JP4629545B2 - 真空処理装置 - Google Patents

真空処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4629545B2
JP4629545B2 JP2005283233A JP2005283233A JP4629545B2 JP 4629545 B2 JP4629545 B2 JP 4629545B2 JP 2005283233 A JP2005283233 A JP 2005283233A JP 2005283233 A JP2005283233 A JP 2005283233A JP 4629545 B2 JP4629545 B2 JP 4629545B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
vacuum
chamber
connection
leaf spring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005283233A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007095982A (ja
Inventor
満知明 小林
勤 中村
武男 内野
昭孝 牧野
正 中込
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NHK Spring Co Ltd
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
NHK Spring Co Ltd
Hitachi High Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NHK Spring Co Ltd, Hitachi High Technologies Corp filed Critical NHK Spring Co Ltd
Priority to JP2005283233A priority Critical patent/JP4629545B2/ja
Priority to US11/512,309 priority patent/US8048259B2/en
Publication of JP2007095982A publication Critical patent/JP2007095982A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4629545B2 publication Critical patent/JP4629545B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458Vessel
    • H01J37/32477Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H01J37/32495Means for protecting the vessel against plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266Magnetic control means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32743Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、真空容器内側の処理室内においてプラズマを用いて試料を処理する真空処理装置であって、真空にされた内部を試料が搬送される搬送室と処理室とを連通して試料が内側を通る通路を備えた真空処理装置に関する。
上記のような装置、特に、試料を処理するための処理室を内部に有した容器を少なくとも1つ備え、減圧された処理室において処理対象となる半導体ウエハ,基板等の試料をプラズマにより処理する処理装置においては、処理の微細化,精密化とともに、処理対象である基板の処理の効率の向上が求められてきた。このために、近年では、一つの装置に複数の処理室が接続されて備えられた、いわゆるマルチチャンバタイプの装置が開発され、試料に対して一つの装置で複数行程の処理を施したり、複数の試料を並行して処理したりすることにより、処理の効率を向上させることが行われてきた。
このような複数の処理室あるいは処理容器を備えて処理を行う装置では、それぞれの処理室あるいはチャンバが、内部のガスやその圧力が減圧可能に調節され基板を搬送するためのロボットアーム等が備えられた搬送室(搬送チャンバ)に接続されている。
このような構成により、処理前または処理後の基板は1つの処理室から他の処理室へ減圧されたり不活性ガスが導入された搬送室内を搬送され、外気と接触することなく処理が連続的に施される。このため基板の汚染が抑制され処理の歩留まりや効率が向上するまた、処理室や搬送室の内側を昇圧あるいは減圧する時間を省いたり削減したりすることができ、処理の工程が短縮され基板の処理全体に係る手間や時間を抑えて処理の効率が向上する。
また、このような装置では各処理容器が装置本体、あるいは搬送室から着脱が可能に備えられており、装置本体を交換しなくとも処理容器やその組合せを換えることで新しい処理のプロセスに対応することができ、ひいては基板処理を行って製品を製造するコストを低く抑えることができる。
このような装置の各処理容器内の処理室と搬送室との間には、試料を両者の間で搬送するため、これらを連通する通路が配置されている。通常、このような通路は処理容器や搬送室を内部に有する搬送容器の側壁に配置され、隣接して配置された側壁を貫通する通路の内側を通り、搬送手段であるロボットアームに保持された試料が搬送室と処理室との間でやりとりされる。
このような処理容器が着脱可能に備えられたプラズマ処理装置の従来の技術としては、特許文献1に開示されたものが知られている。この従来技術では、半導体ウエハを処理するチャンバがクラスターツールと連結されるものであり、チャンバ内に配置された基板処理位置に対してチャンバ本体内のスリット通路内を基板がロボットにより搬送,搬出される。このスリット通路は、少なくとも1つの弁ドアにより開閉される。
特表2002−520811号公報
上記従来技術は、次の点についての考慮が不十分であったため、問題が生じていた。
すなわち、試料である基板は処理室内に供給される処理用のガスを電界または磁界の印加により形成されたプラズマを用いて処理されるが、処理が終了した後も試料の周囲には励起された処理用のガスや生成物、あるいは処理用のガスが存在しており、試料が搬出される際には試料と共にこれらのガスや生成物が試料に伴って移動する。
これらガスや生成物のなかには、搬送の途中に周囲の装置の壁面に付着するものがあり、特に、装置の大きさの制限から、試料と搬送手段であるロボットアームの大きさに近づけて形成されることが多い処理室−搬送室間の通路の内壁にはこれらのガスや生成物が付着しやすくなる。
このため、この通路の壁面では反応性の高いガスとの反応や生成物の付着等の相互作用が生じて、壁面の汚染や変質が進行することになり、進行の度合に応じてこれをクリーニングすることが必要となる。
このような通路は上記の通り大きさの制約があることから、クリーニングやメンテナンスに手間が掛かり、メンテナンス時間が多くなっていた。ひいては、装置の稼働時間が少なくなって稼働効率,処理の効率を損なうことに繋がっていた点について、上記従来技術は考慮されていなかった。
さらには、この作業を行う作業者に長時間,不自然な姿勢で作業を行わせていた。また、生成物の除去は、通常、ウエットと呼ばれる拭き取り作業が一般的であるが、拭き取り後に生成物の拭き残しが生じやすく、また作業中に通路の内壁面を傷付けたりして、メンテナンスの精度を損なうことにつながっていたことについては考慮されていなかった。
本発明の目的は、メンテナンス時間を短縮して処理の効率や装置の稼働効率を向上させたプラズマ処理装置を提供することにある。
上記目的は、内部に配置され減圧された処理室内において基板状の試料が配置される真空容器と、この真空容器が連結され減圧された内部を前記試料が搬送される搬送容器と、この搬送容器と前記真空容器とが連結された状態で前記搬送室と前記処理室とを連通してその内部を処理前または処理後の前記試料が搬送される通路と、前記通路の内側壁面を覆って取り外し可能に取り付けられ、かつ取り付けられた状態で前記通路の内側の向かい合う長手方向の内側壁面に沿ってこれを覆う板バネ部材の対を備えたカバー部材とを備え、前記処理室内において前記試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理する真空処理装置により達成される。上記のカバー部材には、前記処理に伴って生成された生成物が付着する。
さらに、前記カバー部材はそれぞれの前記板バネ部材の両端側において前記通路の角部の内側壁面と当接する部分がこの通路の高さ方向または幅方向に変位可能に構成されたことにより達成される。
さらにまた、前記板バネ部材は前記カバー部材から取り外し可能にされたことにより達成される。
さらに、前記カバー部材は、それぞれの前記板バネ部材の両端側においてこれら板バネ部材と連結された接続部材を有し、この接続部材は、その上下方向の幅が前記搬送室または前記処理室の方向に小さくなるくさび形状のガイドとこのガイドを挟んで上下に配置された2つのピースとを有し、これらピースが前記ガイドの前記搬送室または前記処理室方向の移動に伴って上下方向に離間する構成により達成される。
さらにまた、前記接続部材は、それぞれの前記板バネ部材と所定のガタを有して連結されて前記板バネ部材に対し前記通路の幅方向に変位可能に構成されたことにより達成される。
さらに、前記接続部材は、前記板バネ部材,前記ガイド及び前記ピースを含む複数の部品に分解、あるいはこれら部品から組立て可能に構成されたことにより達成される。
本発明の実施例について、以下、図面を用いて詳細に説明する。
図1,図2は本発明の実施例に係る真空処理装置の構成の概略を示す図である。図1は、上方から見た平面図であり、図2は、側方から見た側面図である。
これらの図において、本実施例の真空処理装置100は大きく前後2つのブロックに分けられる。装置本体である真空処理装置100の図上下方に位置する前方側は装置に供給されたウエハが大気圧下で減圧されるチャンバへ搬送されて処理室へ供給される大気側ブロック101である。真空処理装置100の図上上方に位置する後方側は、処理ブロック102である。
大気側ブロック101は、内部に搬送ロボット(図示せず)を備えた箱体形状を備えた筐体106を有し、この筐体106の前面側に処理用またはクリーニング用のウエハが収納されている複数のウエハカセット107及びダミーウエハ用のダミーカセット108が並べられて着脱自在に取り付けられて配置されている。さらに、筐体106内部に配置された搬送ロボットはこれらのカセット107,108とロック室109,109′との間でウエハを搬入あるいは搬出する作業を行う。また、大気側ブロック101はその筐体
106の側面上に配置された位置合せ部110を備えて、この位置合せ部110内において搬送されるウエハをカセット107,108或いはロック室109または109′内のウエハ配置の姿勢に合わせてその位置合わせを行う。
処理ブロック102には、内部が減圧される真空容器の内部にウエハが処理される空間である処理室が配置された処理ユニット103,103′とこれらの処理室にウエハを減圧下で搬送しその上方から見た平面形状が略多角形(本実施例では略5角形)に構成される搬送ユニット105及びこの搬送ユニット105と大気側ブロック101とを接続する複数のロック室109,109′とを備えており、これらは減圧されて高い真空度の圧力に維持可能なユニットであり、処理ブロックは真空ブロックである。
また、本実施例における処理ブロック102の処理ユニット103,103′は、搬送ユニット105の上記略五角形の隣接した2つの辺に並列するように配置されている。本実施例では、これらの処理ユニット103,103′はカセット107から処理ブロック102に搬送されるウエハにエッチング処理を行う処理室を備えたエッチング処理ユニットであり、搬送ユニット105はこれらの処理ユニットが着脱可能に取り付けられ内部の室が高い真空度に減圧されて維持されてウエハが搬送される空間である真空搬送容器111を備えている。
また、複数のロック室109,109′は、図示しない真空は行き装置が接続されて、それぞれがその内部に処理対象の半導体ウエハが載置された状態で、この内部が高度な真空の状態と大気圧との状態とで圧力を維持可能に構成された空間を有して、図上その前後端部に配置された図示しないゲートバルブにより、大気側ブロック101あるいは筐体
106および真空搬送容器111の内部の間が連通可能に開閉される。本実施例では、これらのロック室109,109′はそれぞれ同等の機能を有しており、いずれか一方が真空から大気圧および大気圧から真空への圧力辺かのいずれかのみを実施するものではないが、求められる仕様により一方を何れかに限定して試用しても良い。
さらに、この処理ブロック102では、上記処理ユニット103,103′の各々が内部を減圧可能でエッチングを行う処理室を有する真空容器113,113′(図示せず)を有している。これら真空容器113,113′のそれぞれには、減圧を実施するための真空排気装置114,114′(図示せず)がそれらの下方に配置されている。さらに、上記真空容器113,113′およびこれに連結された114,114′をその上方で支持する支持台であるガダイ115,115′とこのガダイ115,115上に配置されて、各ガダイと真空容器113,113′との間を連結して真空容器113,113′を支持する複数の支持柱により、各処理ユニット103,103′を真空処理装置100が設置される床面上に固定し保持している。
さらに、上記真空容器113,113′とガダイ115,115′との間には空間があり、これらの空間は、各々のユニットあるいは処理室内での処理に必要な排気部やこれらに電力供給する電源等のユーティリティを収納する箱状のフレーム112,112′が配置されるとともに、上記真空排気装置114,114′が配置されている。すなわち、メンテナンスが必要な空間となっている。
さらに、これら真空容器113,113′の上方には、その内部に配置された処理室にプラズマを形成するための磁場を与える電磁コイルを収納しているコイルケース120,120′が配置されている。また、フレーム112と真空容器113との間には、各真空容器113,113′に取り付けられてコイルケース120,120′を上下に移動させるリフター・クレーン等の起重装置121,121′が備えられている。これらの起重装置121,121′により、真空容器113,113′内部を開放して保守・点検作業を使用者は容易に行うことができる。
本実施例では、起重装置121,121′はそれぞれが、平面形状が略多角形状の真空搬送容器111の多角形のそれぞれの辺の側面に取り付けられた処理ユニット103,
103′に備えられており、それぞれの真空容器113,113′の側面に取り付けられている。その側面は、それぞれが隣接する真空容器の側と反対となる真空容器の側方の面に取り付けられている。また、起重装置121,121′の下方の空間であって、ガダイ115,115′との間の空間にフレーム112,112′が配置されており、限られた処理ユニット103,103′の周囲の空間を有効利用している。
図3を用いて本発明の真空処理装置に係るインナーカバーを備えたゲート部の構成を説明する。図3は、図1に示す真空処理装置の搬送容器と真空容器との連結部分を拡大して示す上面図である。この図において、処理ユニットの真空容器の上部に配置された電界,磁界を形成するための構造や搬送室内に配置された試料搬送用のロボットアームのについては図示されていない。また、図1で引用した各部については一部説明を省力する。
本図に示すように、本実施例の真空処理装置100の処理ブロック102の後方側で真空搬送容器111の側面に真空容器113,113′を備えた、処理ユニット103,
103′が接続される。この際、真空容器113,113′の側壁と真空搬送容器111の側壁に配置された接続フランジ301,301′とが接続して各々の内部の通路同士が連続して接続トンネル302,302′が形成される。この図においては、真空容器113,113′の上部に配置されてその内部に処理用のガスが供給されプラズマが形成される処理室を有する放電容器304,304′が示されている。
真空搬送容器111と真空容器113,113′とが連結された状態で、各々の内部に配置された搬送室,処理室との間を連通する接続トンネル302,302′が配置されている。この接続トンネル302,302′は、処理室および搬送室の間で試料がやりとりされる際に内部を通過する通路であって、これらの室の内部に連なるゲートある。この接続トンネル302,302′の内側には、後述のようにインナーカバーが配置され、接続トンネル302,302′の内側壁面に対して密着するように着脱可能に装着される。
接続トンネル302,302′の搬送室側の端部の開口は、真空搬送容器111に取り付けられたゲートバルブ303,303′により開閉される。このゲートバルブ303,303′は搬送室内と接続トンネル302,302′あるいは処理室内との間をその弁体が上下方向及び水平方向に移動してゲートの開口を覆うことにより閉塞するものであり、接続トンネル302,302′の搬送室側の開口の周囲の搬送室の側壁面と当接して接続トンネル302,302′を封止するリング状のシール部材がその弁体の搬送室の側壁面との当接面の外周側部分に配置されている。ゲートバルブ303が接続トンネル302を開放する際には、閉塞時とは逆に水平方向,上下方向に移動してゲートの開口の覆いを無くす。
図4は、図3に示した接続トンネルとインナーカバー近傍の構成を拡大して示す図である。図4(a)は接続トンネル近傍部分を示す上面図、図4(b)は接続トンネルの近傍を搬送室内側から見た正面図、図4(c)は図4(a)のA−A断面を示す縦断面図である。
これらの図において、インナーカバー401を含む接続トンネル302近傍の構成について説明する。図4(a)に斜線部で示すインナーカバー401は、真空搬送容器111と真空容器113とが連結され接続された状態で、接続トンネル302の内側においてその内側の壁面にほぼ隙間無く密着するように取り付けられ、かつこの接続トンネル302から着脱可能に構成されているものである。この装着の際、インナーカバー401は、まず接続トンネル302の内側に挿入されてその内壁面の全体について略隙間が無いような状態に位置決めされ、その後、インナーカバー401の外側表面の各部分について接続トンネルの壁面との間で精密に密着して隙間を無くす様に調節される。
図4(b),(c)に示すように、本実施例において、接続トンネル302は接続フランジ301と真空容器113の側壁とが接続された状態でその両者のそれぞれの部材により構成されて。前者が真空搬送容器111内の搬送室403と後者が真空容器113内の処理室402と連通することで両室が接続されている。これらの図に示されるように、接続フランジ301は真空搬送容器111側壁に設けられた開口の内側に挿入されており、その搬送室403側の上下方向に平坦な端面は搬送室403の内側壁面の一部をなしている。
この端面は、ゲートバルブ303の弁体の外周側部分と当接してこれらの間で接続トンネル302の内外が密封されて封止されることでシール面405となる。さらに、ゲートバルブ303の弁体の当接する面の外周側には、接続フランジ301の搬送室403側の端面と当接する部分に接続トンネル302の開口の外周側を囲むようにリング状のシール部材404が配置されており、ゲートバルブ303の接続トンネル302側へ水平方向に移動して押し付ける動作により上記した封止を行う。
ゲートバルブ303の弁体は、接続トンネル302の開口を覆うためこの断面より大きな形状を有している。また、シール部材404が当接してシール面405を構成する接続フランジ301の搬送室403側の端面は、その構成上インナーカバー401の外周側になっている。つまり、本実施例では、シール部材404はインナーカバー401の搬送室403側の端面とは接しないように構成されている。
このような構成において、本実施例では、接続フランジ301が真空搬送容器111の側壁部分の開口に嵌入されて真空搬送容器111に対して位置決めされる。さらに、この状態で接続フランジ301の下部に配置された断面L字状のフランジ部408の上に真空容器113が載せられて接続フランジ301または真空搬送容器111に対して位置決めされる。
次に、図5を用いて図4に示すインナーカバーの構成について詳細に説明する。図5は、図4に示す接続トンネルに装着されるインナーカバーの構成を示す3面図である。図5(a)は、図4に示すインナーカバーの上面図、図5(b)は、インナーカバーを搬送室側から見た正面図、図5(c)は、インナーカバーをC方向から見た側面図である。
本実施例において、接続トンネル302の内側壁面を密着するように覆うインナーカバー401は、その装着前には、接続トンネル302の幅方向に平坦な内側壁面(図4(b)の上下方向で向かい合う内壁面)406,406′と当接する場合に、これらの内壁面の平面にフィットして密着しやすいよう、その接続トンネル302の上下に向かい合う内壁に装着される部分は、図5(a),(b)の左右端部から上下方向に凸に弓なり形状にされた板部材501,501′を有しており、これらの板部材501,501′は板バネとして作用する。
さらに、インナーカバー401は、これら接続トンネル302の上下方向に向かい合う内側壁面406,406′に沿って密着してこれを覆う板部材501(または501′)の両側端部であって、接続トンネル302の幅方向の両側端部の内側壁面(図4(b)の左右方向で向かい合う内側壁面407,407′に沿って密着してこれを覆う部材を備えており、この部材は接続ブロック502,502′として上下に配置される2つの板部材501,501′の両側端部と連結されて接続されている。この2つの板部材501,
501′を接続する接続ブロック502,502′は、図5(b),(c)に示すようにくさび形状のガイド503,503′及びこれを上下に挟んで配置されるピースAの504,504′及びピースBの505,505′とを備えている。
このガイド503,503′とピースA504,504′,ピースB505,505′とは、インナーカバー401の接続トンネル302への装着時に接続トンネル302の軸方向、つまり、搬送室403及び処理室402に向かう方向についてテーパーを有したくさび形状を有したガイド503,503′の傾斜部分において、両者が嵌合するように構成されている。
この嵌合面は図5(c)に示すテーパー形状で構成され、この図において示すように、ガイド503は、この上下に配置されるピースA504,ピースB505にスプリングピン506によって係合して連結されガイド503内を貫通しているピン507にねじ締結されたガイド用ボルト508を締めまたは緩めることで、ガイド用ボルト508の軸の方向(上記接続トンネルの軸の方向)についてガイドが上下のピースA504,ピースB
505に対して相対的に移動する。
例えば、ガイド用ボルト508を緩めることでガイド503は搬送室403側に相対的に移動し、これに伴って上下のピースA504,ピースB505はそれぞれ上,下に移動して、これらと接続トンネル302との間の隙間を大きくする方向に移動する。逆に、ガイド用ボルト508を締めつけることで、ガイド503を処理室402方向に相対的に移動させ、接続トンネル302内の上下(高さ)方向にピースA504,ピースB505、つまり接続ブロック502を押し付けながら、接続トンネル302内でインナーカバー
401を固定可能となっている。
このように、ガイド503とピースA504,ピースB505との嵌合面であるテーパー形状を構成する傾斜があるため、これらの相対移動によって接続ブロック502全体の高さが変動することを利用し、ガイド用ボルト508を緩めることで接続ブロック502全体の高さが減少し、接続トンネルとインナーカバーとの隙間を大きくしてこれを取外し容易にし、一方、ガイド用ボルト508を締めることで接続ブロック502の高さを大きくして接続トンネル302の内壁面にこれを押し付けて固定可能となるよう構成される。
インナーカバー401は、板部材501,501′は弓なりの形状を内側に押し込んで凹まされて接続トンネル302内に挿入されたのち、押し込みを開放することで、板バネの付勢力が板部材501,501′を接続トンネル302内側壁面に押し付けて、これらを密着させてこれらの間の隙間を無くすように作用する。これにより、処理室402内のプラズマを用いた試料の処理により生成された生成物等が隙間に入り処理やメンテナンスに悪影響を及ぼすことが抑制される。
また、接続ブロック502,502′の接続トンネル302の内壁面への押し付けにより、板部材501,501′の接続ブロック502,502′との連結部の近傍部分である両端部はそれぞれ上または下方向に変位して接続トンネル302の内壁面と密着するように当接する。この接続ブロック502は、インナーカバー401の両側端部に配置されるが、上記の高さの変移の調節により接続トンネル302の角部(隅部)において、内側壁面と密着するように当接して、生成物等が隙間に入り処理やメンテナンスに悪影響を及ぼすことが抑制される。さらに、この密着性を高めるため、接続トンネルの角部は断面が所定の半径の曲線となるような曲面で構成され、この隅部と当接する接続ブロック502,502′のピースA504,504′及びピースB505,505′もこの形状に合わせて角部の断面が曲線となるような曲面に構成されている。
インナーカバー401の接続ブロック502,502′と板部材501,501′とは、ピースA504,504′、ピースB505,505′の各々に軸方向に配置された着脱可能なピース用ボルト509,509′と板部材501,501′の端部のクランク状に延在したフランジ部510,510′とが係合して連結するよう、取り付けられる。尚、接続トンネル302の幅方向における寸法のバラツキに対応して密着できるよう、板部材501,501′と接続ブロック502とは所定のガタを有して連結されている。つまり、ピース用ボルト509と板部材501,501′のフランジ部510,510′は、繋げられた状態で隙間を有して緩く連結されており、接続トンネル302の幅方向の寸法公差よりも調整可能な範囲を多くしている。
ガイド503にはピン507が貫通して配置され、かつこのピン507がスライド可能な長穴511が明けられている。ピン507の両端にはピースA504,B505が組み付けられている。さらに、接続ブロック502の上記高さの変動に対応してこれらピースが上下方向に揃って移動できるよう長穴511が貫通して配置されており、スプリングピン506によりピースA504,B505及びガイド503を含む複数の部品を接続ブロック502として一体となるように組み立てられている。
また、ピースA504及びピースB505に形成されるスプリングピン506用の穴は貫通しないことで、接続トンネルの内壁面に到達する反応性ガスとの接触を避けて、インナーカバー401あるいは接続ブロック502またはこれを組み立てられて構成する部品の交換までの寿命を長くすることができる。上記の構成は、接続ブロック502′についても同様である。
さらに、インナーカバー401は、接続トンネル302から搬送室403または処理室402側に移動させて取り外した後、板部材501,501′とピースA504,504′、ピースB505,505′とを連結するピース用ボルト509,509′を取り外すことで、板部材501,501′のみの取り外して交換が可能となっている。さらに、接続トンネル302から取り外した後、連結用の各ボルトを取り外すことで、板部材501,両端の接続ブロック502だけでなく、接続ブロック502を構成する部品であるピースA504,504′、ピースB505,505′、ガイド503,503′、スプリングピン506,506′等に付着した反応生成物の除去が容易にできる。
また、インナーカバー401の取り外しの方向としては、本実施例では搬送室403内側に移動させる例を示しているが、処理室402側に移動させて取り外す構成として取り外しあるいは取り付けの際に接続トンネル302と搬送室403とをゲートバルブ303を動作させて封止することで、搬送室403を大気に対して開放することなく、作業対象の真空容器113,113′、あるいは処理ユニット103,103′のメンテナンスや部品交換の作業を行うことができる。これにより、他の処理ユニットにおいて並行して試料の処理を行いつつ対象の処理ユニットで部品交換やメンテナンス作業を行ったり、作業後の処理再開までの時間を短縮することが可能となる。このように、処理装置の稼働効率が向上し、ひいては処理の効率が向上する。
以上の実施例によれば、処理室内に生成された生成物やガスによる接続トンネルの内側への悪影響を抑制し、またメンテナンスやクリーニングの作業時間が短縮され、作業の効率が向上される。また、装置の保守,点検や部品交換等の作業時間また処理再開までの時間等の非処理時間が短縮され、装置の稼働効率が向上する。ひいては、これにより処理の効率が向上する。
本発明の実施例に係る真空処理装置の構成の概略を示す上面図である。 本発明の実施例に係る真空処理装置の構成の概略を示す側面図である。 図1に示す真空処理装置の搬送容器と真空容器との連結部分を拡大して示す上面図である。 図3に示した接続トンネルとインナーカバー近傍の構成を拡大して示す3面図である。 図4に示す接続トンネルに装着されるインナーカバーの構成を示す3面図である。
符号の説明
100…真空処理装置、101…大気側ブロック、102…処理ブロック、103,103′…処理ユニット、105…搬送ユニット、106…筐体、107…カセット、
108…ダミーカセット、109,109′…ロック室、110…位置合せ部、111…真空搬送容器、112…フレーム、113,113′…真空容器、114,114′…真空排気装置、115,115′…ガダイ、120,120′…コイルケース、121,
121′…起重装置、301,301′…接続フランジ、302,302′…接続トンネル、303,303′…ゲートバルブ、304,304′…放電容器、401…インナーカバー、402…処理室、403…搬送室、404…シール部材、405…シール面、
406,406′,407,407′…内側壁面、408,510…フランジ部、501,501′…板部材、502,502′…接続ブロック、503,503′…ガイド、504,504′…ピースA、505,505′…ピースB、506…スプリングピン、507…ピン、508…ガイド用ボルト、509…ピース用ボルト、511…長穴。

Claims (3)

  1. 内部に配置され減圧された処理室内において基板状の試料が配置される真空容器と、この真空容器が連結され減圧された内部を前記試料が搬送される搬送容器と、この搬送容器と前記真空容器とが連結された状態で前記搬送室と前記処理室とを連通してその内部を処理前または処理後の前記試料が搬送される通路と、前記通路の内側壁面を覆って取り外し可能に取り付けられ、かつ取り付けられた状態で前記通路の内側の向かい合う長手方向の内側壁面に沿ってこれを覆う板バネ部材の対を備えたカバー部材とを備え、
    前記カバー部材はそれぞれの前記板バネ部材の両端側において前記通路の角部の内側壁面と当接する部分がこの通路の高さ方向または幅方向に変位可能に構成され、
    前記カバー部材は、それぞれの前記板バネ部材の両端側においてこれら板バネ部材と連結された接続部材を有し、
    この接続部材は、その上下方向の幅が前記搬送室または前記処理室の方向に小さくなるくさび形状のガイドとこのガイドを挟んで上下に配置された2つのピースとを有し、これらピースが前記ガイドの前記搬送室または前記処理室方向の移動に伴って上下方向に離間するように構成され、
    前記処理室内において前記試料を処理室内に形成したプラズマを用いて処理する真空処理装置。
  2. 請求項に記載の真空処理装置であって、
    前記接続部材は、それぞれの前記板バネ部材と所定のガタを有して連結されて前記板バネ部材に対し前記通路の幅方向に変位可能な真空処理装置。
  3. 請求項に記載の真空処理装置であって、
    前記接続部材は、前記板バネ部材,前記ガイド及び前記ピースを含む複数の部品に分解、あるいはこれら部品から組立て可能に構成された真空処理装置。
JP2005283233A 2005-09-29 2005-09-29 真空処理装置 Expired - Fee Related JP4629545B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005283233A JP4629545B2 (ja) 2005-09-29 2005-09-29 真空処理装置
US11/512,309 US8048259B2 (en) 2005-09-29 2006-08-30 Vacuum processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005283233A JP4629545B2 (ja) 2005-09-29 2005-09-29 真空処理装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010233960A Division JP2011035415A (ja) 2010-10-18 2010-10-18 真空処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007095982A JP2007095982A (ja) 2007-04-12
JP4629545B2 true JP4629545B2 (ja) 2011-02-09

Family

ID=37892432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005283233A Expired - Fee Related JP4629545B2 (ja) 2005-09-29 2005-09-29 真空処理装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8048259B2 (ja)
JP (1) JP4629545B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080202417A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Smith John M Self-contained process modules for vacuum processing tool
US20080202892A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Smith John M Stacked process chambers for substrate vacuum processing tool
US20080206021A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Smith John M Stacked process chambers for magnetic media processing tool
US20080202410A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Smith John M Multi-substrate size vacuum processing tool

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077088A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5641375A (en) * 1994-08-15 1997-06-24 Applied Materials, Inc. Plasma etching reactor with surface protection means against erosion of walls
US6192827B1 (en) 1998-07-03 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Double slit-valve doors for plasma processing
TWI290589B (en) * 2000-10-02 2007-12-01 Tokyo Electron Ltd Vacuum processing device
US20040069223A1 (en) * 2002-10-10 2004-04-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wall liner and slot liner for process chamber

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077088A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US8048259B2 (en) 2011-11-01
JP2007095982A (ja) 2007-04-12
US20070068626A1 (en) 2007-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8506711B2 (en) Apparatus for manufacturing flat-panel display
JP4123249B2 (ja) 真空処理装置およびその運転方法
KR101238768B1 (ko) 진공처리장치
KR101867125B1 (ko) 게이트 밸브 및 기판 처리 장치
US9748124B2 (en) Vacuum processing apparatus and operating method thereof
KR101155534B1 (ko) 진공처리장치
JP5958446B2 (ja) ロードポート装置
JP4629545B2 (ja) 真空処理装置
JP5030410B2 (ja) 真空処理装置
JP4767574B2 (ja) 処理チャンバおよび処理装置
KR20140041820A (ko) 진공처리장치
JP2015126203A (ja) 基板受け渡し装置及び基板受け渡し方法
JP5025609B2 (ja) 真空処理装置
JP2006214489A (ja) 真空処理装置
US9269599B2 (en) Substrate relay apparatus, substrate relay method, and substrate processing apparatus
JP2006245365A (ja) 真空処理装置
JP2011035415A (ja) 真空処理装置
JP4239990B2 (ja) プラズマ処理装置
TWI770878B (zh) 真空處理裝置
JP5456804B2 (ja) 搬送容器
KR20110006093A (ko) 챔버 및 이를 이용한 기판 처리 방법
JP5892828B2 (ja) 真空処理装置
JP4673308B2 (ja) 真空処理装置
JP3666636B2 (ja) 基板の処理装置
JP6718755B2 (ja) 真空処理装置およびその運転方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080717

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100730

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100817

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101018

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101109

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees