TWI280369B - Probe and method of manufacturing the same - Google Patents

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1280369 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於探針及其製造方法，例如，進 圓之電氣性特性檢查時所使用之探針及其 a be 【先前技術】 、、。方法。 例如，為了進行形成於半導體晶圓上之 及ϋ輯雷&莖τη Β μ ^ 數5己憶體電路 及U電路紙片之電氣特性檢查，作為接觸 使用特開2GGG-055936號公報所記載之探針卡。此0 在檢查時於晶圓之電極片接觸時，將扮演實驗^之測試 益與ID晶片間進行送收檢查信號之橋㈣角色。 此”卡，例如，擁有對應形成於1(：晶片上多 片之多數的探針’並使各探針與各電極片進行個別的電哭 性接觸’檢查心片。探針包含接觸電極片之頂部，及二 性部材所構成之懸臂。 圖6A〜圖嶋顯示探針之製造步驟，圖7係顯示，圖6A〜 圖6H之製造步驟所形成之探針的外觀立體圖。接著，參照 圖6A〜圖6H及圖7，說明以往的探針。 、 於圖6A所顯示切基板1之表面，形成如圖6B所顯示之 矽氧化膜2之纟於其表面形成光阻膜藉由不圖示之光 罩進行曝Μ後’進行光卩頌3之_處理，並於光阻膜3 形成四角形之開口溝4。去除開口4之_氧化膜2之後，於石夕 基板U U H屋式餘刻，形成如圖所示之反四角錐台 狀的溝5 (k後如圖6D所示，去除光阻膜3及石夕氧化膜2。 再者如圖6E所不，於矽基板i之表面全體，形成作為鍍 105942.doc 1280369 敷種子之鈦膜6。接著，藉由微影技術， aa a k 了相當於懸臂8

的部分及相當於溝5的部分之外，如圖6F 7 ^ 所不般形成犧牲層 ’接者’圖6G所示，除了相當於犧牲層7的部分之外，在 相當於懸臂8的部分及相當於溝5的部分， 叼1刀例如藉由鍍敷堆 積鎳合金，並如圖6H所示去除犧牲層7, 〜成彳衣針之頂部的 反四角錐台9及懸臂8。 如圖6Α〜圖6Η所示之製造步驟所形成 取又铼針，其懸臂8的 邛勿係如圖7所示的直方體形狀，例 ⑺郭長度L係200〜5〇〇 μπι、寬度w係60〜150 μπι、厚度丁係10〜2〇 μηι<大小，而反 四角錐台9之頂部高度Η係50〜100 μηι、前端部之平面部分 的寬度Wt係1〇±2 μπι左右的大小。 又’近年來1C晶片之積體度日趨升高，電極片的數量也 在增加，同時電極片的配置間隔也越顯縮小。因此，若探 針不縮小寬度’將接觸鄰設之電極片，並無法對應電極片 之間隔。但是，如圖7所示之作為探針頂部的反四角錐台9, 若欲縮小其寬度，將使其高度降低。 亦即，如圖6C所示，反四角錐台9係藉由於溝5進行異方 性湮式蝕刻而形成，若縮小溝5 ^ ^ 將使溝5的深度變淺， 若將溝5的深度加深，也 也而將仅擴大，而頂部之徑也擴大， 热法對應電極片之間隔縮小。 〃 二及：：角錐台9的高度較低的情形中，懸臂8將接觸 片等問題件^產生反四角錐台9無法適當接觸電極 片寻通再者’若反四角錐台9的古厗# & 劈+ 角，的回度較低，亦可能使懸 I 8 、脫亚接觸電極片。 105942.doc 1280369 【發明内容】 :二本發明之目標，在於提供可確實接觸 排列之電極片的探針及其製造方法。 月之特敛為，於具備被探針基板懸臂支撐之樑部、 及自此樑部之前端部站立延伸的接觸子之探針中，若將與 1· ί5的連接處之接觸子的基部尺寸作為W、而基部至頂點 的接觸子高度尺寸作為Η之時，將成立Η/·之尺寸關係。 立將自接觸子基部至頂部的高度，設定為基部之寬度的2 倍以上，可使接觸子不接觸其他元件，並可確實接觸以狹 窄間隔排列的電極片。 理想的是，接觸子具備，自基部站立延伸的柱狀部、及 可從柱狀部前端錐狀延伸的頂部，而柱狀部的高度比錐狀 頂部的南度大。 理想的是，柱狀部之全體高度皆具備相同大小之橫剖面 形狀。藉由形成相同橫剖面形狀，可於相同的蝕刻步驟形 成柱狀部，並可簡略化製造步驟。 理想的是，柱狀部具備，位於基部側並具備相對較大之 寬度尺寸的大徑部、及位於前端部並具備相對較小之寬度 尺寸的小徑部。因在小徑部之前端形成頂部，可進—步^ 小頂部徑。 理想的是，柱狀部之前端部與錐狀部的基部，具備相同 大小的橫剖面形狀。形成相同橫剖面形狀可較容易製造。 理想的是，接觸子之基部寬度尺寸〜係1〇〇 μιη以下。 本發明之另一樣態係具備對基板主表面進行異方性乾式 105942.doc 1280369 虫刻並形成桎狀溝之步驟 澄式姓刻並形成· 的底部進行異方性 金屬形成探針之接觸子的步驟。 I、柱狀溝埋入 採:上^造步驟可更容易進行探針製造。 係：:：二基板擁有將第1基板材料層及第2基板材料層 於第1A板材二率之邊界層而積層的結構，柱狀溝係形成 使用不狀溝係形成於第2基板材料層。藉由 性乾式^之邊界層’可防止於第1基板材料進行異方 ㈣^ ，於第2基板材料亦被進行同樣的異方性乾式 用理想的是’邊界層於形成柱狀溝時將發揮阻止韻刻的作 理想的是’形成接觸子 + 錐狀溝底部形3，於柱狀溝之側璧及 理… 種子’隨後於此種子上堆積金屬。 方Γ 形成柱狀溝之步驟包含對基板主表面進行里 方性乾式㈣並形成相對較 ;; 柱狀溝之底邱針s 狀溝，及對大徑 柱狀溝/ U性乾式餘刻形成相對較小徑的小徑 ' 再〃備對連接小徑柱狀溝之側璧與大徑柱狀 溝的側壁部分，進行里 仅錄 仃異方性乾式餘刻並形成錐狀斜面之步 驟0 於本發明中，將自桩 部之寬度的2倍以上，可使接^至頂部的高度’設定為基 … 了使接觸子不接觸其他元件，並可確 貫接觸以狹窄間隔排列的電極片。且，就算電極片以狹窄 105942.doc 1280369 間隔並排列多數列，可對應其排列將探針排列於探針卡， 可提南排列的自由度。再者，就算樑部鬆脫，因將接觸子 的雨度設定較高，可防止樑部接觸電極片等。 【實施方式】 圖！係顯示本發明之—種實施型態中的探針外觀立體 圖，圖Μ及圖2B擴大顯示圖丨所示之探針，其中，圖2八係 柱狀部及頂部的正面圖，圖2Β從下方觀看頂部之圖。 於中’探針20包含作為樑部之懸臂21 ,及作為從懸臂 21之前端部站立延伸的接觸子之柱狀㈣及頂部23。柱狀 部22係形成於被探針基板懸臂支撐之懸臂以之一端，而柱 狀部U之前端形成頂部23。柱狀部22如圖2α所顯示，其高 度hi係數十〜數百_，更理想的是成形於5g〜㈣，而作 為懸臂2!之連接部分的柱狀部22之基部寬度％係數十 μπι，更理想的是成形於大約5〇4111之四角柱形狀。 頂部23成形為’其高度h2在大約30 μηι之反四角錐台形 ^亦即柱狀部22的南度h 1將成形為比頂部23之高度h2 高，而被選為柱狀部22及頂部23之高度hl+h2=H，於寬度W 相lx之下’將成立H/Wg 2之尺寸關係。再者，柱狀部u之 橫剖面積與頂部23之柱狀部22的連接部分之橫剖面積，係 成形為幾乎等同之大小。 頂部23係成形為錐狀，而其前端部如圖2β所示，具備— 邊力1 〇 μηι之四角形狀的平坦面。此平坦面成形為，使頂部 接觸於電極片時增加接觸面積，而降低電阻成分，使電 流較容易流通之形狀。 105942.doc 1280369 如此將頂部23之徑縮小，就算電極片的間隔縮小，頂部 23不將接觸鄰設片。且，將頂部23藉由柱狀部22自懸臂 加咼，就算頂部23之反四角錐台之徑縮小，而頂部23的高 度h2較低，也能避免懸臂21鬆脫而接觸電極片之危險性P 因此，根據此實施型態之探針，其結構較簡單，並可一 邊縮小接觸子的寬度W提升高度^+^，就算電極片以狹窄 的間隔排列多數列，亦可對應其排列而排列於探針卡，可 提而排列的自由度。 > 又，圖丨所示之柱狀部22雖係成形為四角柱形狀，而頂部 23亦雖成形為反四角錐台裝’但不限於此’亦可將柱狀部 22形成為圓柱狀、三角柱狀、多角柱狀。又，頂部η可對 應柱狀部22之形狀’成形為反圓錐台狀、反三角錐台狀、 反多角錐台狀。 圖3A〜圖3E係顯示柱狀部之各種例的橫剖面圖。圖从係 將柱狀部22成形為四角柱之例子，寬度靠最長之對角線 的長度’而圖3B係將柱狀部22成形為三角柱，寬度係最長 之一邊的長度。圖3C係將柱狀部22成形為多角柱，寬产二 係最長之對角線的長度。圖3D係將柱狀部22成形為其❹ 係長方形之四角柱’寬度W係最長之對角線的長度。圖3E 係將柱狀部22成形為圓柱，寬度w為徑。 為！圖：係顯示’如圖1所示之探針2°之製造步驟。作 積層的，擁有2㈣二不同㈣率之邊界層而 料…H 材料。介由於第1層的基板材 表面進行異方性乾式敍刻，將形成相當於柱狀部22 I05942.doc 1280369 之四角柱溝’介由於第2層的基板材料進行異方性濕式蝕 刻’將形成相當於反四角錐台之頂部23的溝。於經過如此 步騍所形成之溝中進行鍍敷，形成柱狀部22及頂部23。作 為基板，將事先於矽層上下形成矽氧化膜之基板材料，及 僅在矽層上面形成矽氧化膜之基板材料，此兩者貼合使用。 右更具體的說明，就如圖4A所示，作為第丨層之基板材料 的矽基板31上形成NSG(non doped silicon氧化膜）膜32，而 與此矽基板3 1 ’及作為第2層之基板材料的矽基板3 3之間， 以CVD法形成埋入絕緣層34並作為不同蝕刻率之邊界層。 埋入絕緣層34，矽於矽基板31進行異方性乾式蝕刻時發揮 阻止蝕刻之作用，一般將使用石夕氧化膜，但亦可取代氧化 膜而使用矽氮化膜。NSG膜32上將形成光阻膜35，介由光 罩曝光之後，進行光阻膜35之顯影處理，於光阻膜35形成 四角形的開口部，隨後進行異方性乾式蝕刻於NSG膜32形 成開口部36，並如圖4B所示，以往開口部％下方的樣態於 矽基板31形成深柱狀溝36a，並露出埋入絕緣層34之表面。 再者，如圖4C所示，於柱狀溝36a之下部的埋入絕緣層34 進行乾式|虫刻而露出；g夕基板3 3之表面，並於去除光阻膜3 5 之後，如圖4D所示，於基板表面及柱狀溝36a之側璧及底部 之王脰幵^/成氧化膜37。此時，如圖4C所示之NSG膜32將被 涵蓋在氧化膜37，因此，與柱狀溝36&之側璧相較之下，柱 狀溝36a之開口部上面的氧化膜37之厚度較厚。 女圖4E所示，介由CVD法於矽基板37上之氧化膜37形成 厚度較厚，而在柱狀溝36a之底部形成厚度較薄之^^8(}膜 105942.doc 12 1280369 38接著，如圖4F所示般進行異方性乾式餘％，柱狀溝^ 之側土的氧化膜37會變薄，但底部上的氧化膜37將被去除 而路出石夕基板33。再者，如圖4G所示，使用KOH水溶液於 矽基板33進行異方性濕式蝕刻，藉此於柱狀溝之底部的 矽基板33形成反四角錐台之錐狀溝36b。 如圖4H所示，使用CVD法並以氧化鈦或氧化銅，於氧化 膜37上、及柱狀溝36a之側壁、反四角錐台的錐狀溝之 底部形成鍍敷種子39。再者，如圖41所示，除了相當於懸 臂21的部分，將於艘敷種子39上藉由微影技術形成光阻 4〇，並如圖4J所示，在光阻4〇所圍繞之區域及柱狀溝36&及 錐狀溝36b堆積，例如鎳合金41，並從矽基板3丨、33取下而 如圖4F所示，可形成具備懸臂21、柱狀部22及頂部23之探 針20 ° 如上所述，根據此實施型態，藉由異方性乾式蝕刻，形 成相當於柱狀部22之柱狀溝36a，藉由異方性濕式蝕刻，形 成相當於頂部23之錐狀溝36b，並將這些柱狀溝36a及錐狀 溝36b埋入金屬，可形成結構較簡單的探針2〇。 又，於圖4A至圖4K所顯示之實施型態中，雖將柱狀部22 及頂部23以同一步驟形成，但亦可將頂部23於其他的犧牲 基板形成，隨後黏著至柱狀部22。 圖5 Α〜圖5Κ係顯示本發明之其他型態的探針製造步驟之 圖。此實施型態，是讓柱狀部22能具備大徑柱狀溝及小徑 柱狀溝而形成段差部。 於圖5A當中，矽基板3丨及矽基板33之間，形成埋入絕緣 105942.doc -13- 1280369 層34，如圖5B所示，於矽基板31上藉由CVD法形成NSG膜 32。於NSG膜32形成光阻膜35之後，藉由光罩曝光將光阻 膜35進行顯影處理，並於光阻膜35形成四角形的開口部， 進行異方f生乾式蝕刻，並如圖％所示，於^^§(3膜32形成四 角形的開口部36。如圖5D所示，於開口部36上，除了比開 口部36的寬度狹窄之小徑部的柱狀溝*之外，％成光阻膜 35，並於矽基板μ進行異方性乾式蝕刻，形成擁有矽基板 31之大約一半的深度之柱狀溝36c。 接著去除光阻膜35，並如圖5E所示，以NSG膜32為罩 蓋，進仃異方性乾式蝕刻擴大柱狀溝36c之寬度及深度。結 果，將形成於大徑部的柱狀溝36d及其下部小徑部的柱狀溝 36e的2段溝。如圖5F所示，藉由異方性乾式蝕刻，去除柱 狀溝36e下部之埋入絕緣層34,並如圖5G所示，於矽基板η 之柱狀溝3 6 d的開口部上面及側壁、底部之全體形成氧化膜 37。此時，如圖5F所示之1^3(3膜32將被氧化膜”所涵蓋， 因此，柱狀溝36d之開口部上面的氧化膜37厚度將變厚。再 者，如圖5H所不，藉由CVD法於氧化膜37上形成NSG膜38。 此時，NSG膜38將成形為大徑部的柱狀溝36d之開口部周圍 厚度較厚，而小徑部的柱狀溝36e之底部較薄。 如圖51所示，進行異方性乾式蝕刻，NSG膜38將被去除， 同時氧化膜37中之柱狀溝36d的底部，及柱狀溝36e的底部 亦被去除。如圖5J所示，使用K〇H水溶液於矽基板31、33 進行異方性濕式蝕刻，藉此於矽基板31之小徑部的柱狀溝 36e之側壁，形成上部相當於柱狀溝36d的寬度，下部將成 I05942.doc . 1280369 為柱狀溝36e的寬度之斜面42,並且於矽基板33形成反四角 錐台的錐狀溝36f。大徑部的柱狀溝364與其下部的斜面 42 ’係相當於擁有撗剖面積不同之段差部的柱狀部22&，而 錐狀溝36f係對應頂部23a。 以下，與圖4H〜圖4K相同的步驟，例如將鎳合金堆積於 柱狀溝36d、錐狀溝36f，可將如圖5K所示，形成懸臂21、 柱狀部22a、及連結柱狀部22a之頂部23a。

於本貫施型悲§中，於柱狀部22a形成橫剖面積不同的段 差部，並頂部23a形成為自段差部連結的形態，可將頂部23a 的前端部更尖細化，因此可正確且確實將頂部23a接觸於電 極片。 以上，參關式說明本發明之實施型態，但本發明不將 限定於圖式之實施型態。關於圖式之實施形態，於本發明 之同-範圍内或均等範圍内，可進行種種修正或變形。 [產業上的利用可能性] 本發明之探針，藉由於柱部的前端部形成頂部，可對應 ，形於1C晶片上之多數的電極片而利用於擁有多數探針之 探針卡。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明之一種實施型能中夕柯& 心中之奴針的外觀立體圖。 圖2Α係擴大顯示圖丨所示之| 休針亚係柱狀部及頂部的j 面之圖。 圖2 B係擴大顯示圖1戶斤示之搜斜 丁之彳木針，亚係從下方觀看頂部^ 園 〇 105942.doc izoujoy 圖3A係顯示將探針 圖3B係顯示將探針之例。 圖3<:係顯示將探針 a ,為二角形之例。 圖3D係顯示將探針頂部=多角形之例。 圖3E係顯示將探針τ^Μιΐτ/成為長方形之例。 圖4Α係顯示圖丄所°形成為圓形之例。 配設於中間的石夕臭柄μ針製造步驟’並於將埋入絕緣層 成咖膜及光阻膜。 柱狀溝之圖。 t針製造步驟’並於矽基板上形成 圖40係顯示圖1所示之 絕緣層進行造步驟’並對柱狀溝之埋入 x而路出矽基板表面之圖。 圖4D係顯示圖1所示 化膜之圖。 未針製造步驟，並於柱狀溝形成氧 圖4E係顯示圖！所示之 成贈膜之圖。 -針i造步驟，並於柱狀部底部形 圖4F係顯示圖！所示 之石夕基板之圖。 &針製造㈣，並露出柱狀部底部 圖4G係顯示圖1所示 形成錐狀溝之圖。、針製造步驟’並於柱狀部之底部 圖4H係顯示…所示之探針製造步驟，並於㈣部 錐狀溝形成鍍敷種子之圖。 氏 圖41係顯示圖1所示之探針製造步驟，並於鍵敷種子切 成光阻之圖。 & 圖_顯示圖1所示之探針製造步驟，並於柱狀溝及錐狀 I05942.doc * 16 - 1280369 溝堆積鎳合金之圖。 圖4K係顯示’具有圖4A〜圖4J所顯示之步驟 臂及柱狀部與頂部之探針的外觀立體圖。 的懸 圖5Μ系顯示，本發明之其他實施型態中的 驟’並於矽基板之間形成埋入絕緣層之圖。 ^步 圖5Β係顯示’本發明之其他實施型態，的探 驟，並於矽基板上形成NSC}膜之圖。 步

圖5C係顯示’本發明之其他實施型態令的 驟’並於光阻膜及NSG膜形成開口部之圖。 Α步 圖5D係顯示，本發明之其他實施型態中 驟，並於矽基板形成柱狀溝之圖。 ；造步 圖5E係顯示，本發明之其他實施型態中 驟’並擴大柱狀溝之寬度及深度之圖。 “十製造步 圖5F係顯不，本發明之其他實施型態中的探 ％ 驟，並去除柱狀溝下部的埋入絕緣層之圖。 ^ W步 圖5G係顯示，本發明之其他實施型態中的探針 心並於柱狀溝之開口部上面及側壁與底部形:^ 圖。 V战虱化膜之 團〕W係顯示，本發 驟’並於氧化膜形成NSG膜之圖。 圖51係顯示，本發明之其他實施型態中 驟，並去除大柱狀溝及小柱狀溝之底部 化:針製造步 同ς τ及曰 」代化Μ之圖。 Ν 5 J仏顯示，本發明之其他實施型態中 驟，並於小柱狀溝之側壁形成斜面 开:針製造步 & 4形成錐狀溝之 105942.doc Ι28Ό369 圖。 圖〈係I員不，於圖5A〜圖5J之步驟所形成之懸臂及柱狀 部與頂部之圖。 ®6A係_示以往的探針製造步驟，並係、顯示石夕基板之圖。 广B係顯示以往的探針製造步驟，並於矽基板上形成矽 氧化膜及光阻膜之圖。 圖6C係顯示以往的探針製造步驟，並於矽基板形成反四 角錐台形狀溝之圖。 圖6D係顯示以往的探針製造梦驟，並自矽基板去除光阻 膜及矽氧化膜之圖。 圖6E係顯示以往的探針製造步驟，並於矽基板上形成鈦 膜之圖。 圖6F係顯示以往的探針製造梦驟，並於鈦膜上形成犧牲 層之圖。 圖6G係顯示以往的探針製造步驟，並顯示相當於懸臂之 部分及於溝堆積錢敷之圖。 圖6H係顯示以往的探針製造少驟，並去除犧牲層之圖。 圖7係顯示圖6所示之製造步驟所形成的探針之外觀立體 圖。 【主要元件符號說明】 1 矽基板 2 矽氧化膜 3 光阻膜 4 開口溝 105942.doc 1280369 5 溝 6 鈦膜 7 犧牲層 8 懸臂 9 反四角錐台 22a 柱狀部 23 頂部 23 23a 24 25 31 32

探針 頂部 懸臂 柱狀部 $夕基板 NSG膜 33 矽基板 34 埋入絕緣層 35 36 36a 3 6 b 36c 36d 36e 36f 37

光阻膜 開口部 柱狀溝 反四角錐台之錐狀溝 柱狀溝 柱狀溝 柱狀溝 錐狀溝 氧化膜 105942.doc -19- 1280369 38 NSG膜 39 鍍敷種子 40 光阻 41 鎳合金 42 斜面 hi 柱狀部22之高度 h2 頂部23之高度 H h 1 +h2 W 寬度 I05942.doc -20-

Claims (1)

1280369 十、申請專利範圍： 1· -種^針，具備懸#支撐於探針基板之樑部、及自此桿 部之前端部站立延伸的接觸子，其特徵為：將與上述樑 部的連接處之上述接觸子的基部寬度尺寸作為w、而基部 至頂點的接觸子高度尺寸作為a丰，^ + J TF马Η之日f，將成立H/w2 2之 尺寸關係。 一 項之探針，其中上述接觸子具備自前 2Γ立延伸的柱狀部、及可從前述柱狀部前端錐狀 頂部’而前述柱狀部的高度比前述錐狀頂部的高 度大者。 3 ·如申請專利範圍第2項之摈斜甘 卢皆呈借… 其中上述柱狀部之全體高 度白具備相同大小之橫剖面形狀者。 4·如申請專利範圍第2項之探斜甘士 、， 叶，其中上述柱狀部具備··位 於基部側亚具備相對較大 ^ , 見度尺寸的大徑部、及位於 刚j而部並具備相對較小 、 <見度尺寸的小徑部者。 5·如中請專利範圍第2項之探斜甘+ ， 盥上if雜 、’，^、中上述柱狀部之前端部 〃上述錐狀部的基部，具 r L ^ ^ 同大小的橫剖面形狀者。 • σ申#專利範圍第1項之探針 寸W係⑽_以下者。 /、中接觸子之基部寬度尺 7· 一種探針製造方法，包含以下+峨. g 下V驟·對基板主表面i隹i- ”方性乾式蝕刻形成柱狀溝之牛 仃 仃，、方性溼式蝕刻形成錐狀 -進 盥μ H #之步驟；及於上述錐狀、、盖 與上述柱狀溝埋入金屬形成 &維狀溝 8 μό φ ^ ^ 叶之接觸子的步驟。 • 申叫專利範圍第7項之探針|g 造方法，其中前述基板擁 105942.doc 1280369 有將第1基板材料層及第2基板材料層介由不同餘刻率之 邊界層而積層的結構， 而刖述柱狀溝係形成於前述第1基板材料層， 刚述錐狀溝係形成於前述第2基板材料層者。 9. ^請ί利範圍第8項之探㈣造方法，其中前述邊界層 ;也成别述柱狀;冓時將發揮作為似彳件阻止的作。θ 1〇.如申請專利範圍第7項之探針製造方法，纟中形成前述 =子之步驟包含，於前述柱狀溝之側壁 溝 部用的種子，隨後於此種子 ：:冓底 11. 如申睛專利範圍第7項之探針 耆 狀溝之步驟包含，對前 …、中形成前述柱 刻形成相對較大徑的大徑：表面進：異方性乾式敍 之底部進行異方性乾' /及對別述大徑柱狀溝 溝者。 形成相對較小徑的小徑柱狀 12. 如申請專利範圍第u項之 具備，對連接前述仰 I Ό去’其中更進-步 的側壁之部分，進行：溝之側壁與前述大徑柱狀溝 步驟者。 、方性濕式㈣而形成錐狀斜面之 105942.doc