JP3950858B2 - 波面測定システム、euvフォトリソグラフィシステム、及び光学系の波面を測定する方法 - Google Patents
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Description
Claims (61)
- 波面測定システムにおいて、
電磁放射源と、
電磁放射を均一に対物面に向ける照明系と、
対物面に配置された、電磁放射を調整する第1の格子であって、該第1の格子の線が複数のドットから構成されている該第1の格子と、
前記第1の格子の像を焦点面に投影する投影光学系と、
焦点面に置かれた第2の格子と、
前記第2の格子の背後に配置された検出器とを有し、
前記検出器は前記第2の格子により形成された干渉縞パターンを受け取る、
ことを特徴とする波面測定システム。
- 前記第2の格子は二次元格子である、請求項1記載のシステム。
- 前記二次元格子はチェッカー盤格子である、請求項2記載のシステム。
- 前記二次元格子は交差格子である、請求項2記載のシステム。
- 前記第1の格子は反射型格子である、請求項1記載のシステム。
- 前記第2の格子は吸光領域と透過領域の規則的パターンを有している、請求項1記載のシステム。
- 前記電磁放射源は極紫外(EUV)放射源である、請求項1記載のシステム。
- 前記電磁放射源は13.5nmの放射源である、請求項1記載のシステム。
- 前記第1の格子はレチクル段に取り付けられている、請求項1記載のシステム。
- 前記第2の格子はウェーハ段に取り付けられている、請求項1記載のシステム。
- 前記第1の格子は前記第2の格子に対して45°の方向を向いている、請求項1記載のシステム。
- 前記第1の格子のピッチは、前記第2の格子のピッチに前記投影光学系の倍率を掛けたものに等しい、請求項1記載のシステム。
- 前記第1の格子はチェッカー盤格子である、請求項1記載のシステム。
- 前記第1の格子は直線格子である、請求項1記載のシステム。
- 前記第1の格子に直交する向きを有し、前記第1の格子に代わって対物面に配置可能な第3の格子をさらに有する、請求項1記載のシステム。
- 前記検出器は電荷結合素子(CCD)検出器である、請求項1記載のシステム。
- 前記第2の格子は窒化ケイ素基板の上に形成されている、請求項1記載のシステム。
- 前記第2の格子はシリコン基板の上に形成されている、請求項1記載のシステム。
- 前記第1の格子は窒化ケイ素基板の上に形成されている、請求項1記載のシステム。
- 前記第1の格子はクオーツ基板とシリコン基板のうちの一方の上に形成されている、請求項1記載のシステム。
- 前記第2の格子は金属から成る複数の吸光領域を有している、請求項1記載のシステム。
- 前記第1の格子のピッチは、2次回折パターンが焦点面で消えるように選択されている、請求項1記載のシステム。
- 前記検出器は、前記投影光学系の瞳の0次回折像と前記投影光学系の瞳の+/−1次回折像を受け取る、請求項1記載のシステム。
- 前記第1の格子は前記投影光学系の入射開口数を充満する、請求項1記載のシステム。
- 前記第1の格子は前記投影光学系の入射瞳の照明不規則性を均一化する、請求項1記載のシステム。
- 前記第1の格子は、干渉縞面に干渉縞を形成しうる、前記投影光学系へ入射する電磁放射を最大化する、請求項1記載のシステム。
- 波面測定システムにおいて、
電磁放射源と、
電磁放射を対物面に集束させる結像系と、
レチクル段に配置された、焦点面に回折パターンを生じさせる第1の格子であって、該第1の格子の線が複数のドットから構成されている該第1の格子と、
前記第1の格子の像を焦点面に投影する投影光学系と、
ウェーハ段に配置された、前記第1の格子の回折像を受け取る第2の格子と、
焦点面内のウェーハ段に配置された検出器とを有し、
前記検出器は前記投影光学系の瞳の像を前記第2の格子を通して受け取る、
ことを特徴とする波面測定システム。
- 前記第2の格子は二次元格子である、請求項27記載のシステム。
- 前記二次元格子はチェッカー盤格子である、請求項28記載のシステム。
- 前記二次元格子は交差格子である、請求項28記載のシステム。
- 前記第1の格子は反射型格子である、請求項27記載のシステム。
- 前記第2の格子は吸光領域と透過領域の規則的パターンを有している、請求項27記載のシステム。
- 前記吸光領域はニッケルを含んでいる、請求項32記載のシステム。
- 前記電磁放射源は極紫外(EUV)放射源である、請求項27記載のシステム。
- 前記電磁放射源は13.5nmの放射源である、請求項27記載のシステム。
- 前記第1の格子は前記第2の格子に対して45°の方向を向いている、請求項27記載のシステム。
- 前記第1の格子のピッチは、前記第2の格子のピッチに前記投影光学系の倍率を掛けたものに等しい、請求項27記載のシステム。
- 前記第1の格子はチェッカー盤格子である、請求項27記載のシステム。
- 前記第1の格子は直線格子である、請求項27記載のシステム。
- 第3の格子をさらに有し、該第3の格子は、前記第1の格子に直交する向きを有し、前記第1の格子に代わって光路内に配置可能である、請求項27記載のシステム。
- 前記検出器は電荷結合素子(CCD)検出器である、請求項27記載のシステム。
- 前記第2の格子は窒化ケイ素基板の上に形成されている、請求項27記載のシステム。
- 前記第2の格子はシリコン基板の上に形成されている、請求項27記載のシステム。
- 前記第1の格子はクオーツ基板の上に形成されている、請求項27記載のシステム。
- 前記第1の格子はシリコン基板の上に形成されている、請求項27記載のシステム。
- 前記第2の格子は金属から成る複数の吸光領域を有している、請求項27記載のシステム。
- 前記金属はニッケルである、請求項46記載のシステム。
- 前記第1の格子のデューティサイクルは、前記電磁放射源の2次回折パターンが焦点面で消えるように選択されている、請求項27記載のシステム。
- 前記第1の格子のデューティサイクルは50%である、請求項27記載のシステム。
- 前記第2の格子のデューティサイクルは、前記第2の格子からの2次回折パターンが干渉縞面で消えるように選択されている、請求項27記載のシステム。
- 前記第2の格子のデューティサイクルは50%である、請求項27記載のシステム。
- 前記検出器は、前記投影光学系の射出瞳の0次回折像と前記投影光学系の射出瞳の+/−1次回折像を受け取る、請求項27記載のシステム。
- 前記第2の格子はシアリング干渉計を形成している、請求項24記載のシステム。
- 前記第2の格子のシアー比はおよそ1/30である、請求項27記載のシステム。
- 前記第2の格子はおよそ1.62μmのピッチを有する、請求項27記載のシステム。
- 前記第1の格子はおよそ6.4μmのピッチを有する、請求項27記載のシステム。
- 前記投影光学系の射出開口数はおよそ0.25である、請求項27記載のシステム。
- 前記投影光学系の入射開口数はおよそ0.0625である、請求項27記載のシステム。
- 前記投影光学系の倍率はおよそ4倍である、請求項27記載のシステム。
- EUVフォトリソグラフィシステムにおいて、
EUV放射を放射するEUV源と、
対物面をEUV放射で均一に照明する結像系と、
対物面内にレチクルを取り付けるためのレチクル段と、
焦点面に回折パターンを生じさせる前記レチクル段に配置された第1の格子であって、該第1の格子の線が複数のドットから構成されている該第1の格子と、
焦点面と物体面が光学的に共役であるようにする投影光学系と、
ウェーハ段と、
焦点面内で前記ウェーハ段に配置された第2の格子と、
前記ウェーハ段に配置された検出器と、
を有し、
前記検出器は前記投影光学系の瞳の複数の像を前記第2の格子を通して受け取る、
ことを特徴とするEUVフォトリソグラフィシステム。
- 光学系の波面を測定する方法において、
電磁放射源において電磁放射を発生させ、
電磁放射を前記光学系の対物面に向け、
前記光学系の焦点面における回折パターンを調整する第1の格子であって、該第1の格子の線が複数のドットから構成されている該第1の格子を前記光学系の光路内に配置し、
焦点面と物体面が共役となるようにし、
検出器を焦点面の下に、第2の格子を焦点面に配置し、
投影光学系の瞳の複数の像を前記第2の格子を通して受け取り、
前記像から波面パラメータを計算する、
ことを特徴とする光学系の波面を測定する方法。
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