JP2002117575A - 近接場光を用いた超解像層構造を有する光記録媒体 - Google Patents
近接場光を用いた超解像層構造を有する光記録媒体Info
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24308—Metals or metalloids transition metal elements of group 11 (Cu, Ag, Au)
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/005—Reproducing
- G11B7/0052—Reproducing involving reflectivity, absorption or colour changes
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大きな変調度を確保できる近接場光を用いた
超解像層構造を有する光記録媒体を提供する。 【解決手段】 レーザースポットの中心部分に光散乱領
域９を形成する読出し層３と、読出し層３の光散乱領域
９から発生した近接場光１０を受ける記録層５と、を備
える近接場光を用いた超解像層構造を有する光記録媒体
において、記録層５のマーク５１に対し照射される近接
場光１０の散乱効果を高めるとともに、発生する近接場
光を増強するための散乱体６１を設けた。
超解像層構造を有する光記録媒体を提供する。 【解決手段】 レーザースポットの中心部分に光散乱領
域９を形成する読出し層３と、読出し層３の光散乱領域
９から発生した近接場光１０を受ける記録層５と、を備
える近接場光を用いた超解像層構造を有する光記録媒体
において、記録層５のマーク５１に対し照射される近接
場光１０の散乱効果を高めるとともに、発生する近接場
光を増強するための散乱体６１を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スーパーレンズの
原理を用いて高密度記録を可能とする光記録媒体に関す
る。
原理を用いて高密度記録を可能とする光記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】高密度の光記録を実現する方法として、
近接場光を使ったスーパーレンズ（super-RENS: super-
Resolution Near-field Structure）と呼ばれる記録再
生技術が知られている（例えば、O plus E Vol. 22, N
o. 2 第２０２〜２０７頁 ２０００年２月）。スーパ
ーレンズ方式を用いた光ディスク（スーパーレンズディ
スク）は記録層のほかに読出し層を備える。読出し層は
常温では反射率が高く、高温では透過率が高くなる性質
を有し、レーザーを照射したときにレーザースポットの
中心の高温部分に透過率の高い微小開口が形成される。
この微小開口から発生した近接場光が記録層のマークに
到達すると、近接場光が伝搬光に変換され、その一部が
ピックアップに向けて反射されて記録層にマークとして
記録された情報が再生される。
近接場光を使ったスーパーレンズ（super-RENS: super-
Resolution Near-field Structure）と呼ばれる記録再
生技術が知られている（例えば、O plus E Vol. 22, N
o. 2 第２０２〜２０７頁 ２０００年２月）。スーパ
ーレンズ方式を用いた光ディスク（スーパーレンズディ
スク）は記録層のほかに読出し層を備える。読出し層は
常温では反射率が高く、高温では透過率が高くなる性質
を有し、レーザーを照射したときにレーザースポットの
中心の高温部分に透過率の高い微小開口が形成される。
この微小開口から発生した近接場光が記録層のマークに
到達すると、近接場光が伝搬光に変換され、その一部が
ピックアップに向けて反射されて記録層にマークとして
記録された情報が再生される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなス
ーパーレンズディスクでは、記録層のマークの有無に応
じた反射光の強度変化、すなわち変調度が不足してお
り、スーパーレンズを光ディスクとして実用化するため
には変調度を改善する必要がある。
ーパーレンズディスクでは、記録層のマークの有無に応
じた反射光の強度変化、すなわち変調度が不足してお
り、スーパーレンズを光ディスクとして実用化するため
には変調度を改善する必要がある。
【０００４】本発明は、大きな変調度を確保できるスー
パーレンズ方式を用いた光記録媒体を提供することを目
的とする。
パーレンズ方式を用いた光記録媒体を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の近接場光を用い
た超解像層構造を有する光記録媒体は、レーザースポッ
トの中心部分に近接場光を形成する読出し層（３）と、
読出し層（３）で発生した近接場光を受ける記録層
（５）と、を備える近接場光を用いた超解像層構造を有
する光記録媒体において、散乱体（６１）を設けたこと
を特徴とする。
た超解像層構造を有する光記録媒体は、レーザースポッ
トの中心部分に近接場光を形成する読出し層（３）と、
読出し層（３）で発生した近接場光を受ける記録層
（５）と、を備える近接場光を用いた超解像層構造を有
する光記録媒体において、散乱体（６１）を設けたこと
を特徴とする。
【０００６】散乱体（６１）により記録層（５）のマー
ク（５１）に対し照射される近接場光の散乱効果を高め
ることができるとともに、発生する近接場光を増強する
ことができる。したがって、変調度を向上させることが
できる。散乱体（６１）は粒子状あるいはドット状に形
成してもよいし、ライン状に形成してもよい。ドットの
形状は矩形、円、あるいは他の形状を任意に選択でき
る。ラインは記録層のトラックと平行あるいはトラック
に沿って形成してもよいし、トラックと垂直、あるいは
トラックに対して斜めに形成してもよい。散乱体（６
１）をライン状に形成し、あるいは散乱体（６１）の粒
子あるいはドットをライン状に形成する場合には、螺旋
状のトラックに沿ってラインを形成するとトラックの全
体にわたりマーク（５１）に対して散乱体（６１）を等
価に配置し易いため、トラック全体にわたり一定の変調
度を維持することが容易となり、また、光記録媒体の製
造が容易になるという利点がある。散乱体（６１）とし
て、例えば、任意の金属を用いることができる。記録層
（５）のマーク（５１）の読み取り方法は、反射光を捉
える方式でもよいし、透過光を捉える方式でもよい。ま
た、記録層（５）の情報を読み取るためのレーザー光の
波長、対物レンズの開口数等は実施形態に限定されな
い。記録層（５）の情報を読み取るためのレーザー光の
偏光方向は、記録層のトラックに沿った方向でもよい
し、トラックと直交する方向、あるいはトラックに対し
て斜めの方向でもよい。レーザー光は直線偏光でなくて
もよい。
ク（５１）に対し照射される近接場光の散乱効果を高め
ることができるとともに、発生する近接場光を増強する
ことができる。したがって、変調度を向上させることが
できる。散乱体（６１）は粒子状あるいはドット状に形
成してもよいし、ライン状に形成してもよい。ドットの
形状は矩形、円、あるいは他の形状を任意に選択でき
る。ラインは記録層のトラックと平行あるいはトラック
に沿って形成してもよいし、トラックと垂直、あるいは
トラックに対して斜めに形成してもよい。散乱体（６
１）をライン状に形成し、あるいは散乱体（６１）の粒
子あるいはドットをライン状に形成する場合には、螺旋
状のトラックに沿ってラインを形成するとトラックの全
体にわたりマーク（５１）に対して散乱体（６１）を等
価に配置し易いため、トラック全体にわたり一定の変調
度を維持することが容易となり、また、光記録媒体の製
造が容易になるという利点がある。散乱体（６１）とし
て、例えば、任意の金属を用いることができる。記録層
（５）のマーク（５１）の読み取り方法は、反射光を捉
える方式でもよいし、透過光を捉える方式でもよい。ま
た、記録層（５）の情報を読み取るためのレーザー光の
波長、対物レンズの開口数等は実施形態に限定されな
い。記録層（５）の情報を読み取るためのレーザー光の
偏光方向は、記録層のトラックに沿った方向でもよい
し、トラックと直交する方向、あるいはトラックに対し
て斜めの方向でもよい。レーザー光は直線偏光でなくて
もよい。
【０００７】例えば、散乱体（６１）として金を用いて
もよい。
もよい。
【０００８】散乱体（６１）を保持する散乱体保持層
（６）を備え、散乱体保持層（６）は記録層（５）を挟
んで読出し層（３）の反対側に設けられてもよい。この
場合には、散乱体保持層（６）を記録層（５）に近接し
た位置に容易に配置できるため、散乱体（６１）による
近接場光（１０）の散乱効果を効率的に高めることがで
きるとともに、発生する近接場光を効果的に増強するこ
とができる。
（６）を備え、散乱体保持層（６）は記録層（５）を挟
んで読出し層（３）の反対側に設けられてもよい。この
場合には、散乱体保持層（６）を記録層（５）に近接し
た位置に容易に配置できるため、散乱体（６１）による
近接場光（１０）の散乱効果を効率的に高めることがで
きるとともに、発生する近接場光を効果的に増強するこ
とができる。
【０００９】散乱体（６１）は記録層（５）に設けても
よい。この場合には、散乱体（６１）をマーク（５１）
に近接して配置できるため、散乱体（６１）による近接
場光（１０）の散乱効果を効率的に高めることができ
る。
よい。この場合には、散乱体（６１）をマーク（５１）
に近接して配置できるため、散乱体（６１）による近接
場光（１０）の散乱効果を効率的に高めることができ
る。
【００１０】散乱体（６１）を保持する散乱体保持層を
備え、散乱体保持層は記録層（５）と読出し層（３）と
の間に設けてもよい。この場合には、散乱体保持層を記
録層（５）に近接した位置に容易に配置できるため、散
乱体（６１）による近接場光（１０）の散乱効果を効率
的に高めることができる。この場合、記録層（５）と読
出し層（３）との間に設けられるギャップ層（４）に散
乱体を配置してもよい。
備え、散乱体保持層は記録層（５）と読出し層（３）と
の間に設けてもよい。この場合には、散乱体保持層を記
録層（５）に近接した位置に容易に配置できるため、散
乱体（６１）による近接場光（１０）の散乱効果を効率
的に高めることができる。この場合、記録層（５）と読
出し層（３）との間に設けられるギャップ層（４）に散
乱体を配置してもよい。
【００１１】散乱体（６１）は粒子状物質とされていて
もよい。
もよい。
【００１２】散乱体（６１）はライン状に形成されてい
てもよい。この場合、粒子状の散乱体がライン状に配列
していてもよいし、散乱体（６１）がライン形状に形成
されていてもよい。ラインの方向は記録層（５）のトラ
ックに沿った向きでもよいし、トラックと直交する向き
あるいはトラックに対して斜めの向きでもよい。
てもよい。この場合、粒子状の散乱体がライン状に配列
していてもよいし、散乱体（６１）がライン形状に形成
されていてもよい。ラインの方向は記録層（５）のトラ
ックに沿った向きでもよいし、トラックと直交する向き
あるいはトラックに対して斜めの向きでもよい。
【００１３】なお、本発明の理解を容易にするために添
付図面の参照符号を括弧書きにて付記するが、それによ
り本発明が図示の形態に限定されるものではない。
付図面の参照符号を括弧書きにて付記するが、それによ
り本発明が図示の形態に限定されるものではない。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図４を参照して本発
明の光記録媒体の一実施形態について説明する。図１は
本実施形態の光記録媒体を模式的に示す断面図、図２は
散乱体の配列状態を示す図である。
明の光記録媒体の一実施形態について説明する。図１は
本実施形態の光記録媒体を模式的に示す断面図、図２は
散乱体の配列状態を示す図である。
【００１５】図１に示すように、本実施形態の光記録媒
体１００は、ガラスあるいは高分子材料からなる基板１
と、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる保護層２と、ＡｇＯｘか
らなる読出し層３と、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなるギャッ
プ層４と、ＧｅＳｂＴｅからなる記録層５と、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2からなる保護層６とを、図１における上方から
下方に向けて順次積層して構成される。各層の厚みとし
ては、例えば、ギャップ層４が２０〜３０ｎｍ厚、記録
層５が３０ｎｍ厚、保護層６が２０ｎｍ厚とされる。保
護層２、読出し層３、ギャップ層４、記録層５、および
保護層６は公知の蒸着法等を用いて形成することができ
る。
体１００は、ガラスあるいは高分子材料からなる基板１
と、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる保護層２と、ＡｇＯｘか
らなる読出し層３と、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなるギャッ
プ層４と、ＧｅＳｂＴｅからなる記録層５と、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2からなる保護層６とを、図１における上方から
下方に向けて順次積層して構成される。各層の厚みとし
ては、例えば、ギャップ層４が２０〜３０ｎｍ厚、記録
層５が３０ｎｍ厚、保護層６が２０ｎｍ厚とされる。保
護層２、読出し層３、ギャップ層４、記録層５、および
保護層６は公知の蒸着法等を用いて形成することができ
る。
【００１６】図１に示すように、記録層５には記録情報
としてのマーク５１が形成される。また、保護層６には
変調度を向上させるためのＡｕからなる散乱体６１が設
けられる。図２（ａ）〜（ｄ）は図１のII−II線方向か
ら光記録媒体１００を見たときのマーク５１および散乱
体６１の配列方法を例示している。マーク５１は通常の
光ディスクと同様、螺旋状または同心円状に形成された
トラックに沿って設けられる。
としてのマーク５１が形成される。また、保護層６には
変調度を向上させるためのＡｕからなる散乱体６１が設
けられる。図２（ａ）〜（ｄ）は図１のII−II線方向か
ら光記録媒体１００を見たときのマーク５１および散乱
体６１の配列方法を例示している。マーク５１は通常の
光ディスクと同様、螺旋状または同心円状に形成された
トラックに沿って設けられる。
【００１７】図２（ａ）に示すパターン１の例では、散
乱体６１は矢印Ｐで示すピックアップによる読み取り方
向に対して垂直に所定の間隔でライン状に配列されてい
る。散乱体６１の径は記録層５のマーク５１の径よりも
細かく、また、散乱体６１のラインのピッチはマーク５
１のピッチよりも小さく設定されている。図２（ｂ）に
示すパターン２の例では、散乱体６１はパターン１の例
と同様、矢印Ｐで示すピックアップによる読み取り方向
に対して垂直に所定の間隔でライン状に配列されている
が、マーク５１と散乱体６１との位置関係が異なる。す
なわち、図２（ａ）のパターン１では散乱体６１がマー
ク５１のエッジに近い部分にラインを形成するように配
列されているが、図２（ｂ）のパターン２では散乱体６
１がマーク５１の中心付近にラインを形成するように配
列されている。
乱体６１は矢印Ｐで示すピックアップによる読み取り方
向に対して垂直に所定の間隔でライン状に配列されてい
る。散乱体６１の径は記録層５のマーク５１の径よりも
細かく、また、散乱体６１のラインのピッチはマーク５
１のピッチよりも小さく設定されている。図２（ｂ）に
示すパターン２の例では、散乱体６１はパターン１の例
と同様、矢印Ｐで示すピックアップによる読み取り方向
に対して垂直に所定の間隔でライン状に配列されている
が、マーク５１と散乱体６１との位置関係が異なる。す
なわち、図２（ａ）のパターン１では散乱体６１がマー
ク５１のエッジに近い部分にラインを形成するように配
列されているが、図２（ｂ）のパターン２では散乱体６
１がマーク５１の中心付近にラインを形成するように配
列されている。
【００１８】図２（ｃ）に示すパターン３の例では、散
乱体６１は矢印Ｐで示すピックアップによる読み取り方
向に対して平行に所定の間隔でライン状に配列されてい
る。散乱体６１の径は記録層５のマーク５１の径よりも
細かく、また、散乱体６１のラインのピッチはマーク５
１のピッチよりも小さく設定されている。図２（ｄ）に
示すパターン４の例では、散乱体６１はパターン３の例
と同様、矢印Ｐで示すピックアップによる読み取り方向
に対して平行に所定の間隔でライン状に配列されている
が、マーク５１と散乱体６１との位置関係が異なる。す
なわち、図２（ｃ）のパターン３では散乱体６１がマー
ク５１の中心付近にラインを形成するように配列されて
いるが、図２（ｄ）のパターン４では散乱体６１がマー
ク５１のエッジに近い部分でマーク５１に重なるライン
を形成するように配列されている。
乱体６１は矢印Ｐで示すピックアップによる読み取り方
向に対して平行に所定の間隔でライン状に配列されてい
る。散乱体６１の径は記録層５のマーク５１の径よりも
細かく、また、散乱体６１のラインのピッチはマーク５
１のピッチよりも小さく設定されている。図２（ｄ）に
示すパターン４の例では、散乱体６１はパターン３の例
と同様、矢印Ｐで示すピックアップによる読み取り方向
に対して平行に所定の間隔でライン状に配列されている
が、マーク５１と散乱体６１との位置関係が異なる。す
なわち、図２（ｃ）のパターン３では散乱体６１がマー
ク５１の中心付近にラインを形成するように配列されて
いるが、図２（ｄ）のパターン４では散乱体６１がマー
ク５１のエッジに近い部分でマーク５１に重なるライン
を形成するように配列されている。
【００１９】次に、光記録媒体１００のマーク５１を読
み取る方法について説明する。図１に示すように、基板
１の側からレーザービーム８を照射すると、レーザービ
ーム８のスポットの中心部分で読出し層３が加熱されて
読出し層３のＡｇＯｘ（酸化銀）が銀と酸素とに化学分
解する。読出し層３は常温におけるＡｇＯｘの状態では
反射率が低いが、加熱時に分解して生じる銀は反射率が
高いため、微小な光散乱領域９が形成される。この光散
乱領域９の周囲には近接場光１０が発生し、この近接場
光１０が記録層５に到達する。近接場光１０と記録層５
との相互作用により伝搬光が生じ、この伝搬光が読出し
層３、保護層２、および基板１を通ってピックアップに
より受光されることにより、記録層５に形成されたマー
ク５１が読み取られる。読出し層３におけるＡｇＯｘ
（酸化銀）の化学分解はレーザービーム８のスポットよ
りもごく小さな領域で起こるため、レーザービーム８の
スポット径よりも小さな読み取り半径を得ることができ
る。
み取る方法について説明する。図１に示すように、基板
１の側からレーザービーム８を照射すると、レーザービ
ーム８のスポットの中心部分で読出し層３が加熱されて
読出し層３のＡｇＯｘ（酸化銀）が銀と酸素とに化学分
解する。読出し層３は常温におけるＡｇＯｘの状態では
反射率が低いが、加熱時に分解して生じる銀は反射率が
高いため、微小な光散乱領域９が形成される。この光散
乱領域９の周囲には近接場光１０が発生し、この近接場
光１０が記録層５に到達する。近接場光１０と記録層５
との相互作用により伝搬光が生じ、この伝搬光が読出し
層３、保護層２、および基板１を通ってピックアップに
より受光されることにより、記録層５に形成されたマー
ク５１が読み取られる。読出し層３におけるＡｇＯｘ
（酸化銀）の化学分解はレーザービーム８のスポットよ
りもごく小さな領域で起こるため、レーザービーム８の
スポット径よりも小さな読み取り半径を得ることができ
る。
【００２０】レーザービーム８のスポットは螺旋状に形
成されたトラックに沿って移動するが、スポットの移動
に伴って読出し層３の高温部分が移動し、冷却された部
分は可逆反応により再度ＡｇＯｘの状態に戻るため、光
記録媒体１００は繰り返して再生することができる。
成されたトラックに沿って移動するが、スポットの移動
に伴って読出し層３の高温部分が移動し、冷却された部
分は可逆反応により再度ＡｇＯｘの状態に戻るため、光
記録媒体１００は繰り返して再生することができる。
【００２１】本実施形態の光記録媒体１００では、記録
層５に接近して散乱体６１が設けられているので、近接
場光１０と記録層５との相互作用により発生する伝搬光
が増幅される。
層５に接近して散乱体６１が設けられているので、近接
場光１０と記録層５との相互作用により発生する伝搬光
が増幅される。
【００２２】図３は図２（ａ）〜図２（ｄ）のパターン
１〜４の各例における散乱体６１の効果を示す図であ
り、解析手法としてローレンツモデルにより誘電体の分
極（参照文献：J.B.Judikins, R.W.Ziolkowski, J.Opt.
Soc.Am.A,12,9,1974-1983,1995）を考慮した３次元ＦＤ
ＴＤ法（Finite Difference Time Domain Method）を用
いた。
１〜４の各例における散乱体６１の効果を示す図であ
り、解析手法としてローレンツモデルにより誘電体の分
極（参照文献：J.B.Judikins, R.W.Ziolkowski, J.Opt.
Soc.Am.A,12,9,1974-1983,1995）を考慮した３次元ＦＤ
ＴＤ法（Finite Difference Time Domain Method）を用
いた。
【００２３】計算モデルとしては、記録層５内のマーク
５１が等間隔で並んだ直径１２０ｍｍの相変化した領域
であり、読出し層３の光散乱領域９がマーク５１と同一
のサイズのＡｇ（銀）粒子である場合を想定している。
また、保護層６の散乱体６１は４０ｎｍ×４０ｎｍ×１
５ｎｍ（厚み：図１の上下方向の幅）のサイズのＡｕ
（金）の直方体とした。なお、これは散乱体６１が断面
形状が４０ｎｍ×１５ｎｍの矩形である角柱状（ライン
状）に形成される場合と等価である。入射ビームの波長
は６３５ｎｍ、偏光は矢印Ｐで示すピックアップによる
読み取り方向と垂直な方向（ラジアル方向）の直線偏光
とした。
５１が等間隔で並んだ直径１２０ｍｍの相変化した領域
であり、読出し層３の光散乱領域９がマーク５１と同一
のサイズのＡｇ（銀）粒子である場合を想定している。
また、保護層６の散乱体６１は４０ｎｍ×４０ｎｍ×１
５ｎｍ（厚み：図１の上下方向の幅）のサイズのＡｕ
（金）の直方体とした。なお、これは散乱体６１が断面
形状が４０ｎｍ×１５ｎｍの矩形である角柱状（ライン
状）に形成される場合と等価である。入射ビームの波長
は６３５ｎｍ、偏光は矢印Ｐで示すピックアップによる
読み取り方向と垂直な方向（ラジアル方向）の直線偏光
とした。
【００２４】変調度は、「変調度＝（Ｉoff−Ｉon）／
（Ｉoff＋Ｉon）」で定義した。ここで、ＩoffおよびＩ
onは、それぞれマーク５１が並んだトラックをレーザー
ビームで走査したときのオフマーク（マーク５１以外の
領域）およびオンマーク（マーク５１上の領域）での信
号強度であり、これらは開口数０．６の対物レンズ内に
戻る反射光量の積分値である。
（Ｉoff＋Ｉon）」で定義した。ここで、ＩoffおよびＩ
onは、それぞれマーク５１が並んだトラックをレーザー
ビームで走査したときのオフマーク（マーク５１以外の
領域）およびオンマーク（マーク５１上の領域）での信
号強度であり、これらは開口数０．６の対物レンズ内に
戻る反射光量の積分値である。
【００２５】図３における「なし」は散乱体が設けられ
ていない場合の変調度を、「パターン１」は図２（ａ）
のパターン１における変調度を、「パターン２」は図２
（ｂ）のパターン２における変調度を、「パターン３」
は図２（ｃ）のパターン３における変調度を、「パター
ン４」は図２（ｄ）のパターン４における変調度を、そ
れぞれ示している。
ていない場合の変調度を、「パターン１」は図２（ａ）
のパターン１における変調度を、「パターン２」は図２
（ｂ）のパターン２における変調度を、「パターン３」
は図２（ｃ）のパターン３における変調度を、「パター
ン４」は図２（ｄ）のパターン４における変調度を、そ
れぞれ示している。
【００２６】図４は散乱体がない場合の光記録媒体を示
す断面図であり、図１と同一の構成要素には同一符号を
付している。この光記録媒体１００Ａは、高分子材料か
らなる基板１と、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる保護層２
と、ＡｇＯｘからなる読出し層３と、ＺｎＳ−ＳｉＯ2
からなるギャップ層４と、ＧｅＳｂＴｅからなる記録層
５と、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる保護層６Ａとを、図１
における上方から下方に向けて順次積層して構成され
る。図４に示すように、光記録媒体１００Ａの保護層６
Ａには散乱体６１に相当する散乱体が形成されておら
ず、この点が図１の光記録媒体１００とは異なる。
す断面図であり、図１と同一の構成要素には同一符号を
付している。この光記録媒体１００Ａは、高分子材料か
らなる基板１と、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる保護層２
と、ＡｇＯｘからなる読出し層３と、ＺｎＳ−ＳｉＯ2
からなるギャップ層４と、ＧｅＳｂＴｅからなる記録層
５と、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる保護層６Ａとを、図１
における上方から下方に向けて順次積層して構成され
る。図４に示すように、光記録媒体１００Ａの保護層６
Ａには散乱体６１に相当する散乱体が形成されておら
ず、この点が図１の光記録媒体１００とは異なる。
【００２７】図３に示すように、変調度は、それぞれ散
乱体がない場合は０．８２％、パターン１の場合は４．
８２％、パターン２の場合は４．３３％、パターン３の
場合は１．５１％、パターン４の場合は１．５９％であ
り、散乱体６１が設けられたパターン１〜４の場合は、
いずれも散乱体がない場合より変調度が大きくなってい
る。とくに、パターン１およびパターン２では、散乱体
６１がない場合と比較して変調度が４〜５倍程度増加し
ていることが判り、散乱体６１による変調度向上の効果
は顕著である。
乱体がない場合は０．８２％、パターン１の場合は４．
８２％、パターン２の場合は４．３３％、パターン３の
場合は１．５１％、パターン４の場合は１．５９％であ
り、散乱体６１が設けられたパターン１〜４の場合は、
いずれも散乱体がない場合より変調度が大きくなってい
る。とくに、パターン１およびパターン２では、散乱体
６１がない場合と比較して変調度が４〜５倍程度増加し
ていることが判り、散乱体６１による変調度向上の効果
は顕著である。
【００２８】上記実施形態では粒子状の散乱体が配列し
た場合を示しているが、散乱体をライン状に形成しても
よい。
た場合を示しているが、散乱体をライン状に形成しても
よい。
【００２９】このように本発明のスーパーレンズ方式を
用いた光記録媒体によれば、散乱体６１によってマーク
５１に照射された近接場光１０の散乱効果を高めること
により、変調度を大幅に向上させることができる。な
お、散乱体の材質、散乱体の形成パターン、散乱体のサ
イズ、散乱体と記録層との位置関係、他の層の材質や厚
み等は上記実施形態に限定されない。
用いた光記録媒体によれば、散乱体６１によってマーク
５１に照射された近接場光１０の散乱効果を高めること
により、変調度を大幅に向上させることができる。な
お、散乱体の材質、散乱体の形成パターン、散乱体のサ
イズ、散乱体と記録層との位置関係、他の層の材質や厚
み等は上記実施形態に限定されない。
【図１】本実施形態の光記録媒体を模式的に示す断面
図。
図。
【図２】散乱体とマークの位置関係を示す図であり、
（ａ）はパターン１を、（ｂ）はパターン２を、（ｃ）
はパターン３を、（ｄ）はパターン４を、それぞれ示す
図。
（ａ）はパターン１を、（ｂ）はパターン２を、（ｃ）
はパターン３を、（ｄ）はパターン４を、それぞれ示す
図。
【図３】パターン１〜４の各例における散乱体の効果を
示す図。
示す図。
【図４】散乱体が設けられていない光記録媒体を模式的
に示す断面図。
に示す断面図。
３ 読出し層 ４ ギャップ層 ５ 記録層 ６ 保護層 ５１ マーク ６１ 散乱体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山川 侑三 埼玉県鶴ケ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 5D029 JB05 JB06 5D090 AA01 BB16 DD01 FF11
Claims (8)
- 【請求項１】 レーザースポットの中心部分に近接場光
を形成する読出し層と、前記読出し層で発生した近接場
光を受ける記録層と、を備える近接場光を用いた超解像
層構造を有する光記録媒体において、 散乱体を設けたことを特徴とする近接場光を用いた超解
像層構造を有する光記録媒体。 - 【請求項２】 前記散乱体として金属を用いたことを特
徴とする請求項１に記載の近接場光を用いた超解像層構
造を有する光記録媒体。 - 【請求項３】 前記散乱体として金を用いたことを特徴
とする請求項２に記載の近接場光を用いた超解像層構造
を有する光記録媒体。 - 【請求項４】 前記散乱体を保持する散乱体保持層を備
え、 前記散乱体保持層は前記記録層を挟んで前記読出し層の
反対側に設けられることを特徴とする請求項１〜３のい
ずれか１項に記載の近接場光を用いた超解像層構造を有
する光記録媒体。 - 【請求項５】 前記散乱体は前記記録層に設けられるこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の近
接場光を用いた超解像層構造を有する光記録媒体。 - 【請求項６】 前記散乱体を保持する散乱体保持層を備
え、 前記散乱体保持層は前記記録層と前記読出し層との間に
設けられることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１
項に記載の近接場光を用いた超解像層構造を有する光記
録媒体。 - 【請求項７】 前記散乱体は粒子状物質とされているこ
とを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の近
接場光を用いた超解像層構造を有する光記録媒体。 - 【請求項８】 前記散乱体はライン状に形成されている
ことを特徴とする請求項１〜７に記載の近接場光を用い
た超解像層構造を有する光記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000308064A JP2002117575A (ja) | 2000-10-06 | 2000-10-06 | 近接場光を用いた超解像層構造を有する光記録媒体 |
| US09/969,590 US6848115B2 (en) | 2000-10-06 | 2001-10-04 | Optical recording medium using scattering bodies to enhance modulation |
| DE60127218T DE60127218T2 (de) | 2000-10-06 | 2001-10-04 | Nahfeldlicht verwendendes optisches Aufzeichnungsmedium mit einer hochauflösenden Schichtstruktur |
| EP01308507A EP1195757B1 (en) | 2000-10-06 | 2001-10-04 | Optical recording medium with super-resolution layer structure using near-field light |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000308064A JP2002117575A (ja) | 2000-10-06 | 2000-10-06 | 近接場光を用いた超解像層構造を有する光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002117575A true JP2002117575A (ja) | 2002-04-19 |
Family
ID=18788451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000308064A Pending JP2002117575A (ja) | 2000-10-06 | 2000-10-06 | 近接場光を用いた超解像層構造を有する光記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6848115B2 (ja) |
| EP (1) | EP1195757B1 (ja) |
| JP (1) | JP2002117575A (ja) |
| DE (1) | DE60127218T2 (ja) |
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| JP2009523322A (ja) * | 2006-01-11 | 2009-06-18 | マイクロン テクノロジー， インク． | 回折限界以下のフィーチャを作り出すためのフォトリソグラフィーシステムと方法 |
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| JP2004348830A (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Samsung Electronics Co Ltd | 微細構造描画用多層構造体と描画方法、及びそれを利用した光ディスクの原盤作製方法及びマスタリング方法 |
| KR20050000108A (ko) * | 2003-06-23 | 2005-01-03 | 삼성전자주식회사 | 초해상 근접장 구조를 가지는 광디스크 |
| KR20050029765A (ko) * | 2003-09-22 | 2005-03-28 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 재생전용 광디스크 및 그 제조방법 |
| KR20050032689A (ko) * | 2003-10-02 | 2005-04-08 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 재생전용 광디스크 |
| KR20050053132A (ko) * | 2003-12-02 | 2005-06-08 | 삼성전자주식회사 | 초해상 정보 저장 매체 |
| US20050221228A1 (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-06 | General Electric Company | Near field optical storage mask layer, disk, and fabrication method |
| US7114990B2 (en) | 2005-01-25 | 2006-10-03 | Corning Gilbert Incorporated | Coaxial cable connector with grounding member |
| JP2010146662A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Sony Corp | 記録再生装置及び記録再生システム |
| JP2010146663A (ja) | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Sony Corp | 記録再生装置及び記録再生システム |
| TWI549386B (zh) | 2010-04-13 | 2016-09-11 | 康寧吉伯特公司 | 具有防止進入及改良接地之同軸連接器 |
| US8888526B2 (en) | 2010-08-10 | 2014-11-18 | Corning Gilbert, Inc. | Coaxial cable connector with radio frequency interference and grounding shield |
| TWI558022B (zh) | 2010-10-27 | 2016-11-11 | 康寧吉伯特公司 | 具有耦合器和固持及釋放機制的推入固定式纜線連接器 |
| US9190744B2 (en) | 2011-09-14 | 2015-11-17 | Corning Optical Communications Rf Llc | Coaxial cable connector with radio frequency interference and grounding shield |
| US20130072057A1 (en) | 2011-09-15 | 2013-03-21 | Donald Andrew Burris | Coaxial cable connector with integral radio frequency interference and grounding shield |
| US20150043318A1 (en) * | 2011-09-26 | 2015-02-12 | Pioneer Micro Technology Corporation | Reader, and reproducing apparatus and recording / reproducing apparatus |
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| US9407016B2 (en) | 2012-02-22 | 2016-08-02 | Corning Optical Communications Rf Llc | Coaxial cable connector with integral continuity contacting portion |
| US9287659B2 (en) | 2012-10-16 | 2016-03-15 | Corning Optical Communications Rf Llc | Coaxial cable connector with integral RFI protection |
| US9147963B2 (en) | 2012-11-29 | 2015-09-29 | Corning Gilbert Inc. | Hardline coaxial connector with a locking ferrule |
| US9153911B2 (en) | 2013-02-19 | 2015-10-06 | Corning Gilbert Inc. | Coaxial cable continuity connector |
| US9172154B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-10-27 | Corning Gilbert Inc. | Coaxial cable connector with integral RFI protection |
| US10290958B2 (en) | 2013-04-29 | 2019-05-14 | Corning Optical Communications Rf Llc | Coaxial cable connector with integral RFI protection and biasing ring |
| EP3000154B1 (en) | 2013-05-20 | 2019-05-01 | Corning Optical Communications RF LLC | Coaxial cable connector with integral rfi protection |
| US9548557B2 (en) | 2013-06-26 | 2017-01-17 | Corning Optical Communications LLC | Connector assemblies and methods of manufacture |
| US9048599B2 (en) | 2013-10-28 | 2015-06-02 | Corning Gilbert Inc. | Coaxial cable connector having a gripping member with a notch and disposed inside a shell |
| WO2016073309A1 (en) | 2014-11-03 | 2016-05-12 | Corning Optical Communications Rf Llc | Coaxial cable connector with integral rfi protection |
| US9590287B2 (en) | 2015-02-20 | 2017-03-07 | Corning Optical Communications Rf Llc | Surge protected coaxial termination |
| US10033122B2 (en) | 2015-02-20 | 2018-07-24 | Corning Optical Communications Rf Llc | Cable or conduit connector with jacket retention feature |
| US10211547B2 (en) | 2015-09-03 | 2019-02-19 | Corning Optical Communications Rf Llc | Coaxial cable connector |
| US9525220B1 (en) | 2015-11-25 | 2016-12-20 | Corning Optical Communications LLC | Coaxial cable connector |
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- 2000-10-06 JP JP2000308064A patent/JP2002117575A/ja active Pending
-
2001
- 2001-10-04 US US09/969,590 patent/US6848115B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-04 DE DE60127218T patent/DE60127218T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-04 EP EP01308507A patent/EP1195757B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1195757B1 (en) | 2007-03-14 |
| EP1195757A3 (en) | 2004-06-23 |
| DE60127218T2 (de) | 2007-12-20 |
| EP1195757A2 (en) | 2002-04-10 |
| US20020051422A1 (en) | 2002-05-02 |
| DE60127218D1 (de) | 2007-04-26 |
| US6848115B2 (en) | 2005-01-25 |
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