TWI275904B - Photoresist stripper composition, and exfoliation method of a photoresist using it - Google Patents

Description

1275904 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於使用了感光膠剝離液組成物以及使用該組成物 之感光膠的剝離方法。說得更詳細一點，係有關於在半導體元件 以及液晶顯示元件等之製程中，於濕式腐蝕及乾式腐蝕過程後， 於將殘留的感光膠膜予以剝離時所使用之剝離液組成物以及使用 該組成物之感光膠的剝離方法。 【先前技術】 半導體元件或液晶顯示元件之製造通常都是以如下製程順序 進行之。在半導體基板或玻璃基板上設置金屬、無機材料或氧化 膜層之金屬配線形成製程、設置感光膠層之製程、在感光膠上轉 錄光罩模式之曝光製程、依照模式將膜腐蝕之腐蝕製程、以及去 除感光膠之剝離製程。附件的圖面乃順序說明如上述之曝光製 程、腐蝕製程以及剝離製程所進行之金屬模式形成製程的圖面。 "第一圖表示在半導體基板或玻璃基板10、金屬、無機材料 或氧化膜層2 0所順序層積之基板表面上設置感光膠層3 〇者。 第二圖表示透過由既定模式而形成的光罩，在應形成前述感 光膠膜表面的模式部位上照射紫外線、電子束，或如χ射線般^ 有高能量之活性射線，形成了前述模式的潛影之後，以顯像液義貝 像，形成感光膠模式者。 ^ 第三圖之中，將模式之形成部位以濕式腐蝕以及乾式腐蝕來 形成模式之後，如第四圖所示，以剝離液組成物去除模式形成後 所殘留之感光膠。 ' 最近，半導體元件以及液晶顯示元件的高度積層化造成了一 種模式超微細化的傾向，因此金屬或氧化膜之腐蝕條件變得嚴 格，腐蝕製程所造成之變質與感光膠硬化的產生頻率變高。具體 的腐蝕製程可分類為，使用了電子化學反應之濕式腐蝕、以^使 用了被等離子化之腐蝕氣體自由基反應的乾式腐蝕。在這種腐蝕 製程之後發生的變質或硬化的感光膠，即使使用以往之一般感光 1275904 膠剝離液也很難去除。這種變質或硬化之感光膠若不完全去除， 會因為感光膠殘留物而在後續製程中成為斷線以及短路的原因， 會造成半導體元件或液晶顯示元件等在生產上之良率降低的原 因。此外，隨著半導體元件之高度積層化以及模式的超微細化 會造成起因自半導體元件中所用的金屬的電阻（配線電阻）盥配 線電容之配線延遲等問題。為了改善配線電阻，在配線材料^， 提案使用比以往之主流的鋁（A 1 )其電阻要來得小的金屬，例 如銅（C u)等，這已經是在實用化的階段了。 把被模式化之感光膠層予以剝離之溶液，亦即剝離劑方面， 一般可以舉出無機酸、無機驗、或有機溶媒，例如，函化有機溶 媒、烷基苯續酸、芳香族碳氳化合物溶媒與烷基苯續酸之混合物 等。然而，剝離劑之有效成分上若使用無機酸或無機驗時，因為 會腐蝕下方金屬膜，或伴隨著對人體有害之缺點等作業上的困難 性，所以一般是使用有機溶媒，而最近，多使用包含了極性溶 以及胺的胺系列剝離劑。 、 胺系列剝離劑中，大家知道胺成分是以烘烤（b a k i η g )、等離子腐蝕、離子注入（implantati〇n)，或 ，他之L S I裝置的製程來有效除去交聯結合之感光膜時所必 須。但疋，胺系列感光膠剝離劑時常引起如腐姓般之嚴重問題， 特別是使用銘基板時更是如此。 這種腐蝕’、一般認為是在剝離階段後，殘留剝離液組成物殘 存於基板表面或基板的載體上，在使用水後—剝離清洗階段中， =殘留胺而被離子化的水使得腐蝕進行。換言之，剝離組成物之 胺成分，其本身雖然不會腐蝕基板，但可能扮演著激發的功能， 使水引起腐蝕現象。像這樣的腐蝕問題之外，還有因剝離劑與水 對於異物溶解度的差異，而在剝離過程之後，立即以水清洗時， 溶解於殘留剝離液組成物中之物質被析出的情況。 為了解決這種問題，於剝離階段與使用水之後—剝離清洗階 段之間，引進了使用了有機溶媒之中間清洗階段。 1275904 ，如，眾所週知異丙醇或二甲亞讽等在這種 液电1=，^其他物f方面’驗出了添加防腐侧之胺系剝離 乙醇，或其混合物〕以及特定極性溶媒（例如，N_ l — ==氯=異=、己二酸酸:甲基: =敗一τ暴、％丁碼、7一丁内酯、N，N —二甲基乙酰胺以 合物）之正型感光膠剝離液組成物，此外美國專利公 二7_7 〇, 7 1 3號，公佈了包含特定氨基化合物（例如，N， 来基乙醜胺）以及特定胺化合物（例如乙醇胺）之正型感 =剝離液組成物，此外，美國專利公報第4, 8 2 4, 7 6 3號 包含二胺（例如，二乙三胺）以及非極性溶媒（例如，N 臌2—吡咯烷酮、二甲基曱酰胺、丁内酯等）之正型感光 =剝離液組成物，此外，美國專利公報第5, 2 7 9, 7 9 i號公 媒，氮氧基胺)、纖、以及任意的極性溶 Ϊ國專利公報第4, 7 8 6, 5 7 8號提案了用於感光膠剝離 後f清洗溶液，而前述清洗溶液包含了非離子界面活性劑（例如， 乙氧基化烧基朌盤）以及有機驗（例如，單，雙，或三—乙醇胺）。 美國專利公報第4, 8 2 4, 7 6 2號公佈了包含乙二醇醚 (例如，二乙二醇單甲基醚、二丙二醇單甲基醚、三丙二醇單曱 基鍵）以及脂肪族胺（例如，乙醇胺或三異丙醇胺）之感光膠剝 離後了清洗溶液，而前述之後—清洗溶液為非水性。 美國專公報第4, 9 0 4, 5 7 1號公佈了包含溶媒（例 如’水、乙醇、醚、_等），溶解於前述溶媒之鹼性化合物（例如， 土 5胺、2級胺、3級胺、4級胺、環胺、多胺、4級銨胺、鎏 氣氧基、以及驗氫氧基等），以及溶解於前述溶媒之氳化硼化合物 Ϊ275904 列如，氫化硼鈉、二甲基胺硼、吡啶硼等）之印刷電路板的 光膠剝離劑。 〜 …國際公開專利wo第8 8—〇 5 s工3號提案了，包含丁内 酯或己内酯、4級銨氫氧基化合物以及任意的非離子界面活性 之正型或負型感光膠剝離劑。 美國專利$報第5, 4 7 8, 4 4 3號以及美國專利公報第5, 3 2 0，7 0 9號提案了，使用特定有機防腐蝕劑（乙二醇以及二 甲亞讽）以及含氟化合物（錢氟化物、氫氟酸、全氟酸等）來解 決金屬腐餘問題。但是，這些組成物之中，需要大量的有機溶媒， 因此有必須去除大量廢棄物的缺點。 、美國專利公報第5, 6 1 2, 3 Q 4號，因為不易去除腐姓後 ^殘留，，故提案了特定條件之極性溶媒、特定之烷醇胺、有氳 氧基的氨基酸，再者，提案了具有特定氧化還原電位之氧化還原 =之剝離液組成物。關於上述文獻，其係說明具有氫氧基之氨基 酸當作防腐蝕劑使用，有機或無機酸使得含胺汽提塔溶液之鹼 降低，劣化剝離力者。 美國專利公開第2 〇〇2 — 006824 4號提案了包含亞 烷基碳酸酯、有機過氧化物、以及N一置換嗎啡之中至 質之剝離劑。 韓國公開專利公報第2〇〇1-001837 7號提案了包 含胺化合物、乙二醇系列溶劑、全氟垸基乙烯氧化物之感 離劑。 〃韓國公開專利公報第2 〇 0 〇_⑽i 6 8 7 8號提案了由 烷氧基N—氫氧基烷基鏈烷氨化物以及偶極子力矩在3以上之極 性物質、防止損傷劑以及烷醇胺所組成之剝離液組成物。 韓國公開專利公報第2001 — 00 44049 6號提案了 使用嘧啶化合物而適用於漆用酚醛樹脂/醌配位酸根化合物系1列 的正型感光膠之剝離液組成物。 美國專利公報第5, 4 8 0, 5 8 5號以及日本特開平5 — 2 1275904 ^ ^ 3號提案了包含化學式H3—nN (( CH2) m0H) n (m 了 u，n為1、2或3)之烷醇胺、磺化合物或亞碼化合物 式d —η (0H) n (福1、2或3)之氫氧基化合 物的感光膠用有機剝離劑。 田曰本特開平4 — 12 4 6 Θ 8號提案了由有機胺2 〇〜g 〇 重莖/6鱗酸酯界面活性劑Q · 1〜2 〇重量％、2 一 丁快一 1， 4一一醇〇·1〜20重量％、以及剩下部分的乙二醇單烷基醚 以及/或非原胺月東性極性溶劑所組成之感光膠用剝離液組成 物。 處，在乙二醇單烷基醚上，使用了乙二醇單乙基醚、二乙 二醇單乙基醚、二乙二醇單甲醚乙酸等，在非原胺月柬性極性溶 劑上，使用了二甲亞砜、N，N —二甲基乙酰胺等，2—丁炔一 1，4 一醇以及碗酸醋界面活性劑在不降低剝離特性的限度 内，為了防止因吸附於感光膠之有機胺而使得鋁以及銅等金屬層 腐蚀而添加。 曰本特開昭6 4 —4 2 6 5 3號提案了包含二甲亞讽5 0重 量％以上，最好是7〇重量％以上，包含從二乙二醇單烷基醚、二 乙一醇一烧基驗、γ — 丁内酯、以及1，3 —二甲基一2 —口米口 坐所選擇之至少一種溶劑1〜5 0重量％，以及乙醇胺等之含氮 有機氫氧基化合物0·1〜5重量％的感光膠用剝離液組成物。 此處記載著，二甲亞砜未滿5 0重量％時，剝離性明顯低下， 含氮有機氫氧基化合物溶劑超過5重量％時，鋁等金屬層被腐蝕。 韓國公開專利公報第1999一006248 0號提案了一 種剝離液，其特徵為由有機胺化合物、原胺月柬性乙二醇醚化合 物、非原胺月柬性多極性化合物以及烷基吡咯烷酮化合物所組成。 韓國公開專利公報第2 0 00 — 00081 0 3號提案了包 含5〜15重量％之烷醇胺、3 5〜5 5重量％之亞碼或續化合 物、35〜55重量％之乙二醇醚以及界面活性劑之感光膠用剝 離液組成物。 1275904 此處記載f，烷醇胺超過i 5重量％時，或是亞碼或磺化合 物未滿3 5重量％時，與L CD全膜質之吸收性變小，接觸角變 大，氣動所產生之剝離性能低了。 美，專利公報第5, 1 7 4, 8 1 6號係公開了包含三甲基 (2—氫氧乙基）銨水氧化物般之4級錢水氧化物〇·〇1到工 5重量％，以及木糖醇、甘露糖、葡萄糖等之糖或糖乙醇〇 · 1 到2 0重量％所構成之水溶液，於乾式腐蝕之後，去除殘留在鋁 線模式基板表面上的氯之組成物。 曰本特開平7-Q 2 8 2 5 4號係公開了包含糖乙醇、乙醇 胺、水以及4級銨氫氧化物之非腐钕性耐餘膜去除液。 曰本特開平7-2 474 9 8號係公開了含有4級銨氳氧化 物、糖或糖乙醇、尿素化合物的清洗液。 韓國公開專利公報第2 0 01-〇1〇 6 5 3 7號係公開了 含有有機胺化合物3〜1〇重量％、N，N —二曱基乙酰胺（D MAc)、N，N —二甲基甲酰胺（DMF)、i，3—二甲基一 2 —咪口坐（DM I )、N—甲基一2—吡咯烷酮（NMP)等之 溶劑3 0〜6 0重量％ 0〜6 0重量％、兒茶盼、間苯二 酚、或其化合物1〜1〇重量％，以及碳數4到6的直鏈多元醇 1〜10重量％的感光膠剥離液組成物。 韓，公開專利公報第2 〇 〇1_006282 8號係公開了 含有含氮有機氫氧胺類、水溶性有機溶媒（例如，N_曱基一2 =吡咯烷酮（NMP)，以及二甲基亞碼）、水、以及特定的苯并 三口坐系列化合物的感光膠用剥離液。 但疋，此種先進技術所提案的有機溶劑剥離劑，把對環境有 害的物質烷基吡咯烷酮化合物以及磺化合物、或亞碼化合物等當 作，，溶劑使用，對感光膠以及殘留物的剥離能力不充分，對形 成感光膠之高分子物質的溶解力不夠，所以被剥離之感光膠殘留 物再附著於半導體基板或玻璃基板等上，不只產生附加的溶劑副 產物，因為製程條件的高溫，還對環境面以及處理費用上造成不 1275904 利’在清，殘留物上有其聞，於後續的漂洗製程巾，會有必須 使用異丙醇、二甲基碼般之有機溶劑的問題。 此外，在上述之以往的剥離液組成物之中，上有金屬配線， 重接合構造金屬配線的基板，或有金屬配線與無 巧的土板’其防舰，以及感光賴與絲雜質膜的剥離 性並未達成良好的均衡。 、，別目為最近的半導·件以及液晶辭元件之大型化 以f量產化’使得既有之剥離劑使用方式的浸潰（D i p p i η g法較之於使用嘴霧（S p r a y )法、或單片處理（S 土 η ^ System)方式、氣動方式之感光膠剥 離方式為不普遍，故希望可以開發出適合於此種喷霧法、以及 ΐΐΐΪΪΪΪ式」f金屬配線，特別是銅配線與無機材料層兩 【發明雜就能剝離的對環境較溫和的剥離液組成物。 物，之技術課題，係提供―_光義離液組成 $，以次 >貝法、喷霧法、單片方式，或氣動方式，於低溫，短 膜質上不產生彳貝壞’於後續的漂洗製程巾，不、一 之有機溶劑，只用水即可漂洗之感光膠剝離液组成物了 =添加_:有害物質之錄轉細化合物，以 境親和之感光膠剥離液組成物。、再；，i發 剝離液組成物來剝離感光膠膜。 ，、使用刖述 本發明之感光膠剝離溶液，係對濕式腐蝕或乾戎腐為制#击 生的變質或硬化的感光膠’以浸潰法、喷霧法 ^ 動方式，能以低溫，短時間内輕易剝離，對 式或軋 下方的銅、銘、鎢、錮、鉻、鈦、容液之 低的腐錄，特狀對於含銅之多重接合構造金屬膜質 11 1275904 優越的防腐蝕性。 使用本發明之感光膠剥離溶液時，在後續漂洗製程中，不必 使用異丙醇、二曱基亞碼般之有機溶劑，可以只用水來漂洗。此 外，可提供不添加烷基吡咯烷酮化合物、以及磺化合物或亞碼化 合物、苯并三口坐化合物，使用了可自然分解之有機溶劑的，對 環境具親和性之感光膠剥離溶液。 【實施方式】 為了達成上述技術課題，本發明中，提供一種剝離溶液，其 對於組成物之總量，含有5〜5 0重量％之有機胺化合物、5〜5 0重量％之乙二醇醚化合物、0.01〜1重量％之以下化學式1的 化合物、〇 · 1〜1〇重量％之防腐蝕劑以及少量的純水。 鲁 〔式1〕

XT

r (式中，X為C或N，至少一個為N。 此處，R4、R5為氫原子、烷基、芳基、芳烷基、鹵素、三鹵化 烷基、氨基、異環、NHR6、NR7R8、CN、c 〇2H、c〇2 R9、OH或〇R1()基， 此時，R6到R1G各表示烷基、芳基或芳烷基。） 此外，本發明知其他技術課題方面，其係由使用了剝離液組 成物的剝離方法來達成，此剝離液組成物係包含以下成分，對於 組成物總量而言，含有5〜5 〇重量％的有機胺化合物、5〜5 0重量％之乙二醇醚化合物、〇 · 〇1〜丄重量％之化學式工的 化合物、〇 · 1〜1〇重量％之防腐蝕劑及少量純水。 達成以上技術課題之感光膠剝離方法上，係提供感光膠以及 聚合物的剝離方法，其特徵為，將設有感光膠膜之基板與剝離液 組成物接觸。 12 1275904 前述組成物作為一般添加於剝離溶液之中的添加劑上，可 有界面活性劑、消泡劑或其混合物等。 π與ίΙ明之清洗組成物中所使用的有機胺化合物具體範例上， 、二或三乙醇胺；單、二或三—丙醇胺；單、二或三-呉1胺；丁醇胺、丁基單乙醇胺、以基二乙醇胺、N —甲胺基 ^醇，。本發明中，作為胺化合物中較佳者為，乙醇胺、二乙& 胺、二乙醇胺、N —乙醇胺、異丙醇胺或其混合物，更佳者為 醇H乙醇胺、異丙醇胺或其混合物。 一般來說，乙二醇醚衍生物是可以自然分解之對環境較溫和 的有機溶劑，其在分子内共有醚基與氫氧基，作為一種可與水進 行良好混合之極佳溶劑而被廣泛使用。此種乙二醇醚類的添加，馨 發揮了一種界面活性劑的功能，降低溶液的表面張力並提升滲透 力’在較低溫下強化剝離溶液的剝離能力。 本發明所使用之乙二醇醚化合物一般為亞烷基乙二醇單醚。 具體而言可舉以下化合物等。 CH3CH2CH2CH2-OCH2CH2-OH ； CH3CH2CH2CH2-OCH2CH2-OCH2CH2-OH ； CH3CH2CH2CH2-OCH2CH2-OCH2CH2-OCH2CH2-OH ； CH3CH2CH2CH2-OCH2CH2-OCH2CH2-OCH2CH2-OCH2CH2-OH ； CH3-OCH2CH2-OH ； · CH3-OCH2CH2-OCH2CH2-OH ； CH3-OCH2CH2-OCH2CH2-OCH2CH2-OH ； CH3-OCH2CH2-OCH2CH2-OCH2CH2-OCH2CH2-OH ； CH3-OCH2CH2CH2-OH ； CH3-OCH2CH2CH2-OCH2CH2CH2-OH ； CH3-OCH2CH2CH2-OCH2CH2CH2-OCH2CH2CH2-OH ； CH3-0CH2CH2CH2-0CH2CH2CH2-0CH2CH2CH2-0®^ ; 特佳的乙二醇醚化合物為，乙二醇單丁基醚、二乙二醇單丁 基醚、三甘醇單乙醚或其混合物。 13 1275904 心使用的化學式1的化合物於分子内包含了全部4個 到=固乳原子’比-般作為銅防腐侧使苯 更多氮原子。 土晋3有 化合物内所含之多餘的氮原子使得金屬表面與金屬離子社人 izm并三口坐與銅表面之結合，氮密集之處顯“ it的、结合構造，但化學式1之化合物顯示出 造，可用更少的添加量來獲得相等的效果。 、構 1 H卜>^1并二ϋ坐化合物存在了 *被微生物分朗環境問 通，而化5式1之化合物具有可自然分解的優點。 ^ ΓΒΐϊ=化ϊ式1的化合物一般為嗓呤、6 -氨基嗓 】6-甲嗓呤、6—糠氨基料、以及尿酸，特佳 式1的化合物為嗓呤、6 —氨基討、尿酸或其混合物。 、f 成物的純水’在獅溶液域財，具有活化前 触感光糊離能力之魏，以及具有緩和在 ^接“洗製程中產生的氫氧基所造成的下方金屬層賴的功 w 组成物的防腐細上，將由胺所產生之氫氧基予以 乙sLi古S Π吏用例如’有機氧化合物，或糖乙醇類等。糖 ^ 1 元醇方面可舉出山梨糖醇、甘露糖醇、蘇糖、 ^糖知等’其中’特別是山梨糖醇、甘露糖醇、木糖醇或其混合 « 糖醇、甘露糖醇、木糖醇或其混合物，扮演的功能 ϊ咸if水的氫離子反應所產生之氫氧離子能有效滲透 與基板之間的接觸面，與聚合物中所含的金屬物質形 ^螫二反應並提升其獅能力’形成與下方金屬層，特別是銅、 鋁、鎢=、鉻、鈦、IT0(indium …〇xid “t:止剥離溶液組成物所產生之氫氧基雜下方 1275904 备作=#丨=組成物為了提升獅之平均性，可把界面活性劑 工農“，在。加劑的量不限制’但最好以全組成物總重量 ίίΐ%0·001到10重找，更佳者細.001到 造製ίΐ物在L s 1元件、液晶面板等之半導體製 & τ 成半導體之氧化獻及銅、18、鎢、翻、鉻、 Ι^ί屬膜般之物質其具有極低的腐餘性，特別適合於含 銅之多重接合構造的金屬膜質。

从士5獲？本發明之剝離組成物，上述化合物可以用既定量來 用之、此口此合方式不特別限定，各種通用的方式都可以適 、本發明之其他技術課題方面，關於本發明之剝離方法方面， ^濕式腐似及乾式雜製財產生之變質或硬化的感光膠去除 時可使用。 、剝離方法上，可以該業界所一般週知的剝離方法來進行，盆 若為剝離紐與設誠光雜以及聚合物之基板可作接觸的^ 法，則能獲得良好的結果。 本發明的剝離方法上，使用了浸潰法、喷霧法、單片方式， 以及氣動方式的方法等較為適用。

以浸潰法、喷霧法、單片方式，以及氣動方式來剝離時，在 剝離條件上’溫度約在1 〇到1 〇 〇。〇，2 〇到8〇 °C較佳，浸潰 以及喷霧時間約5秒到3 0分鐘，較佳為1〇秒到1〇分鐘，但 本發明並不這麼嚴謹，可視業者喜好而定。 本發明之剝離組成物，在去除濕式腐蝕以及乾式腐蝕製程之 中產生的變質或硬化的感光膠此性能上很優越，對於組成半導體 元件以及液晶顯示元件之金屬膜、氧化膜般之無機材料物質而言 其腐蝕性極低，結果，在清洗L S I元件、液晶面板等之半導體 元件的過程中可使用。 以下’參照以下實施例詳述本發明，但本發明並不限於此實 15 1275904 施例。 在表2所示之處理條件下，將基板浸潰於從表1所示之化合 物製造出的剝離溶液中，以純水漂洗後，以掃描電子顯微鏡（S EM)(HITACH、S — 4700)來觀測了結果。表2為評 估對感光膠膜之剝離能力以及金屬層與下層的防腐蝕能力。SE Μ所產生的評估基準如下。 〔剝離能力〕 ◎:良好 △:普通 X :不良 〔防腐蝕能力〕 ◎:良好 △:普通 X :不良 【表1 a】 區分 有機胺 化合物 乙二醇醚 化合物 化學式1之 化合物 防腐蝕劑 純水 1 TMAH (5%) — — — 少量 2 ME A (10%) EG (9 0%) — — 3 ME A (10%) PG (90%) — — — 4 ME A (10%) TEG (9 0%) — — 5 MI PA (10%) BDG (90%) — — 6 Μ I P A (10%) BDG (50%) — — 少量 7 MI PA (10%) BDG (30%) — 兒茶酚 (1%) 少量 8 MI PA (10%) BDG (30%) 嘌呤 (0. 0 5%) 少量 1275904 9 MI PA (10%) BDG (30%) — 兒茶酚 (1%) 少量 10 Μ I PA (10%) BDG (30%) — 兒茶酚（1%) +蘇糖（1%) 少量 11 Μ I PA (10%) BDG (50%) — BTA (1%) 少量 1 2 Μ I PA (10%) BDG (30%) — BTA(1%) +蘇糖（1%) 少量 13 ME A (20%) BDG (30%) 嘌呤 (0. 0 5%) 蘇糖 (1%) 少量 【表lb】 區分 有機胺 化合物 乙二醇醚化 合物 化學式1之 化合物 防腐蝕劑 純水 14 ME A (20%) BDG (50%) 口票吟 (0. 05%) 蘇糖 (1%) 少量 15 MI PA (10%) BDG (10%) 6 —甲氧基嘌呤 (0. 0 1%) 山梨糖醇 (1%) 少量 16 MI PA (10%) EGB (20%) 6 —糠氨基嘌呤 (0. 0 1%) 木糖醇 (2%) 少量 17 MI PA (10%) TEGB (3 0%) 尿酸 (0. 1%) 甘露糖醇 (5%) 少量 18 ME A (30%) TEGB (30%) 口奪σ合 (0. 5%) 甘露糖醇 (5%) 少量 19 ME A (30%) BDG (30%) 6—氨基嘌呤 (0. 0 5%) 蘇糖 (1%) 少量 20 ME A (10%) BDG (50%) 嘌呤 (0· 1%) 山梨糖醇 (1%) 少量 2 1 ME A (20%) BDG (10%) 嘌呤 (0. 5%) 山梨糖醇 (1%) 少量 22 ME A (30%) EGB (20%) 氨基嘌呤 (0. 5%) 木糖醇 (2%) 少量 2 3 ME A (30%) TEGB (30%) 嘌呤 (0. 5%) 甘露糖醇 (5%) 少量 24 MI PA (30%) BDG (3 0%) 6 —氨基嘌呤 (0· 5%) 木糖醇 (1%) 少量 註）TMAH :四曱基銨氫氧基 1275904 MEA:單乙醇胺 Μ I PA :異丙醇胺 BDG:二乙二醇單丁基醚 E GB ··乙二醇單丁基醚 T E G B :三甘醇單乙醚 E G :乙二醇 P G :丙二醇 TEG:三甘醇 BTA:苯并三口坐 【表2 a】

區分 處理條件 剝離能力 防腐蝕能力 溫度（°C) 時間（分鐘） C u 多重接合金屬層 1 40 10 ◎ X X 2 40 10 Δ X X 3 40 10 Δ X X 4 40 10 Δ X X 5 40 10 Δ X X 6 40 10 △ X X 7 40 10 ◎ X Δ 8 40 10 A ◎ A 9 4 0 10 Δ X Δ 10 40 10 ◎ X △ 11 40 10 Δ Δ △ 12 40 10 ◎ Δ A 13 40 10 ◎ ◎ ◎

【表2b】 區分 處理條件 剝離能力 防腐蝕能力 溫度（°C) 時間（分鐘） C u 多重接合金屬層 14 4 0 10 ◎ ◎ ◎ 15 40 10 ◎ ◎ ◎ 16 40 10 ◎ ◎ 17 40 10 ◎ ◎ ◎ 18 !2759〇4

【圖式簡單說明】 弟二圖 後’以顯像液顯像，形成感光膠模式者，而說明其腐蝕 製程。 :表示透過由既定模式而形成的光罩，在應形成前述感光 膠膜表面的模式部位上照射紫外線、電子束，或如χ射 線般具有高能量之活性射線，形成了前述模式的潛影之 第三圖：將模式之形成部位以濕式腐蝕以及乾式腐蝕來形成模式。 第四圖：以剝離液組成物去除模式形成後所殘留之感光膠，說明 剝離製程之金屬模式形成製程之圖。 【主要元件符號說明】 10半導體基板或玻璃基板 2 0金屬、無機材料或氧化膜層 30感光膠層 '

Claims (1)

127590¼ 申請專利範圍

1罐之《下化學式“ ’ ό醇d 斤防腐蝕劑以及少量純水之感光膠剝離液組成物。1 R4

\、 X -N (式中’ X為C或N，JL少有-個是n。 或以=基：基)芳基、氨基、異環、碳氧基、 :徵專f範圍第1項所述之-種感光膠剝離液組成物，豆 ίΐί"ί;ίΓ^ ' ' ί: 醇胺、TiTr*邊、二丙醇胺、異丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙 以上之混合^ ^基乙輔、N—甲基乙醇胺、乙基二乙醇胺或 :徵圍第2項所述之-種感光膠剝離液組成物，其 =ί:'ί:2有機胺化合物係乙醇胺、N-甲基乙醇胺、異; 專利範圍第1項所述之-種感光膠娜液組成物，1 甘二，14之乙二_化合物係乙二醇單甲醚乙酸、卡必醇、」 甘酉子早乙醚或其混合物。 咚二 其 料概圍第1項輯之—贼光膠獅液組成物， ==%，為嗓吟、6-_、6-甲氧 y ? p ~槺氰基嘌呤、尿酸或其混合物。 申請專利範圍第5項所述之一種感光膠剝離液組成物，J： 特城為前述化學式1之化合物為封、6 -氨基料、Πί 20 1275904

>昆合物。 ------ 7 ·如申凊專利範圍第1項所述之一種膠 特徵為前述腐蝕防止劑為直鏈多元醇。心广 、、、成物，其 8·如申請專利範圍第7項所述之一 直鏈多元醇係山梨糖醇、===醇; 矢;膠剝離液組成物’其 ，徵ί 膠剝離液組成物’ I 剝離液組成物，其特科么if10項中任一項所述之一種感光膠 基板的濕式腐餘戍齡々二紅=述金屬配線與無機材料層所形成之 離時使用。 式腐蝕製程中產生的變質或硬化的感光膠剝 12·如申請專利矿 > 物’其特徵為露出於項所述之一種感光膠剝離液組成 重接合結構的金屬配線。/夜、、且成物之金屬配線為含銅的單一或多 1275904 七、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為··第（四）圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 10 半導體基板或玻璃基板 2 0 金屬、無機材料或氧化膜層 3 0 感光膠層 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：