KR100744660B1 - 사진 공정 관리 시스템 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조 공정 중 사진 공정 진행시 포토마스크의 파티클 오염에 의한 패턴 불량을 사전에 방지할 수 있는 사진 공정 관리 시스템 및 그 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 포토마스크가 로딩되기 전에 상기 포토마스크 표면의 파티클 상태를 체크하는 사진 장비와, 상기 사진 장비로부터 전송된 파티클 정보 데이터를 수집하기 위한 장비 어플리케이션 서버와, 상기 장비 어플리케이션 서버부터 전송된 파티클 정보 메시지를 분석하여 생산실행시스템에 인터락을 요청하기 위한 공정 인터락 어플리케이션 서버를 구비하는 사진 공정 관리 시스템을 제공한다.
사진 공정, 파티클, 검출, 시스템, 펠리클, 글래스, 인터락

Description

사진 공정 관리 시스템 및 방법{SYSTEM AND METHOD FOR MANAGEMENT OF PHOTO PROCESSING}
도 1은 일반적인 사진 공정을 설명하기 위하여 도시한 개념도.
도 2는 종래의 펠리클(pellicle)과 글래스(glass)를 이용한 사진 공정을 설명하기 위하여 도시한 개념도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 사진 공정 관리 시스템을 설명하기 위한 개념도.
도 4는 장비 어플리케이션 서버의 사용자 인터페이스(interface) 화면을 나타낸 도면.
도 5는 공정 인터락 어플리케이션 서버에 저장되는 파티클 관련 정보를 도시한 도면.
도 6은 도 6은 공정 인터락 어플리케이션 서버의 사용자 인터페이스 화면을 나타낸 도면.
도 7은 공정 인터락 어플리케이션 서버의 파티클 모니터링(mornitoring)을 위한 사용자 인터페이스 화면을 나타낸 도면.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 사진 공정 관리 프로세스(process)를 도시 한 흐름도(flow chart).
도 9는 도 8의 'S30' 단계를 구체화하여 도시한 흐름도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
10 : 웨이퍼
20 : 레티클
25, 35 : 파티클
30 : 글래스
40 : 펠리클
50 : 사진 장비
60 : 장비 어플리케이션 서버
70 : 공정 인터락 어플리케이션 서버
본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 반도체 생산 라인 자동화 시스템에 관한 것이며, 더 자세히는 반도체 제조 공정 중 사진 공정 관리 시스템 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 현대 사회에서 과학 기술이 발전함에 따라 여러 전자 제품도 발 전을 거듭하고 있다. 특히, 반도체의 경우에는 하루가 다르게 발전하고 있으며, 초고집적 밀도를 갖는 반도체 소자의 개발은 전자 통신 산업 및 멀티 미디어 시대를 한층 더 발전시키고 있다. 이와 같이 초고집적 밀도를 갖는 반도체 소자는 회로 설계기술, 장비기술 및 공정기술이 함께 뒷받침된 현대 과학 기술의 집합체로 일컬어지고 있다.
반도체 소자의 제조공정은 크게 박막 증착 공정, 확산 공정, 식각 공정 및 사진 공정 등으로 분리된다. 이중, 사진 공정을 이용한 패턴(pattern) 형성기술은 대단히 중요한 기술로써 반도체 소자의 초고집적화의 견인차 역할을 하고 있다.
통상, 사진 공정이란 감광막(photoresist)을 웨이퍼(wafer) 상에 균일하게 도포(coating)하고, 스텝퍼(stepper)와 같은 노광 장비를 사용하여, 포토마스크(photomask)(흔히, 축소 노광용 포토마스크를 레티클이라 함) 상의 패턴을 축소 투영 노광시킨 후, 현상액을 이용한 현상과정을 거쳐 원하는 형상의 포토레지스트 패턴을 형성시키기까지의 모든 공정을 말한다.
이러한 사진 공정은 포토마스크에 결함(defect)이 발생하는 경우 곧바로 웨이퍼의 결함으로 이어져서 결국 반도체 소자의 생산성 저하와 같은 결과를 초래하게 된다. 이와 같이 포토마스크의 패턴은 웨이퍼 패턴의 원판이라 할 수 있는 바, 반도체 공정에서 사진 공정의 중요성은 더욱 중요하다 할 것이다.
도 1은 일반적인 사진 공정을 설명하기 위하여 도시한 개념도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일반적으로 사진 공정에서는 포토마스크로 레티클(reticle)(20)을 사용하고 있다. 그러나, 사진 공정을 진행하는 과정에서 사진 장비 오염과 같은 여러 가지 원인에 의해 레티클(20) 상에 파티클(particle)(25)과 같은 이물질이 형성되었다. 이러한 파티클(25)의 크기가 일정 정도(광원에 따라 다름) 이상 큰 경우, 웨이퍼(10) 상에 형성된 포토레지스트 패턴의 패턴 불량('A' 부위 참조)을 야기하게 된다.
이에 따라, 최근에는 파티클 오염 등으로부터 레티클(20, 또는 마스크)을 보호하기 위하여 도 2에 도시된 바와 같이 레티클(20)에 펠리클(pellicle, 40) 및 글래스(glass, 30)를 장착하는 기술이 각광받고 있다. 이처럼, 펠리클(40)을 레티클(20) 전면에 장착시키고 글래스(30)를 레티클(20)의 배면에 장착시키면, 노광 공정시 레티클(20) 표면의 파티클 오염을 방지할 수 있게 된다.
그러나, 도 2에 도시된 바와 같이 사진 공정시 레티클(20) 상면과 배면에 각각 펠리클(40) 및 글래스(30)를 장착시킨다 해도 펠리클(40) 및 글래스(30) 표면에도 파티클(35)이 생성되는 것을 방지할 수는 없다. 펠리클(40) 및 글래스(30) 표면에 생성된 파티클(35) 또한 포토레지스트 패턴(10) 형성을 위한 노광 공정시 패턴 불량('A' 부위 참조)을 유발하게 된다.
한편, 레티클 표면 또는 펠리클 및 글래스 표면의 파티클에 의해 패턴 불량(A)이 발생하면, 해당 웨이퍼를 폐기하거나 재작업을 수행해야 하며 오염된 레티클을 교체한 후 후속 웨이퍼에 대한 공정을 진행해야 한다.
그러나, 이와 같이 패턴 불량(A)이 발생된 이후에 비로소 레티클을 교체하는 사후 대체 방식은 생산성을 저하시키는 요인이 되며, 패턴 불량(A)이 제대로 검출되지 않는 경우 자칫 수율을 크게 저하시킬 수 있다.
따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 반도체 소자 제조 공정 중 사진 공정 진행시 포토마스크의 파티클 오염에 의한 패턴 불량을 사전에 방지할 수 있는 사진 공정 관리 시스템 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기에서 설명한 목적을 달성하기 위한 일측면에 따른 본 발명은, 포토마스크가 로딩되기 전에 상기 포토마스크 표면의 파티클 상태를 체크하는 사진 장비와, 상기 사진 장비로부터 전송된 파티클 정보 데이터를 수집하기 위한 장비 어플리케이션 서버와, 상기 장비 어플리케이션 서버부터 전송된 파티클 정보 메시지를 분석하여 생산실행시스템에 인터락을 요청하기 위한 공정 인터락 어플리케이션 서버를 구비하는 사진 공정 관리 시스템을 제공한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 다른 측면에 따른 본 발명은, 반도체 제조공정 중 사진 공정시 포토마스크를 사진 장비의 챔버 내부로 로딩하기 전 상기 포토마스크의 표면에 생성된 파티클을 검출하고, 검출된 해당 파티클의 위치와 크기를 포함하는 해당 파티클 정보 데이터를 생성하는 단계와, 상기 해당 파티클 정보 데이터를 장비 어플리케이션 서버를 통해 입력받아 수집하는 단계와, 상기 장비 어플리케이션 서버로부터 전송된 상기 해당 파티클 정보 메시지를 공정 인터락 어플리케이션 서버를 통해 입력받아 파티클의 크기에 따라 인터락 발생 여부를 결정하 는 단계를 포함하는 사진 공정 관리 방법을 제공한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 또다른 측면에 따른 본 발명은, 포토마스크의 표면에 생성된 파티클 정보를 입력받아 해당 파티클의 크기가 관리자에 의해 설정된 검출 기준값보다 큰지를 비교하는 단계와, 상기 해당 파티클의 크기가 상기 검출 기준값보다 큰 경우 상기 해당 파티클의 위치가 기 저장된 파티클과 동일 위치인지를 판단하는 단계와, 상기 해당 파티클과 상기 기 저장된 파티클이 동일 위치에 존재하는 경우 상기 해당 파티클과 상기 기 저장된 파티클의 위치에 해당하는 기 저장 파티클 크기를 비교하는 단계와, 상기 비교 결과 상기 해당 파티클의 크기가 상기 기 저장 파티클의 크기 보다 크면 인터락 온을 결정하고, 상기 해당 파티클의 크기가 상기 기 저장 파티클의 크기보다 작으면 인터락 오프를 결정하는 단계를 포함하는 사진 공정 관리 방법을 제공한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 또다른 측면에 따른 본 발명은, 사진 공정 관리 시스템에, 포토마스크의 표면에 생성된 파티클 정보를 입력받아 해당 파티클의 크기가 관리자에 의해 설정된 검출 기준값보다 큰지를 비교하는 기능과, 상기 해당 파티클의 크기가 상기 검출 기준값보다 큰 경우 상기 해당 파티클의 위치가 기 저장된 파티클과 동일 위치인지를 판단하는 기능과, 상기 해당 파티클과 상기 기 저장된 파티클이 동일 위치에 존재하는 경우 상기 해당 파티클과 상기 기 저장된 파티클의 위치에 해당하는 기 저장 파티클 크기를 비교하는 기능과, 상기 비교 결과 상기 해당 파티클의 크기가 상기 기 저장 파티클의 크기 보다 크면 인터락 온을 결정하고, 상기 해당 파티클의 크기가 상기 기 저장 파티클의 크기보다 작으면 인터락 오프를 결정하는 기능을 실현시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체를 제공한다.
통상, 포토마스크의 파티클 오염에 의한 패턴 불량 발생을 방지하기 위해서는 포토마스크가 로딩(loading)되어 노광 공정이 진행되기 전에 포토마스크 표면의 파티클 오염 상태를 체크하는 과정이 필요하다. 본 발명에서는 사진 장비에서 포토마스크 표면의 파티클 오염 상태를 체크하는 과정을 추가하고, 사진 장비로부터 파티클 정보 데이터를 수집하기 위한 장비 어플리케이션 서버와, 장비 어플리케이션 서버로부터 전송된 파티클 정보 메시지를 분석하여 생산실행시스템(MES)에 인터락 정보를 제공하기 위한 공정 인터락 어플리케이션 서버로 이루어진 사진 공정 관리 시스템을 구축하였다. 한편, 본 발명에서는 장비 어플리케이션 서버로부터 전송된 파티클 정보 메시지를 분석하여 인터락 여부를 결정하기 위한 최적의 프로세스를 제안한다. 따라서, 본 발명에 따르면 노광 공정을 진행하기 이전에 해당 포토마스크(펠리클 및 글래스 장착시 포함)의 파티클 오염 상태를 체크할 수 있어 포토마스크의 파티클 오염에 의한 패턴 불량을 근본적으로 방지할 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호는 표시된 부분은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
실시예
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 사진 공정 관리 시스템을 설명하기 위한 개념도이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 사진 공정 관리 시스템은 사진 공정시 레티클을 챔버 내부로 로딩하기 전 펠리클 및 글래스의 표면에 생성된 파티클을 검출하여 파티클 정보(파티클 크기 및 파티클 위치) 데이터를 생성하는 사진 장비(50)와, 사진 장비(50)로부터 전송된 파티클 정보 데이터를 입력받아 수집하는 장비 어플리케이션 서버(60), 예컨대 EAP(Equipment Application Processor)와, 장비 어플리케이션 서버(60)로부터 전송되는 파티클 정보 메시지를 분석하여 생산실행시스템(MES, Manufacturing Execute System)에 인터락 정보를 제공하기 위한 공정 인터락 어플리케이션 서버(70), 예컨대 HiILS(Hynix InterLock System)를 구비한다.
사진 장비(50)는 일련의 공정을 수행하기 위한 노광 및 현상부를 기본적으로 구비하고, 레티클의 전면과 배면에 각각 장착된 펠리클 및 글래스의 표면에 생성된 파티클의 위치 및 크기 정보 데이터를 생성하기 위한 파티클 검출부와, 파티클 검출부에서 생성된 파티클 정보 데이터를 장비 어플리케이션 서버(60)에 전달하기 위한 전송부를 구비한다.
도 4는 장비 어플리케이션 서버(60)의 사용자 인터페이스(interface) 화면을 나타낸 도면이다. 도 4를 참조하면, 사진 장비(50)로부터 전송받은 파티클 정보 데이터에는 레티클 아이디(Reticle ID), 레티클에 장착된 글래스(또는 펠리클) 표면의 파티클(Particle) 개수, 파티클의 위치(Site)값 및 파티클의 크기(Size)값 등이 포함되어 있음을 알 수 있다. 바람직하게, 파티클의 위치는 도 4에서와 같이 서로 수직으로 교차하는 X 좌표 및 Y 좌표로 구분되어 표시된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 파티클 정보 데이터는 장비 어플리케이션 서버(60)로부터 전송되는데, 사진 장비(50)와 장비 어플리케이션 서버(60) 간의 통신은 SECS(SEMI Equipment Communications Standard) 프로토콜(protocol)을 이용하여 이루어지는 것이 바람직하다.
한편, 공정 인터락 어플리케이션 서버(70)는 장비 어플리케이션 서버(60)로부터 전송받은 파티클 정보 메시지를 분석해서 펠리클 및 글래스의 표면에 잔류하는 파티클에 관한 관련정보를 저장한다. 저장되는 정보는 도 5에 도시된 바와 같이, 장비 아이디(Eqp ID), 레티클 아이디(Reticle ID), 장비 이름(Category) 및 파티클 정보의 전송 프로토콜(Particles)을 저장한다.
그리고, 공정 인터락 어플리케이션 서버(70)는 파티클 정보를 분석하여 관리자가 미리 설정한 크기를 벗어나 결함을 유발할 만한 파티클이 존재하는지를 판단한 후, 상기 결함을 유발할 만한 크기의 파티클이 존재하는 경우에는 생산실행시스템(MES, Manufacturing Execute System)에 해당 웨이퍼에 대한 사진 공정의 인터락(interlock)을 요청한다. 즉, 공정 인터락 어플리케이션 서버(70)는 결함을 유발한 만한 크기의 파티클이 존재하는 경우 인터락 온을 결정하고, 결함을 유발할 만한 크기의 파티클이 아니면 인터락 오프를 결정하여 생산실행시스템에 알리는 것이다.
도 6은 공정 인터락 어플리케이션 서버(70)의 사용자 인터페이스 화면을 나 타낸 도면으로서, 공정 인터락 어플리케이션 서버(70)로부터 MES(미도시)에 전달되는 메시지는 장비 아이디(Eqp ID), 레티클 아이디(Reticle ID), 인터락 요청 여부(Interlock result), 펠리클 및 글래스 표면의 파티클 갯수(Pellicle, Glass), 파티클 위치의 신규 여부(Shift=Y/N) 등이 포함된다.
한편, 도 7은 공정 인터락 어플리케이션 서버(70)의 파티클 모니터링(mornitoring)을 위한 사용자 인터페이스 화면을 나타낸 것으로, 본 발명을 통해서 파티클의 정보(위치 및 크기)를 실시간적으로 모니터링할 수 있음을 알 수 있다.
이하, 도 8을 결부시켜 본 발명의 실시예에 따른 사진 공정 관리 방법을 설명하기로 한다. 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 사진 공정 관리 프로세스(process)를 도시한 흐름도(flow chart)이다.
도 3 내지 도 8을 참조하면, 장비 어플리케이션 서버(60)는 사진 장비(50)로부터 전송되는 펠리클 및 글래스 표면의 파티클 정보 데이터를 실시간으로 입력받아 공정 인터락 어플리케이션 서버(70)로 전송한다(S10).
이후, 공정 인터락 어플리케이션 서버(70)는 장비 어플리케이션 서버(60)로부터 전송된 파티클 정보 메시지를 수집한다(S20). 이때, 공정 인터락 어플리케이션 서버(70)는 현재 장비 어플리케이션 서버(60)로부터 전송된 펠리클 및 글래스 표면에 존재하여 사진 장비(50)로부터 검출된 파티클 정보, 즉 파티클의 크기 및 위치 값을 입력받아 수집한다. 여기서, 파티클의 위치는 서로 수직으로 교차하는 X 좌표 및 Y 좌표로 구분되어 표시된다.
이어서, 공정 인터락 어플리케이션 서버(70)는 수집된 해당 파티클의 크기에 따라 인터락 발생 여부(인터락 온/오프, interlock on/off)를 결정하여 생산실행시스템(MES)로 알리게 된다(S30).
특히, 공정 인터락 어플리케이션 서버(70)는 인터락 발생 여부를 결정하기 위한 프로그램을 구동시키는 장비로써, 공정 인터락 어플리케이션 서버(70)에서 인터락 발생 여부를 결정하기 위한 프로세스는 본 발명에 있어 가장 중요한 프로세스라 할 것이다.
도 9는 이러한 공정 인터락 어플리케이션 서버(70)를 통해 진행되는 프로세스, 즉 도 8의 'S30' 단계를 구체화하여 도시한 흐름도이다.
도 9를 참조하면, 먼저 검출된 해당 파티클의 크기가 관리자(엔지니어)가 초기에 설정해 놓은 임의의 제1 설정값, 즉 검출 기준 파티클 크기 이상인지를 비교한다(S31). 예컨대, 현재 검출된 해당 파티클의 크기가 포토레지스트 패턴 형성시 결함을 유발하지 않을 최소의 파티클 크기 이상인지를 판단하는 것이다.
만약, 단계 'S31'에서 해당 파티클의 크기가 검출 기준 파티클 크기 이상인 경우에는 다시 해당 파티클이 이전에 공정 인터락 어플리케이션 서버(70)에 미리 저장되어 있던 기 저장된 파티클의 위치와 동일한 위치에 존재하는지를 비교한다(S32). 즉, 해당 파티클이 이전에 공정 인터락 어플리케이션 서버(70)에 기 저장된 파티클 중 어느 하나에 해당하는지를 판단한다. 이러한 단계는 해당 파티클이 기 저장된 파티클이 성장되어 형성된 파티클인지, 아니면 기 저장된 파티클과 전혀 무관하여 새롭게 생성된 파티클인지를 판단하기 위함이다.
반면, 단계 'S31'에서 해당 파티클의 크기가 검출 기준 파티클의 크기보다 작은 경우에는 파티클 검출을 위한 인터락을 오프(off)시킨다(S35). 이는, 해당 파티클의 크기가 포토레지스트 패턴 형성시 결함을 유발하지 않는 최소의 파티클 크기보다 작은 경우로서, 이 경우에는 사진 공정시 포토레지스트 패턴 불량을 유발할 염려가 없으므로 더 이상 파티클 검출을 위한 인터락을 수행할 필요가 없기 때문이다.
이어서, 단계 'S32'에서 해당 파티클과 기 저장된 파티클의 위치가 동일하여 해당 파티클이 다수의 기 저장된 파티클 중 어느 하나인 것으로 판단되는 경우 즉, 해당 파티클이 새로운 파티클이 아니라 어느 하나의 기 저장된 파티클이 성장되어 형성된 파티클인 경우에는 해당 파티클의 크기가 기 저장된 파티클의 크기보다 증가했는지를 비교한다(S33).
이어서, 단계 'S33'에서 해당 파티클의 크기가 기 저장된 파티클의 크기보다 작은 경우에는 인터락을 오프시킨다(S35). 반면, 해당 파티클의 크기가 기 저장된 파티클의 크기 이상인 경우에는 인터락을 온(on)시킨다(S34). 단계 'S33'에서 인터락이 발생(온)하는 경우 공정 인터락 어플리케이션 서버(70)는 인터락 발생 여부와 펠리클 및 글래스에 존재하는 파티클 정보(파티클 개수 포함)를 MES로 전송하여 MES에서 실제 사진 공정 관리 시스템의 인터락을 가동시키도록 함과 동시에 관리자(엔지니어)에게 파티클 정보를 전송하게 된다.
한편, 단계 'S32'에서 해당 파티클의 위치와 기 저장된 파티클의 위치가 서로 일치하지 않는 경우 즉, 해당 파티클이 기 저장된 파티클이 발생된 위치에서 발 생한 것이 아니라 새로운 위치에서 발생된 새로운 파티클이라 판단된 경우에는 새로운 파티클을 인식하기 위하여 파티클의 개수를 파악하는 동작, 즉 파티클 개수를 카운팅(counting)하는 동작을 실시한다(S37).
이어서, 도면에 도시하진 않았지만, 해당 파티클의 크기와 위치를 정확하게 재측정하는 검증작업을 수행할 수 있다. 이는, 해당 파티클의 크기와 위치가 정확한지를 한번 더 확인하기 위한 단계로서, 요청을 통해 사진 장비(50)로부터 제공받거나, 미리 사진 장비(50)로부터 해당 파티클 정보를 두 번 전송받는 방법으로 제공받을 수도 있다.
특히, 이러한 검증작업은 사진 장비로부터 바로 전송된 파티클의 정보, 예컨대 파티클의 위치 정보에 오류가 있을 수 있음을 감안하여 추가적으로 실시하는 단계로써, 이러한 검증작업을 진행한 후에는 재측정된 해당 파티클의 크기가 해당 파티클과 동일 위치에 존재하던 기 저장된 파티클보다 큰 경우에는 인터락을 온시키고, 해당 파티클의 크기가 해당 파티클과 동일 위치에 존재하던 기 저장된 파티클보다 작은 경우에는 인터락을 오프시킬 수 있다.
이어서, 해당 파티클의 크기가 관리자에 의해 설정된 제2 설정값, 즉 허용 임계치수의 파티클 크기 이상인지를 비교한다(S38). 여기서, 허용 임계치수의 파티클 크기는 해당 파티클이 포토레지스트 패턴 형성시 결함을 유발할 수 있는 크기인지를 판단할 수 있도록 검출 기준 파티클 크기보다 큰 것이 바람직하다.
이때, 해당 파티클의 크기가 어용 임계치수의 파티클 크기 이상이 되는 경우에는 파티클 검출을 위해 인터락을 온시키고(S34), 해당 파티클의 크기가 허용 임 계치수의 파티클 크기보다 작은 경우에는 파티클 검출을 위한 인터락을 오프시킨다(S35).
참고로, 이러한 일련의 공정 인터락 어플리케이션 서버(70)에서 진행되는 프로세스는 글래스 표면의 파티클과 펠리클 표면의 파티클 검출을 위해 각각 별도로 진행된다.
이를 통해, 사진 공정시 패턴 불량을 야기할 만한 크기의 파티클이 있는 경우 웨이퍼 로딩 전에 시스템을 인터락함과 동시에, 파티클 정보, 예컨대 파티클의 위치 및 크기를 관리자에게 실시간으로 알림으로써, 사진 공정시 파티클로 인한 패턴 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 포토마스크가 로딩(loading)되어 노광 공정이 진행되기 전에 포토마스크 표면의 파티클 오염 상태를 체크하여 문제가 될 만한 크기의 파티클 검출시 생산실행시스템을 통해 사진 공정을 인터락함으로써, 사진 공정시 파티클로 인한 패턴 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
나아가서는, 반도체 소자의 제조 공정시 공정 사고를 최소화하여 반도체 소 자의 수율을 최대화할 수 있다.

Claims (23)

  1. 포토마스크가 로딩되기 전에 상기 포토마스크 표면의 파티클 상태를 체크하는 사진 장비;
    상기 사진 장비로부터 전송된 파티클 정보 데이터를 수집하기 위한 장비 어플리케이션 서버; 및
    상기 장비 어플리케이션 서버부터 전송된 파티클 정보 메시지를 분석하여 생산실행시스템에 인터락을 요청하기 위한 공정 인터락 어플리케이션 서버
    를 구비하는 사진 공정 관리 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 포토마스크는 레티클인 것을 특징으로 하는 사진 공정 관리 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 포토마스크는 그 전면 및 배면에 펠리클 및 글래스를 장착한 레티클인 것을 특징으로 하는 사진 공정 관리 시스템.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 파티클 정보 데이터는 검출된 파티클의 위치값과 크기값을 포함하는 것을 특징으로 하는 사진 공정 관리 시스템.
  5. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 사진 장비는,
    상기 사진 공정을 수행하기 위한 노광 및 현상부;
    상기 레티클의 표면에 생성된 상기 파티클의 위치 및 크기 정보 데이터를 생성하기 위한 파티클 검출부; 및
    상기 파티클 검출부에서 생성된 파티클 정보 데이터를 상기 장비 어플리케이션 서버로 전송하기 위한 전송부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 사진 공정 관리 시스템.
  6. 반도체 제조공정 중 사진 공정시 포토마스크를 사진 장비의 챔버 내부로 로딩하기 전 상기 포토마스크의 표면에 생성된 파티클을 검출하고, 검출된 해당 파티클의 위치와 크기를 포함하는 해당 파티클 정보 데이터를 생성하는 단계;
    상기 해당 파티클 정보 데이터를 장비 어플리케이션 서버를 통해 입력받아 수집하는 단계; 및
    상기 장비 어플리케이션 서버로부터 전송된 상기 해당 파티클 정보 메시지를 공정 인터락 어플리케이션 서버를 통해 입력받아 파티클의 크기에 따라 인터락 발생 여부를 결정하는 단계
    를 포함하는 사진 공정 관리 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 포토마스크는 그 전면 및 배면에 펠리클 및 글래스를 장착한 레티클인 것을 특징으로 하는 사진 공정 관리 방법.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 인터락 발생 여부를 결정하는 단계는,
    상기 해당 파티클의 크기와 관리자에 의해 미리 설정된 설정값과 비교하여 상기 해당 파티클의 크기가 상기 설정값보다 크면 생산실행시스템에 인터락을 요청하는 것을 특징으로 하는 사진 공정 관리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 인터락 발생 여부를 결정하는 단계는,
    상기 해당 파티클의 크기와 관리자에 의해 초기 설정된 검출 기준값을 비교하는 단계;
    상기 비교 결과 상기 해당 파티클이 상기 검출 기준값보다 크면 상기 해당 파티클의 위치와 상기 사진 장비로부터 전송되어 상기 공정 인터락 어플리케이션 서버에 미리 저장되어 있던 기 저장 파티클의 위치를 비교하여 이들이 동일 위치에서 발생된 것인지를 판단하는 단계; 및
    상기 판단 결과 상기 해당 파티클이 상기 기 저장 파티클과 동일 위치에서 발생된 것으로 판단되면, 상기 해당 파티클의 크기와 상기 기 저장 파티클의 크기를 비교하여 상기 해당 파티클의 크기가 상기 기 저장 파티클의 크기보다 크면 인터락 온을 결정하는 단계
    를 포함하는 사진 공정 관리 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 해당 파티클의 크기가 상기 기 저장 파티클의 크기보다 작으면 인터락 오프를 결정하는 것을 특징으로 하는 사진 공정 관리 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 해당 파티클이 상기 기 저장 파티클과 동일 위치에서 발생된 것이 아닌 것으로 판단되면,
    상기 해당 파티클을 새로운 파티클로 판단하여 총 파티클의 개수를 카운팅하는 단계;
    상기 해당 파티클의 크기와 관리자에 의해 설정된 허용 임계치수값과 비교하는 단계; 및
    상기 해당 파티클의 크기가 상기 허용 임계치수값보다 크면 인터락 온을 결정하는 단계
    를 더 포함하는 사진 공정 관리 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 해당 파티클의 크기가 상기 허용 임계치수값보다 작으면 인터락 오프를 결정하는 단계를 더 포함하는 사진 공정 관리 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 허용 임계치수값은 상기 검출 기준값보다 큰 것을 특징으로 하는 사진 공정 관리 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 해당 파티클의 크기와 허용 임계치수값을 비교한 후,
    상기 비교 결과, 상기 해당 파티클의 크기가 상기 허용 임계치수값보다 크면 상기 사진 장비를 통해 상기 해당 파티클의 크기 및 위치를 재측정하는 단계; 및
    상기 사진 장비를 통해 재측정된 상기 해당 파티클 정보를 입력받고, 상기 공정 인터락 어플리케이션 서버 내에 기 저장된 파티클 중 재측정된 상기 해당 파티클의 위치 내에 존재하는 기 저장 파티클을 검출하여, 재측정된 상기 해당 파티클의 크기와 검출된 상기 기 저장 파티클의 크기를 비교하여 재측정된 상기 해당 파티클의 크기가 검출된 상기 기 저장 파티클의 크기보다 크면 인터락 온을 결정하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 사진 공정 관리 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 재측정된 해당 파티클의 크기가 상기 검출된 기 저장 파티클의 크기보다 작으면 인터락 오프를 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 사진 공정 관리 방법.
  16. 포토마스크의 표면에 생성된 파티클 정보를 입력받아 해당 파티클의 크기가 관리자에 의해 설정된 검출 기준값보다 큰지를 비교하는 단계;
    상기 해당 파티클의 크기가 상기 검출 기준값보다 큰 경우 상기 해당 파티클의 위치가 기 저장된 파티클과 동일 위치인지를 판단하는 단계;
    상기 해당 파티클과 상기 기 저장된 파티클이 동일 위치에 존재하는 경우 상기 해당 파티클과 상기 기 저장된 파티클의 위치에 해당하는 기 저장 파티클 크기를 비교하는 단계; 및
    상기 비교 결과 상기 해당 파티클의 크기가 상기 기 저장 파티클의 크기 보다 크면 인터락 온을 결정하고, 상기 해당 파티클의 크기가 상기 기 저장 파티클의 크기보다 작으면 인터락 오프를 결정하는 단계
    를 포함하는 사진 공정 관리 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 포토마스크는 그 전면 및 배면에 펠리클 및 글래스를 장착한 레티클인 것을 특징으로 하는 사진 공정 관리 방법.
  18. 제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,
    상기 해당 파티클의 크기가 상기 검출 기준값보다 작은 경우 인터락 오프를 결정하는 단계를 더 포함하는 사진 공정 관리 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 허용 임계치수값은 상기 검출 기준값보다 큰 것을 특징으로 하는 사진 공정 관리 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 해당 파티클이 상기 기 저장 파티클과 동일 위치에서 발생된 것이 아닌 것으로 판단되면,
    상기 해당 파티클을 새로운 파티클로 판단하여 총 파티클의 개수를 카운팅하는 단계;
    상기 해당 파티클의 크기와 관리자에 의해 설정된 허용 임계치수값과 비교하는 단계; 및
    상기 해당 파티클의 크기가 상기 허용 임계치수값보다 크면 인터락 온을 결정하는 단계
    를 더 포함하는 사진 공정 관리 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 해당 파티클의 크기와 허용 임계치수값을 비교한 후,
    상기 비교 결과, 상기 해당 파티클의 크기가 상기 허용 임계치수값보다 큰 경우 상기 사진 장비를 통해 상기 해당 파티클의 크기 및 위치를 재측정하는 단계; 및
    상기 사진 장비를 통해 재측정된 상기 해당 파티클 정보를 입력받고, 상기 공정 인터락 어플리케이션 서버 내에 기 저장된 파티클 중 재측정된 해당 파티클의 위치 내에 존재하는 기 저장 파티클을 검출하여, 재측정된 해당 파티클의 크기와 검출된 상기 기 저장 파티클의 크기를 비교하여 재측정된 해당 파티클의 크기가 상기 검출된 기 저장 파티클의 크기보다 크면 인터락 온을 결정하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 사진 공정 관리 방법.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 재측정된 해당 파티클의 크기가 상기 기 저장 파티클의 크기보다 작으면 인터락 오프를 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 사진 공정 관리 방법.
  23. 사진 공정 관리 시스템에,
    포토마스크의 표면에 생성된 파티클 정보를 입력받아 해당 파티클의 크기가 관리자에 의해 설정된 검출 기준값보다 큰지를 비교하는 기능;
    상기 해당 파티클의 크기가 상기 검출 기준값보다 큰 경우 상기 해당 파티클의 위치가 기 저장된 파티클과 동일 위치인지를 판단하는 기능;
    상기 해당 파티클과 상기 기 저장된 파티클이 동일 위치에 존재하는 경우 상기 해당 파티클과 상기 기 저장된 파티클의 위치에 해당하는 기 저장 파티클 크기를 비교하는 기능; 및
    상기 비교 결과 상기 해당 파티클의 크기가 상기 기 저장 파티클의 크기 보다 크면 인터락 온을 결정하고, 상기 해당 파티클의 크기가 상기 기 저장 파티클의 크기보다 작으면 인터락 오프를 결정하는 기능
    을 실현시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003295414A (ja) 2002-03-29 2003-10-15 Toshiba Corp マスク検査サポートシステム及び方法並びにマスク検査システム及び方法
KR20050077869A (ko) * 2004-01-28 2005-08-04 홍운식 효율적인 웨이퍼 노광상태 감시시스템 및 그 제어방법
JP2006084786A (ja) 2004-09-16 2006-03-30 Hoya Corp マスクブランク提供システム、マスクブランク提供方法、マスクブランク用透明基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法
KR20060060265A (ko) * 2004-11-30 2006-06-05 얼라이드 인터그레이티드 패터닝 코포레이션 마스크 결함 검사 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003295414A (ja) 2002-03-29 2003-10-15 Toshiba Corp マスク検査サポートシステム及び方法並びにマスク検査システム及び方法
KR20050077869A (ko) * 2004-01-28 2005-08-04 홍운식 효율적인 웨이퍼 노광상태 감시시스템 및 그 제어방법
JP2006084786A (ja) 2004-09-16 2006-03-30 Hoya Corp マスクブランク提供システム、マスクブランク提供方法、マスクブランク用透明基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法
KR20060060265A (ko) * 2004-11-30 2006-06-05 얼라이드 인터그레이티드 패터닝 코포레이션 마스크 결함 검사 방법

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