CN103827347B - 溅射装置与方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种用以在基板上沉积沉积材料层的沉积装置。所述装置包括：基板支撑件，适于支撑基板；靶材支撑件（520），适于支撑靶材组件，所述靶材组件包括背部元件与至少两个靶材元件（510、511），所述至少两个靶材元件配置在所述背部元件上且互邻，故在所述至少两个靶材元件之间形成间隙（530）。靶材元件间的间隙具有宽度（w）。而且，基板支撑件与靶材支撑件相互配置，而使基板与靶材元件的距离（570）和间隙宽度w的比例至少约为150或以上。

Description

溅射装置与方法
技术领域
本发明实施例是有关于一种沉积装置，与一种在基板上形成沉积材料层的方法。本发明实施例特别是有关于具有多瓦(multi-tile)靶材支撑件的沉积装置，以及用以放置靶材的方法。
背景技术
已知有数种方法可在基板上沉积材料，例如，可以利用物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,PVD)工艺涂布基板，例如溅射(sputter)工艺。其他沉积工艺包括化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)，等离子体增强化学气相沉积工艺(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)等。一般而言，上述工艺是在工艺装置或腔室中进行，而将被涂布的基板置放所述工艺装置或腔室中。在此装置中提供沉积材料。当进行PVD时，沉积材料可例如处于气体状态。多种材料可用于在基板上沉积。于多种材料中可使用陶瓷材料。典型地，PVD工艺适合于薄膜涂布。
涂布材料可使用于多种应用并且涂布材料可使用于多种技术领域。例如，在微电子(microelectronics)领域中的应用，诸如产生半导体元件。此外，显示器用基板常常以PVD工艺进行涂布。其他应用可包括绝缘面板、有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)面板，以及硬盘、光盘(CD)、DVD等等。
基板被配置在沉积腔室中或被引导通过沉积腔室以进行涂布工艺。沉积腔室提供靶材，靶材上配置有将沉积于基板上的材料。在部分应用中，需要在大型基板上沉积材料层。在这个情况下，沉积腔室对应的元件也将采用适于基板尺寸大小。例如，靶材的尺寸将根据基板大小而选择，以在整个基板的区域上提供适当的沉积。
对于大基板来说，使用单片靶材以确保基板上的均匀层沉积。然而，为了大基板所使用的具有所需尺寸的单片靶材为昂贵的，且很难制造与处理。再者，由于沉积材料在靶材整个长度上的延伸，单片靶材容易有瑕疵。再者，使用具有多瓦沉积材料的靶材为已知，此多瓦靶材并不如单片靶材昂贵，但靶材上多瓦的图案通常将在基板的沉积层上产生图案。
鉴于上述，本发明目的之一是提供一种沉积装置，特别是一种多瓦靶材的沉积装置，以及一种以多瓦靶材形成沉积层的方法，可克服现有技术中至少一些问题。
发明内容
有鉴于上，提供一种用以形成沉积材料层的装置，以及一种沉积层的方法。本发明的其他方面、优点、特征可从从属权利要求，说明书，与附图可见。
根据一实施例，提供一种用以在基板上沉积层的沉积装置。所述装置包括靶材支撑件以及用以支撑基板的基板支撑件。靶材支撑件用以支撑靶材组件。靶材组件包括背部元件与至少两个靶材元件，此至少两个靶材元件配置在所述背部元件上且相邻。间隙形成在此至少两个靶材元件之间。此间隙具有一宽度w，且基板支撑件与/或靶材支撑件相对于彼此配置，使得基板与靶材元件的距离和间隙宽度w的比例至少约为150。
根据另一实施例，提供一种在沉积装置中于基板上形成层的方法。此方法包括提供将被涂布的基板；以及提供一靶材组件，靶材组件包括背部元件及至少两个靶材元件，此至少两个靶材元件位于背部元件上且相邻。间隙形成于此至少两个靶材元件之间，且此间隙具有宽度w。所述方法还包括相对于靶材组件置放基板，以使基板与靶材组件间的距离和间隙宽度w的比例至少约150。
根据另一实施例，提供一种在于基板上沉积一沉积材料层的沉积装置。所述沉积装置包括：基板支撑件，用以支撑基板；以及靶材组件。靶材组件包括背部元件与提供沉积用材料的至少两个靶材元件，其中，靶材元件配置在所述背部元件上且互邻，使得在此至少两个靶材元件之间形成0.5mm或更小的间隙。基板支撑件与两个靶材元件中的至少一个靶材元件间的距离约为75mm或75mm以上。
各实施例针对用于实施所揭示方法的装置，并且各实施例包括用以实施各个上述方法步骤的装置部件。这些方法步骤可通过硬件元件、通过适当软体编程的电脑，以及以上二者的任何组合或任何其他方式来执行。再者，根据本发明的实施例为上述装置操作的方法，所述方法包括实施所述装置每一功能的方法步骤。
附图说明
为了可以详细理解本发明的上述特征，可以参照各实施例对以上简述的本发明作更具体的说明。附图涉及本发明各实施例并且说明如下：
图1绘示依据所述实施例的沉积腔室的示意图。
图2绘示依据所述实施例的沉积材料分布的示意图。
图3绘示依据所述实施例的沉积材料分布的示意图。
图4绘示依据所述实施例在沉积腔室中使用的多瓦靶材的示意图。
图5绘示依据所述实施例在沉积腔室中使用的多瓦靶材的示意图。
图6绘示依据所述实施例的用以在基板上沉积层的方法的示意性流程图。
具体实施方式
现将详细参照本发明的各个实施例，各实施例的一个或多个例子于附图中说明。附图中，相同的附图标记为相同的元件。一般而言，仅描述各别实施例中的不同之处。各个例子通过解释本发明来提供，且各个例子并不意图限制本发明。再者，作为一个实施例的部分说明或描述的特征可用于其他实施例或者与其他实施例结合而产生另一实施例。这些描述意图包括如此的修改与变化。
图1示出根据实施例的沉积腔室100的示意图。沉积腔室100适用于沉积工艺，例如PVD工艺。图示基板110位于基板支撑件120之上。根据一些实施例，基板支撑件为可移动的，以允许调整沉积腔室100内的基板110的位置。典型地，为了允许均匀的层沉积，基板支撑件120为可以移动的，例如可通过旋转移动。在腔室100内提供靶材支撑件125。靶材支撑件125适用于承载靶材组件130。典型地，靶材组件130提供将要沉积于基板110上的材料。
根据一些实施例，靶材组件130可包括背部元件(backingelement)131，如图1所示。典型地，背部元件131适用于承载靶材元件132及133。靶材元件可以提供沉积所用的材料。具有多于一个靶材元件的靶材组件也可表示为多瓦靶材组件。
根据一些实施例，大面积基板可具有一般约为1.4m2至约8m2的尺寸，更常约2m2至约9m2，或甚至达到12m2的尺寸。典型地，根据所述实施例提供的遮罩结构、装置与方法的矩形基板为这里所述的大面积基板。例如，大面积基板可为第5代基板，对应于约1.4m2的基板(1.1mx1.25m)；第7.5代基板，对应于约4.29m2的基板(1.95mx2.2m)；第8.5代基板，对应于约5.7m2的基板(2.2mx2.5m)；或甚至是第十代基板，对应于约8.7m2的基板(2.85mx3.05m)。也可以类似地实现甚至更大世代的基板，如第十一代与第十二代与所述第十一代与第十二代对应的基板面积。
典型地，基板可由任何适合材料沉积的材料所制成，例如，基板可由选自以下群组的材料所制成，此群组由玻璃(例如碱石灰玻璃、硼硅玻璃等)、金属、聚合物、陶瓷、组合物材料、碳纤维材料，或是任何其他可通过沉积工艺涂布的材料或材料的组合所组成。
当形成薄膜晶体管(TFT)时，金属氧化物(例如铟镓锌氧化物(IGZO))近来成为一受欢迎的待沉积的材料。主要因为金属氧化物的高移动性与透明性，金属氧化物可能取代作为薄膜晶体管的有源层的非晶硅，应用在下一世代的显示器技术。产生这种金属氧化物层的一种典型方法为部分反应性PVD工艺，由大面积涂布机上的接合(bonded)陶瓷靶材进行。举例来说，所述实施例的沉积装置可适于由接合的陶瓷靶材进行的部分反应性物理气相沉积工艺。
由于靶材的制造提供陶瓷作为沉积材料(例如以陶瓷烧结制造)，对于长柱状与板状来说特别具有挑战性，因此将数个柱状与板状放在一起作为大尺寸靶材(可为溅射靶材)是很常见的。
图1中举例绘示了两个靶材元件132及133。根据可以与其他所述实施例结合的一些实施例，靶材元件的数量通常可以大于2，例如4、5、10、甚至20。典型地，靶材元件的数量视工艺、基板尺寸、沉积材料、靶材设计与其他参数而定。例如，对第8.5代靶材来说，管状靶材(tubetarget)的靶材元件的数量可以约为13至14个靶材元件，也就是约为5.7m2的基板尺寸的靶材。根据实施例，第8.5代的平面靶材的靶材元件的数量可以约为3至4个靶材元件。靶材元件的数量可根据工艺参数而定，且靶材元件的数量可不同于所例示的数量。
一般而言，间隙形成于靶材元件之间。典型地，在靶材元件之间提供间隙以用以容许操作时的热膨胀。例如，当铟使用于接合靶材元件与靶材组件的背部元件时，间隙提供了容许热膨胀的空间。
在沉积系统中，多瓦靶材组件的配置影响基板上的沉积特性。当使用多瓦靶材组件时，可见的不均效应(muraeffect)出现在完成的产品中。不均效应是指条纹的出现，条纹的出现表示在基板上所沉积的多层中的至少一层具有不规则性。典型地，条纹出现在一完成的产品中，例如显示器。当以金属氧化物薄膜晶体管背板驱动的有机发光二极管显示器或液晶显示面板被生产后，不均效应可能导致有机发光二极管显示器或液晶显示面板在面板上的部分区域失效。
使用单片靶材以避免多瓦靶材的需求为已知。然而，单片靶材增加靶材制造与靶材处理的成本。多瓦靶材不会如同单片靶材般昂贵，但却常导致上述的不均效应。
典型地，靶材元件之间的间隙有可能引起不均效应。根据所述实施例，不均图案(也就是基板上的条纹，意味着沉积材料的不规则)可以追溯到间隙的位置与几何关系。
因此，在已知系统中，基板上沉积材料的规则性受靶材元件间的间隙所影响。在根据所述实施例的系统中，基板上沉积材料的规则性实质上与靶材元件间的间隙相互独立，也就是间隙不对基板上的沉积材料的规则性与均匀性造成实质上的影响。
术语“实质上…与间隙独立”应被解释为，没有因靶材元件间的间隙产生的不均效应可在基板上沉积的层上被看到。
图2显示具有背部元件420以及示例性的三个靶材元件410、411与412的板状或管状靶材组件400。根据一些实施例，靶材元件数量、靶材组件使用的材料，以及背部元件与靶材元件的接合可与图1所示相同。在图2所示的实施例中，可看到接合靶材元件至靶材组件400的背部元件的接合材料415。间隙430形成在靶材元件之间。
在图2中，线450表示本领域中已知的沉积装置的基板表面的平面。在平面450上，间隙的影响很大，此举可由图2的虚线460可知。
典型地，线460自间隙430延伸，示意性地表明间隙对由靶材元件上释出的沉积材料的影响。一般而言，间隙的影响随着与靶材元件之间的距离的增加而减弱，此举以淡色虚线460表示。再者，虚线460指出间隙影响的区域以实质上平行于基板表面的方向展开。
典型地，由线460表示的间隙的影响随着与靶材元件之间的距离的增加而减少，由靶材元件释出的颗粒的渐增的交互作用可能导致间隙的影响渐减。根据一些实施例，相较于靶材元件与平面450上的基板表面之间的距离，靶材元件与平面455上的基板表面之间的距离允许由靶材元件释出的颗粒，在往基板的路径上，可以产生更多的散布、碰撞与扩散。
根据所述的实施例，靶材元件410、411和412与基板表面的平面455的距离，可克服且实质上避免不均效应。举例而言，对于约为0.5mm的间隙，至少为约75mm的靶材与基板的距离470克服了金属氧化物沉积工艺中的不均效应。
根据部分实施例，靶材与基板的距离通常介于约75mm至约350mm，更通常介于约100mm和约300mm之间，且靶材与基板的距离更常约为200mm。
典型地，术语“靶材与基板的距离”可以被理解为，在沉积工艺进行前，将被涂布的基板的表面与至少一靶材元件的表面之间的距离。
典型地，基板与靶材元件之间的距离与间隙宽度的比例约为150或大于150，且较佳地介于约400和600之间。根据一些实施例，比例可能略低于150，如145或140。根据其他实施例，比例可能大于600，如610或甚至630。根据部分实施例，基于间隙宽度而以至少约为150的比例来配置靶材与基板的距离，允许以省成本的多瓦靶材的方式，产生无不均效应的面板的金属氧化物层。
参考图1，靶材与基板的距离以附图标记170表示。虽然此处的示意图可能显示与这里所述的实施例不同的比例，基板与靶材元件间的距离与间隙宽度的比例应被理解为至少约150，更佳地介于约400和600之间，除非另有说明。
图3显示如箭头580所示的释出的颗粒的分布。为清晰说明，仅有两个箭头以附图标记580指出。具有一背部元件520与数个靶材元件的靶材组件500的一部分显示于图3。于靶材组件500的所述部分中，示例性地示出两个靶材元件510与511。
典型地，沉积材料的分布域可以被理解为包括由靶材元件释放的实质上所有颗粒。在图3中，箭头580表示靶材元件的被释放的颗粒的方向。例如，靶材元件510的沉积材料的分布范围包括自靶材元件510始发的所有箭头580。根据一些实施例，分布域可具有实质上为余弦函数(cosinefunction)的形状。箭头580的长度代表沿着箭头的方向释放的大概的颗粒数量。例如，往上直行的箭头表示释放颗粒的被定义数量的方向，而往左或往右的直行箭头表示较少数量的颗粒。
根据一些实施例，如图3所示，由靶材元件510及511至基板表面的平面555的靶材与基板的距离570满足上述讨论的基板和靶材元件之间的距离与间隙宽度的比例，也就是满足至少约150的比例。
典型地，在满足比例的情况下，将可能有更多的颗粒碰撞，而颗粒分布将被延伸，此举可如图3箭头580的延伸581所示。又，为清晰起见，仅有二个延伸以附图标记581指出。箭头580的延伸581指出沿着箭头580的方向释出的颗粒将继续前进的方向。靶材元件510的箭头580的延伸581与靶材元件510旁边的靶材元件511的箭头的延伸581在某一点重迭。
根据部分实施例，延伸的重迭表示，被释放的颗粒的碰撞、散布和分布增加，而靶材元件间的间隙的影响减少。
图3中，根据所述实施例，线555指出与间隙宽度具有至少约为150的比例的靶材与基板的距离。箭头580的几乎所有延伸581在到达线555之前交错。也就是，靶材元件的沉积材料的分布域实质上彼此相互重迭。
在本文中，术语“实质上重迭”可被理解为在到达基板表面的平面(也就是将被涂布的表面)之前，大部分的分布域交错且相互作用。例如，从靶材元件表面以小于90度的角度释出的颗粒，与邻近靶材元件表面以小于90度角度释出的颗粒相互作用。举例而言，除了与靶材元件的表面实质上呈90度的箭头之外，图3的所有箭头与邻近靶材元件的箭头均相互作用。
术语“实质上”在本文中意指与和“实质上”一起表示的特性具有某种程度的差异。例如，“实质上90度”可包括通常约为1度至10度的差异，更通常约为2度至8度，甚至更常约为3度至7度的差异。
根据部分实施例，图3中的线555提供满足与间隙宽度为至少约为150的比例的一靶材与基板的距离。与此相反地，线550指出已知沉积装置中所使用的靶材与基板的距离，所述距离并不满足至少为150的比例。因此，大约位于线550的区域的基板的沉积工艺可能导致上述的不均效应，显示出靶材元件之间的间隙的影响。例如，如本领域已知，靶材与线550之间的距离约为60mm或更少。
典型地，位于满足根据所述实施例的比例的靶材与基板的距离570之处的基板，可在整个基板区域上具有规则的(regular)沉积材料的层。
于本文中，“规则的(regular)”沉积可以被理解为在基板表面上为实质上均匀的沉积。特别是，本文的“规则的”表示没有不均效应，不均效应也就是基板上的条纹。根据部分实施例，不均效应的条纹可以显示出沉积特性的不规则性，例如但不限于释出颗粒撞击基板的能量、层密度、材料组成、局部层结构、氧含量等等。
根据部分实施例，靶材支撑件与沉积腔室的基板支撑件可相互移动。例如，靶材支撑件与/或基板支撑件可用以调整基板表面与靶材元件之间的距离。一般而言，于沉积工艺中使用靶材组件之前，基板表面与靶材组件的靶材元件之间的距离可依据靶材组件的靶材元件之间的间隙来调整。
图4显示可于所述实施例中使用的靶材板组合物200。靶材组件200如图4所示为靶材板，所述靶材板具有例示的于背部元件220之上的两个靶材元件210及211。靶材元件的数量、靶材元件的材料以及靶材元件与背部元件220的接合可以如上述图1的相关描述来选择。
典型地，靶材元件可以是多个靶材瓦。多个靶材瓦可为数片具有限定的几何形状的沉积用材料。根据部分实施例，靶材元件可以利用接合材料与背部元件接合，如焊接金属。典型地，焊接金属可包括铟等等。
根据部分实施例，沉积用材料可以根据沉积工艺及被涂布基板的后续应用而选择。例如，靶材的沉积材料可为陶瓷。典型地，靶材材料可为氧化物陶瓷，更典型地，材料可为选自以下群组的陶瓷，此群组由含铟陶瓷、含锡陶瓷、含锌陶瓷及上述陶瓷的组合所组成。根据部分实施例，沉积用材料也可选自以下群组，此群组由含铟氧化物、含锡氧化物、含锌氧化物、含镓氧化物、氮化物或氧氮化物所组成。典型地，靶材元件的材料可以是铟镓锌氧化物(IndiumGalliumZincOxide,IGZO)、铟锡氧化物(IndiumTinOxide,ITO)、锌锡氧化物(ZincTinOxide,ZTO)、铟锌氧化物(IndiumZincOxide,IZO)等等。
典型地，间隙形成在多个靶材元件之间。在图4中，靶材元件210及211之间的间隙以附图标记230表示。典型地，如图4所示，间隙230具有宽度w。靶材元件之间的间隙从一个靶材元件的边缘至一邻近靶材元件的一对面边缘。
图4中，间隙230从靶材元件210的边缘212至靶材元件211的边缘213，典型地，用以定义间隙的靶材元件边缘为靶材元件的侧面的边缘，此侧面与背部元件接合。
根据部分实施例，所述间隙的宽度为在沉积工艺中靶材元件使用前的宽度。换句话说，间隙宽度w的定义为，当将靶材元件安装于背板之后，但于将靶材组件安装在沉积装置中之前或紧接地之后，靶材元件之间的间隙。例如，间隙宽度w可以是在温度与压力的标准条件下，例如ISO5011，靶材元件之间的距离。
根据部分实施例，靶材组件的背部元件可为管状或可具有圆柱状形状。典型地，靶材支撑件与靶材组件可以采用可旋转的。
图5显示根据所述实施例的靶材组件300。典型地，背部元件320为管状，且靶材元件310和311与背部元件320接合。根据部分实施例，靶材元件的数量、用于靶材组件的材料，以及背部元件与靶材元件之间的接合可与图1相关的描述相同。同样地在图5中，可以看出靶材元件310及311之间的间隙330具有宽度w。间隙由一靶材元件的一边缘至一邻接的靶材元件的对面边缘。典型地，用以确定间隙宽度w的靶材元件的边缘位于与背部元件接合的侧面上。
典型地，间隙宽度可以介于约0.2mm与约0.7mm之间，更典型地介于约0.3mm至约0.6mm之间，甚至间隙宽度可以典型地介于约0.3mm与约0.5mm之间。
根据一些实施例，提供一种在基板上形成沉积材料层的方法。图6显示根据所述实施例的方法的流程图600。用以在基板上产生层的沉积工艺可在沉积腔室中进行，沉积腔室可示例性的为相关于图1所绘示与所描述者。
典型地，在步骤610中提供基板。基板可为相关于图1所述的基板，且基板可适用于沉积工艺，诸如PDV等等。根据一些实施例，基板可为大面积基板，具有约1.4m2至约8.7m2的面积，更典型地为约2m2至约6m2，更甚至典型地约为4.3m2至5.7m2的面积，亦如相关于图1所描述者。典型地，可通过在沉积腔室中驱动基板支撑件等等，通过于沉积腔室中引导基板以提供基板。
在图6的步骤620，提供靶材组件以传送将沉积于基板上的材料。根据所述实施例，靶材组件包括背部元件，背部元件上配置有靶材元件。典型地，背部元件可具有适于沉积工艺的形状，且背部元件可根据将被涂布的基板来选择。根据部分实施例，背部元件可具有板状或管状，靶材元件实质上由将被沉积的材料所制成。典型地，靶材元件可以是瓦状沉积材料。在靶材元件之间，形成有具有宽度w的间隙。
步骤630代表根据靶材组件的靶材元件的间隙，彼此相对地置放基板与靶材组件。置放靶材与/或基板，使基板与靶材元件间的距离和间隙宽度w的比例至少约为150。典型地，比例可介于约为400和约600之间。根据部分实施例，比例可略低于150，如145或140。根据其他实施例，比例可为600以上，如620或甚至630。
典型地，靶材元件之间的间隙宽度定义为由一靶材元件的一边缘到一邻近靶材元件的对应的一边缘。宽度w可参考图4与图5以及图4与图5的描述来加以理解。
根据部分实施例，置放基板与/或靶材，使基板表面与靶材表面之间的距离典型地为从约75mm至约350mm，更典型地介于约100mm至约300mm之间，更典型地约为200mm。
一般而言，靶材元件具有沉积材料的分布域。分布域具有从靶材元件释出的颗粒的分布的定义的特性。分布域可被解释为靶材元件的释出颗粒所分散的面积或区域。典型地，分布域可实质上具有余弦形状。
根据部分实施例，邻近的多个靶材元件的多个分布域在基板表面的平面上可能实质上重迭。术语“实质上重迭”依照与图3相关的描述者来理解。沉积材料的重迭分布域可在基板上形成规则沉积材料层。根据所述实施例而配置的基板与靶材允许更多的颗粒碰撞与颗粒反应，而使基板上的沉积变得均匀。特别是，间隙对层的均匀度的影响至少降低了，或甚至实质上避免了所述影响。
有鉴于上，数个实施例描述如下。根据所述一方面，提供一种用以在基板上沉积沉积材料层的沉积装置。所述装置包括：基板支撑件，用以支撑所述基板；及靶材支撑件，用以支撑靶材组件。靶材组件包括一背部元件与至少两个靶材元件，此至少两个靶材元件配置在所述背部元件上且互邻，以使间隙形成于此至少两个靶材元件之间。靶材元件之间的间隙具有宽度w。而且，基板支撑件与靶材支撑件相对于彼此配置，使得基板与靶材元件间的距离和间隙宽度w的比例至少约为150。典型地，基板与靶材元件间的距离(470；570)与间隙宽度w的比例可介于约400与约600之间。根据其他实施例，基板与靶材元件间的距离可约为75mm或75mm以上。根据部分实施例，介于此至少两个靶材元件之间的间隙宽度可被定义为由第一靶材元件的一边缘到第二靶材元件的一边缘。根据进一步的实施例，基板支撑件与靶材支撑件间的距离用以使多个单一靶材元件的沉积材料的多个分布域于基板表面的平面实质上重迭，以在基板上提供规则沉积。典型地，基板上的沉积的规则性与靶材元件之间的间隙实质上为独立。根据部分实施例，基板支撑件与靶材支撑件间的距离用以实质上避免接合间隙不均(bondgapmura)的产生。典型地，靶材组件的背部元件可为板状或管状。根据某些实施例，靶材元件可包括氧化物陶瓷。根据所述实施例的一方面，基板支撑件可用以支撑约为1.5m2或1.5m2以上的基板。典型地，靶材支撑件用以支撑旋转式靶材组件。
根据另一方面，提供一种在沉积装置中于基板上形成沉积材料层的方法。所述方法包括：提供将被涂布的基板；以及提供靶材组件，靶材组件包括至少两个靶材元件，此至少两个靶材元件位在一背部元件上且互邻，使得间隙形成于至少两个靶材元件之间。典型地，间隙具有宽度w。所述方法还包括：相对于靶材组件置放基板，以使基板与靶材组件间的距离和间隙宽度w的比例至少约为150。根据部分实施例，介于至少两个靶材元件之间的间隙可被定义为由第一靶材元件的一边缘到第二靶材元件的一对面边缘。典型地，置放基板可包括置放所述基板于由所述靶材元件算起的距离约为75mm或75mm以上之处。根据一些实施例，置放基板还包括相对于靶材组件置放基板，以使多个单一靶材元件的沉积材料的多个分布域于基板表面的平面重迭，以在基板上提供规则沉积。
虽然以上针对本发明各个实施例，然而在不脱离本发明基本范围的情况下，可设计出本发明的其他实施例和进一步的实施例，本发明的保护范围由后附权利要求书所确定。

Claims (18)

1.一种用以在基板(110)上沉积沉积材料层的沉积装置，所述装置包括：
基板支撑件(120)，用以支撑所述基板；
靶材支撑件(125)，用以支撑一靶材组件(130；200；300；400；500)，所述靶材组件包括一背部元件(131；220；320；420；520)与至少两个靶材元件(132；133；210；211；310；311；410；411；412；510；511)，所述至少两个靶材元件配置在所述背部元件上且互邻，以使间隙(230；330；430；530)形成于所述至少两个靶材元件之间，所述间隙具有宽度w，
其中，所述基板支撑件(120)与所述靶材支撑件(125)相对于彼此配置，使得所述基板与所述靶材元件间的距离(470；570)和所述间隙宽度w的比例至少为150。
2.如权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述基板与所述靶材元件间的距离(470；570)与所述间隙宽度w的比例介于400与600之间。
3.如权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述基板与所述靶材元件(132；133；210；211；310；311；410；411；412；510；511)间的距离(470；570)为75mm以上。
4.如权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，所述基板与所述靶材元件(132；133；210；211；310；311；410；411；412；510；511)间的距离为75mm以上。
5.如权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，介于所述至少两个靶材元件(132；133；210；211；310；311；410；411；412；510；511)之间的间隙宽度被定义为由第一靶材元件(210)的边缘(212)到第二靶材元件(211)的对面边缘(213)。
6.如权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述基板支撑件(120)与所述靶材支撑件(125)间的所述距离(470；570)用以使多个单一靶材元件(132；133；210；211；310；311；410；411；412；510；511)的沉积材料的多个分布域于所述基板表面的平面(455；555)实质上重迭，以在所述基板上提供规则沉积。
7.如权利要求1、2、3、4、5、6的任一项所述的沉积装置，其特征在于，所述基板支撑件(120)与所述靶材支撑件(125)间的所述距离(470；570)用以实质上避免接合间隙不均(bondgapmura)的产生。
8.如权利要求1、2、3、4、5、6的任一项所述的沉积装置，其特征在于，所述背部元件(131；220；320；420；520)为板状。
9.如权利要求1、2、3、4、5、6的任一项所述的沉积装置，其特征在于，所述背部元件(131；220；320；420；520)为管状。
10.如权利要求1、2、3、4、5、6的任一项所述的沉积装置，其特征在于，所述靶材元件(132；133；210；211；310；311；410；411；412；510；511)包括氧化物陶瓷，氧化物陶瓷是选自以下群组的陶瓷，所述群组由含铟陶瓷、含锡陶瓷、含锌陶瓷及上述陶瓷的组合所组成，其中所述氧化物陶瓷包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锡氧化物(ITO)、锌锡氧化物(ZTO)与铟锌氧化物(IZO)。
11.如权利要求1、2、3、4、5、6的任一项所述的沉积装置，其特征在于，所述基板支撑件(120)用以支撑为1.5m2以上的基板。
12.如权利要求1、2、3、4、5、6的任一项所述的沉积装置，其特征在于，所述靶材支撑件(125)用以支撑旋转式靶材组件。
13.一种在沉积装置中于基板上形成沉积材料层的方法，包括
提供将被涂布的基板；
提供靶材组件(130；200；300；400；500)，所述靶材组件包括至少两个靶材元件(132；133；210；211；310；311；410；411；412；510；511)，所述至少两个靶材元件位在背部元件(131；220；320；420；520)上且互邻，使得间隙(230；330；430；530)形成于所述至少两个靶材元件之间，其中所述间隙具有宽度w；以及
相对于所述靶材组件置放所述基板，以使所述基板与所述靶材组件间的距离和所述间隙宽度w的比例至少为150。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，介于所述至少两个靶材元件(132；133；210；211；310；311；410；411；412；510；511)之间的间隙(230；330；430；530)被定义为由第一靶材元件(210)的边缘(212)到第二靶材元件(211)的对面边缘(213)。
15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，置放基板包括置放所述基板于由所述靶材元件(132；133；210；211；310；311；410；411；412；510；511)算起的距离(470；570)为75mm以上之处。
16.如权利要求14所述的方法，其特征在于，置放基板包括置放所述基板于由所述靶材元件(132；133；210；211；310；311；410；411；412；510；511)算起的距离(470；570)为75mm以上之处。
17.如权利要求13、14、15、16的任一项所述的方法，其特征在于，置放基板更包括相对于所述靶材组件(130；200；300；400；500)置放所述基板，以使多个单一靶材元件的沉积材料的多个分布域于所述基板表面的平面(455；555)重迭，以在所述基板上提供规则沉积。
18.一种用以在基板(110)上沉积沉积材料层的沉积装置，所述装置包括：
基板支撑件(120)，用以支撑所述基板；
靶材组件(130；200；300；400；500)，所述靶材组件包括背部元件(131；220；320；420；520)与至少两个靶材元件(132；133；210；211；310；311；410；411；412；510；511)，所述至少两个靶材元件提供沉积用材料并且被配置在所述背部元件上且互邻，以便在所述至少两个靶材元件之间形成0.5mm或更小的间隙(230；330；430；530)，
其中，所述基板与所述两个靶材元件中的至少一个靶材元件间的距离为75mm以上。
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