化膜時，膜中之氧原子及氮原子的SIMS(二次離子 質譜儀）圖。但，第2圖之實驗，係對前述第丨圖之基板處 理裝，10的，理容器11内分別以1〇〇〇SCCM & 2〇SCCM流量提 供Ar軋體及氧軋，在i.33xi〇ipa程度之壓力、之基板 度下，以1 500W之電力提供45GHz之微波，形成厚度約 6nm之氧化膜’氮化處理之實施上，則係分別以1〇〇〇SCCM 及20SCCM流量提供Ar氣體及氧氣，在133xl〇lpa程度之壓 力、400 °C之基板溫度下，以15〇〇w之電力提供45GHz之微 波0 參照第2圖可知，氧化膜表面附近會形氮之濃集區 域’氮原子即是從此種氮濃集區域擴散至氧化膜内部。此 種氮原子擴散至氧化膜中而形成之氮氧化膜，因在氮濃集
第10頁 1292441 — 五、發明說明（6) :域及氧化膜之間不會形成界面，故膜中亦不會形成陷 = 2®^尚有改變氮化時間時之氮原及及氧原子之濃 度刀布由第2圖可知，氮化時間愈長則膜中氧 會同時增大。a盘 〜瓦只J腾T <乳/辰度亦 度增加。會造成工而Ϊ氧化膜之厚 =:二”趙供應管路之内壁的氧分子、或附著於基 及可抑制此種氧化膜捭厚 種乳化膜增厚之機構、以 方法。第3圖Α係氧化“ ^第1士實施例的基板處理 電漿照射順序，第3 s B :处理時之處理容器11中的 化，，則係 容』=會 理時會以第3圖b之方式將氧氣m二來，而在氧化處 在氮咋處理時則會以第3 刖，处理容器11中，而 器11中。又，當結束氧化\ 工、將亂氣導入前述處理容 氣供應。同樣的，結束^ 、，會關閉電漿A且停止氧 漿B，停止氮氣供應。^处理日寸，會關閉原本照射之電 尤其是在結束氧化處理 應，附著於處理容器之器壁或氣體供=已停止氧氣之供 慢釋出，故會如第3圖b所一！：體供應e路之氧分子會緩 所…述處理容器1”之氧濃度 第11頁 1292441
五、發明說明（7) 圖會出現尾部。 因此，停止氧氣供應後立 並照射電漿時，殘留於處理容 產生之氧游離基造成之矽基板 同時進行。 即將氮氧導入處理容器1 1中 器11中之氧會活化，結果， 的氧化，會和氧化膜之氮化
、，了解決此問題，本實施例中採用第3圖A所示之方 法，氮化處理時之電漿的照射，會比氧化處理結束時之電 漿關閉延遲1〜600秒，而且，在停止氧氣供應後，立即將 氮氣和Ar氣體同時導入處理容器u中。結果，前述處理容 器11之内部在實施電漿再度照射為止之期間，會利用以此 方式導入之Ar氣體及氮氣進行清洗。如此，會以氮氣對氧 化處理後之前述處理容器丨丨實施清洗，前述處理容器丨丨内 部之氧會如第3圖β之虛線所示，被快速排除，而可縮短整 體基板處理時間。前述清洗步驟中，例如，以和前述氧化 處理或氮化處理相同之1 00 0SCCM流量提供Ar氣體、或以 2 0SCCM流量提供氮氣皆可。 下述表1係本實施例之代表配方例。
表1
Ar(SCCM) 02CSCCM) N2CSCCM) 微波 功率（W) 時間 (秒） 1000 20 1500 40 1000 20 0 N2清洗 1000 20 1500 30
第12頁 1292441
卜又，如第3圖D所示，亦可在清洗期間内間歇性供應 氮，亦即實施周期式清洗。利用此種周期式清洗，ς 一 步、縮短清洗時間。當然，如第3圖£所示，若前述氧化處理 Α及氮化處理β間若充分之時間間隔，亦可省略氮氣之清 [第2實施例] 第4圖Α〜C係使用第1圖基板處理裝置1〇之本發明第2 實施例的基板處理方法。 本實施例中，如第4圖A所示，從氧化處理步驟A開始 至氮化處理步驟B結束為止會連續形成電漿。另一方面f 本實施例中，為了避免氮化處理步驟B之氧化膜增厚，如 第4圖B所示，將氧氣供應時間t設定為小於氧化處理步驟 期間。利用此方式，氧氣供應步驟在氧化處理步驟結束之 前已經結束，利用殘留於處理容器11或氣體供應系統内之 氧來實施剩餘之氧化處理步驟。 在本實施例中’在第4圖C所示之氮氣導入時點已結束 氧化處理，結果，氮化處理時沒有氧化膜增厚之現象。 在本實施例中，從氧化處理步驟開始至氮化處理步驟 結束為止之期間會連續形成電漿，在第4圖B停止供應氧氣
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ϊ: 氧氣會被氧化處理消耗，而快速降低殘留氧濃 i即=氮=處理步驟後’可以不設置較長之氧=步 :始鼠：處理步驟，而可提高基板處理之產率。 ^,如第4圖D所示，和本實施例之原理相同者，如在 …、、w後導入N2氣體貫施氮化處理之方法。 [第3貫施例]
=5圖係本發明第3實施例之群集型基板處理裝的 構成圖。 指，9參f第5圖，群集型基板處理裝置20具有連結著卡式 模、、且21A的真空搬運室21，前述真空搬運室21連結著和第1 圖基，處理裝置1〇相同構成之基板處理室218、21D、及前 f理室21C。載置於前述卡式模組2 1Λ上之矽基板，會利用 刖述真空搬運室21中之自動搬運機（圖上未標示）搬運炱前 述基板處理室21β，在前述基板處理室2丨8中實施電漿游離 氧化處理，在前述矽基板表面形成氧化膜。
將利用此方式完成氧化處理之矽基板搬運至前處理室 21C ’在Ar或氮環境中，存放於3〇〇〜6〇(pc之溫度下數分 鐘，除去吸附於基板表面之氧分子。 將經過前處理之矽基板，經由真空搬運室21搬運i基 板處理室2 1 D，實施和前面說明相同之氮化處理。此時， 前述基板處理室2 1 D因未改變環境，搬運基板後可立即開 始氮化處理’故可提高整體基板處理之產率。又，本實施 i III 1
I
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例=，係在專用之前處理室2丨c實施附著於被處理基板上 之氧分子，除了可提高除去效率以外，尚可有效抑止氮化 處理時之增厚。 又，如第5圖所不，在前述前處理室21C實施Ar電漿處 理，故可縮短基板之前處理時間。又，此種前處理亦可在 前述基板處理室21D中實施。 [第4實施例] 第6圖^係本發明第4實施例之群集型基板處理裝置3 〇的
構成圖。第6圖中先前已說明之部分會附與相同符號，並 省略其說明。 參照第5圖，基板處理裝置3〇係在基板處理室21β實施 電漿游離氧化處理。 具體而言，首先，被處理基板會被從前述卡式模組 21A經由真空搬運室21搬運至基板處理室2ΐβ，實施先前說 明之電漿游離氧化處理。完成氧化處理之被處理基板會經 由前述真空搬運室21搬運至前述前處理室21C，利用加熱I 處理或Ar電聚處理除去吸附之氧分子。
在前述前處理室21C内對前述被處理基板實施處理之 期間，前述基板處理室2 1 B則如前面第3圖及第4圖A〜C之 說明所示’將氧氣環境轉換成氮氣環境。又，在前述前處 理室2 1 C處理前述被處理基板之期間，將虛擬晶片導入處 理室2 1 B，利用對前述虛擬晶片實施電漿處理，可將處理 室2 1 B之環境轉換成氮氣環境。又，亦可在無虛擬晶片下
1292441 五、發明說明（11) 實施相同之處理。 ，將f前述基板處理室21C完成前處理之被處理基板經 由珂述，、空㈤搬運室21送回前述處理室21B之時點，前述處 理室21 B之％ i兄已轉換成氮氧環境，亦完成殘留氧分子之 清洗。故在前述前處理室21C實施電漿照射，可使形成於 前述被處理基板表面之氧化膜氮化。 射’在專用之前處理室2κ中實施之被處理 子的除去步驟，可和基板處理室21B之環境 轉，步實施，故可提高基板處理之產率。 神狀蓄1 n -T 1 ，、要叹置1個第1圖所示之基板處 衣 "’可降低基板處理裝置3G之製造費用。 置ίο -於ΐ用圖構成在具有第1圖所示構成之基板處理裝 膜的氮化處理上亦十“化處理裝置形成之熱氧化 化产：：放:\用外Π匕處理裝置實施熱氧化處理等之氧 八处若在S ι"η反所-大乳中搬運時會吸附大氣中之水 梦基板實施氮化處理，因氮電化裝處處理理此吸附水分之 法充分除去水分，&會==時：基；溫度較低而無 題。 中之氧導致基板氧化的問 相對於此，第6圖之基板處 化處理之⑦基板如圖巾虛線所巾’係將經過氧 運至前處@ ，/、 直接從卡式模組21A搬 連主刖慝理至21C，在珂述前處 四 施300〜600 t之加熱處理 至21C中，在境下實 4电水處理，故可使吸附之水分 1292441 五、發明說明（12) 子脱離基板表面。 利用此方式將經過前處理之被處理基板搬運至前述基 板，理室2 1 B，可以在不會出現因氧化而增厚之情形下實 施氧化膜之氮化。此時，因前述基板處理室2丨β係氮化處 理專用’故無需轉換環境氣體，亦不會因基板處理室21 b 中殘留氧而有氧化的問題。 又’必要時，可將前述前處理室21C之機能整合於前 述基板處理室21B中。 此時，設於基板處理室21B中之第1圖所示基板處理裝 置10 ’會驅動基板固定台12中之基板溫度控制機構12^， 在Ar環境下將基板加熱至3〇〇〜6〇〇它之溫度。此時，當然 亦可配合需要來形成電漿。 田’、 以下’係針對本發明之良好實施例進行說明，然而， 本發明並未又前述實施例之限制，只要在申請專利範内 可實施各種變形或變更。 本發明之產業上的利用如下所示。 依據本發明，對形成於矽基板表面之氧化膜實施氮化 處理時，可抑制因殘留於環境中之氧所引起之氧化膜增 厚，形成適合超高速半導體裝置之閘極絕緣膜的極薄^ 化膜。 ^
IMI 1292441 圖式簡單說明 五、[圖式簡單說明] 第1圖係本發明第1實施形態使用之基板處理裝置的構 成圖。 6
第2圖係在第1圖之基板處理裝置中連續實施矽基板之 氧化處理及氮化處理時，所形成之氮氧化膜中之氧原子及 氮原子的分布圖。 苐3圖A〜E係本發明第1實施例之基板處理方法的說明 圖。 第4圖A〜D係本發明第2實施例之基板處理方法的說明
圖。 第5圖係使用本發明第3實施例之群集型基板處理裝置 的基板處理方法之說明圖。 弟6圖係使用本發明第4實施例之群集型基板處理裝置 的基板處理方法之說明圖。 [元件符號之說明] W〜被處理基板 10〜電漿基板處理裝置 11〜處理容器
11 A〜排氣口 1 2〜基板固定台 1 2 a〜基板溫度控制機構 1 3〜蓋板 1 4〜散流板
第18頁 1292441 圖式簡單說明 1 5〜微波天線 2 0〜群集型基板處理裝置 21〜真空搬運室 2 1 A〜卡式模組 21B、21D〜基板處理室 2 1 C〜前處理室
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Claims (1)
1292441 j 91136459 料年7月Θ曰〔 修正 附件絲1¾ L六、申气年利m-i 1. 一種對基板進行處理的電漿處理方法，於處理容器 内產龙電漿，其特徵為更包含： 異少將氧氣導入該處理容器内，進行電漿照射之後， 產旅，第I、電聚’並以該電聚使該基板氧化’形成乳化膜之乳 化處锂步驟；以及 停止該電漿，且停止該氧氣供應，將氮氣導入該處理 容器跨，進行電漿照射之後，產生第2電漿，以該電漿對該 氧化膜進行氮化處理之步驟； 其中，該第2電漿的照射，係從該第1電漿的停止開始 起算，延遲1〜6 0 0秒之後，除去吸附於該基板之氧分子， 藉由照射的方式對氧化膜進行氮化處理。 2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理方法，其中，到該 第2電漿的照射為止的該氮氣，係間歇性供應。 3. 如申請專利範圍第1項之電漿處理方法，其中，該氧 氣供應時間比氧化處理時間更短。 4. 如申請專利範圍第1項之電漿處理方法，其中，該氧 化處理步驟與氮化處理步驟係連續地進行。 5. 如申請專利範圍第1項之電漿處理方法，其中，於該 氧化處理步驟後，再以稀有氣體電漿進行處理。 6. 如申請專利範圍第1項之電漿處理方法，其中，該氧 化處理及氮化處理，係在6 0 0 °C以下進行。 7. 如申請專利範圍第1項之電漿處理方法，其中，該電 漿係經由天線產生。 8. 如申請專利範圍第1項之電漿處理方法，其中，微波
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案 E 911364M 六、申請專利範圍 係供應到該天線以生成電漿。 9. 一種群集型基板處理裝詈雷 田雷將、隹耔卢柿〇从人衣置之電衆處理方法，其係使 真空搬運室所構成，其特徵為更包含： 土板处里至之 驟，由該真空搬運室將基板搬運到該扪基板處理室之步 電將Ξ ΐ :1 板基造板處ΛΛ中，產生氧氣的第1電聚，並以該 :…基板 化處理’在基板上形成氧化膜之步 將該基板從該第i基板處理室經 到第2基板處理室之步驟； ^、工搬運至’搬運 於該第2基板處理室中，在延遲1〜6〇〇秒後將該某 吸附氧分子去除之前處理步驟； x、 從該第2基板處理室内經由該真空搬運 運到第3基板處理室之步驟；以及 將該基板搬 於該第2基板處理室中，產生氮氣的第2電漿，並以該 電聚對該基板進行說化處理之步驟。 10. —種群集型基板處理裝置之電漿處理方法，其係 =電裝進行處理，且結合由至少一個以上的基板處理、室之 真空搬運室所構成，其特徵為更包含： 經由該真空搬運室將基板搬運到該第丨基板 驟； 王〜乂 於該第1基板處理室中，產生氧氣的第丨電漿，並以該 電聚對該基板進行氡化處理，在基板上形成氧化膜之步
1292441 ----案號 91136459_Θ厶年 ^月g_修正 __ 六、申請專利範圍 驟； 從該第1基板處理室經由該真空搬運室，將該基板搬運 到第2基板處理室之步驟； 於該第2基板處理室中，在延遲1〜6 〇 〇秒後將該基板的 吸附氧分子去除之前處理步驟； 從该第2基板處理室經由該真空搬運室，將該基板搬運 到第1基板處理室之步驟；以及 於該第1基板處理室中，產生氮氣的第2電漿，並以該 電漿對該基板進行氮化處理之步驟。 11· 一種群集型基板處理裝置之電漿處理方法，其係使 用卡式模組與電漿進行處理，且結合由至少一個以上的基 板處理室之真空搬運室所構成，其特徵為更包含： 將氧化處理後的基板從該卡式模組經由該真空搬運室 '搬運到該基板處理室之步驟； 於該第1基板處理室中，在延遲}〜6〇〇秒後將該基板的 吸附氧分子去除之前處理步驟； 將该基板k該弟1基板處理室經由該真空搬運室，搬運 到弟2基板處理室之步驟；以及 於該第2基板處理室内，產生氮氣電漿，並以該電漿對 該基板上的氧化膜進行氮化處理之步驟。 ' 1 2 ·如申請專利範圍第9至11項中任一項之群集型基板 處理裝置之電襞處理方法，其中，該前處理係利用加熱及 /或電漿處理進行。 … 13·如申請專利範圍第9至11項中任一項之群集型基板
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處理I置之電漿處理方法，其中，該前處理係於稀有氣體 及/或氮氣環境中進行。 將14·如申請專利範圍第11項之群集型基板處理裝置之電 水處理方法，其中，該氧化處理基板係經過熱氧化處理後 之基板。 15 ·如申請專利範圍第9至11項中任一項之群集型基板 t理裝置之電漿處理方法，其中，該電漿係對天線供應微 波而產生。 1 6 ·如申請專利範圍第9至1 1項中任一項之群集型基板 f理裝置之電漿處理方法，其中，該電漿係利用天線而產 料：a . 一種電漿處理方法，其係於處理容器内產生電漿， 、土板上的氧化膜進行氮化處理，其特徵為更包含： 理容器内配置具備氧化膜之該基板之步驟； 漿，以：：5 2遠處理容器a，進行電漿照射之後產生電 及 Μ電水對該基板的氧化膜進行氮化處理之步驟；以 600 ’係從配置該基板開始起算，延遲1〜 附於基板的氧分子去除並照射。 i 8 ·如申请專利範圍第 氧化膜係S1G2或高介電1^7。項之電裝處理方法，其中，該 容器1内9產之電漿處理方★，其係於處理 王屯水 其特徵為更包含： 於該處理容器内配置該基板之步驟；以及
第23頁 1292441 _案號91136459 办年^月^^曰 修正_ 六、申請專利範圍 於該處理容器内導入氧氣及/或氮氣，進行電漿照射之 後產生電漿，並以該電漿對該基板進行氧化處理、或氮化 處理、或氧氮化處理之步驟； 其中，該電漿的照射，係從配置該基板開始起算，延 遲1〜6 0 0秒之後，將吸附於基板的氧分子去除並照射。 2 0、一種基板處理方法，包含：藉由對矽基板表面施 以氧化處理而形成氧化膜之步驟，以及藉由對該氧化膜利 用氮氣電漿施以氮化處理而形成氧氮化膜之步驟，其特徵 為更包含： 在該氮化處理步驟前，從實施該氮化處理之環境排除 氧之步驟，且該排除氧之步驟在3 0 0〜6 0 0 °C下進行。 2 1、如申請專利範圍第2 0項之基板處理方法，其中， 該排除氧之步驟係在實施該氮化處理之處理裝置内實 施。 22、 如申請專利範圍第20項之基板處理方法，其中， 該排除氧之步驟係在和實施該氮化處理之處理裝置不 同之其他處理裝置内實施。 23、 如申請專利範圍第20項之基板處理方法，其中， 該排除氧之步驟係以生成電漿的方式進行之。 24、 如申請專利範圍第23項之基板處理方法，其中， 該電漿處理係在施以該氮化處理之處理裝置内實施 之。 2 5、如申請專利範圍第2 3項之基板處理方法，其中， 該電漿處理係在和實施該氮化處理之處理裝置不同之
第24頁 1292441 案號 91136459 修正 六、申請專利範圍 其他處理裝置内實施之。 2 6、如申請專利範圍第2 0項之基板處理方法，其中， 該排除氧之步驟係在該處理容器中連續實施排氣時， 一面對該處理容器供應氮氣及/或稀有氣體一面實施之。 2 7、如申請專利範圍第2 0項之基板處理方法，其中， 該排除氧之步驟包含如下步驟：於該連續排氣步驟期 間，以間歇方式反複斷續地供應氮氣及/或稀有氣體至該該 處理容器的步驟。 2 8、如申請專利範圍第2 0項之基板處理方法，其中， 該氧化處理係利用第1電漿實施，該氮化處理則係利用 第2電漿實施，結束該氧化處理後，停止該第1電漿，而進 行該氮化處理時，則實施該電2電漿照射。 2 9、如申請專利範圍第2 0項之基板處理方法，其中， 該氧化處理係藉由電漿處理的方式供給實施，且於該 氮化處理時，停止氧氣供應。 3 0、如申請專利範圍第2 0項之基板處理方法，其中， 該電漿係利用微波形成。 3 1、如申請專利範圍第2 0項之基板處理方法，其中， 該電漿係利用經由平面天線構件發射微波之方式來形 成。 3 2、如申請專利範圍第2 0、2 8或2 9項其中任一項之基 板處理方法，其中， 該氮化處理電漿係在6 0 0 °C以下進行。
第25頁
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