KR100765574B1 - 상보적인 경사 에지와 그 에지 사이에 경사진 간극을 갖는 다중 타겟 타일 - Google Patents

Abstract

다중 타겟 타일(30)로 구성된 타겟 조립체에 이용될 수 있는 타일 세트는 또 다른 재료의 백킹 플레이트(24)에 배열로 접합된다. 배열의 내부에 있는 타일의 에지(32, 34)는 상보적인 경사 에지로 형성되어 상기 타일들 사이의 경사진 간극(36)을 형성한다. 상기 간극은 타겟 수직선에 대하여 10°에서 55°사이의 각도, 바람직게는 15°에서 45°의 각도로 기울어질 수 있다. 타일의 대향 면은 수직 간극 및 경사 간극 양자에 대해, 비드 블라스팅(bead blasting)에 의해 거칠게 처리될 수 있다. 간극이 아래에 있는 백킹 플레이트의 영역(48)은 수직 간극과 경사 간극 양자에 대해, 타겟의 재료 영역으로 덮여 지거나 피막되거나 거칠게 처리될 수 있다.

Description

상보적인 경사 에지와 그 에지 사이에 경사진 간극을 갖는 다중 타겟 타일{MULTIPLE TARGET TILES WITH COMPLEMENTARY BEVELED EDGES FORMING A SLANTED GAP THEREBETWEEN}

도 1은 직각 기판 위에 스퍼터링 증착을 위하여 적용된 종래의 플라즈마 스퍼터링 반응기의 개략적인 횡단면도.

도 2는 백킹 플레이트에 접합된 다중 타겟 타일로 구성된 종래의 스퍼터링 타겟의 평면도.

도 3은 경사 간극으로 분리된 두 개의 타겟 타일을 포함하는 본 발명의 스퍼터링 타겟 부분의 횡단면도.

도 4는 외측 주변 부분에 있는 경사진 타겟 타일의 횡단면도.

도 5는 백킹 플레이트의 거칠어진 부분 또는 두 타일 사이 간극 바닥의 백킹 플레이트 영역에 놓이거나 피막된 타겟 재료의 영역 중 하나를 포함하는 본 발명의 스퍼터링 타겟 부분의 횡단면도로서, 타겟 타일의 두 개의 경사 에지의 거칠기 처리된 상태를 도시한 도면.

※도면부호에 대한 부호의 설명※

24 : 백킹 플레이트 30 : 타일

32 : 상부면 34 : 하부면

36 : 경사 간극 38 : 앞 면

40 : 둥근 코너 48 : 영역(region)

본 발명은 일반적으로 재료의 스퍼터링에 관한 것이다. 특히 바람직하게, 본 발명은 다중 타일로 구성되는 스퍼터링 타겟에 관한 것이다.

달리, 물리 기상 증착(PVD)이라고도 불리는 스퍼터링은 반도체 집적 회로의 제조에 있어서 금속 및 관련 재료 층을 증착시키는 가장 일반적인 방법이다. 스퍼터링은 현재 박막 트랜지스터(TFT)에 기초한 평면 패널 디스플레이(FPD)의 제조에 적용되고 있다. FPD는 일반적으로 얇은 사각 판의 유리로 제조된다. 실리콘 층은 유리 패널에 증착되고 실리콘 트랜지스터는 전자 집적 회로의 제조에서 잘 알려진 기술에 의해 실리콘 층의 내부와 주위에 형성된다. 유리 기판에 형성된 전자 회로는 유리 패널 내에 형성되거나 위에 장착되는 플라즈마 디스플레이, 엘시디(LCD), 또는 유기 엘이디(OLED)와 같은, 광학 회로(optical circuit)를 구동하기 위해 이용되어 진다. 평면 패널 디스플레이의 또 다른 형태는 유기 엘이디(OLED)에 기초하고 있다.

사이즈는 전자 집적 회로와 평면 패널 디스플레이 사이의 가장 명백한 차이 중 하나를 구성하고 두 세트의 장비로 이들을 제조하기 위해 이용될 수 있다. 본 발명에 참조된 데마레이(Demaray) 등의 미국 특허 제 6,199,259호에는 평면 패널 스퍼터링 장치의 많은 구별되는 특징들이 개시되어 있다. 이 장치는 기본적으로 약 400mm×600mm 사이즈를 구비한 패널을 위해 디자인 되었다. 제조될 평면 패널 디스플레이의 사이즈의 증가 및 다중 디스플레이가 단일 유리 패널로 제작되고 그 후 절단될 때 실현되는 규모의 경제성 때문에 패널의 사이즈는 계속해서 증가하고 있다. 평면 패널 제조 장치는 1.8m의 최소 사이즈를 갖는 기판에 스퍼터링하기 위해 상업적으로 이용될 수 있고 2m×2m의 사이즈의 패널과 더 큰 사이즈, 즉, 40,000cm² 면적 또는 더 큰 기판에 대한 장치가 계획되고 있다.

많은 이유에서, 평면 패널 스퍼터링을 위한 타겟은 보통 타겟 백킹 플레이트에 접합되는 하나의 스퍼터링 층 타겟 재료, 일반적으로 알루미늄, 황동, 또는 티타늄으로 형성된다. 백킹 플레이트에 타겟 층을 접합하는 종래 방법은 인듐의 접합 층을 두 개의 시트와 비슷한 부재 중 하나에 가하고 156°C의 인듐의 녹는점 이상의 온도로 이들을 함께 압력을 가하였다. 더 발전한 최신의 접합 방법은 훨씬 낮은 온도로 가해져서 높아진 온도이나 상대적으로 낮은 온도에서 보통 경화될 수 있는 전도성의 엘라스토머 또는 다른 유기 접착제를 이용한다. 이런 엘라스토머의 접합 작업은 캘리포니아 산호세 연구소의 데머레이 등이 전술한 특허 오토클레이브 본딩(autoclave bonding)에 기술된 열 전도 접합(Thermal Conductive Bonding)로부터 이용될 수 있다.

본 발명의 하나의 특징에 따르면, 다중 타겟 타일은 인접한 타겟 타일의 상보적인 경사 에지 사이에 형성된 경사진 간극을 구비한 백킹 플레이트에 접합된다. 상기 에지는 상기 타겟 타일의 정면의 수직선과 10°에서 55° 사이의 각도, 바람직하게는 15°에서 45°사이의 각도로 경사면을 이룰 수 있다. 접합된 타겟 타일 배열의 외곽 주변에 있는 타일 에지는 타일의 중심에서 바깥쪽으로 기울어진 경사진 에지로 형성될 수 있다.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 타일의 경사진 에지는 예를 들어 비드 블라스팅에 의해 거칠게 처리될 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 타일 밑의 백킹 플레이트의 주요부가 매끄러운 상태가 되어 타일과 접촉하는 반면 두 타겟 타일을 분리하는 간극 바닥의 백킹 플레이트의 부분은 선택적으로 거칠기 처리될 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 타일 사이의 간극 바닥의 백킹 플레이트 부분은 한 층의 타겟 재료로 피막될 수 있거나 하나의 스트립을 이루는 타겟 재료는 타일 접합 전에 바닥에 놓여 질 수 있다.

도 1의 횡단면도에 개략적으로 도시된 스퍼터링 챔버(10)는 진공 챔버(12)와, 전기적으로 접지된 챔버(12)와는 전기적으로 절연되었지만 밀봉되어 있는 타겟(14), 그리고 스퍼터링 피막되는 패널(18)을 지지하는 페데스탈(16)을 포함한다. 타겟(14)은 패널(18) 위에 스퍼터링 될 재료의 표면층을 포함한다. 아르곤 작동 가스(working gas)는 밀리토르(milliTorr) 범위의 압력으로 챔버 안으로 주입된다. 전원 장치(20)는 타겟(14)에 수백 볼트의 음전압을 바이어스시켜, 아르곤 가스가 플라즈마 상태로 방전되도록 한다. 아르곤 양이온들은 음극으로 바이어스된 타겟(14)으로 끌리고 타겟으로부터 타겟 원자들을 스퍼터링한다. 많은 응용례에서, 마그네트론(21)은 타겟의 뒷면을 스캐닝하여 플라즈마를 집중시켜서 스퍼터링 비율을 증가시킨다. 몇몇의 타겟 원자들은 패널(18)과 충돌하여 패널 표면 위에 타겟 원자들의 얇은 필름을 형성한다. 타겟(14)은 대체적으로 스퍼터링 피막되는 패널(18)보다 약간 더 크다. 평면 패널에 대한 스퍼터링은 알루미늄, 구리, 티타늄, 탄탈, 몰리브덴, 크롬, 이리듐 주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 그리고 기타 재료를 포함하는 수많은 타겟 재료를 이용해 왔다.

증가되는 패널 사이즈와 이로 인해 증가되는 타겟 사이즈로부터 발생하는 하나의 문제점은 적합한 품질의 타겟 재료를 더 큰 사이즈로 확보하는데 있어서의 어려움이다. 크롬과 같은 내화성 재료는 특히 확보하기 어려운 재료이다. 사이즈의 문제점은 다중 타겟 타일로 스퍼터링 층을 형성하는 것에 의해 해결되었다. 개략적으로 도시된 도 2의 평면도에서, 다중 타겟 타일(22)은 타일 사이의 예정 간극(26)을 유지하며 백킹 플레이트(24)위에 접합된다. 타일(22)들은 그 후로, 백킹 플레이트(24)에 접합된다. 타일(22) 바깥쪽에 있는 백킹 플레이트(24)의 넓은 주변 영역은 진공 챔버(12) 위의 타겟을 지지하기 위해 사용되어 지고, 백킹 플레이트(24)의 하나 이상의 확장부(28)는 진공 챔버(12)의 외곽선 밖으로 확장되어 백킹 플레이트(24)에 형성되는 냉각수 채널을 위한 배관 포트와 바이어스 소스와의 전기적 접합을 제공한다.

도 2에 도시된 두개의 타일의 배치는 가장 간단한 타일 배치를 도시하는데, 두개의 타일은 타일 사이의 하나의 간극(26)을 구비한 선형 배열 상태이다. 전술한 데머레이의 특허에는 타일 사이에 (N-1)의 간극을 구비한 선형 배열로 N>2보다 더 큰 수의 타일이 기술되어 있다. 2004년 7월 9일에 출원된 텝만(Tepman)의 미국 특허 제 10/888,383호에는 서로 교차하면서 수직 수평으로 확장된 간극을 구비한 2차원 배열의 타일이 기술되어 있다. 이러한 배열은 직각 배열, 간단한 벽돌벽으로서 엇갈림 배열 또는 헤링본(herringbone) 패턴을 포함하는 더 복잡한 2차원 배열일 수 있다. 직각 타일이 기하학적으로 가장 간단하다 하더라도, 상응해서 더 복잡한 간극 배치를 구비한 삼각 모양과 육각 모양과 같은 다른 타일 모양이 가능하다.

타일 사이의 간극(26)은 신중하게 디자인되고 유지되어야 한다. 일반적으로, 간극은 다른 재료로 채워지지 않으며 보통 접착제, 또는 타겟 재료와 다른 재료가 간극(26)의 바닥에 노출된다. 그러나, 간극(또는 적어도 간극의 일부분)이 약 0.5mm 내지 1.0mm보다 작게 유지된다면, 간극이 플라즈마 다크 스페이스(plasma dark space)보다 작기 때문에 스퍼터링 플라즈마는 간극 안으로 전파될 수 없다. 플라즈마가 간극의 바닥으로 전파되지 않는다면, 백킹 플레이트는 스퍼터링되지 않는다. 그러나, 타겟 타일로부터 스퍼터링되는 재료는 타겟 타일 위에 재증착되는 경향이 있다. 보통, 이는 재증착된 재료가 증착되는 속도보다 더 빠른 비율로 다시 스퍼터링되기 때문에 문제되지 않으며, 따라서 최적의 품질보다 낮은 재증착 재료로 구성된 두꺼운 층이 축적되는 문제는 피할 수 있다. 즉, 상부 타일 표면은 깨끗하게 유지된다. 그러나, 기하학적 구조 때문에 감소된 비율일 지라도 스퍼터링된 재료는 또한 타일들 사이의 간극 안으로 재증착된다. 그럼에도 불구하고, 플라즈마가 적절하게 조작된 타겟의 간극 안으로 잘 확장되지 않기 때문에, 다시 스퍼터링되는 재료는 타일의 평면의 표면과 같은 높은 비율로 다시 스퍼터링되지 않는다. 즉, 재증착 재료는 간극의 측면과 바닥에 상당히 두껍게 축적되는 경향이 있다. 재증착된 재료는 충분한 두께로 축적되어 진다면 벗겨져서 플레이크로 되는 경향이 있다. 상기 플레이크 재료는 패널이나 스퍼터링 피막되는 다른 물질 위로 떨어지면, 패널에서 현상되는 전자 회로에 결함을 초래하는 입자이다. 재증착과 그 결과로서 발생하는 플레이크를 줄이는 한가지 방법은 간극의 폭을 예를 들면, 0.3mm와 0.5mm사이로 줄이는 것이다. 간극을 0.1mm까지 더 줄이는 시도는 타겟 조립체를 조립하고 온도 사이클 동안 간극을 유지하는 데 있어 직면하는 조작상의 어려움이 있었다.

본 발명의 일 실시예는 도 3의 횡단면도에 도시되어 있는데, 타겟 타일(30)은 일반적으로 상이한 재료, 종종 티타늄을 재료로 제조되는 백킹 플레이트(24)에 접합된다. 백킹 플레이트에 타일(30)의 접합은 예를 들면, 얇은 층의 접착제에 의해 이루어질 수 있다. 백킹 플레이트(24)는 때때로 다중 층으로 형성되고 스퍼터링 공정 동안에 타겟을 차갑게 유지시키는 냉각 채널을 포함한다. 그러나, 다른 응용예에서, 백킹 플레이트는 다른 수단에 의해 냉각되는 일체형 부재이다.

본 발명의 하나의 특징에 의하면, 인접 타일(30)들은 경사 간극(36)만큼 분리된 대향 면(32, 34)에 상보적인 각도로 경사져 있고, 그 경사 각도는 타일(30)들의 정면(38)의 수직선에 대해, 예를 들면 10°내지 55°사이의 θ각도, 더 바람직하게는 15°내지 45°사이의 각도로 기울어져 있다. 경사면(32, 34)에 수직인 방향으로 간극(36)의 두께는 0.3mm에서 0.5mm로 유지될 수 있다.

경사는 두 가지 이상의 이점을 제공한다. 하나의 장점은 경사 간극(36)의 경사면(32, 34)으로부터 플레이크된 어떤 재증착된 물질이라도, 이미 하부 타일 표면(34)에 있는 플레이크들은 중력에 의해 하부 타일 표면에 유지되거나, 플레이크가 상부 타일 표면(32)으로부터 하부 타일 표면(32)으로 떨어진 플레이크라도 하부타일 표면에 유지시키는데 기여한다. 이 후자의 메카니즘은 정면(38) 근처의 좁은 영역에서는 적용되지 않는다. 다른 장점은 타일(30)의 주된 스퍼터링 표면(38)과 백킹 플레이트(24) 사이의 간극(36)의 전체 길이는 증가된다는 점이다. 이에 따라, 플라즈마는 백킹 플레이트(24)로부터 더 멀리 유지된다. 전술한 각도 이외의 각도들도 본 발명의 이점의 혜택을 받는다. 그러나, 더 작은 각도 θ는 상기 기술된 두가지 이점의 결과를 감소시키며 더 큰 각도 θ는 많은 오버랩과 예각의 코너들 때문에 약간 더 작업하기 어렵다. 예각의 코너들은 다소 라운딩된 코너(40)로 형성될 수 있으나, 라운딩은 두 개의 이점의 결과를 떨어뜨린다. 또 다른 이점은 경사 간극의 두께가 플라즈마 다크 스페이스에 상당한 효과를 미치면서 0.3mm에서 0.5mm까지로 유지될 수 있는 동안, 평면의 면 방향을 따라 간극의 두께는 각도 θ의 코탄젠트 계수만큼 더 커져서, 조립 및 플라즈마의 운동성 문제를 완화시키는 것이다.

유익하게, 본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 타일(30)의 대향 경사면(32, 34)은 바람직하게는 접합되기 전에 비드 블라스팅되거나 거칠게 처리되어 진다. 결과적으로, 대향 면(32, 34)에 재증착되는 어떤 스퍼터링 재료라도 타일(30)의 경사면에 더 잘 접착되어 플레이킹을 지체시킨다. 비드 블라스팅은 타일을 향하여 고압의 가스 흐름으로 단단한 입자들, 예를 들면, 실리카 또는 실리콘 카보나이트를 동반하여 타일 표면이, 예를 들면, 300 마이크로인치에서 500 마이크로인치(microinch)의 거칠기에 이르도록 수행될 수 있다.

한편, 타일(30)들의 주변 에지, 즉, 간극(36)을 가로질러 또 다른 타일(30)과 마주하지 않는 에지는 바람직하게는 도 4의 횡단면도에서 도시된 바와 같이 테어퍼 처리되어 굽은 코너(46)를 구비한 타일(30)의 앞 면(40)과 함께 배열되기 전에 각도 Φ로 백킹 플레이트(24)로부터 안쪽에서 멀어지며 테이퍼 처리된 측벽(44)를 형성한다. 각도 Φ는 10°에서 55°범위, 바람직하게는 약 15°도일 수 있다. 보통, 경사진 측벽(44)은 작은 간극에 의해 챔버에 부착되어 유사하게 형성된 다크 스페이스 실드로부터 간격을 두고 배치되어 플라즈마가 노출된 백킹 플레이트(24)로 전파되는 것을 방해한다.

바람직하게, 측벽(44)은 비드 블라스팅되어, 백킹 플레이트(24)에 접합되기 전에, 재증착 재료의 접착을 증진시킨다. 그리하여, 테이퍼된 측벽(44) 위에 재증착되는 재료는 견고하게 부착되어 재증착된 재료의 플레이크와 그 결과로 생기는 미립자를 감소시킨다.

본 발명의 또 다른 특징으로, 도 5의 횡단면도에 도시된 바와 같이, 경사진 간극(36)과 대향 타일(30)의 경사진 측벽(32, 34)은, 백킹 플레이트(24)에 접합되기 전, 어떤 재료가 경사진 간극(36)에 재증착 되더라도 거칠어진 표면에 더 잘 접착되도록 하기 위해 비드 블라스팅 된다. 본 발명과 관련이 있는 특징에 있어서, 백킹 플레이트(24)는 영역(48)에 타일 접합 하기 전에 비드 블라스팅되어 타일 접합 후에 간극(36)이 영역(48)까지 확장된다. 도면과 반대로, 비드 블라스팅은 표면과 매우 가까이에 국한된 약간의 표면하 손상(sub-surface damage)을 갖는 거칠어진 표면을 형성한다. 간극에 인접한 타일 에지의 거칠기는 경사진 타일 에지와 간극에 적용될 수 있는 것과 마찬가지로 수직면에 적용될 수 있다. 보다 바람직하게, 타일(30)과 마주한 백킹 플레이트(24)의 다수 지역은 거칠어진 영역(48)보다 실제적으로 더 매끄럽게 남아서, 표면 접착제 층이 사용된다면 타일(30)이 백킹 플레이트(24)와 보다 밀접하게 접합될 수 있고 또는 접착제가 백킹 플레이트(24)의 오목부에 가득 채워진다면 백킹 플레이트(24)의 매끄러운 영역과 직접 접촉할 수 있다.

본 발명의 훨씬 더 바람직한 특징으로, 백킹 플레이트(24)에 타일(30)의 접합에 앞서, 타겟 재료는 타일 접합 후에 간극(36)이 확대되는 영역(48)에 증착된다. 타겟 재료의 하나의 스크립이 백킹 플레이트(24)에 접합되어 영역(48)을 형성할 수 있다. 스크립의 두께는 1mm와 4mm 사이의 범위에 있을 수 있다. 예를 들면, 폴리머 접착제나 캡톤(Kapton) 테잎으로 타겟을 끈끈하게 접합할 수 있다. 상기 스크립은 매우 얇을 수 있고 도 5 에 정확하게 도시되어 있지는 않지만, 백킹 플레이트의 표면 위에 매우 짧은 거리로 확장될 수 있다. 선택적인 실시예에 있어서, 영역(48)은 백킹 플레이트(24) 안에 오목부로서 만들어질 수 있고 타겟 재료는 오목부 안으로 선택적으로 증착될 수 있다. 그러므로, 예를 들어, 아크나 플라즈마 충격이 일어날 동안, 간극(36)의 바닥(도시된 바에 의하면 상단)에서 약간의 스퍼터링이 발생한다면, 백킹 플레이트(24)의 재료보다 오히려 영역(48)의 타겟 재료가 스퍼터링 된다. 이러한 특징은 경사진 간극과 마찬가지로 수직면에 유용하다. 간극(36) 밑이나 백킹 플레이트(24)에 비드 블라스팅된 부분 밑의 부가적인 타겟 재료(48)는 백킹 플레이트(24)에 접착제 접합된 타일(30)들이 패턴을 이루고 간극(36) 지역에 확장되지 않을 때 특히 이점이 있다. 즉, 접착제는 간극(36) 바닥에 노출되지 않는다. 대신에, 백킹 플레이트의 거칠어진 영역(48)이나 타겟 재료의 영역(44) 중 하나는 노출된다. 간극(36)의 바닥에 있는 백킹 플레이트(24)에 증착되거나 놓여 있는 타겟 재료나 백킹 플레이트(24)의 거칠기는 경사진 간극뿐만 아니라 수직면에 적용될 수 있다.

상보적인 경사 타일 에지를 포함하는 본 발명의 특징은 타겟이, 예를 들면, 태양 전지 패널 위에 스퍼터링을 위해 백킹 플레이트에 장착되는 다중 타일을 포함하는 실제적인 어떤 응용례의 스퍼터링에도 적용될 수 있다. 또한 이는 일반적으로 원형 웨이퍼 위에 스퍼터링하는데 또한 적용될 수 있고 원형 웨이퍼에 일반적인 원형 타겟이 다중 타일, 예를 들면, 원형 중심 타일을 둘러싸는 세그먼트된 형상 또는 아크 형상으로 구성된다. 본 발명은 클러스터 툴 시스템(cluster tool system), 인라인 시스템(in-line system), 스탠드-어론 시스템(stand-alone system), 또는 하나 이상의 스퍼터링 반응기가 필요한 다른 시스템에 적용될 수 있다.

이와 같이, 본 발명은 타겟, 특히, 다중 타겟의 복잡성과 비용을 거의 증가시키지 않으면서 이질적인 스퍼터링 재료와 미립자의 생성을 감소시킬 수 있다.

Claims (38)

1. 스터퍼링 재료를 포함하는 복수의 타겟 타일을 포함하며,

   상기 복수의 타겟 타일은 타일 형태의 배열로 조립될 수 있으며, 상기 타일 중 이웃하는 타일은 상보적인 각도로 경사진 이웃하는 에지를 구비하여 상기 이웃하는 에지들 사이에 하나 이상의 경사 간극이 형성되며 상기 에지의 표면들이 비드 블라스팅에 의해 처리되는,

   타겟 타일 세트.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 상보적인 각도의 범위는 상기 타일의 표면의 수직선에 대하여 10°내지 55°사이인,

   타겟 타일 세트.
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 상보적인 각도의 범위는 15°내지 45°사이인,

   타겟 타일 세트.
4. 삭제
5. 삭제
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 타일은 직사각형인,

   타겟 타일 세트.
7. 제 1 항에 있어서,

   상기 배열은 직사각형의 외형을 갖는,

   타겟 타일 세트.
8. 삭제
9. 삭제
10. 삭제
11. 삭제
12. 삭제
13. 비드 블라스팅에 의해 표면 처리된 주변 에지를 구비한 스퍼터링 재료층을 포함하는,

    스퍼터링 타겟.
14. 삭제
15. 제 13 항에 있어서,

    상기 타겟이 일체형 타겟이고 상기 층이 연속적인,

    스퍼터링 타겟.
16. 제 13 항에 있어서,

    상기 타겟은 다수 부품형(multi-piece) 타겟이고 상기 층은 불연속적인,

    스퍼터링 타겟.
17. 제 16 항에 있어서,

    상기 타겟은 직사각형 형상을 갖는,

    스퍼터링 타겟.
18. 백킹 플레이트;

    상기 백킹 플레이트에 접합되고 타겟 재료의 적어도 표면 영역을 포함하며, 타겟 타일 사이에 하나 이상의 경사 간극이 형성되는 상보적인 경사 에지를 구비하는 복수의 타겟 타일; 및

    상기 경사 간극의 바닥 하부에 놓인 상기 백킹 플레이트 상에 형성되며 상기 타겟 타일로부터 이격되어 있는 백킹 플레이트 영역을 포함하는,

    타겟 조립체.
19. 제 18 항에 있어서,

    상기 하나 이상의 경사 간극은 상기 타일의 표면의 수직선에 대하여 10°내지 55°사이의 범위 내의 각도로 경사진,

    타겟 조립체.
20. 제 18 항에 있어서,

    상기 경사 에지가 300 내지 500 마이크로인치의 거칠기를 가지는,

    타겟 조립체.
21. 삭제
22. 제 18 항에 있어서,

    상기 타겟 재료로 이루어진 상기 바닥 영역은 상기 간극 바닥으로부터 상기 타일과 상기 백킹 플레이트 사이 영역까지 측방향으로 연장되는,

    타겟 조립체.
23. 제 18 항에 있어서,

    상기 하나 이상의 간극 아래의 상기 백킹 플레이트의 영역이 선택적으로 300 내지 500 마이크로인치의 거칠기를 갖도록 처리되는,

    타겟 조립체.
24. 백킹 플레이트; 및

    상기 백킹 플레이트에 접합된 타겟 타일을 포함하며,

    상기 타겟 타일의 대향 에지들이 상기 타일들 사이에 하나 이상의 간극을 형성하고, 상기 대향 에지가 300 내지 500 마이크로인치의 거칠기를 갖도록 처리되는,

    타겟 조립체.
25. 제 24 항에 있어서,

    상기 하나 이상의 간극은 상기 타일의 표면에 대해 수직인,

    타겟 조립체.
26. 제 24 항에 있어서,

    상기 하나 이상의 간극은 상기 타일의 표면의 수직선에 대해 10°내지 55°범위 내의 각도로 경사진,

    타겟 조립체.
27. 제 1 재료로 이루어진 표면 영역을 포함하는 백킹 플레이트; 및

    상기 제 1 재료와 상이한 제 2 재료를 포함하고 상기 백킹 플레이트에 접합되는 타겟 타일을 포함하며,

    상기 타일의 대향 에지들이 타일 사이에 하나 이상의 간극을 형성하며,

    상기 백킹 플레이트와 상기 하나 이상의 간극 사이 및 상기 하나 이상의 간극 아래에는 상기 제 2 재료로 이루어진 하나 이상의 영역이 배치되는,

    타겟 조립체.
28. 제 27 항에 있어서,

    상기 하나 이상의 영역은 상기 간극으로부터 상기 백킹 플레이트와 상기 타일 사이의 중간 영역까지 측방향으로 연장된,

    타겟 조립체.
29. 제 27 항 또는 제 28 항에 있어서,

    상기 하나 이상의 영역이 상기 백킹 플레이트 상에 증착된 하나 이상의 피막을 포함하는,

    타겟 조립체.
30. 제 27 항 또는 제 28 항에 있어서,

    상기 하나 이상의 영역은 상기 백킹 플레이트에 접합된 상기 제 2 재료를 포함한 스트립을 포함하는,

    타겟 조립체.
31. 제 27 항 또는 제 28 항에 있어서,

    상기 하나 이상의 간극은 상기 타일의 표면에 대해 수직한,

    타겟 조립체.
32. 상기 제 27 항 또는 제 28 항에 있어서,

    상기 하나 이상의 간극이 상기 타일의 표면의 수직선에 대해 15°내지 45° 범위 내의 각도로 경사진,

    타겟 조립체.
33. 타겟 조립체로서,

    백킹 플레이트; 및

    상기 백킹 플레이트에 접합된 타겟 타일을 포함하며,

    상기 타겟 타일의 대향 에지들이 상기 타일들 사이에 하나 이상의 간극을 형성하고,

    상기 간극을 대향하는 상기 백킹 플레이트의 하나 이상의 영역이 비드 블라스팅에 의해 선택적으로 300 내지 500 마이크로인치의 거칠기를 갖도록 처리되는,

    타겟 조립체.
34. 제 33 항에 있어서,

    상기 하나 이상의 간극이 상기 타일의 표면에 대해 수직한,

    타겟 조립체.
35. 제 33 항에 있어서,

    상기 하나 이상의 간극은 상기 타일의 표면의 수직선에 대해 15°내지 45°범위 내의 각도로 경사진,

    타겟 조립체.
36. 지지부를 포함하는 플라즈마 스퍼터링 반응기를 제공하는 단계;

    상기 지지부와 반대편에 있는 상기 반응기 상에 스퍼터링될 제 1 재료를 포함하며 제 2 재료의 백킹 플레이트에 접합되는 복수의 타겟 타일을 포함한 타겟을 장착하는 단계;

    상기 지지부 상에 기판을 위치시키는 단계; 및

    상기 스퍼터링 반응기 내에서 플라즈마를 여기시켜 상기 타겟 타일로부터 상기 기판 상으로 상기 제 1 재료를 스퍼터링하는 단계를 포함하며;

    상기 타겟 타일 중의 이웃한 타겟 타일의 대향하는 에지들이 상보적인 각도로 기울어져 상기 타일들 사이에 하나 이상의 경사진 간극을 형성하며, 상기 타겟은 상기 간극의 바닥 아래에 있는 상기 백킹 플레이트 상에 형성되는 제 1 재료 영역을 더 포함하는;

    스퍼터링 방법.
37. 제 36항에 있어서,

    상기 경사 간극은 상기 타일의 표면의 수직선에 대해 10°내지 55°범위 내의 각도로 경사진,

    스퍼터링 방법.
38. 제 36 항 또는 제 37 항의 방법에 따라 상기 기판에 형성된,

    물품.

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