TWI289607B - Target tiles in a staggered array - Google Patents

Description

1289607 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 一般而言，本發明係有關於濺鍍材料。詳言之，本發 明係有關於一種把，其含有由無材料所構成的多數碑。 【先前技術】 濺鍍、或者稱為物理氣相沈積（PVD)，被廣泛地用在半 導體積體電路之商業領域，用以沈積金屬和相關材料。第] 圖係說明一典型的DC磁控管電漿反應器丨〇之剖面圖，包含 一電氣接地真空室12，其中一靶14係藉由電絕緣體i 6加以 真空密封。一 DC電源供應件18對該靶14供應相對於該室 12或該室12内之一接地濺鍍遮蔽物為負的偏壓，來激發一 ，氬濺鍍工作氣體成為一電漿。然而應注意亦已知有RF濺 鍍。該帶正電之氬離子被吸至該偏壓的靶14而濺鍍材料從 該把14藏錢至一基板2〇上，該基板2〇係被支撐於與該靶 14相對之一托架22的上面。位於該把的後面之一磁控管 24 ’發射一與該乾14的前表面平行之磁場來捕捉電子，藉 此可以增加該電漿的密度並加速該濺鍍的速度。現代化的濺 鑛反應器’該磁控管可以比較小並沿著該靶14的背部掃描。 甚至可以使用一大磁控管來掃描，用以改良侵蝕和沈積的均 勻性。 雖…丨可以使用紹、鈦、和鋼乾來形成單一整體構件， 但是用以澈4由# 哪鐵其他材料諸如鉬、鉻、以及銦鍚氧化物（ΙΊΓ〇) 之乾，更、畜來 、吊的方法係將該材料之一濺鍍層藉由濺射塗佈、 5 1289607 或是黏著在一較不昂貴並較容易機械加工靶背板上來形成。 用以賤錄至實質上圓形的矽晶圓上之濺鍍反應器已有 很大的發展。這些牟來，矽晶圓的尺寸已從50公釐直徑增 加至300公釐。濺鍍靶或是甚至其濺鍍材料必須增大，用以 在該晶圓的全面提供更均勻的沈積。通常，晶圓濺鍍靶甩於 一些諸如叙和銅等係由一單一的圓形構件形成，或是用於較 困難的材料時，則是在一背板上形成單一的的連續濺鍍層。 早在1990年，濺鑛反應器已被發展，係用以將薄膜電 晶體（TFT)電路形成在玻璃基板上來作為大型顯示器用途， 諸如作為電腦顯示器或電視螢幕用途之液晶顯示器 (LCDs)。在美國專利5,565,071 Demaray等人揭示如此之— 反應器’以引用的方式併入本文中。該技術隨後被應用在其 他型式之顯示器，諸如電漿顯示器和包含有機發光二極體 (OLEDs)之有機半導體，以及應用在其他面板組成，諸如塑 膠和聚合物。一些早期的反應器設計來使用於尺寸約為4〇〇 公釐X600公釐之面板。通常，認為形成具有單一連續濺鍍 層之如此大的靶是無法達成的。替代地，係將濺鍍材料之多 數磚，各自黏著在一單一靶背板上。平板靶之最初的尺寸， 該等磚之能夠製造的尺寸，足夠延伸至該靶之短方向全面， 因此該等磚在該背板上形成一維陣列。 因為所生產的平板顯示器尺寸逐漸增加，以及明白將 多數個顯示器製造在一單一玻璃板上並隨後進行切割才且 有經濟規模，使得該面板之尺寸逐漸增加。商業上可以購得 的平板製造設備，其可以濺鍍至具有一最小限度尺寸為1 8 1289607 厶尺之面板’而用於具有尺寸為2公尺χ2公尺甚至更大之面 板的設備，係可以預期的。使用於如此大的靶，可能須要第 2圖之一平面圖所說明之二維陣列碑配置。長方形靶磚μ 係配置成長方形陣列而黏著在m 34上。Tepman在美 國專利中請案第蘭63，152號，巾請日期·4年6月7日， 其中如此一大靶之二維磁控管掃描係以引用的方式併入本 文中。 如第2圖之該平面圖所示，一實質上長方形靶3〇包含 以長方形陣列配置之一多數個長方形乾磚32並黏著在一靶 背板34上。該磚尺寸係取決於包含製造該碑的容易度之數 個參數而該等磚之數目可以是4χ5，但是該等磚可以是 例如75公釐x90公釐之實質上的尺寸，如此，一較大的面板 須要一 3x3陣列。若是該磚材料難以加工，諸如鉻或鉬，在 該碑陣中該等磚之數目甚至可以更大。該圖示的東背板Μ 通常為四方形來和該被濺射塗佈之面板的形狀和尺寸一 致，但疋該靶背板34的複數角36可以是圓形的或是其角度 與支撐該靶背板34之室體一致，而該靶背板34包含來自該 室體一延伸部38，該延伸部38包含一電終端用以對該靶供 應電力、以及用以提供冷卻該靶3〇的冷卻流體之複數管接 頭。如第3圖之剖面說明，用於平板濺鍍之該靶背板34通 常係由一金屬板42、44所構成，例如由鈦以熔接或是黏著 在起。因為該靶背板3 4比用於晶圓製程之通常的靶背板 更為複雜，用以該非常大的面板尺寸時，與其通常的冷卻槽 不如具有一背側真空室為佳，如此可以使該非常大的乾3 〇 7

1289607 全面之壓力差異減少至最小。該等板42、44其中之一，其 構成具有複數線性冷卻槽46，藉此該冷卻流體可以循環。亦 可能是其他形式背板3 4和冷卻槽4 6。 該磚32係黏著在該背板34之室側面上，該等磚32之 P3形成有一間隙48。通常該等磚32係具有直角之長方形， 其中位於該磚陣列周圍的斜角邊緣之該等碑32可能是例 外。謀求使該間隙48來消除製造上的變動而可能〇在至〇·5 公釐之間。鄰接的碑32可能直揍緊靠但是不會互相施力。 另一方面，該間隙48之寬度不會大於該電漿暗，該電漿暗 區通常係對應該電漿鞘層的厚度並且通常比較大，以通常壓 力之氬工作氣體而言約大〇 5公釐。在區域小於該電漿暗區 之最小限度距離時無法形成電漿。結果，當該磚32被濺鍍 時在下面的鈦背板3 4不會被濺鍍。 回到第2圖，該碑32係配置在一長方形輪廓40内， 該長方形輪廓40係大約與該靶預定被濺鍍的面積一致或大 一些。第1圖之該磁控管24係以該輪廓40為對象進行掃描。 使用遮蔽物或是其他構件來防止該背板34之無磚表面因暴 露於南密度電漿而被濺鑛到。日月顯地，不希望濺鍍到用來支 撑钥或其他磚的一紹背板34。即使該背板係由該等靶碑 32相同材料所構成亦不希望被濺鍍到。該背板34具有複雜 結構’並且希望在一組磚32用完後能夠重新裝設使用，來 使用於一組新的磚32，所以應避免濺鍍到該背板34。 隨著面板尺寸的增加，第2圖之該長方形磚的配置會 出現困難。已知有數種方法可以用來將複數靶磚黏著在背板 8 1289607 上。第4圖說明一種普遍的方法，包括一裝置其含有二個加 熱台60、62。將該等磚32以錢鍍面朝下方的方式放置在一 工作台60上。將一銦塗層64漆在各磚32的背面上。該加 熱桌6 0將該具有塗層的碑3 2加熱至約2 0 〇 ，遠高於鋼的 熔點156°C，因此銦熔融在該等磚32上而形成_均勻的熔融 層。同樣地，將該背板34放置在另外一加熱台62上並漆上 一銦塗層66,加熱至約20(Γ(^在銦64、66都處於熔融狀 態下將等磚32從該第一工作台6〇移開，並以該等炼融的錮 •塗層面對面而該濺鍍面朝上的方式反向地放置在該背板34 的上面。經過冷卻，該銦固化而將談等碑32黏著在該背板 34上、 該轉移操作必須進行得相當快，在轉移時在該磚32 上的銦塗層64不可以固化。較小的靶時可以使用手工轉移。 然而，隨著該靶和該等磚增大，使用一轉移洽具來抓住該等 磚的邊緣，並使用一起重機來舉起談治具並將其移動至該第 二工作台。 不容易操作如此大的機械結構來得到希望程度的對 準’特別是以不大於〇·5公蓋來分隔該等磚。替代地，如第 5圖之該平面圖對4片磚32之間的一角落區4〇的說明，該 4片磚3 2係以一長方形陣列配置而傾向各自互相滑動，由於 具有不同的磚與碑之間的間隙48而對準不良。更重大的是 該:片t磚之間的角落變為比希望大許多。一空隙（interstice) 係=私位於二個或更多磚間的界面之一點或一範圍，因而一 二隙不包括位於二碑之間的線。實際上對空隙72之較佳定 9 1289607

義為表示複數碑32間的最大間隙。結果，該等對準不良磚 32之該空隙72的最寬點可能大於該電漿暗區，何如為丨公 釐，因此該電裝可能會往該背板34傳送。該間f宋若只是務 微大於該電漿暗區，在該間隙的該電漿狀態可能不穩定而結 果產生間斷性發送電弧。即使該電弧只限制對磚材料，但是 該電弧有可能將該乾材料熔化成粒子（而非原子）而產生污染 性粒子。若該t聚到達該背板，將會濺鍍到該背板。若是該 等碑和背板係不同材料，面板濺鑛將會帶來材料污染。而 且，面板濺鍍將使其不容易再利用該背板來作為一重新裝設 的東。即使談電漿未直接到達該背板，一超過尺寸的空隙72 會使該電漿濺鍍到朝向該空隙之該等磚32之該等側面。該 側面濺鍍將該空隙72更為擴大而使面板濺鍍變差。 該專把磚和該背板之間的材料不同時會因為不同熱膨 脹而產生一類似的問題。當該被黏著的組件冷卻至室溫，該 不同的熱膨脹有可能造成該組件彎曲。因為該固態銦之柔軟 性’該彎曲可以被推壓出該被黏著的組件。然而，通常該推 壓力係無法控制的程序而在推壓時該等磚可能會互相滑 動，有可能產生如第5圖之不希望的碑配置。 已發展藉由一導電橡膠件來將黏著複數磚至被板之技 術’其能夠在較低的溫度施行。如此黏著加工服務，可以委 託 Thermal Conductive Bonding 公司（位於 San j〇se

California)。然而，對於較大陣列之靶磚，橡膠黏著並沒有 完成消除該對準不良的問題。 10 1289607 【發明内容】 發月係棱供一種靶，特別是一種 靶，包含禎叙且+有用的一長 ^ | 乂 非長方形二維陣列方式 被黏耆在一靶背板 該等長方形磚可以被配置成複數交錯列，如此只有三 都、空隙會合，而且該等磚中只有二個具有與該空隙相 鄰之銳角。在該列配置之一具和 』配置之具體例，一列可以包含只有複數

^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ @ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 等末端上。在該列配置之另外一具體例，全數列皆具有相同 數目的全磚和一片部分磚，該等部分磚係配置在相鄰列的相 反末端上。在該列配置之另外一具體例，偏位（〇ffset)會造成 /口著該列出現小於該等磚長度之1〇%但是大於〇 5%之交錯 現象（staggering) 〇 或者，談等長方形磚可以配置成一人字形或鋸齒狀圖 案’全數長方形磚具有一 1:2或1 ·· N之尺寸比例而方形磚 係配置在該長方形輪廓的周圍。 或者，該等碑可以是一具有密集填入結構之六角形。 而且，或者該等磚可以是三角形，最好是在該長方形 輪廓内具有複數等腰三角形。 本發明可以應用在具有多數磚之圓形靶，特別是該等 具有扇形磚之圓形靶。該等扇形靶可以接近中心處以父錯連 接方式合會係有利的。 本發明之另外一態樣，該等靶磚之最外的該等角被彎 曲成半徑為6·5至12.5公分，用以對應由位於該等角附近的 11 1289607 磁控管所產生之該電聚轨跡的曲度。該等彎曲角可以應用在 一單碑靶和一維、二維陣列之複數磚。

【實施方式】 依據本發明所製成的乾，可以避免習知以長方形陣列 方式配置複數磚所構成該等把之許多問題點。替代地，如第 ό圖之說明，本發明之一具體例之一靶8〇，包含複數長方形 磚32，其各自實質上至少在其濺鍍面具有相同組成，並以交 錯列方式配置而且黏著在該靶背板34上。在該具體例，一 列之該等碑32皆在列方向對相鄰列之該等磚32偏位。在該 等列之一些列，該等末端磚82在列方向的長度只有相對應 該等全磚32的一部分。在該具體例，最好是該等末端磚 的長度為一半全長減去在該等磚間之希望間隙的尺寸，如此

八需要碑32、82等二種尺寸。雖然在轉移至以及黏著於背 板34聘該等磚32、82仍然會在列方向滑動，但是在垂直方 向之移動受到限制。結果，位於角落之磚32、“之間的空 隙84，非常不可能會發展至異常的尺寸 係由三片磚32、82構成，而且該等碑32 。而且，各空隙84 ' 82中對該空隙84 只有二個銳角。因此’與如第i圖所 1 1兀刖技術之具有四銳 角的四片磚比較時，電漿發送電弧較不強烈。 地包含數列含有N-丨數目全磚32和二片半磚82的列。其 之一因數是該排數目與該列數目的比例，其中之一因數是 數目和列數目的比例，該+禮3 9夕古〜 ^ 4王得32之向寬比決定了由該 12 1289607 32、82所覆蓋之可使用靶面積的高寬比。 第7圖係一密切相關之乾9〇之平面圖，其具有複數長 方形碑92，係配置成全數列皆具有N數目全磚92和一片部 为碑94。該等部分磚94係配置在相鄰列的相反末端上，而 且在列方向具有長同長度，因此只需要二種尺寸的碑。該等 部分磚94的長度在列方向不限定為對應全磚92長度之一 半。即使該等全碑92為方形，該靶之可使用面積的長寬比 幾乎可以藉由改變該等部分碑94之列方向的尺寸来自由選 擇。 在乾80、90兩者中，該等全碑32係藉由將同樣方向 的磚32排列成平行四邊形之方式來配置。 另外一相關具體例之一靶1 〇〇如第8圖之底視平面圖 的說明。一背板102包含伸出超越該室之該輪廓之一位於相 反側的延伸部1 04、1 06，並具有一外部水道連接件使冷卻液 體可以直接從一側流至另一侧以及有角度隅角1〇8。六個通 常為長方形碑係藉由銦或聚合物黏合劑以預先決定之交錯 二雉配置、且在該等碑110間具有約〇5公釐的間隙之方式 黏著在該背板1 02上。然而，該配置可以減小一偏位丨丨2的 偏位量，讀偏位112係位於四片磚丨1〇之偏位連接丨14的相 鄰行之間，該偏位小於沿著該偏位112方向之該等磚長度之 10%。該偏位應大於該間隙，例如乘以至少2至4之因數， 而且，最好是大於該等磚1 1 〇之聯合側邊長度的〇 5 %，雖 然該偏位小至0.2%仍可以使用。從以通常的方法形成該等 磚1 1 0之觀點而言，該減小偏位量的偏位丨丨2係有利的。大 13 1289607 於該等希望磚之複數碑胚（tile blanks)係藉由在模具中實施 高等溫加壓（HIP)，其係一種燒結的形式。該等磚胚之邊緣 通常含有最多不純物，隨後藉由機器去除來形成希望的碑 形。以最小有效偏位112所形成碑11〇可以去除四點連接， 其可以使用一尺寸的模具和磚胚來形成，且乾材料廢料最 少0 、圖示之該等磚110亦可以具有複數圓形的外角116，

亦即該等磚110陣列的該等角。該彎曲半徑可以在65至12 5 公分之間，係取決於配合該磁控管的該等角之腎曲。在前述 引用之Tepman的專利文獻中，包含一渦狀的電漿轨跡，其 形成在一磁極性之一内部磁極與該相對磁極性之外部磁極 之間，該内部磁極與該外部磁極之間並具有實質上不變的間 隙，其界定該電漿的軌跡。該等磁極件包含以灣曲9〇度及 180度區段連接成而複數線性區段。該等磚ιι〇之該等外側 角116’最好疋與接近該等角116之該電漿執跡的彎曲一致。 一類似之弯曲的外部角應用於複數磚之一維長方形陣 列或疋早一長方形靶磚係有利的，若該等磚可以製造得足 夠大，其等係較佳的配置。 X明之一第三具體例之一靶12〇如第9圖所示，具 有配置成一人字形配置之複數長方形磚’或者，稱為一鋸齒 形配置。如第9圖所示之方位，該人字形圖案包含具有1 : 2 ^寬比之複數碑122 ,並在該等碑122之間具有經過考慮之 :何希望間隙。在該人字形圖案，該複數碑122配置成在垂 向和在水平方向皆具有複數路徑，該等路徑係通過位於 14 1289607 一第一末端上之一第一碑之該短邊，通過一第二磚之該長 邊，接著通過位於一第二末端之一第三片磚之該短邊，該第 二末端係位於該第二磚之第一末端的相反側。隨後，該圖案 重複°從通過下方左側往上面右側之斜向觀察，可以看到複 數V形臂章，圖案沿著斜線配置之複數對鄰接的磚12 2。在該 等長方形圖案周邊需要數片半磚124。應注意位於上侧右角 之一全碑126可以替代該精確人字形圖案之二片半磚。 換句話說，上述複數磚係配置成鄰接的三片磚之其中 二片碍的直角與三片磚之第三片磚的一直邊在一空隙 (mterstice)會合。另外，上述複數碑亦可配置成複數交錯列， 各列具有一第一長度之一寬度，全部的靶磚具有複數第一邊 其等垂直延伸至實質長度與該第一長度相等之該等列。其中 全部的靶磚除了位於該陣列周圍的以外，具有複數第二邊其 等垂直延伸至實質長度與該第二長度相等之該等列。 該人字形圖案具有許多聯鎖角並因此只允許累積極微 的滑移。只需要二種尺寸的磚完成此嚴密性。然而，圖示之 該簡單的人子幵乂圖案之該等磚在高寬比的彈性非常小，因此 該磚之可用面積的總高比被限制在小整數比。若幾乎任意高 寬比之長方形靶碑可以在該人字形圖的一邊排成一列時，該 问覓比可以更自由選擇。（不同尺寸複數磚之一類似邊列可 以使用在其他長方形配置，可以更容易得到一任意的高寬 比）。該人字形圖案之特徵，係複數對垂直方向i ·· 2的磚配 置成一平行四邊形圖案。無然如何，有更複雜的人字形圖 案，其中該等磚具有高寬比為1:N，N為一大於[的整數。 15 1289607 上述所有長方形的具體例，參照第6至9圖，該二維 陣列内部之一磚從該沿著一線周圍緊靠的其他六磚離去，不 • 管其等是全碑或部分磚，來對照在第丨圖之在該長方形配置 二中有四片磚緊靠。 , 全部前述所採用的圖案通為長方形。相對地，第10圖 之平面圖所示之一靶130,包含配置成密集填入結構之複數 正六角形磚132,或者’其特徵為一菱形結構圖案一對側邊 _ 排列成長方形。製造非長方形的磚並不是習用的。然而，如 上述，許多高溫金屬之靶可以藉由在一模具内燒結粉末來形 成。該模具的形狀可以和所希望的非長方形一樣，在該具體 例為一六角形，雖然尺寸須稍微大一些，來允許去除邊緣和 修直。將該等六角形磚132安裝成一長方形須要複數額外邊 緣件。然而’在第10圖，該等邊緣件可以限制為二種形狀 的磚，沿著相反邊緣之一組為梯形磚134，其為半六角形， 而沿著另外相反邊緣之一組為五角形碑i 3 6。雖然圖示為正 六角形，但是在全部内角維持6〇度的情況下，該等可以沿 • 者複數對相反側的邊伸出或縮進。即使正六角形具有一固定 的高寬比，但是可以變化該五角形磚136的平行邊的長度， 如此可以使總南寬比更自由。當奇數緊靠的六角形碑132之 圖示方位的奇數列，其一碑可以分割成二片使用於該等邊緣 ， 之梯形磚134時，可以限制讓等碑132、134、136的尺寸。 該六角形配置可以產生三片磚132緊靠之空隙138(包含適用 於邊緣磚134、136)。各該等緊靠於複數角之緊靠磚具有一 1 20度的外鈍角。與本發明之長方形圖案類似，在該配置内 16 1289607 之各六角形磚132係沿著一線緊靠其他六片磚，、 全碑或是半磚。 上述之該長方形和六角形磚分別具有9〇度: 内角。有可能將該等形狀修改成更斜的形狀。然兩 形狀須要增加邊緣件。 第1 1圖係說明另外一乾140之平面圖，其含 角幵>/磚。在圖示之該具體例，各列包含相同形狀等 之交替的三角形磚142、144，但是係配置成與圖示 方向垂直但是方向相反。二直角三角形磚146配置 之邊緣而具有希望的整體長方形。若在各列有複 142、144,亦即各為N，那麼，該正三角形末端磚 同形狀，即使該等磚之頂部和底部須加區別。結果 二種尺寸的磚142、144、以及146。——等腰三角形 之垂直方向頂點，緊靠另一同樣方向之等腰三角形 146的底部，藉此内空隙148鄰接三銳角頂點以及 片碑144、146之一平侧邊。雖然一更普通的等腰 计’其二角可以具有不同的底邊對側邊比，然而， 形λ计時，該靶的總咼寬比之彈性極小。在該圖示 配置，該等圖案内部之各磚142或144係沿著一線 其他二角磚’不管該等磚是全磚或部分磚。最好是 形陣列之一邊緣排成_列，不管是等腰三角形或 形，可以具有複數長方形磚的任意高寬比，藉此可 任意的靶高寬比。 該圖示三角形配置之特徵為，即使係沒有長 =管其等是 和60度之 r，如此斜 •有複數三 腰三角形 水平的列 在該等碑 數配對碑 148具相 ，只須要 144、146 磚 144、 各自的四 三角形設 一正三角 的三角形 緊靠四片 將該三角 是正三角 以具有一 方形之配 17 1289607 亦可以得到沒有長方形構件之一長方形配置。 上述之全部具體例中任一例皆包含複數磚之二維陣 J該等磚係配置和黏著在該背板上，如此，該等磚之邊緣 - 與如第2圖所示複數磚之長方形二維格栅並不一致。 •有可此疋其他複數三角形和複數交錯圖案，但是第1 1 圖等邊二角形設計具有一大的最小頂角和最小數量之額外 的邊緣件。 癱 =本發月對於具有最小尺寸大於1 · 8米之大的長方形靶 :為有用然而，本發明亦可以應用在仍然要鋪磚之較小的 靶。特別是應用在該乾背板比圖示簡單而未具有冷卻槽之較 1的靶。本發明亦可以應用在使用於晶圓濺鍍之圓形靶，例 如在第12圖之圖示，一晶圓濺鍍靶150，包含一實質上圓形 、责板152其上面黏著四片扇狀歡150，該等扇狀靶間具 有預定間隙。一偏位156位於一交錯連接處，該偏位比 ，小並類似第8圖之該長方形陣列，為該等扇形碑154之半 乙長度的0.5%至10%。該扇形磚154具有圓形的外邊緣，二 籲 直的半徑側邊會合於位於該交錯連接處158之頂點，其接近 並未和該背板152之中心一致。各該等扇形碑154的形狀係 接近但未精確為90度的扇形。 〜本發明之用途不只是用於諸如_、鉻、和鎢以及矽等 / 不容易製成大尺寸靶之耐火金屬。同樣地，本發明對更複雜 ； 組成的靶如銦錫氧化物（ITO)係有用的，其通常係在氧環境 ' 的存在下，由一銦氧化物和錫氧化物之混合物的靶濺鍍而成 的而且，該使用於具有高-k值、鐵電性、壓電層之鈣鈦礦 18 1289607 、錯和鈦之燒結混合 (pervskite)材料，可以從一含有諸如錯 的把，在氧的存在下濺鍍而成。

不僅如此，本發明亦可以使用於更多普通金屬，諸如 鋁、銅、和鈦，特別是當使甩一希望重新裝設的靶背板i亦 即，本發明不限於該靶的組成。本發明進而可以應用於使用 在RF濺鍍的靶，如絕緣靶，其可以使甩來濺鍍金屬氧化物， 如刖述之鈣鈦礦。本發明而言一磁控管並非絕對必要的。而 且，本發明可以應用在圓形靶，雖然須要多種變化的邊緣件。 雖然本發明係以具有直側邊的平面體之基礎來敘述， 應了解只要總形狀可以描述成長方形及其他，該等邊緣可以 具有更複雜的剖面，如P皆梯狀。同樣地，無論是有意或無意 的，該形狀之該等角可以帶有幾分圓形。 本發明藉由少許增加該等乾磚複雜性以及製造，可以 提供較少的磚對準不良並且可以改良濺鍍性能。 【圖式簡單說明】 第1圖係一習知電漿濺鍍反應器之一概略剖面圖。 第2圖係一由二維陣列複數靶磚所形成長方形&之— 平面圖。 第3圖係一黏著在含有冷卻槽的習知靶背板< i數^ 磚架構之一剖面圖。 第4圖係說明一黏著複數靶磚至一背板之習知 之 一概略圖。 第5圖係說明一具有該習知長方形配置之複數石專# 19 1289607 一問題之一平面圖。 第6圖係含有配置成複數交錯列之複數長方形靶碑之 本發明的第一具體例之一平面圖。 第7圖係含有配置成複數交錯列長方形磚之第二具體 例之一平面圖，其中具有相同尺寸的部分末端碑其配置在相 鄰列之相反末端。 第8圖係第二具體例之一平面圖，其中包含複數長方 形磚，該等複數長方形碑以複數交錯列之方式接近但是未精 確地配置在同維，該等複數長方形磚在該等列之間具有一減 少的偏位。 第9圖係各有配置成一人字形或一鋸齒形的長方形碑 之一第三具體例之一平面圖。 第10圖係含有複數六角形磚之一第四具體例之一平面 圖。 第11圖係含有複數三角形磚之一第五具體例之一平面 圖。 第12圖係使用於一圓形靶之本發明之一具體例之一平 面圖。 【主要元件符號說明】 10 反應裔 14 靶 20 基板 24 磁控管 32 靶磚 36 角 12 真空室 18 電源供應器 22 托架 30 靶 34 靶背板 38 延伸部 20 1289607

40 輪廓 42、44、 46金屬板 48 間隙 60、62 加熱台 64、66 銦塗層 72 空隙 80 、 90 、 靶 82、110 、碑 100 、 120 、 122 130 、 140 84 、 138 空隙 92 全長方形碑 94 部分長方形碑 102 背板 104 、 106 延伸部 106 角度隅角 112 偏位 114 偏位連接 116 外角 124 半磚 126 全磚 132 正六角形磚 134 梯形碑 136 五角形磚 142 、 144 三角形碑 146 直角三角形碑 148 三角形末端磚 150 晶圓濺鍍靶 152 圓形背板 154 扇形碑 156 偏位 158 交錯連接處

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Claims (1)

1289607 月修正 +、申讀專利範簡： 1 · 一種濺鍍靶，包含複數靶磚，嗜辇 ， 涊等靶磚含有一共同 錢錄組成且係各自成形以配置在一非 外我万形一維陣列（a non-rectangular two-dimensional array)中。 2 ·如申請專利範圍第 具有長方形形狀。 項之濺鍍靶，其中該等磚各自

3 ·如申請專利範圍第2 之該等碑的複數外角係具有 角。 項之濺艘靶，其中在該陣列中 曲度在6·5至12.5公分間之圓 4·如申請專利範圍第 係配置成複數交錯列。 2或3項之濺鍍靶，其中該等碑

5 ·如申”月專利範圍第4項之濺鍍靶，其中該等交錯列 配置成可沿著該等列之該等碑之_長度的q⑽ι〇%之間 偏位。 6 ·如申請專利範圍第 置成一人字形圖案。 2項之濺鍍靶，其中該等磚係配 7 ·如申請專利範圍第 係具有最小尺寸為至少1.8 1或2項之濺鍍靶，其中該陣列 公尺之一長方形。 22 1289607 ^ · 係配置在 *甲請專利範圍第1或2項 致為長方形輪廓的内部 9·如申請專利範圍第 廓具有具有複數個曲度在 8項之濺鍍靶，其中該長方形輪 6.5至12.5公分間之圓角。

綾木盥’如申請專利範圍第1項之濺鍍靶，#中該等磚 、’、任—長方形格栅（rectangUiar grid)_ 致。 裡錢鍍靶，包含複數 等乾碑係各自成m置在-由該等磚的交錯 的二維陣列中。 之靶磚，該 列所構成

广如申請專利範圍第U項之賤餘，其中該等磚係 配置在一大致為長方形輪廊的内部。 13·如申請專利範圍第12項之濺鍍靶，其中該大致 方形輪廓具有多個半徑在6.5至12.5公分間之角 14·如申請專利範圍第11至13項中任— 貝之賤錢乾， 其中該等交錯列配置成可沿著該等列之該等碡夕 τ_長度的 0.5%至10%之間偏位。 23 1289607 15 ·如申請專利範圍第u至13項中任一項之濺鍍靶， 其中該複數為6。 16·如申請專科範圍第15項之濺錄靶，其中該尊交錯 列配置成可沿著該等列之該等磚之一長度的〇 5%至1〇%之 間偏位。 17·如申請專利範圍第1]L項之濺鍍靶，其中該等磚之 邊緣不與任一長方形袼栅一致。 18·—種鋪磚濺鑛靶，包含·· 一大致長方形靶背板； 複數長方形磚，該等磚係固定在該板上並配置在二維 非長方形陣列中。 19·如申請專利範圍第18項之濺鍍靶，其中該等磚係 配置成鄰接的該三片磚之其中二片磚的直角與該三片磚之 第二片碑的一直邊在一空隙（interstice)會合。 20如申請專利範圍第18項之濺鍍靶，其中該等磚係 配置成複數交錯列，各該等列具有一第一長度之一寬度，全 部該等磚具有複數第一邊苴算岙古 瓊，、寺垂直延伸至實質長度與該第 一長度相等之該等列。 24 1289607 全部 等垂 21.如申請專利範圍第19或2〇項之濺鍍靶，其中 該等磚除了位於該陣列周圍的以外，具有複數第二邊其 直延伸至實質長度與該第二長度相等之該等列。 22· —種圓形乾，包含： 一背板； 該背 複數扇形碑’黏著在該背板上並各自會合於接近 杈中心之交錯連接處。 ，並 等屬 23·如申請專利範圍第22項之靶，其中該複數為 具有’偏位其位於複數磚之該交錯連接處，該偏位為該 形碑之一半徑長度之0.5%至10%之間。

25 1289607 * t 七、指定代表圖： (一） 、本案指定代表圖為：第6圖。 (二） 、本代表圖之元件代表符號簡單說明: 32、82 靶磚 34 靶背板 80 靶 84 空隙

八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特 徵的化學式：