TWI275123B - Substrate treatment method and substrate treatment apparatus - Google Patents

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1275123 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於利用基板保持旋轉機構保持基板使其旋 轉，同時對該基板供給包含水之液體之基板處理方法及基 板處理裝置。 1 【先前技術】 半導體裝置或液晶顯示裝置之製造步驟所使用之基板 •處理裝置包含有i次處理i片基板之葉片型者。該葉片型 -之基板處理裝置例如包含有：自轉夾嘴，用來保持基板使 f旋轉；藥液噴嘴，用來對被該自轉夾嘴保持之基板供給 藥液；和純水喷嘴，用來對上述自轉夹嘴保持之基板供: = (deiQnized water)。利用此種構造進行：藥液處理 -邊使自轉㈣旋轉，—邊對基板供給藥液；沖洗 停止藥液之供給，一邊使自轉夾嘴旋轉

^給純水，用來沖洗其表面之藥液；和乾燥步驟，停I •純屯：之供給’使自轉央嘴以高速旋轉，用來甩去基板上之 但是，在沖洗步驟，由 空氣之摩擦會引起產生帶 不良。 於基板和純水之摩擦、或純水與 電，形成在基板上之裝置會引起 所錢碳酸氣體（二氧化碳）溶解在該沖洗步驟 斤使用之純水’错以減少基板之帶電量之失日，驟 專利特開平9-1 093號公報）。 > α日本 但疋’市場上要求基板之帶電量要更進一步地減少，利 32轉利說明書(補件娜韻州观乃 6 1275123 用使碳酸氣體溶解之純水（碳 滿足市場之要求。 【發明内容】 酸水）之沖洗步驟已經不能 2明之基板處理方法包含有：水供給步驟，在利用基 凝轉機構將基板保持為大致水平和使其以第"走 失速度㈣之狀態之下，對上述基板供給包含水之㈣. ::=Γ在該水供給步驟之後，在利用上述基讓 疋轉枝構將上述基㈣持為大致水平，和使其以比上述第 二轉?度低速之第2旋轉速度進行旋轉，或使基板停止 Γ:’%之下’在上述基板之表面保持指定之液體之液 ，’和對該液膜進行指㈣間之不供給液體之拌擾處理， 用來對上述基板進行除電。 φ當對旋轉狀態之基板供給含水液體時，水和基板之間之 摩擦成為產生帶電之主要原因。因此，在本發明中， 供給步驟將基板保持成為大致水平和使其以第1旋轉速 度進行旋轉，同時將包含有水之液體供給到該基板，然後 進仃對基板除電之除電步驟。在該除電步驟，使基板以比 水供給步驟之旋轉速度低速之第2旋轉速度進行旋轉 使其方疋轉停止。在此種狀態’在基板之表面保持指定之 體之液膜，進行所謂之拌攪（puddle)處理。這時，不對液 膜進行液體之供給。 / 326\專利說明書(補件)\95-〇3\94139575 7 1275123 利用此種方式，在基板和其表面 ^ 不會產生相對移動之狀態， 冓成液膜之液體大致 單位時間之從基板放電之放：旦不會進行帶電。亦即，每 之帶電量’所以可以進行基板二：= 位時間之基板 作用並不明確，但是推定主 :电。攸基板放電之機械 空中放電之放電機械作用。疋、、'里由基板表面之液膜朝向 上述「包含水之液體」，除 所謂機能水之液體。機能水可以7 ’亦可以使用包含 \ ^ ^ τ 1史用石反酸水、齑皮f 氧;1 和電解水等之令之至少1種作為實例 卜理之指定時間較好為3秒以上，更好為 板^進—Λ用此财式，可以對在水供給步驟帶電之基 扳，進仃充分之除電。 包 < 丞 片之 上述基板保持旋轉機構亦可以使用目轉夹嘴，將 基板保持纽水平，和圍繞錯直歸進行旋轉„ 上述指定之液體亦可以使用包含水之液體。在此種情 )況’在除電步驟亦可以使用與在水供給步驟供給到基板之 =體同種之液體。利用此種方式，可以以簡單之 基板之除電。 Λ 更具體者，上述水供給步驟亦可以包含從水供給喷嘴對 上述基板供給包含水之液體之步驟。在此種情況，在上述 水供給步驟後’上述除電步驟前，最好更包含之步驟是使 j述基板之旋轉速度從上述第1旋轉速度減速成為上述 第2旋轉速度’或使基板停止旋轉，和停止從上述水供給 喷嘴供給液體。 326\專利說明書(補件)\95-〇3\94139575 8 1275123 、、只上逃指定之液體亦可以使用有機溶劑。在此種情 产況用純水或碳酸水用在_處理用之液膜形成之 二’ 乂時，可以獲得更高之除電效果。其理由並不明 ’疋是因為有機溶劑具有揮發性，液膜和周圍之空氣 之二Ξ觸面積實質上地變大，從基板經由液膜朝向空中 之放笔有效地進行。 上=有機溶劑之實例可以使用異丙醇（ιρα)、乙醇 酉同、偏異丁酮（ΜΙΒΚ)。 丙 含給步驟包含從水供給喷嘴對上述基板供給包 時，/之步驟之情況’當在除電步驟使用有機溶劑 .土述水供給步驟後’上述除電步驟前最好包含之步 將古u上述水供給喷嘴供給液體；從有機溶劑噴嘴 =亀給到上述基板之表面;使上述基板之= Π述第1旋轉速度減速成為上述第2旋轉速度，或使 ;有=:轉;和停止從上述有機溶劑喷嘴對如 板之表面，用來將基板 ’使基板之旋轉速度從第！旋轉速度減 =為弟2旋轉速度，或使基板停止旋轉，和停止從有機 ^胺寶嘴對基板供給有機溶劑時，在基板之表面形成和保 夺液膜，和成為不對該液膜供給液體之狀態。如此一來， 、以形成在基板表面之有機溶劑之液膜，可以達成從基板 326\專利說明書(補件)\95-03\94139575 9 1275123 =电° w ’ ϋ為構成液膜之有機溶劑和基板之間大多不 二f，相對：動’所以成為每單位時間之放電量大於由於 手祭、生之帶電量之狀態，可以有效地進行基板之除電。 • 上述方法最好在上述除電步驟之後更包含有乾燥| 利用上述基板保持旋轉機構以比上述第1旋轉速产言 逮之弟3旋轉速度使基板旋轉，用來甩開基板表面之液。 i用此種方式，在除電步驟之後，利用離心力將基板表面 •之液㈣，可μ來使基板乾燥。 -本發明之基板處理裝置包含有··基板保持旋轉機構，用 j將基板保持成為大致水平和使其旋轉；水供給噴嘴，用 來將包含水之液體供給到該基板保持旋轉機構所保持之 基板:、和控制單位，用來控制上述基板保持旋轉機構，在 2上述基板以第1旋轉速度旋轉之狀態下實行水供給步 ，驟，從上述水供給噴嘴對基板供給包含水之液體，在；ς 供給步驟之後實行除電步驟，控制上述基板保持旋轉機 鲁構，在使上述基板以比上述第丨旋轉速度低速之第2旋轉 逮度進行旋轉，或是使基板停止旋轉之狀態下在上述基板 之表面保持指定之液體之液膜，和對該液膜進行指定時間 •之不供給液體之拌攪處理，用來對上述基板進行除電。 ^利用此種構造，在利用包含水之液體對基板進行處理之 後在基板之表面保持液膜，和實行不對該液膜進行 之供給之拌攪處理。 丑 本發明之上述或其他之目的，特徵和效果經由參照附圖 之下面所述之實施形態之說明當可明白。 326\專利說明書(補件)\95·〇3\94139575 1275123 【實施方式】 圖1是圖解圖，用來說明本發 處理裝置之椹i止。知月之乐1貫施形態之基板 1 线板處理裝置是葉片型之裝置，用來 -人處理1片之半導體晶圓等之基 > … 大致圓形之基板）W。該基板處理裝 Λ :恶中為 作為基板保持旋轉機構，用來將基板; 旋轉；旋轉驅動機構2，用來對 ;:: :力h夜貧备3’用來對被自轉夾嘴 板W，供給藥液；和純 ”力疋轉之基 轉夾嘴，嘴备（水^、給賀嘴）4，對同該自 轉火鳥保持和凝轉之基板W，供給純水。 η〗具備有：旋轉軸6,配置成為大 =吸i= 結合到該旋轉軸6之上端;利ΐ /、 者用來及著基板w之下面之中參ρ·七— 持。在旋轉軸6傳動有來自旋轉驅動機構;=其： 轉驅動機構2包含有馬達等，成為制： 位)驅動控制。利用此種方式，可以 (= 速度變動’或使其旋轉停止。 胃又“之旋轉 一在藥液貪觜3經由藥液閥^ i供給有來自藥液供认源 :液;：藥液供給源對藥液噴嘴3供給例如氣酸等二刻 2藥:除去基Μ之表面之抗_渣之_ :純水:貧嘴4經由純水閥12供給有來自純水供給 純水。但是，代替徂込 ^ 喷嘴4…以;;：t者，亦可以將所㈣ 326\專利說明書(補件)\95_〇3\94139575 °到基板W之表面。機能水如同碳酸水、氫水(還 11 1275123

原水）、臭氧水和曹，銳2 I 藥液閥11之開7'，對於純水均貢獻某種功能。 制。 閉和純水_12之開閉由控制裝置10控 圖2疋飢私圖’用來說明利用 板處理步驟。另外， 之基板處理裝置的基 驟之流程之圖解圖。圖3⑷〜3⑷是用來說明基板處理步 當利用基板搬運機器人 板W之授受時，利 和人角1進仃未處理之基 kw保持在自轉夾嘴·;反:『部7吸著基W’用來將基 自轉夹幻施加旋轉力，利置旋 =動機構2對 板w以藥液處理用 彳工制成為使基 用之基板方疋轉速度（荦 繼進行行旋轉（步驟⑴。藥液處理旋轉^里=逮 例如50〇rpm。 处王妖轉速度RC成為 在以樂液處理旋轉速庚pp Μ # 1 制裝置10使藥液闕U;J二基板w旋轉之狀態下，控 .術藥液喷嘴3對旋轉狀態之基板W之表二 口液喷嘴3配置成為例如對基板W之旋轉中心供：=。 因此，達到基板W之表面之藥液受到離心力，成為：:。 :+徑方向外側擴大’涵蓋基板¥上面之全 = 對基板W之上面之全體區域進行處理（參照圖^用末 此種狀態保持指定時間（例如60秒）後（步驟S3) 裳置10使藥液閥η閉合（步驟S4)。利用此種工制 止對基板W表面供給藥液。 Α Μτ 然後’控制裝置10使純水閥12開放（步驟S5)。利用 3抓專利說明書(補件)\95-03\94139575 12 1275123 此種方式，從純水喷嘴4將純水供給到基板w之上 水喷嘴4配置成例如將純水朝向基板讯之旋轉中心吐出純 因=達到基板W之上面之純水，受到離心力朝向旋轉半 .仅向外側擴大，到達基板w之全體區域（參照圖3(⑼。 -如此—來，在基之上面之全體區域，藥液替換成純 水，進=板w之純水沖洗處理。來自純水喷嘴4之純水 之吐出流量成為例如8〇〇m 1之程度。 • W ’控制裝置10利用控制旋轉驅動機構2，用 、自^嘴1之旋轉速度（亦即基板w之旋轉速度）控制成為 冲洗處理旋轉速度RR(步驟S6)。沖洗處理旋轉速度 為例如500rpm。 成 此種狀恶保持指定時間（例如30秒）（步驟S7)。 然後’控制裝置1 〇利用控制旋轉驅動機構2，用來 t轉夾嘴1之旋轉速度，亦即基板w之旋轉速度，減速成 為拌授處理旋轉速度RP(步驟S8)。掉授處理旋轉速度砂 馨被設定成為比沖洗處理旋轉速度RR低速之速度，在 施形態中成為200rpm。 只 控制農置1G在基板W之旋轉速度減速至拌擾處理速度 奸之後，使純水閥丨2閉合（步驟S9)。利用此種方式，在 以料姿勢低速旋轉之基板W之表面成為保持有純水之 液膜=狀悲，用來進行純水拌攪處理（參照圖3(c))。此 種狀態保持指定時間（例如5秒鐘）（步驟si〇)。 然後，控制裝置1〇使自轉夾嘴」之旋轉速度加速至乾 無處理旋轉速度RD(例如4000rpm)(步驟S11)。乾燥處理 326\專利說明書(補件)\95-03\94139575 13 !275123 旋轉速度RD是比沖洗處理旋轉速度更高速之旋轉速度， 利用此種乾燥處理速度RI)使基板W以高速旋轉，因離心 力之作用’將基板W之表面之液滴甩開到基板W之外方， 可以用來使基板W乾燥（參照圖3(d))。此種乾燥處理在 進行指定之乾燥處理時間（例如15秒）之後（步驟S12)， 控制裝置10控制旋轉驅動機構2，使自轉夾嘴丨之旋轉 1止（步驟S13)。如此一來，當對i片之基板w完成處理 日守，利用基板搬運機器人從自轉夾嘴i將處理後之基板化 ’排出。 (m施升玲之基板處理步驟時’連續純水沖洗處理 心、〜’在基板w之旋轉速度減速至拌攪處理旋轉 ^士停止純水之供給。洲此種方心涵芸指 間(例如5秒鐘)’在基板w上保持純水之液膜:構 種狀態下，因為大多二n f度形成大致為零。在此 峰册· 會因為基板W和純水之間之絲妄 f屯，所以成為每單位時間之 不 電量多之狀態。並牡果电里比母早位時間之帶 W，可以有效地進行除電。 f洗^知贡電之基板 圖4是用來說明本發明之坌 ，之構造之圖解圖。在該圖4中，二T形恶之基板處理裝置 •侧目當之部份’附加與圖“目同：上所示之各個 貫施形態之基板處理裝罝，除了 兀件付號表示。在本 備有有機溶劑噴嘴5用來對自:Υ所不之構造外，更具 有機溶劑。有機溶劑喷嘴 ^曹】保持之基板供給 、角b遲由有機溶劑間 遍專利說明書(補件·_4則5 3，i、給有 14 1275123 來自有機溶劑供給源 & 由控制裝置1 〇控制^ 、’合卻。有機溶劑閥〗3之開閉 有機溶劑供鈐、、/§ + 溶劑。 …、可以供給例如異丙醇（ΙΡΑ)作為有機 之二;te:/爪私圖，用來說明利用圖4所示之基板處理壯著 驟之流程之圖解圖：(:)，,)是用來說明該基板 之各個步驟同樣之_ 目5中’在進行與圖2所示 ，同之代表符號。~之各個步驟，附加與圖2之情況相 由圖2和圖5之對昭可 液處理步驟（步驟S2〜'S4，= =在本實施形態中，在藥 (步驟S5〜S9，圖: a )之後，於純水沖洗步驟 圖6⑹之間，對基板?:自轉二步驟(步驟 同時進行在該基板w上开給有機溶劑（圖6(〇)， 拌攪處理（圖6(d))。 ^成有機洛劑之液膜之有機溶劑 只貝上地進行說明時，控士 ’後（步驟S9)，使有趟一卞丨衣 在將純水閥12閉合 13 S21) } 速度RP旋轉之基板评之：：卿’對於以拌攪處理旋轉 機溶劑。有機溶劑噴嘴5:供二=:貪嘴5供給有 旋轉中心吐出有機溶劑。因此:二==斷 溶劑，在基板W上受到 ]土板W之上面之有機 (參照圖6(c))。利用此種太'力之作用朝向全體區域擴大 替換成為有機溶劑。來= 广殘留在基…之純水 326\專利說明書(補件)\95-〇3\S>4139575 來自有機溶劑喷嘴5之有機溶劑之吐 15 1275123 出量成為例如6 Ο 0 m 1程度。

然後，控難置1Q使有機溶㈣ 利用此種方式，在以拌攪處理旋轉速产才：（步驟S23)。 上，形成有機溶劑之液膜，成為 又旋轉之基板W 給有機溶劑之狀態（參照圖6(d)) ^幾溶劑臈追加供 構成液膜之有機溶劑和基板w不會產=果是基板W上之 為該等之間之摩擦而產生帶電。 /對移動’不會因 基板界之帶電量比較時，每單位時間從：：：：位時間之 量^較多之㈣’可料效地進行騎之除電 “將:種狀態保持指定之時間(例… 衣置10實行從步驟S11起之/之後扰制 6(e))。利用此種方式，……，步驟(參照圖 開。 "板W上之有機溶劑被離心力甩 在此種方式之本實施形態，經 來進行Μ ^ . 由形成有機溶劑之液膜用 2 Γ 精以進行基板w之除電。因為有機溶劑 ^上地變大，工歧間之制面積實質 /、、〜果疋經由有機溶劑之液膜可以使基板讯之 放電快速地進行。 圖7表示本發明人之實驗結果。在該圖7甲表示在各種 條件下，、_純水沖洗㈣和自轉錢步賴之基板之表 面電荷密度之測定結果。 、測疋結果A表示使用溶解有碳酸氣體之純水（碳酸水） 進=純水沖洗處理，使該時之基板旋轉速度成為500rPm， 同時其後fit行㈣處理’實行自動乾燥處理之結果（亦 16 1275123 即1先前技術）。在此種情況，表面電荷密度成為大約丨.& 1〇 (/cm2)。與該表面電荷密度對應之基板表面電位成 大約5V。 ^ 測又結果B、C、D表示連續使用碳酸水之純水沖洗步 驟，使基板W之旋轉速度減速，同樣進行使用碳酸水之拌 攪處理，然後實行自轉乾燥步驟之情況（亦即上述第丨實 施形態）時之實驗結果。但是，測定結果B表示拌攪處二 時之基板W之旋轉速度Rp為2 〇 〇 rpm之情況，測定結果匸 1表示拌攪處理旋轉速度RP為1()〇rpm之情況，測定結果D 表示拌授處理旋轉速度RP為3 〇 rpm之情況之測定結果。 從該等之測定結果B、C、D導出之結論是表面電荷密度 降低至未達1.0x1 〇12(/cm2)，和拌攪處理時之旋轉速度& 越慢，表面電荷密度就越低。在測定結果β，表面電荷穷 度成為大約8.8xlOn(/cm2)程度，在測定結果σ，表面電 荷密度成為大約TJxlonQcm2)程度，在測定結果表 ♦面電荷密度成為大約e^xlO'/cm2)程度。當將各個換算 成為表面電位時，測定結果B之情況為4v，測定結果"〇 之情況為3· 5V，測定結果D之情況為3V。 測定結果E、F、G表示在使用碳酸水之純水沖洗步驟之 後，使用作為有機溶劑之IPA進行拌攪處理，然後實行自 轉乾燥步驟之情況（亦即上述第2實施形態）時之結 果。但是，測定結果E、F、G分別表示使拌攪處理時之旋 轉速度RP成為200rpm、1 OOrpm、30rpm之情況時会士 在該測定結果中’當與拌攪處理旋轉速度成為 326\專利說明書(補件)\95·03\94139575 17 1275123 2〇〇咖之情況（測定結果E)比較，在拌授處理旋轉速戶 RP成為lOOrpm(測定結果F)之情況，表面電荷密^ 增加，但是假如以全體傾向看時，拌揽處理旋轉速又度肿 ，越低速，可以使表面電荷密度越低。另外，經由使 果b、c、Dwr結果E、F、Git行比較可以明白，^ 使用有機溶劑，可以更有效地除電。 二 測定結果E之情況之表面電荷密度成為大約4上 .10 (/cm2)程度’測定結果F之情況之表面電荷密度成為 籲=約4.9xl(T(/d測定結果G之情況之表面電荷 检度成為大約3.8Xur(/cm2)程度。各個之情況之表 位成為 2· IV、2. 2V、1. 8V。 圖7所示之測定結果是基板W使用在表面形成有氧化膜 .(例如’膜厚lOOrnn)之半導體晶圓進行實驗之結果。在此 .種情況’當晶圓上之氧化膜形成平行平板電容器時，在電 荷量電容量/、表面電位乂、氧化膜之比介電係數 ,二7、工之介電係數ε。、氧化膜之膜厚d和氧化膜之面 積s之間，可以使下式成立。 Q^CV^ £ 〇x= β 〇SV/d 在此種情況，表面電荷密度之求得可以以電荷素量e和 氧化膜之面積S除電荷量Q，所以下★ 八』W成立。 表面電荷密度=ε ε 〇V/d/e 將各：之實際之值代入各個常數，假如氧化膜之膜厚之 早位以A表示時，表面電荷密度成為下式所示。 表面電荷密度=2. 1 5528x1 014V/d ’ 326\ 專利說明書(補件)\95-〇3\94139575 18 1275123 可式，經由測定晶圓上之氧化膜之表面電位， 以獲侍表面電荷密度。 以說明本發明之2個實施形態，但是本發明亦可以 -他之實施形態。例如，在上述之實施形態 =理步驟使基板^低速旋轉，但是亦可以使基板W之： 2几全停止。在拌攪處理時使基板w低速旋轉時之旋轉速 限之決定，可以根據在基板w上是否可以將液膜保 之時間（例如3秒以上，最好為5秒以上）。最好是 h與拌攪處理時使基板W停止旋轉之情況比較日夺，可以進 行更低速旋轉，利用此種方式，其效果是可以抑制或 從基板W溢落之多少之液造成在基板w上之—定位置 子滯留因而附著在基板表面。 / 、 上面已經詳細說明過本發明之實施形態，但是該等只不 •過是用來明白本發明之技術内容之具體例，本發明不應解 釋成只限於該等之具體例，本發明之精神和範圍只由5附 0之申請專利範圍限定。 本申％案對應到2004年11月11日對日本國專利局提 出之特願2004-327930號，該申請案之全部揭示經由引用 組入到本案。 【圖式簡單說明】 圖1是圖解圖，用來說明本發明之第丨實施形態之基板 處理裝置之構造。 圖2是流程圖，用來說明利用圖1之基板處理裝置之基 板處理步驟。 326\專利說明書(補件)\95-03\94139575 19 1275123 二：(a)〜3⑷是圖解圖，用來說明上述第i實施形態之 基板處理步驟之流程。 圖4疋圖㈣’用來說明本發明之第2實施形態之基板 處理裝置之構造。 圖5是流程圖，用來說明利用圖4之基板處理裝置之基 板處理步驟。 實施形態之 圖6(a)〜6(e)是圖解圖，用來說明上述第 -基板處理步驟流程。 ，圖7表示本件發明人之實驗結果。 【主要元件符號說明】 1 自轉夾嘴 2 旋轉驅動機構 3 藥液喷嘴

純水嘴嘴 有機溶劑噴嘴 旋轉軸 吸著部 10 控制裝置 11 藥液閥 12 純水閥 13 有機溶劑閥 W 基板 遍專利說明書(補件)\95-03\94139575 20

Claims (1)

1275123 十、申請專利範圍： 1 ·種基板處理方法，其特徵在於包含有： 水供給步驟，在利用基板保持旋轉機構將基板保持為大 致水平和使其以第1旋轉速度旋轉之狀態，對上述基板供 給包含水之液體；和 >除笔乂驟，在該水供給步驟之後，在利用上述基板保持 走枝構將上述基板保持為大致水平，和使其以比上述第 疋轉速度^低速之第2旋轉速度進行旋轉，或使基板停止 2 ^狀悲’在上述基板之表面保持指定之液體之液膜， 且對該液膜進杆中士 斜w、+、哲、進仃私疋吩間之不供給液體之拌攪處理，用來 對上述基板進行除電。 定利範圍第1項之基板處理方法，其中上述指 疋之液脰為包含水之液體。 3·如申請專利範圍第2項之基板處理方法，盆中， 給步驟包含從水供給噴嘴對上 3水之液體之步驟；和 已 在上述水供給步驟後，上述除電步 第：旋轉速度減速成為上:二^ 液體之步止㈣’同時停止從上述水供給喷嘴供給 4·如申請專利範圍第1 定之液體為有機溶劑。、4處理方法’其中上述指 5.如申請翻_第4奴聽“方法， 上述水供給步驟包含 /、尹 32轉利說明書(補件)\95郁94】39575 已3«水供給喷嘴對上述基板供給包 21 1275123 含水之液體之步驟： 在上述水供給步 ，帝乂 有· 丄逆陈包步驟則，所包含之步驟 '停止從上述水供給噴嘴供給液體； • *有機4嘴嘴將有機溶劑供給到 之旋轉速度從上述第】旋轉速度二面成 ^ 和迷度，或使基板停止旋轉；和 麄停止從上述有機溶劑喷嘴對上述基板供給有機溶劑。 法6.1? 5月專利範圍第1 1 5項中任-項之基板處理方 ’、更已έ有乾燥步驟，係在上述除電步驟之後，利 !上述基板保持旋轉機構，以比上述第1旋轉速度高速之 弟3方疋轉速度使基板旋轉，用來甩開基板表面之液。 7· —種基板處理裝置，其特徵在於包含有： 基板保持旋轉機構，用來將基板保持成為大致水平和使 其轉， φ水供給喷嘴，用來將包含水之液體供給到被該基板保持 旋轉機構所保持之基板；和 控制單位，用來控制上述基板保持旋轉機構，在使上述 基板以第1旋轉速度旋轉之狀態，實行水供給步驟，從上 述水供給噴嘴對基板供給包含水之液體’在該水供給步驟 之後，實行除電步驟，控制上述基板保持旋轉機構，在使 上述基板以比上述第1旋轉速度低速之第2旋轉速度進行 旋轉，或是使基板停止旋轉之狀態，在上述基板之^面保 持指定之液體之液膜，和對該液膜進行指定時間之不供給 326\專利說明書(補件)\95-03\94139575 22 1275123 液體之拌㈣理’用來對上述基板進行除電。 =專利範圍第7項之基板處理裝置，其中 t才曰疋之液體為包含水之液體； 上述控制單位在上述水供給 實扞# μ、+、甘_ι 又丄1丨矛、电步驟前， 為上述第2:: = '速度從上述第1旋轉速度減速成 從上述水供仏喷或使上述基板停止旋轉’同時停止 仏、、、° ^ ^供給液體之步驟。 9. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中 • 上述指定之液體為有機溶劑； 、 = 理裝置更包含有有機溶劑喷嘴，用來對上述 土板保持方疋轉機構所保持之基板供給有機溶劑，· 」述控制單位在上述水供給步驟後，上述除電步驟前， 、:仃以下步驟：停止從上述水供給噴嘴供給液體之步驟； .攸上述有機溶劑噴嘴將有機溶劑供給到上述基板之表 ，、’ 1上述基板之旋轉速度從上述第丨旋轉速度減速成^ _述第2旋轉速度，或使基板停止旋轉之步驟；和停止從 上述有機溶劑喷嘴對上述基板供給有機溶劑之步驟。 10. 如申請專利範圍第7至9項中任一項之基板處理裝 置，其中上述控制單位在上述除電步驟之後，實行乾燥步 —驟:係$用上述基板保持旋轉機構使基板以比上述第丨'二 *轉速度高速之第3旋轉速度進行旋轉，用來甩開基板表面 之液。 326\專利說明書(補件)\95-03\94139575 23