TWI279612B - Transflective liquid crystal display and method of fabricating the same - Google Patents

Description

1279612 五、發明說明（l) 【發明所屬之 本發明係 型液晶顯示裝 【先前技術】 全透型（ (reflection display, LCD 型液晶顯示裝 是採用外部光 的液晶顯示面 背光源是 控制背光源透 話說’背光源 像。然而，全 部電源5 0 %以 為了克服 用之攜帶式資 型液晶顯示裝 成。因此，週 週遭光源反射 境較暗時，所 又為了克 合了全透型與 (transflect 技術領域】 關於一種液晶顯示裝置，特別是指一種半透 置及其製造方法。 transmission type )與反射型 type)液晶顯示裝置（HqUid crystal )皆為一般所使用的液晶顯示裝置。而全透 置是採用内部光源，反射型液晶顯示裝置則 源。全透型液晶準示裝置具有不會自己發光 板，還有作為發光部分的背光源。 配置在面板的背部或一側。液晶顯示面板會 過液晶顯示面板的發光量以顯示影像。換句 的光會根據液晶分子的排列改變以顯示影 透型液晶顯示裝置會耗費液晶顯示裝置的全 上。因此背光源的提供會使耗電量大增。 前述問題，使用者常會於戶外或隨身攜帶使 訊裝置，則選用反射型液晶顯示裝置。反射 置是由形成於一對基板之一的反射器所構、 遭光源會被反射器的表面所反射。而這種將 的反射型液晶顯示裝置，其缺點是當週遭環 顯示的可見度是非常不足的。 化衣 服如述問題’乃推出一種液晶顯示敦置，整 反射型顯示模式，即所謂的半透型 i ve )液晶顯示裝置。半透型液晶顯示裝置 1279612

可扮演全透型液晶顯示裝置或反射型液晶顯示裝置。由於 全透型液晶顯示裝置可使用内部光源或外部光源，因此於 週遭光源充足時’其耗電量很低。 第1圖顯示先前技術之半透型液晶顯示裝置，而第2圖 為第1圖之半透型顯示裝置之平面圖。半透型液晶顯示裝 置10包含夾有液晶層95之上基板80與下基板6〇。上基板80 與下基板60有時分別是指彩色濾光片基板與陣列基^。

於面向下基板60之上基板8〇的表面上，依序包含彩色 濾光層90與共同電極86。彩色濾光層9〇包含數個子彩色濾 光片8 2與黑色矩陣8 4。這些子彩色濾光片82包含紅、綠與 藍色濾光片之矩陣陣列，而黑色矩陣8 4則沿著子彩色濾光 片82配置，使子彩色濾光片82由黑色矩陣84隔開。另外， 共同電極86位於子彩色濾光片82與黑色矩陣84的上方。

於面向上基板80之下基板⑽的表面上，包含扮演切換 兀件之數個薄膜電晶體（於第i圖中標示為τ)之陣列。薄膜 電晶體之陣列乃以對應於子彩色濾光片82之矩陣來形成。 數條閘極線61與數條資料線62配置於適當位置且彼此交 叉、。薄膜電晶體則位於閘極線61與資料線62之交又位置的 附近。下基板6 〇也包含由閘極線6丨與資料線6 2之交又所劃 疋出的數個旦素區域ρ，如第1圖所示。透明電極6 4與反射 電極66配置於這些晝素區域ρ中。而每個畫素區域ρ工透射 部位Β與反射部位D所分隔，且透射部位β位在反射部位〇之 中間。反射電極66則以對應於反射部位D來配置，而透明 電極64則以覆蓋透射部位B來配置於晝素區域p上。

第9頁 1279612 五、發明說明（3) 透明電極64通常由具有良好光透射率 (transmissivity )的透明導電材料所形成，如氧化銦錫 (indium tin oxide， I TO)。反射電極66則由具有良好反 射率（ref 1 ect i vi ty )之金屬材料所形成，如鋁（Αι)或鋁 合金。 第3圖為沿著第1圖之剖面線π I - I I I之剖面圖，並說 明先前技術之半透型液晶顯示裝置。 如圖所示，第一基板（下基板）60與第二基板（上基板） 80相向而對並分隔一段距離。且第一基板6〇與第二基板80 之間夾有液晶層9 5。請參照第1圖與第2圖所示，由閘極線 6 1與資料線6 2彼此垂直相交所劃定出之數個晝素p，係形 成於第一基板60與第二基板80上。 子彩色濾光片82a、82b形成於第二基板80背面，並各 具有紅、黃、綠其中一色。黑色矩陣84配置於子彩色滤光 片8 2a、8 2b之間。共同電極86配置於子彩色濾光片82a、 8 2 b與黑色矩陣8 4之背面。 每個畫素電極P皆被分隔為反射部位D與透射部位B。 一般而言，反射電極6 4形成於反射部位D之内，而透明電 極6 6對應於透射部位B來形成。反射電極6 4通常形成於透 明電極66之上方或下方。於第3圖中，反射電極64具有對 應於透射部位B之透光孔Η，而反射電極6 4配置於透明電極 66下方。 於第3圖之半透型液晶顯示裝置，重要的是透射部位Β 與反射部位D間不應產生色彩差異。甚至，透射部位Β與反 1279612 ------------- 五、發明說明（4) 射部位D應具有相同光功率（optical efficiency)。然 而，由於通過彩色濾光片之入射光會被反射電極6 4反射， 然後再朝向彩色濾光片而去，故入射光發射至反射部位 D，會通過彩色濾光片兩次。因此，若液晶層9 5於兩個基 板間具有液晶盒間距（ce 11 gap ) d，則入射光之傳送距 離為2d，而當光通過透射部位B之傳送距離則只有d。當 光通過於反射部位D上之液晶層9 5時，光的相位延遲 (phase retardation)可表示為 2dAn (2cLdelta.n)。反 之，當光通過於穿透部位B上之液晶層9 5時，光的相位延 遲可表示為dZ\n (d.delta.n)。因此，反射部位D與透射部 位B具有不同相位延遲值（phase retardation values )，導致於反射部位D與透射部位B顯示相同色彩純 度是非常重要的。 為了解決上述問題，透射部位B應具有約為間距d兩倍 多的液晶盒間距。意即，將半透型液晶顯示裝置設計成具 有於反射部位D之第一液晶盒間距d與於透射部位B之第二 液晶盒間距2d。這些不同的液晶盒間距請參考第4圖所 示。 第4圖是沿著第1圖之剖面線I I I _ I I I之剖面圖，並說 明另一先前技術之半透型液晶顯示裝置。 如圖所示，第一基板（下基板）6〇是與第二基板（上基 板）8 0相向而對並分隔一段距離。第一基板⑼與第二基板 8 0間夾有液晶層9 5。如第1圖與第2圖所示，由互相垂直相 交之閘極線6 1與資料線6 2所劃定出之數個晝素p，係形成

第11頁 1279612 五、發明說明（5) 於第一基板60與第二基板8〇上。 , 數個子彩色濾光片82a、82b位於第二基板80之背面， ，各具有紅、綠、藍其中一色。另外，黑色矩陣84配置於 第 土板8 〇上之子彩色滤光片8 2 a、8 2 b間。透明的共同電 極⑽則配置於子彩色濾光片82a、82b與黑色矩陣84之背 面。 弟圖所示之半透型液晶顯示裝置，每個晝素p被反 射σ卩位D與透射部位B所分隔。反射電極64是形成於反射部 位D之内 而透明電極6 6則以對應於透射部位Β與反射部位 D來形成於晝素Ρ上。反射電極64通常形成於透明電極66上 方或下方。於第4圖中，反射電極64具有對應於透射部位B 之透光孔Η ’且反射電極6 4是配置於透明電極6 6下方。所 以’將配置反射電極64之區域定義為反射部位D。 和第3圖之半透型液晶顯示裝置不同，第4圖之半透型 液晶顯不裝置於透射部位B具有一厚的絕緣層6 3，此絕緣 層6 3具有開口 6 1。意即，每個開口 6 1是以對應於絕緣層6 3 上之透射部位B來形成，使反射部位j)與透射部位β具有不 同液晶盒間距d與2d。液晶層95具有第一液晶盒間距d於反 射部位D、以及第二液晶盒間距2 d於透射部位β。若絕緣層 6 3厚如第一液晶盒間距d，第二液晶盒間距2 d會為第一液 晶盒間距d之兩倍。意即，由於透射部位B與反射部位D之 厚度比為2d比d，相位延遲變成2d An (2d. delta, η)。而且 雖然第4圖中未示，反射電極64還可具有不平坦的表面（具 有突起與凹陷）以增加其反射率。

第12頁 1279612 五、發明說明（6) 然而’請參照第4圖之半透型液晶顯示裝置，圍著透 射部位B與反射部位D間的介面周圍可能會有一些光漏 (1 i ght 1 eakage )。這樣的光漏現象將以第5圖與第6圖 作說明。 第5圖是先前技術中使用於半透型液晶顯示裝置之陣 列基板之一子晝素，而第6圖則說明第5圖之部位κ之放大 剖面圖。 如圖所示，閘極線6 1以水平方向配置於基板6 〇上，資 料線6 2則以縱向垂直交叉於閘極線6 1。而閘極線6 1與資料 線6 2彼此交叉並劃定出晝素區域p。薄膜電晶體τ配置於閘 極線6 1與資料線6 2交叉處附近，並包含閘極電極7 〇、活性 層72、源極電極74與汲極電極76。如前所述，晝素區域Ρ 被分隔成反射部位D與透射部位Β。反射電極6 6形成於反射 部位D上，並於其中間具有開口 η。透明電極64以對應於畫 素區域Ρ來形成，特別是將開口 Η覆蓋，而開口 η對應於透 射部位Β之尺寸，其具有寬度w與長度L。 仍請參照第5圖與第6圖，絕緣層6 3具有一開口 ，以對 應於反射電極6 6之開口，並形成一階級d以形成不同液晶 盒間距，如第4圖所示。關於這點，而使絕緣層β 3具有傾 斜6 3a。由於階級d與傾斜63a，於反射部位D與透射部位Β 間之區域F上’可能會發生相錯（disclination)。如第6圖 所示，相錯發生在對應於傾斜6 3 a之第一相錯區域F 1，也 發生在鄰近傾斜63a之第二相錯區域F2。此相錯區域乃自 傾斜區域（第一相錯區域F 1 )延伸至鄰近區域（第二相錯

第13頁 1279612 五、發明說明（7) 區域F 2 )。 於第6圖中，若傾斜63a具有大約2mm高度之階級d，並 形成與基底成50度之角度0 ，三角形截面之底邊將具有大 約1 · 7mm之間距（以d/tan 0計算）。另外，第二相錯區域具 有約1. 5 m m之間距。 其次，相錯區域F具有大約3 · 2 mm (1 · 7 +1 · 5 )之間距。 而相錯區域F之直徑（A)將以下列公式來表示：A = 2(L + W* 3 · 2 // in2)(其中，L為開口之長度，W為開口之寬度，如第5 圖所示）。 於是，開口越大，相錯越大。通常，第4圖〜第β圖所 :之半透型液晶顯示裝置中，由階級與斜率所引起之相錯 區域’會縮小開口率（a p e r t u r e r a t i 〇 )約1 〇 %。這是指 半透型，夜晶顯示裝置之亮度與對比相對降低。 盘透，先前技術之半透型液晶顯示裝置中，由於開口 始排歹ΓΓ“、Ϊ位於晝素區域ρ中間，使得決定液晶初 而使。=之: 中，㈣到操作-致是很困難的， 【發明内=[，、法獲得一致與穩定的透射比。 因此，本發明提出一種丰诱 方法’藉以解決並排除先前：：：：曰曰顯示裝置及其製造 失。 技打所顯現之眾多限制與缺 ，發明透過數個具體實施 顯不褒置及其製造方法， =t出之一種半透型液晶 +透型液晶顯示裝置及其方法两：比與高亮度，並將 開口率提高與簡化研磨製

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1279612 1279612 _||丨 I ......... 五、發明說明（10) ___ 個源極電極與每個汲極電極會透過 層’資料線與閘極線垂直相交，並查孔而連接至多晶矽 形成第二鈍化層與第三鈍化層於第二疋出單元晝素；陸續 料線、源極電極與汲極電極，第_ 純化層上’而覆蓋資 含有第-接觸孔與第一 口於每：單化：與第三鈍化層包 孔會露出部分汲極電極，第—開口則’第-接觸 第-鈍化層·’形成數個反射器於反射；：透射部位中之 應於每個子晝素區域；形成第四鈍化層；：m對 晝素中，且第二接觸孔會露出:觸孔於每個單元 晝素電極於子晝素區域之第四純：電極；及形成數個 過第二接觸孔連接至汲極電極。曰 例固晝素電極透 其步iI:更Ϊ:::二透型液晶顯示裝置之製造方法， 又並劃定出數個Π =極ΐ與數個資料導線，其垂直交 域，每個子晝素區诚^，丄各早兀晝素包含數個子晝素區 位聚集於每個單：c射部位與反射部位，透射部 鄰近閣極線與資料線之交叉處；形成鈍化； 口後& „ 、電晶體、閘極線與資料線，且鈍化層具有一 器於每個單元晝素中之透射部位；形成反射 位之位置.^ 之鈍化層上，且反射器對應於反射部 極會經由鈍化極於每個子畫素區域中’晝素電 士代 9上之接觸孔連接至薄膜電晶體。 S明再提供一種半透型液晶顯示裝置，包含第〜基 第17頁 1279612 五、發明說明（11) 板與第二基板、以及配置於繁一 層，第-基板具有數個問極線基板間之液晶 資料線劃定出數個單元查音、古 、枓線’而閘極線與 晝素區域，且這些子晝；區=:2:各包含數個子 位，反射部位包含反射琴，透μ透射部位與反射部 個單元晝素内之不同的；晝素區則於每 :㈣鄰的透射部位間，其中i:部置 本發明X提供一種半透型液晶顯 板與第二基板、以及配置於第A = 匕3弟基 .隻第—基板與第二基板間之液晶 層’第-基板具有數個閘極線與數 料線劃定出^數個單元晝素，這些單元晝素各包含數個^ 素區域，這些子晝素區域各包含透射部位、反射部位、於 透射部位與反射部位間之邊緣區域、反射器與鈍化層’而 $化層與反射器則配置於反射部位中，並在到達透射部仇 ，終止於邊緣區域，使邊緣區域包含鈍化層與反射器對於 第一基板與第一基板傾斜一角度之相錯，其中於每個單元 晝素中，至少一子畫素區域之邊緣區域與反射部位並不完 全包圍子畫素區域之透射部位。 ^ 為使對本發明中專利範圍能有進一步的了解，茲舉數 個具體實施例詳細說明如下。 【實施方式】 現在舉出具體實施例詳細說明本發明之内容，並以圖 不作為輔助。至於說明中提到之符號係參照圖示之符號。

第18頁 1279612 五、發明說明（12) 第7圖為本發明之第一具體實施例之半透型液晶顯示 裝置’而弟8圖為第7圖中部位3之放大平面圖。 如第7圖所示，將數個單元晝素p劃定於基板1〇〇上， 其中，，個單元晝素P皆具有第…第四子晝素區域Μ ~A4 - ^ m ^ ^ ^ ^ ^ ^ m ^ 區域D。和先前技術不同，透射區域β是位於每個第—第 四子晝素區域A W4之角落。，而，第一〜第

之= 集Λ單元晝計之中心。意即，透射部位B 一起^於早兀畫素Ρ巾間，而反射部㈣關繞著透射部 位Β於單元晝素Ρ上。 仍請參照第7圖，數條間極線m係水平配置於基板 二:上臭二貧：Γ1 1 /、土 。y、中，將二條閘極線1 〇 4設置一起，而使 條閘極線104構成雙閘極線。以同樣方式，也將二條 線118設置-起並構成雙資料線。 ㈣ ^資料細劃定出晝素區域P。本發明中，閉

= H118貫f上並未出現在由成對的第—〜S四子書辛 &域A 1〜A4所界定之單元晝素ρ上。 一 I :存線iG6通過單元畫素ρ中間，並以平行閘極線1〇4 蚩丄成。儲存線106垂直通過資料線118，並設於上方的子 、A2和下方的子晝素區域A3、A4之邊界 Ϊ: t 3=3°對應於每個子晝素區域A1〜A4，且重叠 疊Λ是，晝素電極130與儲存線⑽之重 且 成電谷儲存器CST。每個子晝素區域Α1〜Α4具有一

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可延展、’且研磨過程能易於研磨這些透射部位，而和先前 ，術之透射部位不同。而且，透明的晝素電極13 〇與反射 器1 26延伸於閘極線與資料線上方，使半透型液晶顯示裝 置之開口面積隨著重疊區域而增加。 第9A圖〜第9E圖為沿著第8圖之剖面線ιχ—ιχ之剖面 圖，，顯不非晶質（am〇rph〇us )薄膜電晶體之製程步 私。第1 0A_圖〜第1 〇E圖示沿著第7圖之剖面線χ_χ之剖面 並顯示子晝素之製程步驟。而第UA圖〜第ηΕ圖為沿 著第7圖之剖面線XI—ΧΙ之剖面圖，並顯示單元晝素之製程 明參照第9 A圖、第1 〇 a圖與第1 1 a圖，數個子晝素區域 A1〜A4劃疋於基板1〇〇上。每個子畫素區域ai〜a4包含反射 部位D與透射部位B。如前所述，第一〜第四子晝素區域A丄 A4構成了單元晝素p。如第7圖所示，第一〜第四晝素區域 分別配置於單元晝素p内之上方、下方、右方與左方。並 且’第一〜第四子晝素區域A1〜A4之透射部位b也配置於單 =畫$中心之上方、下方、右方與左方。這些結構形成了 單元晝素P中心之透射部位群（transmissive p〇rti〇ll group ) 〇 —/將具有透射部位Β與反射部位d之子晝素區域Α1〜Α4劃 定後，、則將包含銘（Α1)之第一金屬材料沉積於基板1〇〇 上’然後將其圖案化，以形成閘極電極於每個子晝素區域 Μ〜Α4令、以及閘極線1 0 4與儲存線1 0 6。而數條閘極線1 0 4 係一同配置於沿著第一與第二子畫素區域A1、Α2之外面上

1279612 五、發明說明（15) 緣與沿著第三與第四子晝素區域A3、A4之外面下緣，使鄰 近的二閘極線104構成雙閘極線。儲存線ι〇6則與閘極線 m平行，並設於第一與第三子晝素區域M、A3之間、以 及第二與第四子晝素區域A2、A4之間。雙閉極線1〇4分隔 兩鄰近晝素P，並穿越如第7圖所示之上方與下方。 使用鋁基底之金屬材料作為第—金屬層，以減少或避 免訊號延遲（signal delay )。而使用包含具有鋁之下層 或包含面化學抵抗性之上層之雙層結構能保護化學性質較 弱的紹基底之金屬材料。

將第一金屬層圖案化後，形成閘極絕緣層丨〇8於基板 100上，以覆蓋閘極電極102、雙閘極線104與儲存線1〇6， 如第9 A圖、第1 0 A圖、第11 A圖所示。而閘極絕緣層1 〇 8可 由一無機材料形成，例如，氮矽化合物（S i Nx)與二氧化石夕 (S i 02)。 、 ^ · 於第9B圖、第10B圖與第11B圖中，陸續形成本質非晶 矽(intrinsic amorphous silicon) (a-S i :H)層與外質 非晶石夕(extrinsic amorphous silicon) (n+ a-Si : H)

層於閘極絕緣層1 0 8上，然後將其圖案化，以形成活性層 1 1 0與歐姆接觸層11 2於閘極電極1 0 2上方。活性層11 〇是本 質非晶矽層，而歐姆接觸層1 1 2是外質非晶矽層。在形成 活性層1 1 0與歐姆接觸層1 1 2後，將第二金屬材料（如鉻 (Cr)、鉬（Mo)、銅（Cu)、鎢（W)、鈦（Ti)、鈕（Ta)或類似 金屬者）沉積於閘極絕緣層1 0 8上，以覆蓋活性層11 〇與歐 姆接觸層11 2。然後’圖案化第一金屬層’以形成源極電

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=14、汲極電極116(如第9B圖所示）與資料線ιΐ8(如第 10B圖所示）。雖於第㈣圖、第1〇B圖與第UB圖中未示 顯示於第7圖，資料線118係垂直於閘極線1〇4。二條資料一 線118 -同配置並形成雙資料線。成對的雙閘極線1()4與 資料線11 8將單元晝素P環繞住。 夂 源極電極114乃延伸自資料線118，並與其下方的歐姆 接觸層112連接。汲極電極116則與源極電極114分隔一段 距離，並也和其下方的歐姆接觸層112連接。在形成源= 電極114與汲極電極116後，露出源極電極114與汲極電極 116間的部分歐姆接觸層112，此乃利用源極電極ιΐ4與汲 極電極11 6作為光罩來將其移除，因而移除了部分活 層 110 〇 於第9C圖、第l〇C圖、第11C圖中，形成第一鈍化層 1 2 0於整個基板1 〇 〇上，使第一鈍化層丨2 〇覆蓋住資料線 1 18、源極電極丨14與汲極電極丨16。第一鈍化層12〇可為一 有機材料’例如，苯環丁烯（|；)6112〇(；^(：:丨〇|311*|：6116，308)或 丙稀酸樹脂（acrylic resiri)。當形成第一鈍化層12〇 時’可以以此有機材料重複被覆於基板丨〇 〇上，來獲得期 望的厚度。雖於第9C圖、第10C圖與第11C圖中未示，可以 一無機材料，如氮石夕化合物（S i Nx)或二氧化石夕（S i 〇2)，形 成於第一鈍化層1 2 0之下，而覆蓋於源極電極1 1 4與汲極電 極1 1 6與資料線11 8上。 在形成第一鈍化層1 2 0之後，接著進行接觸孔製程 (contact hole process)。首先，圖案化第一鈍化層

第23頁 1279612 五、發明説明（17) 丄2 〇，以形成將部分汲極電極1 1 6露出之第_接觸孔〗2 2。 此時，在單元畫素P的中間，第一鈍化層1 20也具有第一開 口 124，以露出第一〜第四子晝素區域A1〜A4之透射部位B。 在圖案化第一鈍化層120後，則將具有優良反射率1第三 金屬材料沉積於第一鈍化層120上，然後將其圖案化，以 形成反射器126於第一〜第四子畫素區域A1〜A4之反射部位]) 内。如第9C圖所示，反射器126覆蓋薄膜電晶體τ。而第三 金屬材料可包含鋁（A 1)。 於第9D圖、第10D圖與第11D圖中，將無機材料，如氮 石夕化合物（S i Nx〕或 >一氧化碎（S i Ο?) ’沉積於整個基板1 〇 〇 上，以覆蓋反射器1 2 6。此被沉積的無機材料成為第二鈍 化層1 2 8，然後將其圖案化，以形成對應先前形成的第一 接觸孔1 2 2，並露出沒極電極11 6之第二接觸孔η 1。力第二 純化層1 2 8圖案化過程期間，也形成了第二開口 Η 2於第一 開口 124形成之區域，而使第二開σΗ2露出於第一開口區 域1 2 4内之部分閘極絕緣層丨〇 8。 接著，於第9Ε圖、第10Ε圖與第11Ε：圖中，將透明導電 材料沉積於具有第二鈍化層128之整個基板丨〇〇上。然後， 將透明導電材料圖案化，以形成透明的晝素電極1 3 0於第 、第^四子晝素區域A1〜A 4中。每個透明晝素電極1 3 〇係配 置於母個第一〜第四子晝素區域A1〜A4之内，並透過第一接 iH1 ^連接；及極電極116。此外，晝素電極1 3 ◦與儲存線 晶4刀重®，並且也與閘極線1 0 4、資料線1 1 8部分重 ®。透明晝素電極130與儲存線丨〇6之重疊部分和儲存線

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1 Ο 6之重疊部分形成了電容儲存器csT。 如前所述，根據本發明之第一具體實施例而製成此半 透型液晶顯示裝置。反射器1 2 6雖然並未與汲極電極丨丨6連 接，但連接反射器1 2 6與汲極電極1 1 6也是可能的。 第1 2圖為本發明之第二實施例之半透型液晶顯示裝置 之平面圖，且第13圖為第12圖之部位s之放大平面圖。雖 然第1 2圖與第7圖非常相似，但根據第二具體實施例之半 透型液晶顯示裝置乃具有不同的薄膜電晶體。 如第12圖所示，數個單元晝素p劃定於基板2 〇〇上，且 每個單元晝素具有第一〜第四子晝素區域A1〜A4，而第一〜 第四子晝素區域A1〜A 4各具有透；射部位b與反射部位ρ。如 第7圖所示之第一實施例，透射部位β是設於每個第一〜第 四子晝素區域A1〜A4之角落。第一〜第四子晝素區域A1〜A4 之透射部位B聚集於單元晝素p中心。意即，透射部位B緊 毪聚攏於單元畫素P中間，且反射部位D圍繞住透射部位B 於單元晝素P内。 於第1 2圖中，閘極線2 1 2成水平配置於基板2 〇 〇上，而 數條資料線22 6與閘極線212乃垂直相交、縱向配置於基板 2 0 0上。二條閘極線2 1 2設置在^起，使二條閘極線2丨2構 成雙閘極線。以同樣方式，二條資料線226也設置在一起 而構成雙資料線。成對的雙閘極線2丨2與雙資料線2 2 6劃定 出晝素區域P。如於第7圖中，閘極線212與資料線2 2 6係圍 繞著單元晝素P，但實質上並不出現於單元晝素p内，即閘 極線212與資料線22 6實質上不出現在單元晝素p之第一〜第

1279612 五、發明說明（19) 四子晝素區域A1〜A4間之區域上。 儲存線2 1 4通過單元晝素p中間，並以與閘極線2 1 2平 行來形成。儲存線2 1 4垂直通過資料線2 2 6，並設於上方的 子晝素區域A1〜A2與下面的子晝素區域A3〜A4間之邊界。多 晶矽圖案（polysilicon pattern) 204設於儲存線214下 面，且每個多晶矽圖案2 04對應於每個子晝素區域A1〜A4。 儲存線214與其下方的多晶矽圖案2 04可構成電容儲存器 CST。而每個透明晝素電極240對應於每個子晝素區域^

〜A4，並與部分儲存線214重疊。因此，此透明晝素電極 2 4 0與儲存線2 1 4之重疊部位會組成電容儲存器cST。每個子 晝素區域A1〜A 4具有一電容儲存器CST。於雙閘極線2 1 2與雙 資料線2 2 6之交叉處附近，配置有薄膜電晶體τ，使每個子 晝素區域A1〜A 4具有薄膜電晶體T於閘極線2 1 2與資料線2 2 6 之交又處附近之角落。

和第一實施例不同，於第1 2圖中之每個薄膜電晶體τ 包含延伸自閘極線212之閘極電極210、於閘極電極210下 之多晶石夕層2 0 2、於多晶石夕層2 0 2末端部位上且延伸自資料 線2 2 6之源極電極2 2 2、以及於多晶矽層2 0 2其他末端部位 且和源極電極2 22分隔一段距離之汲極電極224。 每個子晝素區域A1〜A4上，與第一實施例相似，配置 有反射器2 3 6。將反射器2 3 6設置之區域劃定為反射部位 D ’並將未設置反射器2 3 6之其他區域劃定為透射部位B。 意即，反射器2 3 6只形成於反射部位B。

如前所述，第一〜第四子畫素區域A 1〜A 4之透射部位B

第26頁 1279612 五 、發明說明（20) __ 聚集於單元晝素P中心。 、 射部位b係設於子晝素區域：m: j射部位b，此透 之角落為對角位置，且诱— 各/專膜電晶體T設置 、匕 、 逐射部位B斑位於罝；a 近子晝素區域之其他透私 … 、凡晝素P内之鄰

之結構，會將子晝素：：：位相"聚集的透射部位B 界區域，減少為第5'圖° 5之反射部位D與透射部位B的邊 射部位b是-同配置於i先：技術之一半。而且，因為透 疋件之邊緣值擴大。咅g卩 ^ 胃將形成在陣列 ^ , 思即’因為反射部位D盥锈舢划a β p日 之邊界區域減少為先前技 ，、透射部位B間 加。另外，由W、悉* 的午開口率會隨之增 另外由於透射部位β互相聚集，單元晝素曰 可被相田地延展，且研磨過程能易於這、 位…先前技術不同。於第二實施例中，透；= ^與反射器23 6延料閘^線與資料線上方，μ透^ 曰”、、員不装置之開口面積隨著部分重疊區域而增加。 第14Α圖〜第14Ε圖為沿著第13圖之剖面線χιν —χιν之剖 面圖’並說明多晶矽（p〇lysi丨ic〇n )薄膜電晶體之製程 步驟。第15A圖〜第15F圖是沿著第12圖之剖面線χν-XV之剖 面圖，並說明子晝素之製程步驟。而第16A圖〜第16F圖為 沿著第12圖之剖面線χν丨_χνΐ之剖面圖，並說明單元晝素 之製程步驟。 請參照第14A圖、第15A圖與第16A圖，數個子晝素區 域A 1〜A4劃定於基板2〇〇上。每個子晝素區域A 1〜A4包含反 射部位D與透射部位β。如前所述，第一〜第四子晝素區域 A1〜A4會構成單元畫素p。如第12·圖所示，第一〜第四子晝

第27頁 1279612 五、發明說明（21) 素區域A1〜A4具有一方格的圖案排列，並成縱向和橫向設 置在單元畫素P内。此外，第一〜第四子晝素區域人丨〜人4之 透射部位B也以縱向與橫向設置於單元畫素中心。這些結 構形成了於單元晝素P中心之透射部位群。 在劃定各具有透射部位B與反射部位D之子晝素區域a 1 〜A 4後’藉著沉積氮石夕化合物（s i Nx)或二氧化石夕（s i 〇2)，形 成緩衝層201於整個基板2 0 0上。若基板2〇〇包含鹼金屬 (a 1 k a 1 i )材料，緩衝層2 0 1會防止驗金屬材料避免擴散超 過緩衝層2 0 1。在形成緩衝層2 〇 1後，形成多晶；5夕層

(polycrystalline silicon layer)於緩衝層 201 上，然 後將其圖案化，以形成第一多晶矽圖案（f丨r polysi 1 icon pattern ) 202於儲存區域c中之薄膜電晶體 區域T與第二多晶矽圖案（sec〇n(i p〇lysili⑶^ patterns ) 20 4上。而多晶矽層可透過沉積非晶矽於緩衝 層201上^，然後以熱處理將其結晶化（crystaUizing)來

形成。第一多晶矽圖案2 〇 2分隔為第一區域乂丨（即，活性區 域）與數個第二區域V 2 (即，分別為源極區域與汲極區 域）。使用摻雜物（η*ρ型其中之一）於儲存區域C中，以使 第二多晶矽圖案2〇4扮演電容儲存器之一個電極。 之後，將如氮矽化合物（S i Νχ)或二氧化矽（s丨〇2)之無 機絕緣材料沉積於整個基板2〇〇上，以覆蓋第一與第二多 ^石夕圖案2G2與2G4，以形成閘極絕緣層⑽。然後，將包 含鋁（A1)之第一金屬材料設於閘極絕緣層2〇8上，然後將 其圖案化，以形成閘極電極21〇於第一多晶矽圖案2〇2上。

第28頁 1279612 五、發明說明（22) 閘極電極2 1 U係對應於活性區域v 1之位置，並具有和第一 區域（活性區域）VI相同尺寸。而閘極電極210形成時弟也 形成了連接閘極電極2 1 0之數條閘極線2 1 2。這些閑極線 2 1 2沿著第一與第二子晝素區域A1與A2之外面上緣/並产 著第三與第四子晝素區域A3與A4之外面下緣一同配置\使 鄰近的二條閘極線2 1 2構成雙閘極線。並且，當形成問極 電極210與閘極線212時，也形成了儲存線214。館存線214 與閘極線212平行，並配置於第一與第三子晝素區域M、 A3之間、第二與第四子晝素區域A2、A4之間。在第二實施 例中，儲存線214與第二多晶矽圖案204之重疊部位和^ = 多晶矽圖案2 0 4構成電容儲存器cST。另外，儲存線214扮演 上方的子晝素群A1〜A2與下方的子畫素群A3〜A4間之邊^ Y 且雙閘極線2 1 2扮演徑向配置於單元晝素p間之邊界。 於第二實施例中，使用鋁基底之金屬材料作為第一金 屬層’以減少或避免訊號延遲。利用包含具有鋁之下層或 包含高化學抵抗性之上層之雙層結構能保護化學性質較弱 的铭基底之金屬材料。 於圖案化第一金屬層，而形成閘極電極2 1 0、閘極線 212與儲存線214後，使用η型或p型離子於第一多晶石夕圖案 2 0 2 ’並藉由閘極電極2 1 〇作為離子終止層。因此，第一多 晶石夕圖案2 0 2之源極與汲極區域V2係經由一些摻雜物所摻 雜，如，η型或ρ型離子。 於第14Β圖、第15Β圖與第16Β圖中，形成内層絕緣層 (interlayer insulat〇r) 216於閘極絕緣層208之整個表 !279612

五、發明說明（23) 面 ’以覆蓋閘極電極210、閘極線2 12與儲存線214。而閘 二緣層2 0 8 ,内層絕緣層216也是無機材料，如氮矽化合 * 1 Νχ)或一氧化矽（S 1 〇2)。隨後，陸續將内層絕緣層2 1 6 Λ、下方之閘極絕緣層2 0 8圖案化，以形成分別霡中篦一 觸孔 區域（源極與汲極區域）V2之第一接觸孔2ΐ8與第二 2 2 0。 接著，於第14C圖、第15C圖與第16C圖中，將第二金 屬材料（如鉻（Cr)、鉬（Mo)、銅（Cu)、鎢（从）、鈦（Ti)、钽

(Ta )或類似金屬者）沉積於内層絕緣層2丨6上，然後將第二 金屬層圖案化’以形成源極電極2 2 2、汲極電極2 2 4 (如第 14C圖所示)與資料線226 (如第15C所示)。^未 yc圖、第15C圖與第16C圖中，但顯示於第12圖，資料線 。2 υ垂直父又於間極線2 1 2，而劃定出數個單元書素p。二 條資料線226 —同配置並形成雙資料線。如前所一由成 對的雙閘極線212與雙資料線226劃定出之單元晝素p係分 隔為第一〜第四子晝素區域Ai〜A4。而源極電極222延伸自 資料線22 6，並透過第一接觸孔218連接第二區域V2之源極 區域。汲極電極224通過閘極電極2 10而與源極電極2 22分

隔一段距離，並透過第二接觸孔22〇連接第二區域V2之汲 極區域。 於第14D圖、第15D圖、第16D圖中，第一鈍化層228形 成於整個基板2 〇 〇之上，使第一鈍化層2 2 8覆蓋於資料線 2 2 6、源極電極222、與汲極電極22 4之上。第一鈍化層228 為無機材料，如氮矽化合物（S i nx )或二氧化矽（s丨〇2)。在

第30頁 1279612 五、發明說明（24) 形成第一鈍化層2 2 8後，以一有機材料，例如，苯環丁稀 (benzocyclobutene，BCB)或丙烯酸樹月旨（acrylic resin )，形成於第一鈍化層228上，以形成第二鈍化層 230。之後，陸續將第一與第二鈍化層228與230圖案化， 以形成露出部分之汲極電極224之第三接觸孔232。同時， 第一與第*一純化層228與230圖案化時，形成開口 234於單 元晝素P之中間。開口 2 3 4露出單元晝素p之中間部位上之 内層絕緣層2 1 6，並對應於所有透射部位b。

於第14E圖、第15E圖、第16E圖中，將具有優良反射 率之第三金屬材料沉積於第二鈍化層2 3 0上，然後將其圖 案化，以形成反射器236於第一〜第四子晝素區域a 1〜A4之 反射部位D内。如第1 4 E圖所示，反射器2 3 6具有第三接觸 孔2 3 2，此第三接觸孔2 3 2係對應於第三接觸孔2 3 2以露出 汲極電極224。且反射器236並未覆蓋透射部位b，如第15E 圖與第1 6 E所示。在形成反射器2 3 6後，將如氮石夕化合物 (S i Nx)或二氧化矽（S i 02)之無機材料沉積於整個基板2 0 0 上，以覆蓋反射器236，而形成第三鈍化層238。第三純化 層238具有第二露出孔EH2，且第二露出孔EH2對應於露出 部分汲極電極2 24之第一露出孔EH1。 然後，於第14F圖、第15F圖與第16F圖中，將透明導 電材料沉積於第三鈍化層2 3 8整個表面上。隨後，將透明 導電材料圖案化，以形成透明的晝素電極240於第一〜第四 子畫素區域A1〜A4中。每個晝素電極240乃配置於每個第一 〜第四子畫素區域A 1〜A4之内，並透過先前形成的第二露出

第31頁 1279612 五、發明說明（25) 孔EH2連接汲極電極224。並且，每個透明畫素電極240與 儲存線214部分重疊，並也與閘極線212、資料線22 6部分 重疊。透明晝素電極240和儲存線2 14之重疊部分形成電容 儲存器CST。因此，如第1 6 F圖所示之第二實施例中存在有 雙電容儲存器。 第一與第二實施例之改良例子，請參照第丨7圖與第i 8 圖。由第一與第二實施例改良之實施例係於每個子晝素區 域具有一 L型電容儲存器。 々第1 7圖為第一實施例之改良實施例之平面圖。第丨7圖 與第7圖非常相似，但儲存線丨〇 6結構相異。此例之儲存線 =6沿著第一與第三子晝素區域A丨、A 3間與第二與第四子 晝素區域A2、A4間的邊界，水平通過並配置於單元晝素1> ^ 此外，儲存線1 0 6沿著第一與第二子晝素區域A 1、 間立以及第二與第四子晝素區域A3、A4間之邊界垂直延 ΐ。思即，儲存線106呈現十字交又圖形於單元晝素P中。 = f=:06之十字交又圖形，與儲存線106重疊之透明 旦A4比且i 一Λ部位^似匕形’而導致每個子晝素區域A1 元查Vp 1有二電谷儲存器CsT，如第1 7圖所示。此外，單 了雷定，而报士目士逯射部位B。此結構增加 :電谷㈣成具有極局解析度之影像顯示的液晶顯示展 第1 8圖為第二實施例之# $香 第…之改心二 構相異。此例之儲存線214沿著第―與第三子晝素區域、。

第32頁 !279612 五、發明說明（26) A 1、A3之間與第二與第四子晝素區域A2、A4之間的邊界， +行通過並配置於早元晝素p中間。此外，儲存線2 1 4沿著 第—與第二子畫、素區域A1、A2間與第三與第四子晝素區域 A3、A4間之邊界垂直延伸。意即，儲存線214具有十字交 又圖形於單元晝素P中，相似於第17圖。由於儲存線丨〇6之 十字交叉圖形，與儲存線214重疊之透明晝素電極24〇之部 仇則狀似L形，導致每個子晝素區域A1〜A4皆具有一l形電 各儲存為CST ’如第18圖所示。甚且，對應於每個第^ —第 四子晝素區域A1〜A4之多晶矽圖案2 0 4也形似L形，且配置 =儲存線21 4下之L形多晶矽圖案214也形成一l形電容儲存 為CST。根據第1 8圖中所示之實施例，單元晝素p具有十字 形電容儲存器。 八 第1 9圖為第一貫把例應用於液晶顯示裝置面板之剖面 圖。如圖所示，半透型液晶顯示裝置99包含一陣列基板 AS、一彩色濾光基板以、與夾於陣列基板AS與彩色濾光基 板cs間之一液晶層40 0。於陣列基板As之基板1〇〇上方，閘 ，，（圖中未示）與資料線11 8乃成彼此垂直交又配置，並 畫1定出單元晝素P。如前所述，二條閘極線與二條資料線 係兩兩同時配置，因而各形成雙閘極線與雙資料線。 :凡晝素ρ包含方格圖案之第一〜第四子晝素區域Α1〜Α4。 第一〜，四子晝素區域Α1〜Α4各具有透射部位Β與反射部位 查。i且弟一〜第四子畫素區域Α1〜Α4之透射部位β集結於單元 =素中間。而鄰近閘極線與資料線之交又處，則有非晶質 '胰電晶體τ配置於此。此非晶質薄臈電晶體τ包含閘極電

1279612 五、發明説明（27) 極1 0 2、非晶矽活性層1 1 0、源極電極1 1 4與汲極電極1 1 6。 另外，鈍化層1 2 0形成於整個基板1 〇 〇上方，並具有一開口 〇p，此開口0P對應於第^ —第四子晝素區域A1〜A4之透射部 位B 0 至於彩色濾光片基板CS上，黑色矩陣3 0 2是配置於基 板3 0 〇背面，並對應於非晶質薄膜電晶體T、閘極線（圖中 未示）與資料線11 8。具有紅、綠、藍色之彩色渡光片3 0 4 分別對應於第一〜第四子畫素區域A1〜A4。共同電極306則 形成於彩色濾光層3 0 4之背面。

第1 9圖所示之半透型液晶顯示裝置中，由於鈍化層具 有對應於透射部位B之開口 Ο P，液晶層4 0 0具有於透射部位 B之第一厚度、與於反射部位D之第二厚度。液晶顯示層 4 0 0之厚度差異則等於傳送於透射模組與反射模組間之光 通過液晶（與其相差）之距離。因而，製得具有的此半透型 液晶顯示裝置。

第2 0圖為第二實施例應用於液晶顯示裝置面板之剖面 圖。如圖所不’半透型液晶顯不裝置199包含*陣列基板 AS、一彩色濾光基板CS、與夾於陣列基板AS與彩色濾光基 板CS間之一液晶層40 0。於陣列基板AS之基板20 0上方，閘 極線（圖中未示）與資料線2 2 6乃配置成彼此垂直交叉，並 劃定出單元晝素P。如前所述，二條閘極線與二條資料線 係分別兩兩同時配置，而各形成雙閘極線與雙資料線。單 元晝素P包含第一〜第四子晝素區域A1〜A4。且第一〜第四子 晝素區域A1〜A4各·具有透射部位B與反射部位D。第一〜第四

第34頁 1279612 —一— 五、發明說明（28) 子書素區域A1〜A4之透射部位B聚集在單元晝素中間。鄰近 間極線與資料線之交叉處，則有多晶矽薄膜電晶體T配置 於此。多晶矽薄膜電晶體Τ包含多晶石夕活性層2 0 2、閘極電 極2 1 〇、源極電極2 2 2與没極電極2 2 4。覆蓋於多晶石夕薄膜 電晶體Τ之第一與第二鈍化層228、230具有一開口 0Ρ ’此 開口 ΟΡ對應於第一〜第四子畫素區域A1〜Α4之透射部位Β。 和第1 9圖所示之彩色濾光片所示，彩色濾光基板CS包 含一黑色矩陣3 0 2於基板3 0 0之背面。黑色矩陣3 0 2對應於 多晶矽（polys i 1 icon )薄膜電晶體T、閘極線（圖中未示） 與資料線226。具有紅、綠、藍色之彩色濾光片3 0 4也配置 於基板3 0 0之背面，並部分重疊於黑色矩陣3 〇 2。彩色濾光 片3 0 4之紅、綠、藍色則分別對應於第一〜第四子晝素區域 A 1〜A 4。而共同電極3 0 6形成於彩色濾光層3 〇 4背面。第2 0 圖所示之半透型液晶顯示装置中，由於鈍化層具有對應於 透射部位B之開口 〇 p，液晶層4 〇 〇具有於透射部位β之第一 厚度與於反射部位D之第二厚度。如上所述，液晶顯示層 4〇 0之厚度差異係等於傳送於透射模組與反射模組間之光 通過液晶（與其相差）之距離，而提供出一種具高解析力之 半透型液晶顯示裝置。 ^因此，本發明之實施例具有下列優點。首先，由於透 绦：位聚集於單元畫素中間，透射部位與反射部位間之邊 掷：域：ί此共享。因1^，開口率會隨著邊緣區域減少而 I ^ k ，因為子畫素區域之透射部位聚集於單元畫素 曰’于部位群會形成相當大的區域，並協助引導較佳

1279612 i、發明說明（29) 的研磨過程 點。第三， 才查高解析力 雖然本 以限定本發 精神和範圍 專利保護範 故，這些透射部位具有促進光學特性之優 電容儲存器所提供的儲存電容增加，而製得 半透型液晶顯示裝置。 j0 乂丨工只^ μ词路如上所述，然其並非 :巧熟習相關技藝者，在不脫離本發： :之更動與潤飾，因此本= 而現本說明書之申請專利範圍所界定；二之 1279612 圖式簡單說明 第1圖為先前技術之半透型液晶顯示裝置； ^ 2圖為第1圖之先前技術之半透型液晶顯示裝置之平面 第3圖為沿著第1圖之剖面線ΙΠ —ΙΠ2剖面圖，並說 前技術之半透型液晶顯示裝置； ° ^ 第4圖為沿著第1圖之剖面線丨丨丨—丨丨！之剖 ISJ圖，並說明 一先前技術之半透型液晶顯示裝置； 第5圖為先前技術之使用於半透型液晶顯示裝置之 板之一子晝素之平面圖； ' 早U基 第6圖為先前技術之第5圖之部位κ之放大剖面圖· 第7圖為本發明之第一具體實施例之半透型液^曰顯示 之平面圖； ^ 第8圖為本發明之弟7圖之部位S之放大平面圖· 弟9 A圖〜第9 E圖為本發明之沿著第8圖之剖面線I $ — I χ之刊 面圖，並說明非晶質薄膜電晶體之製程步驟； 口 第10Α圖〜第10Ε圖為本發明之沿著第7圖之剖面線χ —X之剖 面圖’並說明子晝素之製程步驟； 第11Α圖〜第11Ε圖分別為本發明；之沿著第7圖之剖面線χ j 一 X I之剖面圖，並說明單元晝素之製程步驟； 第1 2圖為本發明之第二具體實施例之半透型液晶顯示裝置 之平面圖； 第13圖為本發明之第12圖之部位S之平面圖； 第1 4 Α圖〜第1 4 F圖為本發明之沿(著第1 3圖剖面線χ I ν - X I V之 剖面圖，並說明多晶矽薄膜電晶體之製程步驟； 1279612 圖式簡單說明 第1 5A圖〜第1 5F圖為本發明之沿著第12圖之剖面線XV-XV之 剖面圖，並說明子晝素之製程步驟； 第1 6A圖〜第1 6F圖分別為本發明之沿著第1 2圖之剖面線 XV I-XVI之剖面圖，並說明單元晝素之製程步驟； 第1 7圖為本發明之第一具體實施例之改良實施例； 第1 8圖為本發明之第二具體實施例之改良實施例； 第1 9圖為本發明之應用第一具體實施例之液晶顯示面板； 及

第2 0圖為本發明之應用第二具體實施例之液晶顯示面板。 【圖式符號說明】

10 半透型液晶顯示裝置 60 第一基板（下基板） 61 閘極線 61 開口 62 資料線 63 絕緣層 6 3a 傾斜 64 透明電極 66 反射電極 70 閘極電極 72 活性層 74 源極電極 76 汲極電極 80 第二基板（上基板）

第38頁 1279612 圖式簡單說明 82 82a 、 82b 84 86 90 95 99 100 102 104 106 110 112 114 116 118 120 122 124 126 128 130 199 200 置 裝 示 片片 顯 光光 層晶 遽濾陣極光 液 色色矩電滤層型 彩彩色同色晶透板 子子黑共彩液半基 閘極電極 閘極線 儲存線 活性層 歐姆接觸層 源極電極 汲極電極 資料線 第一鈍化層 第一接觸孔 第一開口 反射器 第二鈍化層 畫素電極 半透型液晶顯示裝置 基板

第39頁 1279612

第40頁 圖式簡單說明 201 緩 衝 層 202 多 晶 石夕 層 202 第 一 多 晶 矽 圖 案 204 多 晶 矽 圖 案 204 第 二 多 晶 矽 圖 案 208 閘 極 絕 緣 層 210 閘 極 電 極 212 閘 極 線 214 儲 存 線 216 内 層 絕 緣 層 218 第 — 接 觸 孔 220 第 二 接 觸 孔 222 源 極 電 極 224 汲 極 電 極 226 資 料 線 228 第 一 鈍 化 層 230 第 二 鈍 化 層 232 第 二 接 觸 孔 234 開 π 236 反 射 器 238 第 二 鈍 化 層 240 晝 素 電 極 300 基 板 302 黑 色 矩 陣 1279612

第41頁 圖式簡單說明 304 彩色濾光片 306 共同電極 400 液晶層 A1 第一子晝素區 域 A2 第二子晝素區 域 A3 第三子畫素區 域 A4 第四子晝素區 域 AS 陣列基板 B 透射部位 C 儲存區域 CS 彩色濾、光基板 CsT 電容儲存器 D 反射部位 d 液晶盒間距 d 階級 d 第一液晶盒間 距 2d 弟二液晶盒間距 EH2 第二露出孔 EH1 第一露出孔 F 區域 FI 第一相錯區域 F2 第二相錯區域 H 透光孔 H 開口 1279612 圖式簡單說明 H1 第 二接觸孔 H2 第 二開口 K 部 位 L 長 度 0P 開 V P 晝 素區域 S 部 位 T 薄 膜電晶體 VI 第 一區域 V2 第 二區域 W 寬度 Θ 角 度 I I I " I I I 剖 面線 IX-IX 剖 面線 X-X 剖 面線 XI-XI 剖 面線 XI V-XI V 剖 面線 XV-XV 剖 面線 XVI-XVI 剖 面線

第42頁

Claims (1)

1279612 _案號93110695 年月日 修正_ 六、申請專利範圍 汲極電極，該閘極電極係自該閘極線延伸而出，該源極電 極係自該資料線延伸而出，且該汲極電極係經由該閘極電 極而與該源極電極分隔一段距離。 5 .如申請專利範圍第1項所述之半透型液晶顯示裝置，更 包含複數個儲存線，其與該些閘極線平行並配置於該些子 晝素區域間。 6 .如申請專利範圍第5項所述之半透型液晶顯示裝置，其 中每個單元畫素之該儲存線具有一十字交叉圖形。 7. 如申請專利範圍第6項所述之半透型液晶顯示裝置，其 中於每個子畫素區域之該畫素電極係與該儲存線部分重 疊，並形成一電容儲存器。 8. 如申請專利範圍第1項所述之半透型液晶顯示裝置，其 中該些薄膜電晶體各包含一多晶矽層、一閘極電極、一源 極電極與一汲極電極，該閘極電極係自該多晶矽層上之該 閘極線延伸而出，該源極電極係自該資料線延伸而出，該 汲極電極係經由該閘極電極而與該源極電極分隔一段距 離。 9. 如申請專利範圍第8項所述之半透型液晶顯示裝置，更 包含複數個儲存線，其係與該些閘極線平行，其中該些儲 存線係配置於每個單元晝素上之該些子晝素區域間。 1 0 .如申請專利範圍第9項所述之半透型液晶顯示裝置，其 中於該單元畫素上之每個儲存線係具有一十字交叉圖形。 1 1.如申請專利範圍第1 0項所述之半透型液晶顯示裝置， 更包含一多晶矽（polysilicon)圖案於每個子晝素區域

第44頁 1279612 _案號93110695_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 上之該儲存線下方。 1 2.如申請專利範圍第1 1項所述之半透型液晶顯示裝置， 其中該多晶矽圖案係為L形，並與該儲存線形成一電容儲 存器。 1 3 .如申請專利範圍第1項所述之半透型液晶顯示裝置，更 包含一彩色濾、光片基板，其包含有： 一黑色矩陣位於一基板上，該黑色矩陣對應於該 些薄膜電晶體、該些閘極線與該些資料線； 一彩色濾光層位於該基板上，而覆蓋該黑色矩 陣，該彩色濾光層具有對應於該些子畫素區域之紅、綠與 $ 藍色；及 一共同電極位於該彩色濾光層上。 1 4.如申請專利範圍第1項所述之半透型液晶顯示裝置，其 中二閘極線係共同配置並形成雙閘極線（t w i n g a t e lines) o 1 5 .如申請專利範圍第1項所述之半透型液晶顯示裝置，其 中二資料線係共同配置並形成雙資料線（t w i n d a t a lines) ° 1 6 . —種丰透型液晶顯示裝置之陣列基板之製造方法，其 步驟包含： U 形成複數個閘極線、複數個儲存線與複數閘極電 極於一基板上； 形成一閘極絕緣層於該基板上，而覆蓋該些閘極 線、該些儲存線與該些閘極電極；

第45頁 1279612 _案號 93110695_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 陸續形成一活性層與一歐姆接觸層於該閘極絕緣 層上之每個閘極電極上方； 形成複數個資料線、複數個源極電極與複數個汲 極電極於該閘極絕緣層上，每個汲極電極與每個源極電極 係連接至該歐姆接觸層，該些資料線與該些閘極線係垂直 相交而劃定出複數個單元畫素，該些單元畫素係各包含複 數個子畫素區域，該些子畫素區域係各包含一透射部位與 一反射部位，且該些透射部位係聚集於每個單元晝素之每 個子畫素區域之角落，其中該透射部位與該反射部位在每 一子晝素區域之兩側邊彼此鄰接； 形成一第一鈍化層於該閘極絕緣層上，而覆蓋該 些資料線、該些源極電極與該些汲極電極，該第一鈍化層 係於每個單元晝素中包含一接觸孔與一第一開口 ，該接觸 孔係露出部分該汲極電極，該第一開口係露出該透射部位 上之該閘極絕緣層； 形成複數個反射器於該些反射部位上，該些反射 器分別對應每個子畫素區域； 形成一第二鈍化層於該第一鈍化層上，而覆蓋該 些反射器，該第二鈍化層具有一第二開口，而露出該些透 射部位上之該閘極絕緣層；及 形成複數個晝素電極於該些子晝素區域中之該第 二鈍化層上。 1 7.如申請專利範圍第1 6項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中二閘極線係共同配置並形成雙

第46頁 1279612 _案號93110695_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 閘極線。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項所述之半透型液晶顯不裝置之 陣列基板之製造方法，其中該些儲存線係與該些閘極線平 行，並配置於相鄰的雙閘極線之間。 1 9.如申請專利範圍第1 6項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中二資料線係共同配置並形成雙 資料線。 2 0 .如申請專利範圍第1 6項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中該第一鈍化層係選自由氮化係 與氧化矽之群組組合之一無機材料。 2 1.如申請專利範圍第1 6項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中該第二鈍化層具有一接觸孔， 而露出每個單元晝素中之部分該汲極電極。 2 2 .如申請專利範圍第1 7項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中該些晝素電極係與該些閘極 線、該些資料線以及該些儲存線部分重疊。 2 3 .如申請專利範圍第2 2項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中該儲存線與該晝素電極之重疊 部分係對應於每個子畫素區域各形成一電容儲存器。 2 4 .如申請專利範圍第1 6項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中該些單元晝素各包含四個薄膜 電晶體，該些薄膜電晶體分別配置於該單元晝素之不同角 落。 2 5 .如申請專利範圍第2 4項所述之半透型液晶顯示裝置之

第47頁 1279612 _案號 93110695_年月日_修正 _ 六、申請專利範圍 陣列基板之製造方法，其中每個子畫素區域内之該透射部 位係與該薄膜電晶體配置成對角位置。 2 6 .如申請專利範圍第1 6項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中該些儲存線係分別配置於該些 子晝素區域之間。 2 7.如申請專利範圍第1 6項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中該些儲存線各具有一十字交叉 圖形。 2 8 .如申請專利範圍第2 7項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中於每個子晝素區域之該晝素電 φ 極係與該儲存線部分重疊，並形成一 L形之電容儲存器。 2 9. —種半透型液晶顯示裝置之陣列基板之製造方法，其 步驟包含： 劃定複數個單元畫素於一基板上，該些單元晝素 各包含複數個子晝素區域，該些子晝素區域各包含一透射 部位與一反射部位，該些子晝素區域之該些透射部位係聚 集於每個單元晝素之角落，其中該透射部位與該反射部位 在每一子畫素區域之兩侧邊彼此鄰接； 形成一緩衝層於該整個基板上； 形成複數個多晶矽層與複數個多晶矽圖案，該些 ^ 多晶矽層係配置於鄰近該些單元晝素之角落，該些多晶矽 圖案係配置於該些子晝素區域間； 形成一閘極絕緣層於該緩衝層上，以覆蓋該些多 晶梦層與該些多晶梦圖案，

第48頁 1279612 六、申請專利範圍 ' ------J多正 形成複數個閘極線、複 電極於該閘極絕緣層上； =存線與複數個閘極 形成一第一鈍化層於該 一 些閑極線、該些儲存線與？緣層… 該些閘極絕緣層具有複數個電極，该第一鈍化層與 分該些多晶矽層； ’該些接觸孔係露出部 形成複數個資料線、複 極電極於該第一鈍化層上，每硬個數二源極電極與複數個汲 係透過該些接觸孔連接至該夕曰二S電極與每個汲極電極 Otb PJ Μ ^ φ f ig ^ M夕日日矽層，該些資料線係與該 t閘極線笙直相父，並劃定出該些 陸續形成一第二鈍化層盥第-总儿P 旦I ’ 以劳苗兮此次祖姑 θ…第二鈍化層於該第一鈍化層上， : = 源極電極與該些汲極電極，該第 2::個：：ϊ化層係包含有-第-接觸孔與-第-开、、母早兀旦素中’該第一接觸孔係露出部分該汲極 電極，該第-開口係露出該透射部位中之該第一鈍化層； 形成複數個反射器於該些反射部伋，該些反射器對應於每 個子畫素區域； 形成一第四鈍化層於該第三鈍化層上，而覆蓋該些 反射器，該第二鈍化層具有一第二接觸孔於每個單元晝素 中，該第二接觸孔係露出部分該汲極電極；及 形成複數個晝素電極於該些子晝素區域之該第四鈍 化層上，每個晝素電極係透過該第二接觸孔連接至該汲極 電極。 3 〇 ·如申請專利範圍第2 9項所述之半透型液晶顯示裝置之

第49頁 1279612 _案號93110695_年月日__ 六、申請專利範圍 陣列基板之製造方法，其中二閘極線係共同配置並形成雙 閘極。 3 1.如申請專利範圍第3 0項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中該些儲存線係與該些閘極線平 行，並配置於相鄰的該些雙閘極線間。 3 2 .如申請專利範圍第2 9項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中二資料線係共同配置並形成雙 資料線。 3 3 .如申請專利範圍第2 9項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中該第三鈍化層係選自由氮化係 4 與氧化矽之群組組合之一無機材料。 3 4.如申請專利範圍第2 9項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中該些晝素電極係與該些閘極 線、該些資料線、以及該些儲存線部分重疊。 3 5 .如申請專利範圍第3 4項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中於每個子晝素區域中之該晝素 電極與該儲存線係部分重疊，並形成一電容儲存器。 3 6 .如申請專利範圍第2 9項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中該些單元畫素各包含四個薄膜 電晶體，該些薄膜電晶體分別配置於該單元晝素之不同角 落。 3 7 .如申請專利範圍第3 6項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中每個子晝素區域上之該透射部 位與該薄膜電晶體係成對角位置。

第50頁 1279612 _案號93110695 年月日__ 六、申請專利範圍 3 8 .如申請專利範圍第2 9項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中該些儲存線係分別配置於該些 子畫素區域之間。 3 9 .如申請專利範圍第2 9項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中該些儲存線各具有一十字交叉 圖形。 4 0 .如申請專利範圍第3 9項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中該些多晶矽圖案係為L形。 4 1.如申請專利範圍第4 0項所述之半透型液晶顯示裝置之 陣列基板之製造方法，其中於每個子畫素區域之該晝素電 + 極係與該儲存線部分重疊，並形成一 L形電容儲存器。 4 2. —種半透型液晶顯示裝置之製造方法，其步驟包含： 形成複數個閘極線與複數個資料導線，其係垂直 交叉並劃定出複數個單元晝素，該些單元晝素各包含複數 個子晝素區域，該些子畫素區域各包含一透射部位與一反 射部位，該些透射部位係聚集於每個單元晝素内，其中該 透射部位與該反射部位在每一子晝素區域之兩側邊彼此鄰 接； 形成一薄膜電晶體於每個子畫素區域中，並鄰近 該些閘極線與該些資料線之交叉處； 形成一鈍化層，以覆蓋該些薄膜電晶體、該些閘 極線與該些資料線，該鈍化層具有一開口，該開口係對應 於每個單元晝素中之該些透射部位； 形成一反射器於每個子晝素區域之該鈍化層上，

第51頁 1279612 案號 93110695 Λ_____Ά 修正 六、申請專利範圍 該反射器係對應於該反射部位之位置；及 形成一畫素電極於每個子晝素區域中，該晝素電 極係經由該鈍化層上之一接觸孔連接至該薄膜電晶體。 4 3 .如申請專利範圍第4 2項所述之半透型液晶顯示裝置之 製造方法，其中該些單元晝素各包含四個薄膜電晶體，該 些薄膜電晶體配置於每個單元晝素中不同角落。 4 4 .如申請專利範圍第4 3項所述之半透型液晶顯示裝置之 製造方法，其中每個子晝素區域上之該透射部位與該薄膜 電晶體係成對角位置。 4 5 .如申請專利範圍第4 2項所述之半透型液晶顯示裝置之 製造方法，其中該薄膜電晶體包含一閘極電極、一非晶矽 活性層(amorphous silicon active layer)、一 源極電 極與一汲極電極，該閘極電極係自該閘極線延伸而出，該 源極電極係自該資料線延伸而出，且該汲極電極係經由該 閘極電極而與該源極電極分隔一段距離。 4 6 .如申請專利範圍第4 2項所述之半透型液晶顯示裝置之 製造方法，更包含形成一儲存線於每個單元畫素中，該儲 存線係與該些閘極線平行並配置於該些子畫素區域間。 4 7 .如申請專利範圍第4 6項所述之半透型液晶顯不裝置之 製造方法，其中每個單元畫素之該儲存線具有一十字交叉 圖形。 4 8 .如申請專利範圍第4 7項所述之半透型液晶顯示裝置之 製造方法，其中於每個子畫素區域之該晝素電極係與該儲 存線部分重疊，並形成一電容儲存器。

第52頁 1279612 _案號93110695_年月日__ 六、申請專利範圍 4 9 .如申請專利範圍第4 2項所述之半透型液晶顯示裝置之 製造方法，其中每個薄膜電晶體各包含一多晶矽層、一閘 極電極、一源極電極與一汲極電極，該閘極電極係自該多 晶石夕層上之該閘極線延伸而出，該源極電極係自該資料線 延伸而出，該汲極電極係經由該閘極電極而與該源極電極 分隔一段距離。 5 0 .如申請專利範圍第4 9項所述之半透型液晶顯示裝置之 製造方法，更包含形成一儲存線於每個單元晝素中，該儲 存線與該些閘極線平行，且該些儲存線係配置於該些子畫 素區域間，並具有一十字交叉圖形。 5 1.如申請專利範圍第5 0項所述之半透型液晶顯示裝置之 製造方法，更包含形成一多晶矽（ρ ο 1 y s i 1 i c ο η)圖案於 每個子晝素區域上之該儲存線下方。 5 2 .如申請專利範圍第5 1項所述之半透型液晶顯示裝置之 製造方法，其中該多晶矽圖案係成L形，並與該儲存線形 成一電容儲存器。 5 3 .如申請專利範圍第4 2項所述之半透型液晶顯示裝置之 製造方法，更包含形成一彩色濾光片基板，其包含有： 一黑色矩陣位於一基板上，該黑色矩陣對應於該 些薄膜電晶體、該些閘極線與該些資料線； 一彩色濾光層位於該機板上，而覆蓋該黑色矩 陣，該彩色濾光層具有對應於該些子晝素區域之紅、綠與 藍色；及 一共同電極位於該彩色濾光層上。

第53頁 1279612 案號93110695 年月日 修正 之 置 裝線 極 示Η 閘 顯 日雙 晶6 夜成 、、：形 型Lfl 」並 透一L 置 半己 ^ 西 之3 述Μ 所共 係 項 h線 4 極 第 1閘 圍 & 二 —中 利L F其 圍專 々巳 ， _請$ 專申、、/ 請 方 申如t 、·造 六54製 之 置 裝 示 顯 晶 液 型 透 半 之 述 所 項 2 ο 4 5 6 圍 i範 11 利 Θ t 專 a g請 η中 • 1 W如 t . 5 χίν 5 法 方 造 製 •板 6 5基 液 型 透 a d 半 ·^^二 η 0 及 以 線 料 資 雙 成 形 並 置 配 同 共 係 線 ο 料 \)y 資 S Θ 二 η • 1 Ψ— -—_ 其 a 置 第 1 與 板 基 一 第 一 含 包 置 裝 示一 顯第 t 曰s " 於 液 一 之 間 板 基 二 第 玄 士δ 與 板 基 些元 該單 ，些 線該 料， 資素 個晝 數元 複單 與個 線數 極複 閘出 個定 數劃 複係 有線 具料 板資 基些 一該 第與 該線 ，極 層閘 一透 含該 包， 各器 域射 區反 素一 書I含 子包 些位 該部 ，射 域反 區該 素， 畫位 子部 個射 數反 複一 含與 包位 各部 素射 晝透 素， 畫間 子位 的部 同射 不透 之的 内鄰 素相 晝兩 元兩 單於 個置 每配 於未 置位 配部 鄰射 相反 兩該 兩使 係， 位中 部域 射區 其5其成5 更 係 置體 >晶 f 1 示膜 顯W 晶薄 透 。半部 °¾ 5口 ^ 身 射P透 反U該 該W之 有 6 中 5 且S弟矶 π圍g 並i素 位]|晝 部：;子 时 固 身青4 透t每 該 於 中.^中 過 t穿 置 >並 裝亍 '不ί0 ^ a 二 ‘極 液Η 閘 型 . 透4一 。^ 内，與 區I其 所 素 ， 項 畫6器 5 子 存 第 該1儲 圍於—容 列«1|電 專 置 數 Λ $ 角申含 對.^包 置 裝 示 顯 晶 液 型 透 半 之 述 所 項 8 5 第 圍 範 。利 -專 素主月 書一士 -中 元口 口 tup · 9 該5 穿 係 線 存 儲 些 該 中 其 第 圍 範 利 專 請 申 如 固 Η項 每8 5 過 心 中 勺 白 素 書一 元 單 置 裝 示 顯 晶 液 型 透 半 之 述 所

第54頁 1279612 _案號93110695_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 其中於每個子晝素區域之該儲存線係與該子畫素區域之邊 緣重疊。 6 1 .如申請專利範圍第5 9項所述之半透型液晶顯示裝置， 其中該儲存線與每個子晝素區域之該透射部位之重疊區域 係成L形。 6 2 .如申請專利範圍第5 8項所述之半透型液晶顯示裝置， 更包含一畫素電極於每個子晝素區域中，該晝素電極與該 儲存線係部分重疊，並形成一電容儲存器 6 3 .如申請專利範圍第6 0項所述之半透型液晶顯示裝置， 更包含一多晶矽圖案於每個子晝素區域之該儲存線下方， + 且該多晶矽圖案與該儲存線形成一電容儲存器。 6 4 .如申請專利範圍第6 1項所述之半透型液晶顯示裝置， 更包含一多晶矽圖案於每個子晝素區域之該儲存線下方， 且該多晶矽圖與該儲存線形成一 L形之電容儲存器。 6 5 .如申請專利範圍第5 6項所述之半透型液晶顯示裝置， 其中至少一該些閘極線與該些資料線係於相鄰的該些單元 晝素間彼此相鄰配置。 6 6 .如申請專利範圍第5 6項所述之半透型液晶顯示裝置， 其中該些透射部位上之液晶厚度係略為該些反射部位上之 液晶厚度的兩倍。 6 7 .如申請專利範圍第5 6項所述之半透型液晶顯示裝置， 其中該第二基板包含： 一黑色矩陣對應於該第一基板上之該些閘極線、 該些資料線與該些薄膜電晶體；

第55頁 1279612 _案號93110695_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 一彩色濾光層覆蓋該黑色矩陣並具有紅、綠、藍 色；及 一共同電極位於該彩色濾光層上。 6 8 .如申請專利範圍第6 7項所述之半透型液晶顯示裝置， 其中該彩色濾光層之一色係覆蓋一個別的單元畫素上之所 有子畫素區域，且該色係不同於覆蓋鄰近於該個別的單元 晝素之其他單元晝素之其他色。 6 9 .如申請專利範圍第5 6項所述之半透型液晶顯示裝置， 其中該液晶層包含具有一折射率與厚度之液晶，以提供與 該反射部位與該透射部位相當的相同相位延遲值（phase m retardation value) 〇 70.—種半透型液晶顯示裝置，包含一第一基板與一第二 基板、以及配置於該第一基板與該第二基板間之一液晶 層，該第一基板具有複數個閘極線與複數個資料線，該些 閘極線與該些資料線係劃定出複數個單元畫素，該些單元 晝素各包含複數個子畫素區域，該些子晝素區域各包含一 透射部位、一反射部位、於該透射部位與該反射部位間之 一邊緣區域、一反射器與一鈍化層，該鈍化層與該反射器 係配置於該反射部位中，並在到達該透射部位前終止於該 邊緣區域，使該邊緣區域包含一相錯（disclination) ， ^ 而該相錯係為該鈍化層與該反射器對於該第一基板與該第 二基板傾斜一角度，其中於每個單元晝素中，至少一子畫 素區域之該邊緣區域與該反射部位係不完全包圍該子畫素 區域之該透射部位。

第56頁 1279612 ^^_ayu〇695 六、申請專利範圍 一 ———— __ Γ中如專利範圍帛70項所述之半透型液晶顯示裝晋， ^ 子晝素區域之該邊緣部位不完全包圍哕 域之該透射部位。 w D亥子畫素區 :中如每申Λ專^員&述書\半透型液晶顯示裝置， ^ ^ ^ ^ ^ ^ i i ^ i ^ 11 ^ ^ m r' ® ^ ^ ^ ^ ^ it r, ,¾ ° 單元ίΐ個儲存線，纟係與該^極線平行並穿過該些 74.如申請專利範圍第73項所述之半透型 其中該些儲存線係穿過每個單元畫素之中心曰丫不裝置， p中如一申請專利範圍* 73項戶斤述之♦透型?夜晶顯示 二中母個子畫素區域之該儲存線係部分重裝^， 域之邊緣。 足於該子晝素區 76 ·如申請專利範圍第74項所述之半透型液曰 其中於每個子晝素區域之該儲存線與該透置， 區域係成一 L形。 巡射。卩位間之重疊 如〜申請專利範圍第73項所述之半透型液晶顯示裝置 匕含一畫素電極於每個子畫素區域中，該書辛Ζ ’ 存線部分重疊並形成一電容儲存器、。—素電極係與 更8勺"^人申請專利範圍第76項所述之半透型液晶顯示裝置， 方匕合一多晶矽圖案於每個子晝素區域中之該儲存線下 7 9且該多晶矽圖案係與該儲存線形成一電容儲存器。 如申睛專利範圍第7 7項所述之半透型液晶顯示裝置，

1279612 _案號93110695_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 更包含一多晶矽圖案於每個子晝素區域之該儲存線下方， 且該多晶矽圖案係與該儲存線形成一 L形之電容儲存器。 8 0 .如申請專利範圍第7 0項所述之半透型液晶顯示裝置， 其中至少一組之該些閘極線與該些資料線係彼此相鄰配置 於相鄰的該些單元晝素間。 8 1.如申請專利範圍第7 0項所述之半透型液晶顯示裝置， 其中該些透射部位上之液晶厚度係略為該些反射部位上之 液晶厚度的兩倍。 8 2 .如申請專利範圍第7 0項所述之半透型液晶顯示裝置， 其中該第二基板包含： 一黑色矩陣對應於該第一基板上之該些閘極線、 該些資料線與該些薄膜電晶體； 一彩色濾光層覆蓋該黑色矩陣並具有紅、綠、藍 色；及 一共同電極位於該彩色渡光層上。 8 3 .如申請專利範圍第8 2項所述之半透型液晶顯示裝置， 其中該彩色濾光層之一色係覆蓋一個別的單元晝素上之所 有子畫素區域，且該色係不同於覆蓋鄰近於該個別的單元 晝素之其他單元晝素之其他色。 8 4 .如申請專利範圍第7 0項所述之半透型液晶顯示裝置， 其中該液晶層包含具有一折射率與厚度之液晶，以提供與 該反射部位與該透射部位相當的相同相位延遲值（phase retardation value) 〇

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