TWI279966B - Three-terminal, low voltage pulse width modulation controller IC - Google Patents
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A7 B7 !279966 五、發明說明(1 ) 相關申諳案之交互參考 本申請案有關於與本案於相同曰期提出申請之發明名 稱為 “CMOS Digital Pulse Width Modolation Controller” 之共同受讓且共同待審之美國專利申請案第l〇/〇99,7〇3 5 號,其所揭示之内容在此併入作為參考。 發明所屬之拮街領娀 本發明是有關於脈衝寬度調變(PWM)控制器。更 特別的是,本發明是關於三端子低電壓脈衝寬度調變 10 (PWM)控制器積體電路UC),用於提供電路例如離線 切換式電源、DC至DC增壓轉換器或馬達控制器中之切 換元件之電源控制。 先前技術 15 供低功率應用例如將使用於可攜式消費裝置例如娛樂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 單元、個人數位助理以及行動電話中之電池單元與電池充 電之低成本離線切換式電源之成本、大小以及功率消耗最 小化是令人非常期望的。欲達成此等令人期望目標之一種 方法是使用標準封裝之一或數個積體電路,不論是雙列直 20線(DIP)或二接腳式,以製成脈衝寬度調變(pwM)控 制器以控制電源切換工作週期。 PWM控制器典型地是設計以調節切換式電源之輸出 電壓。PWM切換式電源須要可變之脈衝寬度;其由將實 際輸出電壓與精確的參考電壓比較所導出之誤差信號所控 92094-發明說明 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規^71〇 χ 297公楚) 1279966 五、發明說明(2) 制。此切換㈣之脈衝寬度亦必須被限制於最大與最小之 ΐ間中=所實施之限制是用於正確之PWM之電源或馬 達驅動裔操作。 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 傳統之三接腳PWM控制器積體電路之例可見於美國 專利第5,313,38!號。雖然此習知方法在當時顯得令乂滿 意’但它有數個缺點。首先’它使用雙載子與聰技 術,並且因此添加製程複雜性。其次,它包括一在電路板 上之南壓功率切換式場效應電晶體(FET)。此高壓切換 ㈣占用晶片大約_半之面積,且所剩餘用於其他電路之 面積受到限制。因為此高壓切換FET是在晶片上,在晶片 的設計與製造中必須遵守特殊的步驟以容許在切換式=路 操作期間在晶片所出現之高壓變化。而且’此高壓切換 FET須要相當大的Ic封裝能夠符合此沿面卜代卬叫^須求 以及將熱傳導至外部散熱裝置,例如具有散熱片之τ〇_ 220三端子封裝,且具有散熱極限其終將會限制所使用習 知技術在切換式電源中所可切換功率之實際數量,不論外 部散熱之配置。此外,由於在啟始時在切換式電源之次級 (seconday)側並無可供使用之電壓,此習知技術必須在此 高壓FET結構中提供特殊低壓來源,以便獲得初級 (primary)側之啟始電壓。 因此,迄今未解決之對於低成本低電壓pWM控制器 1C之需求仍然存在,此控制器IC取決其應用而可封襞於 各種可供使用之低成本1C封裝,以克服習知技術方法之 限制與缺點。 -4- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 x 297公釐)
五、發明說明(3) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1279966 本考x明之一般目的是提供二端子低成本低電壓PWm 控制裔1C結構,以克服習知技術之限制與缺點。 本發明之另一目的是提供低電壓PWM控制器ic,用 以提供例如高壓切換電晶體之外部電流調整電路元件之源 極控制。 “、 本發明之另一目的是提供低電壓PWM控制器IC,其 不須要尚壓隔離亦不須將多餘的熱傳導至外部周圍,且其 10因此可以封裝於各種低成本塑膠封裝(包括三端子封裝) 中。 本發明之另一目的是提供切換式電源初級側結構,其 被設計以有效地使用本發明之低電壓pWM控制器IC。 本發明之另一目的是提供晶片上啟始電路用於提供最 15初啟始電源以啟動本發明之PWM控制器,而不須要額外 的高壓裝置。 本發明之另一目的是提供PWM控制器,其可利用低 電壓1C製程予以製成積體電路。 本發明另一個目的是提供三端子低電壓PWM控制器 20 1C ,其響應多個異常參數以產生寬度調變控制脈衝,例如 輸出電壓回饋與内部切換電流以控制外部電路。 根據本發明之原理,將三端子低電壓脈衝寬度調變 (PWM)控制器在單一的積體電路(Ic)中實施。此電路包 括:第一端子,提供輸入節點用於接收操作之偏壓電流供 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公楚)
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心、及接收與由數位pWM控制器所控制電路之輸出來 ^關Γ饋控制信號;第二端子,提供連接至數位輸出 開關之輸出即點,而以一控制脈衝率提供數位寬度調變之 控制脈衝,以控制該被控制電路之工作週期,此數位寬度 5調變之控制脈衝是相關於回饋控制值而作寬度調變;第三 端子,提供接地連接;經時脈控制之脈衝寬度調變電路, 響應在第一端子與第三端子之間之電流與回饋控制值,以 控制數位輸出開關於一控制脈衝率;以及回饋信號分離電 路’用於將回饋控制信號與操作之偏壓電流供應分離,極 10,是與數位輸出開_及接地端子_聯之電流感測電阻 ’用於感測在第二端子與第三端子之間流動之電流作為 電壓。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 作為本發明之一觀點,此低電壓PWM控制器1C包 括一啟始電路,用於在一開始將第二端子連接至第一端 15子,而允許在初始存在於第二端子之電壓將連接至此第一 端子之外部儲存電容器充電,一直到在第一端子出現操作 之偏壓電流供應為止。此啟始電路極佳包括在從第二端子 至第一端子之導電通路中之第一電晶體與二極體,用於控 制第一電晶體之閘極電極之第二電晶體,此第二電晶體是 20由邏輯電路對在第一端子所出現之操作之偏壓電流供應響 應所控制。此邏輯電路極佳包括高壓比較器,用於將在第 一端子之電壓位準與參考高壓位準比較;以及包括由此高 壓比較器重新設定之閂鎖器(latch)。此閂鎖器直接控制第 二電晶體之閘極電極。此邏輯電路亦可包括低壓比較器, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 x 297公楚) A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1279966 五、發明說明 用於將在第一端子之電壓位準與參考低壓位準比較,以致 於如果在第一端子感測到低壓情況之存在,此閂鎖器將由 低壓比較器設定,以便將第一電晶體導通且重新建立從第 二端子至第一端子之導電通路。 5 作為本發明之另一觀點,此三端子低電壓PWM控制 器是封裝於三導線之TO-92微型塑膠封裝中,供以通孔方 式女裝於被控制電路之電路板中,而第一導線對應於第一 知子,第二導線對應於第二端子,以及第三導線對應於第 三端子。 10 作為本發明之再一觀點,此被控制電路是具有設定於 共同閘極模式中之切換N-通道FET之切換式電源。在此 配置中,將第二端子直接連接至切換FET之源極電極。 在本發明又一觀點中,此被控制電路為DC至DC切 換式增壓轉換器,且連接此第二端子將儲存能量之電感器 15 並聯接地。 本發明之此等與其他的目的、優點、觀點以及特性將 由參考較佳實施例之詳細說明以及所附圖式而獲得更佳瞭 解。 本發明藉由圖式而說明。 20 實施方式 圖1顯示離線(off-line)切換式電源,與低電壓PWM 控制器1C 10,其例如根據從次級側所接收之回饋與流經 初級側外部高壓切換場效應電晶體(FET)之源極電流,在 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21Qx297公髮)
A7 B7 1279966 五、發明說明(6) 電源的初級側提供源極模式PWM控制。 如圖1所示,此低電壓PWM控制器IC具有四個連 接端子45、46、47以及48,但例如圖3所示,可以使用 個端子之配置中。偏壓接腳47使得在開機期間與正 5常操作期間能將偏壓功率提供給1C 1〇。在開機期間,啟 始偏壓與超過/不足電壓邏輯電路42將外部高壓切換 FET 124之源極連接至偏壓接腳,因此將連接至偏壓接腳 的外部電容器143充電(參考圖2與圖3)。當此在偏壓接 腳47之偏壓到達操作1C 10所須之最小臨界電壓時,則產 10生PWM脈衝且外部高壓M〇SFET 124開始切換,經由變 壓裔之繞組110與鐵心將電力提供給次級繞組112與第三 繞組113 ’經由整流器141與整平電容器143將偏壓提供 給偏壓接腳。一旦到達最小臨界電壓,則將此啟始電路42 去能。低壓PWM 1C 10所須要之所有參考與操作電壓是 15由偏壓接腳47所供應之偏壓電源導出。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如圖1所示,此離線切換式電源1〇〇經由適當之連接 或連接器配置,由商用AC電力網接收能量。熔絲1〇2保 羞電源100防止故障情況。此二極體橋1〇4將所輸入之 AC功率作全波整流成為脈動之dc,且濾波電容器1〇6降 20低AC漣波。將此所產生之直流(DC)電壓施加於接地與例 如降壓變壓器108之儲存能量之初級繞組ι1〇之間。雖然 在圖1的例子中顯示降壓馳返轉換器,但此電源可以提供 升壓變壓器、單端初級感應轉換器(SEPIC)、升壓轉換 器、反向轉換器、或降壓轉換器。這些在習知技術之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公爱) 1279966 at ____ B7 五、發明說明(7 ) PWM電源中為人所熟知。 如以上說明,變壓器108亦包括次級繞組H2,其饋 給二極體整流器114、儲存電容器116、輸出濾波電感器 118、以及輸出濾波電容器120。此等組件構成電源1〇〇之 5 “次級側”(secondary side)。由於電源1〇〇之初級側 (primary side)直接連接至典型離線切換式電源之AC電壓 線或幹線,必須將此次級側與初級側隔離至典型為3000V 峰值之適當電壓隔離位準或裕度。次級側之接地並不連接 至初級側之接地,且在第1圖中使用不同的接地符號以顯 10 示初級側接地連接與次級側接地連接之分開。 在此例中,在PWM控制器晶片1〇之外部之高壓 MOS切換電晶體124使得切換式電源1〇〇能夠傳送大電 流,而以例如大約130 kHz預先設定相當高的頻率交替地 讓流經此切換變壓器初級繞組11〇之電流通過與阻擋。此 15高壓電晶體只有在高壓切換應用中須要;在低壓應用中可 以省略此外部高壓電晶體124。阻尼電路128保護切換電 晶體124防止在初級線圈11〇中出現之反向崩潰過高電壓 尖峰。將電晶體124之工作週期調變,以便準確地調整電 源1〇〇之操作,而以經調整之輸出電壓與電流將電能傳送 20 給由次級側所連接且供應之負載。 根據本發明之一觀點,此低電壓PWM控制器1C 1〇 提供咼壓切換電晶體124之源極控制。在此PWM控制器 10之結構中,此高壓切換電晶體124是以在電源中之 共同閘極式源極切換設計佈局連接與操作。在此設計佈局
計 線
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1279966 A7 B7 五、發明說明(8) -- 中,此電晶體124之源極電壓是在稍微小於閘極電壓與接 地電位之’由操作PWM控制g 1()而切換,而使得能 夠使用低壓PWM控制器ic 1〇。此用於高壓切換電晶體 124之閘極偏壓,是由例如&⑽二極體⑵以例如正 5丨25伏之在初級側接地電位以上之額定低壓建立。而經由 例如電阻器127而從經整流之高壓DC獲得將此zener二 極體125偏壓成反向(調整)導電之電壓。電容器126將藉 由Zener 一極體125之反向崩潰特徵所建立之dc閘電壓 進一步地整平。因此,在圖丨之源極控制配置中,此 10 PWM控制器ic例如只須要在〇與15伏之間切換。 如圖1所示,此初級側CM〇s數位PWM控制器IC 10包括與外部高壓切換電晶體124串聯之電流承載低壓切 換FET20,而由寬度調變之脈衝與連接至初級側接地之低 值電流超載感測電阻器22所控制。寬度調變之脈衝是由 15閘極驅動24施加至FET 20之閘極,因此控制流經高壓外 部切換電晶體124之切換電流。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此施加於電晶體20閘極之控制可以根據在相關專利 申明案(其發明名稱為:CMOS Digital Pulse Width Modulation Controller)所教示之内容以數位方式產生,或 20可以使用在此技術中所知之其他方法產生。在第丨圖中顯 示用於產生源極控制切換之其他方法。 如圖1所示,此初級側控制器1C 10從兩個來源接收 控制資訊。一個來源是來自經由適當隔離裝置之電源次級 側之輸出回饋。須要此隔離裝置以提供分開電源!〇〇之初 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) 1279966 五 發明說明(9 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 級側與次級側之跨越電壓(例如3_v)隔離阻障之隔離。 在圖"1所不之結構中,光電隔離器5〇作為隔離裝置而提 供在次級(負載)側與初級(離線)側之間之隔離。此圖!之 電路所/、有之優點為:越}㈣提供給貞載之輸出電壓, 以產H光電崎115G之回饋控制錢。光電隔離器 50之發,态52連接至包括電阻器54(其連接至整流器 114、電容器116與整平電感器118之共同節點)與放大器/ 電壓參考裳置58(其連接至次級側之接地)之串聯網路之^ 同節點。此誤差放大器/電壓參考裝置58提供準確之參^ 電歷,並提供介於參考霞以及自連接介於:欠級側輸^與 次級接地之間之電阻H 6G與62之串聯電_路所獲得比 例輸出電壓之間之誤差整合。此由元件52通過至光電偵 測器元件64之光線位準,提供在饋給外部負載之電源 之DC輸出所出現電壓之測量。此相對於參考操作電壓之 輸出電壓中之變化導致光線位準中之改變,以及導致在回 饋輸入節點46回饋至PWm控制器1C之誤差信號中之改 變。 此次級側輸出電源線亦可包括電流感夠電阻器,使得 能夠感測供應至負載之輸出電流之大小。可以將由所感^ 負載電流所導出之誤差電壓與由所感測電髮所導出之誤差 電壓組合,且將此合成之誤差電壓以已知的方式回饋,以 控制初級側PWM控制器10之操作。 除了閘FET 20、源極電流感測電阻器22與驅動器24 之外,此初級側PWM控制器1C 10包括:準確電壓參考 -11- I紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 〜 ---- 計 線 A7 B7 I279966 五、發明說明(10) 產生裔電路26 ’用於產生至少一參考電壓;誤差放大器 28 ’用於將在接腳46所接收之誤差信號放大與調整;以 及回饋比較30,其將回饋電壓與藉由感測跨電阻器22 所產生變壓器108之初級側電流所產生鋸齒波形作比較。 5當此經調整與放大之回饋電壓大於鋸齒波形之尖峰時,此 pWM控制邏輯將外部高壓切換FEt 1:24關閉(turn 〇ff)。 此外部電晶體124將保持關閉一直到由時脈產生器4〇所 產生之下一個時脈週期為止。抑制(blanking)產生器32在 抑制期間將回饋比較器30與過電流比較器34之輸入抑 1〇制。此抑制期間包括在各切換期間前緣之最初高電流尖 峰’其由於依據在圖1中所示佈局設計之切換式電源之初 級側中寄生電容之耦合而典型地出現。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此低壓PWM控制1C 10亦包括電流感測比較器34, 其在當由感測電阻器22所感測電流(在抑制期間除外)超過 15預先確定之電流極限時發出超過電流邏輯位準,在該點則 不論此次級側之回饋位準,將外部電晶體124關閉。為了 提供優先於回饋電壓之過度電流控制,將比較器3〇與34 之邏輯結果在AND閘36中組合,而使用此所組合成之誤 差位準將正反器38重新設定,其決定各PWM期間而具 20有由時脈4〇之時脈期間所決定之導通一關閉總期間。正 反為38之邏輯輸出藉由閘驅動器24而施加,以控制FET 20之閘極。 提供外部高壓FET 124之源極控制而不是傳統閘極控 制之技術具有以下之優點:首先,此通常在切換電晶體之 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 χ 297公釐) 1279966 A7 B7
五、發明說明(U 源極電極所實施之過度電流感測功能可以與驅動接腳組 合,因此將接腳數量減少至三而同時提供雙回饋控制,且 有利於1C 10之低接腳數目、低成本之封裝。其次,此 PWM控制器1C只須要足夠大之偏壓以驅動此在共同閘極 5 式源極切換結構中之外部切換電晶體124。由於可以將内 部FET閘20之導通臨界電壓設計成較切換外部fet I% 所須之臨界電壓低很多,此以源極控制所須之偏壓較傳統 閘極控制方法所須之偏壓低很多,且此結果允許對於低壓 CMOS 1C使用較低成本之製程,而實質降低了元件成本。 10 在圖1之例子中,1C封裝12之外部接腳極佳包括: 初級側接地接腳45、次級側回饋接腳46、偏壓接腳47、 以及直接連接至外部切換電晶體124源極電極之輸出驅動 接腳48。在工廠之IC封裝製程期間,將此等接腳電性佈 線或連接至1C 10之適當接合墊。 15 在圖1之電路中,將初級側控制器1C接地接腳45接 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 地至初級側接地(其典型地與次級側接地55隔離,以提供 在離線初級側與在次級側電壓輸出之間所欲之電壓隔 離)。在由圖2與圖3所提供之3端子1C封裝例子中,此 晶片供應電壓與回饋誤差電壓是在偏壓接腳47 一起出 20現,且經由包括在偏壓接腳47與初級側接地45之間串聯 電阻器36與38之内部電阻網路而以内部方式分離。 在圖1中所顯示的結構中,此初級侧PWM控制器10 包括封包於多接腳_封裝12中之積體電路陣列,此封 裝例如是4、6或8接腳之Dlp或s〇IC,其設計用於傳統 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2i〇X297公爱) 1279966 A7 B7 五、發明說明(U) 之通孔或表面安裝以及電性連接。雖較佳為4或8接腳封 裝以降低成本,而其他之封裝配置(例如3接腳或6接腳 封裝)可以使用於初級側低壓PWM控制器1〇之實施。 此在電晶體124中之電流受限於晶片1〇且被充分保 5護防止電流過度事件。本發明之3端子封裝實施是令人期 望地適用與使用於低功率切換電源之應用,在該處ic 1〇 之在晶片上之輸出切換FET 20是與FET 124之源極電極 串耳外’而能夠將在切換事件期間所產生之熱散佈至外部周 圍環境。 10 根據本發明之觀點,藉由將1C晶片10之輸出墊選擇 性地連接至連接接腳,而可將初級側控制器1C設計且使 用作為3接腳裝置11(圖2),或作為4或更多接腳裝置 12(圖1)。此接腳/封裝結構是在當將ic 10封包於所選擇 之封裝中時以及當將其導線電性連接至1C晶片之接合終 15端墊時在工廠實施,且將此特殊晶片合適地設計用於特殊 應用/所想要之特徵。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如圖2之虛線矩形方塊中所示,此最初啟始電路42 包括:具有閘極拉起(pull-up)電阻器142之P-通道FET 140、用於將驅動接腳48與偏壓接腳47隔離之二極體 20 144、具有閘極拉起電阻器147之N-通道FET 146、過度 電壓比較器150、電壓不足比較器152、以及具有控制電 晶體146閘極之輸出之閂鎖器148。 圖2說明當將低壓PWM控制器10使用於增壓結構 切換式轉換器101中時之啟始電路42,而未失去其一般適 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) A7 B7 1279966 五、發明說明(i3) α 用性。當最初將直流電供應至轉換器101之Vin輸入時, 電源流經電感器103、二極體105,且跨電容器107而儲 存。在此最初時點,將P-通道FET 140與N-通道FET 146 偏壓至導電狀態,因為電壓現在出現於驅動接腳48。當 5 FET 140與146均導電,此來自驅動接腳48之電壓通過單 向二極體144與偏壓接腳47而儲存於外部電容器143 中。在此過程期間,建立内部參考電壓,其設定比較器 150之最大參考電壓以及比較器152之最小參考電壓。當 在偏壓接腳47之電壓到達高參考電壓時,比較器150將 10閂鎖148重設且將NMOS FET 146關閉。當FET 146停止 導電時,因為電阻器142,故在FET 140之閘極電壓上升 至在驅動接腳48之電壓位準,且將PM〇s FET 14〇關 閉’因此將從驅動接腳48至偏壓接腳47之最初啟始電壓 路徑中斷。在此點,PWM控制器IC: 1〇開始運作,且繼 15續由儲存於電容器14:3中之能量提供電力,一直到轉換器 101之輸出電壓上升至提供電力給IC 10所須之位準為 止。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在增壓轉換器101之正常操作期間,此控制器IC 1〇 將”於電感器103與二極體105之間節點之電位降低至接 20地,位,因此導致能量儲存於電感器ι〇3 +。當此節點回 到冋位準時,此所儲存之能量經由二極體1〇5通過且以傳 統之方式儲存於電容器IG7 +。此種配置使得能夠將輸出 電壓提升至在輸入Vin出現位準以上之位準。 如果在1C 10之接腳47之輸出偏壓以任何原因降低 -15-
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1279966 A7 _ _ B7 五、發明說明(Η) 而低於較低電壓參考位準,則低電壓比較器152將閂鎖器 Η8設定,並且將NMOS FET Η6回復導通以藉由將 PMOS FET Η0導通而重新啟動此最初啟始路徑及處理。 圖3顯示連接於圖丨之切換式電源1〇〇之三接腳結構 5中之低壓PWM控制器1C。在此結構中並未使用回饋端子 46。此輸出電壓/電流回饋控制信號是經由包括内部電阻 器36與38之電阻分割網路而獲得,此等電阻器是内部連 接介於晶片10之偏壓接腳47與接地接腳45之間。電阻 器36與38之共同節點以内部的方式連接至回饋接腳牝 10且提供回饋信號。將1C 10之内部偏壓電流消耗製成得儘 可能恆定,以致於在放大器28輸入之電壓只對在輸出所 感測之電壓改變響應。此三端子結構封裝u與低壓控制 器1C 10使得能夠使用低成本電晶體似的封裝,例如標準 的TO-92封裝等。 15 在以上已經說明本發明之較佳實施例,現在應瞭解已 完全達成本發明之目的,且熟習此項技術之人士瞭解可以 對本發明作許多結構之改變以及作相當不同的實施例與應 用而不會偏離本發明之精神與範圍。因此,在此所作之揭 示與說明僅例示,而非意為任何限制。 20 圖式簡單說明 圖1為具有根據本發明原理之低電壓四端子pWM控 制器ic之離線切換式電源之邏輯方塊與概要電路圖。 圖2為一切換式電源之邏輯方塊與電路概要圖,其依 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(〇sjS)A4規格(210x297公釐)
A7 1279966 B7 五、發明說明(15) 據增壓結構,且包括啟始電路用於根據本發明原理設計為 三端子封裝之低電壓CMOS PWM控制器1C。 圖3為一離線切換式電源之邏輯方塊與概要電路圖, 其使用圖2所示3端子封裝之CMOS PWM控制器1C。 5 主要元件之對照表
10 低電壓PWM控制器1C 11 三端子結構封裝 12 多接腳塑膠封裝
10 20 切換 FET 22 感測電阻器 24 閘驅動器 26 參考電壓產生電路 28 誤差放大器 15 30 回饋比較器 32 抑制產生器 34 過電流比較器 36 AND 閘 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 38 正反器 20 40 時脈產生器 42 啟始偏壓與超過/不足電壓邏輯電路 45 接地端子 46 回饋端子 47 偏壓端子 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) 1279966 Λ7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
五、發明說明 /IV
10 15 20 48 驅動端子 50 光電隔離器 52 發光器 54 電阻器 55 接地 58 誤差放大器/電壓參考裝置 60 電阻器 62 電阻器 100 離線切換式電源 101 增壓轉換器 102 溶絲 103 電感器 104 -^極體橋 105 二極體 106 電容器 107 電容器 108 變壓器 110 線圈 113 第三線圈 114 二極體整流器 116 電容器 118 電感 124 切換FET 125 Zener二極體 18-
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1279966 at B7 五、發明說明(17) 126 電容器 127 電阻器 140 場效應電晶體 141 整流器 5 142 電阻器 143 整平電容器 144 二極體 146 場效應電晶體 147 電阻器 10 148 閂鎖器 150 比較器 152 比較器 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐)
Claims (1)
- I279966 、申請專利範圍 10 15 2· 20 3· 一種在單體積體電路(1C)中實施之三端子低電塵脈衝 寬度調變(PWM)控制器,包括: ⑻第-端子,提供輸入節點用於接收操作之偏壓電 流供應以及接收與由PWM控制器所控制電路之 輸出參數有關之回饋控制信號; (b) 第二端子,提供輸出節點其連接至以一控制脈衝 率提供數位寬度調變之控制脈衝之數位輸出開 關’以控制該被控制電路之工作週期,此數位寬 度調變之控制脈衝是寬度調變; (c) 第三端子,提供接地連接; (d) 經時脈控制之脈衝寬度調變電路,對在第二端子 與第三端子之間之電流以及回饋控制值響應,而 用於控制由數位輸出開關以該控制脈衝率所提供 之寬度調變之脈衝;以及 (e) 回饋分離電路,用於將回饋控制信號與操作之偏 壓電流供應分離。 如申睛專利範圍第1項之三端子低電壓脈衝寬度調變 控制器,包括: 與數位輸出開關以及接地端子串聯之電流感測電阻 器,用於感測在第二端子與第三端子之間流動之電流 作為電壓。 如申請專利範圍第1項之三端子低電壓脈衝寬度調變 控制器,更包括: 啟始電路,用於在最初將第二端子連接至第一端子, -20 -92094-專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1279966 六、申請專利範圍 , 一直到在第一端子出現操作之偏壓電流供應為止。 4. 如申請專利範圍第3項之三端子低電壓脈衝寬度調 變控制器,其中啟始電路包括在從第二端子至第一 端子之導電路徑中之第一電晶體與二極體,且具有 5 控制電路對所出現之操作之偏壓電流供應響應,用 於將第一電晶體關閉(turn off)。 5. 如申請專利範圍第4項之三端子低電壓脈衝寬度調 變控制器,其中控制電路包括第二電晶體,用於控 制第一電晶體之閘極電極,此第二電晶體是由邏輯 10 電路對出現於第一端子之操作之偏壓電流供應響應 所控制。 6. 如申請專利範圍第5項之三端子低電壓脈衝寬度調 變控制器,其中邏輯電路包括: 高壓比較器,用於將在第一端子之電壓位準與高壓 15 參考位準比較;以及 由此高壓比較器所重新設定之閂鎖器,此閂鎖器直 接控制第二電晶體之閘極電極。 7. 如申請專利範圍第6項之三端子低電壓脈衝寬度調 變控制器,其中邏輯電路更包括低壓比較器,用於 20 將在第一端子電壓位準與低壓參考位準比較,此閂 鎖器由低壓比較器設定,以便將第一電晶體導通, 且重新建立從第二端子至第一端子之導電路徑。 8. 如申請專利範圍第1項之三端子低電壓脈衝寬度調 變控制器,該控制器被封包於三導線之TO-92微型 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X297公釐)經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1279966 ^ C8 _D8_ 六、申請專利範圍 塑膠封裝中,供以通孔方式安裝於該被控制電路之 電路板中,而第一導線對應於第一端子,第二導線 對應於第二端子,以及第三導線對應於第三端子。 9. 如申請專利範圍第1項之三端子低電壓脈衝寬度調 5 變控制器,其中被控制電路包括切換式電源,該電 源具有設定於共同閘極模式中之切換FET,且其中 此第二端子連接至切換FET之源極電極。 10. 如申請專利範圍第1項之三端子低電壓脈衝寬度調 變控制器,其中被控制電路包括DC至DC切換式 10 增壓轉換器,且連接第二端子而將儲存能量之電感 器並聯接地。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐)
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