TWI275900B - Mask blank providing system, mask blank providing method, mask blank transparent substrate manufacturing method, mask blank manufacturing method, and mask manufacturing method - Google Patents
Mask blank providing system, mask blank providing method, mask blank transparent substrate manufacturing method, mask blank manufacturing method, and mask manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- TWI275900B TWI275900B TW94131764A TW94131764A TWI275900B TW I275900 B TWI275900 B TW I275900B TW 94131764 A TW94131764 A TW 94131764A TW 94131764 A TW94131764 A TW 94131764A TW I275900 B TWI275900 B TW I275900B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- reticle
- substrate
- manufacturing
- base
- transparent substrate
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 538
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 180
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 134
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 88
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 52
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 46
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 34
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 31
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 17
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 14
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 238000003913 materials processing Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 108
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 64
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 23
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 19
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 9
- 239000006121 base glass Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000002989 correction material Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- IREVRWRNACELSM-UHFFFAOYSA-J ruthenium(4+);tetrachloride Chemical compound Cl[Ru](Cl)(Cl)Cl IREVRWRNACELSM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000010187 selection method Methods 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
- Y10T428/31616—Next to polyester [e.g., alkyd]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
1275900 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於光罩基底提供系統，光罩基底提供方法， 光罩基底透明基板製造方法，和可以確保光罩基底透明基板 和光罩基底的光學特性之光罩基底製造方法，另外也關於可 以防止轉移標的地產生圖案缺陷之光罩製造方法。 近年來，隨著半導體元件的小型化，已經要開始減少曝 光光源的波長，使曝光波長降到200nm或更短。至於曝光光 源，例如，已經有ArF準分子雷射（波長：193nm)和F2準分 子雷射（波長：1 5 7nm)。關於那些曝光波長，可以遮蔽光線 和改變相位之遮蔽膜（光遮蔽膜，不透光膜）和相移膜已快速 發展，而且已有各種不同的膜材料提出（例如，參見 JP-A-2002-162727 和 JP-A-2003-280168)。 此外，還有幾種可以抑制那些膜形成時會有光學特性變 化之問題（例如，穿透率和相差）的製方法提出（例如，參見 JP-A-2002-90978)。因此，目前已經可以抑制薄膜之光學特 性的變化。 但是，對於製成之光罩基底的光學特性（穿透率，反光 率等）量測，會有某些比例的光罩基底不能滿足關於光學特 性變化之規格的問題發生。 再者，當形成在光罩上之光罩圖案轉移到轉移標的物 上，以藉由使用曝光系統形成轉移圖案時，對於形成在光罩 上之光罩圖案並沒有圖案缺陷被發現之情形，轉移標的物也 會有圖案缺陷發生的問題發生。 1275900 ^ 本發明人期望可以根據各種不同的方向探討那些問題 的由來，並且發現它們係由於光被透明基板本身吸收，使得 光罩基底的透明基板穿透率改變所造成，而非傳統所提供出 的問題。 下面，將分別詳細說明爲何會製造出偏離關於光學特性 變化之規格的光罩基底之原因，及轉移圖案缺陷發生之原 因，其已藉由本發明人之硏究而瞭解。 目前，合成石英玻璃係被用以當作光罩基底之基板的材 料，其中光罩基底係採用ArF準分子雷射當作曝光光源，而 且其正在快速發展當中。此合成石英玻璃也被用以當作採用 KrF準分子雷射作爲曝光光源之光罩基底，其所使用的基板 材料。KrF準分子雷射之曝光波長爲248 nm。因此，即使合 成石英玻璃的製作有變化，對於6025尺寸（板厚：6.35mm) 而言，穿透率（板厚方向之穿透率）爲8 8 %或更高（波長λ : 240nm)，因此不會有問題發生。 | 但是，當曝光光源的波長往短波長減少時，如193 nm， 對於6025尺寸（板厚：6.3 5mm)而言，穿透率（板厚方向之穿 透率）有時減少到80%，這是由於合成石英玻璃製造變化造 成曝光被基板本身吸收等原因。 再者，在目前的狀況下，薄膜形成之製造變化並不能完 全克服。因此，由於基板材料穿透率的變化和薄膜光學特性 的變化之加成作用，使得製造出之光罩基底無法滿足上述關 於光學特性變化之規格。 另一方面，關於光罩，由於被合成石英玻璃基板本身吸 1275900 ' 收而造成穿透率減少之區域，當被包含在遮蔽膜圖案區域 時，該區域不會影響轉移標的物。但是，當該區域曝露在沒 有形成光罩圖案之區域時，或當該區域要橋接部分光罩圖案 時，不應該要被遮蔽之曝光部分結果被遮蔽，因此造成轉移 標的物之曝光強度改變。這是雖然在光罩中沒有發現有圖案 缺陷，但是仍然會在轉移標的物中產生圖案缺陷的原因。 近年來，光罩圖案已日趨細小及精巧。因此，即使影響 轉移在轉移標的物上之圖案的缺陷，可以在光罩上確認，但 > 是也不能經常執行圖案變更或修正。在此情形下，需要重新 製造光罩之方法。 【發明內容】 因此，本發明之目的係要提供一種光罩基底提供系統， 一種光罩基底提供方法，光罩基底透明基板製造方法，光罩 基底製造方法，和光罩製造方法，其可以藉由確保光罩基底 透明基板和光罩基底之光學特性，防止光罩基底偏離其光學 特性規格，和轉移標的物發光圖案缺陷。 _ 爲了達成上述之目的，根據本發明，本發明提供一種光 罩基底提供系統，其中包含： 基板資訊儲存裝置，用以和光罩基底透明基板建立相關 性的方式，儲存相對於曝光波長之光罩基底透明基板的光學 特性資訊，其中光罩基底透明基板係被提供到光罩基底製造 單位； 光罩基底資訊儲存裝置，以和光罩基底建立相關性的方 式，儲存相對於曝光波長之光罩基底的光學特性資訊，其中 1275900 鵪 ， 光罩基底被提供到光罩製造單位； 基板資訊提供裝置，用以將在基板資訊儲存裝置中’所 儲存相對應曝光波長之光罩基底透明基板的光學特性資 訊，提供給光罩基底製造單位和/或光罩製造單位；及 光罩基底資訊提供裝置，用以將在光罩基底資訊儲存裝 置中，所儲存相對應曝光波長之光罩基底透明基板的光學特 性資訊，提供給光罩製造單位。 對於此種結構，可以確保相對於曝光波長之透明基板和 > 光罩基底的光學特性。因此，可以解決光罩基底之製造偏離 光學特性規格之問題，和轉移標的物發生圖案缺陷之問題。 根據本發明，本發明提供一種光罩基底提供系統’其中 還包含··製造光罩基底透明基板之材料處理單位的伺服器； 藉由在光罩基底透明基板上形成要當作光罩圖案之薄膜，製 造光罩基底之光罩基底製造單位的伺服器；藉由將光罩基底 之薄膜製作成圖案，製造光罩之光罩製造單位的伺服器；及 連接各伺服器，以允許其間通訊之通訊線。 > 其中，材料處理單位的伺服器包含基板資訊儲存裝置， 光罩基底製造單位的伺服器包含基板資訊儲存裝置和光罩 基底資訊儲存裝置，及光罩製造單位的伺服器包含基板資訊 儲存裝置和光罩基底資訊儲存裝置。 對於此種結構，透明基板和光罩基底之光學特性資訊可 以快速且廉價地在各製造單位的伺服器之間交換。根據本發 明，本發明提供一種光罩基底提供系統，其中還包含：製造 光罩基底透明基板之材料處理單位的傳送/接收區；藉由在 1275900 該光罩基底透明基板上形成要成爲光罩圖案之薄膜，製造光 罩基底之光罩基底製造單位的傳送/接收區；藉由將該光罩 基底之薄膜製作成圖案，製造光罩之光罩製造單位的傳送/ 接收區；及能夠經由通訊線，與傳送/接收區通訊之伺服器。 其中伺服器包含基板資訊儲存裝置和光罩基底資訊儲 存裝置。 對於此種結構，通常可以共同分享伺服器（各個資訊儲 存裝置）。當上述的資訊係在相同的公司中管理時，因爲可 > 以達成資訊的一致性，所以會特別有效。 根據本發明，本發明提供一種光罩基底提供系統，其中 還包含：以相對於曝光波長之光罩基底透明基板的光學特性 資訊爲基礎，在光罩基底透明基板上選擇性形成薄膜之薄膜 選擇裝置。 對於此種結構，藉由有效地使用透明基板的光學特性資 訊’可以防止透明基板和薄膜之間因不一致所造成的規格偏 離。 > 根據本發明，本發明提供一種光罩基底提供系統，其中 相對於曝光波長之光罩基底透明基板的光學特性資訊，包含 相對於曝光波長之基板的穿透率變化。 對於此種結構，可以確保相對於曝光波長之透明基板的 基板穿透率變化，因此可以防止規格偏離。 根據本發明，本發明提供一種光罩基底提供系統，其中 相對於曝光波長之光罩基底透明基板的光學特性資訊，包含 相對於曝光波長之薄膜的穿透率變化和/或相差變化。 1275900 、 對於此種結構，可以確保相對於曝光波長之光罩基底的 薄膜穿透率變化和相差變化，因此可以防止規格偏離。 根據本發明，本發明提供一種光罩基底提供方法，其中 光罩基底製造單位，藉由光罩基底透明基板上形成要製成光 罩圖案之薄膜製造光罩基底，而且當提供光罩基底給光罩製 造單位時，光罩基底製造單位會將相對於曝光波長之光罩基 底透明基板的光學特性資訊，和相對於曝光波長之光罩基底 的光學特性資訊提供給光罩製造單位。 > 在本方法中，可以確保透明基板和光罩基底的光學特 性，因此可以防止光罩基底偏離規格和轉移標的物發生圖案 缺陷。 根據本發明，本發明提供一種光罩基底提供系統，其中 相對於曝光波長之光罩基底透明基板的光學特性資訊，包含 製造光罩基底透明基板之材料處理單位提供給光罩基底製 造單位。 在本方法中，光罩基底製造單位可以將透明基板的光學 > 特性資訊提供給光罩製造單位，而不用量測透明基板的光學 特性。 根據本發明，本發明提供一種光罩基底提供方法，其中 相對於曝光波長之光罩基底透明基板的光學特性資訊，包含 關於曝光波長之基板的穿透率變化。 在本方法中，可以確保相對於曝光波長之透明基板的基 板穿透率變化，因此可以防止規格偏離。 根據本發明，本發明提供一種光罩基底提供方法，其中 -10- 1275900 ~ 相對於曝光波長之光罩基底的光學特性資訊，包含相對於曝 光波長之薄膜的透透率變化和/或相差變化。 在本方法中，可以確保相對於曝光波長之光罩基底的薄 膜穿透率變化和相差變化，因此可以防止規格偏離。 根據本發明，本發明供供一種光罩基底透明基板製造方 法，其中包含： 將光罩基底透明基板的表面作鏡面拋光，使可以量測相 對於曝光波長之光學特性； _ 用波長等於曝光波長的光線照射在已作鏡面拋光的基 板表面上，因此可以得到光罩基底透明基板的光學特性資 訊；及儲存光罩基底透明基板及其光學特性資訊之間的相互 關係。 在本製造方法中，可以確保透明基板的光學特性，因此 可以防止光罩基底因透明基板材料而造成規格的偏離，和轉 移標的物發生圖案缺陷。 I 根據本發明，本發明提供一種光罩基底透明基板製造方 法，其中光罩基底透明基板的光學特性資訊，包含相對於曝 光波長之基板的穿透率變化。 在本製造方法中，可以確保相對於曝光波長之透明基板 的基板穿透率變化，因此可以防止因其所造成的規格偏離。 根據本發明，本發明提供一種光罩基底透明基板製造方 法，其中曝光波長爲140nm到200nm。 在本製造方法中，即使在由於透明基板材料所造成之穿 透率的改變很大之140nm到20〇nm的短波長範圍，也能確 1275900 保基板的穿透率變化，因此可以防止因其所造成的規格偏 離。 根據本發明，本發明提供一種光罩基底透明基板製造方 法’其中光罩基底透明基板的材料係合成石英玻璃。 在本製造方法中，即使在合成石英玻璃由於製造變化而 產生光學特性變化之情形下，也能確保基板的穿透率變化， 因此可以防止因其所造成的規格偏離。 在本發明中，本發明提供一種光罩基底製造方法，其中 > 包含：在藉由根據申請專利範圍第11項之光罩基底透明基 板製造方法所得到的光罩基底透明基板上，形成要製成光罩 圖案之薄膜，於是可以得到光罩基底； 用波長等於曝光波長的光線照射在薄膜的表面上，以得 到光罩基底的光學特性資訊；及 儲存光罩基底及其光學特性資訊之間的相互關係。 根據本製造方法，除了可以確保透明基板的光學特性之 外，藉由確保形成光罩基底之薄膜的穿透率變化和/或相差 | 變化，還可以確保光罩基底的光學特性，因此可以防止光罩 基底偏離規格和轉移標的物發生圖案缺陷。 根據本發明，本發明根據申請專利範圍第1 5項提供一 種光罩基底製造方法，其中光罩基底的光學特性資訊，包含 相對於曝光波長之薄膜的穿透率變化和/或相差變化。 在本製造方法中，可以確保相對於曝光波長之光罩基底 的薄膜穿透率變化和相差變化，因此可以防止因其所造成的 規格偏離。 1275900 根據本發明，本發明提供一種 含：以光罩基底透明基板的光學特 底透明基板上選擇此形成薄膜。 在本製造方法中，可以防止透 致所造成的光學特性偏離規格。 根據本發明，本發明提供一種 曝光波長爲140nm到200nm。 在本製造方法中，即使在由於 成之芽透率的改變很大之140nm5 也能確保基板的穿透率變化及光| 化和/或相差變化，因此可以防止 規格偏離。 根據本發明，本發明提供一種 所製造之光罩基底的製成圖案的薄 板上形成光罩圖案。 在本製造方法中，可以在確定 造光罩。使得可以解決雖然在光罩 是在轉移標的物中卻產生圖案缺陷 根據本發明，本發明提供一種 以相對於曝光波長之光罩基ϋ 底的光學特性資訊爲基礎，修正要 板上之光罩圖案的資料，或決定形 在本製造方法中，可以確實防 的光學特性，所造成之光罩的圖案 光罩基底製造方法，還包 性資訊爲基礎，在光罩基 明基板和薄膜之間因不一 光罩基底製造方法，其中 透明基板材料和薄膜所造 U 2 0 0 n m的短波長範圍， I基底之薄膜的穿透率變 因其所造成之光罩基底的 將藉由光罩基底製造方法 膜，以在光罩圖案透明基 透明基板的光學特性下製 圖案中沒有發現缺陷，但 之問題。 光罩製造方法，還包含： £透明基板和/或光罩基 形成在該光罩基底透明基 成光罩圖案的位置。 止因透明基板和光罩基底 缺陷和轉移標的物的圖案 1275900 缺陷。 如上所述，根據本發明，可以提供關於相對於波長之光 罩基底透明基板和光罩基底的光學特性資訊，以確定其光學 特性。使其可以解決光罩基底之製造偏離光學特性規格之問 題，及雖然在光罩圖案中沒有發現缺陷，但是在轉移標的物 中卻發生圖案缺陷之問題。 【實施方式】 現在，將參考圖式詳細說明關於本發明之實施例。 > 在下面的說明當中，在相同的公司或不同的公司中，可 以提供材料處理單位，光罩基底製造單位，光罩製造單位和 裝置製造單位。當提供在不同的公司時，它們可以被分別解 釋成材料處理廠，光罩基底廠，光罩廠，和裝置廠。 〔光罩基底提供系統〕 首先，將參考第1圖和第2圖說明根據本發明實施例之 光罩基底提供系統。 如第1圖所示，光罩基底提供系統包含：製造光罩基底 B 透明基板1之材料處理單位（廠）的伺服器1 〇 ;製造光罩基底 2之光罩基底製造單位（基底廠）的伺服器20 ;製造光罩3之 光罩製造單位（光罩廠）的伺服器30 ;及連接各伺服器，以允 許其間通訊之通訊線40(基板資訊提供裝置和光罩基底資訊 提供裝置）。 對於通訊線40而言，係使用網路組成，如網際網路， WAN，或LAN，或使用租賃線組成。 當對應各個單位之材料處理單位，光罩基底製造單位， 1275900 和光罩基底製造單位係在相同的公司時，伺服器1 0，20和 3 0可以集中，以共同使用。 材料處理單位的伺服器1 〇包含介面1 1，處理器1 2，資 訊儲存區1 3 (基板資訊儲存裝置），及傳輸區1 4。 介面1 1執行被量測穿透率之基板的量測穿透率資料和 識別碼之資料轉換，其自穿透率量測裝置1 00輸入，然後送 到處理區1 2。 穿透率量測裝置1 〇〇量測光罩基底透明基板1之主要表 面許多部分的穿透率，然後將這些量測的穿透率資料送到介 面11。再者，在本實施例中，穿透率量測裝置100，具有可 以將讀取直接指派給光罩基底透明基板1之識別碼，並傳送 到介面1 1之功能。 光罩基底透明基板1的量測穿透率資料和識別碼，可以 自連接到介面11的輸入裝置手動輸入。 處理區1 2將接收自介面1 1的量測穿透率資料（光學特 性資訊），儲存在多少和基板的識別碼相關之資訊儲存區 1 3。儲存在資訊儲存區1 3之量測穿透率資料，包含量測點 數，量測點X座標（mm)，量測點y座標（mm)，穿透率（％)等 等。根據這些資料，可以詳細說明光罩基底透明基板1的基 板穿透率變化。 傳輸區1 4將儲存在資訊儲存區1 3之基板的量測穿透率 資料和識別碼，經由通訊線40，傳送到光罩基底製造單位的 伺服器20。要被傳輸的量測穿透率資料及其目的地之說明， 係根據基板的識別碼和包含在光罩基底透明基板1的傳送資 .1275900 ^ 訊中之伺服器位址。 光罩基底製造單位之伺服器20 ’包含：接收區21 ’介 面22，處理區23，資訊儲存區24(基板資訊儲存裝置和光罩 基底資訊儲存裝置）’選擇區25(薄膜選擇裝置）’及傳輸區 26 〇 接收區2 1自材料處理單位的伺服器1 〇接收光罩基底透 明基板1的量測穿透率資料和識別碼，然後將其傳送到處理 區 2 3〇 ® 介面22執行輸入自光學特性量測裝置200之基板的量 測資料和識別碼之資料轉換，然後將其傳送到處理區23。 光學特性量測裝置200量測形成在光罩基底2之薄膜表 面上許多部分的穿透率和/或相差，然後將量測的穿透率資 料和/或量測的相差資料傳送到介面22。再者，在本實施例 中’光學特性量測裝置200具有可以將讀取直接指派給光罩 基底透明基板1(光罩基底2)之識別碼，並傳送到介面22之 功能。 光罩基底2的量測資料和識別碼，可以自連接到介面22 的輸入裝置手動輸入。 處理區2 3將接收自接收區2 1之光罩基底透明基板1的 量測穿透率資料和識別碼，儲存在資訊儲存區24，此外，也 將接收自介面2 2之光罩基底2的量測穿透率資料和/或量 測相差資料’及光罩基底2的識別碼，儲存在資訊儲存區 24 °在此情形下，基板的識別碼和光罩基底的識別碼彼此相 互比較’而光罩基底透明基板1的量測穿透率資料，及光罩 -16- 1275900 •基底2的量測穿透率資料和/或量測相差資料則是彼此相 關。 儲存在資訊儲存區24之光罩基底2的量測資料，包含 里測點數’里測點x座標（nim) ’量測點y座標（mm)，穿透率 (%)，相差（度）等等。根據這些資料，可以詳細說明光罩基 底2的穿透率變化和相差變化。 因此’儲存在資訊儲存區24之資料，可以確定光罩基 底透明基板1和光罩基底2的光學特性，並且可以在各種情 B 形下使用。例如，在本實施例中，對於在光罩基底透明基板 1之上形成將要變成光罩圖案之薄膜，選擇區25可以根據接 收自材料處理單位的伺服器1 0之光罩基底透明基板1的量 測穿透率資料’選擇一種要在光罩基底透明基板1上形成之 薄膜。 傳輸區26將儲存在資訊儲存區24之光罩基底透明基板 1的量測穿透率資料和識別碼（當有必要時），及光罩基底2 的量測穿透率資料和/或量測相差資料與識別碼，經由通知 B 線40傳送到光罩製造單位的伺服器3〇。要被傳輸的量測資 料及其目的地之說明，係根據識別碼和包含在光罩基底2的 傳送資訊中之伺服器位址。 光罩製造單位之伺服器30，包含：接收區31，第一介 面3 2，第二介面3 3，處理區3 4，及資訊儲存區3 5 (基板資 訊儲存裝置，光罩基底資訊儲存裝置，及光罩圖案資訊儲存 裝置）。 接收區3 1自光罩基底製造單位的伺服器20接收光罩基 7 1275900 ' 底透明基板1的量測穿透率資料和識別碼，及光罩基底2的 量測穿透率資料和/或量測相差資料與識別碼，然後將其傳 送到處理區3 4。 第一介面3 2係連接到光罩製造系統3〇 1，將儲存在資訊 儲存區3 5之資訊執行資料轉換，然後將其傳送到光罩製造 系統3 0 1的控制器3 1 1。 第二介面3 3係連接到光罩檢驗裝置3 〇2，將輸入自光罩 檢驗裝置3 02之光罩3的量測資料和識別碼執行轉換，然後 ® 將其傳送到處理區34。處理區34將接收自接收區31之光罩 基底透明基板1的量測穿透率資料和識別碼（當有必要時）， 及光罩基底2的量測穿透率資料和/或量測相差資料與識別 碼，儲存在資訊儲存區3 5。這些儲存資料確認光罩基底透明 基板1和光罩基底2的光學特性，而且在各種情形下都可以 使用。例如，這些資料係被送到光罩製造系統3 0 1的控制器 3 1 1，使可以用以決定光罩圖案形成的位置，修正光罩圖案 資料，或類似的情形。 ^ 光罩製造系統3 0 1係將來自資訊儲存裝置3 5 5的資訊輸 入到控制區3 1 1，並且根據此資訊執行光罩圖案的形成。光 罩檢驗裝置3 0 2檢查形成的光罩圖案，然後將其結果回授到 處理區3 4。處理區3 4將檢查的結果儲存在資訊儲存區3 5， 然後當使用其當作光罩圖案形成的修正資料時，將其傳送到 光罩製造系統3 0 1的控制區3 1 1。 現在參考第3圖到第6圖，說明根據本發明之光罩基底 提供系統的光罩基底透明基板製造方法及其提供方法，和光 -18- 1275900 -- 罩基底製造方法及其提供方法。 [光罩基底透明基板製造方法] (步驟l-a) 首先，製備合成石英玻璃晶柱，然後再切割成預期尺寸 (例如，152mm X 152mm X 6.5mm)，以製成合成石英玻璃板 5 0。至於合成石英玻璃板5 0之製造方法，例如，可以使用 JP-A-H08-31723或JP-A-2003-81654中所敘述之習知方法。 (步驟1 - b ) ^ 然後，將合成合成石英玻璃板5 0斜切削角，而且將包 含合成石英玻璃板50的兩個主表面之表面拋光，以具有可 以量測曝光波長之穿透率的鏡面。因此，得到合成石英玻璃 基板（光罩基底透明基板1)。 (步驟1 - c) 然後，用氘燈的光（波長·· 193mm)照射在拋光合成石英 玻璃基板1的主要表面之一的許多部分（如9個部分），以量 測基板的穿透率（穿透率變化）。穿透率的量測，例如，可以 ® 使用光譜儀（日立公司所製造的U-4 100)執行，然後藉由輸入 檢驗光的量和輸出檢驗光的量之間的差，計算穿透率。 因爲光罩基底對於ArF準分子雷射曝光源所要求之基 板內的光學特性（穿透率）變化爲6.0 % ±0.2%，所以考慮薄膜 的穿透率變化（光罩基底玻璃基板的規格），玻璃基板所要求 之基板的穿透率變化可以設定爲90%±2%。 爲了使合成石英玻璃基板1的表面達到期望的表面粗糙 度，可以再次將包含兩個主要表面的表面作精密拋光。 -19- 1275900 再者，爲了能使基板和合成石英玻璃基板1之穿透率的 量測結果之間有相關性，基板識別碼被指定在玻璃基板1的 內部。例如，識別碼可以藉由使用，例如，在J P - A - 2 0 0 4 - 8 3 3 7 7 中所敘述之習知技術指定。 (步驟卜d) 然後，使合成石英玻璃基板1和量測結果彼此具有相關 性。例如，在直接指定識別碼給玻璃基板1的情形下，指定 給玻璃基板的基板識別碼和儲存量測結果的檔案名稱彼此 I 具有相關性。另一方面，在不是直接指定識別碼給玻璃基板 的情形下，能儲存許多光罩基底透明基板之稍後會敘述的玻 璃基板容器，可以指定對應各個玻璃基板之基板識別碼，而 這些基板識別碼與儲存量測結果的檔案名稱具有相關性。 (步驟1 - e) 許多因此得到的合成石英玻璃基板1被儲存在習知的玻 璃基板容器60中（例如，JP-A-2003-264225中所敘述之容 益）’然後提供給製造光罩基底之光罩基底製造單位。 _ 在此種情形下，合成石英玻璃基板1的基板內穿透率變 化資料，也跟合成合成石英玻璃基板1 一起提供給光罩基底 製造單位。這些基板內穿透率變化資料，可經由上述之通訊 線，提供給光罩基底製造單位的伺服器，可藉由進入材料處 理單位的伺服器，自光罩基底製造單位讀取，或可藉由使用 傳真或電子郵件系統提供。 另一方面，基板內穿透率變化資料可以附加到儲存合成 石英玻璃基板1的玻璃基板容器60，以提供給光罩基底製造 -20 - 1275900 - 單位。在此種情形下，穿透率變化資料可以記錄在平面媒體 或儲存媒體（可撓式磁碟，CD等），然後再附加到玻璃基板 容器60。 雖然上述之說明中並未提及，但是可以適當地提供清洗 製程。 在光罩基底透明基板製造方法中，即使曝光光源係在 1 4 0 n m到2 0 0 n m的短波長範圍內，例如，A r F準分子雷射或 F2準分子雷射，其也可以確定基板的穿透率變化。因此， B 可以防止光罩基底透明基板偏離規格。 [光罩基底透明基板提供方法] 現在，將作有關於光罩基底透明基板提供方法之說明， 其係將藉由材料處理單位製造之光罩基底透明基板，與相對 於曝光波長之透明基板的穿透率變化資料一起提供給光罩 基底製造單位之方法。 在藉由穿透率量測裝置1 00量測穿透率之後，藉由材料 處理單位製造之光罩基底透明基板被放入玻璃基板容器，然 B 後提供給光罩基底製造單位。存放在玻璃基板容器60中之 玻璃基板1被指定基板識別碼，使可以識別個別的玻璃基板 1。這些識別碼與儲存在上述伺服器中之玻璃基板的穿透率 變化資料具有相關性。 各玻璃基板之量測資料係表格型式資料，其中包含量測 點數，量測點座標（X座標和y座標），及穿透率，而且用被 指定之檔案名稱（如：ArFQZ20040607-00000 1 ，
ArFQZ2 0 04 0607-000002，…）儲存。量測資料並不限定爲表格 1275900 型式，也可以爲圖示基板穿透率分佈之型式。再者，檔案名 稱也未必每玻璃基板都要指定，而是指定每個玻璃基板容器 或每次提供給光罩基底製造單位之許多玻璃基板。 例如，儲存量測資料之檔案係經由通訊線傳輸到光罩基 底製造單位，並且儲存在光罩基底製造單位的伺服器中。在 光罩基底製造單位中，可以根據存放在玻璃基板容器中之玻 璃基板的識別碼，指定基板之穿透率變化的資料，以確認識 別之玻璃基板的基板穿透率變化。 I 玻璃基板之穿透率變化資料可只用以確認，可用以當作 要選擇一種形成在玻璃基板上之薄膜的資訊，可用以當作要 選擇用於光罩基底之曝光波長的資訊，或可用以當作關於光 罩製造單位確認玻璃基板之光學特性的資訊。但是，穿透率 變化資料的使用並不限於上述之使用方式。 [光罩基底製造方法] (步驟2-a) > 製備由材料處理單位所提供之光罩基底玻璃基板（光罩 基底透明基板）1，其中確定具有上述之光學特性（基板之穿 透率變化爲90 %±2 %)。此玻璃基板1被指定跟基板穿透率變 化資料相關之基板識別碼的內容。 藉由搜尋一個具有適合於一種要形成在玻璃基板上之 薄膜的穿透率之區域，在選擇區2 5執行玻璃基板1的選擇。 (步驟2-b) 然後，藉由濺鍍技術，在玻璃基板1的主要表面上，形 成要作爲光罩圖案之薄膜（網板膜）7〇。爲了抑制基板內穿透 -22- 1275900 率變化和基板內相差變化，宜藉由使用具有下列結 設備，執行網板膜70的形成。 如第5圖所示，該測鍍設備5 0包含真空腔體 有排放磁控管陰極52和基板放置座53。連接背向丰i 鍍靶55被安裝在磁控管陰極52上。背向板54係 接藉由冷卻水機構冷卻。磁控管陰極52，背向板 鍍靶5 5係電性連接在一起的。此外，玻璃基板1 基板放置座5 3上。 t 如第6圖所示，排放濺鍍靶5 5和玻璃基板1， 對表面之間形成預期的角度。在此情形下，適當地 靶55和玻璃基板1之間的補償距離（如340mm)， 垂直距離（如3 8 0mm)，和靶傾斜角（如1 5 °)。 真空腔體5 1係藉由真空泵，經由排氣出口 5 6 在真空腔體5 1的真空度到達不會影響要形成之膜 後，從氣體入口 57通入含有氮氣之混合氣體，然 用DC電源供應器5 8，將負電壓應用到磁控管陰極 b 方式下，進行濺鍍。DC電源供應器5 8具有電弧檢 因此能夠監控濺鍍時的放電狀態。真空腔體5 1內 係由壓力計5 9量測。要形成在玻璃基板上之網板 率，可以藉由從氣體入口 57通入之氣體的種類和 調整。當混合氣體包含氬氣和氮氣時，藉由提高 例，可以增加穿透率。當只調整氮氣比例並不能得 穿透率時，還可以將氧氣加入含有氮氣的混合氣體 加穿透率。網板膜的相角可以藉由濺鍍時間調整， 構之濺鍍 5 1，其中 芝54之濺 直接或間 54，和濺 係放置在 使得其相 決定濺鍍 靶-基板 抽真空。 的特性之 後藉由使 5 2。在此 :知功能， 部的壓力 膜的穿透 混合比作 氮氣的比 到要求的 中，以增 而且可以 -23- 1275900 • 調整之曝光波長的相角約爲1 8 0 °。 (步驟2-c) 然後，藉由使用光學特性量測裝置2 0 0，量測網板模7 0 的光學特性。尤其，用氘燈的光（波長：1 93 nm)照射在網板 膜7 0的9點表面，以量測基板內穿透率（穿透率變化）和基 板內的相差（相差變化）。穿透率的量測可以使用光譜儀（日立 公司所製造的U - 4 1 0 0)執行，而相差的量測可以使用相差量 測裝置（Lasertech公司所製造的MPM-193)執行。 t 因爲光罩基底對於ArF準分子雷射曝光源所要求之基 板內的光學特性1穿透率和相差）變化，對於穿透率變化爲 6.0 % ± 0 · 2 %，對於相差變化爲1 8 0。± 3。，所以要執行確認， 以檢查這些規格是否滿足。 (步驟2 - d ) 然後，具有網板膜7 0之基板1和量測結果彼此具有相 關性。例如，藉由使用指定給玻璃基板1之基板識別碼，以 儲存量測結果之檔案名稱執行相關性。藉由使用指定給玻璃 k 基板之基板識別碼，可以用玻璃基板之穿透率變化的量測結 果執行相關性。或者，光罩基底識別碼係直接或間接指定給 具有網板膜7 0之玻璃基板1，而光罩基底識別碼與網板膜 70之穿透率變化和相差變化的量測結果彼此具有相關性，再 者，基板識別碼和光罩基底識別碼也彼此具有相關性。在此 方式下，可以執行玻璃基板之穿透率變化的量測結果相關 性。 關於玻璃基板之穿透率變化與網板膜之穿透率變化和 -24- 1275900 相差變化，宜根據形成在玻璃基板角落之刻痕標記，使量測 點的座標系統彼此相符。 (步驟2-e) 然後’在網板膜70的表面上形成光阻膜80之後，執行 熱處理’以得到光罩基底2(網板型相移光罩基底）。 (步驟2 - f) 許多如此得到的光罩基底2係被存放在習知的光罩基底 容器90中（如JP-B-H01-39653中所說明之光罩基底容器）， I 並且被提供到製造光罩之光罩製造單位。 在此情形下，光罩基底之基板之穿透率變化和相差變化 的資料也可以跟光罩基底一起提供給光罩製造單位。再者， 玻璃基板之穿透率變化的資料也可以提供給光罩製造單 位。這些資料可以經由上述之通訊線，提供到光罩製造單位 的伺服器’可以藉由進入光罩基底製造單位的伺服器，自光 罩製造單位側讀取，或可藉由使用傳真或電子郵件系統提 供。 另一方面，這些資料可以附加到儲存光罩基底的光罩基 底容器9 0，以提供給光罩製造單位。在此種情形下，該資料 可以記錄在平面媒體或儲存媒體（可撓式磁碟，CD等），然 後再附加到光罩基底容器9 0。 爲了使儲存在光罩基底容器的每一個光罩基底和量測 資料具有相關性，在玻璃基板上形成要作爲光罩圖案的薄膜 之後’可以用雷射光照射在每一個光罩基底的網板膜，遮蔽 膜’或光阻膜，以指定可以個別說明光罩基底之光罩基底識 1275900 _ 別碼。 在光罩基底製造方法中，即使曝光光源係在140nm到 2 0 0nm的短波長範圍內，例如，ArF準分子雷射或F2準分 子雷射，也可以確定基板的穿透率變化。因此，可以防止光 罩基底偏離規格。 [光罩基底提供方法] 現在，將作有關於光罩基底提供方法之說明，其係將藉 由光罩基底製造單位製造之光罩基底，與相對於曝光波長之 I 光罩基底板的穿透率變化等資料一起提供給光罩製造單位 之方法。 藉由光罩基底製造單位製造之光罩基底被放入光罩基 底容器，然後提供給光罩製造單位。儲存在光罩基底容器中 之光罩基底被指定光罩基底識別碼，使可以識別個別的光罩 基底。這些識別碼與儲存在上述伺服器中之光罩基底板的穿 透率變化和相差變化之量測資料具有相關性。 各光罩基底之量測資料係表格型式資料，其中包含量測 t 點數，量測點座標（X座標和y座標），穿透率和相差，而且 用被指定之檔案名稱（如：ArFHT20040607- 1 0000 1， ArFHT20040607- 1 00002，···）儲存，並與玻璃基板之穿透率變 化的資料建立相關性。量測資料並不限定爲表格型式，也可 以爲圖示光罩基底板之穿透率變化和相差變化的型式。再 者，檔案名稱也未必被指定給每個光罩基底，而是指定給每 個光罩基底容器或每次提供給光罩製造單元之許多光罩基 底。 -26- 1275900 - 例如，儲存量測資料之檔案係經由通訊線傳輸到光罩製 造單位，並且儲存在光罩製造單位的伺服器中。在光罩製造 單位中，可以根據存放在光罩基底容器中之光罩基底的識別 碼，特別說明薄膜之穿透率變化的資料和薄膜之相差變化的 資料，以確認識別之光罩基底的薄膜穿透率變化和/或相差 變化。 玻璃基板之穿透率變化資料和光罩基底薄膜之穿透率 變化和/或相差變化資料可只用以確認，當要使用光罩製造 t 單位3 0 1，在玻璃基板上形成光罩圖案時，可用以當作要決 定光罩圖案形成之位置的資訊，可用以當作要形成光罩圖案 之修正資料的資訊，或可用以當作關於製造半導體元件之元 件製造單位，確認、光罩之光學特性的資訊。但是，玻璃基 板之穿透率變化的資料，與光罩素板之薄膜穿透率變化和/ 或相差變化的資料之使用，並不限於上述之使用方式。 上述光罩基底顯示一種其要作成光罩圖案之薄膜的光 > 罩基底被形成在光罩基底玻璃基板上，例如，網板膜係形成 在光罩基底玻璃基板上之網板型相移光罩基底，網板膜和遮 蔽膜係形成在光罩基底玻璃基板上之網板型相移光罩基 底’遮蔽膜係形成在光罩基底玻璃基板上之光罩基底，或基 板蝕刻型相移光罩基底。再者，其也可以係一種具有光阻膜 之光罩基底，其中光阻膜係形成在上述薄膜之上。 本發明之光罩基底對曝光光源的波長範圍爲14〇11111到 2 0 0nm之光罩基底特別有效，例如，使用ArF準分子雷射曝 光之光罩基底，或使用F2準分子雷射曝光之光罩基底。 -27 - 1275900 ^ 透明基板的材料並未限定要合成石英玻璃，也可以爲摻 氟合成石英玻璃，氟化鈣，或類似材料。 現在參考第7圖，將說明有關根據本發明之光罩製造方 法。 [光罩製造方法] (步驟3 - a) 製備光罩基底，其中在具有確定之上述光學特性的光罩 基底玻璃基板1上（基板之穿透率變化爲90%±2%)，形成網 板膜70和光阻膜80，其具有確定之光學特性，如薄膜之穿 透率變化爲6.0%±0.2%，而薄膜之相差變化爲180。±3。。 (步驟3-b和3-c) 然後，將預定的圖案繪製在光罩基底2的光阻膜80上， 接著施以顯影，以形成光阻圖案8 5。在此種情形下，根據玻 璃基板之穿透率變化的資料與光罩基底之薄膜穿透率變化 和相差變化的資料，在要形成在玻璃基板上之光罩圖案的排 > 列和位置決定之後，才執行繪製和顯影。或者，根據設計光 罩圖案的那些資料，修正光罩圖案資料之後，才執行繪製和 顯影，使轉移在轉移標的物上之轉移圖案滿足要求的圖案形 狀。 (步驟3 - d ) 然後’使用上述的光阻圖案8 5當作遮罩，應用乾式触 刻到網板膜70，於是形成網板膜圖案75。 (步驟3 - e) 最後，移除光阻圖案85，於是得到具有網板膜圖案75 -28- 1275900 ， 形成在玻璃基板1之光罩3。 將得到的光罩3貼上薄膜，並放入習知的光罩容器9 5 中，以提供給製造半導體元件之元件製造單位。 [範例與比較範例] 下面，將根據本發明，詳細說明光罩基底透明基板製造 方法’光罩基底透明基板提供方法，光罩基底製造方法，光 罩基底提供方法’及光罩製造方法之範例與比較範例。 (範例1) t 將藉由燃燒四氯化矽，氫氣和氧氣的混合物所製成的合 成石英玻璃晶柱，切割成約152mmxl52mmx6.5mm之尺寸， 以製成100片合成石英玻璃。 然後，將每一片合成石英玻璃板都斜切削角，並且將包 含每一片合成石英玻璃板的兩個主表面之表面拋光，使表面 粗糙度Ra(算術平均表面粗糙度）爲〇.5mm或更小，以能夠 量測相對於曝光波長之穿透率。 再者，爲了使基板之穿透率的量測資料和各合成石英玻 t 璃基板之間具有相關性，此將於稍後說明，藉由習知技術的 使用，在各玻璃基板內部指定基板識別碼。 然後，用氘燈的光（波長：193 mm)照射在各拋光合成石 英玻璃基板的主要表面之一的9個部分，以量測基板的穿透 率（穿透率變化）。穿透率的量測可以使用光譜儀執行（日立公 司所製造的U-4 100)，然後根據輸入檢驗光的量和輸出檢驗 光的量之間的差，計算穿透率。 1 00片合成石英玻璃基板所量測的穿透率資料，以和上 -29- 1275900 * 述玻璃基板識別碼建立相關性之方式下，儲在資訊儲存裝 置，如個人電腦。 100片的每一片合成石英玻璃基板之基板的穿透率變化 都爲90%:t2%。此滿足光罩基底製造單位所設計之規格。 這些得到的合成石英玻璃基板被放入每一個可以容納5 片玻璃基板的習知玻璃基板容器中。 容納合成石英玻璃基板之玻璃基板容器被提供給光罩 基底製造單位。 t 儲存量測資料之檔案，藉由使用通訊線，提供到光罩基 底製造單位的伺服器。在此光罩基底製造單位的伺服器中， 儲存傳輸自材料處理單位的檔案。 藉由使用包含在玻璃基板容器內之玻璃基板的識別 碼，光罩基底製造單位可以確認與傳輸檔案名稱相關之基板 的穿透率變化資料。 根據提供自材料處理單位之玻璃基板的穿透率變化資 料，光罩基底製造單位選擇或確認，玻璃基板是否適合用於 I ArF準分子雷射曝光源之網板型相移光罩基底。 然後，藉由使用上述的濺鍍設備，製造用於ArF準分子 雷射曝光源之1 〇〇片網板型相移光罩基底。 尤其，藉由使用鉬（Mo)和矽（Si)混合靶（M〇:Si = 8:92 mol%)，藉由反應濺鍍系統（DC濺鍍系統），在氬氣（Αι·)和氮 氣（Ν2)混合氣體環境下（Ar:N2=10%:90%，壓力= 0.1 Pa)，在 合成石英玻璃基板上，形成氮化鉬矽（MoSiN)網板膜（厚 度：約6 7 n m)。網板膜的組成爲Μ 〇 : S i: N = 7 : 4 5 : 4 8。 -30- 1275900 量測藉由上述製程步驟2-c所製造之1 00片網板膜的板 內穿透率變化和相差變化，而且確認所有1 00片網板膜的板 內穿透率變化爲6.0 %±0· 2%，和板內相差爲180° ±3°，因此 可以滿足規格。 然後，用雷射光照射網板膜，以指定光罩基底識別碼， 用以個別識別具有網板膜之基板。藉由使用這些識別碼，建 立與儲存上述量測結果之檔案名稱的相關性。同時，藉由使 用指定給玻璃基板之基板識別碼，也可以建立與玻璃基扳之 t 穿透率變化的量測結果相關性。 然後，在藉由使用旋轉應用設備應用光阻膜之後，執行 熱處理，以在網板膜上形成具有4 0 0 n m厚之光阻膜。因此， 得到網板型相移光罩基底。 1 00片光罩基底之網板膜的穿透率和相差量測資料，係 以與上述光罩基底識別碼建立相關性之方式儲存在伺服器 中〇 1 00片的每一片光罩基底之網板膜的穿透率變化和相差 &變化分別爲6.0 %±0· 2 %和180° ±3°。此滿足由光罩製造單位 所設計之規格。 將這些得到的網板型相移光罩基底，放入每一個可以容 納5片光罩基底之習知光罩基底容器中。 將裝有光罩基底之光罩基底容器提供給光罩製造單位。 儲存量測資料之檔案，藉由使用通訊線，提供到光罩製 造單位的伺服器。在此光罩製造單位的伺服器中，儲存在傳 輸自光罩基底製造單位的檔案。 1275900 藉由使用包含在光罩基底容器內之光罩基底的識別 碼，光罩製造單位可以確認與傳輸檔案名稱相關之網板膜的 穿透率變化和相差變化資料。 藉由使用提供自光罩基底製造單位之玻璃基板的穿透 率變化資料，與網板型相移光罩基底之網板膜的穿透率變化 和相差變化資料，光罩製造單位分別決定要形成在玻璃基板 上之光罩圖案的排列。尤其，關於穿透率或相差的平均値或 中央値與量測資料之間的差相當大之區域，光罩製造單位可 ® 以決定改變基板的方向，使得該區域位在轉移圖案形成區以 外，其中轉移圖案形成區係形成用以轉移光罩圖案到轉移標 的物之圖案。 然後，在光阻膜上繪製預定圖案，並且將以顯影，於是 形成光阻圖案。然後，使用光阻圖案當作遮罩，在氧氣系氣 體和氟系氣體之混合氣體環境下，藉由乾式蝕刻形成網板膜 圖案。 最後，移除形成在網板膜圖案上之光阻膜，然後貼上薄 胃膜。在此方式下，就形成光罩。 將得到的光罩各自放在步進曝光機中，使光罩圖案可以 轉移在具有光阻膜形成之半導體基板上。因此，可以將要求 的圖案形成在半導體基板上，以得到半導體元件。得到的半 導體元件沒有圖案缺陷，因此非常好。 (比較範例） 每一片合成石英玻璃基板的表面，在作精密拋光之前先 確定其穿透率，使在精密拋光後可以展現預定値或更佳的 -32- 1275900 " 値，然後製備各自具有152.4mmxl52.4mmx6.35mm尺寸之合 成石英玻璃基板。 然後，就像範例1，藉由使用上述之濺鑛設備，製作用 於ArF準分子雷射曝光源之100片網板型相移光罩基底。 量測藉由上述步驟2 - c所製造之1 〇 〇片網板膜的板內穿 透率變化和相差變化，其被確認1 00片網板膜當中的94片 滿足穿透率變化爲6 · 0 % ± 0 · 2 %和相差變化爲1 8 0 ° ± 3 °之規 格，因此有6片網板膜無法滿足規格。 I 無法滿足規格的這6片網板膜自合成石英玻璃基板剝 離，然後將這些合成石英玻璃基板再次拋光。對於那些每一 片合成石英玻璃基板之基板穿透率變化的量測，確認穿透率 的變化係在90%±10%的範圍內。 藉由使用此比較範例之網板型相移光罩基底，可以製造 出像上述範例1之網板型相移光罩。用形成在每一片得到的 網板型相移光罩之網板膜形式所形成的光罩圖案，並沒有發 現到圖案缺陷。然後，將此網板型相移光罩放在步進曝光機 I 中，使光罩圖案可以轉移在具有光阻膜形成之半導體基板 上。因此，可以將要求的圖案形成在半導體基板上，以得到 半導體元件。在每一個得到的半導體元件中，有發現由於玻 璃基板的穿透率變化所造成之圖案缺陷。 如上所述，當用於ArF準分子雷射曝光源之網板型相移 光罩基底，係使用相對於曝光波長，其基板穿透率變化並不 確定之合成石英玻璃基板製作時，那些沒有滿足規格之光罩 基底會有一定的比例，而且會在半導體元件中產生圖案缺 -33- 1275900 - 陷。但是，當使用像範例1，其基板穿透率變化已確定之合 成石英玻璃基板製作時，所有製造的光罩基底都能滿足規 格’而且得到的半導體元件沒有圖案缺陷，因此非常好。 在上述之範例1中，只有給定用於ArF準分子雷射曝光 源之網板型相移光罩基底當作範例。但是，本發明並不侷限 於此。例如，用於F2準分子雷射曝光源之網板型相移光罩 基底’只有遮蔽膜形成在光罩基底透明基板上（也可以形成 光阻膜）之二元光罩，或用於非鉻光罩之光罩基底，也可以 t達到類似效帛。 本發明可應用於光罩基底透明基板提供方法，光罩基底 提供方法，光罩基底透明基板製造方法，光罩基底製造方 法，及光罩製造方法。藉由確認、光罩基底透明基板和光罩 基底的光學特性，可以防止光罩基底的光學特性偏離規格和 轉移標的物發生圖案缺陷。當使用ArF準分子雷射或F2準 分子雷射當作曝光光源時，本發明特別適用。 本發明已揭露數個相關實施例和範例，因此對於那些熟 I 悉本發明技術之人士，可以各種其他不同的方式實際應用。 【圖示簡單說明】 第1圖爲光罩基底提供系統之結構的方塊圖； 第2圖爲各製造單位之間資訊和物品交換的說明圖； 第3圖爲光罩基底透明基板製造方法之說明圖； 第4圖爲光罩基底製造方法之說明圖； 第5圖爲濺鍍設備之構造圖； 第6圖爲濺鍍設備之主要部分的放大圖；及 -34- 1275900 第7圖爲光罩製造方法之說明圖 【元件符號說明】
1 光罩基底透明基板 2 光罩基底 3 光罩 10 伺服器 11 介面 12 處理區 13 資訊儲存區 14 傳輸區 20 伺服器 2 1 接收區 22 介面 23 處理區 24 儲存區 25 選擇區 26 傳輸區 30 伺服器 3 1 接收區 32 第一介面 33 第二介面 34 處理區 35 資訊儲存區 40 通訊線 -35- 1275900
50 合 成 石 英 玻 璃 板 5 1 真 空 腔 體 52 磁 控 管 陰 極 53 基 板 放 置 座 54 背 向 板 55 濺 鍍 靶 56 排 氣 出 □ 57 氣 體 入 □ 58 直 流 電 源 供 應 器 59 壓 力 計 60 玻 璃 基 板 容 器 70 薄 膜 75 網 板 膜 圖 案 80 光 阻 膜 85 光 阻 圖 案 90 光 罩 基 底 容 器 95 光 罩 容 器 100 穿 透 率 量 測 裝 置 200 光 學 特 性 量 測 裝置 30 1 光 罩 製 造 系 統 302 光 罩 檢 驗 裝 置 3 11 控 制 -36 -
Claims (1)
1275900 十、申請專利範圍： 1. 一種光罩基底提供系統，包含： 基板資訊儲存裝置，以和光罩基底透明基板建立相關性 之方式，儲存相對於曝光波長之光罩基底透明基板的光學 特性資訊，其中光罩基底透明基板係被提供到光罩基底製 造單位； 光罩基底資訊儲存裝置，以和光罩基底建立相關性之方 式，儲存相對於曝光波長之光罩基底的光學特性資訊’其 > 中光罩基底係被提供到光罩製造單位； 基板資訊提供裝置，用以將在基板資訊儲存裝置中所儲 存相對於曝光波長之光罩基底透明基板的光學特性資 訊，提供給光罩基底製造單位和/或該光罩製造單位；及 光罩基底資訊提供裝置，用以將在光罩基底資訊儲存裝 置中所儲存相對應曝光波長之光罩基底的光學特性資 訊，提供給光罩製造單位。 2. 如申請專利範圍第1項之光罩基底提供系統，其中還包含·· I 製造光罩基底透明基板之材料處理單位的伺服器；藉由 在光罩基底透明基板上形成要當作光罩圖案之薄膜’製造 光罩基底之光罩基底製造單位的伺服器；藉由將光罩基底 之薄膜製作成圖案，製造光罩之光罩製造單位的伺服器； 及連接各伺服器，以允許其間通訊之通訊線， 其中，材料處理單位的伺服器包含基板資訊儲存裝置， 光罩基底製造單位的伺服器包含基板資訊儲存裝置和 光罩基底資訊儲存裝置，及 -37 - 1275900 ' 光罩製造單位的伺服器包含基板資訊儲存裝置和光罩 基底資訊儲存裝置。 3 ·如申請專利範圍第1項之光罩基底提供系統，其中還包含： 製造光罩基底透明基板之材料處理單位的傳送/接收 區；藉由在該光罩基底透明基板上形成要作爲光罩圖案之 薄膜，製造光罩基底之光罩基底製造單位的傳送/接收 區；藉由將該光罩基底之薄膜製作成圖案，製造光罩之光 罩製造單位的傳送/接收區；及能夠經由通訊線，與傳送 /接收區通訊之伺服器， 其中伺服器包含基板資訊儲存裝置和光罩基底資訊儲 存裝置。 4.如申請專利範圍第丨項之光罩基底提供系統，其中還包含： 根據相對於曝光波長之光罩基底透明基板的光學特性 資訊，在光罩基底透明基板上選擇性形成薄膜之薄膜選擇 裝置。 > 5 ·如申請專利範圍第1項之光罩基底提供系統，其中還包含： 相對於曝光波長之光罩基底透明基板的光學特性資 訊’包含相對於曝光波長之基板的穿透率變化。 6 ·如申請專利範圍第〗項之光罩基底提供系統，其中： 相對於曝光波長之光罩基底的光學特性資訊，包含相對 於曝光波長之薄膜的穿透率變化和/或相差變化。 7· —種光罩基底提供方法，其中： 光罩基底製造單位，藉由在光罩基底透明基板上形成要 製成光罩案案之薄膜製造光罩基底，而且當提供光罩基底
-38- 1275900 - 給光罩製造單位時，光罩基底製造單位會將關於曝光波長 之光罩基底透明基板的光學特性資訊，和關於曝光波長之 光罩基底的光學特性資訊提供給光罩製造單位。 8 ·如申請專利範圍第7項之光罩基底提供方法，其中： 相對於曝光波長之光罩基底之透明基板的光學特性資 訊，會從製造光罩基底透明基板之材料處理單位提供給光 罩基底製造單位。 9 ·如申請專利範圍第7項之光罩基底提供方法，其中： I 相對於曝光波長之光罩基底之透明基板的光學特性資 訊，包含相對於曝光波長之基板的穿透率變化。 1 〇 ·如申請專利範圍第7項之光罩基底提供方法，其中： 相對於光波長之光罩基底的光學特性資訊，包含關於曝 光波長之薄膜的穿透率變化和/或相差變化。 11. 一種光罩基底透明基板製造方法，包含： 將光罩基底透明基板的表面作鏡面拋光，使可以量測相 對於曝光波長之光學特性； > 用波長等於曝光波長的光線照射在已作鏡面拋光的基 板表面上，因此可以得到光罩基底透明基板的光學特性資 訊；及 儲存光罩基底透明基板及其光學特性資訊之間的相互 關係。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之光罩基底透明基板製造方法， 其巾· 光罩基底透明基板的光學特性資訊，包含相對於曝光波 -39- 1275900 -‘ 長之基板的穿透率變化。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之光罩基底透明基板製造方法， 其中= 曝光波長爲140nm到200nm。 1 4 ·如申請專利範圍第1 1項之光罩基底透明基板製造方法， 其中： 光罩基底透明基板的材料係合成石英玻璃。 15· —種光罩基底製造方法，包含： ® 在藉由根據申請專利範圍第1 1項之光罩基底透明基板 製造方法所得到的光罩基底透明基板上，形成要製成光罩 圖案之薄膜，於是可以得到光罩基底； 用波長等於曝光波長的光線照射在薄膜的表面上，以得 到光罩基底的光學特性資訊；及 儲存光罩基底及其光學特性資訊之間的相互關係。 1 6.如申請專利範圍第1 5項之光罩基底製造方法，其中： 光罩基底的光學特性資訊，包含相對於曝光波長之薄膜 ® 的穿透率變化和/或相差變化。 17.如申請專利範圍第15項之光罩基底製造方法，其中： 根據光罩基底透明基板的光學特性資訊，在光罩基底透 明基板上選擇性形成薄膜。 1 8 .如申請專利範圍第1 5項之光罩基底製造方法，其中： 曝光波長爲140nm到20 0nm。 19·一種將光罩基底的薄膜製成圖案之光罩製造方法，該光罩 基底係藉由申請專利範圍第1 5項之光罩基底製造方法所 -40- K75900 … 製造者以在光罩基底透明基板上形成光罩圖案。 20.如申請專利範圍第19項之光罩製造方法，其中還包含. 根據相對於曝光波長之光罩基底透明基板和/或光罩 基底的光學特性資訊，修正要形成在該光罩基底透明基板 上之光罩圖案的資料，或決定形成光罩圖案的位置。
-41 -
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004269569A JP4520263B2 (ja) | 2004-09-16 | 2004-09-16 | マスクブランク提供システム、マスクブランク提供方法、マスクブランク用透明基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200617584A TW200617584A (en) | 2006-06-01 |
| TWI275900B true TWI275900B (en) | 2007-03-11 |
Family
ID=36163353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW94131764A TWI275900B (en) | 2004-09-16 | 2005-09-15 | Mask blank providing system, mask blank providing method, mask blank transparent substrate manufacturing method, mask blank manufacturing method, and mask manufacturing method |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US7700244B2 (zh) |
| JP (1) | JP4520263B2 (zh) |
| KR (1) | KR101093406B1 (zh) |
| CN (2) | CN1749851B (zh) |
| TW (1) | TWI275900B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI452420B (zh) * | 2009-03-31 | 2014-09-11 | Shinetsu Chemical Co | 光罩基板及光罩 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100595671C (zh) * | 2004-11-08 | 2010-03-24 | Hoya株式会社 | 掩模坯件的制造方法 |
| JP5180433B2 (ja) * | 2004-11-08 | 2013-04-10 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランクの製造方法、マスクの製造方法、及び、マスクブランクの再生方法 |
| US20060218204A1 (en) * | 2005-03-25 | 2006-09-28 | International Business Machines Corporation | Log stream validation in log shipping data replication systems |
| JP4961990B2 (ja) * | 2005-12-14 | 2012-06-27 | 大日本印刷株式会社 | マスクブランクおよび階調マスク |
| KR100744660B1 (ko) | 2006-05-04 | 2007-08-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 사진 공정 관리 시스템 및 방법 |
| CN106502045B (zh) * | 2016-10-31 | 2019-09-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 用于设备的方法、制造掩膜版或显示基板的方法及系统 |
| KR20180072036A (ko) * | 2016-12-20 | 2018-06-29 | 삼성전자주식회사 | 마스크 처리 장치 및 방법 |
| CN109239953B (zh) * | 2018-11-07 | 2021-03-05 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 掩膜版的处理系统 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61203383A (ja) | 1985-02-26 | 1986-09-09 | ホ−ヤ株式会社 | 基板保持構造 |
| JP3071362B2 (ja) | 1994-07-15 | 2000-07-31 | 信越化学工業株式会社 | ＡｒＦエキシマレーザリソグラフィー用合成石英マスク基板およびその製造方法 |
| JP3673626B2 (ja) * | 1997-10-24 | 2005-07-20 | Ｈｏｙａ株式会社 | 透光性物質の不均一性検査方法及びその装置 |
| AU5261200A (en) | 1999-05-20 | 2000-12-12 | Micronic Laser Systems Ab | A method for error reduction in lithography |
| JP4170569B2 (ja) * | 2000-06-02 | 2008-10-22 | 大日本印刷株式会社 | 基板選択装置 |
| JP2002090978A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-03-27 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置 |
| JP3608654B2 (ja) * | 2000-09-12 | 2005-01-12 | Ｈｏｙａ株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク |
| JP3993005B2 (ja) | 2002-03-22 | 2007-10-17 | Ｈｏｙａ株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法 |
| JP4334778B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2009-09-30 | 大日本印刷株式会社 | 基板選択装置および描画用基板の供給方法 |
| JP2003081654A (ja) | 2001-09-06 | 2003-03-19 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 合成石英ガラスおよびその製造方法 |
| JP3934919B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2007-06-20 | 株式会社東芝 | マスクブランクスの選択方法、露光マスクの形成方法、および半導体装置の製造方法 |
| JP2003248299A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Toshiba Corp | マスク基板およびその製造方法 |
| JP2003264225A (ja) | 2002-03-12 | 2003-09-19 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | ガラス基板収納容器 |
| US7356374B2 (en) * | 2002-03-15 | 2008-04-08 | Photronics, Inc. | Comprehensive front end method and system for automatically generating and processing photomask orders |
| JP4187987B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2008-11-26 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・データ | インスタントメッセージングシステムおよびインスタントメッセージングプログラム |
| JP2004083377A (ja) | 2002-08-29 | 2004-03-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 内部マーキングされた石英ガラス、光学部材用石英ガラス基板及びその製造方法 |
| US7172838B2 (en) * | 2002-09-27 | 2007-02-06 | Wilhelm Maurer | Chromeless phase mask layout generation |
| JP2004356330A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Sony Corp | マスクの製造方法、マスクブランクスの管理方法、マスクブランクスの管理プログラム、マスクブランクスの管理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP4543671B2 (ja) * | 2003-12-16 | 2010-09-15 | 凸版印刷株式会社 | Ｒｆ−ｉｄ管理によるフォトマスクの製造方法及びそれを用いたフォトマスクの描画方法 |
| KR100911595B1 (ko) * | 2004-03-09 | 2009-08-07 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크 정보 취득방법 및 시스템, 마스크 블랭크 정보 제공방법, 전사 마스크 제작지원 및 제조방법, 그리고 마스크 블랭크 제조방법 및 제공방법 |
-
2004
- 2004-09-16 JP JP2004269569A patent/JP4520263B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-09-14 US US11/225,153 patent/US7700244B2/en active Active
- 2005-09-15 TW TW94131764A patent/TWI275900B/zh active
- 2005-09-15 KR KR1020050086265A patent/KR101093406B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-16 CN CN2005101039885A patent/CN1749851B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-16 CN CN201010203212.1A patent/CN101846877B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-03-16 US US12/725,032 patent/US7998644B2/en active Active
-
2011
- 2011-06-30 US US13/174,397 patent/US8318388B2/en active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI452420B (zh) * | 2009-03-31 | 2014-09-11 | Shinetsu Chemical Co | 光罩基板及光罩 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20060051339A (ko) | 2006-05-19 |
| TW200617584A (en) | 2006-06-01 |
| CN101846877A (zh) | 2010-09-29 |
| US20100173232A1 (en) | 2010-07-08 |
| US7700244B2 (en) | 2010-04-20 |
| US20110262847A1 (en) | 2011-10-27 |
| CN1749851A (zh) | 2006-03-22 |
| JP2006084786A (ja) | 2006-03-30 |
| US7998644B2 (en) | 2011-08-16 |
| JP4520263B2 (ja) | 2010-08-04 |
| CN1749851B (zh) | 2010-07-14 |
| KR101093406B1 (ko) | 2011-12-14 |
| CN101846877B (zh) | 2014-07-23 |
| US20060159931A1 (en) | 2006-07-20 |
| US8318388B2 (en) | 2012-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI275900B (en) | Mask blank providing system, mask blank providing method, mask blank transparent substrate manufacturing method, mask blank manufacturing method, and mask manufacturing method | |
| TWI810176B (zh) | 反射型光罩基底、反射型光罩及其製造方法、與半導體裝置之製造方法 | |
| TWI811369B (zh) | 反射型光罩基底、反射型光罩、以及反射型光罩及半導體裝置之製造方法 | |
| TWI275902B (en) | Transparent substrate for mask blank and mask blank | |
| CN105334693B (zh) | 半色调相移光掩模坯料及其制备方法 | |
| US8026025B2 (en) | Mask blank transparent substrate manufacturing method, mask blank manufacturing method, and exposure mask manufacturing method | |
| TWI591423B (zh) | A mask base substrate, a mask base, a transfer mask, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing the semiconductor device | |
| TWI225661B (en) | Manufacturing method of mask blank and mask | |
| TW201137510A (en) | Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and pattern transfer method | |
| TW201428417A (zh) | 光罩毛胚及其製造方法，光罩之製造方法，暨半導體裝置之製造方法 | |
| TWI641900B (zh) | 光罩底板、其製造方法及光罩 | |
| KR20070096922A (ko) | 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 | |
| TWI742288B (zh) | 光罩空白基板以及其製造方法 | |
| JP2002244274A (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法 | |
| JP2019070854A (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
| JP2007114536A (ja) | フォトマスクおよびその製造方法、並びにパターン転写方法 | |
| TW200921269A (en) | Photo mask blank and method of manufacturing a photo mask | |
| JP2003322955A (ja) | リソグラフィーマスクブランクの製造方法及びリソグラフィーマスク並びにハーフトーン型位相シフトマスクブランク | |
| JP4520537B2 (ja) | マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法 | |
| TWI697033B (zh) | 遮罩基底用基板之製造方法、遮罩基底之製造方法、轉印用遮罩之製造方法、半導體元件之製造方法、遮罩基底用基板、遮罩基底及轉印用遮罩 | |
| JP2024144102A (ja) | 位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 | |
| JP2008275934A (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 | |
| TW200426910A (en) | Exposure method of different levels |