JPS60251272A - スパツタ用タ−ゲツト - Google Patents
スパツタ用タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS60251272A JPS60251272A JP10760384A JP10760384A JPS60251272A JP S60251272 A JPS60251272 A JP S60251272A JP 10760384 A JP10760384 A JP 10760384A JP 10760384 A JP10760384 A JP 10760384A JP S60251272 A JPS60251272 A JP S60251272A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pieces
- target
- sputtering
- sputtering target
- small pieces
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、スパッタ用ターゲットに関する。
従来の技術
集積回路その伯半導体回路に薄膜素子を作る場合、スパ
ッタリング法が広く使用されている。このスパッタリン
グ法による場合は、陰極として薄膜組成からなるターゲ
ットを置き、被着基板を陽極として放電を行わせるので
あるが、生産性向上の要請からスパッタ装置は、大型化
の傾向にあり、これに用いるターゲットも大型化してい
る。
ッタリング法が広く使用されている。このスパッタリン
グ法による場合は、陰極として薄膜組成からなるターゲ
ットを置き、被着基板を陽極として放電を行わせるので
あるが、生産性向上の要請からスパッタ装置は、大型化
の傾向にあり、これに用いるターゲットも大型化してい
る。
ターゲット材料が熱間あるいは冷間の塑性加工性に富む
場合は、大型の編状ターゲットを製作することは容易で
あるが、雌型性加工材がターゲットの構成材の場合は、
大型化は製造装置の制約から極めて困難である。
場合は、大型の編状ターゲットを製作することは容易で
あるが、雌型性加工材がターゲットの構成材の場合は、
大型化は製造装置の制約から極めて困難である。
薄膜組成が難加工材の場合は、その組成のそれぞれの単
一金属をターゲット上のそれぞれの面積比率が薄膜組成
に適うように、単一金属小片を配置した分割ターゲット
が使用されているが、各横−２− 成金属の蒸気圧の差により膜組成がずれ、ターゲットの
局部的消耗のため実用上多くの問題を抱えている。
一金属をターゲット上のそれぞれの面積比率が薄膜組成
に適うように、単一金属小片を配置した分割ターゲット
が使用されているが、各横−２− 成金属の蒸気圧の差により膜組成がずれ、ターゲットの
局部的消耗のため実用上多くの問題を抱えている。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、雌型性加工材により構成され、所要組成のス
パッタ膜を容易に作れるターゲットを提供するものであ
る。
パッタ膜を容易に作れるターゲットを提供するものであ
る。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記問題点を解決するために、同一材質のス
パッタ材料の分割小片を、その各表面が陽極に向い合う
ようにバッキングプレートに固着したスパッタ用ターゲ
ットである。
パッタ材料の分割小片を、その各表面が陽極に向い合う
ようにバッキングプレートに固着したスパッタ用ターゲ
ットである。
実施例
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
ＭＯ８ＬＳＩゲート電極Ｎ４０Ｓｔ２作製用の直径３０
０ｍｍの円形ターゲットの製作において、高純度のＭＯ
とＳｔをその原子％で１：２の混合物どし、該混合物を
水冷銅ハースを用いてプラズマアーク溶解し、銅へ−ス
内で凝固し、第２図お−３− Ｊ：び第３図に示した形状の円板１と扇板２を得た。
０ｍｍの円形ターゲットの製作において、高純度のＭＯ
とＳｔをその原子％で１：２の混合物どし、該混合物を
水冷銅ハースを用いてプラズマアーク溶解し、銅へ−ス
内で凝固し、第２図お−３− Ｊ：び第３図に示した形状の円板１と扇板２を得た。
この場合、通常の高周波溶解などでは、高融点であるこ
とと耐火物からの不純物混入のため、鋳塊の製作は不可
能である。
とと耐火物からの不純物混入のため、鋳塊の製作は不可
能である。
ついで、ターゲット上面から見た構成が、第１図のごと
くになるように、中心の小径円板１と、これを囲む同一
形状の扇形小片２とから円板ターゲットを構成し、これ
らの小片をインジウム層を介してバッキングプレートに
接着し、一体化された大径ターゲットを得た。
くになるように、中心の小径円板１と、これを囲む同一
形状の扇形小片２とから円板ターゲットを構成し、これ
らの小片をインジウム層を介してバッキングプレートに
接着し、一体化された大径ターゲットを得た。
本実施例に係るターゲットを用いて、繰返しスパッタを
行ったところ、再現性よく良質なＭＯＳｉ２膜が得られ
、ターゲツト面も局部的なエロージョンの発生はなかっ
た。
行ったところ、再現性よく良質なＭＯＳｉ２膜が得られ
、ターゲツト面も局部的なエロージョンの発生はなかっ
た。
実施例２
実施例１と同じく直径３００ ｍｍのＭＯＳｔツタ−ッ
トの製作において、小片接合部を通してパッキングプル
レートからの汚染がプラズマ中に拡散してくるのを防ぐ
ために、隣接する小片２．２’ 。
トの製作において、小片接合部を通してパッキングプル
レートからの汚染がプラズマ中に拡散してくるのを防ぐ
ために、隣接する小片２．２’ 。
２″の接合面が階段または傾斜面となるように組−４−
合わせＩＣ０第４図および第５図は、この接合部断面の
形状を示す。
形状を示す。
以上は、Ｍ（ｌ Ｓｔ ２ターゲツトを例に説明したが
、ＭＯＳｔ ２の成形は、ＭＯおよび粉末をホラ１〜プ
レスその他の方法で製作したものでもＪ：り、また、こ
の実施例に限定するものではなく、他の雌型性加工合金
についても同様に適用できる。
、ＭＯＳｔ ２の成形は、ＭＯおよび粉末をホラ１〜プ
レスその他の方法で製作したものでもＪ：り、また、こ
の実施例に限定するものではなく、他の雌型性加工合金
についても同様に適用できる。
発明の効果
以上述べたにうに、本発明は、同一材質のスパッタ材料
の分割小片を、その各表面が陽極に向い合うＪ：うにバ
ッキングプレートに固着したので、Ｎ塑性加工材による
大型化のターゲットを得る効果を有す。
の分割小片を、その各表面が陽極に向い合うＪ：うにバ
ッキングプレートに固着したので、Ｎ塑性加工材による
大型化のターゲットを得る効果を有す。
第１図は、本発明の一実施例に係るターゲットの平面図
、第２図および第３図は、第１図のターゲットを形成す
る分割小片の斜視図、第４図および第５図は、それぞれ
第３国手片接合部を示す断面図である。 １・・・小径円板、２．２’、２″・・・扇形小片。 −５− 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
、第２図および第３図は、第１図のターゲットを形成す
る分割小片の斜視図、第４図および第５図は、それぞれ
第３国手片接合部を示す断面図である。 １・・・小径円板、２．２’、２″・・・扇形小片。 −５− 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (5)
- （１）同一材質のスパッタ材料の分割小片を、その各表
面が陽極に向い合うようにバッキングプレートに固着し
たことを特徴とするスパッタ用ターゲット。 - （２）上記分割小片を低融点金属を介してバッキングプ
レートに接着した特許請求の範囲第１項記載のスパッタ
用ターゲット。 - （３）上記隣接した分割小片の接合面が・階段状または
傾斜面状である特許請求の範囲第１項記載のスパッタ用
ターゲット。 - （４）上記分割小片が合金または金属間化合物である特
許請求の範囲第１項記載のスパッタ用ターゲット。 - （５）上記分割小片が雌型性加工材である特許請求の範
囲第１項記載のスパッタ用ターゲット。 ＝ １ −
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10760384A JPS60251272A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | スパツタ用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10760384A JPS60251272A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | スパツタ用タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60251272A true JPS60251272A (ja) | 1985-12-11 |
Family
ID=14463353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10760384A Pending JPS60251272A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | スパツタ用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60251272A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63143258A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング用タ−ゲツト |
| JP2001295038A (ja) * | 2000-04-11 | 2001-10-26 | Toshiba Corp | モザイク型スパッタリングターゲット |
| WO2008033192A1 (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-20 | Tosoh Smd, Inc. | Sputtering target assembly and method of making same |
| KR100822921B1 (ko) | 2004-07-09 | 2008-04-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 타일형 스퍼터링 타겟, 그리고 이를 포함하는 플라즈마 스퍼터링 반응기 및 이를 이용한 스퍼터링 방법 |
| JP2010229499A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Mitsubishi Materials Corp | ターゲットの製造方法 |
| RU2695716C1 (ru) * | 2017-06-14 | 2019-07-25 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Составная мишень для магнетронного распыления |
-
1984
- 1984-05-29 JP JP10760384A patent/JPS60251272A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63143258A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング用タ−ゲツト |
| JP2001295038A (ja) * | 2000-04-11 | 2001-10-26 | Toshiba Corp | モザイク型スパッタリングターゲット |
| KR100822921B1 (ko) | 2004-07-09 | 2008-04-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 타일형 스퍼터링 타겟, 그리고 이를 포함하는 플라즈마 스퍼터링 반응기 및 이를 이용한 스퍼터링 방법 |
| WO2008033192A1 (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-20 | Tosoh Smd, Inc. | Sputtering target assembly and method of making same |
| US8020748B2 (en) | 2006-09-12 | 2011-09-20 | Toso SMD, Inc. | Sputtering target assembly and method of making same |
| US8235277B2 (en) | 2006-09-12 | 2012-08-07 | Tosoh Smd, Inc. | Sputtering target assembly and method of making same |
| JP2010229499A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Mitsubishi Materials Corp | ターゲットの製造方法 |
| RU2695716C1 (ru) * | 2017-06-14 | 2019-07-25 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Составная мишень для магнетронного распыления |
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