KR20010049969A - 클래드 중공 음극 마그네트론 스퍼터 타겟의 제조방법 - Google Patents

클래드 중공 음극 마그네트론 스퍼터 타겟의 제조방법 Download PDF

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KR20010049969A
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시카토니
램레이몬드케이.에프.
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로버트 에이. 바쎄트
프랙스에어 에스.티. 테크놀로지, 인코포레이티드
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Abstract

모놀리스 타겟보다 가볍고 및/또는 비용이 저렴한 클래드 중공 음극 마그네트론 스퍼터 타겟을 제조하는 방법이 제공된다. 스퍼터 타겟 재료판은 스퍼터 타겟 재료보다 가볍고 및/또는 비용이 저렴한 클래딩 재료 시트에 접착된다. 이 클래드 타겟 조립체는 딥 드로잉(deep drawing) 등의 의해 중공 음극 마그네트론 스퍼터 타겟으로 형성된다. 클래드 중공 음극 마그네트론은 모놀리스 타겟보다 이용도가 큰 스퍼터 타겟 재료를 제공한다.

Description

클래드 중공 음극 마그네트론 스퍼터 타겟의 제조방법{Fabrication of clad hollow cathode magnetron sputter targets}
본 발명은 반도체 장치에 박막을 물리적으로 증기 증착하는 데 사용하기 위한 중공 음극 마그네트론 스퍼터 타겟의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 산업에서는 복잡한 적용구조를 집적하기 위해서 더욱 빠르고 소형인 집적회로 칩의 필요성이 항상 존재한다. 따라서, 반도체 산업은 서브-0.25㎛ 형태(feature)을 갖는 회로 소자를 대량 생산하는 방향으로 향하고 있다. 이들 소자를 제조하기 위해서, 새로운 재료 및 제조기술을 포함하여, 제조의 모든 면에서 현저한 변경이 필요하다. 현재의 소자들과 비교하여 애스팩트 비가 증가하는 서브-0.25㎛ 형태는 현재 물리적인 증기증착(PVD) 및 금속화 기술에 해결할 현저한 문제가 되고 있다. 서브-0.25㎛ 소자의 문제를 해결하는 물리적인 증기 증착(PVD)의 새로운 발전은 중공 음극 마그네트론(HCM)이며, 이것은 반도체 소자 제조를 위한 이온화된 PVD 스퍼터 타겟 소스로서 사용하기 위한 고밀도 플라즈마 장치이다. 이온화된 PVD 응용에서 이 HCM 스퍼터링 소스는 기존의 PVD 기술에 대하여 저비용, 고성능을 갖는 다른 방안이다.
HCM 기술은 이온화된 PVD 환경에서 사용될 때, 효율적인 바이어(via) 매립을 위해 코팅되는 기판에 직각으로 지향하는 타겟 재료의 이온을 보다 효율적으로 용이하게 생산한다. 이 기술은 형태의 폭에 의해 비교적 영향을 받지 않는 매우 지향적인 증착을 제공한다. 이것은 시준기를 사용함이 없이 높은 애스팩트 비를 갖는 형태의 우수한 적용범위를 제공한다. 현재 설계된 HCM 스퍼터 타겟은 컵 모양을 갖는다. HCM은 컵 설계가 애스팩트 비가 높은 형태를 우수하게 매립할 수 있게 하기 때문에 평면 음극에 주목을 끄는 대안이다. 특정한 방위를 갖고 배열된 영구자석들은 타겟의 외벽 상에 장착되어, 타겟 영역 안쪽에 고밀도 플라즈마를 생성한다. 이러한 HCM 설계로 인하여, 증착된 중립자(neutrals)(즉, 중성 극성의 원자들)들은 이들이 고밀도 플라즈마에 의해 이온화될 때까지 재순환할 수 있게 된다. 더 긴 타겟 수명은 이러한 재순환 효과에 기인한 것이다. 그 외 HCM 이점은 다른 스퍼터링 기술보다 보호 수명이 길고, 유지관리 간격이 늘어나며 소유 비용이 현저하게 낮은 것등을 포함한다. 이러한 증착기술은 서브-0.25㎛ 소자에 대한 반도체 산업의 요구를 충족할 뿐아니라 초과한다. 구체적으로 HCM 이온화 소스 기술은 고 품질의 Ta, TaN, Cu, Ti, TiN, 및 그 외의 막들이 서브-0.25㎛의 이중 디마슨 구조물(damascene structures)에 증착될 수 있게 한다.
일반적으로 HCM 타겟은 타겟 재료의 빌릿(billet)을 주조하고 그 다음 단조나 딥 드로잉 등의 공지의 금속 성형기술로 빌릿을, 특별하게 설계된 HCM 타겟으로 성형함으로써 모놀리스 타겟으로서 제조되었다. 이어서, 성형된 타겟은 최종의 크기로 가공된다. 일반적으로 타겟 재료는 매우 고가이고 무겁다. 산업 요구를 충족하기 위해서 타겟 크기가 계속 증가함에 따라, 모놀리스 타겟은 더욱 비싸지고 무거워지며 다루기가 더 어렵게 되었다.
더구나, 스퍼터 타겟 표면으로부터 입자들의 침식은 "레이스트랙(racetrack) 영역"이라고 불리우는 비교적 좁은 고리형상의 영역에서 일어난다. 타겟을 교체해야 하기 전에는 레이스트랙 영역 내의 총 타겟 재료의 일부만이 소비된다. 모놀리스 HCM 스퍼터 타겟에 있어서는 통상 사용가능 타겟 재료의 25% 미만의 재료만이 레이스트랙 영역 내에 있고, 그에 따라 실제로 스퍼터된다. 비싸면서 사용가능한 잔여 타겟 재료의 많은 양이 폐기되거나 재순환되어야 한다.
그러므로, 증가되는 타겟 크기에 대한 계속적인 필요성을 충족하기 위해서 저렴하고 경량인 HCM 타겟을 제조하는 방법을 개발하고, 더욱이 이용도가 높은 스퍼터 타겟 재료로 된 타겟을 개발할 필요성이 있다.
본 발명은 바람직하게는 스퍼터 타겟 재료판에 접착되고 가볍고 및/또는 저렴하면서 순도가 낮은 클래딩 재료 시트를 갖는 클래드 HCM 스퍼터 타겟을 제공하며, 스퍼터 타겟 재료는 양호하게는 미세하고 균일한 미세구조를 갖는다. 이 클래드 HCM 스퍼터 타겟은 모놀리스 HCM 스터퍼 타겟보다 가볍고 및/또는 비용이 저렴하며 이용도가 더욱 큰 스퍼터 타겟 재료를 제공한다. 이를 위해서 본 발명의 원리에 따라서, 스퍼터 타겟 재료는 압착 및/또는 롤링 등에 의해 판으로 형성되어서, 양호하게는 열처리되어 미세하고 균일한 미세구조를 더욱 발전시킨다. 이어서 이 타겟 재료판은 가볍고 및/또는 저렴한 클래딩 재료 시트에, 확산접착, 폭발접착, 마찰용접, 에폭시 접착, 솔더링 혹은 납땜 등에 의해 접착되어, 동일한 크기의 모놀리스 스퍼터 타겟보다 가볍고 및/또는 저렴한 클래드 타겟 조립체를 형성한다. 바람직하게는, 접착방법은 타겟재료의 미세구조가 거의 변경되지 않는 폭발접착 등의 방법이다.
이어서 클래드 타겟 조립체는 딥 드로잉, 단조, 하이드로포밍, 폭발성형, 펀칭, 롤 성형, 스트레치 성형 혹은 전자기 성형 등에 의해 HCM 스퍼터 타겟으로 형성된다. HCM 스퍼터 타겟은 바람직하게는 타겟 재료의 미세구조가 현저하게 변경되지 않게 하는 딥 드로잉에 의해 형성된다. 본 발명의 클래드 HCM 스퍼터 타겟을 형성하는데 사용되는 스퍼터 타겟의 총량은 모놀리스 조립체의 경우보다 작으며, 동일한 양의 스퍼터 타겟 재료를 스퍼터링을 위한 레이스트랙 영역에서 사용할 수 있다.
비교적 저렴하고 상업용 등급 품질의 재료를 기계식 조인트, E-빔 용접, 납땝 혹은 에폭시 접착 등에 의해 HCM 스퍼터 타겟에 부착된다.
이에 따라서, 과도할 정도로 비싸거나 무겁게 되지 않고, 증가된 타겟 크기 요건을 충족시킬 수 있는 HCM 스퍼터 타겟 조립체가 제공된다. 또한 스퍼터 타겟 재료의 이용율이 증가된 HCM 스퍼터 타겟이 제공된다.
본 발명의 이들 및 다른 목적 및 잇점은 첨부한 도면 및 이의 설명으로부터 더 명백하게 될 것이다.
도 1은 본 발명의 접착단계를 도시한 사시도.
도 2는 본 발명의 클래드 타겟 조립체의 사시도.
도 3은 본 발명의 클래드 중공 음극 마크네트론 스퍼터 타겟의 단면도.
바람직하게는 미세하고 균일한 입자을 갖는 클래드 HCM 스퍼터 타겟 조립체는 스퍼터 타겟 재료판을 가볍고 및/또는 저렴한 클래딩 재료에 접착하고 클래드 조립체를 HCM 조립체로 형성하는 것을 포함하는 공정에 의해 제조된다. 클래딩 재료에 접착하기 전에 스퍼터 타겟 재료에 미세하고 균일한 미세구조가 얻어지는 경우, 스퍼터 타겟 재료를 클래딩 재료에 접착하고 클래드 조립체를 HCM 스퍼터 타겟 조립체로 형성하는 단계들은 바람직하게는 스퍼터 타겟 재료의 미세구조를 거의 변경시키기 않는 방법들로 달성된다. 접착전에 미세하고 균일한 미세구조가 아직 존재하지 않는 경우, 접착공정 자체는 미세구조를 변경하는데 사용될 수 있고, 혹은 대안으로, 형성된 HCM 스퍼터 타겟 조립체는 원하는 미세구조를 얻기 위해서 재결정화 어닐링될 수 있다.
이를 위해서, 본 발명의 원리에 따라서, 스퍼터 타겟 재료는 먼저 압착 및/또는 롤링에 의해서 혹은 임의의 다른 적합한 공지된 금속가공에 의해서 중간 어닐링으로 혹은 어닐링 없이 판으로 제조된다. 사용된 특정 타겟재료에 따라, 압착 및 롤링은 실온 혹은 상승된 온도에서 수행될 수 있다. 200mm 직경의 반도체 웨이퍼의 적용을 위해 제조된 판의 전형적인 크기는 25인치(63.5cm) x 25인치(63.5cm) x 0.3인치(0.76cm)이다. 300mm 직경의 반도체 웨이퍼의 적용에 있어서는 크기는 더욱 커질 것으로 예상된다.
스퍼터 타겟 재료는 반도체 웨이퍼로 증착될 금속, 금속 산화물, 금속 규화물 혹은 합금이며 고순도의 재료가 유리하며 99% 내지 99.99999%의 순도를 갖는 것이 바람직하다. 이들 재료는, 예를 들면, 순 금속, 합금, 규화물 및 산화탄탈륨, 티타늄, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 알루미늄, 코발트, 몰리브데늄, 은, 금, 백금, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 철, 비스무스, 게르마늄, 니오븀, 및 바라듐을 포함한다. 바람직한 규화물는 탄탈륨, 티타늄, 텅스텐, 니켈, 크롬, 코발트, 몰리브데늄, 및 백금의 규화물들을 포함한다. 예를 들면, 판은 Ta, TaN, Ti, TiN, W, AlCu 및 Cu 박막의 증착을 위해 탄탈륨, 티타늄, 텅스텐, 구리 또는 알루미늄으로부터 형성될 수 있다. 이들 스퍼터 타겟은 구리 상호접속을 위한 진보된 TaN/Cu 장벽/시드 공정(seed processes) 뿐아니라 알루미늄 매립 및 텅스텐 플러그용으로 Ti/TiN 라이너/장벽층의 증착과 같은 적용에 사용될 수 있다.
도 1 및 도 2에서, 스퍼터 타겟 재료판(10)을 클래딩 재료 시트(12)에 접착시켜 클래드 타겟 조립체(14)를 형성한다. 클래딩 재료는 바람직하게는 구리, 알루미늄 혹은 티타늄 등의 경량의 재료이며, 및/또는 순도가 낮은 재료인 상업용 등급 품질 등의 스퍼터 타겟 재료에 사용되는 것보다 비용이 저렴한 재료이다. 클래딩 재료는 바람직하게는 타겟 스퍼터 표면(16)에서 발생되는 열이 빠르게 발산되도록 양호한 열도전체로 구성된다. 또한, 클래딩 재료는 접착된 재료가 HCM 스퍼터 타겟의 전형인 컵형태의 구조물로 형성될 수 있게 연성 및 가요성이 있는 것이 바람직하다. 최적의 결과를 위해서, 클래딩 재료 시트(12)는 스퍼터 타겟 재료판(10)과 유사한 크기를 가져야 한다.
스퍼터 타겟 재료판(10)을 클래딩 재료 시트(12)에 접착하는데 있어서서는 임의의 많은 공지된 본딩 기술이 사용될 수 있다. 이들 기술은 확산접착, 폭발접착, 마찰 용접, 에폭시 접착, 솔더링 및 납땜을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서, 스퍼터 타겟 재료판은 미세하고 균일한 미세구조를 발전시키도록 접착전에 열처리된다. 미세하고 균일한 입자는 타겟 성능을 증가시키며 박막 균일성을 개선하는 것으로 알려져 있다. 이 실시예에서, 접착단계가 이러한 미세구조를 현저하게 변경하지 않는 것이 바람직하다. 폭발접착에서, 폭발물의 폭발로부터 발생되는 열은 스퍼터 타겟 재료 전체에 열이 전달되는데 충분하지 않은 시간동안에 발생되므로 입자 성장을 일으키는 타겟재료 내에서 뚜렷하게 온도가 증가하지 않는다. 이에 따라, 폭발접착 기술은 사전 열처리에 의해 형성된 스퍼터 타겟 재료의 미세구조를 크게 변경시키지 않고 스퍼터 타겟판(10)을 클래딩 시트(12)에 접착시킬 수 있다. 마찰용접에서, 스퍼터 타겟재료판(10)은 클래딩 시트(12)에 대해 가압되어 고압력에 의해 회전되어 계면(18)에서 열과 마찰을 발생시켜 재료들을 함께 녹인다. 클래드 타겟 조립체(14)의 계면(18)의 영역에서 미세구조에 어떤 변화가 있더라도, 미세구조 변화는 일반적으로 스퍼터 타겟 재료의 두께 전체에 영향을 미치지 않는다. 따라서, 접착전에 미세하고 균일한 입자 구조가 타겟재료 내에서 달성된 경우, 폭발접착 및 마찰 용접은 클래딩 시트(12)에 타겟재료판(10)을 접착시키는데 바람직한 방법이다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 스퍼터 타겟 재료판은 클래딩 재료에 접착하기 전에는 열처리되지 않는다. 그보다는, 접착공정을 통해서 미세하고 균일한 미세구조가 얻어진다. 예를 들면, 확산접착에서, 고온이 사용되는데, 이것은 접착되는 재료들의 미세구조를 변경한다. 이에 따라 타겟재료를 클래딩 재료에 동시에 접착하면서 미세하고 균일한 입자를 얻을 수 있도록 스퍼터 타겟재료를 변경하기 위해서 접착공정의 온도 및 지속 기간이 설계될 수 있다.
도 3에서, 이 클래드 타겟 조립체(14)는 적합한 금속 가공에 의해 근사 망형상(near net-shaped)의 HCM 스퍼터 타겟(20)으로 형성된다. 근사 망형상이란 스퍼터 타겟(20)이 원하는 최종의 크기를 달성하는데 필요한 단지 최소한의 최종 가공으로 최종의 모양에 가까운 것을 의미한다. 적합한 금속가공은 딥 드로잉, 단조, 하이드로포밍, 폭발성형, 펀칭, 롤 성형, 스트레치 성형 및 전자기 성형을 포함한다. 접착전에 스퍼터 타겟 재료판을 열처리하거나 접착공정 자체에 의해서 스퍼터 타겟재료에 미세하고 균일한 미세구조가 얻어진 경우, 딥 드로잉 방법에 의해서는 스퍼터 타겟재료의 미세구조가 현저하게 변경되지 않기 때문에 이 방법이 바람직한 성형방법이다. 딥 드로잉은 미세구조가 변경되지 않는 것을 보장하기 위해 실온에서 수행될 수 있으며, 또는 재료의 유형이 그것을 필요로 한다면 상승된 온도에서 수행될 수 있다.
도 3에서, HCM 타겟(20)은 통상 스퍼터 타겟(20)을 스퍼터링 장치(미도시)에 부착하기 위한 플랜지(22)를 구비한다. 공지된 혹은 장래에 개발될 형상의 플랜지(22)는 E-빔 용착, 납땜, 에폭시 접착 혹은 기계식 고정을 포함하여 임의의 허용가능한 수단에 의해 근사 망형상인 HCM 스퍼터 타겟(20)에 부착될 수 있다. 플랜지(22)는 HCM 스퍼터 타겟(20)에 영구히 혹은 해제가능하게 부착될 수 있다. 플랜지(22)는 바람직하게는 스퍼터링 장치에 체결하는데 충분히 구조적으로 완전한, 이를테면 상업용 구리 및 티타늄 등급 등의 재료를 사용하여 구성되는 것이 바람직하다.
이어서 본 발명의 HCM 스퍼터 타겟(20)은 반도체 웨이퍼에 박막을 물리적으로 증기 증착하는데 사용하기 위해 최종의 크기로 가공될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 접착전에 열처리하거나 접척공정에 의해 스퍼터 타겟 재료에 미세하고 균일한 미세구조가 얻어진 경우, HCM 스퍼터 타겟을 재결정 어닐링하여 미세구조를 제련할 수도 있다. 이것은 플랜지를 부착하기 전이나, 최종의 가공 전 혹은 최종 가공 후에 일어날 수 있다. 여기 기술된 임의의 실시예의 원리에 따라서, 본 발명의 클래드 HCM 스퍼터 타겟은 스퍼터 타겟 재료의 미세구조가 세밀하고 균일한 입자를 포함하도록 제조될 수 있다.
본 발명의 클래드 HCM 스퍼터 타겟의 전체 크기는 종래의 모놀리스 조립체와 동일한 상태이나 본 발명에 있어서 스퍼터 타겟 재료의 이용율은 증가된다. 단지 보기는 상업적으로 정밀한 값들을 나타내고자 한 것은 아니며, 원하는 크기의 모놀리스 조립체는 스퍼터링을 위한 레이스트랙 영역 내에 사용할 수 있는 단지 5lbs.의 스퍼터 타겟 재료를 갖는, 20 lbs.의 스퍼터 타겟 재료를 포함할 수 있다. 따라서, 스퍼터 타겟 재료의 이용율은 단지 25%이다. 동일한 원하는 크기를 갖는 본 발명의 클래드 타겟 조립체에 있어서는 스퍼터링을 위해 레이스트랙 영역에서 사용할 수 있는 스퍼터 타겟 재료가 동일하게 5 lbs.인 상태에서, 7-lb. 클래딩 재료시트에 접착되는 판에 대해 단지 10lbs.의 스퍼터 타겟 재료가 사용된다. 따라서, 스퍼터 타겟 재료의 이용율은 본 발명에 의해 50%로 증가된다.
따라서 본 발명의 원리에 의해서 경량 및/또는 저렴한 클래딩 재료 시트에 접착되는 스퍼터링 재료를 포함하는 HCM 스퍼터 타겟이 제공되며, 전체 조립체는 타겟 재료의 이용율을 증가시키면서, 모놀리스 타겟 조립체보다 저렴하고 가벼운 대형 타겟 크기의 요건을 충족할 수 있다.
본 발명은 그 실시예의 기술에 의해 설명되고 실시예는 상세하게 기술되었지만, 상기 실시예는 본 발명을 한정하는 것이 아니며 첨부된 청구범위의 범주는 이러한 상세한 설명에 한정되지 않는다. 당기술에 숙련된 기술자는 다른 잇점 및 변형을 생각할 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 원리는 여기 구체적으로 열거된 것만이 아니라 어떤 원하는 재료의 스퍼터 타겟에 사용될 수 있다. 그러므로, 넓은 형태의 본 발명은 구체적인 실시예, 대표적인 장치 및 방법과 도시하여 기술된 보기로 한정되지 않는다. 따라서, 출원인의 포괄적인 발명의 범위 및 정신 내에서 상기 실시예로부터 다양하게 변형될 수 있다.

Claims (10)

  1. 스퍼터 타겟 재료판을 클래딩 재료 시트에 접착하여 클래드 타겟 조립체를 형성하는 단계; 및
    금속 가공기술로 상기 클래드 타겟 조립체를 중공 음극 마그네트론 스퍼터 타겟으로 형성하는 단계를 포함하는 HCM 스퍼터 타겟의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스퍼터 타겟 재료는 탄탈륨, 티타늄, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 알루미늄, 코발트, 몰리브데늄, 은, 금, 백금, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 철, 비스무스, 게르마늄, 니오븀, 바나듐, 이들의 산화물, 이들의 합금 및 이들의 규화물로 구성되는 그룹에서 선택되며;
    상기 접착단계는 확산접착, 폭발접착, 마찰용접, 에폭시 접착, 솔더링 및 납땜으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 공정을 포함하며,
    상기 형성단계는 딥 드로잉, 단조, 하이드로포밍, 폭발성형, 펀칭, 롤 성형, 스트레치 성형, 및 전자기 성형으로 구성된 그룹에서 선택된 공정을 포함하며,
    프레싱, 열간 프레싱, 냉간 롤링, 열간 롤링 및 이들의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 금속 가공기술에 의해 상기 스퍼터 타겟 재료를 판으로 형성하는 단계를 더 포함하는 HCM 스퍼터 타겟의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 접착공정 전에 상기 스퍼터 타겟 재료판을 열처리하여 미세하고 균일한 미세구조를 현상하는 단계를 더 포함하는 HCM 스퍼터 타겟의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 접착단계는 상기 스퍼터 타겟 재료의 미세구조를 미세하고 균일한 입자 구조로 변경하는 HCM 스퍼터 타겟의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 플랜지를 상기 중공 음극 마그네트론 스퍼터 타겟에 부착하는 단계를 더 포함하는 HCM 스퍼터 타겟의 제조방법.
  6. 스퍼터 타겟 재료판을 열처리하여 미세하고 균일한 미세구조를 현상하는 단계;
    상기 판을 클래딩 재료 시트에 접착하여 클래드 타겟 조립체를 형성함으로써, 상기 접착단계는 상기 열처리 단계에 의해 얻어진 상기 스퍼터 타겟 재료의 미세구조를 크게 변경하지 않는 단계;
    금속 가공기술로 상기 클래드 타겟 조립체를 중공 음극 마그네트론 스퍼터 타겟으로 형성하는 단계; 및
    플랜지를 상기 중공 음극 마그네트론 스퍼터 타겟에 부착하는 단계를 포함하는 HCM 스퍼터 타겟의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 스퍼터 타겟 재료는 탄탈륨, 티타늄, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 알루미늄, 코발트, 몰리브데늄, 은, 금, 백금, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 철, 비스무스, 게르마늄, 니오븀, 바나듐, 이들의 산화물, 이들의 합금 및 이들의 규화물로 구성되는 그룹에서 선택되며;
    상기 형성단계는 딥 드로잉, 단조, 하이드로포밍, 폭발성형, 펀칭, 롤 성형, 스트레치 성형, 및 전자기 성형으로 구성된 그룹에서 선택된 공정을 포함하며,
    프레싱, 열간 프레싱, 냉간 롤링, 열간 롤링 및 이들의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 금속 가공기술에 의해 상기 스퍼터 타겟 재료를 판으로 형성하는 단계를 더 포함하는 HCM 스퍼터 타겟의 제조방법.
  8. 스퍼터 타겟 재료판을 열처리하여 미세하고 균일한 미세구조를 현상하는 단계;
    상기 판을 클래딩 재료 시트에 폭발접착하여 클래드 타겟 조립체를 형성함으로써, 상기 접착단계는 상기 열처리 단계에 의해 얻어진 상기 스퍼터 타겟 재료의 미세구조를 크게 변경하지 않는 단계;
    상기 클래드 타겟 조립체를 중공 음극 마그네트론 스퍼터 타겟으로 딥 드로잉함으로써, 스퍼터 타겟 재료의 미세구조가 실질적으로 변경되지 않는 단계를 포함하는 HCM 스퍼터 타겟의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 스퍼터 타겟 재료는 탄탈륨, 티타늄, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 알루미늄, 코발트, 몰리브데늄, 은, 금, 백금, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 철, 비스무스, 게르마늄, 니오븀, 바나듐, 이들의 산화물, 이들의 합금 및 이들의 규화물로 구성되는 그룹에서 선택되며;
    프레싱, 열간 프레싱, 냉간 롤링, 열간 롤링 및 이들의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 금속 가공기술에 의해 상기 스퍼터 타겟 재료를 판으로 형성하는 단계를 더 포함하는 HCM 스퍼터 타겟의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 플랜지를 상기 중공 음극 마그네트론 스퍼터 타겟에 부착하는 단계를 더 포함하는 HCM 스퍼터 타겟의 제조방법.
KR1020000044790A 1999-08-03 2000-08-02 클래드 중공 음극 마그네트론 스퍼터 타겟의 제조방법 KR20010049969A (ko)

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