TWI290589B - Vacuum processing device - Google Patents

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出 的 中 係 同 的 導

、?· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1290589 五、發明説明（1 ) <技術領域> 本發明係關於一種真空處理裝置，係對例如半導體晶 圓與液晶顯示用基板等之被處理体實施餘刻與成膜等之處 理。 <背景技術> 在半導體裝置等之處理過程中，具有蝕刻、成膜處 理、灰化、喷塗等種種之處理，對應此等使用各處理裝置。 在該種之處理裝置，在氣密之處理室連接具有負載閘機能 之預備真空室，作成使大氣中之不純物不會進入處理室 内。處理室與預備真空室係在形成於壁面之搬送口被連 接’通過該搬送口搬送被處理体。而且，在預備真空室 大氣側及處理室側的搬送口，設置稱作閘閥之可以自由 關之閥体，使其開關搬送口。 然而，搬送口與閘閥係在蝕刻處理中，為較容易集 等離子之處所。搬送口為了與處理室一體製作，其材質 使用鋁，在其表面一般實施耐酸鋁加工。閘閥也較多以 樣之材質來製作。财酸紹加工面若直接曝露於等離子 話，加工面最終被蝕刻，下地之鋁面露出。另外，在半 體及液晶裝置等之製造過程，較多使用由_素化合物_ 成之處理氣體，但此等之_素化合物腐餘性非常強。露 面若曝露於如此之函素化合物的話，表面將被腐蝕。另外 產生反應生成物的堆積，此等發生剝離之粒子。 如上述由於因腐蝕與粒子而受污染，所以有必要進行 所謂搬送口與閘閥的洗淨與替換之維修。腐餘與污染的^ 本紙張尺度翻中_緖準（CNS) A4縣（210X297公釐y 4 五、發明説明（2 ) ，則裳置的運轉率下降 係以提供一種真空處裝 ’同時使維修週期延長， 2愈=的話’其維修的頻度也就愈高。由於裝置形成複 雜之構I所以維修作業較繁雜，另外，需要長時間。若 頻繁的經過長時間停止裝置的話 就產生所謂效能降低之問題。 本發明鑒於如此之諸問題， 置，可以容易的進行裝置的維修 更可以提昇其效能作為其目的。 〈發明的開示〉 為了解決上述課題，關於本發明之第1觀點之發明， 係在真空處理裝置中，在形成於真空處理室壁面之被處理 体的搬送口的内壁’設置構成可以自由安裝卸下之襯塾者。 壯另外’關於本發明之第2觀點之發明，係在真空處理 裝置中，具有閉閥用以開關設置於真空處理室壁面之被處 理体的搬送口，又在覆蓋前述閘閥之至少前述搬送口之部 分表面形成稀土類氧化物熔融喷鍍覆膜者。 為 進 •鍍

進一步’若詳細的說明本發明的特徵的話，前述概塾 構件即使由多數構件所構成亦可。另外，在前述概塾構件 的表面被覆絕緣覆膜亦可。進—步，即使前述絕緣覆膜 稀土類氧化物㈣噴鑛覆膜亦可。例如使用γ203亦可U -步’另外，前述絕緣覆膜與前述稀土類氧化物稼融喷 復膜的；度作為5〇 # m以上】⑼"m以下亦可。 壁 的 以 若依據本發明之第！觀點之構造，維修搬送口的内 之際，由於若僅將襯墊構件取下進行洗淨與替換即可 話，則相當容易，所要時間也極短就可完成。因此，可 本紙張尺度翻中國國家標準（⑽）A4規格⑵〇χ297公釐) 1290589 A7 「五、發明（ 3 ) ~~~-- I 使裝置之效能提升。 右依據本發明之第2觀點，因等離子在很容易受損害 之閘閥的表面，使料等離子侵姓性較高之稀土類氧㈣ ㈣喷鍍覆膜。由於稀土類氧化物熔點較高，與氧氣的化 學的結合力較強，所以即使曝露於電漿亦可以維持安定之 狀態。藉此很難發生損傷，可以減低金屬污染與發塵損害。 其結果，可以使維修頻度減少，可以提昇裝置之效能。 另外，在採用前述特徵之構造的場合，襯墊構件遭受 損傷的場合，若僅替換遭受損傷部分之構件即可，由於不 必要替換襯墊構件全部，所以可以抑制成本。進一步，藉 被覆絕緣覆膜，可以抑制表面因等離子而被腐蝕。進一步， 另外，藉使用熔點較高，與氧氣的化學的結合力較強之稀 土類氧化物，即使曝露於等離子亦可以維持安定之狀態。 也就疋，藉使用稀土類氧化物熔融喷鍍覆膜，耐等離子侵 蝕性變高，形成很難發生損傷，可以減低金屬污染與發塵。 從而，可以使裝置之維修頻度減少，可以提昇效能。 <圖面的簡單說明> 第1圖為表示可以適用本發明之蝕刻裝置之概略的戴 | 面圖。 第2圖為搬送口近旁之擴大截面圖。 第3圖為關於本發明之實施型態之閘襯墊之透視圖。 第4圖（a)為關於本發明之其他實施型態之閘襯墊之組 裳時之截面’圖，（b)為分解圖。 本紙張尺度翻巾酬家標準⑽）A4規格⑽χ2_Ι)

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 1290589 A7 --------- B7 ____ 五、發明説明（4 ) <實施發明的最佳型態> 以下’一面參照所添附之圖面，一面針對關於本發明 之真空處理裝置之適當實施型態加以說明。尚且，在以下 之說明及所添附之圖面中，針對具有略同一機能構造之構 件，由於賦予同一之符號所以省略重複說明。 第1圖為本發明之真空處理裝置適用於等離子蝕刻處 理裝置的場合之全體構造圖。處理室2為密氣構造之真空燃 燒室，並被接地。預備真空室3，係作成使處理室2不直接 曝路於大氣中’具有負載閘機能。處理室2與預備真空室3， 係藉形成於壁面之搬送口 20連接，由該搬送口 2〇搬送晶圓 W。 在處理室2内載置晶圓w，且即使為下部電極之接受器 21，被支撐於絕緣性之接受器支撐体22。接受器支撐体22 係可以藉升降部23升降。升降部23所在位置之空間，係藉 波紋體24由處理室2内之空氣環境隔離成氣密。 在處理室2内之上部，配設處理氣體供給用之氣體喷 射部，使其與接受器相對向。在處理室2的側面，連接連結 於未圖不之真空幫浦之排氣管25。在處理室2的上部，隔著 絕緣構件3被支撐之氣體噴射部6，係兼用上部電極，並具 冑由筒狀体所形成之通氣室61，與連接於通氣室6ι的上面 《氣體供給管62。在通氣室61的中段及底面，設置穿射多 數孔之氣體擴散板63、64。由氣體供給管所供給之處理氣 冑’藉此等·之氣體擴散板63、64擴散混合，並被供給至處 理室2内。 本紙張尺度適财賴家標準（哪）A顿格⑵GX297公贊) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂— 7 五、發明説明（5 ) 另外，下部電極之接受器21係被連接到高周波電源 ，〃有氣體噴射部6之上部電極係被連接到高周波電源 E 在此等上部、下部電極間形成印加高周波電力。 在預備真空室3之處理室2側之搬送口 2〇極大氣側之 (口 30 ’又置閥体之可以自由開關之閘閥斗及3工，用以密 閉預備真空室3。在預備真空室3内部具有搬送扣，用以 收付為被處理体之晶圓。 第2圖為表示搬送口近旁之擴大截面圖。如圖所示， 在搬送口 20的内壁設置閘襯墊1〇〇。閘襯墊ι〇〇係可以自由 安裝卸下，在維修時使其脫離處理室2側，可以進行洗淨等 之作業。在本實施型態中，閘襯塾1〇〇之材質係由紹所形 成，在其表面被覆絕緣覆膜200。絕緣覆膜2〇〇係由稀土類 氧化物熔融噴鍍覆膜所形成，其厚度為3〇〜2〇〇#m，最好 為50/zm以上100/zm以下之構造。在本實施例形成^ mY2〇3。在此，作為200//m以下，最好為1〇〇_以下，超 過必要以上厚度之覆膜，由於效果飽和由經濟的觀點來考 慮並不好。 第3圖為表示閘襯墊之一例之透視圖。在該例，閘襯 塾100之截面形狀為略長方形之筒狀体，連接同形狀之3個 零件構成1個之閘襯塾⑽。此等零件的連接、脫離構成 以容易的進行。 第4圖為表示閘襯墊100之其他之例。第4(a)圖為裝配 時之截面圖’垂直於紙面之方向變成晶圓之搬送方向。、第 4(b)圖為其分解圖。在該例，閘襯墊1〇〇係由上部“ο、側 五、發明説明（6 ) 部112、下部114所形成，例如藉螺栓16連結組裝而成。 如此，由於在搬送口 20内壁設置可以自由安裝卸下之 閘襯墊100,所以即使在搬送口 2〇内壁發生損傷與反應生成 物之堆積，可以僅取下閘襯墊1〇〇進行洗淨、交換。此等與 不設置閘襯塾1GG洗淨搬送口 2G的場合相比，作業格外的容 易’所要時間也極短就可完成。 另外，即使在閘襯墊1〇〇受到損傷發生必須要替換的 場合，由於間襯墊100係由多數構件所形成，所以若僅替換 其損傷部分之構件即可。由於不需要替換閘襯塾100之全 部，所以可以將成本壓低。 進一步，在閘襯墊100的表面被覆由稀土類氧化物熔 融喷鍍覆膜所形成之絕緣覆膜200。由於稀土類氧化物熔點 較南，與氧氣的化學的結合力較強，所以即使曝露於等離 子亦可以維持安定之狀態。從而，搬送口20内壁形成較高 耐等離子侵録之構豸。另夕卜，由於覆膜表面的凸凹較大 所以可以得到剝離所堆積之反應生成物之效果，也就是所 謂清除效果。形成發生粒子之困難構造。與習知相比，因 等離子很難發生損傷，可以減低金屬污染與發塵。其結果， 可以使維修頻度減少，可以提昇裝置之效能。絕緣覆膜即 使僅曝露於等離子之内面側亦可，即使全面形成亦可。 如第2圖所示，在覆蓋閘閥4之搬送口 2〇部分之表面， 被覆由稀土類氧化物熔融噴鍍覆膜所形成之絕緣覆膜 3〇〇。絶緣覆膜300係由稀土類氧化物熔融喷鍍覆膜所形 成，其厚度為30〜200//m，最好為形成50"m以上100//m 五、發明説明（7 ) 以下之構造。 此在设蓋曝露於等離子之搬送口 2〇之部分，被覆 稀土類氧化物溶融》t鑛覆膜所形成之絕緣覆膜则。由於 稀土類氧化物熔點較高，與氧氣的化學的結合力較強，所 以即使曝露於電毁亦可以維持安定之狀態。從而，該部分 «較高耐等離子侵钱性之構造。藉此，因等離子很難發 、傷可以減低金屬污染與發塵。其結果，可以使閘閥4 之維修頻度減少’可以提昇裝置之效能。 :, 面 > 知' 所添附圖面，一面針對關於本發明 之適當之實施型態加以說明’但是本發明並不限定於諸 例右為》亥田業者的話，在申請專利範圍之技術的範圍範 嘴中，很明顯的可以得到所想到之各種的變更例或修正 例，針對彼等當然可以了解係屬於本發明之技術的範圍。 在上述實施型態中，已針對以銘作為閘襯塾之材質， 以Y2〇3作為稀土類氧化覆膜之例加以說明，但是並不限定 於此等。閘襯塾的材質除了銘以外，在銘合金或此等之表 面形成陽極氧化膜（耐酸銘）者、Α1203等之陶竟或燒結体或 非結晶質的碳等之炭素質材料等均適當。另外，閘襯墊之 形狀、構成構件之數目並不限定於上述例，可以考慮種種 之變形例，可了解彼等也是屬於本發明之範圍。 另外，在上述實施型態中，已針對在處理室連接預備 真空室之單體型的真空處理裝置加以說明，但是本發明並 不限定於此等。即使針對搬送室連接於處理室之多燃燒室 型之真空處理裝置’在處理室與搬送室所連接之搬送口内 1290589 五、發明説明（8 ) 壁’设置與上述同樣之間襯墊，亦可以適用本發明。 如以上之說明，若依據關於本發明之構造的話，搬送 口内壁及閘閥之維修變成塞易 芦I欠风奋易，同蚪可以延長維修的週 期，更可以使裝置之效能提升。 <產業上利用的可能性> 本發明係可以利用於對半導體晶圓與液晶顯示体用 基板等之破處理体，實施蝕刻與成膜等之處理之真空處理 裝置。進一步具體而言，可以在謀求搬送口内壁及閘閥等 之維修的容易化、維修週期的延長化、及裝置之效能的提 升化之際加以利用。 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2ι〇χ297公釐） 1290589 A7 B7 五、發明説明（9 ) 2…處理室 3···預備真空室 4、31…閘閥 6···氣體喷射部 20、30···搬送口 21…接受器 22…接受器支撐体 23…升降部 24…波紋體 25…排氣管 32…搬送臂 61…通氣室 元件標號對照 62…氣體供給管 63、64…氣體擴散板 100···閘概塾 110···上部 112…側部 114···下部 116…螺栓 200、300…絕緣覆膜 a…絕緣構件 E、E’…高周波電源 W…晶圓 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、可| %- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 12

Claims (1)

1290589 ，公告本

第90124081號專利申請帛申請專利範圍修正本料衫月咖 !·-種以處理裝置’其中設置有—由多數構件構成之 襯墊構件，該襯墊構件係構成為可自由地在被處理體 之搬送口的内壁進行裝卸，而該搬送口係形成於真空 處理室之壁面上者； 、 又，前述襯墊構件之表面上被覆有'Ο;熔融噴鍍 覆膜。 2. 如申請專利襲第】項之真空處理裝置，其中前述概塾 構件係可自由地在前述搬送口之内壁進行裝卸，俾便 於維修。 3. 一種真空處理裝置，係具有閘閥，該閘閥係用以開啟 及關閉被處理体之搬送口，而該搬送口係形成於真空 處理室之壁面上者； 其中，前述閘閥中用來至少覆蓋住前述搬送口之 部分的表面上，形成有稀土類氧化物熔融噴鍍覆膜。 4_如申請專利範圍第3項之真空處理裝置，其中前述稀土 類氧化物熔融喷鍍覆膜為υ2〇3。 5·如申請專利範圍第3項之真空處理裝置，其中前述稀土 類氧化物熔融喷鍍覆膜之厚度為5〇//m以上，l〇〇#m 以下。 6. 一種真空處理裝置，係具有閘閥，該閘閥係用以開啟 及關閉被處理体之搬送口，而該搬送口係形成於真空 處理室之壁面上者； 該真空處理裝置中設置有一由多數構件構成之襯 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（21〇χ：297公爱)' '' 13 1290589 申請專利範圍 塾構件，該襯塾構件係構成為可自由地在被處理體之 搬送口的内壁進行裝卸； —又，前述襯墊構件係安裝於搬送口之内壁上，俾 在藉由則述閘閥而使前述搬送口呈關閉狀態時，該襯 塾構件其中之_端可與閘閥相接觸。 如申凊專利範圍第6項之真空處理裝置，其中前述襯墊 構件之表面上被覆有絕緣覆膜。 8. 如申睛專利範圍第7項之真空處理裝置，其中絕緣覆膜 之厚度為50//m以上，1〇〇//m以下。 9. 如申睛專利範圍第6項之真空處理裝置，其中前述襯墊 構件之表面上被覆有絕緣覆膜； 且該絕緣覆膜係稀土類氧化物熔融噴鍍覆膜。 10如申請專利範圍第6項之真空處理裝置，其中前述襯墊 構件之表面上被覆有絕緣覆膜； 且該絕緣覆膜係丫2〇3。 11 ·種襯墊構件，係裝卸自如地設置在被處理體之搬送 口的内壁，而該搬送口係形成於真空處理室之壁面上， 又，前述襯墊構件中至少其表面係由絕緣材料所 構成，且該襯墊構件係可分割為多數個。 12·如申請專利範圍第n項之襯墊構件，其中前述襯墊構 件中’至少其表面係由稀土類氧化物所構成。 13·如申請專利範圍第12項之襯墊構件，其中前述稀土類 氧化物係Y2〇3。 14.如申請專利範圍第12項之襯墊構件，其中前述稀土類 紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格⑵〇X297公爱） 14 8 8 8 8 ABCD 1290589 六、申請專利範圍 氧化物之厚度為50/zm以上，100//m以下。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 15