TWI690077B - 顯示設備及製造顯示設備的設備及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係揭露 一種製造顯示設備的方法，其包括：提供用於形成中間層之基座設置於兩電極之間，基座包括複數個區域，其包括第一區域和第二區域；及測量第一和第二區域之反射率。第一區域和第二區域測出之反射率不同。方法進一步包含放置基座在沉積腔室中，並與沉積腔室中的沉積單元隔開；在第一區域中形成第一中間層於第一個像素電極上；相對於沉積單元移動基座；及在第二區域中形成第二中間層於第二個像素電極上，其中第一中間層具有第一厚度，而第二中間層具有與第一厚度不同之第二厚度。

Description

顯示設備及製造顯示設備的設備及方法
本申請主張2015年3月30日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號10-2015-0044394之優先權及效益，其揭露之所有內容藉由參照整合於此。
一個或多個實施例涉及一種顯示設備，用於製造該顯示設備的設備，以及製造該顯示設備的方法。
基於移動性的電子裝置已被廣泛使用。最近，除了如行動電話之小型電子設備外，平板個人電腦（PCs）已被廣泛地用作為移動電子裝置。
為了支持各種功能，移動電子裝置包括用於提供可視訊息，如圖像或視頻給用戶之顯示單元。最近，隨著用於驅動這種顯示單元之組件變得微型化，顯示單元在電子裝置中的佔用率也逐漸增加。而且，已經開發出可以彎曲以具有預定彎曲角度的結構。
本發明的一個態樣提供了一種顯示設備，其可包括：基座，基座包括：基板、形成在基板上的複數個像素電極、以及形成在複數個像素電極上的像素限定層；和形成在基座的複數個像素電極中之每一個像素電極上之中間層，其中基座被劃分成複數個區域，其包括第一區域和第二區域，其中形成在基座的第一區域的中間層具有第一厚度，而形成在基座的第二區域的中間層具有與第一厚度實質上不同之第二厚度。
在前述的設備中，第一和第二區域可以分別具有第一和第二反射率，其中第一和第二反射率彼此實質上不同。中間層可包括共同層和功能層，並且其中形成在基座的第一區域的中間層的共同層和功能層中的其中至少其一之厚度與形成在第二區域的中間層的共同層和功能層中的其中至少其一之厚度實質上不同。
本發明的另一個態樣提供了一種製造顯示設備的設備，其可以包括：清潔單元，其設置以清潔為用於製造顯示設備的中間產品之基座；乾燥單元，其設置以乾燥從清潔單元接收的基座；反射率測量單元，其設置以測量基座的複數個區域的反射率； 和沉積單元，其設置以在基座的複數個區域中之每一個區域形成至少一中間層，形成於基座的複數個區域上之中間層根據反射率測量單元測出之複數個區域的反射率而具有不同厚度。
在前述的設備中，設備還可以包括連接到沉積單元和設置以在基座上進行電漿處理的電漿處理單元。反射率測量單元可以設置在乾燥單元和電漿處理單元之間，或設置於乾燥單元和電漿處理單元中選擇之至少其一之中。沉積單元可以包括：設置以排出沉積材料之沉積源；設置在沉積源的一側，且包括複數個沉積源噴嘴之沉積源噴嘴單元；和相對於沉積源設置並包括沉積材料由其通過之複數個狹縫的狹縫片，其中沉積源係設置以透過根據基座的複數個區域的反射率來形成不同的溫度，而在基座上沉積沉積材料，以形成具有不同厚度的中間層。
仍然在前述設備中，沉積單元可設置以將在基座的中心部分的中間層的厚度形成為不同於在基座的其他部分的厚度，其中基座的其他部分具有與基座的中心部分不同的反射率。當基座的中心部分的反射率比基座的其他部分的反射率大時，則在基座的中心部分的中間層的厚度可以被形成為小於在基座的其它部分的中間層的厚度。基座可以包括：基板、形成在基板上的複數個像素電極、以及形成在基板和複數個像素電極上的像素限定層，其中中間層形成在複數個像素電極中之每一個像素電極上。中間層可包括共同層和功能層，且其中選自共同層之厚度和功能層之厚度中的至少其一係根據基座的複數個區域變化。
本發明的進一步態樣提供一種製造顯示設備的方法，其可以包括：提供基座，該基座包含：基板、形成在基板上的複數個像素電極、以及形成在基板和複數個像素電極上的像素限定層，其中基座被劃分成包括第一區域和第二區域之複數個區域；測量第一和第二區域之反射率，其中第一區域測出之反射率和第二區域測出之反射率不同；放置基座在沉積腔室中以與設置在沉積腔室中的沉積單元隔開；以及在第一區域中形成第一中間層於第一個像素電極上；基座相對於沉積單元移動；在第二區域中形成第二中間層於第二個像素電極上，其中第一中間層具有第一厚度，而第二中間層具有與第一厚度不同之第二厚度。
在前述的方法中，方法可以進一步包括：清潔基座；並乾燥清潔之基座。方法還可以進一步包括在基座上進行電漿處理。沉積單元可以包括設置以發射沉積材料的複數個沉積源，並且其中複數個沉積源中的每一個沉積源的溫度是根據複數個區域中的每一個區域的反射率控制。方法可以進一步包括調節沉積源的溫度，使得用於形成第一中間層的沉積源溫度與用於形成第二中間層的沉積源溫度不同，其中第一區域是基座的中心部分而第二區域是基座的其他部分。第一區域可以是基座的中心部分而第二區域是基座的其他部分。第一區域的反射率可以比第二區域的反射率大，其中第一中間層的厚度小於第二中間層的厚度。形成在第一區域上的中間層可以具有實質上相同的厚度。中間層可包括共同層和功能層，並且選自共同層之厚度和功能層之厚度中的至少其一根據基座的複數個區域變化。
一個或多個實施例包括一種顯示設備和用於製造顯示設備的設備和方法。
其他態樣將部分闡述在隨後的說明中，而部分將從說明中了解，或者可以透過實踐示出的實施例而獲悉。
根據本發明的一個或多個實施例，顯示設備包含複數個像素電極形成在其上之第一基板；形成在複數個像素電極上的像素限定層；和形成在複數個像素電極中之每一個像素電極上之中間層，其中第一基板被劃分成複數個區域，並且在複數個區域之至少兩區域中的中間層的厚度彼此不同。
中間層的厚度可以根據第一基板之複數個區域的反射率而變化。
中間層可包括共同層和功能層，並且選自共同層之厚度和功能層之厚度中的至少其一可以於第一基板之複數個區域中變化。
根據本發明的一個或多個實施例，製造顯示設備的設備包括：設置以清潔第一基板之清潔單元；設置以乾燥從清潔單元接收的第一基板之乾燥單元；設置以測量乾燥之第一基板所劃分成的複數個區域的反射率之反射率測量單元； 和設置以根據反射率測量單元所測量之複數個區域的反射率，在每個像素電極上形成具有不同厚度的中間層之沉積單元。
設備可進一步包括被連接到沉積單元並於第一基板上進行電漿處理的電漿處理單元。
反射率測量單元可以設置在乾燥單元和電漿處理單元之間，或設置於乾燥單元和電漿處理單元中選擇之至少其一中。
沉積單元可以包括排出沉積材料之沉積源；設置在沉積源的一側且包括複數個沉積源噴嘴之沉積源噴嘴單元；和相對於沉積源設置並包括沉積材料自其通過之複數個狹縫的狹縫片。沉積源可透過根據第一基板的反射率形成不同的溫度，將沉積材料在沉積第一基板上，以形成不同的厚度。
沉積單元可以將在第一基板的中心部分的中間層的厚度形成為不同於在第一基板的其他部分的中間層的厚度，在第一基板的其他部分具有的反射率與第一基板的中心部分不同。
當第一基板的中心部分的反射率比第一基板的其他部分的反射率大時，則在第一基板的中心部分的厚度可以被形成為小於在第一基板的其它部分的厚度。
當第一基板的中心部分的反射率比第一基板的其他部分的反射率小時，則在第一基板的中心部分的厚度可以被形成為大於在第一基板的其它部分的厚度。
中間層可包括共同層和功能層，且選自共同層之厚度和功能層之厚度中的至少其一可根據第一基板的複數個區域變化。
根據本發明的一個或多個實施例，一種製造顯示設備的方法包括將複數個像素電極和像素限定層已形成於其上之第一基板劃分為複數個區域，及測量複數個像素電極的反射率；將第一基板佈置成與沉積單元分離；及當沉積單元或第一基板相對於彼此移動時，根據所測之反射率，透過在第一基板的複數個區域上不同地沉積沉積材料，以在第一基板的複數個區域上不同地形成中間層。
方法可以進一步包括清潔基座；並乾燥清潔之基座。
方法可以進一步包括在第一基板上進行電漿處理。
沉積單元可以包括發射沉積材料的複數個沉積源，並且複數個沉積源中之每一個沉積源的溫度可根據反射率來控制以變化。
沉積源的溫度可被控制以在第一基板的中心部分及具有與第一基板的中心部分的反射率不同之反射率之第一基板的其他部分中變化。
在第一基板的中心部分的中間層的厚度可被形成為不同於在第一基板的其他部分的中間層的厚度，其中第一基板的其他部分具有與第一基板的中心部分不同的反射率。
當第一基板的中心部分的反射率比第一基板的其他部分的反射率大時，則在第一基板的中心部分的厚度可以形成為小於在第一基板的其它部分的厚度。
當第一基板的中心部分的反射率比第一基板的其他部分的反射率小時，則在第一基板的中心部分的厚度可以形成為大於在第一基板的其它部分的厚度。
中間層可包括共同層和功能層，並且選自共同層之厚度和功能層之厚度中的至少其一根據第一基板的複數個區域變化。
這些實施例可以透過使用系統、方法、電腦程式、或其組合來實現。
現在將詳細地參照範例描繪於附圖中之實施例，附圖中相似的參考符號代表相似的元件。在這方面，本實施例可具有不同的形式並且不應被解釋為限於在此的描述。因此，實施例僅僅透過參照附圖描述於下，以解釋本說明的態樣。
應理解，雖然可在本文中使用術語「第一」、「第二」等來描述各種組件，但此等組件不應受此等術語限制。此等術語僅用以區分一組件與另一組件。
如用於本文中，除非上下文另外清楚地指示，否則單數形式「一（a）」、「一（an）」及「該（the）」亦意旨在包括複數形式。
應進一步理解，在本說明書中使用之術語「包含」和/或「包括」係特指所述特徵或組件之存在，但並不排除一或多個其他特徵或組件之存在或添加。
應理解，當一層、區域或組件被稱為在另一層、區域或組件「上形成」時，其可直接或間接在另一層、區域或組件上形成。也就是說，例如，可存在中間層、區域或組件。
為了便於說明，圖式中的元件尺寸可以被放大。換句話說，任意地示出圖式中的組件的尺寸和厚度以便於說明，以下實施例不限於此。
在下列實施例中，x軸、y軸和z軸並不限於直角坐標系統的三個軸，而是可以更廣泛的意義解釋。例如，x軸、y軸、和z軸可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
當某個實施例可以被不同地實施，則具體的步驟順序可以不同於所描述的順序來執行。例如，兩個連續描述的過程可以實質上同時地執行，或者以相反於描述順序之順序執行。
第1圖是根據本發明實施例的顯示設備100平面圖。第2圖是第1圖的顯示設備100之區域A的部分橫截面圖。第3圖是用於比較第1圖的顯示設備100中彼此具有不同反射率的區域的像素高度的橫截面圖。
參考第1至3圖，顯示設備100可以包括第一基板110和發光單元。顯示設備100還可以包括形成在發光單元的上表面的薄膜封裝層E或第二基板。第二基板是相同或相似於一般顯示設備中所使用的第二基板，並且因此將在此省略其詳細描述。此外，為了便於描述，將詳細說明顯示設備100包括薄膜封裝層E的情況。
顯示設備100可以被劃分成複數個區域來測量反射率。例如，顯示設備100可被分成4個區域。根據另一個實施例，顯示設備100可被劃分成6個區域。根據另一個實施例，顯示設備100可被劃分成9個區域。顯示設備100的劃分並不限於此，並且顯示設備100可以被劃分成至少兩個區域。為了便於描述，將詳細說明顯示設備100被劃分為9個區域的情況。
顯示設備100的9個區域中之至少兩個可以具有不同的反射率。根據另一個實施例，顯示設備100的9個區域可具有相同的反射率。反射率可以是在第一基板110上已形成像素電極181和像素限定層190時測量之反射率。在實施例中，第一基板110、像素電極和像素限定層190形成以下所討論之用於形成中間層的基座。在實施例中，基座可包括一個或多個附加層，其於形成中間層之前形成在第一基板上。基座可以被劃分成複數個區域以測量反射率。在實施例中，當測量基座的每個區域的反射率時，測量中間層形成於基座上或上方的基座表面之反射率。在一些實施例中，複數個區域的反射率之間的差異可以能係像素電極的反射率差異所致。
為了便於說明，現在將詳細說明其中顯示設備100的9個區域中之區域A、區域B以及區域C具有不同的反射率的情況。現在將詳細地描述其中區域B的反射率比區域A的反射率小，而區域C的反射率比區域A的反射率大之情況。
關於顯示設備100的結構，發光單元可以在第一基板110上形成。發光單元可以包括薄膜電晶體TFT、覆蓋薄膜電晶體TFT的鈍化層170及形成在鈍化層170上的有機發光二極體（OLED）180。
第一基板110可以由玻璃材料形成，但本發明的實施例並不限於此。第一基板110可以由塑料材料或金屬材料形成，如，使用不銹鋼（SUS）或鈦（Ti）之鋼。或者，第一基板110可以使用聚醯亞胺（PI）。為了便於描述，現在將詳細描述其中第一基板110由玻璃材料形成的情況。
有機化合物和/或無機化合物形成的緩衝層120進一步形成在第一基板110的上表面上。緩衝層120可以由氧化矽（SiOx ）（x≥1）或氮化矽（SiNx ）（x≥1）形成。
以預定圖案佈置的主動層130形成在緩衝層120上，然後被閘極絕緣層140掩埋。主動層130包括源極區131和汲極區133，並且還包括通道區132於其間。
主動層130可形成以包括各種材料。例如，主動層130可以包括無機半導體材料，例如非晶矽或結晶矽。另一個例子，主動層130可以包括氧化物半導體。另一個例子，主動層130可以包括有機半導體材料。然而，為了便於描述，現在將詳細描述其中主動層130由非晶矽形成的情況。
主動層130可以透過在緩衝層120上形成非晶矽層、結晶非晶矽層，以形成多晶矽層、和圖案化多晶矽層來形成。主動層130的源極區131和汲極區133根據TFT的類型，如驅動TFT、開關TFT等，摻雜雜質。
面對主動層130之閘電極150和掩埋閘電極150的層間絕緣層160形成在閘極絕緣層140的上表面。
接觸孔H1形成在層間絕緣層160和閘極絕緣層140中，然後源電極171和汲電極172形成在層間絕緣層160上，使得源電極171和汲電極172分別接觸源極區131和汲極區133。
鈍化層170形成在如上所述形成的薄膜電晶體TFT上，並且OLED 180的像素電極181形成在鈍化層170上。像素電極181透過形成在鈍化層170的通孔H2接觸薄膜電晶體TFT的汲電極172。鈍化層170可以由無機材料和/或有機材料形成為單層或多層。鈍化層170可以形成為平坦化層，使得其上表面是平坦的，而忽略在鈍化層170下之下層的不均勻性。鈍化層170可以由透明絕緣體形成，以達到共振效應。
在鈍化層170上形成像素電極181後，像素限定層190由有機材料和/或無機材料形成，使得像素限定層190覆蓋像素電極181和鈍化層170。像素限定層190具有經由其暴露像素電極181的孔。
中間層182和相對電極183至少形成在像素電極181上。在一些實施例中，中間層182可以包括形成於像素電極181和相對電極183之間所有的層。在這種情況下，中間層182的厚度可表示面對中間層182之像素電極181和相對電極183的表面之間的距離。
像素電極181作為陽極，而相對電極183作為陰極。或者，像素電極181可以作為陰極，而相對電極183可以作為陽極。在實施例中，相對電極183可以形成為覆蓋在顯示區域之所有中間層182的共用電極。顯示設備100包括複數個像素，其中每一個包括像素電極181、中間層182和相對電極183。
像素電極181和相對電極183透過中間層182而彼此絕緣，及分別施加相反極性的電壓至中間層182，以在有機發光層中誘發發光。
中間層182可包括有機發光層。另一實例，中間層182包括有機發光層182d。然而，中間層182可進一步包括為共同層之選自電洞注入層（HIL）182a、電洞傳輸層（HTL）182b、電子傳輸層（ETL）182e、和電子注入層（EIL）182f中至少其一。本實施例不限於此，並且除了有機發光層以外，中間層182可進一步包括功能層182c。功能層182c可以以任何各種形狀形成。例如，功能層182c可以包括輔助有機發光層182d發光之發光輔助層。功能層182c可包括能夠增加控制發光效率、色純度等的輔助層。例如，輔助層可以由與HTL182b相同之材料形成。
一個單位像素包括複數個子像素，並且複數個子像素可以發射各種顏色的光。例如，單位像素可以包括分別發射紅光、綠光、和藍光的複數個子像素，或分別發射紅光、綠光、藍光、和白光之複數個子像素。
中間層182可以根據不同的區域而變化。例如，中間層182的厚度可根據不同區域的反射率而變化。為了便於說明，區域A的反射率為第一反射率，區域B的反射率為第二反射率，區域C的反射率為第三反射率，在區域A中的中間層182的厚度為第一厚度，在區域B中的中間層182的厚度為第二厚度，並且在區域C中的中間層182的厚度為第三厚度。這將在以下詳細說明。
如上所述，第一反射率大於第二反射率，因此第一厚度可以比第二厚度小。由於第一反射率小於第三反射率，第一厚度可以比第三厚度大。在實施例中，所有形成在基座的相同區域中的所有中間層182的厚度，遍及此區域可以是實質上相同的。在一些實施例中，變化中間層182的厚度的方法可以是變化選自共同層和功能層182c中至少一個的厚度的方法。
在顯示裝置的例子中，中間層182可以在整個裝置形成具有一貫的厚度，和基座根據其位置具有不同的反射率。然後，可產生不同的共振效應，並且因此顏色可為非均勻的。然而，當中間層182如上所述地根據不同反射率具有不同厚度時，可以減少或最小化共振效應之間的差異導致之色彩飽和度的非均勻性。
薄膜封裝層E可以包括複數個無機層或包括無機層和有機層。
薄膜封裝層E的有機層係由聚合物形成且可以是由聚對苯二甲酸乙酯（polyethylene terephthalate (PET)）、聚碳酸酯（polycarbonate (PC)）、環氧樹脂（epoxy）、聚乙烯（polyethylene）、或聚丙烯酸酯（polyacrylate）形成的單層或層堆疊。有機層可以由聚丙烯酸酯形成。詳細言之，有機層可以包括包含聚合二丙烯酸酯類（diacrylate-based）單體和三丙烯酸酯類（triacrylate-based）單體的單體組合物的結果。單體組合物可進一步包括單丙烯酸酯類（monoacrylate-based）單體。單體組合物可進一步包括習知的光引發劑，如三甲基苯甲醯二苯基膦氧化物（trimethyl benzoyl diphenyl phosphine oxide (TPO)），但本發明的實施例不限於此。
薄膜封裝層E的無機層可以是包括金屬氧化物或金屬氮化物的單層或層堆疊。詳細言之，無機層可包括SiNx ,、Al2 O3 、SiO2 或TiO2 。
在薄膜封裝層E中暴露於外部的最上層可以是由無機層形成，以防止水分滲透到OLED 180。
薄膜封裝層E可以包括其中至少一有機層置於至少兩無機層之間的至少一夾層結構。或者，薄膜封裝層E可以包括至少一無機層置於至少兩有機層之間的至少一夾層結構。或者，薄膜封裝層E可以包括至少一有機層置於至少兩無機層之間的夾層結構及至少一無機層置於至少兩有機層之間的至少一夾層結構。
薄膜封裝層E可以包括從OLED 180的上部開始依序地形成之第一無機層、第一有機層、和第二無機層。
或者，薄膜封裝層E可以包括從OLED 180的上部開始依序地形成之第一無機層、第一有機層、第二無機層、第二有機層和第三無機層。
或者，薄膜封裝層E可以包括從OLED 180的上部開始依序地形成之第一無機層、第一有機層、第二無機層、第二有機層、第三無機層、第三有機層和第四無機層。
包括氟化鋰（LiF）之鹵化金屬層還可以包括於OLED 180和第一無機層之間。鹵化金屬層可以在第一無機層是用濺射法形成時，防止OLED 180損壞。
第一有機層可以具有比第二無機層更小的面積，以及第二有機層也可以具有比第三無機層更小的面積。
因此，顯示設備100可以透過根據具有不同反射率的第一基板110的區域，優化中間層182的厚度，以提高整個第一基板110的顏色飽和度的均勻性。
現在將詳細說明透過使用製造顯示設備的設備來形成中間層182的方法。
第4圖是根據本發明實施例之用於製造顯示設備的設備10概念圖。第5圖是第4圖中所示的沉積單元600透視圖。
參照第4圖和第5圖，製造顯示設備的設備10可以包括清潔單元200、乾燥單元300、反射率測量單元400、電漿處理裝置500、沉積單元600、相對電極形成單元700、和電漿蝕刻單元800。
製造顯示設備的設備10可以是串接型（in-line type）。在這種情況下，單元可以串接方式或叢集（cluster）方式彼此連接。根據另一個實施例，每個單元可被連接到每個腔室中。然而，為了便於描述，將詳細說明其中用於製造顯示設備的設備10係以串接之形狀形成之情況。
清潔單元200噴射清潔液到第一基板110以從第一基板110、像素電極181、及像素限定層190的上表面除去異物。乾燥單元300可以乾燥自清潔單元200接收的第一基板110。乾燥單元300可透過供給加熱的空氣或光而乾燥清潔液。
電漿處理單元500可以在從乾燥單元300所接收的第一基板110上進行電漿處理。此時，電漿處理單元500可經由電漿從第一基板110的上表面除去異物。
反射率測量單元400可以測量其中像素電極181和像素限定層190已形成在第一基板110上之基座的反射率。此時，反射率測量單元400可以將第一基板110分割成複數個區域，並測量每個區域的反射率。
反射率測量單元400可以安裝在任何不同位置。例如，反射率測量單元400也可以設置在乾燥單元300和電漿處理單元500之間，或設置於乾燥單元300和電漿處理單元500中選擇之至少一個上。詳言之，當反射率測量單元400設置在乾燥單元300和電漿處理單元500之間時，反射率測量單元400可以包括，例如，腔室、設置在腔室中的反射率測量計、及輸送第一基板110的輸送機。根據另一個實施例，反射率測量單元400當設置在選自乾燥單元300和電漿處理單元500之至少其一時，反射率測量單元400可設置在選自乾燥單元300和電漿處理單元500之至少其一中。為了便於描述，現將詳細說明其中反射率測量單元400設置在乾燥單元300內的情況。
沉積單元600包括沉積源610、沉積源噴嘴單元620、圖案化狹縫板650和連接部件635。
雖然為了說明上的方便，並未於第5圖中示出腔室，第5圖的所有組件可以分別佈置在保持適當真空度的腔室中，如在第4圖中所示腔室之內。將腔室保持在適當真空，以允許沉積材料通過沉積單元600大致直線地移動。
詳言之，為了以所希望之圖案將自沉積源610發射且通過沉積源噴嘴單元620和圖案化狹縫板650排出之沉積材料615沉積到第一基板110上，當使用精細金屬遮罩（FMM）的沉積方法時，需要將腔室保持在高真空狀態。另外，圖案化狹縫板650和連接部件635的溫度應充分地低於沉積源610的溫度以保持於沉積源噴嘴單元620和圖案化狹縫板650之間的空間在高真空狀態。在這方面，圖案化狹縫板650和連接部件635的溫度可以是大約100℃或更少。這是因為當圖案化狹縫板650的溫度足夠低時，撞在連接部件635的沉積材料615可能不會被再次氣化。此外，當圖案化狹縫板650的溫度足夠低時，圖案化狹縫板650的熱膨脹可以被最小化。
將構成於其上沉積沉積材料615之沉積靶之第一基板110佈置在腔室中。第一基板110可以是用於平板顯示器的基板。用於製造複數個平板顯示器的大型基板，可以用作為第一基板110。也可以採用其他基板。
當第一基板110相對於沉積單元600移動時，則可執行沉積。
特別是，在典型的FMM沉積方法中，FMM的尺寸必須等於基板的尺寸。因此，FMM的尺寸必須隨著基板變大而增加。然而，其既不直接製造較大的FMM，也不延伸FMM以與圖案精確地對準。
在沉積單元600中，沉積可在沉積源610或第一基板110相對於彼此移動時執行。在實施例中，沉積可在第一基板110（配置以面對沉積源610）在Y軸方向上移動時，連續地執行。換句話說，沉積以掃描方式進行。雖然當進行沉積時，第一基板110被描繪為在第5圖的Y軸方向移動，但本發明的實施例不限於此。沉積可以在沉積單元600在Y軸方向移動，而第一基板110是固定時執行。
在沉積單元600中，圖案化狹縫板650可以明顯地小於在典型沉積方法中使用的FMM。換句話說，在沉積單元600中，當第一基板110在Y軸方向上移動時，沉積是連續進行的，即，以掃描的方式進行。因此，在Y軸方向上的圖案化狹縫板650的長度可以明顯小於第一基板110的長度，並且在X軸方向上的圖案化狹縫板650的寬度和在X軸方向的第一基板110的寬度是實質上彼此相等。如上所述，因為圖案化狹縫板650可以形成為明顯小於在典型沉積方法中使用的FMM，所以本發明中使用的圖案化狹縫板650是比較容易製造的。換言之，使用比在典型沉積方法中使用的FMM小的圖案化狹縫板650，在所有的過程中，包括蝕刻和其它後續過程，如精確延展、焊接、移動、清潔工藝，相較於使用較大的FMM的典型沉積方法更為方便。這對於相對大的顯示設備更為有利。
為了進行沉積，當如上所述，沉積單元600或第一基板110相對於彼此移動時，沉積單元600和第一基板110可以預定的距離彼此分開。
包含並加熱沉積材料615之沉積源610佈置在腔室中相對於第一基板110設置側的相對側。當包含在沉積源610中的沉積材料615被氣化時，則沉積材料615被沉積在第一基板110上。
詳言之，沉積源610可以包括填充有沉積材料615之坩堝611，和加熱坩堝611以氣化包含在坩堝611中之沉積材料615之加熱器612，沉積材料係朝向坩堝611的一側，並且特別地，朝向沉積源噴嘴單元620氣化。
沉積源噴嘴單元620可以設置在沉積源610的一側，特別是，在沉積源610面對第一基板110的一側。沉積源噴嘴單元620可包括複數個等間隔排列在X軸方向之沉積源噴嘴621。沉積材料615是在沉積源610中氣化，穿過沉積源噴嘴單元620朝沉積材料615將沉積於其上之第一基板110。
沉積源610可以根據測量的反射率，形成不同的溫度及沉積沉積材料615在第一基板110上，以形成具有不同厚度的中間層182。在這種情況下，可以包括複數個沉積源610，或單一沉積源610可以包括複數個坩堝611和分別設置於坩堝611中之複數個加熱器612。然而，為了便於說明，現在將詳細描述其中單一沉積源610包括複數個坩堝611和複數個加熱器612的情況。
反射率和溫度之間的關係及反射率和中間層182之間的關係可以透過實驗等來獲得，並以表或程序的形式儲存。
沉積源610可以根據反射率，透過保持不同的溫度，控制沉積材料615之氣化量。此時，沉積源610可保持比用於將沉積材料615沉積在區域A之第一溫度高的第二溫度，以使在區域B比在區域A氣化更多的沉積材料615。另一方面，沉積源610可保持比第一溫度低的第三溫度，以使區域C比在區域A氣化更少的沉積材料615。
沉積源610可以透過如上所述地控制溫度，控制沉積材料615之氣化量。因此，沉積源610能夠調整中間層182的厚度，使得中間層182根據區域而具有不同的厚度。
圖案化狹縫板650和圖案化狹縫板650結合於其中之圖案化狹縫板架655，可設置在沉積源610和第一基板110之間。圖案化狹縫板架655可以格子狀，類似於窗框地形成。圖案化狹縫板650結合在圖案化狹縫板架655內。圖案化狹縫板650可以包括佈置在X軸方向上之複數個圖案化狹縫651。
在沉積源610中氣化之沉積材料615穿過沉積源噴嘴單元620和圖案化狹縫板650，朝向沉積材料615待沉積於其上之第一基板110。圖案化狹縫板650可以透過蝕刻製造，其與用於製造FMM的典型方法相同，並且具體地，為條紋FMM。
在這方面，在沉積單元600中，圖案化狹縫651的總數可以大於沉積源噴嘴621的總數。
另外，沉積源610和耦接至沉積源610之沉積源噴嘴單元620可以設置成與圖案化狹縫板650分離一預定距離。或者，沉積源610和耦接至沉積源610之沉積源噴嘴單元620可透過連接部件635連接到圖案化狹縫板650。即，沉積源610、沉積源噴嘴單元620和圖案化狹縫板650可以經由連接部件635連接彼此以一體成形地形成為一整體。連接部件635引導透過沉積源噴嘴621排出之沉積材料615直線移動，而不是在X軸或Y軸方向上流動。在第5圖中，連接部件635形成在沉積源610、沉積源噴嘴單元620和圖案化狹縫板650的左側和右側，以引導沉積材料615不在X軸方向上流動；然而，本發明的態樣不限於此。即，連接部件635可以形成為密封的盒子，以引導沉積材料615在X軸和Y軸方向上兩者之流動。
如上所述，沉積單元600在相對於第一基板110移動時執行沉積。為了使沉積單元600相對於第一基板110移動，圖案化狹縫板650以預定距離與第一基板110分離。
特別是，在使用FMM的典型沉積方法中，沉積係以與基板緊密接觸之FMM執行，以防止在基板上形成陰影區。然而，當FMM是與基板緊密接觸第使用時，該接觸可能引起缺陷。此外，在典型沉積方法中，因為遮罩不能相對於基板移動，所以遮罩的尺寸必須與基板的尺寸相同。因此，遮罩的尺寸必須隨著顯示設備變大而增加。然而，製造此種大遮罩並非易事。
根據當前實施例之沉積單元600中，圖案化狹縫板650以預定距離與第一基板110分離設置。
如上所述，根據本發明實施例，遮罩被形成為小於基板，並於遮罩相對於基座移動時進行沉積。因此，可以容易地製造遮罩。另外，可以防止發生在典型沉積方法中，因基板和FMM之間的接觸所引起的缺陷。此外，由於在沉積過程期間不需將FMM佈置成與基板緊密接觸，所以可以減少製造時間。
沉積材料615可以是任何各種材料。例如，沉積材料可以是用來形成有機發光層182d的材料。沉積材料可以是用來形成功能層182c的材料。另外，沉積材料可以包括任何可經由沉積單元600沉積之材料，該些材料被用以形成構成中間層182中的層。
相對電極形成單元700可形成在中間層182上的相對電極。電漿蝕刻單元800可從第一基板110的邊緣除去有機材料。
參照用於製造顯示設備的設備10的操作方法，其上已形成複數個像素電極181和像素限定層190之第一基板110可以被提供至清潔單元200。清潔單元200可透過噴射清潔液來清潔第一基板110。
清潔過的第一基板110可以被轉移到乾燥單元300中，因此可乾燥留在清潔過的第一基板110上的清潔液。在乾燥單元300中，反射率測量單元400可以測量第一基板110的反射率。根據像素電極181、像素限定層190等的不均勻性和其它層或膜等之厚度等，在第一基板110之各區域的反射率可以不同。在這種情況下，如上所述，可能生成非均勻之色彩飽和度。
基於所測得之第一基板110之反射率，沉積單元600可形成具有不同的厚度的中間層182。在這種情況下，沉積單元600可透過調整選自共同層和功能層182c中至少其一的厚度來形成具有不同厚度的中間層182。
詳言之，透過比較第一基板110的其他部分（區域B或區域C）的反射率與第一基板110的中心部分（區域A）的反射率，沉積單元600在第一基板110的中心部分（區域A）可以形成厚度與第一基板110的其他部分（區域B或區域C）不同的厚度。
例如，當第一基板110的中心部分（區域A）的反射率小於第一基板110的其它部分（區域B或區域C）時，則沉積單元600可在第一基板110的中心部分（區域A）形成具有厚度大於在第一基板110的其它部分（區域B或區域C）的中間層182的厚度的中間層182。另一方面，當第一基板110的中心部分（區域A）的反射率比第一基板110的其它部分（區域B或區域C）更大時，則沉積單元600在第一基板110的中心部分（區域A）可以形成具有厚度小於第一基板110的其它部分（區域B或區域C）的中間層182的厚度的中間層182。在這種情況下，透過控制在沉積源610中之加熱器612的操作，沉積單元600可在不同區域形成具有不同厚度的中間層182。換句話說，如上所述，沉積源610可基於每個區域的反射率，透過的溫度控制，來控制沉積材料615的氣化程度。
於中間層182如上所述地形成之後，可以在中間層182上形成相對電極183。有機材料可以經由電漿從第一基板110的邊緣除去。
因此，用於製造顯示設備的設備10和方法中，中間層182的厚度與第一基板110的反射率同步，且由於第一基底110的某些部分的反射率之間的差可以被最小化而使第一基板110的色彩飽和度均勻。
在用於製造顯示設備的設備10和方法中，第一基板110的反射率於顯示設備的製造過程中被測量且被應用到沉積單元600，從而降低了製造時間和製造成本。
在用於製造顯示設備的設備10和方法中，製造具有顏色均勻性之顯示設備100，從而提高顯示設備100的製造產率。
根據本發明實施例的顯示設備具有改善之色彩飽和度。
但是應當理解的是，本文所描述的實施例應僅以描述性的意義考慮，而非限制目的。每個實施例內的特徵或態樣之描述通常應該被認為是可用於其他實施例中的其他類似的特徵或態樣。
雖然本發明已經參照其實施例具體示出並描述，但本領域具有通常知識者將瞭解，可以在不脫離如由下述的申請專利範圍所定義的本發明之精神和範圍的情況下，進行形式和細節上之各種改變。
10‧‧‧設備 100‧‧‧顯示設備 110‧‧‧第一基板 120‧‧‧緩衝層 130‧‧‧主動層 131‧‧‧源極區 132‧‧‧通道區 133‧‧‧汲極區 140‧‧‧閘極絕緣層 150‧‧‧閘電極 160‧‧‧層間絕緣層 170‧‧‧鈍化層 171‧‧‧源電極 172‧‧‧汲電極 180‧‧‧有機發光二極體 181‧‧‧像素電極 182‧‧‧中間層 182a‧‧‧電洞注入層（HIL） 182b‧‧‧電洞傳輸層（HTL） 182c‧‧‧功能層 182d‧‧‧有機發光層 182e‧‧‧電子傳輸層（ETL） 182f‧‧‧電子注入層（EIL） 183‧‧‧相對電極 190‧‧‧像素限定層 200‧‧‧清潔單元 300‧‧‧乾燥單元 400‧‧‧反射率測量單元 500‧‧‧電漿處理單元 600‧‧‧沉積單元 610‧‧‧沉積源 611‧‧‧坩堝 612‧‧‧加熱器 615‧‧‧沉積材料 620‧‧‧沉積源噴嘴單元 621‧‧‧沉積源噴嘴 635‧‧‧連接部件 650‧‧‧圖案化狹縫板 651‧‧‧圖案化狹縫 655‧‧‧圖案化狹縫板架 700‧‧‧相對電極形成單元 800‧‧‧電漿蝕刻單元 TFT‧‧‧薄膜電晶體 E‧‧‧薄膜封裝層 H1‧‧‧接觸孔 H2‧‧‧通孔
結合附圖，這些和/或其他態樣將從以下實施例之描述，變得明顯及更容易理解：
第1圖是根據本發明實施例的顯示設備之平面圖；
第2圖是第1圖的顯示設備之區域A的部分橫截面圖；
第3圖是用於比較第1圖的顯示設備中彼此具有不同反射率的區域的像素高度之橫截面圖；
第4圖是根據本發明實施例之用於製造顯示設備的設備的概念圖；及
第5圖是包含在第4圖中所示的設備中的沉積單元之透視圖。
100‧‧‧顯示設備

Claims (19)

  1. 一種顯示設備，其包含：一基座，其包含：一基板，複數個像素電極，形成在該基板上，以及一像素限定層，形成在該複數個像素電極上；和一中間層，形成在該基座的該複數個像素電極中之每一個像素電極上，其中該基座被劃分成複數個區域，其包括一第一區域和一第二區域，其中形成在該基座的該第一區域的該中間層具有一第一厚度，且形成在該基座的該第二區域的該中間層具有與該第一厚度實質上不同之一第二厚度；其中該第一區域和該第二區域分別具有一第一反射率和一第二反射率，其中該第一反射率和該第二反射率彼此實質上不同。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備，其中該中間層包括一共同層和一功能層，並且其中形成在該基座的該第一區域的該中間層的該共同層和該功能層中的至少其一的厚度與形成在該基座的該第二區域的該中間層的該共同層和該功能層中的至少其一的厚度實質上不同。
  3. 一種製造顯示設備的設備，其包含：一清潔單元，設置以清潔一基座，該基座為製造顯示設備的中間產品；一乾燥單元，設置以乾燥從該清潔單元接收的該基座； 一反射率測量單元，設置以測量該基座的複數個區域的反射率；和一沉積單元，設置以在該基座的該複數個區域中之每一個區域形成至少一中間層，形成於該基座的該複數個區域上之該中間層根據由該反射率測量單元所測之該複數個區域的反射率而具有不同厚度。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之設備，其進一步包含連接到該沉積單元並設置以在該基座上進行電漿處理的一電漿處理單元。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之設備，其中該反射率測量單元設置在該乾燥單元和該電漿處理單元之間，或設置於該乾燥單元和該電漿處理單元中選擇之至少其一之中。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之設備，其中該沉積單元包含：一沉積源，設置以排出一沉積材料；一沉積源噴嘴單元，設置在該沉積源的一側，且包括複數個沉積源噴嘴；以及一狹縫片，相對於該沉積源設置並包括使該沉積材料通過其之複數個狹縫，其中該沉積源係設置以透過根據該基座的該複數個區域的反射率來形成不同的溫度，而在該基座上沉積該沉積材料，以形成具有不同厚度的該中間層。
  7. 如申請專利範圍第3項所述之設備，其中該沉積單元係設置以將在該基座的中心部分上之該中間層之厚度形成為不同於在該基座的其他部分上的該中間層之厚度，其中該基座的其他部分具有不同於該基座的中心部分之反射率。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之設備，其中當該基座的中心部分的 反射率比該基座的其他部分的反射率大時，則在該基座的中心部分上的該中間層的厚度被形成為小於在該基座的其他部分上的該中間層的厚度。
  9. 如申請專利範圍第3項所述之設備，其中該基座包含：一基板；複數個像素電極，形成在該基板上，以及一像素限定層，形成在該基板和該複數個像素電極上，其中該中間層形成在該複數個像素電極之每一個像素電極上。
  10. 如申請專利範圍第3項所述之設備，其中該中間層包含一共同層和一功能層，且其中選自該共同層之厚度和該功能層之厚度中的至少其一係根據該基座的該複數個區域變化。
  11. 一種製造顯示設備的方法，該方法包含：提供一基座，其包含：一基板；複數個像素電極，形成在該基板上；以及一像素限定層，形成在該基板和該複數個像素電極上，其中該基座被劃分成複數個區域，其包括一第一區域和一第二區域；測量該第一區域和該第二區域之反射率，其中該第一區域測出之反射率和該第二區域測出之反射率不同；放置該基座在一沉積腔室中以與設置在該沉積腔室中的一沉積單元隔開；以及 在該第一區域中形成一第一中間層於第一個像素電極上；相對於該沉積單元移動該基座；在該第二區域中形成一第二中間層於第二個像素電極上，其中該第一中間層具有一第一厚度，且該第二中間層具有與該第一厚度不同之一第二厚度。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其進一步包含：清潔該基座；以及乾燥清潔之該基座。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其進一步包含：在該基座上進行電漿處理。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該沉積單元包含設置以發射沉積材料的複數個沉積源，並且其中該複數個沉積源中的每一個沉積源的溫度是根據該複數個區域中的每一個區域的反射率而控制。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其進一步包含調節該沉積源的溫度，使得用於形成該第一中間層的沉積源溫度與用於形成該第二中間層的沉積源溫度不同，其中該第一區域是該基座的中心部分而第該二區域是該基座的其他部分。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該第一區域是該基座的中心部分而該第二區域是該基座的其他部分。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該第一區域的反射率比該第二區域的反射率大，其中該第一中間層的厚度小於該第二中 間層的厚度。
  18. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中形成在該第一區域上的該中間層具有實質上相同的厚度。
  19. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該中間層包括一共同層和一功能層，且選自該共同層之厚度和該功能層之厚度中的至少其一係根據該基座的該複數個區域變化。
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