CN109239953B - 掩膜版的处理系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种掩膜版的处理系统，该系统包括：紫外线垂直配向UV2A露光装置、掩膜版检查装置、处理装置；掩膜版检查装置分别与UV2A露光装置、处理装置连接；UV2A露光装置，用于获取待选掩膜版；掩膜版检查装置，用于对待选掩膜版进行检查，获取多个目标掩膜版；处理装置，获取每个目标掩膜版的划痕检查结果，并根据每个目标掩膜版的划痕检查结果，对每个目标掩膜版进行处理。本发明提供的掩膜版的处理系统能够主动获取具有划痕的多个目标掩膜版，并根据目标掩膜版的划痕检查结果对掩膜版进行处理，提高了处理效率。

Description

掩膜版的处理系统
技术领域
本发明涉及液晶显示器制造技术领域，尤其涉及一种掩膜版的处理系统。
背景技术
UV2A(Ultra Violet Vertical Alignment)技术是一种采用紫外线进行液晶配向的VA(Vertical Alignment，垂直配向)面板技术。其原理是采用一定角度的紫外光通过掩膜版照射到阵列基板或彩膜基板的光配向膜层上，使光配向膜层上被紫外光照射的位置发生配向反应(如二聚反应、分解反应、异构化反应、光再取向反应等)，光配向膜层使液晶分子以与阵列基板或者彩膜基板法线呈一定夹角排列。而掩膜版在光配向的过程中起到的作用是使紫外光不通过，在光配向膜层上的特定位置发生配向反应。在实际光配向过程中，掩膜版与基板之间的距离极小，气浮、基板的脏污很容易造成掩膜版刮伤，而掩膜版的刮伤会影响光配向后生成的液晶面板的亮度，在掩膜版的刮伤的位置对应的液晶面板位置处显示有各种痕迹，影响生产良率。
现有技术中，需要人为检查掩膜版的刮伤情况，进而判断掩膜版是否能够继续使用。这种检查方式需要耗费大量的人力和时间，处理效率低。
发明内容
本发明提供一种掩膜版的处理系统，能够主动获取具有划痕的多个目标掩膜版，并根据目标掩膜版的划痕检查结果对掩膜版进行处理，提高了处理效率。
本发明的提供一种掩膜版的处理系统，包括：紫外线垂直配向UV2A露光装置、掩膜版检查装置、处理装置；
所述掩膜版检查装置分别与所述UV2A露光装置、所述处理装置连接；
所述UV2A露光装置，用于获取待选掩膜版，并将所述待选掩膜版的标识发送给所述掩膜版检查装置，所述待选掩膜版为第一距离大于距离阈值的掩膜版，所述第一距离为掩膜版与对应的基板之间的距离；
所述掩膜版检查装置，用于根据所述待选掩膜版的标识对所述待选掩膜版进行检查，获取多个目标掩膜版，并将多个所述目标掩膜版的标识发送给所述处理装置，所述目标掩膜版为所述待选掩膜版中存在新增划痕的掩膜版；
所述处理装置，用于根据每个所述目标掩膜版的标识，获取每个目标掩膜版的划痕检查结果，并根据每个所述目标掩膜版的划痕检查结果，对每个所述目标掩膜版进行处理。
本实施例提供的掩膜版的处理系统能够主动获取具有划痕的多个目标掩膜版，并根据目标掩膜版的划痕检查结果对掩膜版进行处理，提高了处理效率。
可选的，所述系统还包括：SL制程装置，所述制程装置与所述处理装置连接；
所述处理装置，还用于控制所述制程装置对每个所述目标掩膜版对应的多个基板进行配向检查；
根据每个所述目标掩膜版的划痕检查结果，以及，每个所述目标掩膜版对应的多个基板的配向检查结果，对多个所述目标掩膜版进行处理。
可选的，当第一目标掩膜版的划痕检查结果为刮伤时，所述处理装置，具体用于控制所述制程装置对第一目标掩膜版对应的N个第一基板进行配向检查，N为大于0的整数；
根据N个所述第一基板的配向检查结果，对所述第一目标掩膜版进行处理。
可选的，所述处理装置，具体用于当N个所述第一基板的配向检查结果中配向不良的比例大于第一阈值时，禁止使用所述第一目标掩膜版，所述配向不良为基板上显示有亮度不均的区域。
可选的，当第二目标掩膜版的划痕检查结果为第一类刮透时，所述处理装置，具体用于控制所述制程装置对第二目标掩膜版对应的M个第二基板进行配向检查，M为大于0且小于N的整数，所述第一类刮透为能够修复的刮透；
根据M个所述第二基板的配向检查结果，对所述第二目标掩膜版进行处理。
可选的，所述处理装置，具体用于当M个所述第二基板的配向检查结果中配向不良的比例大于第一阈值时，禁止使用所述第二目标掩膜版。
可选的，所述处理装置，具体用于当所述第二基板的配向检查结果中配向不良的比例小于所述第一阈值时，获取所述第二目标掩膜版对应的X个所述第二基板的配向检查结果，当X个所述第二基板的配向检查结果中配向不良的比例大于所述第一阈值时，禁止使用所述第二目标掩膜版，X为大于N的整数。
可选的，所述处理装置，具体用于当第三目标掩膜版的划痕检查结果为第二类刮透时，禁止使用所述第三目标掩膜版，所述第二类刮透为不能修复的刮透。
本实施例中根据目标掩膜版的划痕检查结果和每个目标掩膜版对应的多个基板的配向检查结果对多个目标掩膜版进行处理，可获取准确的处理结果，提高准确率。
可选的，所述处理装置，还用于禁止使用所有禁止使用的目标掩膜版对应的基板。
本实施例中对禁止使用的所有的目标掩膜版对应的基板禁止使用，能够减少对配向不良的基板的再加工。
可选的，所述制程装置，用于当检测到所述目标掩膜版的基板的灰阶图像中存在S-G弱线不良时，确定所述目标掩膜版的基板配向不良。
本发明提供一种掩膜版的处理系统，该系统包括：紫外线垂直配向UV2A露光装置、掩膜版检查装置、处理装置；UV2A露光装置与掩膜版检查装置连接，掩膜版检查装置与处理装置连接；UV2A露光装置，用于获取待选掩膜版；掩膜版检查装置，用于对待选掩膜版进行检查，获取多个目标掩膜版；处理装置，获取每个目标掩膜版的划痕检查结果，并根据每个目标掩膜版的划痕检查结果，对每个目标掩膜版进行处理。本发明提供的掩膜版的处理系统能够主动获取具有划痕的多个目标掩膜版，并根据目标掩膜版的划痕检查结果对掩膜版进行处理，提高了处理效率。
附图说明
图1为本发明提供的紫外线垂直配向UV2A的示意图；
图2为本发明提供的掩膜版的处理系统的连接示意图一；
图3为本发明提供的掩膜版的处理系统的连接示意图二。
附图标记说明：
10-掩膜版的处理系统；
11-UV2A露光装置；
12-掩膜版检查装置；
13-处理装置；
14-制程装置；
20-液晶分子；
30-掩膜版；
40-基板。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
下面以具体地实施例对本发明的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
传统的阴极射线显像管(Cathode Ray Tube，CRT)显示器依靠阴极射线管发射电子撞击屏幕上的荧光粉来显示图像，但液晶显示的原理则完全不同。通常，液晶显示装置具有上基板和下基板，彼此有一定间隔和互相正对。形成在上、下基板上的多个电极相互正对。液晶夹在上基板和下基板之间。电压通过基板上的电极施加到液晶上，然后根据所作用的电压改变液晶分子的排列从而显示图像、因为如上所述液晶显示装置不发射光，它需要光源来显示图像。因此，液晶显示装置具有位于液晶面板后面的背光源。根据液晶分子的排列控制从背光源入射的光量从而显示图像。
液晶显示屏包括：在两块偏光板之间夹有玻璃基板、彩色滤光片(彩膜)、电极、液晶层和薄膜晶体管，液晶分子是具有折射率及介电常数各向异性的物质。背光源发出的光线经过下层偏光板，成为具有一定偏振方向的偏振光。薄膜晶体管控制电极之间所加电压，而该电压作用于液晶来控制偏振光的偏振方向，偏振光透过相应的彩膜色层后形成单色偏振光，如果偏振光能够穿透上层偏光板，则显示出相应的颜色；电场强度不同，液晶分子的偏转角度也不同，透过的光强不一样，显示的亮度也不同。通过红绿蓝三种颜色的不同光强的组合来显示五颜六色的图像。
上述的液晶显示装置给人们的生活带来便利的同时，人们也不断对其产品特性提出了更高的要求。以往的液晶显示装置一般视角较小，为了扩大液晶显示装置的可视角度，现有技术中己经使用了多种新型显示模式，如MVA(多域垂直配向)模式、PVA(图形化垂直配向)模式、UV2A(紫外光配向)模式。
紫外线垂直配向(Ultra Violet Vertical Alignment，UV2A)技术是一种采用紫外线进行液晶配向的面板技术。图1为本发明提供的紫外线垂直配向UV2A的示意图，如图1所示，掩膜版30位于紫外光发射的一侧，使用一定角度的紫外光通过掩模版，照射到每个基板40的光配向膜层上，使光配向膜层发生光配向反应(如二聚反应、分解反应、异构化反应、光再取向反应等)，使液晶分子20以与基板40法线有一定夹角排列在配向膜层上；然后在反方向使用一定角度的紫外光通过掩模版，采用相同的方法，使液晶分子20以与基板40法线有一定夹角排列在配向膜层上。
而掩膜版30具有特定的形状，或者掩膜版30上具有特定的形状，掩膜版30在光配向的过程中起到的作用是使紫外光不通过，使得在光配向膜层上的特定位置发生配向反应，即掩膜版30透过紫外光的位置发生配向反应。
在实际光配向过程中，掩膜版30与基板40之间的存在一定的距离，但该距离极小，由于气浮、基板40的脏污等很容易造成掩膜版30的刮伤，掩膜版30的费用昂贵，且掩膜版30的刮伤会影响光配向后生成的液晶面板的亮度，在掩膜版30的刮伤的位置对应的液晶面板位置处显示有各种痕迹，造成光配向后的基板40报废，影响生产良率。
下述实施例中的基板均为进行紫外线垂直配向后的基板，即为曝光基板。
图2为本发明提供的掩膜版的处理系统的连接示意图一，如图2所示，该掩膜版的处理系统10包括：紫外线垂直配向UV2A露光装置11、掩膜版检查装置12、处理装置13。
其中，UV2A露光装置11与掩膜版检查装置12连接，掩膜版检查装置12与处理装置13连接。
本实施例中，每个掩膜版具有标识，每个掩膜版的标识可以为掩膜版ID，具体的，处理装置13中存储有每个掩膜版ID与每个掩膜版的位置的对应关系。当一组光配向前的基板在进行光配向时，每个基板对应一个掩膜版，每个基板具有基板的标识，即基板ID，该基板为进行光配向前的基板。
具体的，处理装置13中可以存储有每个基板ID与每个基板的位置的对应关系。对于一个掩膜版来说，可以对多组基板中的处于相同位置处的基板起到掩膜的作用，因此，在多次光配向中，一个掩膜版可以对应多个基板。具体的，基板进行光配向前后的基板的标识相同。
UV2A露光装置11，用于获取待选掩膜版，并将待选掩膜版的标识发送给掩膜版检查装置12。具体的，UV2A露光装置11获取所有的掩膜版与其对应的基板之间的距离，当存在第一距离大于距离阈值的掩膜版时，将该掩膜版作为待选掩膜版，其中，第一距离为掩膜版与对应的基板之间的距离。
本实施例中，示例性的，UV2A露光装置11在确定掩膜版与对应的基板之间的距离异常时，即第一距离大于距离阈值的掩膜版时，UV2A露光装置可以进行报警，提醒操作人员正在使用的掩膜版中有待选掩膜版，需要对待选掩膜版进行下一步检查处理。且UV2A露光装置11获取对应的异常的掩膜版的标识，为待选掩膜版的标识。UV2A露光装置11将待选掩膜版的标识发送给掩膜版检查装置12。
可选的，本实施例中的UV2A露光装置11中可以包括有报警器，具体的，该报警器可以为指示灯、蜂鸣器、喇叭中的一种或多种。当存在第一距离大于距离阈值的掩膜版时，UV2A露光装置11控制相应的报警器进行报警，具体的，可以是指示指示灯亮绿灯、蜂鸣器发声、或喇叭播报中的一种或者几种的组合。以提醒操作人员存在有掩膜版的第一距离大于距离阈值。
掩膜版检查装置12，用于根据待选掩膜版的标识对待选掩膜版进行检查，获取多个目标掩膜版，并将多个目标掩膜版的标识发送给处理装置13，目标掩膜版为待选掩膜版中存在新增划痕的掩膜版。
可选的，本实施例中的掩膜版检查装置12可以为掩膜版宏观检查装置(MVK)。
其中，掩膜版检查装置12中存储有每个掩膜版上一次光配向时的历史划痕，在获取到UV2A露光装置11发送的待选掩膜版的标识后，对对应的待选掩膜版进行划痕检查，确定待选掩膜版中有新增划痕的掩膜版为目标掩膜版；可以想到的是，目标掩膜版的数量可以小于或者等于待选掩膜版的数量。
处理装置13，用于根据每个目标掩膜版的标识，获取每个目标掩膜版的划痕检查结果，并根据每个目标掩膜版的划痕检查结果，对每个目标掩膜版进行处理。
可选的，本实施例中的处理装置13为CIM处理装置。
本实施例中，掩膜版的划痕检查结果可以包括：掩膜版刮伤、掩膜版刮透；可选的，还可以根掩膜版刮伤、或者刮透的严重程度将掩膜版的划痕检查结果细分为掩膜版一级刮伤、掩膜版二级刮伤、掩膜版一级刮透或掩膜版一级刮透等。
其中，处理装置13根据获取到的每个目标掩膜版的标识，获取每个目标掩膜版的划痕检查结果。具体的，一种获取目标掩膜版的划痕检查结果的方式为：处理装置13显示目标掩膜版的标识，由操作人员对每个目标掩膜版进行划痕检查，并将每个目标掩膜版的划痕检查结果输入至处理装置13，进而使得处理装置13获取每个目标掩膜版的划痕检查结果。
另一种获取目标掩膜版的划痕检查结果的方式为：处理装置13中存储有掩膜版的划痕检查模板；具体的，包括掩膜版划伤模板和掩膜版划透模板，可选的，还可以根掩膜版刮伤、或者刮透的严重程度将掩膜版的划痕检查模板细分为掩膜版一级刮伤模板、掩膜版二级刮伤模板、掩膜版一级刮透模板或掩膜版一级刮透模板等。
当处理装置13获取每个目标掩膜版的标识后，根据该目标掩膜版的标识，以及，划痕检查模板获取每个目标掩膜版的划痕检查结果。
处理装置13在获取每个目标掩膜版的划痕检查结果后，可以根据每个目标掩膜版的划痕检查结果对每个目标掩膜版进行处理；本实施例中，可以根据目标掩膜版的刮伤、或者刮透的严重程度对掩膜版进行处理。示例性的，对目标掩膜版的刮伤、或者刮透的严重程度高的目标掩膜版进行废弃、禁用处理。
可选的，本实施例中为了提高对目标掩膜版的处理正确率，处理装置13还可以根据每个目标掩膜版的划痕检查结果，以及，每个目标掩膜版进行光配向后对应的多个基板的配向检查结果，对多个目标掩膜版进行处理。
示例性的，对目标掩膜版的刮伤、或者刮透的严重程度高，且光配向后的对应的多个基板的配向检查结果为配向不良的目标掩膜版进行废弃、禁用处理。
本实施例提供一种掩膜版的处理系统，该系统包括：紫外线垂直配向UV2A露光装置、掩膜版检查装置、处理装置；UV2A露光装置与掩膜版检查装置连接，掩膜版检查装置与处理装置连接；UV2A露光装置，用于获取待选掩膜版；掩膜版检查装置，用于对待选掩膜版进行检查，获取多个目标掩膜版；处理装置，获取每个目标掩膜版的划痕检查结果，并根据每个目标掩膜版的划痕检查结果，对每个目标掩膜版进行处理。
可选的，图3为本发明提供的掩膜版的处理系统的连接示意图二，如图3所示，本实施例中的掩膜版的处理系统10还包括：制程装置14。
其中，制程装置14与处理装置13连接。可选的，本实施例中的制程装置14可以为SL制程装置14。
本实施例中的制程装置14，用于对掩膜版的基板进行配向检查。具体的，制程装置14对基板进行配向检查的方式可以是：制程装置14获取基板对应的灰阶图像，对该灰阶图像进行检查，当该灰阶图像中存在源极-栅极(S-G)弱线时，确定基板中存在亮度不均匀的现象，即基板中存在Mura，即确定基板的配向不良；相应的，当基板的灰阶图像中不存在源极-栅极(S-G)弱线时，确定基板的亮度均匀，即基板中不存在Mura，即确定基板的配向良好。
处理装置13中存储有每个掩膜版对应的多个基板的标识，在处理装置13获取目标掩膜版的标识后，确定每个目标掩膜版对应的多个基板，控制制程装置14对每个目标掩膜版对应的多个基板进行配向检查。具体的，在制程装置14对每个目标掩膜版对应的多个基板进行配向检查后，还将配向检查结果发送给处理装置13。
对应的，处理装置13根据每个目标掩膜版的划痕检查结果，以及，每个目标掩膜版对应的多个基板的配向检查结果，对多个目标掩膜版进行处理。
下面对述目标掩膜版的划痕检查结果分为三种情况进行详细说明。
一、第一目标掩膜版的划痕检查结果为刮伤。
第一目标掩膜版为多个目标掩膜版中的任意一个目标掩膜版。当处理装置13获取的第一目标掩膜版的划痕检查结果属于刮伤时，控制制程装置14对第一目标掩膜版对应的N个第一基板进行配向检查，N为大于0的整数。再根据N个第一基板的配向检查结果，对第一目标掩膜版进行处理。
本实施例中，处理装置13可以控制制程装置14对第一目标掩膜版对应的20个第一基板进行配向检查。
具体的，处理装置13中设置于第一阈值，当N个第一基板的配向检查结果中配向不良的比例大于第一阈值时，确定该第一目标掩膜版报废，禁止使用第一目标掩膜版。可以想到的是，在N个第一基板的配向检查结果中配向不良的比例小于第一阈值时，确定第一目标掩膜版不影响光配向，能够起到很好的掩膜作用，可以继续使用。
本实施例中的基板的配向检查结果为配向不良，即基板对应的灰阶图像中存在源极-栅极(S-G)弱线，确定基板中存在亮度不均匀的现象，即基板中存在Mura，即确定基板的配向不良。
二、第二目标掩膜版的划痕检查结果属于第一类刮透。
第二目标掩膜版为多个目标掩膜版中的任意一个目标掩膜版。当处理装置13获取的第二目标掩膜版的划痕检查结果属于第一类刮透时，控制制程装置14对第二目标掩膜版对应的M个第二基板进行配向检查，M为大于0且小于N的整数，其中，第一类刮透为能够修复的刮透。
具体的，第二目标掩膜版的划痕检查结果属于第一类刮透时，由于刮透相较于刮伤，掩膜版上的划痕程度更为严重，因此对第二目标掩膜版对应的M个第二基板进行配向检查，M为大于0且小于N的整数；其中，本实施例中的可以控制制程装置14对第二目标掩膜版对应的5个第二基板进行配向检查。
相应的，处理装置13中设置于第一阈值，当M个第二基板的配向检查结果中配向不良的比例大于第一阈值时，确定该第二目标掩膜版报废，禁止使用第二目标掩膜版。
可选的，当第二基板的配向检查结果中配向不良的比例小于第一阈值时，其中，由于对第二基板进行配向检查的数量较少，为了避免在第二基板的配向检查结果中配向不良的比例小于第一阈值是偶然的情况，处理装置13控制制程装置14对第二目标掩膜版对应的X个第二基板进行配向检查，并获取X个第二基板的配向检查结果。
当X个第二基板的配向检查结果中配向不良的比例大于第一阈值时，禁止使用第二目标掩膜版，X为大于N的整数。其中，本实施例中的可以控制制程装置14对第二目标掩膜版对应的60个第二基板进行配向检查。可以想到的是，在X个第二基板的配向检查结果中配向不良的比例小于第一阈值时，确定第二目标掩膜版不影响光配向，能够起到很好的掩膜作用，可以继续使用。
三、第三目标掩膜版的划痕检查结果属于第二类刮透。
第三目标掩膜版为多个目标掩膜版中的任意一个目标掩膜版。当处理装置13获取的第三目标掩膜版的划痕检查结果属于第二类刮透时，不需要获取该第三目标掩膜版对应的多个第三基板的配向检查结果，因为第二类刮透为不能修复的刮透。
其中，处理装置13确定三目标掩膜版的划痕检查结果属于第二类刮透时，确定第三目标掩膜版报废，禁止使用第三目标掩膜版。
可选的，由于本实施例中的处理装置13还对应有每个掩膜版对应的多个基板的标识，在处理装置13获取了禁止使用的所有的目标掩膜版后，还能够获取禁止使用的所有的目标掩膜版对应的基板，禁止使用所有禁止使用的目标掩膜版对应的基板。
本实施例中，处理装置用于控制制程装置对每个目标掩膜版对应的多个基板进行配向检查；根据每个目标掩膜版的划痕检查结果，以及，每个目标掩膜版对应的多个基板的配向检查结果，对多个目标掩膜版进行处理。具体的，当目标掩膜版的划痕检查结果属于刮伤时、第一类刮透时，获取目标掩膜版对应的不同数量个基板的配向检查结果，当配向检查结果为不良时，禁止使用目标掩膜版；而当目标掩膜版的划痕检查结果属于第二类刮透时，禁止使用目标掩膜版。本实施例中根据目标掩膜版的划痕检查结果和每个目标掩膜版对应的多个基板的配向检查结果对多个目标掩膜版进行处理，可获取准确的处理结果，提高准确率。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种掩膜版的处理系统，其特征在于，包括：紫外线垂直配向UV2A露光装置、掩膜版检查装置、处理装置；
所述掩膜版检查装置分别与所述UV2A露光装置、所述处理装置连接；
所述UV2A露光装置，用于获取待选掩膜版，并将所述待选掩膜版的标识发送给所述掩膜版检查装置，所述待选掩膜版为第一距离大于距离阈值的掩膜版，所述第一距离为掩膜版与对应的基板之间的距离；
所述掩膜版检查装置，用于根据所述待选掩膜版的标识对所述待选掩膜版进行检查，获取多个目标掩膜版，并将多个所述目标掩膜版的标识发送给所述处理装置，所述目标掩膜版为所述待选掩膜版中存在新增划痕的掩膜版；
所述处理装置，用于根据每个所述目标掩膜版的标识，获取每个目标掩膜版的划痕检查结果，并根据每个所述目标掩膜版的划痕检查结果，对每个所述目标掩膜版进行处理。
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述系统还包括：制程装置，所述制程装置与所述处理装置连接；
所述处理装置，还用于控制所述制程装置对每个所述目标掩膜版对应的多个基板进行配向检查；
根据每个所述目标掩膜版的划痕检查结果，以及，每个所述目标掩膜版对应的多个基板的配向检查结果，对每个所述目标掩膜版进行处理。
3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述目标掩膜版包括第一目标掩膜版，
当第一目标掩膜版的划痕检查结果为刮伤时，所述处理装置，具体用于控制所述制程装置对第一目标掩膜版对应的N个第一基板进行配向检查，N为大于0的整数；
根据N个所述第一基板的配向检查结果，对所述第一目标掩膜版进行处理。
4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，
所述处理装置，具体用于当N个所述第一基板的配向检查结果中配向不良的比例大于第一阈值时，禁止使用所述第一目标掩膜版，所述配向不良为基板上显示有亮度不均的区域。
5.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述目标掩膜版包括第二目标掩膜版，
当第二目标掩膜版的划痕检查结果为第一类刮透时，所述处理装置，具体用于控制所述制程装置对第二目标掩膜版对应的M个第二基板进行配向检查，M为大于0且小于N的整数，所述第一类刮透为能够修复的刮透；
根据M个所述第二基板的配向检查结果，对所述第二目标掩膜版进行处理。
6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，
所述处理装置，具体用于当M个所述第二基板的配向检查结果中配向不良的比例大于第一阈值时，禁止使用所述第二目标掩膜版。
7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，
所述处理装置，具体用于当所述第二基板的配向检查结果中配向不良的比例小于所述第一阈值时，获取所述第二目标掩膜版对应的X个所述第二基板的配向检查结果，当X个所述第二基板的配向检查结果中配向不良的比例大于所述第一阈值时，禁止使用所述第二目标掩膜版，X为大于N的整数。
8.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，所述目标掩膜版包括第三目标掩膜版，
所述处理装置，具体用于当第三目标掩膜版的划痕检查结果为第二类刮透时，禁止使用所述第三目标掩膜版，所述第二类刮透为不能修复的刮透。
9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，
所述处理装置，还用于禁止使用所有禁止使用的目标掩膜版对应的基板。
10.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，
所述制程装置，用于当检测到所述目标掩膜版对应的基板的灰阶图像中存在源极-栅极弱线不良时，确定所述目标掩膜版的基板配向不良。
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