JPS61136673A - スパツタリング用タ−ゲツト材 - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツト材Info
- Publication number
- JPS61136673A JPS61136673A JP25976084A JP25976084A JPS61136673A JP S61136673 A JPS61136673 A JP S61136673A JP 25976084 A JP25976084 A JP 25976084A JP 25976084 A JP25976084 A JP 25976084A JP S61136673 A JPS61136673 A JP S61136673A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target material
- cooling plate
- cooling
- target
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
利用産業分野
この発明は、スパッタリング用ターゲット材の改良に係
り、電極を構成した際のターゲット材の冷却効率にすぐ
れ、かつ安価なターゲット材に関する。
り、電極を構成した際のターゲット材の冷却効率にすぐ
れ、かつ安価なターゲット材に関する。
背景技術
今日、各種製品表面に、所要組成の薄膜を均一に被着形
成する方法として、スパッタリングが多用されている。
成する方法として、スパッタリングが多用されている。
スパッタリングは下地材料の陽極と所要組成の被膜と同
材質のターゲット材の陰極間に電圧を印加し、陽イオン
によってターゲット表面原子をたたき出し、下地材料や
所要表面に被着させてＮ膜を形成させる方法を言うが、
陽イオンによって原子をたたき出されるターゲットは４
００℃〜６００℃程度まで昇温し、そのまま放置すると
所謂スパッタ速度が低下するため、スパッタリング能率
を考慮して１００℃程度まで冷却する必要がある。
材質のターゲット材の陰極間に電圧を印加し、陽イオン
によってターゲット表面原子をたたき出し、下地材料や
所要表面に被着させてＮ膜を形成させる方法を言うが、
陽イオンによって原子をたたき出されるターゲットは４
００℃〜６００℃程度まで昇温し、そのまま放置すると
所謂スパッタ速度が低下するため、スパッタリング能率
を考慮して１００℃程度まで冷却する必要がある。
通常、スパッタリング装置では、ターゲット材は水冷さ
れるが、直接水冷する直接冷却式、冷却板（バッキング
プレート）にメタルボンディングにてターゲット材を接
着する間接冷却式、あるいは冷却板にターゲット材を機
械的に固定する間接冷却式が多用されている。
れるが、直接水冷する直接冷却式、冷却板（バッキング
プレート）にメタルボンディングにてターゲット材を接
着する間接冷却式、あるいは冷却板にターゲット材を機
械的に固定する間接冷却式が多用されている。
直接冷却式は、ターゲットの冷却効率にすぐれるため大
きな電力を投入できるが、冷却水側とスパッタされる側
との圧力の差に耐える陰極を構成するために、所要の厚
みが必要で、ターゲット材厚みが厚くなりやすく、例え
ば、ターゲット材が強磁性材の場合はマグネトロン・ス
パッタリングにおいては、磁束がターゲット材表面に出
難くなるため、スパッタ速度が低く、また、エロージョ
ン領域が狭くなり、高価なターゲット材の利用効率が悪
い問題があった。
きな電力を投入できるが、冷却水側とスパッタされる側
との圧力の差に耐える陰極を構成するために、所要の厚
みが必要で、ターゲット材厚みが厚くなりやすく、例え
ば、ターゲット材が強磁性材の場合はマグネトロン・ス
パッタリングにおいては、磁束がターゲット材表面に出
難くなるため、スパッタ速度が低く、また、エロージョ
ン領域が狭くなり、高価なターゲット材の利用効率が悪
い問題があった。
メタルボンディングによりターゲット材を冷却板に固定
する間接６即式は、ボンディング作業において手作業工
程が多く、時間とコストが掛る上、接合部に気泡ができ
やすく、気泡の発生により、その部分の熱伝尋度の低下
が起こりスパッタ速度が落ち、生成被膜の均一度が劣化
したり、使用時の温度上昇に伴ないターゲット材が冷却
板より剥離落下する恐れがあり、また、ガス発生の要因
となり、真空度が低下するなどの問題があった。
する間接６即式は、ボンディング作業において手作業工
程が多く、時間とコストが掛る上、接合部に気泡ができ
やすく、気泡の発生により、その部分の熱伝尋度の低下
が起こりスパッタ速度が落ち、生成被膜の均一度が劣化
したり、使用時の温度上昇に伴ないターゲット材が冷却
板より剥離落下する恐れがあり、また、ガス発生の要因
となり、真空度が低下するなどの問題があった。
また、機械的にターゲットを冷却板に固定する場合は、
上記のメタルボンディングに起因する問題点はないが、
ターゲット材と冷却板との接触性が悪いため、ターゲッ
ト材の冷却効率が３方式の内で最も悪く、投入電力を大
きくすることができない問題があった。
上記のメタルボンディングに起因する問題点はないが、
ターゲット材と冷却板との接触性が悪いため、ターゲッ
ト材の冷却効率が３方式の内で最も悪く、投入電力を大
きくすることができない問題があった。
発明の目的
この発明は、従来のターゲット材の問題点に鑑み、ボン
デインクの気泡発生や冷却板との接触性の低下がなく冷
却効率にすぐれ、またターゲット材料の利用効率にすぐ
れ、メタルボンディングによる接着型ターゲット材と比
較して製造容易で安価なターゲット材を目的としている
。
デインクの気泡発生や冷却板との接触性の低下がなく冷
却効率にすぐれ、またターゲット材料の利用効率にすぐ
れ、メタルボンディングによる接着型ターゲット材と比
較して製造容易で安価なターゲット材を目的としている
。
発明の構成と効果
この発明は、平板のターゲット材の裏面に冷却板を介し
て間接冷却し、陰極を構成してスパッタリングを行なう
スパッタリング用ターゲット材において、ターゲット材
を構成する原子と冷却板を構成する原子が直接に結合す
ることにより、ターゲット材と冷却板が一体化されたこ
とを特徴とするスパッタリング用ターゲット材である。
て間接冷却し、陰極を構成してスパッタリングを行なう
スパッタリング用ターゲット材において、ターゲット材
を構成する原子と冷却板を構成する原子が直接に結合す
ることにより、ターゲット材と冷却板が一体化されたこ
とを特徴とするスパッタリング用ターゲット材である。
この発明において、ターゲット材は種々の金属や合金が
所要薄膜に応じて適宜選定され、また、冷却板とターゲ
ット材はそれぞれの溶融温度や熱膨張係数が互いに近い
ほうが望ましく、さらに、ステンレススチール、ＮＬＣ
ｕ含Ｃｕ銅などの非磁性材が望ましく、冷却を考慮し熱
伝導率の高い材料が好ましい。
所要薄膜に応じて適宜選定され、また、冷却板とターゲ
ット材はそれぞれの溶融温度や熱膨張係数が互いに近い
ほうが望ましく、さらに、ステンレススチール、ＮＬＣ
ｕ含Ｃｕ銅などの非磁性材が望ましく、冷却を考慮し熱
伝導率の高い材料が好ましい。
一般に、ターゲット材と冷却板との接合に低融点はんだ
を使用した場合には、厚さが数百−程度の比較的厚いは
んだ層を介して、ターゲット材と冷却板が接合されてい
る。これに対して、この発明によるターゲット材は、上
記のはんだやろう材を使用することなく、昇温や加圧に
よる拡散あるいは圧接などの手段により、両者組成の原
子間の直接的な結合で一体化したことを特徴としている
。
を使用した場合には、厚さが数百−程度の比較的厚いは
んだ層を介して、ターゲット材と冷却板が接合されてい
る。これに対して、この発明によるターゲット材は、上
記のはんだやろう材を使用することなく、昇温や加圧に
よる拡散あるいは圧接などの手段により、両者組成の原
子間の直接的な結合で一体化したことを特徴としている
。
具体的な手段として、至温で強大な圧力を掛けて接合す
る冷間圧接や、ターゲット材及び冷却板の各融点以下の
ａＳで圧下する熱間圧接、さらに冷間圧接後に高温に保
持して原子の拡散を促進し、より強固な結合を得る方法
のほか、ホットプレスや治具等を用いて圧力を印加しな
がら高温に保持し結合させる方法などがある。
る冷間圧接や、ターゲット材及び冷却板の各融点以下の
ａＳで圧下する熱間圧接、さらに冷間圧接後に高温に保
持して原子の拡散を促進し、より強固な結合を得る方法
のほか、ホットプレスや治具等を用いて圧力を印加しな
がら高温に保持し結合させる方法などがある。
この際の雰囲気として、非酸化性雰囲気が望ましく、ア
ルゴンガス、窒素ガス等のほか、水素ガスのごとき還元
性ガスあるいは真空雰囲気を、ターゲット材及び冷却板
の材質に応じて適宜選定するとよい。
ルゴンガス、窒素ガス等のほか、水素ガスのごとき還元
性ガスあるいは真空雰囲気を、ターゲット材及び冷却板
の材質に応じて適宜選定するとよい。
また、上記手段のほか、一体化する両者を接触加圧しな
がら相対的に回転させて、摩擦熱により接合する方法、
所Ｍ燗発圧接、超音波圧接、高周波圧接あるいは通電加
熱を利用する圧接等の手段を、ターゲット材及び冷却板
材質や形状に応じて、適宜採用することができる。
がら相対的に回転させて、摩擦熱により接合する方法、
所Ｍ燗発圧接、超音波圧接、高周波圧接あるいは通電加
熱を利用する圧接等の手段を、ターゲット材及び冷却板
材質や形状に応じて、適宜採用することができる。
また、ターゲット材と冷却板の材質組み合せによっては
、直接に拡散接合させると、金属間化合物を生成して強
固な接合体が得られない場合には、両者間に数ρ〜数十
Ｊ程度のインサート材を介在させて加圧する手段を用い
ることもできる。この場合、インサート材を使用しない
接合と比較して、熱伝導率が若干低下ケるが、従来のろ
う材やはｌυだ層を介在させたターゲット材のような接
合部の気泡発生がなく、直接的に一体接合したターゲッ
ト材とほぼ同等の冷却効率やスパッタ速度を得ることが
できる。
、直接に拡散接合させると、金属間化合物を生成して強
固な接合体が得られない場合には、両者間に数ρ〜数十
Ｊ程度のインサート材を介在させて加圧する手段を用い
ることもできる。この場合、インサート材を使用しない
接合と比較して、熱伝導率が若干低下ケるが、従来のろ
う材やはｌυだ層を介在させたターゲット材のような接
合部の気泡発生がなく、直接的に一体接合したターゲッ
ト材とほぼ同等の冷却効率やスパッタ速度を得ることが
できる。
この発明によるターゲット材は、冷却板とそれぞれを構
成する原子間の直接的な結合力により一体化しであるた
め、冷却板とボンディング材をメタルボンディングで接
着あるいは機械的に固定する間接冷却式の場合より冷却
効率が高く、また、直接冷却式と比較しても同等以上の
冷却効果が得られる。また、マグネトロン・スパッタリ
ングの場合に、直接冷却式のターゲットと比較すると、
厚みのうち冷却板相当部分には安価な材料が使用でき、
エロージョン領域も相対的に増大する利点がある。さら
に、メタルボンディングにて接着したターゲット材と比
較して、製作工程が少なく容易にかつ安価に製造できる
利点がある。
成する原子間の直接的な結合力により一体化しであるた
め、冷却板とボンディング材をメタルボンディングで接
着あるいは機械的に固定する間接冷却式の場合より冷却
効率が高く、また、直接冷却式と比較しても同等以上の
冷却効果が得られる。また、マグネトロン・スパッタリ
ングの場合に、直接冷却式のターゲットと比較すると、
厚みのうち冷却板相当部分には安価な材料が使用でき、
エロージョン領域も相対的に増大する利点がある。さら
に、メタルボンディングにて接着したターゲット材と比
較して、製作工程が少なく容易にかつ安価に製造できる
利点がある。
また、マグネトロンスパッタにおいて、ターゲット材が
、コバルト、鉄あるいはパーマロイ等の強磁性体の場合
には、冷却板に非磁性材を用いることができるため、直
接冷却式のターゲット材を使用する場合に比較して、磁
束がターゲット材表面に出やすく、それだけスパッタ速
度が向上する利点がある。このように、この発明による
ターゲット材は、直接冷却式の利点と間接式の利点を合
せもつすぐれたターゲット材である。
、コバルト、鉄あるいはパーマロイ等の強磁性体の場合
には、冷却板に非磁性材を用いることができるため、直
接冷却式のターゲット材を使用する場合に比較して、磁
束がターゲット材表面に出やすく、それだけスパッタ速
度が向上する利点がある。このように、この発明による
ターゲット材は、直接冷却式の利点と間接式の利点を合
せもつすぐれたターゲット材である。
実施例
Ｘ１九上
ターゲット材に３５ｍｍ厚みの Ｃｏ−１８Ｃｒ合金板
を使用し、冷却板に３０ｍｍ厚みのステンレススチール
（ＳＵＳ ３０４）板を用い、これらを電子ビーム溶接
で仮付けし、１２００℃の高温雰囲気でロールにより圧
下し、ターゲット材部分厚み５ｍｍ、冷却根部分厚み４
ｍｍの一体化したターゲット材帯を作製し、さらに、タ
ーゲット材部分が２００帥φ、冷Ｅ板部分が２２６聴φ
の円形ターゲット材に加工した。
を使用し、冷却板に３０ｍｍ厚みのステンレススチール
（ＳＵＳ ３０４）板を用い、これらを電子ビーム溶接
で仮付けし、１２００℃の高温雰囲気でロールにより圧
下し、ターゲット材部分厚み５ｍｍ、冷却根部分厚み４
ｍｍの一体化したターゲット材帯を作製し、さらに、タ
ーゲット材部分が２００帥φ、冷Ｅ板部分が２２６聴φ
の円形ターゲット材に加工した。
また、比較のため、２００鴫φ、厚さ５ｍｍのＧｏ−１
８Ｃｒ合金からなるターゲット材を、２２６ｍｍφ×厚
み４ｍｍのステンレススチール（ＳＬＩＳ３０４）板お
よび２２６鴫φＸ厚み８ｍｌ１１の銅板に、それぞれイ
ンジウムはんだでメタルボンディングした従来の間接冷
却式ターゲットを作製した。
８Ｃｒ合金からなるターゲット材を、２２６ｍｍφ×厚
み４ｍｍのステンレススチール（ＳＬＩＳ３０４）板お
よび２２６鴫φＸ厚み８ｍｌ１１の銅板に、それぞれイ
ンジウムはんだでメタルボンディングした従来の間接冷
却式ターゲットを作製した。
３種のターゲット材を、それぞれ同じプレーナーマグネ
トロンタイプのスパッタリング装置に装着使用したとこ
ろ、ターゲット材表面温度は、この発明によるターゲッ
ト材のほうが低く、いずれの間接冷却式と比較してもタ
ーゲット材の冷却効率にすぐれていることが確認できた
。
トロンタイプのスパッタリング装置に装着使用したとこ
ろ、ターゲット材表面温度は、この発明によるターゲッ
ト材のほうが低く、いずれの間接冷却式と比較してもタ
ーゲット材の冷却効率にすぐれていることが確認できた
。
亙直鯉２
ターゲット材に３５ｍｍ厚みのパーマロイ（８ＯＮｉ−
５Ｆｌｂ−Ｆｅ合金）板を使用し、冷却板に３０ｍｍ厚
みのステンレススチール（ｓｕｓ ３０４ ）板を用
い、これらを電子ビーム溶接で仮付けし、１２００’Ｃ
の高温雰囲気でロールにより圧下し、ターゲット材部分
厚み８ｍｍ、冷却板部分厚み４Ｍの一体化したターゲッ
トシートを作製し、さらに、ターゲット材部分が２００
論φ、冷却板部分が２２６ｍｍφの円形ターゲット材に
加工した。
５Ｆｌｂ−Ｆｅ合金）板を使用し、冷却板に３０ｍｍ厚
みのステンレススチール（ｓｕｓ ３０４ ）板を用
い、これらを電子ビーム溶接で仮付けし、１２００’Ｃ
の高温雰囲気でロールにより圧下し、ターゲット材部分
厚み８ｍｍ、冷却板部分厚み４Ｍの一体化したターゲッ
トシートを作製し、さらに、ターゲット材部分が２００
論φ、冷却板部分が２２６ｍｍφの円形ターゲット材に
加工した。
また、比較のため、８ＯＮｉ ５ｈｙ Ｆｅ合金の
みで、上記ターゲット材と同形状で厚み１２ｍｍの直接
冷却型ターゲット材を作製した。
みで、上記ターゲット材と同形状で厚み１２ｍｍの直接
冷却型ターゲット材を作製した。
２種のターゲット材を、それぞれ同じプレーナーマグネ
トロンタイプのスパッタリング装置に装着使用したとこ
ろ、ターゲット材表面温度は、はぼ同じであり、さらに
、スパッタ速度は、この発明によるターゲット材のほう
が従来の直接冷却式ターゲットより約２０％向上した。
トロンタイプのスパッタリング装置に装着使用したとこ
ろ、ターゲット材表面温度は、はぼ同じであり、さらに
、スパッタ速度は、この発明によるターゲット材のほう
が従来の直接冷却式ターゲットより約２０％向上した。
工り匠１
ターゲット材に３．５晴厚みのパーマロイ（８ＯＮｉ−
５Ｍｚ−Ｆｅ合金）板を使用し、冷却板に１０ｍｍ厚み
の銅板を用い、これらを空温でロールにより圧下し、そ
の後温度が９００℃の炉にて０．５時間保持し、ターゲ
ット材部分厚み３１ｍ１、冷却板部分厚み８ｍｍの一体
化したターゲットシー］−を作製し、さらに、ターゲッ
ト材部分が２００ｍｍφ、冷却板部分が２２６ｍｍφの
円形ターゲット材に加工した。
５Ｍｚ−Ｆｅ合金）板を使用し、冷却板に１０ｍｍ厚み
の銅板を用い、これらを空温でロールにより圧下し、そ
の後温度が９００℃の炉にて０．５時間保持し、ターゲ
ット材部分厚み３１ｍ１、冷却板部分厚み８ｍｍの一体
化したターゲットシー］−を作製し、さらに、ターゲッ
ト材部分が２００ｍｍφ、冷却板部分が２２６ｍｍφの
円形ターゲット材に加工した。
また、比較のため、８ＯＮｉ −５ｔ’に＋ −Ｆｅ合
金、２００ｍｍφ×淳み３ｍｍのターゲット材を作製し
、これを２２６ｍｍφ×厚み７ｍｍの銅板の冷却板に、
機械的に固定した。
金、２００ｍｍφ×淳み３ｍｍのターゲット材を作製し
、これを２２６ｍｍφ×厚み７ｍｍの銅板の冷却板に、
機械的に固定した。
２種のターゲット材を、それぞれ同じプレーナーマグネ
トロンタイプのスパッタリング装置に装着使用したとこ
ろ、ターゲット材表面温度は、同材質で薄い冷却板を用
いた間接冷却式のターグット材より、この発明によるタ
ーゲット材のほうが低く、冷却効率にすぐれていること
が確認できた。
トロンタイプのスパッタリング装置に装着使用したとこ
ろ、ターゲット材表面温度は、同材質で薄い冷却板を用
いた間接冷却式のターグット材より、この発明によるタ
ーゲット材のほうが低く、冷却効率にすぐれていること
が確認できた。
Ｘ度鯉土
ターゲット材に２００ｍｍφ×厚み６ｍｍの７５Ｇｏ−
３Ｎｂ ７ｔｊｏ ３ＮＬ−Ｚｒ合金板を使用し、
冷却板に２２６ｍｍφＸ ８ｍｍ厚みの銅板を用い、こ
れらを冶具で機械的に固定し、真空雰囲気で、温度が９
００℃の炉にて１時間保持し、拡散により一体化し、タ
ーゲット材部分が２００＋ｍＩＩφ、冷却板部分が２２
６ｍｍφの円形ターゲット材を作製した。
３Ｎｂ ７ｔｊｏ ３ＮＬ−Ｚｒ合金板を使用し、
冷却板に２２６ｍｍφＸ ８ｍｍ厚みの銅板を用い、こ
れらを冶具で機械的に固定し、真空雰囲気で、温度が９
００℃の炉にて１時間保持し、拡散により一体化し、タ
ーゲット材部分が２００＋ｍＩＩφ、冷却板部分が２２
６ｍｍφの円形ターゲット材を作製した。
また、比較のため、７５Ｃｏ−３に−フルー ３Ｎｉ−
Ｚｒ合金、２００鴫φ×厚み６ＩＩＩＩＴｌのターゲッ
ト材を作製し、これを厚さ６ｆｆＩＩ１１の銅板の冷却
板に、インジウムはんだにて、メタルボンディングした
間接冷却型用ターゲット材を作製した。
Ｚｒ合金、２００鴫φ×厚み６ＩＩＩＩＴｌのターゲッ
ト材を作製し、これを厚さ６ｆｆＩＩ１１の銅板の冷却
板に、インジウムはんだにて、メタルボンディングした
間接冷却型用ターゲット材を作製した。
２種のターゲット材を比較ところ、この発明によるター
ゲット材のほうが冷却効率にすぐれていることが確認で
き、また、手作業工程が少なく大量に作製できるため、
従来より製造コストを３０％程度安価に作製できた。
ゲット材のほうが冷却効率にすぐれていることが確認で
き、また、手作業工程が少なく大量に作製できるため、
従来より製造コストを３０％程度安価に作製できた。
２種のターゲット材を、それぞれ同じプレーナーマグネ
トロンタイプのスパッタリング装置に装着使用したとこ
ろ、ターゲット材表面温度は、この発明によるターゲッ
ト材のほうが低く、メタルボンディングによって接合面
に発生する気泡がなく、ターゲット材の冷却効率にすぐ
れていることが確認できた。
トロンタイプのスパッタリング装置に装着使用したとこ
ろ、ターゲット材表面温度は、この発明によるターゲッ
ト材のほうが低く、メタルボンディングによって接合面
に発生する気泡がなく、ターゲット材の冷却効率にすぐ
れていることが確認できた。
Claims (1)
- １ 平板のターゲット材の裏面に冷却板を介して間接冷
却し、陰極を構成してスパッタリングを行なうスパッタ
リング用ターゲット材において、ターゲット材を構成す
る原子と冷却板を構成する原子が直接に結合することに
より、ターゲット材と冷却板が一体化されたことを特徴
とするスパッタリング用ターゲット材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25976084A JPS61136673A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | スパツタリング用タ−ゲツト材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25976084A JPS61136673A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | スパツタリング用タ−ゲツト材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61136673A true JPS61136673A (ja) | 1986-06-24 |
Family
ID=17338575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25976084A Pending JPS61136673A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | スパツタリング用タ−ゲツト材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61136673A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2685011A1 (fr) * | 1991-12-13 | 1993-06-18 | Elf Aquitaine | Procede de preparation d'un element de cible pour pulverisation cathodique et cibles, notamment de grande surface, realisees a partir de cet element. |
| US5338425A (en) * | 1991-06-28 | 1994-08-16 | Mitsubishi Materials Corporation | Target units |
| KR100348437B1 (ko) * | 1992-06-16 | 2002-10-30 | 죤슨매트히일렉트로닉스인코오퍼레이티드 | 스퍼터링타겟어셈블리의제조방법및새로운타겟어셈블리 |
| JP2003535212A (ja) * | 1998-09-11 | 2003-11-25 | トーソー エスエムディー，インク． | スパッターターゲット低温接合法とそれによって製造されるターゲットアセンブリ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57185973A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-16 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Production of target for sputtering |
-
1984
- 1984-12-07 JP JP25976084A patent/JPS61136673A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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