TWI273595B - Multi-layer structure and method of drawing microscopic structure therein, optical disc master and method of fabricating the same using the multi-layer structure, and optical disc manufactured using the optical disc master - Google Patents

Description

!273595 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種多層結構與繪製微觀結構 (microscopic structure)的方法，光碟母片與使用此多層 結構來製造光碟母片之方法，以及使用此光碟母片製造二 光碟，且特別是有關於一種多層結構之容積改變當其溫度 超過一預定臨界值（threshold)，繪製微觀結構的方法包 =射出一雷射光束至多層結構，以產生一溫度分佈在光束 照射點之間，並執行微小記錄於溫度高於臨界值的部分光 束照射點上，光碟母片與使用多層結構製造母片之方法， 以及使用光碟母片製造之光碟。 【先前技術】 目刖 尤磲裂造所用之母片上的圖案化光阻， 光型之光阻層上以雷射光束照射所產生之圖像，並使^ 層顯影。光_案之最小尺寸受到光束的繞 之限制而無法再縮小。 acilon) 因此，目前在進一步減小光阻圖案之最小尺寸的 ’使用深紫外線（deep_viGietlight)、雷射光以及 ，，的曝光技術已運用了數年之久。特別是，使用氟化負 =化經之類的準分子雷射（excimerlaser)，能形成亂的 一阻圖案尺寸在150nm左右。然而’要實現高密度之光、 =、須解決如高能量光源之開發的技術問題以 且盘 光阻圖案製作的材料特性。 。九阻與 然而’雖然減小光束之繞射可解決上述之問題，但也 13788pif 1273595 會造成笨重的（bulky)光源或光學系統以及高能量消耗的 問題。 另一種解決上述問題的方法是以電子光束微影技術來 製造奈米尺寸之奈米結構，其尺寸小於一般光學微影技 術。然而，由於電子必須在真空下加速或轉向，就必須使 用一獨立的真空腔室以及一大電極或電源供應器來加速電 ^ °此外，高加速電壓（例如幾萬伏特）之安全性也要考 审i 〇 曰本專利早期公開申請號2002-365806號揭露另一種 _ 以雷射所產生的熱繪製光阻上之圖案的方法與材料。此方 法包括加熱一光阻層使覆蓋之一鍺（germanium)、銻 (antimony)、碲（tellurium)所組成之合金層（Ge2sb2Te5) 產生化學反應，而光阻層使用Gejl^Tes之合金層作為一 光吸收熱變化層（light absorption thermal transformation layer)，且繪製一微小圖案。此方法不僅能製造尺寸1〇〇nm 之奈米結構’也因使用比較便宜之半導體雷射作為光源故 能明顯地減少製造的成本。然而，由於光阻利用光吸收熱 φ 變化層來加熱，也造成微小圖案之尺寸與形狀不穩定。， 【發明内容】 & 因此，本發明之目的就是提供一種多層結構，其尺寸 小於雷射光束照射點之直徑，以及使用_雷射照射點 之中央、高溫部分來繪製微小結構的設計方法。 本發明之目的也是提供-種光碟母片與使用多層結構 製造母片的設計方法，以-般光學微影技術所沒有的加熱 13788pif 8 1273595 光阻材料使之變形（deformation )或蒸發（evaporation ) 來繪製微觀結構，以及使用此光學母片製造的光碟。 為達本發明之目的，本發明提供一種多層結構，包括 一基板以及一變化層形成於基板上，其中部分變化層之容 積（volumn)受到雷射光束照射而改變，一旦此部分變化 層的溫度超過一預定溫度時。其中，變化層包括由一合金 與一介電材料或一金屬氧化物所組成之一合金介電層。或 是，變化層例如包括一第一介電層形成於基板上，一合金 層或一金屬氧化物覆蓋於第一介電層之上，以及一第二介 黾層覆蓋於合金層或金屬氧化物之上。 為達本發明之目的’本發明提出一種製造一母片的方 法’而母片包括一基板以及一變化層形成於基板上，其中 變化層一預定區域的容積受到雷射光束的照射而改變，一 旦此預定區域的溫度南於一預設溫度時。此方法包括以一 雷射照射在變化層的預定區域並以雷射光束加熱變化層之 預定區域使其超過一預設溫度，以使受熱的區域之容積產 生變化。 為達本發明之目的，本發明提出一種具有編碼處理指 令之電腦記錄媒體，以執行繪製一微觀結構於一多層結構 的方法，而此多層結構包括一基板以及一變化層形成於基 板上，其中變化層一預定區域的容積受到雷射光束的照射 而改變，一旦此預定區域的溫度高於一預設溫度時。此方 法包括以一雷射照射在變化層的預定區域並以雷射光束加 熱變化層之預定區域使其超過一預設溫度，以使受熱的區 9 1273595 域之各積產生變化。 為達本發明之目的，本發明提出一種製造光碟的裝 置此t置包括一打印機（母板）（stamper )能印製一聚 碳酸酯（p〇lycarbonate)光碟基板，此打印機（母板）具 有一凹穴圖案（pitpattern)，小於一雷射光束之繞射限制 所形成之凹穴圖案；以及一覆蓋器（c〇ater)可覆蓋一反射 層以及一保護層於印製的光碟基板上。 為壤本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂’下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下。 【實施方式】 請參考圖1，一多層結構丨包括一基板1〇以及一變化 層形成於基板上。變化層包括一第一介電層20、一合金層 30以及一第二介電層4〇。當雷射光束照射部分變化層時， 此口卩刀麦化層之谷積變化由其溫度是否超過一預定溫度來 決定。 基板10例如是一玻璃材質（si〇2)或聚碳酸酯 (polycarbonate)之材質。第一介電層2〇位於基板1〇上， 其係由硫化辞(ZnS)以及二氧化矽(Si〇2)混合而成，厚度約 50nm〜250nm。合金層3〇位於第一介電層2〇上，其厚度 約5nm〜50nm。第二介電層40位於合金層30之上，其與 第一介電層20之材質相同，厚度約為i〇nm〜1〇〇nm。合 金層30係由稀土族過渡金屬合金（rare earth-transition 13788pif 10 1273595 metalalloy)所組成，稀土金屬例如是铽(Tb)或鈥(Nd)，而 過渡金屬例如是鐵(Fe)或始(Co)。 舉例而言，多層結構1之製造方法包括以濺鍍硫化辞 以及二氧化矽的方式形成第一介電層2〇於玻璃材質之基 板10上，接著分別濺鍍铽(Tb)、鐵(Fe)及鈷(Co)或濺鍍鈥 (Nd)、鐵(Fe)及鈷(Co)的方式形成合金層30於第一介電層 20之上，以及濺鍍硫化辞以及二氧化矽形成第二介電層4〇 於合金層30之上。 下文將敘述以一入射光之繞射限制所繪製微觀結構於 一多層結構1中的法則。 請參考圖2A，一雷射光束由下往上入射至多層結構i 上。當雷射光束照射到合金層30時，合金層30被雷射光 點加熱而形成一區域。圖2B繪示圖2A中多層結構1之合 金層30的水平位置與其溫度分佈的曲線圖。如圖2B所 示’溫度分佈呈現向斯（Gaussian)曲線。 此外，一部分光點之溫度藉由適當調整雷射光束L之 能量，使其高於一預定臨界值（threshold value) T〇，而 合金層30之區域，如圖2Α所示之標號35，其溫度則高於 臣品界值丁 〇。 合金層30係由容積會隨超過臨界值Τ〇之溫度而膨脹 的材質所製成，由一聚合物或造成第一與第二介電層20、 4〇之間内擴散（interdiffusion)的材質來形成。此擴散作 用造成第二介電層40之表面上昇而繪製一凹穴45B於第 13788pif 11 1273595 二介電層40之表面上。圖2A也繪示另一凹穴45A以相同 的方法形成於凹穴45B之右側附近。 相反地，由於合金層30 的容積在其他無法超過臨旯！

〜二钩\^々丨』的四K 45A、45B與钱 45B與钱刻的區域〇之間的 光點之直徑由雷射光波以及物鏡之數值孔徑 (Numerical Aperture，NA)來決定。使用紅光雷射時，光 點之直徑約為Ιμπι，在本案中因繞射限制理當使得光點之 直徑可小於Ιμπι。然而，由於超過臨界值溫度之區域的直 徑可製作小於雷射光點直徑，因此理當可形成小於光點之 直從的凹穴。當合金層30係由轼鐵銘(TbFeCo)製成時，臨 界值約為350度。铽鐵鈷擴散並突出於硫化鋅_二氧化矽所 組成之第一與第二介電層20、40。因此，凹穴45A、45b 由一聚合物或铽鐵鈷之混合物擴散於合金層3〇 化鋅-二氧财所組成之第二介電層4G帽形成中以及& 13788pif 12 1273595 一金屬氧化物的金屬氧化物 。此金屬氧化物例如是貴金 >t0x)、銀氧化物(Ag〇x)、把

合金層30可以包含至少一金^ 層（metal oxide layer)來取代。此^ 屬氧化物，例如是鉑氧化物(pt〇j、 氧化物(Pd〇x)或鎢氧化物(w〇x)或過 氧化物層取代合金層3〇時，夸 圖3A〜圖6E綠示以原子力顯微鏡所量測到之多層結 構1的表面並顯示於一電腦螢幕之結果的示意圖。圖3A 與圖3B繪不圖1之多層結構1使用原子力顯微鏡量測到 之120麵的凹穴圖案。ffl3A繪示多層結構i之表面以原 尺寸放大4200倍的影像，而圖3B繪示圖3A之多層結構 1放大兩倍的影像。製作凹穴圖案所使用的雷射光束的功 率與波長λ分別為i4.5mW與635nm，而物鏡的數值孔徑 (NA)值為〇·6，而多層結構！的固定線速度（⑺仍仏加丨丨狀紅 velocity，CLV )為 2 m/sec，而訊號負載比率（duty rati〇 ) 為 50%。 圖3A繪示間距約為1·2μηι等寬之8條執道的示意 圖’而圖3Β綠示其中四個執道的示意圖。在此，每一條 軌道的I度約為〇.6pm，並具有一凹穴圖案在每一條軌道 上。母一條軌道的白色部分表示合金層受到容積改變的 區域，而黑色部分表示不受到容積改變的區域。如上所述， 13788pif 13 1273595 多層結構1之高度比隨著選擇性蝕刻部分合金層3〇不受容 積改變的區域而增加。

圖4A繪示圖3B之四個軌道，而圖4B繪示沿著圖4A 之第三軌道的白線時12〇nm之凹穴圖案的剖面圖。如圖4a 所不，多層結構1之表面具有約5 9nm之高度差，而凹穴 圊案之形成週期約為240nm。圖4C繪示圖4B之凹穴圖宰 的頻譜，而圖4D與圖4E更進一步列出凹穴圖案之資料。 同理於圖3A、圖3B，圖5A與圖5B分別#會示圖1之 多層結構1以原子力顯微鏡量測到lOOnm之凹穴圖案。圖 5A、、會示多層結構1之表面以原尺寸放大4200倍的影像， 而圖5B繪示圖5A之多層結構1表面放大兩倍的影像。製 作凹穴圖案所使用的雷射光束的功率與波長λ分別為 ljmW與635nm，物鏡的數值孔徑值為〇·6，多層結構的固 定線速度(CLV)為2 m/sec，而訊號負載比率（duty rati〇) 為 50〇/〇 〇 圖5Α繪示間距約為12gm等寬之8條軌道的示意 而圖5B綠示其中四個軌道。在此，每一條執道的寬 又、、句為0·6μηι，並具有一凹穴圖案在每一條執道上。每一 的白色部分表示合金層3G受到容積改變的區域，而 黑色部分表示不受到容積改變的區域。 圖6A繪示圖5B之四個執道，而圖0B繪示沿著圖0A 之二二轨道的白線時1〇〇nm之凹穴圖案的剖面圖。如圖6B ^夕層結構1之表面具有約3jnm之高度差，而凹穴 回”之形成週期約為2〇〇nm。如圖4C〜圖4D，圖6C繪 13788pif 14 1273595 示圖6B之凹穴圖案的頻譜，而 出凹穴圖案之資料。 〃口 0E更進一步列 如上所述’製作凹穴圖案所使用的雷射光束的波長為 635·，而物鏡的NA值為〇.6，計算出的繞射限制為 530碰。然而習知技術因繞射限制而無法寫繞 射限制之凹穴於多層結構1上。根據本發㈣-實施例;: 成功地形成尺寸低於繞射限制之凹穴圖案於多層 上’且凹穴僅能形成在溫度超過臨界值丁〇的區域。 根據本發明-範例之多層結構1例如是— 因此’當以上述結構之母片製造光碟時，可產生尺寸低於 雷射光束之繞射_的凹穴_，其決定於雷射之读 ^加物鏡之數值仙及其他因素，目此記_密度可 圖7繪示分取硫鄉：氧切(z 矽SiNx所組成之介電層中 乂及虱化 圖。如圖7所示，甚至二二=穴深度的比較 、 姐的田射先束所寫入的凹穴具庐， 以&化辞-二氧化矽所組成之介電層比 ：又 所組成之介制具有較_凹穴。 ^纟或鼠化石夕 如上所述，根據本發明所使用的方 穴可增加多層結構i之凹穴密度，例如是光=3凹 =向土增加4倍左右’而徑向方向上增加約、2 $俨，右切 3、’广個凹穴密度約可增加達！ 〇倍左右。此外，口以工 治色光束可製造100GB DVD-ROM母片。 孤 〔第二實施例〕 13788pif 15 1273595 圖1之多層結構1的變化層被區分為多個層：第一介 電層20、合金層30以及第二介電層4〇。然而，也可將這 些層組合成圖8之單一結構。圖8繪示根據本發明第二實 施例之一種多層結構2的示意圖。請參考圖8，多層結構2 包括一基板10以及一變化層形成於基板1〇上，此變化層 包括由合金與介電材料所組成之一合金介電層5〇。當以^ 射光束照射變化層之-部分區_，此區域的容積因其溫 度超過預定溫度而改變。由於此結構大致上與圖丨之結構 相同，因此將不再進一步解釋。 合金介電層50同時間濺鍍圖丨之第一與第二介電層 20、40與合金層所30形成，而合金包含一稀土族金屬二 及過渡金屬’例如分別是硫化鋅_二氧化㈣試鐵始 =心)之介電材料與合金。在此，以鈥_取代試⑽ :::土金屬亦可。另外，合金介電層5〇亦可以金屬氧化 Μί接例如是貴金屬氧化物或—過渡金屬氧化物，以取 土族金屬與過渡金屬之合金。金屬氧化物例如包 氧化銀、氧她以及氧喊。多層結構2例如 二二2層（未料），以作為―保護層介於基板10 Μ 口孟介電層5〇之間。 〔第三實施例〕 全介=、、，林發明之多層結構採用-金屬氧化層取代合 二，5G的示意圖。圖9繪示根據本發明第三實施例之 ^夕層結構3的示意圖。請參考圖9，多層結構3包括 土反10以及-變化層形成於基板1〇上。變化層包括〆 13788pif 16 1273595 介電層6G以及-金屬氧化層7G。#以雷射光束照射此變 化層之一部分區域時，此區域之容積因其溫度超過預定的 溫度而改變。由於此基板10與圖丨有相同的結構，因此不 再進一步詳述。 介電層60以硫化辞-二氧化矽（ZnS_Si〇2)形成於基 板10上，且厚度約為130nm，而金屬氧化層70例如以氧 化鎢(WOx)形成厚度約8〇nm之金屬氧化物。此時，金屬氧 化物例如是過渡金屬氧化物或貴金屬氧化物如氧化鉑 (PtOx)、氧化銀(AgOx)以及氧化把(pd〇x)。圖9繪示另一實 施例之金屬氧化層70直接形成於基板1〇上而無介電層 作為保護層。 ^ 圖10繪示圖9之多層結構3上凹穴圖案的影像，以原 子動力顯微鏡量測的示意圖。當量測到波長為635nm之脈 衝雷射光束入射在母片時，凹穴形成於以線速度6m/sec旋 轉之母片上。凊參考圖1〇，多層結構3之一部份容積因脈 衝雷射光束之照射而形成凹穴。在此，凹穴形成於軌道i、 2 3之直位刀別為400nm、250nm以及150nm。軌道4部 分不以脈衝雷射光束照射。雷射脈衝照射在執道1_3之頻 率为別為ό、12、15MHz，且負載比例（duty ratio )為50%。 由量測的結果可知，利用金屬氧化物可形成上述之凹 八。根據本貫施例所述之容積擴散機構(v〇lume expansion mechanism)，當以雷射光束加熱時，金屬氧化層分解為金 屬以及氧氣後釋玫，且鼓成氣球狀，甚至受熱的金屬氧化 物不再進行分解，其容積可由本身增加的氧氣來擴張。 13788pif 17 1273595 母片與複製程序 圖11A以及圖11 b繪〒士 )ί Ρ ^ ^ νλ Ά ^ k 一較佳實施例之光碟母 片過程中，用以製作光磾之再μ、，θ也 衣作母 ._ ^ ^二尤系之母片以圖案化多層結構1、2 或3其中之一來形成。在 其拓驟中’以玻璃光碟作為一 f板。在步驟S2中’麵基板被誠，並在步驟S3中檢 查玻璃基板是否已、_光充分，若是拋光充分，則 板進行步驟S4之清洗。在步驟S5中，多層結構！、2或3 以缝的方式形成，且在步驟S6中檢查多層結構卜2或 3其中之-是否已經完成。在步驟S7中，將資料記錄在母 片上’且由-編輯器（editGr)編寫光碟上之資訊。在步驟 S8中，已編輯的資訊傳到一訊號傳送装置（啦㈤咖㈣ device)並在步驟S9中記錄在多層結構丨、2或3其中之 一以形成凹穴形狀於玻璃光碟上。 接著，在步驟S10中，蝕刻多層結構丨、2或3。在此， 選擇性蝕刻不具有凹穴的區域可增加多層結構之結構比。 在步驟S11中，多層結構i、2或3之上方的電極施以電 鍍而完成母片之製作。在步驟S12中，檢查多層結構j、2 或3上之電極是否完全被坡覆。最後的母片經過電鑛以產 生步驟S13之打印機（母板），之後在步驟S14中與母片 分離，即完成打印機（母板）的製作。 圖12繪示本發明一實施例之一種大量複製光碟的方 法。請參考圖12，打印機（母板）以母片複製而成，且在 步驟S20中利用打印複製的方式，並在步驟S21中以射出 13788pif 18 中，•以業基板至一射出模具機器中。在步驟奶與幻3 上。因:=一完:護層分別覆蓋於射出成型之基板 碟，多層結構'母片以及使用母片製作的光 用母片製作光碟的方法’習知微 射光東之繞射限制的微小凹穴，因此不 需因階梯温度而造成變形或光阻材料的 =之繪製微小結構於多層結構的方法例如以—電腦 仃，程式來實施’例如是一般或特別用途之電腦 此，使用雷射的裝置可以是一電腦。電 口 中可輕易地編碼與分段編碼以構成電腦程式"。此^ = L電月Γ讀取媒體中。當程式由電腦讀取並執行 小結構於乡層結構上的方法可執行。在此 項取媒體例如是-電磁記賴體、—光學記錄媒體電= 波或其他可記錄媒體。 Μ 载 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，麸並 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不 ϋΒΒ非用以 和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，==之精神 範圍當視後附之中請專利範圍所界定者為準匕本㉟明之保護 【圖式簡單說明】 意圖圖W示本發明第-實施例之—種多層結構的剖面示 I3788pif 19 1273595 圖2A及2B繪示本發明一種多層結構之容積改變的圖 解示意圖。 圖3A以及3B繪示圖1之多層結構利用原子力顯微鏡 (AFM)量測到120nm之凹穴圖案的影像。 圖4A〜4E分別繪示圖3A以及圖3B所示之凹穴圖案 的剖面形狀、軌道、頻譜以及其他數據的示意圖。 圖5A〜5B繪示圖1之多層結構利用原子力顯微鏡 (AFM)量測到lOOnm之凹穴圖案。 圖6A〜6E分別繪示圖5A以及圖5B所示之凹穴圖案 的剖面形狀、執道、頻譜以及其他數據的示意圖。 圖7繪示凹穴尺寸與凹穴深度之間的關係圖。 圖8繪示本發明第二實施例之一種多層結構的剖面示 意圖。 圖9繪示本發明第三實施例之一種多層結構的剖面示 意圖。 圖10繪示圖9之多層結構利用原子力顯微鏡（AFM) 量測到凹穴圖案的影像。 圖11A以及11B繪示本發明一實施例之光碟母片的製 作方法，以及利用母片打印之製作方法。 圖12繪示本發明一實施例之一種複製光碟的流程。 【主要元件符號說明】 1、2、3 :多層結構 10 ··基板 20 :第一介電層 13788pif 20 1273595 30 :合金層 35 :溫度超過臨界值T〇之區域 40 :第二介電層 45Α 、45Β :凹穴 47 ··不具有凹穴的區域 50 ··备金介電層 60 :介電層 70 :金屬氧化層 13788pif 21

Claims (1)

1273595 修正日期：95年11月16日 爲第931M201號中文申請專利範圍無劃線修正本 十、申請專利範圍： 1·一種多層結構，包括： 一基板；以及 一燹亿層形成於該基扳上， 其中該變化層之一部分容積受到一雷射光束之照射 而改變，一旦該部分的溫度超過一預設溫度時。 2·如申請專利範圍第1項所述之多層結構，其中該基 板之材質為玻璃（S从）或聚碳酸酉旨（polycarbonate)。

介®3·如申請專利範圍第1項所述之多層結構，其中該變 曰包括一合金以及一介電材料所組成之一合金介電層。 金包圍第3項所述之多層結構，其中i合 稀私玉屬以及一過渡金屬。 金介第3項所述之多層結構，其中以 介電材料所製成?内擴散或化學變化之—合金以及^ 7二二介於該基板與該合金介電爲亥J /·如申請專利範圚 兒層之^

電材料係為硫化鋅項所述之多層結構，其中。 八/·如申請專利車ί第化編i〇2)。 十 炎係為蜮鐵钻（Tbpec。）項所述之多層結構，其中讀2 9·如申凊專利範 、 主係為錢舰（NdPec。）3項所述之多層結構，其中讀乂 1〇.如申請專利範s : "c l3788pif 22 1273595 年月 替缝j 化層包括一金屬氧化層。 11. 如申請專利範圍第10項所述之多犀社 金屬氧化層包含一過渡金屬或一貴金屬。曰、，°冓，/、中該 12. 如中請專職圍第1()項所述之μ結構， 金屬氧化層係由因受熱而釋放氧氣使其容積改變之 所組成。 、 材貝 ^ H請專利範圍第1G項所述之多層結n中$ Zti—介電層，介於該基板與該金屬氧化層之^ .口申睛專利範圍第13項所述曰曰 介電層之材質為硫化鋅-二氧化石夕。夕曰-構，其中該 八屬匕匕申請專利範圍第13項所述之多層結構，复中， 金屬乳化層之材質為氧偏I (wox)。 # "中该 16.如申請專利範圍第13項所述 金屬氧化層之厚度約為⑽腿。 …構’其中該 Π.如申請專利範圍第i 化層包括·· 夕沒、、、口構，其中該變 一第一介電層形成於該基板上； :金層覆蓋於該第一介電層上；以及 一第二介電層覆蓋於該合金層上。 篦=·如申請專利範圍第17項所述之多層έ士槿 弟電層係由硫化鋅以及二氧化石夕所料:構，其中該 •如申凊專利範圍第17項所述之 弟—介電層之厚度約50〜250麵。 …構’其中該 2〇.如申請專利範圍第17項所述之多層結構，其中該 13788pif 23 95, 1L ί ^ 95, 1L ί ^1273595 合金層之厚度約5〜50nm。 21. 如申請專利範圍第17項所述之多層結構，其中該 合金層包含一稀土族金屬及一過渡金屬。 22. 如申請專利範圍第21項所述之多層結構，其中該 稀土族金屬為铽（Tb )或鈦（Nd)，而該過渡金屬為鐵（Fe) 或鈷（Co)。 23. 如申請專利範圍第17項所述之多層結構，其中該 合金層係由受熱容積改變的合金材質所製成，且該第一與 第二介電層受到内擴散或化學變化而隨之改變。 24. 如申請專利範圍第23項所述之多層結構，其中該 合金層之材質係為娀鐵姑。 25. 如申請專利範圍第23項所述之多層結構，其中該 合金層之材質係為鈦鐵銘。 26. 如申請專利範圍第17項所述之多層結構，其中該 第二介電層係由硫化鋅以及二氧化矽所組成。 27. 如申請專利範圍第17項所述之多層結構，其中該 第二介電層之厚度約10〜lOOnm。 28. 如申請專利範圍第1項所述之多層結構，其中該變 化層包括： 一第一介電層形成於該基板上； 一金屬氧化層覆蓋於該第一介電層上；以及 一第二介電層覆蓋於該金屬氧化層上。 29. 如申請專利範圍第28項所述之多層結構，其中該 金屬氧化層包含一過渡金屬或一貴金屬。 13788pif 24 1273595 合屬4專利範圍第29項所述之多層結構，其中該 β ㈡之材質包括氧化鉑（PtOx)、氧化銀(AgOx)、 乳她OMOJ以及氧化鎢（wqx)其中之一。 31·如申請專利範圍帛28項所述之多層結構，其中該 ^氧化層係由因受熱轉放氧氣使其容積改變之-材質 所組成。 32·—種繪製一微觀結構於一多層結構的方法，而該多 層結構包括-基板以及—變化層减於該基板上，其中該 變化層-預定區域的容積㈣—雷射光束的照射而改變， 一旦该預定區域的溫度高於一預設溫度時，該方法包括： 以該雷射照射在該變化層的該預定區域，以及 以該雷射光束加熱該變化層之該預定區域使其超過 該預設溫度， 其中’該党熱的區域之容積產生變化。 33.如申請專利範圍第32項所述之繪製一微觀結構於 一多層結構的方法，其中該變化層包括一金屬氧化層。 34·如申凊專利範圍第32項所述之繪製一微觀結構於 一多層結構的方法，其中該變化層包括： 一第一介電層形成於該基板上； 一合金層覆蓋於該第一介電層上；以及 一第二介電層覆蓋於該合金層上。 35·如申睛專利範圍第32項所述之繪製一微觀結構於 一多層結構的方法，其中該變化層包括·· 一第一介電層形成於該基板上； 13788pif 25 1273595 一金屬氧化層覆蓋於該第一介電層上；以及 一第二介電層覆蓋於該金屬氧化層上。 36. 如申請專利範圍第32項所述之繪製一微觀結構於 一多層結構的方法，更包括蝕刻該變化層，以使該預定區 域與其他區域之間有一钱刻差異。 37. —種製作光碟之母片，該母片包括： 一基板；以及 一變化層，形成於該基板上， 其中該變化層一部分的容積受到一雷射光束的照射 而改變，一旦該部分的溫度高於一預設溫度時。 38. 如申請專利範圍第37項所述之製作光碟之母片， 其中該變化層包括由一合金與一介電材質所組成之一合金 介電層。 39. 如申請專利範圍第38項所述之製作光碟之母片， 其中該合金包含一稀土族金屬及一過渡金屬。 40. 如申請專利範圍第38項所述之製作光碟之母片， 其中該合金介電層係由受熱容積改變的一合金與一介電材 料所製成，且該介電材料受到内擴散或化學變化而隨之改 變0 41. 如申請專利範圍第38項所述之製作光碟之母片， 其中該變化層更包括一介電層，介於該基板與該合金介電 層之間。 42. 如申請專利範圍第37項所述之製作光碟之母片， 其中該變化層包括一金屬氧化層。 13788pif 26 1273595 43. 如申請專利範圍第42項所述之製作光碟之母片， 其中該金屬氧化層包含一過渡金屬或一貴金屬。 44. 如申請專利範圍第42項所述之製作光碟之母片， 其中該金屬氧化層係由因受熱而釋放氧氣使其容積改變之 一材質所組成。 45. 如申請專利範圍第42項所述之製作光碟之母片， 其中該變化層更包括一介電層，介於該基板與該金屬氧化 層之間。 46. 如申請專利範圍第37項所述之製作光碟之母片， 其中該變化層包括： ” 一第一介電層形成於該基板上； 一合金層覆蓋於該第一介電層上；以及 一第二介電層覆蓋於該合金層上。 47. 如申請專利範圍第46項所述之製作光碟之母片， 其中該合金層包含一稀土族金屬及一過渡金屬。 48. 如申請專利範圍第46項所述之製作光碟之母片， 其中該合金層係由受熱容積改變的合金材質所製成，且該 第一與第二介電層受到内擴散或化學變化而隨之改變。 49. 如申請專利範圍第37項所述之製作光碟之母片， 其中該變化層包括： 一第一介電層形成於該基板上； 一金屬氧化層覆蓋於該第一介電層上；以及 一第二介電層覆蓋於該金屬氧化層上。 50. 如申請專利範圍第49項所述之製作光碟之母片， 13788pif 27 1273595 ^ 其中該金屬氧化層包含一過渡金屬或一貴金屬。 51. 如申請專利範圍第49項所述之製作光碟之母片， 其中該金屬氧化層係由因受熱而釋放氧氣使其容積改變之 一材質所組成。 52. —種製作一母片的方法，該母片包括一基板以及一 變化層形成於該基板上，其中該變化層一預定區域的容積 受到一雷射光束的照射而改變，一旦該預定區域的溫度高 於一預設溫度時，該方法包括： 以該雷射照射在該變化層的該預定區域，以及 以該雷射光束加熱該變化層之該預定區域使其超過 該預設溫度， 其中，該受熱的區域之容積產生變化。 53. 如申請專利範圍第52項所述之製作一母片的方 法，其中該變化層包括一金屬氧化層。 54. 如申請專利範圍第52·項所述之製作一母片的方 法，其中該變化層包括： 一第一介電層形成於該基板上； 一合金層覆蓋於該第一介電層上；以及 一第二介電層覆蓋於該合金層上。 55. 如申請專利範圍第52項所述之製作一母片的方 法，其中該變化層包括： 一第一介電層形成於該基板上； 一金屬氧化層覆蓋於該第一介電層上；以及 一第二介電層覆蓋於該金屬氧化層上。 13788pif 28 1273595 年月日修(b正替換1 56.如申請專利範圍第52項所述之製作一母片的方 法，更包括蝕刻該變化層，以使該預定區域與其他區域之 間有一蝕刻差異。 57·—種電腦記錄媒體，以執行繪製一微觀結構於一多 層結構的方法，而該多層結構包括一基板以及一變化層形 成於該基板上，其中該變化層一預定區域的容積受到一雷 射光束的照射而改變，一旦該預定區域的溫度高於一預設 溫度時，該方法包括： 以β雷射照射在該變化層的該預定區域；以及 以该雷射光束加熱該變化層之該預定區域使其超過 該預設溫度’ 其中該受熱的區域之容積產生變化。 58.如申請專利範圍第57項所述之電腦記錄媒體 中該變化層包括： 一第一介電層形成於該基板上； 一合金層覆蓋於該第-介電層上；以及 -第二介電層覆蓋於該合麵上。

59·如申請專利範圍第57 其 中該變化層包括： 、&之电腦記錄媒體 -^介電層形w 一金屬氧化層覆蓋”第—介電 一第二介電層覆蓋於該金 二上，以及 ό〇·如申請專利範圍第^ 1 /上。 包括银刻該變化層，以彳击▲ 、 之龟細§己錄媒體 该預定區域與其他區域之間 13788pif 29 1273595 蝕刻差異。 61·—種電腦記錄媒體，以執行一母片製作的方法，而 該母片包括一基板以及一變化層形成於該基板上，其中該 變化層一預定區域的容積受到一雷射光束的照射而改變， /旦該預定區域的溫度高於一預設溫度時，該方法包括： 以該雷射照射在該變化層的該預定區域；以及 以該雷射光束加熱該變化層之該預定區域使其超過 該預設溫度， 其中該受熱的區域之容積產生變化。 62· —種繪製一微觀結構於一多層結構的方法，而該多 層結構包括一基板以及一變化層形成於該基板上，其中該 變化層一預定區域的容積受到一雷射光束的照射而改變， 一旦該預定區域的溫度高於一預設溫度時，該方法包括： 以該雷射照射在該變化層的該預定區域；以及 以該雷射光束加熱該變化層之該預定區域使其超過 該預設溫度’ 其中該受熱區域之直徑小於該雷射光束之直徑，且形 成之一凹穴的直徑亦小於該雷射光點之直徑。 63·—種繪製一微觀結構於一多層結構的方法，而該多 層結構包括一基板以及一變化層形成於該基板上，其中該 變化層一預定區域的容積受到一雷射光束的照射而改變， 一旦該預定區域的溫度高於一預設溫度時，該方法包括： 以該雷射照射在該變化層的該預定區域；以及 以該雷射光束加熱該變化層之該預定區域使其超過 13788pif 30 1273595 成】丄16 該預設溫度， 穴圖案之尺+ t 寸小於該雷射光 其中該多層結構上一凹 束之繞射限制。 H 口申請專利範圍第17項所述 弟一”電層、該合金層以及該第二介4 構’其中該 構。 电曰、、且合成-訊號結 Μ·如申請專利範圍第1〇項所述之 丄 金屬氧化層直接形成於該基板上。 Μ、〜構，其中該 66·如申請專利範圍第32項所述 一多層結構的方法，更包括： π衣—微觀結構於 射出-聚碳酸脂光碟基板於_射出 序覆蓋-反射層以及—倾層於姉 、^内’並依 6入如申請專利範圍第32項所述之緣勢二^上。 -多層結構的方法，其中微小凹穴之心結構於 繞射限制，且不會因溫度上昇而造成—光阻材 的光源或發生紐變形。 H要大$ 68.-種形成凹穴圖案於一多層結構的方法，該多層么士 構包括一基板以及一變化層形成於該基板上，該方法包曰括γ ^以一雷射光束照射該變化層之一預定區域，以改變該 變化層之該預定區域的容積；以及 ΰ 形成凹穴圖案於該多層結構上，該凹穴圖案之尺寸小 於該雷射光束之繞射限制。 69·如申請專利範圍第68項所述之形成凹穴圖案於一 夕層、、、。構的方法’其中該預定區域的容積以加熱該預定區 13788pif 31 1273595 域使其溫度超過一預設溫度而改變。 70.—種形成光碟之裝置，該裝置包括： 一打印機能印製一光碟基板，該打印機具有小於一雷 射光束之繞射限制所形成的一凹穴圖案；以及 一覆蓋器，用以覆蓋一反射層以及一保護層於印製之 該光碟基板上。 13788pif 32