JP2008527590A - マスタリング方法及びマスタリング基板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 216
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 191
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 115
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 108
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 109
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 93
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 39
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 27
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 27
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 claims description 20
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 15
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910017758 Cu-Si Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017931 Cu—Si Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000618 GeSbTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910018098 Ni-Si Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910018529 Ni—Si Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 330
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 61
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 26
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 18
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 9
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 7
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 7
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 5
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018321 SbTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Al 2 O 3 Chemical class 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001938 differential scanning calorimetry curve Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00454—Recording involving phase-change effects
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/263—Preparing and using a stamper, e.g. pressing or injection molding substrates
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Abstract
Description
−レーザパルスを適用することによりピット/隆起が形成されることとなっている誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ;及び、
−相変化を経験した誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;又は、
−相変化を経験していない誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ。
−250nmと800nmとの間の波長を持つレーザパルスを適用することによりピット/隆起が形成されることとなっているその誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ;及び、
−相変化を経験した誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;又は、
−相変化を経験していない誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ。
−レーザパルスを適用することによりピット/隆起が形成されることとなっているその誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ;
−相変化を経験した誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;又は、
−相変化を経験していない誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;及び、
−その記録スタックに基づいてそのスタンパーを作るステップ。
−レーザパルスを適用することによりピット/隆起が形成されることとなっているその誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ;
−相変化を経験した誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;又は、
−相変化を経験していない誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;
−その記録スタックに基づいてスタンパーを作るステップ;及び
−その光学ディスクを作るためにそのスタンパーを使用するステップ。
−レーザパルスを適用することによりピット/隆起が形成されることとなっているその誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ;
−相変化を経験した誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;又は、
−相変化を経験していない誘電体層(14)の領域(26)をエッチング処理により取り除くステップ;及び、
−その記録スタックに基づいてそのスタンプ(42)を作るステップ。
−レーザパルスを適用することによりピット/隆起が形成されることとなっているその誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ;
−相変化を経験した誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;又は、
−相変化を経験していない誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;
−その記録スタックに基づいてスタンプを作るステップ;及び
−そのマイクロプリントを作るためにそのスタンプを使用するステップ。
−250nmと264nmとの間で、特に、257nmの波長を持つレーザパルスを適用することによりピット/隆起が形成されることとなっているその誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ;
−相変化を経験した誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;又は、
−相変化を経験していない誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;
−その記録スタックに基づいてそのスタンパーを作るステップ。
−250nmと264nmとの間で、特に、257nmの波長を持つレーザパルスを適用することによりピット/隆起が形成されることとなっているその誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ;
−相変化を経験した誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;又は、
−相変化を経験していない誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;
−その記録スタックに基づいてスタンパーを作るステップ;及び
−その光学ディスクを作るためにそのスタンパーを使用するステップ。
−250nmと264nmとの間で、特に、257nmの波長を持つレーザパルスを適用することによりピット/隆起が形成されることとなっているその誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ;
−相変化を経験した誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;又は、
−相変化を経験していない誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;及び
−その記録スタックに基づいてそのスタンパーを作るステップ。
−250nmと264nmとの間で、特に、257nmの波長を持つレーザパルスを適用することによりピット/隆起が形成されることとなっているその誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ;
−相変化を経験した誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;又は、
−相変化を経験していない誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;及び
−その記録スタック(10)に基づいてスタンプを作るステップ;及び
−そのマイクロプリントを作るためにそのスタンプを使用するステップ。
Claims (38)
- マスター基板、特に、光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るためのマスター基板、又は、マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを創出するためのマスター基板の記録スタックに高密度の凹凸構造を提供するための方法であって、
誘電体層と該誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための手段とを含む記録スタックを提供するステップ;
レーザパルスを適用することによりピット/隆起が形成されることとなっている前記誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ;及び
相変化を経験した前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;又は、
相変化を経験していない前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;
を含む方法。 - 前記誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための前記手段は、前記誘電層の上、及び/又は、下に配置される、少なくとも一つの吸着層を含む、
請求項1に従った方法。 - 前記誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための前記手段は、前記誘電体層にドーピングされるドーパントを含む、
請求項1又は2に従った方法。 - 前記誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための前記手段は、アニーリング処理の間に、前記誘電体層内で成長したナノ結晶を含む、
請求項1乃至3の何れかに従った方法。 - 前記吸着層は、Ni、Cu、GeSbTe、SnGeSb、InGeSbTe、Cu−Si若しくはNi−Siのような物質を形成するシリサイド、核生成が優勢な相変化物質のような材料組成のグループから選択される物質から作られる、
請求項2に従った、或いは、請求項2に従属する場合には、請求項3又は4に従った方法。 - 前記誘電体層は、ZnS−SiO2層である、
請求項1に従った方法。 - 前記エッチング処理で使用される腐食液は、HNO3、HCl、H2SO4のような酸性溶液、又は、KOH、NaOHのようなアルカリ性の液体のグループから選択される、
請求項1に従った方法。 - 前記エッチング処理中、レーザパルスが適用された前記吸着層の領域が、レーザパルスが適用されていない前記吸着層の領域と一緒に、取り除かれる、
請求項2に従った、或いは、請求項2に従属する場合には、請求項3又は4に従った方法。 - 前記エッチング処理中、取り除かれる前記誘電体層の領域の上に位置付けられた前記吸着層の領域だけが取り除かれる、
請求項2に従った、或いは、請求項2に従属する場合には、請求項3又は4に従った方法。 - 記録スタックを提供する前記ステップは、前記誘電体層の下にミラー層を更に含む記録スタックを提供することを含む、
請求項2に従った、或いは、請求項2に従属する場合には、請求項3又は4に従った方法。 - 前記ミラー層は、Ag、Al、Siのグループから選択される物質から作られる、
請求項10に従った方法。 - スタックを提供する前記ステップは、前記誘電体層の上の吸着層と前記誘電体層の下の追加の吸着層とを含む記録スタックを提供することを含む、
請求項1に従った方法。 - スタックを提供する前記ステップは、前記追加の吸着層の下に追加の誘電体層を更に含む記録スタックを提供することを含む、
請求項12に従った方法。 - スタックを提供する前記ステップは、被覆層を更に含む記録スタックを提供することを含む、
請求項1に従った方法。 - 前記被覆層は、エッチング可能な誘電体層で作られる、
請求項14に従った方法。 - 前記ドーパントは、N、Sb、Ge、In、Snのグループから選択される、
請求項3に従った方法。 - スタックを提供する前記ステップは、複数の交互の誘電体層及び吸着層を含む記録スタックを提供することを含む、
請求項1に従った方法。 - 前記複数の交互の誘電体層及び吸着層は、2〜20の誘電体層と2〜20の吸着層とで形成され、好適には、5〜15の誘電体層と5〜15の吸着層とで形成され、また、最も好適には、約10の誘電体層と10の吸着層とで形成される、
請求項17に従った方法。 - 前記誘電体層は、0.5nmと20nmとの間の厚さ、好適には1nmと10nmとの間の厚さ、また、最も好適には、約5nmの厚さを含む、
請求項17に従った方法。 - 前記吸着層は、0.1nmと10nmとの間の厚さ、好適には0.2nmと5nmとの間の厚さ、また、最も好適には、約1nmの厚さを含む、
請求項17に従った方法。 - 高密度の凹凸構造を創出するための、マスター基板、特に、光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るためのマスター基板、又は、マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを創出するためのマスター基板であって、
前記高密度の凹凸構造を形成するために、レーザパルスに対するその吸収特性を高めるドーパントがドーピングされた誘電体層を備える、
マスター基板。 - 前記ドーパントは、N、Sb、Ge、In、Snのグループから選択される、
請求項21に従ったマスター基板。 - 高密度の凹凸構造を創出するための、マスター基板、特に、光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るためのマスター基板、又は、マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを創出するためのマスター基板であって、
前記高密度の凹凸構造を形成するために、アニーリング処理によって成長したナノ結晶を含む誘電体層を備える、
マスター基板。 - マスター基板、特に、光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るためのマスター基板、又は、マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを創出するためのマスター基板の記録スタックに高密度の凹凸構造を提供するための方法であって、
誘電体層を含む記録スタックを提供するステップ;
250nmと800nmとの間の波長、特に、257nmと405nmとの間の波長を持つレーザパルスを適用することによりピット/隆起が形成されることとなっている前記誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ;及び
相変化を経験した前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;又は、
相変化を経験していない前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;
を含む方法。 - 前記誘電体層は、ZnS−SiO2層である、
請求項24に従った方法。 - 前記ZnS−SiO2層のZnS構成要素は、重量パーセントでいうところの80%未満で存在する、
請求項25に従った方法。 - 前記記録スタックは、少なくとも一つの吸着層を含む、
請求項24又は25に従った方法。 - 前記エッチング処理の後に、コーティングが適用される、
請求項24又は25に従った方法。 - 前記エッチング処理は、取り除かれてはいけない前記誘電体層の領域のアンダーエッチングが発生する前に、止められる、
請求項24又は25に従った方法。 - 前記誘電体層は、前記レーザパルスの適用中に前記レーザの近くに配置される第一表面と前記レーザパルスの適用中に前記レーザから遠くに配置される第二表面とを含み、かつ、
前記エッチング処理は、前記誘電体層の前記第二表面で開始する、
請求項24又は25に従った方法。 - 光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るための方法であって、
誘電体層と該誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための手段とを含む記録スタックを提供するステップ;
レーザパルスを適用することによりピット/隆起が形成されることとなっている前記誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ;
相変化を経験した前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;又は、
相変化を経験していない前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;及び
前記記録スタックに基づいて前記スタンパーを作るステップ;
を含む方法。 - 光学ディスクを作るための方法であって、
誘電体層と該誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための手段とを含む記録スタックを提供するステップ;
レーザパルスを適用することによりピット/隆起が形成されることとなっている前記誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ;
相変化を経験した前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;又は、
相変化を経験していない前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;
前記記録スタックに基づいてスタンパーを作るステップ;及び
前記光学ディスクを作るために前記スタンパーを使用するステップ;
を含む方法。 - マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを作るための方法であって、
誘電体層と該誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための手段とを含む記録スタックを提供するステップ;
レーザパルスを適用することによりピット/隆起が形成されることとなっている前記誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ;
相変化を経験した前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;又は、
相変化を経験していない前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;及び
前記記録スタックに基づいて前記スタンプを作るステップ;
を含む方法。 - マイクロプリントを作るための方法であって、
誘電体層と該誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための手段とを含む記録スタックを提供するステップ;
レーザパルスを適用することによりピット/隆起が形成されることとなっている前記誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ;
相変化を経験した前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;又は、
相変化を経験していない前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;
前記記録スタックに基づいてスタンプを作るステップ;及び
前記マイクロプリントを作るために前記スタンプを使用するステップ;
を含む方法。 - 光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るための方法であって、
誘電体層を含む記録スタックを提供するステップ;
245nmと270nmとの間の波長、好適には、257nmと266nmとの間の波長を持つレーザパルスを適用することによりピット/隆起が形成されることとなっている前記誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ;及び
相変化を経験した前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;又は、
相変化を経験していない前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;及び
前記記録スタックに基づいて前記スタンパーを作るステップ;
を含む方法。 - 光学ディスクを作るための方法であって、
誘電体層を含む記録スタックを提供するステップ;
245nmと270nmとの間の波長、好適には、257nmと266nmとの間の波長を持つレーザパルスを適用することによりピット/隆起が形成されることとなっている前記誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ;及び
相変化を経験した前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;又は、
相変化を経験していない前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;
前記記録スタックに基づいてスタンパーを作るステップ;及び
前記光学ディスクを作るために前記スタンパーを使用するステップ;
を含む方法。 - マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを作るための方法であって、
誘電体層を含む記録スタックを提供するステップ;
245nmと270nmとの間の波長、好適には、257nmと266nmとの間の波長を持つレーザパルスを適用することによりピット/隆起が形成されることとなっている前記誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ;及び
相変化を経験した前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;又は、
相変化を経験していない前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;及び
前記記録スタックに基づいて前記スタンパーを作るステップ;
を含む方法。 - マイクロプリントを作るための方法であって、
誘電体層を含む記録スタックを提供するステップ;
245nmと270nmとの間の波長、好適には、257nmと266nmとの間の波長を持つレーザパルスを適用することによりピット/隆起が形成されることとなっている前記誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ;及び
相変化を経験した前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;又は、
相変化を経験していない前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ;
前記記録スタックに基づいてスタンプを作るステップ;及び
前記マイクロプリントを作るために前記スタンプを使用するステップ;
を含む方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP05100048 | 2005-01-06 | ||
EP05102457 | 2005-03-29 | ||
EP05106409 | 2005-07-13 | ||
PCT/IB2006/050005 WO2006072895A2 (en) | 2005-01-06 | 2006-01-02 | Methods for mastering and mastering substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008527590A true JP2008527590A (ja) | 2008-07-24 |
Family
ID=36424542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007549986A Pending JP2008527590A (ja) | 2005-01-06 | 2006-01-02 | マスタリング方法及びマスタリング基板 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080152936A1 (ja) |
EP (1) | EP1836704A2 (ja) |
JP (1) | JP2008527590A (ja) |
KR (1) | KR20070097560A (ja) |
MX (1) | MX2007008194A (ja) |
TW (1) | TW200638418A (ja) |
WO (1) | WO2006072895A2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1929473A1 (en) * | 2005-09-02 | 2008-06-11 | Moser Baer India Ltd. | Method of manufacturing a stamper for replicating a high density relief structure |
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US8663772B2 (en) | 2007-03-19 | 2014-03-04 | Ricoh Company, Ltd. | Minute structure and information recording medium |
EP2273501A1 (en) * | 2009-06-24 | 2011-01-12 | Singulus Mastering B.V. | Master disc having a PTM layer and a nickel undercoat |
CN114815317A (zh) * | 2022-06-28 | 2022-07-29 | 中山大学 | 一种相变材料薄膜的图像化相位调控装置及方法 |
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JP3581908B2 (ja) * | 1994-05-18 | 2004-10-27 | 大阪瓦斯株式会社 | 高密度光メモリディスク記録原盤およびその製造方法 |
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EP1482494A3 (en) * | 2003-05-28 | 2007-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing master for optical information recording media |
TW200504746A (en) * | 2003-06-23 | 2005-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for producing stamper for optical information recording medium |
WO2006027732A2 (en) * | 2004-09-07 | 2006-03-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Replication of a high-density relief structure |
-
2006
- 2006-01-02 JP JP2007549986A patent/JP2008527590A/ja active Pending
- 2006-01-02 KR KR1020077017867A patent/KR20070097560A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-01-02 MX MX2007008194A patent/MX2007008194A/es not_active Application Discontinuation
- 2006-01-02 EP EP06710613A patent/EP1836704A2/en not_active Withdrawn
- 2006-01-02 US US11/722,997 patent/US20080152936A1/en not_active Abandoned
- 2006-01-02 WO PCT/IB2006/050005 patent/WO2006072895A2/en active Application Filing
- 2006-01-03 TW TW095100210A patent/TW200638418A/zh unknown
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006072895A3 (en) | 2007-11-29 |
MX2007008194A (es) | 2007-08-22 |
TW200638418A (en) | 2006-11-01 |
US20080152936A1 (en) | 2008-06-26 |
WO2006072895A2 (en) | 2006-07-13 |
EP1836704A2 (en) | 2007-09-26 |
KR20070097560A (ko) | 2007-10-04 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A02 | Decision of refusal |
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