TWI279590B - Transmission shear grating in checkerboard configuration for EUV wavefront sensor - Google Patents
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Description
1279590 ⑴ 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明一般係有關一種極紫外線（EUV )微影系統， 尤指測量微影系統中的波前參數。 【先前技術】 微影法爲一被用來產生形體特徵於基板之表面上的程 序，這樣的基板能夠包含那些在扁平面板顯示器、電路 板、各種積體電路等等中所使用的基板，如此之應用中所 常常使用到的基板爲半導體晶圓，熟習於相關技藝者將會 察覺到在此之敘述也能夠應用到其他類型的基板。 在微影期間，置於晶圓台（WS )上之晶圓係曝光於 由位在微影系統內之曝光系統所投射在晶圓表面上的影 像，此曝光系統包含一用來投射影像於晶圓上之光罩（也 被稱爲遮罩）。 光罩一般係位於半導體晶片與光源之間，通常被安裝 在光罩台（RS )上。在微影期間，舉例來說，光罩被用 作光遮罩，用來印刷電路於半導體晶片上。微影光線照射 穿過遮罩，而後經過一系列使影像縮小的光學透鏡，此小 的影像然後被投射於矽或半導體晶圓上，此程序係類似於 照相機如何使光線彎曲而形成影像於底片上，光線在微影 製程上扮演整合的角色，舉例來說，在微處理器（電腦晶 片）的製造上，產生更強而有力之微處理器的角色爲光線 之波長的大小，波長愈短，愈多電晶體能夠被蝕刻於矽晶 -4 - 1279590 (2) 圓上。具有許多電晶體之矽晶圓導致更強而有力、更快速 的微處理器。 當晶片製造商已經能夠使用更短波長的光時，他們已 經遭遇到更短波長的光變得會被意欲使光線聚焦的玻璃透 鏡所吸收之問題，由於更短波長光的吸收，光線未能到達 矽晶圓。結果，在矽晶圓上沒有產生任何的電路圖案。在 企圖克服此問題方面，晶片製造商發展出一以極紫外線微 影（EUVL )著稱之微影程序，在此程序中，能夠以鏡子 取代玻璃透鏡。 測量照明光束之品質的問題是微影應用上一直存在的 問題，特別是，在晶圓製造和曝光期間希望能夠測量微影 .................. .......….
工具中的波前品質，而非必須拆解工具以便這樣做，E U V ^_________—.......... 工具的特殊環境要求使得拆解成爲冗長而困難費力的工 作。 【發明內容】 本發明係指用於EUV波前感測器之棋盤結構及透射 剪切光柵，其實際上防止習知技術的一或多個問題及缺 點。 本發明之實施例包含一波前測量系統，其包括一電磁 輻射源。一成像系統將電磁輻射均勻地導入於物體平面 處，一第一光柵係位於物體平面中，用以做成到達投射光 學（P 〇 )之輸入NA瞳孔平面之照明的條件，第一光概包 含多個反射線，各反射線係由多個反射點所構成的。一投 -5- 1279590 (3) 射光學系統將第一光柵的影像投射在焦點平面上’ 一第二 光柵係位於焦點平面處，一偵測器係位於條紋平面中’並 且經由第二光柵而接收PO瞳孔的多重影像。 本發明之其他特徵及優點將被提出於下面的說明中， 並且將從此說明中而部分部分地顯明，或者可以藉由本發 明之實施來予以學習，本發明之優點將會藉由此結構來予 以實現及取得，並且被特別指明於書面的說明及其申請專 利範圍以及附加之圖形中。 可以了解到前述的一般說明及後續的詳細說明係代表 性及解釋性的，並且意欲提供如所界定之本發明的進一步 說明。 【實施方式】 將對本發明的實施例做成詳細的參考資料，其例子將 被舉例說明於伴隨的圖形中。 圖1舉例說明EUV微影系統1〇〇的一部分，其包含 一 EUV源（未顯示於圖1中），系統100也包含影像光 學（包含鏡M4及M3)、瞳孔101、光罩102、及投射光 學（PO) 104鏡Ml及M6，而光罩102係安裝在光罩台 (RS，未顯示出）上，具有即將被成像於晶圓105上之 圖案的影像。EUV輻射然後被投射在晶圓105上，而晶 圓1〇5係安裝在晶圓台（WS，未顯示出）上。將會領會 到光罩1 02在EUV系統中係反射的，不像操作於較長之 波長（例如深紫外光或可見光）的微影系統，其中，光罩 -6 - 1279590 (4) 1 G 2係透射的。 如同圖1所進一步顯示的，在本發明中，一感測器模 組1 0 6被置於晶圓台上，而且一源模組1 0 3被置於光罩台 上’以測量波前，感測器及源模組1 06也可以被稱爲波前 感測器（W F S )。 圖2舉例說明本發明的另一波前測量裝置，特別是當 它能夠被倂入於微影系統中時。如圖2所示，源模組1 〇3 被置於光罩台上，並且在一實施例中包含兩個正交定向的 光柵。波前感測器（或感測器模組1 06 )被置於晶圓台 上，並且包含一 2-D光柵201及一定位於2-D光柵下方的 CCD偵測器202，投射光學（p〇 ) 1〇4保持和做正常的曝 光操作一樣。 波前能夠被測量於當成像並未正被實施時，爲了測量 波前，光罩台被移動，使得光罩台上之源模組1 03中的其 中一個光栅203被置於光學路徑上，而不是光罩102本 身。晶圓台也被移動而使得波前感測器被定位來接收源模 組光柵203的影像。然後，2-D光柵201下方的CCD偵 測器202接收及測量所透射之輻射。然後，光罩台能夠被 移動而將不同的繞射光柵放置於光學路徑上，以便測量具 有源模組光柵203之正交方位的波前。 圖3舉例說明一本發明之2-D光柵201的實施例。如 圖3所示，能夠使用棋盤光栅，而此光柵具有謹慎選擇的 間距，這樣的光柵能夠被製造於由透射於曝光波長之材料 所做之例如1〇〇毫微米厚的基板上，舉例來說’對於13·5 (5) 1279590 毫微米來說，這樣的透射材料之例包含矽及氮化矽。因 此，能夠說2-D棋盤繞射光柵201具有50%的工作周期。 主要的干涉將會是第零級和+及-第1級，期望來自源模 組1 〇3之擴散散射的隨機化特質有效地洗掉在投射光學 (PO ) 1 04瞳孔上之波前中的空間變化。注意，如同可以 從圖3看出，2_D光柵201的間距爲垂直正方形的長度。 如同可以從圖3看出，2-D光柵201也包含反射（或 不透明）區域，這些反射區域能夠是由吸收EUV輻射 (在此情況中，用於1 3 .5 nm曝光波長）的材料所形成 的，例如，鎳、鉻、或其他金屬。 在一實施例中，棋盤光柵間距被選擇爲1 . 6微米，注 意，必須謹慎地選擇間距，以便造成用於特別剪切比値及 數値孔徑之第1級繞射的適當角度（如下所討論的）。在 一較佳實施例中，剪切比値被選擇爲1/3 0th，雖然熟習於 一般技藝者將會領會到本發明並非僅限於這些特別的數字 或尺寸。又，在一特別實施例中，系統之輸出數値孔徑爲 〇·25 (以及對於 4X放大倍數來說，輸入數値孔徑爲 0.0625 )，雖然本發明並非僅限於此特別的數値孔徑。 如同上面所注意的，在一實施例中，選擇2 -D光柵 201之間距以提供1/3 0th的剪切比値，其中，CCD偵測器 202係在條紋平面上（亦即，系統之焦點平面的下方）， 並且”看到”條紋的圖案或者許多重疊的圓圈，如同將在下 面所進一步討論的。剪切比値爲兩個圓圈重疊的測量，其 中，零的剪切比値表示完美的重疊。也注意到，CCD偵 -8- 1279590 (6) 測器202期望“看到”僅第零級和+及-第1級的繞射影 像，並且消除繞射影像上的+及-第2級。爲此目的，相 信使用具有正方形透射及反射區域的棋盤光柵（如圖3所 示）爲最佳的。此外，建構第一光柵1 〇 3來幫助消除不想 要的級，但是，不管那一種透射及反射區域的圖案被使 用，重要的是他是一個形成2-D光柵的規則圖案。但是， 將會領會到，除了正方形形狀以外，其他的形狀係可能 的，例如，圓形的反射區域或圓形的透射區域，祇要圖案 是規則的。 熟習於一般技藝者也將會領會到，在感測器模組1 0 6 與源模組1 03之間的一些容許顧慮能夠首先藉由製造感測 器模組106的2-D光柵201、測量其正確的尺寸、而後據 以製造源模組光柵203來予以解決。在4X放大倍數系統 中，源模組1 0 3之線形光柵的間距較佳準確爲感測器模組 106之2-D光柵201之間距的4X。因此，對於2-D光柵 201的1 ·6微米間距來說，源模組光柵203的間距較佳爲 6 · 4微米。但是，如果2 - D光柵2 01被測量而，舉例來 說’偏離1 .6的額定値1 〇%，則能夠據以製造源模組光柵 2 03而具有間距4Χ乘上所測量之棋盤光柵間距，這降低 了在同時製造兩組光柵上非常精確的需要。 2-D光柵201的另一實施例爲交叉光栅，使得具有適 當間距的兩個線形光柵基本上一個被放置在另一個上，連 同各光柵具有適當的間距尺寸而導致適當組合的對角線間 距。但是’相信棋盤光柵提供最好的結果。 -9- 1279590 (7) 也將會領會到，在源模組1 03中能夠使用棋盤光柵或 交叉光柵來代替兩個分開的線形光栅，雖然在源模組1 0 3 中使用2-D光栅會使偵測器讀出及分析數學複雜。 也將會領會到，雖然上面的討論主要是從EUV微影 系統的觀點來看，其中典型上使用反射的光學元件（例 如，源模組光柵2 0 3、投射光學1〇4、及成像光學），本 發明可均等地應用於在微影系統中所使用的其他波長，連 同適當地以適當的透射/折射組件來代替反射組件。 源模組光柵203的間距也被選擇，以使+及-第1級 影像之間的干涉消失。 圖4及圖5舉例說明使用橫向剪切干涉儀4 1 0中之瞳 孔來產生基準波前及剪切波前（亦見圖1中之入口瞳孔 1 0 1 )。如圖4及圖5所示，波前4 01在空間中會聚於一 點，而同時自主要源發散出去，點源402之影像存在於入 口瞳孔1 01處，一局部透射膜4 1 5可以被放置在入口瞳孔 101處，一針孔403係位於入口瞳孔101處，針孔403產 生具有波前401的透射波404，其包含繞射之球面基準波 405。因此，橫向剪切干涉儀410產生一或多個表觀源’ 其波前4 1 1干涉而產生條紋4 1 2。 圖6爲本發明之波前測量系統的另一舉例說明，顯示 位於物體平面（光罩1 〇2台，未標示於圖形中）中之源模 組103及投射光學104，一影像剪切光柵201係位於晶圓 台上，並且產生而後被偵測做爲感測器模組1 202中之條 紋圖案的多重波前。 -10- 1279590 (8) 圖7舉例說明如同由C C D偵測器2 0 2所看到的波前 條紋（在圖4中的4 12 )。如圖7所不’在右手上方的照 片中，顯示單一物體空間用的剪切條紋’其中’狹縫係位 於塡補最大數値孔徑之不相關、漫射源的前面’並且使任 何的波前不均勻性平整。右手底部圖形顯示一條紋可見度 函數6 0 1，具有第零極和第1級繞射圖案，藉由在P 〇瞳 孔處之第〇極與+第1級及與-第1級繞射的干涉而形成 波前條紋，光柵201上的50%工作周期使所有偶數級的繞 射圖案不可見。在圖7的左下處，顯示影像空間剪切光柵 2 0 1，具有0.5的剪切比値。 圖8到圖1 1舉例說明對於不同的剪切比値來說，由 C CD偵測器202所看到之代表性波前。 進一步參照圖1及圖1 0，波前能夠藉由在CCD偵測 器2 02處拍攝許多影像N來予以進一步分析，而同時以 每一次線寬/N來掃描光罩台。對於光柵2 0 3的6.4微米間 距及16個影像來說，以每一次6.4微米/16=400 nm來掃 描光罩台。然後’可以經由相位偏移干涉儀原理來組合影 像，以產生比單一影像所可供之分析更好的分析。 在許多EUV微影系統中常常存在的特別問題爲euV 源並不提供均勻的照明於p 〇的瞳孔處，但是反而具有許 多的網格小面’或者熱點，其係起因自EUV源之光學中 之複眼透鏡的使用，這導致在p〇 1〇4之瞳孔的輸入數値 孔徑處的不均勻波前，或者有時候，在p 〇的塡補不足的 數値孔徑中，舉例來說，本發明之一實施例的特別系統對 -11 - 1279590 (9) 於投射光學1 〇 4而言具有〇 · 0 6 2 5的輸入數値孔徑，及 0.25的輸出數値孔徑。因此，想要能夠消除在PO 104之 輸入數値孔徑處的塡補不足及強度不均勻性。注意，上面 所討論的問題影像由上面所討論之波前感測器所做的波前 測量。 圖1 2舉例說明用來克服這些問題所提出的一個解決 方法。如圖1 2所示，其舉例說明一種線形光柵，光柵的 各反射線不是由連續之反射條紋（線）所構成的，而是由 多個反射點所構成的。反射點能夠被隨機散布，如圖12 所示’或者能夠被排列成規則的矩陣圖案。因此，如同可 以從圖12看出，源模組之光柵1 202的線，當，，從遠處，，看 時’似乎是實線，就像上面所討論的，但是，當，，從近處” 看時（如同在1 204處所舉例說明的），他們反而是由許 多反射點所組成的。對於EUV應用來說，剩餘的材料將 會被吸收。 如同已經陳述的，光柵線被選擇而和第2光柵線有直 接關係’以便進一步使物體平面照明的使用達最大，保持 在偵測益處的條紋可見度’並且消除+和—1級條紋。 在一實施例中，對於上面所討論的參數（對於4X放 大倍數爲6·4 μπι，0.25輸出數値孔徑，0.0625輸入數値 孔徑’ 1 3 · 5 nm源）來說，點的直徑係在7 0 nm與12 0 nm 之間，較佳接近7 0 n m。 圖1 2的底部部分顯示整體構成本發明之源模組光柵 2〇3之兩個正交定向光柵的全部配置，如同可以從圖} 2 -12- 1279590 (10) 的底部部分看出，反射點能夠被排列成兩個相鄰1E交β勺圖 案，各自爲200μηι乘200μιιι。 將會領會到使用本發明之反射點，單一繞射圖案’如 圖1 0所示，舉例來說，變成繞射圖案之內的繞射圖案。 因此，各反射點變成波前源，如同從焦點平面所看到的。 於是，在強度上的不規則（特別是由於源之複眼網格小 面）將會消失，在焦點平面處顯現源的乾淨、規則影像。 光柵203的反射點圖案也具有其塡補投射光學之0.0625 數値孔徑並且使用盡可能多之入射於光柵203上的光之優 點。此外，如果在物體平面處的照明在空間上係不相關 的，則沒有額外的瞳孔網格小面或瞳孔結構被導入。圖 1 2所示之反射點光柵能夠被製造於標準的光罩空白處 上，點直徑較佳被選擇而比塡補超過數値孔徑還多，以便 提供接近均勻的瞳孔照明。 除此之外，在強度上之2減少的因數對於各點來說係 可容許的，這是因爲光子雜訊-限制基本偵測訊號-對-雜 訊比値僅以2的平方根增加。也注意，由於可製造性問 題，所以想要較大的直徑，舉例來說，計算顯示44 nm直 徑的點給予10%減少，66 nm直徑的點給予20 %減少，及 1 1 2 nm直徑的點給予5 0%減少。 因此，本發明之反射點光柵2 03爲反射EUV散射裝 置的一個例子，而在此情況中，對於大數目之點及第一光 柵尺寸而言具有〇 · 4 %效率，連同使效率達最大的額外目 標。相較於Lambertian漫射體，在此，效率被定義做爲 -13- 1279590 (11) 在反射自此裝置之後，落在所想要之數値孔徑內之照明功 率的分數。 一定製的反射EUV繞射器塡補投射光學之輸入數値 孔徑’以消除由於照明子系統（111 u m i n a t i ο n S u b s y s t e m ) 的瞳孔網格小面，並且使利用橫向光柵剪切干涉儀之在 EUV波長處之光學系統像差測量用的照明使用達最大。 最後一者需要相當於在光罩平面上被放置於不相關的擴充 源之前的光柵，前兩者需要輸入照明以比Lambertian漫 射體更有利的圖案而被繞射器所反射，此定製的反射繞射 器可以爲一以光柵形式之微反射器繞射-限制點的整體， 在該整體中之個別的反射點將被放置在50%工作周期“光 柵”的“狹縫”處，並且具有藉由繞射塡補輸入數値孔徑之 尺寸及形狀之各個個別的反射點正被測量。對於在13.5 nm處之 0.0 62 5的數値孔徑來說，點直徑可能是 70 nm (到210 nm)。一單一 70 nm點將會在EUV ILIAS中產 生約0.01“可偵測”之EUV光子，但是一 3 00 μιη長，以及 間距6.4 μ m的4 5條線，並且僅沿著各線的中央軸具有點 的50%工作周期“光柵”能夠容納足夠的點，以產生多達 1，〇〇〇“可偵測”之EUV光子，其係比EUV ILIAS所需要之 量還多，以點塡補之“光柵”線將會給予更大的訊號，一單 (點）線將會給予不充分的訊號，一 Lambertian漫射體 及類似形式之規則光柵將會給予僅係充分的訊號。 反射點能夠具有不同的高度以便給他們相位差，且因 此用來消除先前隨機圖案的中央亮點，由於隨機高度之隨 -14- (12) 1279590 機相位用於相同的目的。但是，在有局部相關照明參與的 情況中之斑點對於某些應用來說可能會是問題，反射點能 夠被規則地放置而沒有相位段差，並且這樣的規律放置可 以用斑點換取較少問題之非常低頻的人工製品。 當反射點被隨機地放置於光柵線內時，斑點出現在條 紋圖案中，以及亮點出現在中央處，明亮的中央能夠藉由 使隨機高度之反射點具有波長（亦即，OPD 7Γ的許多倍加 上分數）之許多倍的標準偏差來予以去除。當點被放置成 規則的圖案時，在條紋平面中之重疊的條紋人工製品同樣 地能夠藉由使隨機高度的點具有7Γ之許多倍的光學路徑差 異標準偏差來予以去除。但是，條紋人工製品可能對條紋 分析較沒有衝擊。 習於此技藝者將會了解到，形式上的各種改變及詳細 內容可以被做成於本發明中，而沒有違離如附加之申請專 利範圍中所界定之本發明的精神及範疇，因此，本發明的 寬闊度及範疇不應該受到上述代表性實施例所限制，而僅 應該根據下面的申請專利範圍及其等同之物來予以界定。 【圖式簡單說明】 伴隨之圖形，其被包含來舉例說明本發明之代表性實 施例，並且被倂入且構成此說明書的一部分，舉例說明本 發明之實施例，而且和說明一起用來解釋本發明的原理。 圖1顯示EUV微影系統的一部分。 圖2顯示本發明之感測器模組及源模組如何裝配於微 -15- 1279590 (13) 影系統內的舉例說明。 圖3顯示2 · D棋盤光柵的例子。 圖4及圖5舉例說明使用干涉儀以產生剪切波前。 圖6爲舉例說明本發明當被使用於微影工具內時之另 一示意圖。 圖7到圖1 1舉例說明使用本發明，在焦點平面處所 看到之干涉條紋的例子。 圖1 2舉例說明使用反射點之隨機圖案的源模組光柵 實施例。 【符號說明】 100 EUV微影系統 1 〇 1 瞳孔 102 光罩 1 〇 3源模組 104投射光學 1 〇 5晶圓 106感測器模組 201 2-D光柵 2 02 CCD偵測器 2 0 3光柵 4 〇 1波前 4 02點源 4 03針孔 -16- 1279590 (14) 404透射波 40 5球面基準波 410橫向剪切干涉儀 4 1 1波前 4 1 2條紋 4 1 5透射膜 6 0 1條紋可見度函數 ‘ Φ
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Claims (1)
1279590 (1) 拾、申請專利範圍 1 · 一種波前測量系統，包含： 一電磁輻射源； 一照明系統，將電磁輻射均勻地導入於一物體平面 處； 一第一光柵，係位於物體平面中，以做成電磁輻射的 條件； 一投射光學系統，將第一光柵之影像投射於焦點平面 上； 一第二光柵，在焦點平面處；以及 一偵測器，在第二光柵的後面，接收由第二光柵所產 生之條紋圖案。 2 ·如申請專利範圍第1項之系統，其中，第二光柵爲 一二維光柵 0 3 .如申請專利範圍第2項之系統，其中，二維光柵爲 一棋盤光栅。 4 ·如申請專利範圍第2項之系統，其中，二維光柵爲 一交叉光柵。 5 .如申請專利範圍第1項之系統，其中，第一光柵爲 一反射光柵。 6 ·如申請專利範圍第1項之系統，其中，第二光柵包 含吸收區域及透射區域的規則圖案。 7.如申請專利範圍第1項之系統，其中，源爲一極紫 外光（E U V )輻射源。 -18- 1279590 (2) 8 .如申請專利範圍第丨項之系統，其中，源爲一 ；[3 . 5 nm福射源。 9 ·如申請專利範圍第1項之系統，其中，第一光柵被 安裝在光罩台上。 1 0 ·如申請專利範圍第1項之系統，其中，第二光柵 被安裝在晶圓台上。 1 1 ·如申請專利範圍第1項之系統，其中，第一光柵 係定向在相關於第二光柵成4 5度。 12·如申請專利範圍第丨項之系統，其中，第一光柵 之間距等於第二光柵之間距乘上投射光學系統的放大倍數 因數。 1 3 ·如申請專利範圍第〗項之系統，其中，第一光柵 爲一棋盤光柵。 1 4 ·如申請專利範圍第丨項之系統，其中，第一光栅 爲一線形光概。 1 5 ·如申請專利範圍第1項之系統，另包含一第三光 柵，被定向而和第一光柵正交，且可位於物體平面中以代 替第一光栅。 1 6 .如申請專利範圍第1項之系統，其中，偵測器爲 一電荷耦合裝置（C C D )偵測器。 1 7 ·如申請專利範圍第1項之系統，其中，第二光柵 被形成於氮化矽基板上。 1 8 ·如申請專利範圍第1項之系統，其中，第二光柵 被形成於矽基板上。 -19- 1279590 (3) 1 9 ·如申請專利範圍第1項之系統，其中，第一光柵 被形成於氮化矽基板上。 2 0 ·如申請專利範圍第1項之系統，其中，第一光柵 被形成於石英基板及矽基板其中一者上。 2 1 ·如申請專利範圍第1項之系統，其中，第二光柵 包含多個由金屬所形成的吸收區域。 22 ·如申請專利範圍第1項之系統，其中，第一光柵 之間距係如此而使得第二級繞射圖案消失於焦點平面處。 2 3 .如申請專利範圍第1項之系統，其中，偵測器接 收到投射光學系統之瞳孔的第零級繞射影像，及投射光學 系統之瞳孔的±第1級繞射影像。 2 4 ·如申請專利範圍第1項之系統，其中，第一光柵 塡補投射光學系統的輸入數値孔徑。 2 5 .如申請專利範圍第1項之系統，其中，第一光柵 使投射光學系統之輸入瞳孔的照明不規則平整。 2 6 ·如申請專利範圍第1項之系統，其中，第一光柵 使入射於投射光學系統上之能夠在條紋平面上形成條紋的 電磁輻射達最大。 2 7 . —種波前測量系統，包含： 一電磁輻射源； 一成像系統，使電磁輻射聚焦於一物體平面處； 一第一光栅’係位於光罩台上，以產生繞射圖案於焦 點平面處； 一投射光學系統，將第一光柵之影像投射於焦點平面 -20- 1279590 (4) 上； 一第二光柵，係位於晶圓台上，以接收第一光柵之繞 射影像；以及 一偵測器，係位於焦點平面中之晶圓台上，以接收經 過第二光柵之投射光學系統之瞳孔的圖案。 2 8 .如申請專利範圍第2 7項之系統，其中，第二光柵 爲一二維光柵。 2 9.如申請專利範圍第28項之系統，其中，二維光柵 爲一棋盤光栅。 3 0.如申請專利範圍第28項之系統，其中，二維光柵 爲一交叉光柵。 3 1.如申請專利範圍第27項之系統，其中，第一光柵 爲一反射光柵。 3 2 .如申請專利範圍第2 7項之系統，其中，第二光柵 包含吸收區域及透射區域的規則圖案。 3 3 .如申請專利範圍第3 2項之系統，其中，吸收區域 包含鎳。 3 4 ·如申請專利範圍第2 7項之系統，其中，源爲一極 紫外光（EUV )輻射源。 3 5 ·如申請專利範圍第27項之系統，其中，源爲一 13·5 nm輻射源。 3 6 ·如申請專利範圍第2 7項之系統，其中，第一光柵 係定向在相關於第二光柵成45度。 3 7 .如申請專利範圍第2 7項之系統，其中，第一光栅 •21 - 1279590 (5) 之間距等於第二光柵之間距乘上投射光學系統的放大倍數 因數。 3 8 .如申請專利範圍第2 7 爲一棋盤光柵。 3 9.如申請專利範圍第27 爲一線形光柵。 40·如申請專利範圍第27 柵在光罩台上，第三光柵被定 位於光學路徑中以代替第一光 4 1.如申請專利範圍第27 一 CCD偵測器。 4 2 ·如申請專利範圍第2 7 被形成於氮化矽基板上。 4 3 .如申請專利範圍第2 7 被形成於矽基板上。 44·如申請專利範圍第27 被形成於石英基板上。 45·如申請專利範圍第27 被形成於砂基板上。 46. 如申請專利範圍第27 包含多個由金屬所形成的吸收 47. 如申請專利範圍第46 鎳。 48. 如申請專利範圍第27 項之系統， 其中， 第一光柵 項之系統， 其中， 第一光柵 項之系統， 另包含 一第三光 向而和第一* 光柵正交，且可 柵。 項之系統， 其中， 偵測器爲 項之系統， 其中， 第二光柵 項之系統， 其中， 第二光柵 項之系統， 其中， 第一光栅 項之系統， 其中， 第一光柵 項之系統， 其中， 第二光栅 區域。 項之系統， 其中， 該金屬爲 項之系統， 其中， 第一光柵 -22- 1279590 (6) 之工作周期係如此而使得該源之第二級繞射圖案消失於焦 點平面處。 4 9 .如申請專利範圍第2 7項之系統，其中，第一光柵 之工作周期爲5 0 %。 5 0·如申請專利範圍第27項之系統，其中，第二光柵 之工作周期係如此而使得來自第二光柵之第二級繞射圖案 消失於條紋平面中。 5 1 .如申請專利範圍第27項之系統，其中，第二光柵 之工作周期爲50%。 5 2 .如申請專利範圍第2 7項之系統，其中，偵測器接 收到投射光學系統之輸出瞳孔的第零級繞射影像’及投射 光學系統之輸出瞳孔的±第1級繞射影像。 5 3 .如申請專利範圍第2 4項之系統，其中，第二光柵 形成一剪切干涉儀。 5 4 .如申請專利範圍第2 7項之系統，其中，第二光柵 之剪切比値約爲1/30。 5 5 .如申請專利範圍第2 7項之系統，其中’第二光柵 具有約1 . 6 2 μ m的間距。 5 6 .如申請專利範圍第2 7項之系統，其中’第一光柵 具有約6·4μηι的間距。 5 7 .如申請專利範圍第2 7項之系統，其中’投射光學 系統的輸出數値孔徑約爲0.2 5。 5 8 .如申請專利範圍2 7 1項之系統，其中’投射光學 系統之輸入數値孔徑約爲0 · 0 6 2 5。 -23- 1279590 (7) 5 9 .如申請專利範圍第2 7項之系統，其中，投射光學 系統的放大倍數約爲4 X。 6〇·—種用於EUV微影之系統，包含： 一 EUV源，發射EUV輻射； 一成像系統，均勻地以EUV輻射照明物體平面； 一光罩台，用來安裝光罩於物體平面上； 一第一光柵，係位於光罩台上，以產生繞射圖案於焦 點平面處； 一投射光學系統，使焦點平面與物體平面光學地共 軛； 一晶圓台； 一弟一光柵’在焦點平面中，且位於晶圓台上；以及 一偵測器，係位於晶圓台上，以接收經過第二光柵之 投射光學系統之瞳孔的多重影像。 6 1 · —種光學系統之波前的測量方法，包含： 產生電磁輻射於一源處； 將電磁輻射導引於光學系統的物體平面處； 定位一第一光柵於光學系統之光學路徑上，以產生做 成繞射圖案於光學系統之焦點平面處的條件； 使焦點平面與物體平面共軛； 使一偵測器定位於焦點平面的下方，及一第二光柵在 焦點平面處； 接收到經過第二光柵之投射光學系統之瞳孔的多重影 像；以及 -24- 1279590 (8) 從影像計算波前參數。
-25-
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